FR2700896A1 - Circuit intégré optique. - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un circuit intégré optique qui comprend une diode laser émettant une lumière laser et une photodiode recevant la lumière émise par la diode laser. Selon l'invention, la diode laser (5) et la photodiode (6) sont agencées en des positions sur le même substrat, lesquelles positions ne sont pas optiquement sur la même ligne droite, la diode laser (5) et la photodiode (6) étant toutes deux agencées sur une plaque de support (9) et un miroir réfléchissant (8) pour le couplage optique de la diode laser (5) à la photodiode (6) est disposé sur la plaque de support (9). L'invention s'applique notamment aux circuits intégrés.
Description
La présente invention se rapporte à un circuit intégré optique
comprenant une diode laser et une photodiode.
La figure 10 est une vue en coupe transversale illustrant un circuit intégré optique de l'art antérieur comprenant une diode laser et une photodiode, lequel est révélé, par exemple, dans Transactions of The Japan Society of Applied Physics, automne 1986, Page 178, 29 a-T-5 Sur la figure, le chiffre de référence 1 désigne un substrat semi-conducteur en In P d'un premier type de conductivité, par exemple du type n, ayant une épaisseur de 100 j m et une concentration en porteurs de 5,0 x 1018 cm-3 Les chiffres de référence la et lb désignent des couches de semi-conducteur en In P du type N qui servent de couches inférieures de placage ayant une épaisseur de 1 pm et une concentration
en porteurs de 1,0 x 1018 cm-3 disposées sur le substrat semi-conducteur 100.
Les chiffres de référence 2 a et 2 b désignent des couches de semiconducteur en Injlx Gax Asy PI-y non dopé qui servent de couches actives d'une épaisseur de 0,1 gm et un intervalle de bande d'énergie plus étroit que celui des couches inférieures de placage la et lb en semi- conducteur du type n Les couches de semi-conducteur non dopé 2 a et 2 b sont disposées sur les couches inférieures de placage de semi-conducteur en In P du type la et lb Les chiffres de référence 3 a et 3 b désignent des couches de semi-conducteur en In P du type p qui servent de couches supérieures de placage, ayant une épaisseur de 1,0 utn, et avec une concentration en porteurs de 1,0 x 1018 cm-3 Les intervalles de bande d'énergie des couches 3 a et 3 b sont plus grands que ceux des couches de semi-conducteur 2 a et 2 b et ces couches sont disposées sur les couches de semi-conducteur 2 a et 2 b, respectivement Le chiffre de référence 4 désigne une gorge attaquée qui est formée pour pénétrer à travers les couches de semi-conducteur 1, 2 et 3 et atteindre le substrat semi-conducteur 100 La gorge attaquée 4 a une profondeur de 3 gm et une largeur minimale de 5 m à la partie la plus basse de la gorge et une largeur maximale de 10 pm à sa partie la plus haute Le chiffre de référence désigne une diode laser comprenant les couches de semiconducteur la, 2 a, 3 a et le substrat 100 Le chiffre de référence 6 désigne une photodiode comprenant
les couches de semi-conducteur lb, 2 b, 3 b et le substrat semiconducteur 100.
Le chiffre de référence 12 c désigne une électrode commune côté N disposée sur le substrat conducteur 100 du type n Le chiffre de référence 12 a désigne une électrode côté p pour la diode laser qui se trouve sur la couche de placage supérieure 3 a du type p Le chiffre de référence 12 b désigne une électrode côté p pour la photodiode, disposée sur la couche de placage supérieure 3 b du type p. L'une des surfaces latérales de la gorge 4 du côté de la diode laser 5 est formée verticalement pour produire une facette de résonateur et l'autre surface, du côté de la photodiode 6, est oblique pour permettre la réflexion d'une partie de la lumière laser L émise par la diode laser qui n'entre pas dans la photodiode 6, dans une direction U vers le haut comme le montre la figure 10 Par conséquent, la lumière L du laser qui est émise par la diode laser 5 puis est réfléchie par la
surface oblique de la photodiode 6 n'entre pas de nouveau dans la photodiode 5.
On en décrira maintenant le fonctionnement.
Quand une tension directe est appliquée entre l'électrode 12 c du côté du substrat semi-conducteur 100 du type N et l'électrode 12 a du côté de la couche 3 a de semi-conducteur du type p pour la diode laser 5, des électrons et des trous comme porteurs sont injectés dans la couche de semi-conducteur 2 a servant de couche active ayant un intervalle de bande d'énergie plus étroit que ceux des couches inférieure et supérieure de placage la et 3 a et une lumière correspondant à cet intervalle de bande d'énergie est produite dans la couche active 2 a Cette lumière est amplifiée en étant réfléchie de façon répétée sur les facettes de résonateur 5 a et 5 b qui sont formées sur les côtés droit et gauche de
la diode laser 5 et une oscillation laser se produit pour donner la lumière laser.
La plus grande partie de la lumière laser est émise par la facette de résonateur 5 b
montrée du côté gauche de la figure 10 et de la lumière laser L, autre que celle-
ci, est émise en tant que lumière moniteur par la facette de résonateur 5 a montrée du côté droit de la figure La lumière L émise par la facette de
résonateur 5 a en tant que lumière moniteur est absorbée dans la couche de semi-
conducteur 2 b dans la photodiode 6, ayant un intervalle étroit de bande d'énergie identique à celui de la couche de semi-conducteur 2 a et plus étroit que ceux des couches inférieure et supérieure de placage lb et 3 b et des électrons et des trous sont produits dans la couche de semiconducteur 2 b de la photodiode 6 A ce moment, quand une tension en direction inverse est appliquée entre le substrat semi-conducteur 100 du type N et la couche de semi-conducteur 3 b du type p, un courant proportionnel à l'intensité de la lumière qui est incidente sur la photodiode 6 est détecté, et l'intensité de la lumière de la diode laser 5 est
ainsi surveillée.
On décrira maintenant le procédé de production du dispositif de la figure 10 Avant tout, on forme en succession, sur le substrat semi- conducteur en In P du type n, les couches de semi-conducteur 1, 2 et 3 en In P, In Ga As P et In P, par exemple, par dépôt chimique organique en phase vapeur d'un métal ou MOCVD Alors, la gorge attaquée 4 est formée, par exemple, par attaque par ion réactif ou RIE en employant un gaz tel que le chlore (C 12) Là, la surface attaquée 5 a du côté de la diode laser 5 doit être produite régulièrement et verticalement au substrat semi-conducteur 100 Cela est dû au fait que cette surface attaquée 5 a constitue un résonateur de la diode laser 5 avec la facette 5 b de la diode laser 5 montrée du côté gauche de la figure 10 et ce résonateur de la diode laser 5 doit produire une oscillation stable du laser. Dans ce circuit intégré optique de l'art antérieur ayant la structure décrite ci-dessus, afin d'obtenir une meilleure caractéristique de la diode laser, la surface attaquée doit être produite verticalement au substrat semi-conducteur 1 et également régulièrement ou en douceur Cependant, cela pose des problèmes tels que ceux qui suivent Bien que, quand on produit la diode laser de l'art antérieur en tant que simple résonateur de bonne qualité, des facettes puissent être produites par des scissions quand le circuit intégré optique de l'art antérieur ayant une photodiode avec la diode laser tel que montré à la figure 1 est fabriqué, il faut effectuer une attaque pour produire la gorge entre la diode laser et la photodiode qui constitue également une facette de résonateur et cela a pour résultat une grande difficulté d'obtention d'une surface attaquée de bonne qualité par une technique conventionnelle d'attaque En d'autres termes, lorsque l'on effectue l'attaque, le cristal sur la surface attaquée est endommagé et cela détériore la fiabilité de la diode laser Ainsi, on ne peut s'attendre à une caractéristique améliorée de la diode laser dans le circuit intégré optique de la
structure ci-dessus décrite.
La présente invention a pour objet de procurer un circuit intégré optique, comportant une diode laser et une photodiode, qui ne nécessite pas d'accomplir
une attaque pour la production d'une facette de résonateur de la diode laser.
La présente invention a pour autre objet de procurer un circuit intégré optique de la structure ci-dessus décrite présentant une bonne performance et
une bonne fiabilité à long terme.
Selon un premier aspect de la présente invention, un circuit intégré optique comporte une diode laser et une photodiode agencées en des positions sur le même substrat semi-conducteur, lesquelles positions ne sont pas optiquement sur la même ligne droite et un miroir réfléchissant 100 pour le couplage optique de la diode laser à la photodiode est agencé sur une plaque de support sur laquelle sont disposées la diode laser et la photodiode avec le même
substrat semi-conducteur.
Selon un second aspect de la présente invention, la diode laser et la photodiode sont agencées de manière que leurs axes optiques soient parallèles l'un à l'autre en les produisant par le même procédé de production et le miroir réfléchissant 100 est employé pour coupler optiquement la diode laser et la photodiode de manière que la lumière émise par la diode laser soit réfléchie et
entre dans la photodiode.
Par conséquent, la facette de résonateur de la diode laser peut être produite par scission sans attaquer et on peut obtenir un circuit intégré optique
comportant une diode laser ayant une grande performance et une bonne fiabilité.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails
et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement dans la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: la figure 1 (a) est une vue en plan montrant un circuit intégré optique selon un premier mode de réalisation de la présente invention et la figure 1 (b) en est une vue en coupe transversale; la figure 2 est une vue en plan d'un circuit intégré deuxième mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 est une vue en plan d'un circuit intégré troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 4 est une vue en plan d'un circuit intégré quatrième mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est une vue en plan dun circuit intégré cinquième mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en plan d'un circuit intégré sixième mode de réalisation de la présente invention; la figure 7 est une vue en plan dun circuit intégré septième mode de réalisation de la présente invention; la figure 8 est une vue en plan d'un circuit intégré huitième mode de réalisation de la présente invention; la figure 9 est une vue en plan dun circuit intégré neuvième mode de réalisation de la présente invention; et optique selon un optique selon un optique selon un optique selon un optique selon un optique selon un optique selon un optique selon un la figure 10 est une vue en coupe transversale d'un circuit intégré
optique selon l'art antérieur.
Le premier mode de réalisation de la présente invention sera maintenant décrit en se référant aux figures 1 (a) et 1 (b) Sur ces figures, le chiffre de référence 1 désigne un substrat semi-conducteur en In P dun premier type de conductivité, par exemple du type n, ayant une épaisseur de 100 pm et une concentration en porteurs de 5,0 x 1018 cm 73 Les chiffres de référence la et lb désignent des couches de semi- conducteur en In P du type N en tant que couches inférieures de placage ayant une épaisseur de 1 gm et une concentration en porteurs de 1,0 x 1018 cm-3 qui sont disposées sur le substrat semi-conducteur
Les chiffres de référence 2 a et 2 b désignent des couches de semi-
conducteur en Inljx Gax Asy Pl-y non dopé qui servent de couches actives ayant une épaisseur de 0,1 pm et un intervalle de bande d'énergie plus étroit que celui des couches de placage inférieures en semi-conducteur du type n, la et lb Les chiffres de référence 3 a et 3 b désignent des couches de semi-conducteur en In P d'un second type de conductivité, par exemple du type p, qui servent de couches supérieures de placage d'une épaisseur de 1,0 pm, avec une concentration en porteurs de 1,0 x 1018 cm3, et un intervalle de bande d'énergie plus grand que ceux des couches actives en semi-conducteur non dopé 2 a et 2 b Le chiffre de référence 10 désigne des couches de blocage du courant en In P du type N pour l'écoulement d'un courant à travers la couche active avec une grande efficacité, et qui sont disposées dans les couches de semi-conducteur 3 a et 3 b Les chiffres de référence 1 la et 1 lb désignent des couches de contact en In P du type p qui
sont, respectivement, formées sur les couches supérieures de placage 3 a et 3 b.
Le chiffre de référence 12 c désigne une électrode côté N qui est disposée à la surface arrière du substrat 100 en In P du type N et les chiffres de référence 12 a et 12 b désignent des électrodes côté p pour la diode laser et la photodiode, respectivement disposées sur les couches de contact 1 la et 1 lb du type p. De plus, le chiffre de référence 4 désigne une gorge attaquée formée pour traverser les couches de semi-conducteur 1, 2, 3, 10, 11 et atteindre le substrat semi- conducteur 100 Le chiffre de référence 5 désigne une diode laser comprenant le substrat semi-conducteur 1 et les couches de semi- conducteur la, 2 a, 3 a, 10, 11 et le chiffre de référence 6 désigne une photodiode comprenant le substrat semi-conducteur 100 et les couches de semi-conducteur lb, 2 b, 3 b, 10, 11 Les axes de la diode laser 5 et de la photodiode 6 sont parallèles l'un à l'autre et un élément de circuit intégré optique 7 comprend la diode laser 5 et la photodiode 6 Le chiffre de référence 8 désigne un miroir réfléchissant qui est prévu afin de réfléchir la lumière laser émise par la diode laser 5 et de forcer la lumière réfléchie à entrer dans la photodiode 6 Le chiffre de référence 9 désigne une plaque de support qui comprend par exemple du silicium, de la céramique, du métal tel que du cuivre, un inoxydable ou analogue, pour fixer
l'élément de circuit intégré optique 7 et le miroir réfléchissant 8.
Le fonctionnement sera maintenant décrit Quand une tension directe est
appliquée entre le substrat semi-conducteur 100 du type N et la couche de semi-
conducteur 3 a du type p du côté de la diode laser 5, à partir des deux électrodes 12 a et 12 c, un courant s'écoule à travers la couche de semiconducteur 3 a et le substrat semi-conducteur 100 avec le trajet de courant contrôlé par les couches de blocage de courant 10, ainsi des électrons et des trous en tant que porteurs sont injectés dans la couche de semi-conducteur 2 a qui sert de couche active ayant un intervalle étroit de bande d'énergie et une lumière correspondant à cet
intervalle de bande d'énergie est produite dans la couche de semiconducteur 2 a.
Cette lumière est amplifiée en étant réfléchie de manière répétée sur les facettes de résonateur à gauche et à droite de la diode laser 5 et une oscillation laser se produit pour émettre une lumière laser La lumière laser est réfléchie aux extrémités gauche et droite de la couche de semi-conducteur 2 a et des parties de la lumière laser sont émises vers l'extérieur La lumière émise à l'extrémité droite est utilisée en tant que lumière de sortie d'un signal de lumière en employant, par exemple, une fibre optique ou analogue D'autre part, la lumière L émise à l'extrémité gauche est réfléchie par le miroir réfléchissant 8 et une partie de la lumière est absorbée dans la couche de semi- conducteur 2 b dans la photodiode 6 et est détectée comme un courant optique Ainsi, l'intensité de la
lumière laser est surveillée en utilisant ce courant optique.
Un procédé de production de la diode laser et de la photodiode selon ce
mode de réalisation sera maintenant décrit Initialement, les couches de semi-
conducteur 1 et 2 en In P et In Ga As P du type n, respectivement, sont tirées sur le substrat semi-conducteur 100 en In P du type n, par exemple par MOCVD, et des parties requises de la couche 2 de semi- conducteur sont attaquées et
enlevées en employant une photolithographie Ensuite, la couche de semi-
conducteur 3 en In P du type p, ayant un intervalle de bande d'énergie plus grand que celui de la couche de semi-conducteur 2 en In Ga As P non dopé servant de couche active, est produite sur la couche de semiconducteur 2 en In Ga As P non dopé par MOCVD Par ailleurs, après avoir enlevé des portions de la couche de semi-conducteur 2 en accomplissant l'attaque, portions enlevées sur lesquelles les couches bloquant le courant 10 doivent être produites, les couches bloquant le courant 10 du type N sont produites par MOCVD et, de plus, la couche de semi- conducteur 3 y est développée en succession, avec ensuite une couche de
contact 11 du type p qui y est développée.
Alors, une gorge attaquée 4 est produite par le fait que l'on effectue une attaque des couches de semi-conducteur 11, 10, 3, 2 et 1 jusqu'à atteindre le substrat semi-conducteur 1, par exemple par RIE, en employant un gaz tel que le chlore (C 12), ou une attaque humide en employant un agent d'attaque tel que de la série bromométhanol (Br-CH 30 H), et ainsi la diode laser 5 et la
photodiode 6 se trouvent électriquement séparées.
Alors, la totalité du substrat semi-conducteur 100, o sont formés un certain nombre d'éléments, est scindée dans une direction verticale par rapport à la gorge attaquée 4 pour former les facettes du laser et ensuite, les éléments sont séparés les uns des autres en étant coupés dans une direction parallèle à la gorge attaquée 4 pour ainsi produire un élément de circuit intégré optique 7 Alors, l'élément de circuit intégré optique 7 et le miroir réfléchissant 8 sont disposés sur la plaque de support 9 comprenant un silicium tel que la facette émettant la lumière laser de la diode laser 5 et le miroir réfléchissant soient parallèles l'un à l'autre, ce qui permet d'obtenir ainsi le circuit intégré optique de ce mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation, les axes optiques de la diode laser 5 et de la photodiode 6 sont agencés parallèlement l'un à l'autre sur le même substrat semi-conducteur 100 en étant produits par le même procédé de production et la lumière laser L émise par la diode laser 5 est réfléchie par le miroir réfléchissant 8 qui est disposé sur la plaque de support 9 o sont montées la diode laser 5 et la photodiode 6 ayant le substrat semi-conducteur commun 100, donc la lumière réfléchie est incidente sur la photodiode 6 Par conséquent, la facette de résonateur de la diode laser est produite par scission sans employer d'attaque ce qui permet d'obtenir en toute fiabilité un circuit intégré optique comportant une
diode laser 5 et une photodiode de grande performance et de grande fiabilité.
Il y a traditionnellement un certain nombre de circuits intégrés optiques o un couplage optique entre une diode laser et une photodiode, qui ne sont pas produites sur le même substrat semi-conducteur, est effectué par un miroir réfléchissant prévu à l'extérieur de la diode laser et de la photodiode Dans un tel cas o une diode laser et une photodiode ne sont pas produites sur le même substrat semi-conducteur, le couplage optique entre elles peut être effectué sans employer un tel miroir réfléchissant parce que les deux peuvent être agencés
arbitrairement Cependant, lorsqu'on agence les deux sur le même substrat semi-
conducteur, il y a une grande difficulté pour obtenir le couplage optique étant donné les restrictions de fabrication et optiques La présente invention permet de réaliser le couplage optique entre une diode laser et une photodiode qui sont produites sur le même substrat semi-conducteur, en toute facilité, en employant un miroir réfléchissant, ce qui offre ainsi un grand avantage par rapport à ces
structures de l'art antérieur.
Dans le premier mode de réalisation ci-dessus décrit, la facette émettant la lumière laser de la diode laser 5 de l'élément de circuit intégré optique 7 est agencée parallèlement au miroir réfléchissant 8 Dans le deuxième mode de réalisation montré à la figure 2, le miroir réfléchissant 8 est disposé de façon oblique afin d'augmenter l'efficacité du couplage optique de la lumière laser émise par la diode laser 5 avec la photodiode 6 c'est-à-dire de coupler
efficacement la lumière laser L émise par la diode laser 5 à la photodiode 6.
Tandis que, dans le premier mode de réalisation ci-dessus décrit, on emploie un miroir plan en tant que miroir réfléchissant 8, dans le troisième mode de réalisation montré à la figure 3, on emploie un prisme cubique au coin Le prisme cubique au coin 10 est disposé de manière que l'une de ses surfaces latérales soit parallèle avec la facette émettant la lumière laser de la diode laser 5 et que la lumière de sortie soit émise parallèlement à la lumière laser émise par la diode laser 5 en tant que lumière d'entrée, pour ainsi
constituer un circuit intégré optique.
Tandis que dans le premier mode de réalisation ci-dessus décrit, on emploie un miroir plan en tant que miroir réfléchissant 8, dans un quatrième mode de réalisation montré à la figure 4, on emploie un miroir sphérique 11 ayant une surface plane et une portion d'une surface sphérique La partie inférieure du miroir sphérique 11 qui a une surface plane 1 la en tant que partie d'une surface sphérique 1 lb est coupée à une surface 1 ic qui est verticale à la surface plane i la et le miroir sphérique 11 est disposé sur la plaque de support 9 avec sa surface horizontale lic en contact avec la surface supérieure de la plaque de support 9 Alors, le miroir sphérique 11 est disposé de manière que sa surface plane 1 la puisse être parallèle à la facette émettant la lumière laser de la
diode laser 5 pour ainsi constituer un circuit intégré optique 7.
Tandis que dans le premier mode de réalisation ci-dessus décrit, on emploie un miroir plan en tant que miroir réfléchissant 8, dans le cinquième mode de réalisation montré à la figure 5, on emploie un miroir de révolution en ellipsoïde 12 qui a des points focaux au point d'émission de lumière de la facette Sa émettant la lumière laser de la diode laser 5 et au point de réception de la lumière de la facette 6 a de réception de la lumière laser de la photodiode 6 Le miroir de révolution ellipsoïdal 12, ayant une surface plane 12 a et une surface d'une portion de l'ellipsoïde de révolution 12 b a sa partie inférieure coupée à une surface 12 c perpendiculaire à la surface plane 12 a, est disposé sur la plaque de support 9 avec sa surface horizontale 12 c en contact avec la surface supérieure de cette plaque 9 Il est alors disposé avec sa surface plane 12 a placée parallèlement à la facette émettant la lumière laser de la diode laser 5 pour ainsi
constituer un circuit intégré optique 7.
Dans le premier mode de réalisation ci-dessus décrit, le miroir réfléchissant 8 est fixé en étant agencé sur la plaque de support 9 Cependant, dans le sixième mode de réalisation montré à la figure 6, afin d'éviter les influences dues à la plaque de support 9, dilatant thermiquement la plaque de support 9, un miroir réfléchissant en parallélépipède rectangle 14 est fixé en
adhérent à la facette de l'élément 7 de circuit intégré optique.
Dans le sixième mode de réalisation ci-dessus décrit, la réflexion de la lumière sur la surface de contact entre le miroir réfléchissant 14 et la facette de l'élément de circuit intégré optique 7 peut affecter les caractéristiques de la diode laser 5 Dans un septième mode de réalisation montré à la figure 7, un miroir réfléchissant 15, ayant une configuration en forme de U sur sa surface latérale, est fixé à l'élément de circuit intégré optique 7 en faisant adhérer les deux portions extrêmes 15 a et 15 b de la configuration en U aux facettes de la
diode laser et de la photodiode respectivement.
Dans les premier à septième modes de réalisation ci-dessus décrits, aucun revêtement n'est appliqué à la facette recevant la lumière de la photodiode 6 de l'élément de circuit intégré optique 7 Dans ces structures, lorsqu'une partie de la lumière L émise par la diode laser 5 et réfléchie par le miroir réfléchissant 8 est réfléchie sur la facette de réception de la lumière de la photodiode 6 sans y entrer et est de nouveau incidente sur la diode laser 5, cela peut affecter la caractéristique de la diode laser 5 Dans un huitième mode de réalisation montré à la figure 8, afin d'éviter cela, la facette de la photodiode 6 est enduite d'un film de faible réflectivité 13 Cette construction peut également s'appliquer aux
deuxième à septième modes de réalisation.
Dans les premier à huitième modes de réalisation ci-dessus décrits, les axes optiques de la diode laser 5 et de la photodiode 6 sont agencés parallèlement Cependant, ces axes optiques ne doivent pas nécessairement être disposés parallèlement l'un à l'autre Dans un neuvième mode de réalisation montré à la figure 9, la photodiode 6 est agencée du côté de la diode laser 5 et les axes optiques des couches actives 2 a et 2 b ne sont pas parallèles mais formés
en diagonale l'un par rapport à l'autre.
Claims (8)
1 Circuit intégré optique, du type comprenant une diode laser émettant une lumière laser et une photodiode recevant la lumière émise par ladite diode laser caractérisé en ce que ladite diode laser ( 5) et ladite photodiode ( 6) sont agencées en des positions sur le même substrat ( 1), lesquelles positions ne sont pas optiquement sur la même ligne droite, ladite diode laser ( 5) et ladite photodiode ( 6) étant agencées sur une plaque de support ( 9) et un miroir réfléchissant ( 8) pour le couplage optique de ladite diode laser ( 5) avec ladite
photodiode ( 6) est disposé sur ladite plaque de support ( 9).
2 Circuit selon la revendication 1 caractérisé en ce que la diode laser ( 5) et la photodiode ( 6) sont produites par le même procédé de production et leurs
axes optiques sont parallèles l'un à l'autre.
3 Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) est un miroir plan agencé parallèlement à la facette émettant la
lumière laser de la diode laser ( 5).
4 Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) est un miroir plan agencé obliquement par rapport à la facette
émettant la lumière laser de la diode laser ( 5).
Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) est un prisme cubique à coins ( 10) agencé de manière que l'une des surfaces dudit prisme soit parallèle avec la facette émettant la lumière laser de ladite diode laser ( 5) et ledit prisme ( 10) reçoit la lumière à la sortie de ladite
diode laser ( 5) et émet une lumière de sortie parallèle à la lumière d'entrée.
6 Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) est un miroir sphérique ( 11) ayant une surface commune et une surface plane et une surface comme une portion d'une surface sphérique, disposé de manière que la surface plane soit parallèle avec la facette émettant la
lumière laser de la diode laser ( 5).
7 Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) est un miroir en ellipsoïde de révolution ( 12) ayant une surface comme une surface plane et une surface comme une portion de l'ellipsoïde de révolution, qui est disposé de manière que la surface plane soit parallèle avec la
facette émettant la lumière laser de la diode laser ( 5).
il 8 Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) est un miroir réfléchissant en parallélépipède rectangle ( 14) qui
adhère aux facettes de la diode laser ( 5) et de la photodiode ( 6).
9 Circuit selon la revendication 8 caractérisé en ce que le miroir réfléchissant ( 8) a une configuration en U de ses surfaces latérales et les deux portions extrêmes de la configuration en U adhèrent aux facettes de la diode
laser ( 5) et de la photodiode ( 6).
Circuit intégré optique selon l'une quelconque des revendications 3 à
7 o la facette de la photodiode ( 6) sur laquelle est incidente la lumière est
enduite d'un film ( 13) de faible réflectivité.
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