ITTO20090952A1

ITTO20090952A1 - Procedimento ed apparecchiatura per la produzione di prodotti da forno in forma di semiguscio.

Info

Publication number: ITTO20090952A1
Application number: IT000952A
Authority: IT
Inventors: Enrico Bartolucci; Rino Durio
Original assignee: Soremartec Sa
Priority date: 2009-12-03
Filing date: 2009-12-03
Publication date: 2011-06-04
Also published as: BR112012013326A2; IT1396796B1; US8940349B2; CN102770029B; AU2010325655B2; KR20120106969A; ES2440332T3; AU2010325655A1; RU2541651C2; US20120244250A1; EP2506718A1; WO2011067733A1; BR112012013326B1; RU2012127676A; KR101874128B1; CN102770029A; EP2506718B1

Description

"Procedimento ed apparecchiatura per la produzione di prodotti da forno in forma di semiguscio"

DESCRIZIONE

La presente invenzione si riferisce alla produzione di corpi cavi, nel seguito denominati semigusci, ottenuti da un impasto per prodotti da forno, come ad esempio una pastella per wafer, un impasto per panificazione o simili.

In particolare, l'invenzione Ã ̈ mirata alla produzione, con un procedimento industriale, di semigusci che presentano una parete di contenimento ed un bordo anulare di bocca aventi una superficie liscia, simile ad una pelle, sostanzialmente esente da macropori, quale risultante ad esempio dalla cottura della pastella di wafer a contatto con la superficie levigata dei semistampi utilizzati per la formatura e la cottura di tali prodotti.

La suddetta superficie anulare di bocca, verrÃ indicata nel seguito con il termine di "bordo finito", in particolare per distinguere il suo grado di finitura da quello di una superficie risultante dal taglio di una parete di cialda di wafer che, a causa della struttura interna porosa del wafer, presenta invece una superficie macroporosa e/o sgretolata a celle aperte.

I semigusci di wafer cui l'invenzione si riferisce sono utilizzati nell'industria alimentare per produrre corpi cavi chiusi, generalmente includenti un ripieno, ottenuti mediante accoppiamento di due semigusci lungo le rispettive superfici di bocca combacianti, ovvero di un singolo semiguscio con una parete piana. Si tratta in generale di prodotti aventi varie dimensioni e forma, ad esempio di forma sferica, ovoidale, a barretta, a doppia piramide tronca o a piÃ¹ alveoli; tuttavia, l'applicazione piÃ¹ frequente Ã ̈ correlata alla produzione di prodotti di piccole dimensioni, che possono essere consumati in un sol boccone.

Vari documenti brevettuali descrivono tecniche per realizzare semigusci del tipo sopra citato. Tali tecniche hanno in comune la produzione di una cialda comprendente una pluralitÃ di semigusci, generalmente disposti a schiera o a matrice, collegati tra loro da una parete di interconnessione (anche denominata "carrÃ©"), mediante formatura e cottura in stampo dell'impasto o pastella e la separazione dei semigusci dalla parete di interconnessione mediante un'operazione di taglio.

L'operazione di taglio puÃ² essere eseguita su un piano parallelo alla parete di interconnessione, ad esempio secondo i procedimenti descritti in EP-A-0 054 229, WO-A-97/48282, EP-A-0 221 033, P-A-0 968 653 ed EP-A-1 967 069; in questo caso, si ottengono tuttavia semigusci che non presentano una superficie di bocca a bordo finito, bensÃ¬ una superficie priva di qualsiasi finitura superficiale avente una struttura ruvida e porosa in cui Ã ̈ esposta verso l'esterno la struttura interna porosa del wafer.

Peraltro, l'ottenimento di gusci a bordo finito Ã ̈ particolarmente desiderabile in relazione alla produzione di prodotti cavi farciti includenti un ripieno fluido, in quanto la presenza di superfici combacianti a bordo finito limita il rischio di fuoriuscita del fluido. Inoltre, la realizzazione di semigusci a bordo finito Ã ̈ vantaggiosa in relazione al procedimento di saldatura di semigusci mediante umidificazione dei bordi combacianti, descritto in EP-A-1 647 190.

In questo caso, la presenza di un bordo finito incrementa l'area di contatto, permettendo un'adeguata adesione, senza necessitÃ di applicare elevate pressioni per favorire il contatto.

EP-A-1 433 384 descrive un procedimento per la produzione di semigusci a bordo finito mediante preparazione per formatura e cottura in stampo di una cialda di wafer, in cui la parete di interconnessione tra i semigusci Ã ̈ collegata ai semigusci in posizione ribassata rispetto al bordo anulare di bocca; i semigusci presentano cosÃ¬ un bordo finito risultante dalla formatura e possono essere separati dalla parete di interconnessione mediante un'azione di taglio, eseguita generalmente mediante fustellatura, in direzione ortogonale alla parete di interconnessione, senza interferire e danneggiare il bordo di bocca.

Quantunque il suddetto procedimento sia vantaggioso, il suo principale inconveniente consiste nel fatto che i semigusci cosÃ¬ ottenuti presentano sulla loro parete laterale, in posizione ribassata rispetto al bordo di bocca, una regione anulare porosa, risultante dall'operazione di fustellatura. Quest'aspetto non costituisce un inconveniente quando Ã ̈ contemplata l'applicazione di un rivesti mento alimentare alla superficie esterna dei semigusci, che nasconde la suddetta regione porosa, ma puÃ² costituire un inconveniente, particolarmente sul piano estetico, in relazione alla produzione di prodotti non ricoperti, in cui sia visibile la superficie esterna del semiguscio.

Un primo scopo della presente invenzione Ã ̈ quello di fornire un procedimento che consente di ottenere un semiguscio a bordo finito, superando l'inconveniente sopra citato, ovvero un procedimento che permette di ottenere un semiguscio un cui non solo il bordo anulare di bocca, ma anche tutta la superficie esterna della parete di contenimento presenta sostanzialmente lo stesso grado di finitura liscio e levigato, essendo privo di regioni a superficie porosa, sgretolata e/o ruvida.

Un altro scopo dell'invenzione Ã ̈ quello di fornire un procedimento che, rispettando la finalitÃ sopra citata, rende particolarmente agevole la separazione dei semigusci dalla parete di interconnessione.

Un altro scopo dell'invenzione Ã ̈ quello di fornire un procedimento che permette di ottenere semigusci aventi le caratteristiche sopra citate e con un'adeguata morfologia, particolarmente in relazione alla loro porositÃ interna, sia partendo da una pastella di wafer, sia partendo da impasti di panificazione o simili.

In vista di tali scopi, costituiscono oggetto dell'invenzione un procedimento ed un'apparecchiatura di stampo o piastra, aventi le caratteristiche definite nelle rivendicazioni che seguono, il cui contenuto Ã ̈ da intendersi come parte integrante dell'insegnamento tecnico fornito nella presente descrizione.

Un altro oggetto dell'invenzione Ã ̈ una cialda ottenibile come prodotto intermedio del procedimento, dalla quale possono essere agevolmente separati i semigusci a bordo finito.

Ulteriori caratteristiche e vantaggi del procedimento e dell'apparecchiatura di stampo oggetto dell'invenzione risulteranno evidenti dalla descrizione dettagliata che segue, effettuata con riferimento ai disegni annessi, forniti a titolo di esempio non limitativo, in cui:

- la fig. 1 Ã ̈ una vista in sezione di una porzione di stampo utilizzato nel procedimento secondo l'invenzione, in una configurazione iniziale del procedimento;

- la fig. 2 Ã ̈ una vista in sezione dello stampo della fig. 1, nella configurazione terminale del procedimento;

- la fig. 3 Ã ̈ un dettaglio ingrandito dello stampo della fig. 2; e

- la fig. 4 Ã ̈ una vista prospettica di una parte (semistampo femmina) dello stampo delle figg. 1 e 2.

La descrizione che segue si riferisce, a titolo di esempio, alla produzione di semigusci di forma sostanzialmente semisferica, quantunque come giÃ indicato il procedimento sia applicabile in generale a semigusci di qualsivoglia conformazione e dimensione.

Il procedimento secondo l'invenzione passa attraverso la produzione, a titolo di prodotto intermedio, di una cialda 1 che, in conformitÃ con la tecnica nota, comprende una pluralitÃ di semigusci 2, disposti a schiera o a matrice, collegati tra loro da una parete di interconnessione 4 normalmente piana. I semigusci si estendono tutti da una parte rispetto alla parete di interconnessione 4 e, nel procedimento secondo l'invenzione, la superficie anulare che costituisce il bordo anulare di bocca 6 di ciascun semiguscio Ã ̈ preferibilmente a filo con una delle due superfici della parete di interconnessione 4.

Il termine "cialda" Ã ̈ utilizzato nella presente descrizione per indicare una foglia sagomata risultante dalla formatura e cottura di un impasto per prodotti da forno, ma non Ã ̈ da intendersi come limitativo in relazione alla natura degli ingredienti utilizzati per l'impasto; puÃ² infatti trattarsi ad esempio di una cialda di wafer, ottenuta da una convenzionale pastella per wafer, ma anche di una cialda di pane ottenuta per formatura e cottura di una foglia laminata di un impasto di pane lievitato.

Ulteriori caratteristiche in relazione alla natura dei materiali utilizzati per la produzione della cialda saranno forniti nel seguito della descrizione.

Naturalmente, rientra nell'ambito del procedimento secondo l'invenzione, il caso in cui la cialda suddetta presenta semigusci aventi una conformazione diversa tra loro, ad esempio con un'area includente una matrice di semigusci avente una prima conformazione ed una seconda area avente una matrice di semigusci con una diversa conformazione; rientra altresÃ¬ il caso in cui la parete di interconnessione 4 presenti uno spessore differenziato rispetto allo spessore di parete dei semigusci, in particolare uno spessore di parete superiore in conformitÃ con il procedimento ed il relativo stampo descritti in WO97/48282, la cui soluzione di spessore differenziato Ã ̈ mirata a facilitare la sformatura della cialda dallo stampo.

Per la formatura e la cottura della cialda si utilizza uno stampo 10 comprendente due piastre o semistampi 12, 14, le cui superfici frontali sono suscettibili di definire una cavitÃ di formatura avente forma corrispondente alla cialda suddetta.

La piastra 12 (o piastra maschio) presenta cosÃ¬ una superficie frontale includente una superficie sostanzialmente piana 16, che definisce una delle due superfici della parete di interconnessione 4 ed una pluralitÃ di protuberanze 18; l'altra piastra 14 (o piastra femmina), corrispondentemente, presenta una superficie frontale con una superficie sostanzialmente piana 20 che, definisce l'altra superficie della parete di interconnessione ed una pluralitÃ di incavi 22, che definiscono congiuntamente con la superficie di dette protuberanze 18 la cavitÃ di formatura dei semigusci 2.

Secondo una caratteristica dell'invenzione, la superficie frontale di almeno una delle due piastre 12 o 14, in particolare della piastra femmina 14, presenta formazioni aggettanti 26 verso la superficie frontale dell'altra piastra. Tali formazioni aggettanti 26 sono di forma anulare e circondano ciascun incavo 22 della piastra 14, presentando preferibilmente, in sezione ortogonale al piano della superficie frontale della piastra stessa, una forma a V o a dente, preferibilmente con estremitÃ acuminata. Tali formazioni aggettanti 26 sono cosÃ¬ suscettibili di definire nell'impasto, sottoposto a formatura e cottura nello stampo, un intaglio anulare 24 nella parete di interconnessione 4 in adiacenza a ciascun semiguscio.

Nella fase iniziale del procedimento secondo l'invenzione, le due piastre complementari 12 e 14 sono accoppiate l'una all'altra, in modo tale per cui l'estremitÃ delle formazioni aggettanti 26 Ã ̈ sostanzialmente a filo o in contatto con la superficie frontale piana dell'altra piastra; per evitare il danneggiamento dell'estremitÃ delle formazioni aggettanti, a seguito di ripetuti accoppiamenti delle piastre, Ã ̈ possibile prevedere nelle piastre, elementi distanziali che mantengono una distanza minima tra l'estremitÃ delle formazioni aggettati e la superficie frontale dell'altra piastra.

In ogni caso, nella suddetta configurazione iniziale, le cavitÃ definenti le pareti di interconnessione 4 sono separate dalle cavitÃ definenti i semigusci 2, ovvero sono in comunicazione con le cavitÃ definenti i semigusci tramite un passaggio a luce ristretta 28 e comunque sostanzialmente ridotta rispetto allo spessore della cavitÃ definente la parete di interconnessione 4.

Nella fase iniziale del procedimento secondo l'invenzione, le due piastre 12 e 14 sono inoltre accoppiate in una configurazione tale per cui la cavitÃ di formatura da esse definita presenta un volume ridotto rispetto al volume della cialda che si intende ottenere (fig. 1) e in particolare uno spessore ridotto rispetto allo spessore della cialda che si intende ottenere.

Le piastre 12 e 14 dello stampo sono suscettibili di traslazione l'una relativamente all'altra in direzione ortogonale al piano generale individuato dalla loro superficie frontale (freccia F nella fig. 2), potendo cosÃ¬ assumere una posizione in cui la cavitÃ di formatura presenta un volume sostanzialmente corrispondente al volume della cialda finale che si desidera ottenere (Fig. 2).

La composizione alimentare utilizzata per la produzione della cialda Ã ̈ una composizione suscettibile di espansione (aumento di volume), a seguito di cottura. PuÃ² essere una composizione fluida e pompabile, come una pastella per wafer, oppure un impasto per panificazione, preferibilmente prelavorato in forma di foglia allo stato plastico.

La pastella di wafer puÃ² contenere, oltre a farina ed acqua, uno o piÃ¹ ingredienti scelti tra grassi e/o olio, lecitina e/o altri emulsionanti, zucchero, uova intere, sale, bicarbonato di sodio, (bi)carbonato di ammonio, latte scremato in polvere, farina di soia, lieviti e/o enzimi.

Tipicamente, il contenuto di acqua in una pastella Ã ̈ maggiore di 100 parti in peso di acqua per 100 parti in peso di farina ed Ã ̈ generalmente compreso tra 100 e 180 parti di acqua per 100 parti di farina.

L'impasto per panificazione si caratterizza invece per un contenuto di acqua che Ã ̈ tipicamente compreso tra 40 e 75 parti in peso di acqua per 100 parti in peso di farina e tipicamente include lieviti naturali.

Tuttavia, la presenza di lieviti (chimici o naturali) nella pastella o nell'impasto per panificazione non Ã ̈ requisito essenziale ai fini del procedimento dell'invenzione.

Nel caso di utilizzo di una pastella, questa viene colata allo stato fluido, tipicamente sulla piastra di stampo maschio, nella dose predeterminata per coprire la superficie frontale della piastra.

Nel caso di un impasto per panificazione, dopo un eventuale tempo di lievitazione, l'impasto viene laminato per ottenere una foglia che viene posizionata tra le due piastre dello stampo.

Le due piastre 12 e 14 sono quindi accoppiate nella posizione iniziale di formatura e cottura (Fig. 1) in cui, come sopra indicato, definiscono una cavitÃ di formatura avente un volume inferiore rispetto al volume della cialda finale che si intende ottenere.

L'impasto viene quindi sottoposto ad una prima fase di cottura parziale, mantenendo costante il volume della cavitÃ di formatura fino ad un parziale consolidamento dell'impasto costituente la cialda.

In questa prima fase viene effettuata una cottura parziale in pressione, generata dallo sviluppo di vapore d'acqua o dagli agenti espandenti contenuti nell'impasto. In questa fase le cavitÃ alveolari definenti i semigusci sono chiuse o in comunicazione con la cavitÃ definente la parete di interconnessione tramite una gola o un passaggio ristretto, come precedentemente indicato.

La cavitÃ definente la parete di interconnessione puÃ² peraltro essere in comunicazione con l'esterno lungo aperture 30 fra le piastre in corrispondenza dei bordi laterali delle piastre stesse.

In ogni caso, la prima fase di cottura parziale a volume costante termina quando l'impasto, in vista del suo contenuto d'acqua e/o di altri agenti espandenti, Ã ̈ ancora suscettibile di ulteriore espansione a seguito di ulteriore cottura.

Si esegue quindi una seconda fase di cottura, fino a cottura completa, con incremento di volume della cavitÃ di formatura, ovvero consentendo la traslazione relativa delle piastre dello stampo, per effetto dell'espansione dell'impasto.

La suddetta seconda fase di cottura completa viene perciÃ² eseguita sostanzialmente in assenza di pressione o piÃ¹ precisamente in condizioni in cui la pressione generata nella cavitÃ di formatura dallo sviluppo di vapore e/o gas di espansione dall'impasto, che possono fuoriuscire dalla cavitÃ di formatura attraverso alcune aperture 30 tra i bordi laterali delle piastre, Ã ̈ istantaneamente equilibrata dal peso della piastra che grava sull'altra piastra e/o eventualmente dalla pressione generata da opzionali mezzi pressori elastici associati allo stampo, che contrastano la traslazione relativa delle piastre (o della piastra mobile) per mantenere costantemente la piastra a contatto con l'impasto in corso di cottura.

Questa seconda fase di cottura, che porta al consolidamento della cialda nella forma e con la porositÃ desiderata, fa sÃ¬ che in corrispondenza dell'intaglio 24 si verifichi la formazione ovvero il consolidamento di un sottile ponticello anulare 28, che collega ciascun semiguscio 2 alla parete di interconnessione 4. CosÃ¬, quand'anche al termine della prima fase di cottura parziale i semigusci 2 siano separati dalla parete di interconnessione 4 dall'intaglio 24, o siano collegati a tale parete da un film estremamente sottile che comunque non consentirebbe l'estrazione della cialda dallo stampo con i semigusci collegati alla parete di interconnessione, l'ulteriore fase di cottura senza pressione permette alle molecole di amido presenti in adiacenza all'intaglio di unirsi in un piccolo strato, grazie alla presenza di un contenuto d'acqua sufficiente per il consolidamento e la coesione.

La cialda ottenuta a seguito del procedimento presenta cosÃ¬ una pluralitÃ di semigusci, collegati alla parete di interconnessione dal suddetto sottile strato o ponticello anulare 28 e presenta inoltre la desiderata morfologia in termini di porositÃ e volume specifico.

Diverse soluzioni possono essere adottate per l'effettuazione delle due fasi consecutive di cottura parziale e totale sopra citate.

In una prima soluzione, alle due piastre dello stampo possono essere associati mezzi di fissaggio 32, che vincolano le piastre nella posizione iniziale e che sono suscettibili di disimpegno per consentire, nella fase successiva, la traslazione relativa delle piastre con incremento di volume della cavitÃ di formatura; in questa soluzione, il peso della piastra che grava sull'altra piastra puÃ² essere determinato in modo tale per cui la pressione generata dal peso della piastra sia istantaneamente inferiore alla pressione generata dall'espansione dell'impasto nella fase di cottura finale.

Nell'attuazione industriale, allo stampo possono essere associati mezzi attuatori 34 atti a causare il disimpegno dei mezzi di fissaggio, opzionalmente associati ad un'unitÃ di controllo e comando 36 che comanda detti mezzi attuatori per causare il disimpegno dei mezzi di fissaggio dopo un tempo predeterminato della fase iniziale di cottura.

Alternativamente, senza l'impiego di mezzi di fissaggio delle piastre, alle due piastre possono essere associati mezzi pressori 38 (ad esempio mezzi elastici o un peso aggiuntivo), attivi nella fase di cottura parziale, cosÃ¬ da mantenere costante il volume della cavitÃ di formatura e disattivabili per dare inizio alla fase di cottura senza pressione; anche in questo caso, il peso della piastra superiore puÃ² essere determinato per consentire la traslazione relativa della piastra, con incremento di volume della cavitÃ di formatura a seguito della disattivazione dei mezzi pressori. Anche in questo caso, possono essere presenti mezzi attuatori 34, eventualmente associati ad un'unitÃ di controllo e comando 36, predisposti per disattivare detti mezzi pressori dopo un tempo predeterminato della fase iniziale di cottura.

Mezzi pressori elastici 40 possono essere associati alle piastre (in particolare alla piastra mobile) ed essere mantenuti attivi e tarati in corso di cottura, per contrastare la traslazione relativa delle piastre e assicurare il contatto costante delle piastre con l'impasto, in fase di espansione.

I semigusci possono essere agevolmente separati dalla cialda ottenuta con il procedimento secondo l'invenzione mediante una semplice azione di compressione ortogonale al piano di interconnessione, senza necessitÃ di applicare un'azione di taglio o di segatura. A questo scopo, la cialda consolidata puÃ² essere estratta dallo stampo e posizionata su di un supporto alveolato che supporta i semigusci, oppure che supporta la parete di interconnessione, separando cosÃ¬ i semigusci mediante un'azione di compressione esercitata sui semigusci o, rispettivamente, sulla parete di interconnessione.

Alternativamente, la separazione puÃ² essere effettuata nella stessa piastra femmina dello stampo, senza preventiva rimozione della cialda, ottenendo cosÃ¬ i semigusci alloggiati nelle singole cavitÃ di formatura.

La cottura viene effettuata a temperature convenzionali, tipicamente tra 150°C e 250°C, con tempi di cottura totali, determinati in funzione della composizione dell'impasto. In particolare, la durata del tempo della fase di cottura parziale e della fase di cottura totale dipendono dal contenuto di acqua dell'impasto; tipicamente, la fase di cottura parziale costituisce da 10% a 30% del tempo di cottura totale cui deve essere sottoposto l'impasto per conseguire la cottura completa.

I semigusci ottenuti mediante il procedimento secondo l'invenzione presentano una superficie finita, sostanzialmente su tutta la loro parete, nonchÃ© sulla superficie di bordo, in quanto la cottura Ã ̈ effettuata con l'impasto a contatto con le superfici levigate delle due piastre; poichÃ© il ponticello anulare 28 che collega i semigusci alla parete di interconnessione Ã ̈ estremamente sottile, il bordo periferico esterno della superficie anulare di bocca di ciascun semiguscio, a seguito della separazione dei semigusci, risulta privo di screpolature, anzi si presenta con un profilo netto e finito.

Inoltre, i semigusci presentano una struttura porosa interna adeguata ed anche migliorata rispetto alla struttura interna ottenibile con i procedimenti convenzionali.

L'invenzione mette cosÃ¬ a disposizione un procedimento ed un'apparecchiatura per la sua attuazione che consentono di ottenere gusci a bordo finito con adeguata struttura interna porosa, evitando la necessitÃ di eseguire la formatura e cottura dei semigusci in cavitÃ di stampo individuali e fornendo nel contempo una cialda che rende particolarmente agevole l'operazione di ottenimento e di separazione dei singoli semigusci dalla parete di interconnessione.

Il procedimento secondo l'invenzione consente, infatti, di ottenere una struttura di cialda intermedia che puÃ² essere agevolmente estratta dallo stampo ed in cui i semigusci sono collegati alla parete di interconnessione da un ponticello anulare estremamente sottile, suscettibile di rottura senza un'azione di taglio, caratteristica non ottenibile mediante un procedimento di formatura e cottura convenzionale (cioÃ ̈ statica sotto pressione o dinamica senza pressione), pur conseguendo un'adeguata e migliorata porositÃ dei semigusci.

Naturalmente, fermo restando il principio del trovato, i particolari di attuazione ed i modi di realizzazione potranno essere variati rispetto a quanto descritto a titolo di esempio non limitativo, senza uscire dall'ambito delle rivendicazioni che seguono.

Claims

RIVENDICAZIONI 1. Procedimento per la produzione di semigusci (2) formati da un impasto per prodotti da forno, caratterizzati da un bordo anulare di bocca (6) a superficie finita, comprendente le operazioni di: - produzione di una cialda (1) comprendente una pluralitÃ di semigusci (2) collegati fra loro da una parete di interconnessione (4) mediante formatura e cottura in stampo di detto impasto con l'impiego di uno stampo formato da due piastre (12, 14) complementari, presentanti rispettive superfici frontali che a seguito dell'accoppiamento delle due piastre sono atte a definire una cavitÃ di formatura di forma generalmente corrispondente a detta cialda (1), e - separazione di semigusci (2) dalla parete di interconnessione (4), caratterizzato dal fatto che comprende le operazioni di: - provvedere uno stampo in cui la superficie frontale di formatura di almeno una di dette piastre presenta formazioni aggettanti (26) verso la superficie frontale dell'altra piastra (12), atte a definire nell'impasto sottoposto a cottura in detta cavitÃ di formatura, un intaglio (24) in detta pa rete di interconnessione (4) in adiacenza a ciascun semiguscio (2), ove dette piastre sono suscettibili d'accoppiamento l'una con l'altra in una prima posizione in cui detta cavitÃ di formatura presenta un volume ridotto rispetto al volume della cialda che si desidera ottenere, - sottoporre detto impasto ad una prima fase di cottura parziale in detta cavitÃ di formatura, con gli stampi accoppiati in detta prima posizione, mantenendo costante il volume di detta cavitÃ di formatura fino a parziale consolidamento dell'impasto, - sottoporre, quindi, detto impasto a cottura completa con incremento di volume di detta cavitÃ di formatura, per ottenere una cialda (1) in cui detti semigusci (2) sono collegati a detta parete di interconnessione (4) da una regione anulare (28) di spessore sensibilmente ridotto rispetto allo spessore di detta parete di interconnessione (4).
2. Procedimento secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che le piastre (12, 14) di detto stampo sono suscettibili di traslazione relativa, in direzione ortogonale al piano generale della loro superficie frontale da detta posizione iniziale ad una posizione terminale, in cui detta cavitÃ di formatura presenta un volume sostanzialmente corrispondente al volume della cialda finale che si desidera ottenere ed in cui la suddetta traslazione dalla posizione iniziale alla posizione terminale viene consentita o attuata nella fase di cottura completa.
3. Procedimento secondo le rivendicazioni 1 o 2, caratterizzato dal fatto che detta fase di cottura completa, con incremento di volume della cavitÃ di formatura, viene attuata quando l'impasto Ã ̈ suscettibile di ulteriore espansione in fase di cottura.
4. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1 a 3, caratterizzato dal fatto che detta fase di cottura parziale, a volume costante, viene attuata per un tempo compreso tra il 10 e 30% del tempo totale di cottura dell'impasto.
5. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1 a 4, caratterizzato dal fatto che detto impasto Ã ̈ una pastella fluida per wafer, oppure una foglia laminata, ottenuta da un impasto per panificazione.
6. Procedimento secondo la rivendicazione 5, in cui detta pastella per wafer presenta un contenuto d'acqua da 100 a 180 parti in peso per 100 parti di farina.
7. Procedimento secondo la rivendicazione 5, caratterizzato dal fatto che detto impasto per panificazione comprende da 40 a 75 parti in peso di acqua per 100 parti di farina e comprende inoltre lieviti naturali.
8. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1 a 7, caratterizzato dal fatto che, in detta posizione iniziale, dette formazioni aggettanti (26) si estendono sostanzialmente a filo o in contatto con la superficie frontale dell'altra piastra (12).
9. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzato dal fatto che dette formazioni aggettanti (26) sono formazioni anulari di forma a V o a dente.
10. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzato dal fatto che a detto stampo sono associati mezzi pressori (38) o mezzi di vincolo (32), atti a mantenere detto stampo nella posizione iniziale in detta prima fase di cottura parziale, detti mezzi pressori (38) o di vincolo (32) essendo disattivabili o rispettivamente disimpegnabili per consentire l'incremento di volume di detta cavitÃ di formatura in detta fase di cottura completa ed in cui, il peso della piastra (14) che grava sull'altra piastra (12) Ã ̈ determinato in modo tale per cui, a seguito della disattivazione di detti mezzi pressori o del disimpegno di detti mezzi di vincolo, sia consentita la traslazione di detto semistampo a seguito dell'espansione dell'impasto in detta fase di cottura completa.
11. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzato dal fatto che detta operazione di separazione dei semigusci (2) dalla parete di interconnessione (4) Ã ̈ effettuata mediante un'azione di compressione in direzione ortogonale al piano di detta parete di interconnessione, esercitata sulla parete di interconnessione (4) o su detti semigusci (2).
12. Cialda alimentare, formata da un impasto per prodotti da forno, comprendente una pluralitÃ di semigusci (2) collegati tra loro da una parete di interconnessione (4), caratterizzata dal fatto che detti semigusci (2) sono collegati alla parete di interconnessione (4) da una regione anulare (28) a parete sottile, avente uno spessore sensibilmente ridotto rispetto allo spessore della parete di interconnessione (4).
13. Stampo per la produzione di una cialda sagomata (1) formata da un impasto per prodotti da forno, sottoposto a cottura in detto stampo, comprendente una pluralitÃ di semigusci (2) collegati tra loro da una parete di interconnessione (4), ove detto stampo comprende due piastre complementari (12, 14), con rispettive superfici frontali, che a seguito dell'accoppiamento di dette piastre, sono atte a definire una cavitÃ di formatura di forma generalmente corrispondente a detta cialda (1), caratterizzato dal fatto che le superfici frontali di formatura di almeno una di dette piastre presenta formazioni aggettanti (26) verso la superficie frontale dell'altra piastra, atte a definire nell'impasto sottoposto a cottura in detta cavitÃ di formatura un intaglio (24) in detta parete di interconnessione (4) in adiacenza a ciascun semiguscio, ed in cui dette piastre (12, 14) sono suscettibili di traslazione, l'una rispetto all'altra da una posizione iniziale in cui dette piastre (12, 14) definiscono una cavitÃ di formatura di volume ridotto, ad una posizione terminale in cui definiscono una cavitÃ di formatura di volume maggiore rispetto al volume di detta cavitÃ di formatura iniziale.
14. Stampo secondo la rivendicazione 13, caratterizzato dal fatto che comprende mezzi di fissaggio (32), atti a vincolare dette piastre (12, 14) in detta posizione iniziale di formatura e cottura e mezzi attuatori (34), opzionalmente associati ad un'unitÃ di controllo e comando (36), predisposti per disimpegnare detti mezzi di fissaggio dopo un tempo predeterminato di cottura.
15. Stampo secondo la rivendicazione 13, caratterizzato dal fatto che comprende mezzi pressori (38) atti a vincolare dette piastre (12, 14) in detta posizione iniziale di formatura e cottura e mezzi attuatori (34), opzionalmente associati ad un'unitÃ di controllo e comando (36), predisposti per disattivare detti mezzi pressori, cosÃ¬ da consentire la traslazione relativa di dette piastre l'una rispetto all'altra, a seguito di un tempo predeterminato di cottura.
16. Stampo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 13 a 15, caratterizzato dal fatto che dette formazioni aggettanti sono formazioni anulari (26) ricavate nella piastra femmina, con sezione a V o a dente ed in cui, le due piastre sono suscettibili di essere accoppiate l'una all'altra con dette formazioni aggettanti a filo o a contatto con la superficie frontale dell'altra piastra, ed in cui detto stampo opzionalmente comprende mezzi pressori elastici (40) atti a contrastare la traslazione relativa di dette piastre (12, 14).