FR2524497A1 - Procede de preparation de cristaux de la classe de symetrie ponctuelle 32 et de formule brute chimique a bo4 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 description 1
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/14—Phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
A. LE PROCEDE CONCERNE LA PREPARATION DES CRISTAUX DE LA CLASSE DE SYMETRIE PONCTUELLE32 ET DONT LA FORMULE BRUTE EST ABO, OU A EST UN ELEMENT DU GROUPE FE, AL, GA ET B, ET B UN ELEMENT DU GROUPE P ET AS. B. CE PROCEDE EST CARACTERISE EN CE QUE LES CONCENTRATIONS D'ACIDES UTILISEES SONT DE L'ORDRE DE 11 A 20MOLES1, LES TEMPERATURES DES SOLUTIONS DE 150 A 190C, ET LES PRESSIONS TOTALES SE MONTENT JUSQU'A 2,5BARS. C. CE PROCEDE PERMET DE TRAVAILLER SOUS UNE PRESSION BEAUCOUP PLUS BASSE QUE DANS LES PROCEDES ANTERIEURS CE QUI DIMINUE NETTEMENT LES RISQUES D'ACCIDENT.
Description
Procédé de préparation de cristaux de la classe de symétrie ponctuelle 32
et de formule brute chimique
A B 04 "
L'invention concerne un procédé pour la préparation de cristaux de la classe de symétrie ponctuelle 32 et de formule brute chimique A BO, o A représente un élément du groupe Fe, Al,Ga et B un élément du groupe P, As, à partir de solutions chauffées de sels du groupe A dans des acides du groupe B. Les sels peuvent être obtenus ici également par chauffage de l'oxyde correspondant dans l'acide souhaité,
sous reflux.
Dans les procédés de ce type connus Jusqu'à pré-
sent, pour produire des monocristaux du type indiqué, il
est nécessaire, en raison des paramètres du procédé uti-
lisé tels que la pression, la température et la concen-
tration en acide, d'utiliser des récipients fermés sous
pression, ce qui rend généralement difficile la surveil-
lance visuelle de la croissance des cristaux, et qui in-
dépendamment de cela, en raison de la pression totale élevée régnant à l'intérieur, représente un danger certain
pour la sécurité, dont il faut tenir compte et qui aug-
mente naturellement les coûts.
Comme exemple, on ne donnera ici qu'un procédé connu pour l'obtention du monocristal Al PO 4, pour lequel on
utilise à l'intérieur de l'autoclave contenant la solu-
tion chauffée, une pression totale de 7 à 35 bars On connait aussi à cet égard, l'utilisation de H 3 P 04 6,1 M
à 2501 C ou sous 70 à 700 bars.
L'objectif de l'invention consiste à perfectionner le procédé du type décrit en introduction, de façon à pou-
voir travailler sous des pressions plus faibles et obte-
nir simultanément de façon simple, sûre et économique,
des cristaux exempts de défauts.
A cet effet, l'invention propose un procédé carac-
térisé en ce que les concentrations d'acide utilisées sont
de l'ordre de 11 à 20 moles/l, les températures des solu-
tions de 150 à 1900 et les pressions totales, dans la zone des pressions de vapeur d'équilibre concernées, se montent
jusqu'à 2,5 bars.
Il est connu en soi que l'on peut abaisser dans les
systèmes en solution mentionnés la pression de vapeur au-
dessus de la solution et par conséquence la pression in-
terne globale pour une température donnée, par augmenta-
tion de la concentration en acide Une telle augmentation
de la concentration en acide comporte cependant un ris-
que, à savoir que ce ne soit pas le cristal A 804 souhai-
té qui se forme mais des sels acides avec l'acide ou les
polyacides correspondants Pour cette raison, on a tou-
jours évité jusqu'à présent, dans les milieux spécialisés,
d'élever la concentration en acide à une valeur supérieu-
re à 6,1 moles/l, et la littérature mettait carrément en
garde vis-à-vis de cette étape pour les motifs mention-
nés. Or, il est apparu de façon tout à fait inattendue que si on élève la concentration en acide au-dessus de 11 moles/l, tout en maintenant les plages mentionnées
plus haut, de pression totale et de température, la for-
mation des cristaux A B O souhaités ne sera pas perturbé,
et il ne se produira aucune formation de sels acides.
En se basant sur les données de la littérature, il
ressort par exemple pour le système acide phosphorique-
eau, avec un acide phosphorique 20,7 fois molaire, qui
ne contient plus d'eau libre, une température d'ébulli-
tion normale de 3000 C Cette température est encore éle-
vée par la dissolution de sel, de sorte qu'avec une solu-
tion de ce type à 1901 C, on peut déjà opérer à la pres-
sion atmosphérique Dans les procédés connus par contre, pour une concentration d'acide phosphorique de 6,1 moles/l
utilisée à titre d'exemple, il ressort un point d'ébulli-
tion de 1600 C environ et donc à 190 OC, une pression supé-
rieure à 20 bars.
Un procédé décrit dans le brevet US NO 4 247 358, travaille bien à des températures relativement basses
( 150-1650 C), mais comme tous les autres procédés mention-
nés concernant Al PO 4, il opère avec 6 moles/l d'acide phosphorique La pression de 7 bars qui s'instaure exige
donc des dispositions appropriées.
Selon le procédé de l'invention, par suite de l'élé-
vation de la concentration en acide, on peut donc tra-
vailler à des températures et sous des pressions plus fai-
bles, ce qui conduit, en raison d'une plus faible formation
de défauts, à une amélioration de la qualité des cris-
taux Par suite de la plus faible concentration en eau, la probabilité d'incorporation de défauts par présence d'eau est réduite, ce qui augmente encore la qualité du monocristal. De plus, par suite des températures et pressions plus faibles utilisées, on peut abaisser les coûts du
maintien de la sécurité et l'on peut utiliser des réci-
pients enverre qui permettent un contrôle visuel de la
croissance des cristaux.
Il est particulièrement avantageux ici que, suivant un mode de réalisation avantageux de l'invention, la
pression totale utilisée soit égale à la pression atmos-
phérique, car-ainsi on peut éviter l'utilisation de sys-
tèmes d'étanchéité compliqués, et de dispositifs permet-
tant le maintien à un niveau constant de la pression totale Par pression totale, il faut toujours entendre
ici la somme des pressions partielles, d'après lesquel-
les les degrés de remplissage du vase sont toujours infé-
rieurs à 100 %, c'est-à-dire que l'on peut toujours tra-
vailler dans un domaine à deux phases, gaz-liquide Dans
ce cas, s'il n'y a pas de gaz étranger présent, la pres-
sion totale est égale à la pression de vapeur d'équili-
bre de la solution à la température donnée.
Lorsqu'un gaz étranger est présent, ce qui est géné-
ralement le cas lorsque l'air n'est pas exclu, on peut opérer par exemple au moyen d'une soupape de sécurité de façon que la pression totale soit égale à la pression atmosphérique, aussi longtemps que la pression de vapeur
de la solution reste inférieure à la pression atmosphéri-
que Par une forte tension préalable de la soupape de sécurité, on peut alors régler la pression totale de
façon à ne pas dépasser 2,5 bars.
Exemple:
On chauffe 29 g d'oxyde de gallium avec 300 ml d'acide phosphorique à 85 % ( 14,6 moles/l) dans un flacon Erlenmayer surmonté d'un réfrigérant à reflux, dans un
bain d'huile pendant 70 heures à 1500 C; la solution ob-
tenue est décantée, centrifugée, et introduite dans un tube à essai à paroi épaisse, muni de fermeture à vis, en
verre résistant à la chaleur.
Le taux de remplissage est de 60 % au maximum Une partie des tubes a été fermée, l'autre partie laissée
ouverte, et tous ont été soumis, dans un liquide thermo-
staté (+ 0,010 C) ou dans une étuve (+ 0,50 C), en partant
de 1500 C, pendant 20 jours, à une augmentation de la tem-
pérature de 0,50 C à 10 C par jour Les pressions totales variaient ici de 0,6 bar à 1500 C à environ 2,5 bars à
1900 C Il s'est produit dans les tubes fermés une cris-
tallisation, en raison de la solubilité rétrograde du Ga PO 4 dans le H 3 P 04, tandis que dans les tubes ouverts,
il s'est produit une cristallisation combinée, par ex-
traction de solvant et solubilité rétrograde Il s'est formé des cristaux rhomboédriques, limpides comme l'eau, de maximum 200 mg, qui ont pu être utilisés comme germes
pour des essais de cristallisation ultérieurs.
Claims (1)
- R E V E N D I C A T I 0 N S) Procédé pour la préparation de cristaux de la classe de symétrie ponctuelle 32 et de formule brute chimique A B 04; o A représente un élément du groupe Fe, Al, Ca et B un élément du groupe P, As, à partir de solu- tions chauffées de sels du groupe A dans des acides du groupe B, procédé caractérisé en ce que les concentrations d'acide utilisées sont de l'ordre de Il à 20 moles/l, lestempératures des solutions de 150 à 1901 C et les pres-sions totales, dans la zone des pressions de vapeurd'équilibre concernées, se montent Jusqu'à 2,5 bars.) Procédé selon la revendication 1, caractériséen ce que la pression totale utilisée est égale à la pres-sion atmosphérique.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0126082A AT379831B (de) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | Verfahren zur herstellung von kristallen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2524497A1 true FR2524497A1 (fr) | 1983-10-07 |
| FR2524497B1 FR2524497B1 (fr) | 1986-02-21 |
Family
ID=3510045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8304600A Expired FR2524497B1 (fr) | 1982-03-30 | 1983-03-21 | Procede de preparation de cristaux de la classe de symetrie ponctuelle 32 et de formule brute chimique a bo4 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4678535A (fr) |
| JP (1) | JPS58181786A (fr) |
| AT (1) | AT379831B (fr) |
| CH (1) | CH658675A5 (fr) |
| DE (1) | DE3309598C2 (fr) |
| FR (1) | FR2524497B1 (fr) |
| GB (1) | GB2119778B (fr) |
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| FR2524497B1 (fr) | 1986-02-21 |
| US4678535A (en) | 1987-07-07 |
| GB2119778A (en) | 1983-11-23 |
| GB8307388D0 (en) | 1983-04-27 |
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| DE3309598C2 (de) | 1986-06-05 |
| DE3309598A1 (de) | 1983-12-08 |
| JPS58181786A (ja) | 1983-10-24 |
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