JP3530676B2 - 光受容部材の製造方法、該光受容部材、該光受容部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プロセス - Google Patents
光受容部材の製造方法、該光受容部材、該光受容部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プロセスInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受容部材の製造
方法、該方法によって製造された光受容部材、該光受容
部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電
子写真プロセスに関し、更に詳しくは、クリーニング性
に優れ、光受容部材の加温手段を設けることなく、如何
なる環境下においても画像ボケや画像流れのない高品質
な画像を得ることができる光受容部材の製造方法、該製
造方法により製造された光受容部材、該光受容部材を有
する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プ
ロセスに関する。
方法、該方法によって製造された光受容部材、該光受容
部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電
子写真プロセスに関し、更に詳しくは、クリーニング性
に優れ、光受容部材の加温手段を設けることなく、如何
なる環境下においても画像ボケや画像流れのない高品質
な画像を得ることができる光受容部材の製造方法、該製
造方法により製造された光受容部材、該光受容部材を有
する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プ
ロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真感光体に用いる光受容部材の素
材としては、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、アモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等の無機材
料、或いは有機材料など、各種のものが提案されてい
る。これらのうちでも、ａ−Ｓｉに代表される珪素原子
を主成分として含む非単結晶堆積膜、例えば水素及び／
又はハロゲン（例えばフッ素、塩素等）を含む（例え
ば、水素又はハロゲンはダングリングボンドを補償す
る）ａ−Ｓｉ等のアモルファス堆積膜は、高性能、高耐
久、無公害な感光体として提案され、その幾つかは実用
化されている。
材としては、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、アモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等の無機材
料、或いは有機材料など、各種のものが提案されてい
る。これらのうちでも、ａ−Ｓｉに代表される珪素原子
を主成分として含む非単結晶堆積膜、例えば水素及び／
又はハロゲン（例えばフッ素、塩素等）を含む（例え
ば、水素又はハロゲンはダングリングボンドを補償す
る）ａ−Ｓｉ等のアモルファス堆積膜は、高性能、高耐
久、無公害な感光体として提案され、その幾つかは実用
化されている。
【０００３】特開昭５４−８６３４１号公報には、光導
電層を主としてａ−Ｓｉで形成した電子写真感光体の技
術が開示されている。
電層を主としてａ−Ｓｉで形成した電子写真感光体の技
術が開示されている。
【０００４】ａ−Ｓｉに代表されるａ−Ｓｉ系感光体
は、表面硬度が高く、半導体レーザー（７７０ｎｍ〜８
００ｎｍ）等の長波長光に高い感度を示し、しかも繰り
返し使用による劣化もほとんど認められない等の優れた
点を有するので、例えば高速複写機やＬＢＰ（レーザー
ビームプリンター）等の電子写真用感光体として広く使
用されている。
は、表面硬度が高く、半導体レーザー（７７０ｎｍ〜８
００ｎｍ）等の長波長光に高い感度を示し、しかも繰り
返し使用による劣化もほとんど認められない等の優れた
点を有するので、例えば高速複写機やＬＢＰ（レーザー
ビームプリンター）等の電子写真用感光体として広く使
用されている。
【０００５】シリコン系非単結晶堆積膜の形成法として
は、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方
法（プラズマＣＶＤ法）等多数の方法が知られている。
中でもプラズマＣＶＤ法、即ち原料ガスを直流、高周波
（ＲＦ，ＶＨＦ）又はマイクロ波を利用して発生させた
グロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合
成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の所望の
基体上に堆積膜を形成する方法は電子写真用アモルファ
スシリコン堆積膜の形成方法にとどまらず、他の用途の
堆積膜の形成方法を含め、現在実用化が非常に進んでお
り、そのための装置も各種提案されている。
は、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方
法（プラズマＣＶＤ法）等多数の方法が知られている。
中でもプラズマＣＶＤ法、即ち原料ガスを直流、高周波
（ＲＦ，ＶＨＦ）又はマイクロ波を利用して発生させた
グロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合
成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の所望の
基体上に堆積膜を形成する方法は電子写真用アモルファ
スシリコン堆積膜の形成方法にとどまらず、他の用途の
堆積膜の形成方法を含め、現在実用化が非常に進んでお
り、そのための装置も各種提案されている。
【０００６】更に、電子写真用感光体への適用を鑑みて
も近年は膜質及び処理能力の向上に対する要望が強くな
っており、これに対応するための様々な工夫も検討され
ている。
も近年は膜質及び処理能力の向上に対する要望が強くな
っており、これに対応するための様々な工夫も検討され
ている。
【０００７】特に高周波電力を用いたプラズマプロセス
は、放電の安定性が高く、酸化膜や窒化膜等の絶縁性材
料の形成にも使用できる等の様々な利点により多用され
ている。
は、放電の安定性が高く、酸化膜や窒化膜等の絶縁性材
料の形成にも使用できる等の様々な利点により多用され
ている。
【０００８】ところで近年、平行平板型のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて２０ＭＨｚ以上の高周波を用いたプラズ
マＣＶＤ法の報告があり（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ ａｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇ，Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．３（１９８７）ｐ２６７−２７
３）、放電周波数を従来の１３．５６ＭＨｚより高くす
ることで堆積膜の性能を落とさずに堆積速度を向上させ
ることができる可能性が示され、注目されている。ま
た、この放電周波数を高くする報告はスパッタリング等
でもなされ、近年広くその検討がされている。
Ｄ装置を用いて２０ＭＨｚ以上の高周波を用いたプラズ
マＣＶＤ法の報告があり（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ ａｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇ，Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．３（１９８７）ｐ２６７−２７
３）、放電周波数を従来の１３．５６ＭＨｚより高くす
ることで堆積膜の性能を落とさずに堆積速度を向上させ
ることができる可能性が示され、注目されている。ま
た、この放電周波数を高くする報告はスパッタリング等
でもなされ、近年広くその検討がされている。
【０００９】ところで、ａ−Ｓｉ光受容部材を含め、従
来の各種光受容部材の帯電、及び除電手段としては、殆
どの場合、ワイヤー電極（例えば５０〜１００μｍφの
金メッキを施したタングステン線等の金属線）とシール
ド板を主構成部材とするコロナ帯電器（コロトロン、ス
コロトロン）が利用されている。即ち、該コロナ帯電器
のワイヤー電極に高電圧（４〜８ｋＶ程度）を印加する
ことにより発生するコロナ電流を光受容部材面に作用さ
せて、光受容部材面の帯電、及び除電を行うものであ
る。コロナ帯電器は均一な帯電及び除電に優れる。
来の各種光受容部材の帯電、及び除電手段としては、殆
どの場合、ワイヤー電極（例えば５０〜１００μｍφの
金メッキを施したタングステン線等の金属線）とシール
ド板を主構成部材とするコロナ帯電器（コロトロン、ス
コロトロン）が利用されている。即ち、該コロナ帯電器
のワイヤー電極に高電圧（４〜８ｋＶ程度）を印加する
ことにより発生するコロナ電流を光受容部材面に作用さ
せて、光受容部材面の帯電、及び除電を行うものであ
る。コロナ帯電器は均一な帯電及び除電に優れる。
【００１０】しかし、コロナ放電に伴い、かなり大量の
オゾン（Ｏ3）の発生をみる。発生オゾンは空気中の窒
素を酸化して窒素酸化物（ＮＯx）等を生成する。更に
は、その生成窒素酸化物等は空気中の水分と反応して硝
酸等を生じさせる。そして窒素酸化物、硝酸等のコロナ
放電生成物は光受容部材や周辺の機器に付着、堆積し
て、それらの表面を汚損する。このようなコロナ放電生
成物は吸湿性が強く、それを吸着した光受容部材表面は
付着コロナ放電生成物の吸湿による低抵抗化で、実質的
に電荷保持能力が全面的に、あるいは部分面的に低下し
て、画像ボケや画像流れ（光受容部材表面電荷が面方向
にリークして静電荷潜像パターンが崩れる、或いは形成
されない状態）と称される画像欠陥を生じさせる原因と
なる場合がある。
オゾン（Ｏ3）の発生をみる。発生オゾンは空気中の窒
素を酸化して窒素酸化物（ＮＯx）等を生成する。更に
は、その生成窒素酸化物等は空気中の水分と反応して硝
酸等を生じさせる。そして窒素酸化物、硝酸等のコロナ
放電生成物は光受容部材や周辺の機器に付着、堆積し
て、それらの表面を汚損する。このようなコロナ放電生
成物は吸湿性が強く、それを吸着した光受容部材表面は
付着コロナ放電生成物の吸湿による低抵抗化で、実質的
に電荷保持能力が全面的に、あるいは部分面的に低下し
て、画像ボケや画像流れ（光受容部材表面電荷が面方向
にリークして静電荷潜像パターンが崩れる、或いは形成
されない状態）と称される画像欠陥を生じさせる原因と
なる場合がある。
【００１１】又、コロナ帯電器のシールド板内面に付着
したコロナ放電生成物は電子写真装置の稼働中のみなら
ず夜間等の装置の休止中に揮発遊離する。揮発遊離した
生成物は該帯電器の放電開口に対応した光受容部材表面
に付着して更に吸湿する。このため、光受容部材表面を
低抵抗化させる場合もある。この為、装置休止後の装置
再稼働時に最初に出力される一枚目、或いはそれに続く
数枚のコピーには、装置の休止中の帯電器開口に対応す
る領域に画像ボケ、画像流れを生じ易い。特にコロナ帯
電器がＡＣコロナ帯電器である場合に生じ易い。更に、
光受容部材がａ−Ｓｉ系光受容部材である場合には、上
記のコロナ放電生成物による画像ボケ、画像流れの問題
が大きくなる場合がある。
したコロナ放電生成物は電子写真装置の稼働中のみなら
ず夜間等の装置の休止中に揮発遊離する。揮発遊離した
生成物は該帯電器の放電開口に対応した光受容部材表面
に付着して更に吸湿する。このため、光受容部材表面を
低抵抗化させる場合もある。この為、装置休止後の装置
再稼働時に最初に出力される一枚目、或いはそれに続く
数枚のコピーには、装置の休止中の帯電器開口に対応す
る領域に画像ボケ、画像流れを生じ易い。特にコロナ帯
電器がＡＣコロナ帯電器である場合に生じ易い。更に、
光受容部材がａ−Ｓｉ系光受容部材である場合には、上
記のコロナ放電生成物による画像ボケ、画像流れの問題
が大きくなる場合がある。
【００１２】即ち、ａ−Ｓｉ系光受容部材は他の光受容
部材に比べ帯電及び除電の効率が低めで（所望の帯電及
び除電電位を得るのに必要なコロナ帯電電流量が多
く）、その為、ａ−Ｓｉ系光受容部材に対するコロナ放
電による帯電及び除電処理は他の光受容部材の場合より
も帯電器に印加する電圧を高くして帯電電流量を大幅に
増大させることが行われている。
部材に比べ帯電及び除電の効率が低めで（所望の帯電及
び除電電位を得るのに必要なコロナ帯電電流量が多
く）、その為、ａ−Ｓｉ系光受容部材に対するコロナ放
電による帯電及び除電処理は他の光受容部材の場合より
も帯電器に印加する電圧を高くして帯電電流量を大幅に
増大させることが行われている。
【００１３】ａ−Ｓｉ系光受容部材は特に高速電子写真
装置に用いられる場合が多く、このような場合には、帯
電電流量は例えば２０００μＡに達する場合がある。
装置に用いられる場合が多く、このような場合には、帯
電電流量は例えば２０００μＡに達する場合がある。
【００１４】コロナ帯電電流量とオゾン発生量は比例的
な関係にあることから、光受容部材がａ−Ｓｉ系光受容
部材であり、それをコロナ帯電器で帯電及び除電処理す
る場合には、特にオゾンの発生量が多くなり、その為に
前記コロナ放電生成物の発生による画像ボケ、画像流れ
の問題が特に大きいものとなる場合がある。
な関係にあることから、光受容部材がａ−Ｓｉ系光受容
部材であり、それをコロナ帯電器で帯電及び除電処理す
る場合には、特にオゾンの発生量が多くなり、その為に
前記コロナ放電生成物の発生による画像ボケ、画像流れ
の問題が特に大きいものとなる場合がある。
【００１５】又、ａ−Ｓｉ系光受容部材の場合は、表面
硬度が他の感光体に比べて極めて高いため、クリーニン
グ工程などで光受容部材と共に付着物が除去され難く、
該光受容部材表面に付着したコロナ放電生成物はいつま
でも残留しやすい傾向にある。
硬度が他の感光体に比べて極めて高いため、クリーニン
グ工程などで光受容部材と共に付着物が除去され難く、
該光受容部材表面に付着したコロナ放電生成物はいつま
でも残留しやすい傾向にある。
【００１６】そこで従来は、光受容部材に該光受容部材
を加温するためのヒーターを内蔵させたり、温風送風装
置により温風を光受容部材に送風して光受容部材表面を
加温（３０〜５０℃）して乾燥状態を保たせることによ
り、光受容部材表面に付着しているコロナ放電生成物が
吸湿して光受容部材表面を実質的に低抵抗化する事を防
止し、画像ボケや画像流れ現象を防止する処置がとられ
ることがある。特にａ−Ｓｉ系光受容部材の場合は、こ
の加温乾燥手段は不可欠なものとして電子写真装置に組
み込まれていることもある。
を加温するためのヒーターを内蔵させたり、温風送風装
置により温風を光受容部材に送風して光受容部材表面を
加温（３０〜５０℃）して乾燥状態を保たせることによ
り、光受容部材表面に付着しているコロナ放電生成物が
吸湿して光受容部材表面を実質的に低抵抗化する事を防
止し、画像ボケや画像流れ現象を防止する処置がとられ
ることがある。特にａ−Ｓｉ系光受容部材の場合は、こ
の加温乾燥手段は不可欠なものとして電子写真装置に組
み込まれていることもある。
【００１７】このような電子写真装置の現像器は、例え
ば可動マグネット等を内蔵した回転円筒状現像剤担持体
を備えており、この担持体上に現像剤即ち、トナー乃至
トナーとキャリアーとの混合物の薄層を形成した後、こ
れらを静電潜像を形成した光受容部材上に静電的に転移
する方式が広く採用されている。特開昭５４−４３０３
７、特開昭５８−１４４８６５、特開昭６０−７４５１
等にはこれらの方式の一例が開示されている。現像剤と
しては、磁性粒子を含むもの、即ちトナーとキャリアー
の混合物、乃至トナー中にマグネタイトなどを含有しキ
ャリアーを含まぬもの等が使用し得る。
ば可動マグネット等を内蔵した回転円筒状現像剤担持体
を備えており、この担持体上に現像剤即ち、トナー乃至
トナーとキャリアーとの混合物の薄層を形成した後、こ
れらを静電潜像を形成した光受容部材上に静電的に転移
する方式が広く採用されている。特開昭５４−４３０３
７、特開昭５８−１４４８６５、特開昭６０−７４５１
等にはこれらの方式の一例が開示されている。現像剤と
しては、磁性粒子を含むもの、即ちトナーとキャリアー
の混合物、乃至トナー中にマグネタイトなどを含有しキ
ャリアーを含まぬもの等が使用し得る。
【００１８】このような方式で、装置の休止中に、回転
円筒状現像剤担持体の光受容部材対向部が光受容部材の
熱により膨張するため、現像剤現像部における回転円筒
状現像剤担持体と光受容部材との距離が短くなる場合が
ある。この為、その間の電界が強くなり現像剤が通常よ
りも転移し易くなる。又、該部位の反対面部位は、その
影響で距離が長くなるため電界が小さくなり現像剤が通
常よりも転移し難くなる場合がある。この結果、回転円
筒状現像剤担持体の回転周期で部分的に画像濃度が濃く
なったり薄くなったりする場合があり、このような現象
の発現は、電子写真装置の出力画像の品質を著しく損な
う場合があった。よって、光受容部材を加温しなくても
画像ボケや画像流れが発生しない光受容部材が求められ
ていた。
円筒状現像剤担持体の光受容部材対向部が光受容部材の
熱により膨張するため、現像剤現像部における回転円筒
状現像剤担持体と光受容部材との距離が短くなる場合が
ある。この為、その間の電界が強くなり現像剤が通常よ
りも転移し易くなる。又、該部位の反対面部位は、その
影響で距離が長くなるため電界が小さくなり現像剤が通
常よりも転移し難くなる場合がある。この結果、回転円
筒状現像剤担持体の回転周期で部分的に画像濃度が濃く
なったり薄くなったりする場合があり、このような現象
の発現は、電子写真装置の出力画像の品質を著しく損な
う場合があった。よって、光受容部材を加温しなくても
画像ボケや画像流れが発生しない光受容部材が求められ
ていた。
【００１９】更に、帯電、露光、現像、転写、分離、ク
リーニングの各工程を順次繰り返し、ブレードによるス
クレープクリーニングを行う電子写真装置においては、
繰り返しの操作によって該光受容部材表面の摩擦抵抗が
徐々に上昇する場合がある。摩擦抵抗が上昇すると、残
留現像剤（トナー）のクリーニング性が著しく低下して
しまう。この様な状態で複写工程を繰り返し行うと、コ
ロナ帯電器内で現像剤や該現像剤に含まれる外添剤（チ
タン酸ストロンチウム、シリカ等）の微粒子が飛散して
コロナ帯電器のワイヤー電極（以後、帯電器ワイヤーと
記す）に付着し、放電ムラの原因となる場合がある。帯
電器のワイヤー汚れによって放電ムラが発生すると、正
現像（光受容部材表面の非露光部を現像する方式）にお
いては画像上にスジ状の白抜け部、画像全面に広がるウ
ロコ状の黒モヤ、周期性なく局部的に発生する黒点
（０．１〜０．３ｍｍφ）等が発生して出力画像の品質
を著しく低下させる。又、帯電器ワイヤー汚れが発生す
ると、その汚れ部と光受容部材間で異常放電が誘発さ
れ、光受容部材表面を破壊して画像欠陥を発生させる場
合がある。
リーニングの各工程を順次繰り返し、ブレードによるス
クレープクリーニングを行う電子写真装置においては、
繰り返しの操作によって該光受容部材表面の摩擦抵抗が
徐々に上昇する場合がある。摩擦抵抗が上昇すると、残
留現像剤（トナー）のクリーニング性が著しく低下して
しまう。この様な状態で複写工程を繰り返し行うと、コ
ロナ帯電器内で現像剤や該現像剤に含まれる外添剤（チ
タン酸ストロンチウム、シリカ等）の微粒子が飛散して
コロナ帯電器のワイヤー電極（以後、帯電器ワイヤーと
記す）に付着し、放電ムラの原因となる場合がある。帯
電器のワイヤー汚れによって放電ムラが発生すると、正
現像（光受容部材表面の非露光部を現像する方式）にお
いては画像上にスジ状の白抜け部、画像全面に広がるウ
ロコ状の黒モヤ、周期性なく局部的に発生する黒点
（０．１〜０．３ｍｍφ）等が発生して出力画像の品質
を著しく低下させる。又、帯電器ワイヤー汚れが発生す
ると、その汚れ部と光受容部材間で異常放電が誘発さ
れ、光受容部材表面を破壊して画像欠陥を発生させる場
合がある。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたもので、その目的とするところ
は、帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニングの各
工程を順次繰り返し、ブレードによりスクレープクリー
ニングを行う電子写真装置において摩擦抵抗が低く、ト
ナーの飛散を防止し、帯電器ワイヤー汚れが発生しない
光受容部材を提供すると共に、コロナ放電によって発生
するコロナ放電生成物の付着がないか実質的にない光受
容部材を提供し、環境条件にかかわらず光受容部材の加
温手段を設けなくても画像ボケや画像流れのない高品質
の画像が得られうる光受容部材、該光受容部材の製造方
法、該光受容部材を有する電子写真装置および該光受容
部材を用いた電子写真プロセスを提供することにある。
決するためになされたもので、その目的とするところ
は、帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニングの各
工程を順次繰り返し、ブレードによりスクレープクリー
ニングを行う電子写真装置において摩擦抵抗が低く、ト
ナーの飛散を防止し、帯電器ワイヤー汚れが発生しない
光受容部材を提供すると共に、コロナ放電によって発生
するコロナ放電生成物の付着がないか実質的にない光受
容部材を提供し、環境条件にかかわらず光受容部材の加
温手段を設けなくても画像ボケや画像流れのない高品質
の画像が得られうる光受容部材、該光受容部材の製造方
法、該光受容部材を有する電子写真装置および該光受容
部材を用いた電子写真プロセスを提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、減圧可能な反応容器内で、基体上に形成さ
れた受容層上に、フッ素系のガスを含まない原料ガスに
よる炭素原子、酸素原子又は窒素原子の少なくともいず
れか一種を含む非単結晶材料の層の成膜とフッ素を有す
るガスによるエッチングとを交互に複数回繰り返すこと
により表面層を形成する光受容部材の製造方法であっ
て、前記１回の成膜で堆積される膜厚が３０Å〜２５０
０Åであり、前記１回のエッチングによってエッチング
される膜厚は２０Å以上であり、かつ該成膜とエッチン
グの１回の組によって形成される表面層の膜厚が１０Å
〜２０００Åであることを特徴とする光受容部材の製造
方法、該方法によって作製された光受容部材、及び該光
受容部材を有する電子写真装置及び電子写真プロセスを
提供するものである。
に本発明は、減圧可能な反応容器内で、基体上に形成さ
れた受容層上に、フッ素系のガスを含まない原料ガスに
よる炭素原子、酸素原子又は窒素原子の少なくともいず
れか一種を含む非単結晶材料の層の成膜とフッ素を有す
るガスによるエッチングとを交互に複数回繰り返すこと
により表面層を形成する光受容部材の製造方法であっ
て、前記１回の成膜で堆積される膜厚が３０Å〜２５０
０Åであり、前記１回のエッチングによってエッチング
される膜厚は２０Å以上であり、かつ該成膜とエッチン
グの１回の組によって形成される表面層の膜厚が１０Å
〜２０００Åであることを特徴とする光受容部材の製造
方法、該方法によって作製された光受容部材、及び該光
受容部材を有する電子写真装置及び電子写真プロセスを
提供するものである。
【００２２】又、本発明は、減圧可能な反応容器内で、
基体上の受容層上をフッ素を有するガスによりエッチン
グした後、前記の方法により表面層を形成する光受容部
材の製造方法、該方法によって作製された光受容部材、
及び該光受容部材を有する電子写真装置及び電子写真プ
ロセスを提供するものである。
基体上の受容層上をフッ素を有するガスによりエッチン
グした後、前記の方法により表面層を形成する光受容部
材の製造方法、該方法によって作製された光受容部材、
及び該光受容部材を有する電子写真装置及び電子写真プ
ロセスを提供するものである。
【００２３】本発明において、成膜及び／又はエッチン
グを放電周波数５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波電力
を使用して行うことは好ましい。
グを放電周波数５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波電力
を使用して行うことは好ましい。
【００２４】また、表面層は更にシリコン及び／又は水
素を含有して良い。
素を含有して良い。
【００２５】本発明において、表面層の厚み方向全域に
フッ素原子が含有されることは好ましい。
フッ素原子が含有されることは好ましい。
【００２６】又、１回のエッチングによってエッチング
される膜厚がより好ましくは５０Å以上とすることは望
ましい。
される膜厚がより好ましくは５０Å以上とすることは望
ましい。
【００２７】又、フッ素を有するガスがＣＦ4、ＣＨ
Ｆ3、ＣｌＦ3の少なくとも一つを含むものであることは
好ましい。
Ｆ3、ＣｌＦ3の少なくとも一つを含むものであることは
好ましい。
【００２８】１回の成膜とエッチングによって形成され
る表面層の膜厚がより好ましくは４０Å〜１０００Åと
することはより望ましい。
る表面層の膜厚がより好ましくは４０Å〜１０００Åと
することはより望ましい。
【００２９】尚、受容層が光導電性を有するか光導電層
を有していて良い。光導電層は単層型としてもよく、光
導電層は機能分離型としてもよい。
を有していて良い。光導電層は単層型としてもよく、光
導電層は機能分離型としてもよい。
【００３０】尚、表面層中に炭素原子が含有されること
は特に好ましい。
は特に好ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明においては、上記方法によ
り表面層にフッ素原子を含有させることで、表面層の撥
水性を向上させることによりコロナ放電生成物の付着を
効果的に防止することができる。
り表面層にフッ素原子を含有させることで、表面層の撥
水性を向上させることによりコロナ放電生成物の付着を
効果的に防止することができる。
【００３２】本発明者らは、シリコン原子、及び炭素原
子、水素原子を含む表面層に対し、該表面層の膜中に存
在する未結合の炭素或いはＣ−Ｈ結合をＣ−Ｆ結合と
し、併せて最表面に存在するＳｉの未結合手をフッ素化
することにより高撥水性とする検討を行った結果、耐久
性のある極めて高い撥水性の表面層が得られることを見
出した。
子、水素原子を含む表面層に対し、該表面層の膜中に存
在する未結合の炭素或いはＣ−Ｈ結合をＣ−Ｆ結合と
し、併せて最表面に存在するＳｉの未結合手をフッ素化
することにより高撥水性とする検討を行った結果、耐久
性のある極めて高い撥水性の表面層が得られることを見
出した。
【００３３】この撥水性の比較は、純水の水滴を評価サ
ンプルに乗せたときの接触角による評価であり、この接
触角が大きいほど高い撥水性を示すと評価している。
ンプルに乗せたときの接触角による評価であり、この接
触角が大きいほど高い撥水性を示すと評価している。
【００３４】一方、表面層の最表面のみをフッ素化する
場合は、帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニング
の各工程を順次繰り返し、ブレードによるスクレープク
リーニングを行う電子写真装置においては、トナー及び
トナーに含まれる研磨剤等により光受容部材の最表面が
研磨されるために、繰り返しの操作により撥水性の効果
が充分でなくなってしまう場合があることが判明した。
又、フッ素系ガスを用いて積極的に表面層中にフッ素原
子を取り込む試みも行ったが、高周波電力を用いるプラ
ズマ処理装置を用いる場合においては、膜中にフッ素原
子を所望通りに含有させることは容易ではない。膜中に
所望量のフッ素原子を含有させることができたとして
も、機械的な強度が充分満足できなかったり、堆積に要
する時間が長時間に及ぶ等のより改善を望まれる点があ
る。
場合は、帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニング
の各工程を順次繰り返し、ブレードによるスクレープク
リーニングを行う電子写真装置においては、トナー及び
トナーに含まれる研磨剤等により光受容部材の最表面が
研磨されるために、繰り返しの操作により撥水性の効果
が充分でなくなってしまう場合があることが判明した。
又、フッ素系ガスを用いて積極的に表面層中にフッ素原
子を取り込む試みも行ったが、高周波電力を用いるプラ
ズマ処理装置を用いる場合においては、膜中にフッ素原
子を所望通りに含有させることは容易ではない。膜中に
所望量のフッ素原子を含有させることができたとして
も、機械的な強度が充分満足できなかったり、堆積に要
する時間が長時間に及ぶ等のより改善を望まれる点があ
る。
【００３５】本発明者らは、上記問題について種々検討
した結果、表面層にフッ素原子を含有させる方法とし
て、前述したように成膜及びエッチングを複数回繰り返
すことにより、表面層に効率よく、しかも所望のフッ素
原子を含有させることが可能であり、又、堆積速度も向
上させられることを見出した。
した結果、表面層にフッ素原子を含有させる方法とし
て、前述したように成膜及びエッチングを複数回繰り返
すことにより、表面層に効率よく、しかも所望のフッ素
原子を含有させることが可能であり、又、堆積速度も向
上させられることを見出した。
【００３６】つまり、フッ素系ガスを含まない原料ガス
で表面層を成膜する場合であっても、予め被堆積表面に
フッ素原子をコートしておくと、成膜時に堆積膜表面で
フッ素原子と炭素原子が相互反応を起こし、炭素原子は
十分に３次元ネットワークを組みつつフッ素原子がター
ミネーターとして組み込まれていくことを発見した。こ
の結果、充分な機械強度を持たせながらフッ素原子を含
有させることが出来、同時に高い撥水性を持たせること
が可能となる。又、この方法によれば、堆積速度はフッ
素原子を表面にコートしない場合と変わらず、実用上充
分に速い速度で成膜が可能となる。
で表面層を成膜する場合であっても、予め被堆積表面に
フッ素原子をコートしておくと、成膜時に堆積膜表面で
フッ素原子と炭素原子が相互反応を起こし、炭素原子は
十分に３次元ネットワークを組みつつフッ素原子がター
ミネーターとして組み込まれていくことを発見した。こ
の結果、充分な機械強度を持たせながらフッ素原子を含
有させることが出来、同時に高い撥水性を持たせること
が可能となる。又、この方法によれば、堆積速度はフッ
素原子を表面にコートしない場合と変わらず、実用上充
分に速い速度で成膜が可能となる。
【００３７】更にこの表面層は、帯電、露光、現像、転
写、分離、クリーニングの各工程を順次繰り返し、ブレ
ードによるスクレープクリーニングを行う電子写真装置
において、トナー及びトナーに含まれる研磨剤等により
光受容層の最表面が研磨されても、表面保護層としての
硬度、及び初期の摩擦抵抗を維持したまま常時フッ素原
子を含有した高撥水性の表面が得られる。又、本発明お
ける表面層は特に放電周波数を５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨ
ｚの高周波電力を用いて作製することにより、一層、表
面層内に、緻密に、しかも効率よくフッ素原子を含有さ
せることができるため、より一層クリーニング性に優
れ、トナーの飛散がなく、ワイヤー汚れを防止する効果
がある。
写、分離、クリーニングの各工程を順次繰り返し、ブレ
ードによるスクレープクリーニングを行う電子写真装置
において、トナー及びトナーに含まれる研磨剤等により
光受容層の最表面が研磨されても、表面保護層としての
硬度、及び初期の摩擦抵抗を維持したまま常時フッ素原
子を含有した高撥水性の表面が得られる。又、本発明お
ける表面層は特に放電周波数を５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨ
ｚの高周波電力を用いて作製することにより、一層、表
面層内に、緻密に、しかも効率よくフッ素原子を含有さ
せることができるため、より一層クリーニング性に優
れ、トナーの飛散がなく、ワイヤー汚れを防止する効果
がある。
【００３８】又、この様な効果は酸素原子や窒素原子を
含有する場合にも見出された。
含有する場合にも見出された。
【００３９】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００４０】図１は本発明における成膜とエッチング処
理とを交互に繰り返すことにより、フッ素原子が拡散し
た領域と、フッ素原子が結合した領域とを交互に複数設
けた表面層を示す模式的な断面図である。図１中、領域
１０１はエッチング処理と成膜処理とによってフッ素原
子を層中に含有した領域であり、領域１０２は成膜後エ
ッチング処理によってフッ素原子が結合状態で存在する
領域を示す。また領域１００は表面層を作製するために
形成された層又は光導電層を含む受容層である。ここに
示した図においては、表面層１０４は８層構成になって
いる。表面層は、複数の層構成であれば何層にしても良
いが、一般に２〜５０層の範囲とすることが好ましい。
最表面に関しては、エッチング処理を施した膜であるこ
とが特に好ましい。一回の成膜で堆積される膜の膜厚は
所望により適宜決められるが、好ましくは３０〜２５０
０Å、より好ましくは６０〜１０００Åとされる。又、
各層の成膜条件は全層一定でも条件を変化させても良
い。例えば表面に向かって炭素含有量が増加するように
成膜しても良い。
理とを交互に繰り返すことにより、フッ素原子が拡散し
た領域と、フッ素原子が結合した領域とを交互に複数設
けた表面層を示す模式的な断面図である。図１中、領域
１０１はエッチング処理と成膜処理とによってフッ素原
子を層中に含有した領域であり、領域１０２は成膜後エ
ッチング処理によってフッ素原子が結合状態で存在する
領域を示す。また領域１００は表面層を作製するために
形成された層又は光導電層を含む受容層である。ここに
示した図においては、表面層１０４は８層構成になって
いる。表面層は、複数の層構成であれば何層にしても良
いが、一般に２〜５０層の範囲とすることが好ましい。
最表面に関しては、エッチング処理を施した膜であるこ
とが特に好ましい。一回の成膜で堆積される膜の膜厚は
所望により適宜決められるが、好ましくは３０〜２５０
０Å、より好ましくは６０〜１０００Åとされる。又、
各層の成膜条件は全層一定でも条件を変化させても良
い。例えば表面に向かって炭素含有量が増加するように
成膜しても良い。
【００４１】表面層にフッ素原子を含有させる方法とし
ては、例えば通常の光受容層を作製すると同様に、炭素
化アモルファスシリコン（ａ−ＳｉＣ）の層を堆積した
後、フッ素系のガスを導入し、その表面のエッチング処
理を行うことによってその表面にフッ素原子を結合させ
る。次いで、その上に再度ａ−ＳｉＣの層を堆積し、表
面のフッ素原子との反応を利用してフッ素原子を含有し
たａ−ＳｉＣの層を形成する。その表面を前記と同様に
してフッ素系のガスによるエッチング処理を行う。この
操作を所望の厚さになるまで繰り返すことにより複数の
フッ素原子を含有した領域とフッ素原子が結合した領域
を形成でき、これにより硬度が高く、高撥水性の表面層
を得ることができる。
ては、例えば通常の光受容層を作製すると同様に、炭素
化アモルファスシリコン（ａ−ＳｉＣ）の層を堆積した
後、フッ素系のガスを導入し、その表面のエッチング処
理を行うことによってその表面にフッ素原子を結合させ
る。次いで、その上に再度ａ−ＳｉＣの層を堆積し、表
面のフッ素原子との反応を利用してフッ素原子を含有し
たａ−ＳｉＣの層を形成する。その表面を前記と同様に
してフッ素系のガスによるエッチング処理を行う。この
操作を所望の厚さになるまで繰り返すことにより複数の
フッ素原子を含有した領域とフッ素原子が結合した領域
を形成でき、これにより硬度が高く、高撥水性の表面層
を得ることができる。
【００４２】表面層中に含有されたフッ素原子は層厚方
向にその分布の仕方が不均一とされている。より具体的
には、フッ素原子の含有量が多い領域と少ない領域を有
している。例えば、フッ素原子の含有量が少ない領域を
挟むようにフッ素原子の含有量が多い領域を有してい
る。フッ素原子の多い領域と少ない領域との間に実質的
にフッ素原子を含有しない領域を有していても良い。
向にその分布の仕方が不均一とされている。より具体的
には、フッ素原子の含有量が多い領域と少ない領域を有
している。例えば、フッ素原子の含有量が少ない領域を
挟むようにフッ素原子の含有量が多い領域を有してい
る。フッ素原子の多い領域と少ない領域との間に実質的
にフッ素原子を含有しない領域を有していても良い。
【００４３】エッチングによって除かれる層厚として
は、成膜した層の厚みとの関係もあるが、好ましくは２
０〜２０００Å、より好ましくは５０〜５００Å程度が
望ましい。又、フッ素原子が結合した領域の厚さは好ま
しくは１〜５００Å、より好ましくは１０〜５０Åとさ
れる。
は、成膜した層の厚みとの関係もあるが、好ましくは２
０〜２０００Å、より好ましくは５０〜５００Å程度が
望ましい。又、フッ素原子が結合した領域の厚さは好ま
しくは１〜５００Å、より好ましくは１０〜５０Åとさ
れる。
【００４４】エッチングに用いるフッ素系のガスとして
は、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、Ｃ2Ｆ6、Ｃ
ｌＦ3等のフッ素系ガスが好適に使用される。
は、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、Ｃ2Ｆ6、Ｃ
ｌＦ3等のフッ素系ガスが好適に使用される。
【００４５】図２は、本発明の高周波電源を用いたプラ
ズマＣＶＤ法による光受容部材の堆積装置の一例を模式
的に示した図である。
ズマＣＶＤ法による光受容部材の堆積装置の一例を模式
的に示した図である。
【００４６】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１０内
を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されて
いる。堆積装置２１００中の反応容器２１１０内にはア
ースに接続された円筒状被成膜基体２１１２、円筒状被
成膜基体の加熱用ヒーター２１１３、原料ガス導入管２
１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス２１
１５を介して高周波電源２１２０が接続されている。
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１０内
を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されて
いる。堆積装置２１００中の反応容器２１１０内にはア
ースに接続された円筒状被成膜基体２１１２、円筒状被
成膜基体の加熱用ヒーター２１１３、原料ガス導入管２
１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス２１
１５を介して高周波電源２１２０が接続されている。
【００４７】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4、
Ｈ2、ＣＨ4、ＮＯ、Ｂ2Ｈ6、ＣＦ4等の原料ガスボン
ベ、及びエッチングガスボンベ２２２１〜２２２６と、
バルブ２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２
５１〜２２５６、及びマスフローコントローラー２２１
１〜２２１６から構成され、各構成ガスのボンベはバル
ブ２２６０を介して反応容器２１１０内のガス導入管２
１１４に接続されている。
Ｈ2、ＣＨ4、ＮＯ、Ｂ2Ｈ6、ＣＦ4等の原料ガスボン
ベ、及びエッチングガスボンベ２２２１〜２２２６と、
バルブ２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２
５１〜２２５６、及びマスフローコントローラー２２１
１〜２２１６から構成され、各構成ガスのボンベはバル
ブ２２６０を介して反応容器２１１０内のガス導入管２
１１４に接続されている。
【００４８】本発明の表面層の作製で使用される高周波
電源は、周波数が５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲のも
のが好適に使用することができる。４５０ＭＨｚを越え
る放電周波数では放電の安定性や、均一性が充分でな
く、放電が局所的に集中してしまい、その結果として堆
積膜に膜厚のムラを生じてしまう場合がある。又、出力
は１０Ｗ〜５０００Ｗの範囲が好適であるが、使用する
装置に適した電力を発生することができれば、出力の範
囲は制限されない。更に、高周波電源の出力変動率は、
所望の膜を作製できるのであればその値は制限されな
い。
電源は、周波数が５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲のも
のが好適に使用することができる。４５０ＭＨｚを越え
る放電周波数では放電の安定性や、均一性が充分でな
く、放電が局所的に集中してしまい、その結果として堆
積膜に膜厚のムラを生じてしまう場合がある。又、出力
は１０Ｗ〜５０００Ｗの範囲が好適であるが、使用する
装置に適した電力を発生することができれば、出力の範
囲は制限されない。更に、高周波電源の出力変動率は、
所望の膜を作製できるのであればその値は制限されな
い。
【００４９】円筒状被成膜基体２１１２は導電性受け台
２１２３の上に設置されることによってアースに接続さ
れる。又、カソード電極２１１１は導電性材料からな
り、絶縁材料２１２１によって絶縁されている。導電性
受け台２１２３に用いる導電性材料としては、銅、アル
ミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、
鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス、及びこ
れらの材料の２種以上の複合材料等が使用できる。
２１２３の上に設置されることによってアースに接続さ
れる。又、カソード電極２１１１は導電性材料からな
り、絶縁材料２１２１によって絶縁されている。導電性
受け台２１２３に用いる導電性材料としては、銅、アル
ミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、
鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス、及びこ
れらの材料の２種以上の複合材料等が使用できる。
【００５０】カソード電極２１１１を絶縁するための絶
縁材料としては、セラミックス、テフロン、マイカ、ガ
ラス、石英、シリコーンゴム、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の絶縁材が使用できる。
縁材料としては、セラミックス、テフロン、マイカ、ガ
ラス、石英、シリコーンゴム、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の絶縁材が使用できる。
【００５１】マッチングボックス２１１５は高周波電源
２１２０と負荷との整合をとることができるものであれ
ば如何なる構成のものでも好適に使用できる。又、整合
をとる方法としては、自動的に調整されるものが好適で
あるが、手動で調整されるものであっても本発明の効果
には全く影響はない。
２１２０と負荷との整合をとることができるものであれ
ば如何なる構成のものでも好適に使用できる。又、整合
をとる方法としては、自動的に調整されるものが好適で
あるが、手動で調整されるものであっても本発明の効果
には全く影響はない。
【００５２】高周波電力が印加されるカソード電極２１
１１の材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、白
金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデ
ン、チタン、ステンレス、及びこれらの材料の２種以上
の複合材料等が使用できる。又、形状は円筒形状が好ま
しいが、必要に応じて楕円形状、多角形状を用いても良
い。
１１の材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、白
金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデ
ン、チタン、ステンレス、及びこれらの材料の２種以上
の複合材料等が使用できる。又、形状は円筒形状が好ま
しいが、必要に応じて楕円形状、多角形状を用いても良
い。
【００５３】カソード電極２１１１には、必要に応じて
冷却手段を設けても良い。具体的な冷却手段としては、
水、空気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要
に応じて用いられる。尚、図２においては反応容器２１
１０の周囲に絶縁シールド板２１２２が設けられている
例が示されている。
冷却手段を設けても良い。具体的な冷却手段としては、
水、空気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要
に応じて用いられる。尚、図２においては反応容器２１
１０の周囲に絶縁シールド板２１２２が設けられている
例が示されている。
【００５４】本発明に用いる円筒状被成膜基体２１１２
は、使用目的に応じた材質や形状を有するものであれば
よい。例えば、形状に関しては、電子写真用感光体を製
造する場合には、円筒状が望ましいが、必要に応じて平
板状や、その他の形状であっても良い。又、材質におい
ては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケ
ル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステ
ンレス、及びこれらの材料の２種以上の複合材料、更に
はポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セ
ルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、石
英、セラミックス、紙などの絶縁材料に導電性材料を被
覆したものなどが使用できる。
は、使用目的に応じた材質や形状を有するものであれば
よい。例えば、形状に関しては、電子写真用感光体を製
造する場合には、円筒状が望ましいが、必要に応じて平
板状や、その他の形状であっても良い。又、材質におい
ては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケ
ル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステ
ンレス、及びこれらの材料の２種以上の複合材料、更に
はポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セ
ルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、石
英、セラミックス、紙などの絶縁材料に導電性材料を被
覆したものなどが使用できる。
【００５５】以下、図２の装置を用いて、光受容部材の
形成方法の手順の一例について説明する。
形成方法の手順の一例について説明する。
【００５６】反応容器２１１０内に円筒状被成膜基体２
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１０内を排気する。続いて円筒
状被成膜基体加熱用ヒーター２１１３により円筒状被成
膜基体２１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度
に制御する。次いで、光受容部材形成用の原料ガスを反
応容器２１１０内に流入させるために、ガスボンベのバ
ルブ２２３１〜２２３６、反応容器のリークバルブ２１
１７が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ２
２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補
助バルブ２２６０が開かれていることを確認し、メイン
バルブ２１１８を開いて反応容器２１１０及びガス供給
配管２１１６を排気する。
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１０内を排気する。続いて円筒
状被成膜基体加熱用ヒーター２１１３により円筒状被成
膜基体２１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度
に制御する。次いで、光受容部材形成用の原料ガスを反
応容器２１１０内に流入させるために、ガスボンベのバ
ルブ２２３１〜２２３６、反応容器のリークバルブ２１
１７が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ２
２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補
助バルブ２２６０が開かれていることを確認し、メイン
バルブ２１１８を開いて反応容器２１１０及びガス供給
配管２１１６を排気する。
【００５７】その後、真空計２１１９の読みが５×１０
-6torrになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。その後、ガスボンベ２２
２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３６
を開いて導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により
各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に流入バルブ
２２４１〜２２４６を徐々に開けて各ガスをマスフロー
コントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
-6torrになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。その後、ガスボンベ２２
２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３６
を開いて導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により
各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に流入バルブ
２２４１〜２２４６を徐々に開けて各ガスをマスフロー
コントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【００５８】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、円筒状被成膜基体２１１２上に、まず光導電層の形
成を行う。
後、円筒状被成膜基体２１１２上に、まず光導電層の形
成を行う。
【００５９】即ち、円筒状被成膜基体２１１２が所望の
温度になったところで、各流出バルブ２２５１〜２２５
６のうち必要なもの、及び補助バルブ２２６０を徐々に
開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の原料
ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１１０内
に導入する。次に、各マスフローコントローラー２２１
１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量になる
ように調整する。その際、反応容器２１１０内が１torr
以下の所望の圧力になるように、真空計２１１９を見な
がらメインバルブ２１１８の開度を調整する。内圧が安
定したところで、高周波電源２１２０を所望の電力に設
定して、例えば周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波
電力を高周波マッチングボックス２１１５を通じてカソ
ード電極２１１１に供給し、高周波グロー放電を生起さ
せる。この放電エネルギーによって反応容器２１１０内
に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状被成膜基体
２１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする光導電
層が堆積される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周
波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜２２５６
を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流入を止
め、光導電層の堆積を終える。
温度になったところで、各流出バルブ２２５１〜２２５
６のうち必要なもの、及び補助バルブ２２６０を徐々に
開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の原料
ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１１０内
に導入する。次に、各マスフローコントローラー２２１
１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量になる
ように調整する。その際、反応容器２１１０内が１torr
以下の所望の圧力になるように、真空計２１１９を見な
がらメインバルブ２１１８の開度を調整する。内圧が安
定したところで、高周波電源２１２０を所望の電力に設
定して、例えば周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波
電力を高周波マッチングボックス２１１５を通じてカソ
ード電極２１１１に供給し、高周波グロー放電を生起さ
せる。この放電エネルギーによって反応容器２１１０内
に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状被成膜基体
２１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする光導電
層が堆積される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周
波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜２２５６
を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流入を止
め、光導電層の堆積を終える。
【００６０】光導電層を含む受容層の組成や膜厚は公知
のものを使用することができる。
のものを使用することができる。
【００６１】例えば、光導電層や電荷注入阻止層などを
含む受容層としては、非単結晶材料を有していて良く、
具体的には非晶質材料（非晶質は微結晶も包含する）、
多結晶材料及びそれらの組合せを用いることができる。
また、それらはシリコン原子又はゲルマニウム原子を含
有することが好ましく、必要に応じて、ホウ素、ヒ素、
リンなどのような導伝型を制御可能な元素を加入して良
く、また、炭素、酸素又は窒素から選ばれる少なくとも
一種の元素を含有しても良い。それらの元素の分布は均
一でも不均一でも良く、所望とされる特性に応じて適宜
含有量と共に決定される。
含む受容層としては、非単結晶材料を有していて良く、
具体的には非晶質材料（非晶質は微結晶も包含する）、
多結晶材料及びそれらの組合せを用いることができる。
また、それらはシリコン原子又はゲルマニウム原子を含
有することが好ましく、必要に応じて、ホウ素、ヒ素、
リンなどのような導伝型を制御可能な元素を加入して良
く、また、炭素、酸素又は窒素から選ばれる少なくとも
一種の元素を含有しても良い。それらの元素の分布は均
一でも不均一でも良く、所望とされる特性に応じて適宜
含有量と共に決定される。
【００６２】表面層は炭素を含有することが好ましく、
例えばａ−ＳｉxＣ(1-x)（０≦ｘ＜１）と表記すること
ができる。
例えばａ−ＳｉxＣ(1-x)（０≦ｘ＜１）と表記すること
ができる。
【００６３】上記光導電層に表面層を形成する場合も基
本的には上記の操作を繰り返せばよい。つまり成膜ガス
及びエッチングガスをたとえば交互に供給すればよい。
本的には上記の操作を繰り返せばよい。つまり成膜ガス
及びエッチングガスをたとえば交互に供給すればよい。
【００６４】具体的には各流出バルブ２２５１〜２２５
６のうち必要なもの、及び補助バルブ２２６０を徐々に
開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から表面層に必
要な原料ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２
１１０内に導入する。
６のうち必要なもの、及び補助バルブ２２６０を徐々に
開き、各ガスボンベ２２２１〜２２２６から表面層に必
要な原料ガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２
１１０内に導入する。
【００６５】次に、各マスフローコントローラー２２１
１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量になる
ように調整する。その際、反応容器２１１０内が１torr
以下の所望の圧力になるように、真空計２１１９を見な
がらメインバルブ２１１８の開度を調整する。内圧が安
定したところで、高周波電源２１２０を所望の電力に設
定して、周波数５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲の高周
波電力を高周波マッチングボックス２１１５を通じてカ
ソード電極２１１１に供給し、高周波グロー放電を生起
させる。この放電エネルギーによって反応容器２１１０
内に導入させた各原料ガスが分解され、ａ−ＳｉＣ堆積
膜が成膜される。所望の膜厚の堆積膜の成膜が行われた
後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜
２２５６を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流
入を止め、堆積膜の成膜を終える。
１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量になる
ように調整する。その際、反応容器２１１０内が１torr
以下の所望の圧力になるように、真空計２１１９を見な
がらメインバルブ２１１８の開度を調整する。内圧が安
定したところで、高周波電源２１２０を所望の電力に設
定して、周波数５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲の高周
波電力を高周波マッチングボックス２１１５を通じてカ
ソード電極２１１１に供給し、高周波グロー放電を生起
させる。この放電エネルギーによって反応容器２１１０
内に導入させた各原料ガスが分解され、ａ−ＳｉＣ堆積
膜が成膜される。所望の膜厚の堆積膜の成膜が行われた
後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜
２２５６を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流
入を止め、堆積膜の成膜を終える。
【００６６】次いて、各流出バルブ２２５１〜２２５６
のうち必要なものと補助バルブ２２６０を徐々に開き、
各ガスボンベ２２２１〜２２２６からエッチング処理に
必要なフッ素系のガスをガス導入管２１１４を介して反
応容器２１１０内に導入する。次に、各マスフローコン
トローラー２２１１〜２２１６によって、フッ素系ガス
が所望の流量になるように調整する。その際、反応容器
２１１０内が１torr以下の所望の圧力になるように、真
空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開度を
調整する。内圧が安定したところで、高周波電源２１２
０を所望の電力に設定して、周波数５０ＭＨｚ〜４５０
ＭＨｚの範囲の高周波電力を高周波マッチングボックス
２１１５を通じてカソード電極２１１１に供給し、高周
波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによっ
て反応容器２１１０内に導入させたフッ素系ガスが分解
され前記堆積膜と反応することにより、堆積膜のエッチ
ング処理が行われる。所望の膜厚のエッチング処理が行
われた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２
５１〜２２５６を閉じて反応容器２１１０へのフッ素系
ガスの流入を止め、堆積膜の表面のエッチング処理を終
える。上記成膜の操作とこのエッチング操作を交互に所
望の膜厚が得られるまで繰り返すことにより、表面層３
０４が形成される。
のうち必要なものと補助バルブ２２６０を徐々に開き、
各ガスボンベ２２２１〜２２２６からエッチング処理に
必要なフッ素系のガスをガス導入管２１１４を介して反
応容器２１１０内に導入する。次に、各マスフローコン
トローラー２２１１〜２２１６によって、フッ素系ガス
が所望の流量になるように調整する。その際、反応容器
２１１０内が１torr以下の所望の圧力になるように、真
空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開度を
調整する。内圧が安定したところで、高周波電源２１２
０を所望の電力に設定して、周波数５０ＭＨｚ〜４５０
ＭＨｚの範囲の高周波電力を高周波マッチングボックス
２１１５を通じてカソード電極２１１１に供給し、高周
波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによっ
て反応容器２１１０内に導入させたフッ素系ガスが分解
され前記堆積膜と反応することにより、堆積膜のエッチ
ング処理が行われる。所望の膜厚のエッチング処理が行
われた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２
５１〜２２５６を閉じて反応容器２１１０へのフッ素系
ガスの流入を止め、堆積膜の表面のエッチング処理を終
える。上記成膜の操作とこのエッチング操作を交互に所
望の膜厚が得られるまで繰り返すことにより、表面層３
０４が形成される。
【００６７】尚、成膜ガスとフッ素系ガスの切り替えに
おいては、毎回反応容器２１１０内の残留ガスをパージ
しても良いが、膜の密着性の観点からパージを行わずに
マスフローコントローラーの流量を交互に調整し、放電
に関しても毎回放電を停止させずに連続放電で行うこと
がより好ましい。
おいては、毎回反応容器２１１０内の残留ガスをパージ
しても良いが、膜の密着性の観点からパージを行わずに
マスフローコントローラーの流量を交互に調整し、放電
に関しても毎回放電を停止させずに連続放電で行うこと
がより好ましい。
【００６８】膜形成を行っている間は、円筒状被成膜基
体２１１２を駆動装置（不図示）によって所望の速度で
回転させても良い。
体２１１２を駆動装置（不図示）によって所望の速度で
回転させても良い。
【００６９】この装置で作製される堆積膜の一例として
は、ａ−Ｓｉ系感光体があり、その代表的なａ−Ｓｉ系
感光体の模式的な断面図を図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に
示す。
は、ａ−Ｓｉ系感光体があり、その代表的なａ−Ｓｉ系
感光体の模式的な断面図を図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に
示す。
【００７０】図３（Ａ）は、光導電層３０３が機能分離
されていない単一の層からなる単層型感光体であり、図
３（Ｂ）は光導電層３０３が電荷発生層３０５と電荷輸
送層３０６とに分離された機能分離型感光体の一例であ
る。
されていない単一の層からなる単層型感光体であり、図
３（Ｂ）は光導電層３０３が電荷発生層３０５と電荷輸
送層３０６とに分離された機能分離型感光体の一例であ
る。
【００７１】図３（Ａ）に示すａ−Ｓｉ系の光受容部材
は、アルミニウム等の導電性基体３０１と導電性基体３
０１の表面に順次積層された電荷注入阻止層３０２と光
導電層３０３と表面層３０４とを有する。ここで、電荷
注入阻止層３０２は導電性基体３０１から光導電層３０
３への電荷の注入を阻止するためのものであり、必要に
応じて設けられる。また、光導電層３０３は少なくとも
シリコン原子を含む非単結晶材料、好ましくは非晶質材
料で構成され、光導電性を示すものである。更に、表面
層３０４は少なくとも炭素原子、水素原子及びフッ素原
子を含み、上述した方法により作製されており、電子写
真装置における潜像を保持する能力を持つものである。
以下では電荷注入阻止層３０２の有無により効果が異な
る場合を除いては、電荷注入阻止層３０２はあるものと
して説明する。また、電荷注入阻止層３０２の機能を光
導電層３０３中に取り込んでも良い。
は、アルミニウム等の導電性基体３０１と導電性基体３
０１の表面に順次積層された電荷注入阻止層３０２と光
導電層３０３と表面層３０４とを有する。ここで、電荷
注入阻止層３０２は導電性基体３０１から光導電層３０
３への電荷の注入を阻止するためのものであり、必要に
応じて設けられる。また、光導電層３０３は少なくとも
シリコン原子を含む非単結晶材料、好ましくは非晶質材
料で構成され、光導電性を示すものである。更に、表面
層３０４は少なくとも炭素原子、水素原子及びフッ素原
子を含み、上述した方法により作製されており、電子写
真装置における潜像を保持する能力を持つものである。
以下では電荷注入阻止層３０２の有無により効果が異な
る場合を除いては、電荷注入阻止層３０２はあるものと
して説明する。また、電荷注入阻止層３０２の機能を光
導電層３０３中に取り込んでも良い。
【００７２】図３（Ｂ）に示すａ−Ｓｉ系光受容部材
は、光導電層３０３が少なくともシリコン原子と炭素原
子を含む非単結晶材料、好ましくは非晶質材料で構成さ
れた電荷輸送層３０６と少なくともシリコン原子を含む
非晶質材料で構成された電荷発生層３０５が順次積層さ
れた構成の機能分離型としたものである。この光受容部
材に光照射すると、主として電荷発生層３０５で生成さ
れたキャリアーが電荷輸送層３０６を通って導電性基体
３０１に至る。尚、電荷発生層３０５と電荷輸送層３０
６の配置順は、図３（Ｂ）と逆、即ち、導電性基体３０
１側に電荷発生層３０５を設けても良い。
は、光導電層３０３が少なくともシリコン原子と炭素原
子を含む非単結晶材料、好ましくは非晶質材料で構成さ
れた電荷輸送層３０６と少なくともシリコン原子を含む
非晶質材料で構成された電荷発生層３０５が順次積層さ
れた構成の機能分離型としたものである。この光受容部
材に光照射すると、主として電荷発生層３０５で生成さ
れたキャリアーが電荷輸送層３０６を通って導電性基体
３０１に至る。尚、電荷発生層３０５と電荷輸送層３０
６の配置順は、図３（Ｂ）と逆、即ち、導電性基体３０
１側に電荷発生層３０５を設けても良い。
【００７３】図４は、電子写真装置の画像形成プロセス
の一例を説明するための電子写真装置の一例を示す概略
図であって、光受容部材４０１は内側に設けられた面状
ヒーター４２３によって温度コントロール可能とされ、
必要に応じて矢印Ｘ方向に回転する。光受容部材４０１
の周辺には、主帯電器４０２、静電潜像形成部位４０
３、現像器４０４、転写材供給系４０５、転写帯電器４
０６（ａ）、分離帯電器４０６（ｂ）、クリーナー４５
０、搬送系４０８、除電光源４０９等が必要に応じて配
設されている。
の一例を説明するための電子写真装置の一例を示す概略
図であって、光受容部材４０１は内側に設けられた面状
ヒーター４２３によって温度コントロール可能とされ、
必要に応じて矢印Ｘ方向に回転する。光受容部材４０１
の周辺には、主帯電器４０２、静電潜像形成部位４０
３、現像器４０４、転写材供給系４０５、転写帯電器４
０６（ａ）、分離帯電器４０６（ｂ）、クリーナー４５
０、搬送系４０８、除電光源４０９等が必要に応じて配
設されている。
【００７４】以下、更に具体的に画像形成プロセスの一
例を説明する。光受容部材４０１は＋６〜８ｋＶの高電
圧を印加した主帯電器４０２により一様に帯電される。
これに静電潜像部位に、ランプ４１０から発せられた光
が原稿台ガラス４１１上に置かれた原稿４１２に反射
し、ミラー４１３、４１４、４１５を経由して、レンズ
ユニット４１７のレンズ４１８によって結像され、ミラ
ー４１６を経由して導かれ、情報を担った光として投影
され、光受容部材４０１上に静電潜像が形成される。こ
の潜像に現像器４０４からネガ極性トナーが供給されて
トナー像が形成される。尚、この露光は原稿４１２から
の反射によらず、ＬＥＤアレーやレーザービーム、もし
くは液晶シャッターなどを用いて情報を担った光を走査
露光するようにしても良い。
例を説明する。光受容部材４０１は＋６〜８ｋＶの高電
圧を印加した主帯電器４０２により一様に帯電される。
これに静電潜像部位に、ランプ４１０から発せられた光
が原稿台ガラス４１１上に置かれた原稿４１２に反射
し、ミラー４１３、４１４、４１５を経由して、レンズ
ユニット４１７のレンズ４１８によって結像され、ミラ
ー４１６を経由して導かれ、情報を担った光として投影
され、光受容部材４０１上に静電潜像が形成される。こ
の潜像に現像器４０４からネガ極性トナーが供給されて
トナー像が形成される。尚、この露光は原稿４１２から
の反射によらず、ＬＥＤアレーやレーザービーム、もし
くは液晶シャッターなどを用いて情報を担った光を走査
露光するようにしても良い。
【００７５】一方、紙などの転写材Ｐは転写材供給系４
０５を通って、レジストローラー４２２によって先端供
給タイミングを調整され、光受容部材４０１方向に供給
される。転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電圧を印加した転
写帯電器４０６（ａ）と光受容部材４０１の間隙におい
て背面から、トナーとは逆極性の正電界を与えられる。
これによって光受容部材表面のネガ極性のトナー像は転
写材Ｐに転写される。次いで、１２〜１４ｋＶp-p、３
００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器
４０６（ｂ）により光受容部材４０１から離間される。
続いて、転写材Ｐは転写材搬送系４０８を通って定着装
置４２４に至り、トナー像が定着されて装置外に搬出さ
れる。
０５を通って、レジストローラー４２２によって先端供
給タイミングを調整され、光受容部材４０１方向に供給
される。転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電圧を印加した転
写帯電器４０６（ａ）と光受容部材４０１の間隙におい
て背面から、トナーとは逆極性の正電界を与えられる。
これによって光受容部材表面のネガ極性のトナー像は転
写材Ｐに転写される。次いで、１２〜１４ｋＶp-p、３
００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器
４０６（ｂ）により光受容部材４０１から離間される。
続いて、転写材Ｐは転写材搬送系４０８を通って定着装
置４２４に至り、トナー像が定着されて装置外に搬出さ
れる。
【００７６】光受容部材４０１上に残留するトナーはク
リーナー４５０のクリーニングローラー４０７、及びシ
リコーンゴムやウレタンゴム等の弾性材料のクリーニン
グブレード４２１によって回収され、残留する静電潜像
は除電光源４０９によって消去される。
リーナー４５０のクリーニングローラー４０７、及びシ
リコーンゴムやウレタンゴム等の弾性材料のクリーニン
グブレード４２１によって回収され、残留する静電潜像
は除電光源４０９によって消去される。
【００７７】尚、４２０はブランク露光ＬＥＤで光受容
部材４０１の転写材Ｐの幅を超える部分の非画像形成領
域に不要なトナーが付着しないように必要に応じて光受
容部材４０１を露光するために設けられる。
部材４０１の転写材Ｐの幅を超える部分の非画像形成領
域に不要なトナーが付着しないように必要に応じて光受
容部材４０１を露光するために設けられる。
【００７８】図５、図６及び図７は、それぞれ前記図２
とは別形態のＶＨＦプラズマＣＶＤ法による光受容部材
の形成装置（量産型）の一例を説明するための模式図で
ある。図７は本装置の全体の模式的構成図を示し、図５
はその反応容器部の模式的縦断面図を示し、図６はその
反応容器部の模式的横断面図を示している。
とは別形態のＶＨＦプラズマＣＶＤ法による光受容部材
の形成装置（量産型）の一例を説明するための模式図で
ある。図７は本装置の全体の模式的構成図を示し、図５
はその反応容器部の模式的縦断面図を示し、図６はその
反応容器部の模式的横断面図を示している。
【００７９】図５乃至図７において、５１００は堆積装
置であり、減圧雰囲気に維持可能な構成を有している。
５１１３は一端が反応容器５１１１内に開口し、他端が
排気装置（図示せず）に連通している排気管である。５
１３０は円筒状の導電性基体５１１５によって囲まれた
放電空間を示す。高周波電源５１１９は、高周波マッチ
ングボックス５１１２を介してカソード電極５１１８に
電気的に接続されている。円筒状導電性基体５１１５は
受け台５１２１にセットした状態で回転軸５１１４に設
置される。原料ガス供給装置５２００は、ＳｉＨ4，
Ｈ2，ＣＨ4，Ｎ2，Ｂ2Ｈ6，ＣＦ4等の原料ガス及びエッ
チングガスがそれぞれ封入されたボンベ５２２１〜５２
２６とバルブ５２２１〜５２２６とバルブ５２３１〜５
２３６、５２４１〜５２４６、５２５１〜５２５６及び
マスフローコントローラー５２１１〜５２１６を有し、
各原料ガスのボンベはバルブ５２６０を介して反応容器
５１１２内のガス導入管５１１７に接続されている。
置であり、減圧雰囲気に維持可能な構成を有している。
５１１３は一端が反応容器５１１１内に開口し、他端が
排気装置（図示せず）に連通している排気管である。５
１３０は円筒状の導電性基体５１１５によって囲まれた
放電空間を示す。高周波電源５１１９は、高周波マッチ
ングボックス５１１２を介してカソード電極５１１８に
電気的に接続されている。円筒状導電性基体５１１５は
受け台５１２１にセットした状態で回転軸５１１４に設
置される。原料ガス供給装置５２００は、ＳｉＨ4，
Ｈ2，ＣＨ4，Ｎ2，Ｂ2Ｈ6，ＣＦ4等の原料ガス及びエッ
チングガスがそれぞれ封入されたボンベ５２２１〜５２
２６とバルブ５２２１〜５２２６とバルブ５２３１〜５
２３６、５２４１〜５２４６、５２５１〜５２５６及び
マスフローコントローラー５２１１〜５２１６を有し、
各原料ガスのボンベはバルブ５２６０を介して反応容器
５１１２内のガス導入管５１１７に接続されている。
【００８０】本発明で使用される高周波電源は、少なく
とも表面層を形成するための周波数として５０ＭＨｚ以
上４５０ＭＨｚ以下の範囲の周波数を出力できるのであ
れば如何なるものも使用することができる。勿論、表面
層形成時とは異なる周波数の範囲の周波数を他の層（又
は領域）の形成のために出力できるようにすること、或
いは出力できるように更に別の電源を設けることは好ま
しい。又、出力は１０Ｗ〜５０００Ｗの範囲で使用する
装置に適した電力を発生することができれば、如何なる
出力のものであっても使用できる。
とも表面層を形成するための周波数として５０ＭＨｚ以
上４５０ＭＨｚ以下の範囲の周波数を出力できるのであ
れば如何なるものも使用することができる。勿論、表面
層形成時とは異なる周波数の範囲の周波数を他の層（又
は領域）の形成のために出力できるようにすること、或
いは出力できるように更に別の電源を設けることは好ま
しい。又、出力は１０Ｗ〜５０００Ｗの範囲で使用する
装置に適した電力を発生することができれば、如何なる
出力のものであっても使用できる。
【００８１】更に、高周波電源の出力変動率は、特に制
限はない。
限はない。
【００８２】使用されるマッチングボックス５１１２は
高周波電源５１１９と負荷とを整合させることができる
ものであれば如何なる構成のものでも好適に使用でき
る。又、整合させる方法としては、自動的に調整される
ものが好適であるが、手動で調整されるものであっても
本発明の効果には全く影響はない。
高周波電源５１１９と負荷とを整合させることができる
ものであれば如何なる構成のものでも好適に使用でき
る。又、整合させる方法としては、自動的に調整される
ものが好適であるが、手動で調整されるものであっても
本発明の効果には全く影響はない。
【００８３】高周波電力が印加されるカソード電極５１
１８の材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、白
金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデ
ン、チタン、ステンレス、及びこれらの材料の２種類以
上の複合材料等が使用できる。又、形状は円筒形状が好
ましいが、必要に応じて楕円形状、多角形状を用いても
良い。カソード電極５１１８には、必要に応じて冷却手
段を設けても良い。具体的な冷却手段としては、水、空
気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要に応じ
て用いられる。
１８の材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、白
金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデ
ン、チタン、ステンレス、及びこれらの材料の２種類以
上の複合材料等が使用できる。又、形状は円筒形状が好
ましいが、必要に応じて楕円形状、多角形状を用いても
良い。カソード電極５１１８には、必要に応じて冷却手
段を設けても良い。具体的な冷却手段としては、水、空
気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要に応じ
て用いられる。
【００８４】円筒状被成膜基体５１１５は、使用目的に
応じた材質や形状を有するものであればよい。例えば、
形状に関しては、電子写真用感光体を製造する場合に
は、円筒状が望ましいが、必要に応じて平板状や、その
他の形状であっても良い。又、材質においては、銅、ア
ルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、
鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス、及びこ
れらの材料の２種以上の複合材料、更にはポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ガラス、石英、セラミック
ス、紙などの絶縁材料に導電性材料を被覆したものなど
が使用できる。
応じた材質や形状を有するものであればよい。例えば、
形状に関しては、電子写真用感光体を製造する場合に
は、円筒状が望ましいが、必要に応じて平板状や、その
他の形状であっても良い。又、材質においては、銅、ア
ルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、
鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス、及びこ
れらの材料の２種以上の複合材料、更にはポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ガラス、石英、セラミック
ス、紙などの絶縁材料に導電性材料を被覆したものなど
が使用できる。
【００８５】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明
するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものでは
ない。
するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものでは
ない。
【００８６】（実験例１）図２に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて光受容部材を製造した。表面層は表１に示
した条件により成膜した堆積膜をエッチングすることを
繰り返して順次積層して形成した。但し、この時の堆積
膜の膜厚を１０００Åとした。この様にして得られた１
０００Åの堆積膜に対して表２の条件でエッチング処理
を施し、５００Åのエッチングを行うことを繰り返し、
トータル３０００Åの膜厚のフッ素原子を含有する表面
層を形成した。尚、フッ素源はＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ
3のそれぞれのガスを用い、３種のフッ素源に対応して
３本の光受容部材を作成した。
装置を用いて光受容部材を製造した。表面層は表１に示
した条件により成膜した堆積膜をエッチングすることを
繰り返して順次積層して形成した。但し、この時の堆積
膜の膜厚を１０００Åとした。この様にして得られた１
０００Åの堆積膜に対して表２の条件でエッチング処理
を施し、５００Åのエッチングを行うことを繰り返し、
トータル３０００Åの膜厚のフッ素原子を含有する表面
層を形成した。尚、フッ素源はＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ
3のそれぞれのガスを用い、３種のフッ素源に対応して
３本の光受容部材を作成した。
【００８７】上記３本の光受容部材の撥水性を評価する
ため、接触角計により表面の接触角を純水で測定したと
ころ、何れの光受容部材に関しても１００度以上の接触
角があり、高い撥水性が得られた。次いで、この３本の
光受容部材を複写機に搭載し、３０℃、相対湿度８０％
の高温、高湿環境下でＡ４版白紙の連続通紙耐久を１０
０万枚行い、画像流れの評価を行った。但し、光受容部
材の加温手段は使用せずに帯電、露光、現像、転写、分
離、スクレープクリーニングの各工程を順次繰り返し
た。
ため、接触角計により表面の接触角を純水で測定したと
ころ、何れの光受容部材に関しても１００度以上の接触
角があり、高い撥水性が得られた。次いで、この３本の
光受容部材を複写機に搭載し、３０℃、相対湿度８０％
の高温、高湿環境下でＡ４版白紙の連続通紙耐久を１０
０万枚行い、画像流れの評価を行った。但し、光受容部
材の加温手段は使用せずに帯電、露光、現像、転写、分
離、スクレープクリーニングの各工程を順次繰り返し
た。
【００８８】以上の評価で得られた結果を表３に示す。
【００８９】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
ありエッチング処理に用いるガス種は如何なるフッ素系
のガスでも初期の撥水性が維持できていることが判明し
た。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
ありエッチング処理に用いるガス種は如何なるフッ素系
のガスでも初期の撥水性が維持できていることが判明し
た。
【００９０】更に、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハー
フトーン濃度ムラにより評価した。
フトーン濃度ムラにより評価した。
【００９１】（ハーフトーン評価方法）以下に、画像濃
度ムラの評価方法を図４を用いて説明する。
度ムラの評価方法を図４を用いて説明する。
【００９２】現像器４０４の位置における暗部電位が４
００Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１に反射濃度が０．３の原稿４１２を置
き、明部電位が２００Ｖになるようにハロゲンランプ４
１０の点灯電圧を調整し、Ａ３版のハーフトーン画像を
作成した。この画像によってワイヤー汚れによって発生
するスジ状の濃度ムラを観察する。
００Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１に反射濃度が０．３の原稿４１２を置
き、明部電位が２００Ｖになるようにハロゲンランプ４
１０の点灯電圧を調整し、Ａ３版のハーフトーン画像を
作成した。この画像によってワイヤー汚れによって発生
するスジ状の濃度ムラを観察する。
【００９３】以上の評価で得られた結果を表４に示す。
【００９４】何れの光受容部材においても、１００万枚
の耐久後にワイヤー汚れによるスジ状の濃度ムラは全く
発生しない。この結果から、エッチング処理に用いるガ
ス種はフッ素系のガスであれば初期のクリーニング性が
維持できる。
の耐久後にワイヤー汚れによるスジ状の濃度ムラは全く
発生しない。この結果から、エッチング処理に用いるガ
ス種はフッ素系のガスであれば初期のクリーニング性が
維持できる。
【００９５】（実験例２）図２に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表１に示した条件により光受容部材を製造
した。表面層を形成する際は、膜厚が３５００Åの堆積
膜を一度に形成し、この様にして得られた堆積膜を表２
の条件で最表面のみにフッ素処理による５００Åのエッ
チングを行い最終表面層の膜厚を３０００Åとした。
装置を用いて表１に示した条件により光受容部材を製造
した。表面層を形成する際は、膜厚が３５００Åの堆積
膜を一度に形成し、この様にして得られた堆積膜を表２
の条件で最表面のみにフッ素処理による５００Åのエッ
チングを行い最終表面層の膜厚を３０００Åとした。
【００９６】尚、フッ素源にＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3
のそれぞれのガスを用い、３種のフッ素源に対応して３
本の光受容部材を作成した。
のそれぞれのガスを用い、３種のフッ素源に対応して３
本の光受容部材を作成した。
【００９７】上記３本の光受容部材の撥水性を評価する
ため、実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定した
ところ、何れの光受容部材に関しても１００度以上の接
触角があり、高い撥水性が得られた。
ため、実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定した
ところ、何れの光受容部材に関しても１００度以上の接
触角があり、高い撥水性が得られた。
【００９８】次いで、この３本の光受容部材を実験例１
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに帯電、露光、現像、転写、分離、スクレ
ープクリーニングの各工程を順次繰り返した。
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに帯電、露光、現像、転写、分離、スクレ
ープクリーニングの各工程を順次繰り返した。
【００９９】以上の評価で得られた結果を表３に示す。
【０１００】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で５０万枚目から画像流れが発生する場
合があった。
００万枚の耐久で５０万枚目から画像流れが発生する場
合があった。
【０１０１】上記１００万枚耐久後の接触角を測定した
結果、何れの光受容部材に関しても５０度以下の値であ
った。
結果、何れの光受容部材に関しても５０度以下の値であ
った。
【０１０２】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。
【０１０３】以上の評価で得られた結果を表４に示す。
【０１０４】その結果、何れの光受容部材においても、
１００万枚の耐久後のワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは実用上問題のないレベルであった。
１００万枚の耐久後のワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは実用上問題のないレベルであった。
【０１０５】
【表１】
【０１０６】
【表２】
【０１０７】
【表３】
○……画像流れなし。
△……部分的に画像流れが発生する場合あり。
×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。
【０１０８】
【表４】
ハーフトーン濃度ムラ評価
◎……濃度ムラ極めて良好。
○……濃度ムラ良好。
△……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。
×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あり。
【０１０９】（実験例３）実験例１と同様の方法によっ
てトータル３０００Åの膜厚になるように成膜及びエッ
チング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面層
形成に際し、成膜による堆積膜の膜厚とフッ素処理によ
るエッチング膜厚は以下の表５に示す５通りとした。な
おフッ素源にはＣＦ4ガスを用いた。
てトータル３０００Åの膜厚になるように成膜及びエッ
チング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面層
形成に際し、成膜による堆積膜の膜厚とフッ素処理によ
るエッチング膜厚は以下の表５に示す５通りとした。な
おフッ素源にはＣＦ4ガスを用いた。
【０１１０】
【表５】
【０１１１】上記Ａ〜Ｅの５本の光受容部材の撥水性を
評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純水で
測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上の接
触角を示し、高い撥水性のものであった。
評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純水で
測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上の接
触角を示し、高い撥水性のものであった。
【０１１２】次いで、この５本の光受容部材を実験例１
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。
【０１１３】以上の評価で得られた結果を表６に示す。
【０１１４】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
あり、１回のエッチング膜厚が２０Å以上で初期の撥水
性が維持できることが判明した。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
あり、１回のエッチング膜厚が２０Å以上で初期の撥水
性が維持できることが判明した。
【０１１５】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。
【０１１６】以上の評価で得られた結果を表７に示す。
【０１１７】何れの光受容部材においても、１００万枚
の耐久後でワイヤー汚れによって発生するスジ状の濃度
ムラは全く発生しなかった。この結果から、１回のエッ
チング膜厚が２０Å以上で初期のクリーニング性が維持
できることが判明した。
の耐久後でワイヤー汚れによって発生するスジ状の濃度
ムラは全く発生しなかった。この結果から、１回のエッ
チング膜厚が２０Å以上で初期のクリーニング性が維持
できることが判明した。
【０１１８】（実験例４）図２に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表１に示した条件により光受容部材を製造
した。但し、この時の表面層は途中でエッチングするこ
となく連続して成膜して、膜厚を３０００Åとした。こ
の光受容部材の撥水性を評価するため、実験例１と同様
に表面の接触角を純水で測定したところ、接触角８０度
であった。
装置を用いて表１に示した条件により光受容部材を製造
した。但し、この時の表面層は途中でエッチングするこ
となく連続して成膜して、膜厚を３０００Åとした。こ
の光受容部材の撥水性を評価するため、実験例１と同様
に表面の接触角を純水で測定したところ、接触角８０度
であった。
【０１１９】次いで、この光受容部材を実験例１と同様
に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ４版の
連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価を行っ
た。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手段は使
用せずに各工程を繰り返した。以上の評価で得られた結
果を表６に示す。
に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ４版の
連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価を行っ
た。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手段は使
用せずに各工程を繰り返した。以上の評価で得られた結
果を表６に示す。
【０１２０】その結果、１００万枚の耐久で１０万枚目
から画像流れが発生した。上記１００万枚耐久後の接触
角を測定した結果、接触角は２０度以下の値であり、フ
ッ素原子を含有しない表面層は初期の接触角が維持でき
ないことが確認された。
から画像流れが発生した。上記１００万枚耐久後の接触
角を測定した結果、接触角は２０度以下の値であり、フ
ッ素原子を含有しない表面層は初期の接触角が維持でき
ないことが確認された。
【０１２１】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。以上
の評価で得られた結果を表７に示す。その結果、１００
万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状
の濃度ムラは実用上問題のないレベルであった。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。以上
の評価で得られた結果を表７に示す。その結果、１００
万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状
の濃度ムラは実用上問題のないレベルであった。
【０１２２】
【表６】
○……画像流れなし。
△……部分的に画像流れが発生する場合あり。
×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。
【０１２３】
【表７】
ハーフトーン濃度ムラ評価
◎……濃度ムラ極めて良好。
○……濃度ムラ良好。
△……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。
×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あり。
【０１２４】（実験例５）実験例１と同様の方法によっ
てトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及びエッ
チング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面層
形成に際し、成膜による堆積膜の膜厚とフッ素処理によ
るエッチング膜厚は以下の表８に示す６通りとした。な
おフッ素源にはＣＦ4ガスを用いた。
てトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及びエッ
チング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面層
形成に際し、成膜による堆積膜の膜厚とフッ素処理によ
るエッチング膜厚は以下の表８に示す６通りとした。な
おフッ素源にはＣＦ4ガスを用いた。
【０１２５】
【表８】
【０１２６】上記Ｆ〜Ｋの６本の光受容部材の撥水性を
評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純水で
測定したところ、何れの光受容部材に関しても１００度
以上の接触角があり、高い撥水性が得られた。
評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純水で
測定したところ、何れの光受容部材に関しても１００度
以上の接触角があり、高い撥水性が得られた。
【０１２７】次いで、この６本の光受容部材を実験例１
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。
【０１２８】以上の評価で得られた結果を表９に示す。
【０１２９】その結果、光受容部材Ｋ以外は１００万枚
の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００万
枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材Ｋ以外は
１００度以上であり、初期の撥水性が維持できたが、光
受容部材Ｋに関しては５０万枚耐久後の接触角が７５度
であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受容部材にも発
生しなかった。
の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００万
枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材Ｋ以外は
１００度以上であり、初期の撥水性が維持できたが、光
受容部材Ｋに関しては５０万枚耐久後の接触角が７５度
であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受容部材にも発
生しなかった。
【０１３０】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験例
１と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。この
評価で得られた結果を表１０に示す。
１と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。この
評価で得られた結果を表１０に示す。
【０１３１】その結果、何れの光受容部材においても、
１００万枚の耐久後にワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
１００万枚の耐久後にワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
【０１３２】以上の結果から、成膜及びエッチング処理
の操作によって積層する表面層の一層当たりの膜厚は２
５００Å以下が好ましいことが判明した。尚、３０Åよ
り薄くすると成膜された膜の均一性が十分でなくなる場
合があることや成膜とエッチングの回数が増えるため総
合的な表面層形成時間が長くなる。
の操作によって積層する表面層の一層当たりの膜厚は２
５００Å以下が好ましいことが判明した。尚、３０Åよ
り薄くすると成膜された膜の均一性が十分でなくなる場
合があることや成膜とエッチングの回数が増えるため総
合的な表面層形成時間が長くなる。
【０１３３】
【表９】
○……画像流れなし。
△……部分的に画像流れが発生する場合あり。
×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。
【０１３４】
【表１０】
ハーフトーン濃度ムラ評価
◎……濃度ムラ極めて良好。
○……濃度ムラ良好。
△……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。
×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あり。
【０１３５】（実験例６）実験例１と同様の方法によっ
てトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及びエッ
チング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面層
形成に関しては、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用
い、表１１に示した条件により作成した。
てトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及びエッ
チング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面層
形成に関しては、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用
い、表１１に示した条件により作成した。
【０１３６】又、堆積膜厚とフッ素処理によるエッチン
グ膜厚は以下の表１２に示す６通りで行った。なおフッ
素源にはＣＦ4ガスを用いて作成した。
グ膜厚は以下の表１２に示す６通りで行った。なおフッ
素源にはＣＦ4ガスを用いて作成した。
【０１３７】
【表１１】
【０１３８】
【表１２】
【０１３９】上記Ｆ’〜Ｋ’の６本の光受容部材の撥水
性を評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純
水で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上
の接触角で、高い撥水性であった。
性を評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純
水で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上
の接触角で、高い撥水性であった。
【０１４０】次いで、この６本の光受容部材を実験例１
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。
【０１４１】以上の評価で得られた結果を表９に示す。
【０１４２】その結果、光受容部材Ｋ’以外は１００万
枚の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００
万枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材Ｋ’以
外は７５度以上であり、実用に耐え得る撥水性が維持で
きた。光受容部材Ｋ’に関しては１００万枚耐久後の接
触角が５０度であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受
容部材にも発生しなかった。
枚の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００
万枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材Ｋ’以
外は７５度以上であり、実用に耐え得る撥水性が維持で
きた。光受容部材Ｋ’に関しては１００万枚耐久後の接
触角が５０度であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受
容部材にも発生しなかった。
【０１４３】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表１０に示す。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表１０に示す。
【０１４４】その結果、何れの光受容部材においても、
１００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによるスジ状の濃
度ムラは実用上問題のないレベルであることが判る。但
し、実験例６のものは何れも１００万枚耐久後に部分的
に濃度ムラが発生していた。
１００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによるスジ状の濃
度ムラは実用上問題のないレベルであることが判る。但
し、実験例６のものは何れも１００万枚耐久後に部分的
に濃度ムラが発生していた。
【０１４５】以上の結果から、表面層の形成に用いる高
周波電源の周波数を５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚで使用す
ることにより、膜の構造がより緻密化され、又、フッ素
原子の含有効率も向上し、クリーニング性が更に向上す
る。
周波電源の周波数を５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚで使用す
ることにより、膜の構造がより緻密化され、又、フッ素
原子の含有効率も向上し、クリーニング性が更に向上す
る。
【０１４６】（実験例７）図２に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表１に示した条件により光受容部材を製造
した。但し、表面層形成において成膜する堆積膜の１回
の膜厚を１０００Åとした。この様にして得られた堆積
膜に対して表２の条件でフッ素処理を施し５００Åのエ
ッチングを行う操作を繰り返し、表１３に示す膜厚のフ
ッ素原子を含有した表面層を形成した。なおフッ素源に
はＣＦ4ガスを用いて以下の４通りの条件で作成した。
装置を用いて表１に示した条件により光受容部材を製造
した。但し、表面層形成において成膜する堆積膜の１回
の膜厚を１０００Åとした。この様にして得られた堆積
膜に対して表２の条件でフッ素処理を施し５００Åのエ
ッチングを行う操作を繰り返し、表１３に示す膜厚のフ
ッ素原子を含有した表面層を形成した。なおフッ素源に
はＣＦ4ガスを用いて以下の４通りの条件で作成した。
【０１４７】
【表１３】
【０１４８】上記Ｌ〜Ｏの４本の光受容部材の撥水性を
評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純水で
測定したところ、何れの光受容部材に関しても１００度
以上の接触角があり、高い撥水性が得られた。
評価するために実験例１と同様に表面の接触角を純水で
測定したところ、何れの光受容部材に関しても１００度
以上の接触角があり、高い撥水性が得られた。
【０１４９】次いで、この４本の光受容部材を実験例１
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。以上の評価で得ら
れた結果を表１４に示す。
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに各工程を繰り返した。以上の評価で得ら
れた結果を表１４に示す。
【０１５０】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。この結果から成膜及びエッチング処理
の操作を２回以上繰り返すことにより本発明の効果が得
られることが判明した。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。この結果から成膜及びエッチング処理
の操作を２回以上繰り返すことにより本発明の効果が得
られることが判明した。
【０１５１】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表１５に示す。その結果、何れの
光受容部材においても、１００万枚の耐久後でもワイヤ
ー汚れによって発生するスジ状の濃度ムラは発生しなか
った。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表１５に示す。その結果、何れの
光受容部材においても、１００万枚の耐久後でもワイヤ
ー汚れによって発生するスジ状の濃度ムラは発生しなか
った。
【０１５２】
【表１４】
○……画像流れなし。
△……部分的に画像流れが発生する場合あり。
×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。
【０１５３】
【表１５】
ハーフトーン濃度ムラ評価
◎……濃度ムラ極めて良好。
○……濃度ムラ良好。
△……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。
×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あり。
【０１５４】（実験例８）図２に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表１６に示した条件により光受容部材を製
造した。但し、表面層形成において成膜する堆積膜の１
回の膜厚を１０００Åとした。この様にして得られた堆
積膜に対して表２の条件でフッ素処理による５００Åの
エッチング操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚
のフッ素原子を含有する表面層を形成した。
装置を用いて表１６に示した条件により光受容部材を製
造した。但し、表面層形成において成膜する堆積膜の１
回の膜厚を１０００Åとした。この様にして得られた堆
積膜に対して表２の条件でフッ素処理による５００Åの
エッチング操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚
のフッ素原子を含有する表面層を形成した。
【０１５５】上記の光受容部材の撥水性を評価するため
に実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定したとこ
ろ、１００度以上の接触角を示し、高い撥水性が得られ
た。
に実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定したとこ
ろ、１００度以上の接触角を示し、高い撥水性が得られ
た。
【０１５６】次いで、この光受容部材を実験例１と同様
に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ４版の
連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価を行っ
た。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手段は使
用せずに各工程を繰り返した。
に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ４版の
連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価を行っ
た。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手段は使
用せずに各工程を繰り返した。
【０１５７】以上の評価で得られた結果を表１７に示
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０１５８】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験例
１と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。この
評価で得られた結果を表１８に示す。その結果、１００
万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状
の濃度ムラは発生しなかった。
１と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。この
評価で得られた結果を表１８に示す。その結果、１００
万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状
の濃度ムラは発生しなかった。
【０１５９】以上の結果から、表面層以外の層構成、及
び放電周波数には影響されないことが判った。
び放電周波数には影響されないことが判った。
【０１６０】
【表１６】
【０１６１】
【表１７】
○……画像流れなし。
△……部分的に画像流れが発生する場合あり。
×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。
【０１６２】
【表１８】
ハーフトーン濃度ムラ評価
◎……濃度ムラ極めて良好。
○……濃度ムラ良好。
△……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。
×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あり。
【０１６３】（実験例９）図５〜図７を用いて説明した
プラズマＣＶＤ装置を用いて、表１に示した条件により
光受容部材を製造した。この時一回の成膜による堆積膜
の膜厚は１０００Åとし、前記堆積膜を表２の条件でフ
ッ素処理を施すことにより５００Åのエッチングを行う
操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚のフッ素原
子を含有する表面層を形成した。
プラズマＣＶＤ装置を用いて、表１に示した条件により
光受容部材を製造した。この時一回の成膜による堆積膜
の膜厚は１０００Åとし、前記堆積膜を表２の条件でフ
ッ素処理を施すことにより５００Åのエッチングを行う
操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚のフッ素原
子を含有する表面層を形成した。
【０１６４】上記の光受容部材の撥水性を評価するため
に実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定したとこ
ろ、１００度以上の接触角を示し、高い撥水性が得られ
た。
に実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定したとこ
ろ、１００度以上の接触角を示し、高い撥水性が得られ
た。
【０１６５】次いで、この光受容部材を実験例１と同様
に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ４版の
連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価を行っ
た。この場合も実験例１と同様に光受容部材の加温手段
は使用せずに各工程を繰り返した。
に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ４版の
連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価を行っ
た。この場合も実験例１と同様に光受容部材の加温手段
は使用せずに各工程を繰り返した。
【０１６６】以上の評価で得られた結果を表１９に示
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０１６７】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表２０に示す。その結果、１００
万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状
の濃度ムラは発生しなかった。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表２０に示す。その結果、１００
万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状
の濃度ムラは発生しなかった。
【０１６８】以上の結果から、成膜装置の構成にかかわ
らず、本発明の製造方法によれば良好な結果が得られる
ことが判明した。
らず、本発明の製造方法によれば良好な結果が得られる
ことが判明した。
【０１６９】
【表１９】
○……画像流れなし。
△……部分的に画像流れが発生する場合あり。
×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。
【０１７０】
【表２０】
ハーフトーン濃度ムラ評価
◎……濃度ムラ極めて良好。
○……濃度ムラ良好。
△……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。
×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あり。
【０１７１】（実験例１０）図２に記載のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて光受容部材を製造した。下部阻止層−光
導電層−表面層は表２１に示した条件により成膜した。
但し、この時の表面層の膜厚を１０００Åとした。この
様にして得られた１０００Åの表面層に対し表２２の条
件でエッチング処理を施し、５００Åのエッチングを行
った。その後、同様の条件で更に表面層の成膜、及びエ
ッチング処理を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚の
フッ素原子を含有する表面層を形成した。尚、フッ素源
にＣＦ 4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3のそれぞれのガスを用い、
３種のフッ素源に対応して３本の光受容部材を作成し
た。
Ｄ装置を用いて光受容部材を製造した。下部阻止層−光
導電層−表面層は表２１に示した条件により成膜した。
但し、この時の表面層の膜厚を１０００Åとした。この
様にして得られた１０００Åの表面層に対し表２２の条
件でエッチング処理を施し、５００Åのエッチングを行
った。その後、同様の条件で更に表面層の成膜、及びエ
ッチング処理を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚の
フッ素原子を含有する表面層を形成した。尚、フッ素源
にＣＦ 4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3のそれぞれのガスを用い、
３種のフッ素源に対応して３本の光受容部材を作成し
た。
【０１７２】上記３本の光受容部材の撥水性を評価する
ため、実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定した
ところ、何れの光受容部材に関しても１００度以上の接
触角があり、高い撥水性が得られた。
ため、実験例１と同様に表面の接触角を純水で測定した
ところ、何れの光受容部材に関しても１００度以上の接
触角があり、高い撥水性が得られた。
【０１７３】次いで、この３本の光受容部材を実験例１
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに帯電、露光、現像、転写、分離、スクレ
ープクリーニングの各工程を順次繰り返し光受容部材の
耐久を行った。
と同様に３０℃、相対湿度８０％の高温、高湿環境でＡ
４版の連続通紙耐久を１００万枚行い、画像流れの評価
を行った。但し、実験例１と同様に光受容部材の加温手
段は使用せずに帯電、露光、現像、転写、分離、スクレ
ープクリーニングの各工程を順次繰り返し光受容部材の
耐久を行った。
【０１７４】（画像流れの評価方法）画像流れの評価方
法としては、６ポイント以下の文字を全面に印字したテ
ストチャートを用いて評価を行った。また、最近使用量
が増えている再生紙や、悪い質の紙を使用した場合の紙
粉等の影響を考え、今回は再生紙を使用した。今回使用
した紙はタルク等の填料を多く含み、それらが画像流れ
特性に大きく影響を及ぼすことが分かっている。
法としては、６ポイント以下の文字を全面に印字したテ
ストチャートを用いて評価を行った。また、最近使用量
が増えている再生紙や、悪い質の紙を使用した場合の紙
粉等の影響を考え、今回は再生紙を使用した。今回使用
した紙はタルク等の填料を多く含み、それらが画像流れ
特性に大きく影響を及ぼすことが分かっている。
【０１７５】以上の評価で得られた結果を表２３に示
す。表中の記号は、 ○……画像流れなし。 △……部分的に画像流れが発生する場合あり。 ×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。 を示す。
す。表中の記号は、 ○……画像流れなし。 △……部分的に画像流れが発生する場合あり。 ×……画像の全面に画像流れが発生する場合あり。 を示す。
【０１７６】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。また、１００万枚耐久後の接触角を測
定した結果、１００度以上であり初期の撥水性が維持で
きていることが判明した。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。また、１００万枚耐久後の接触角を測
定した結果、１００度以上であり初期の撥水性が維持で
きていることが判明した。
【０１７７】次に耐久後の帯電器ワイヤー汚れによる影
響をハーフトーン濃度ムラにより評価した。
響をハーフトーン濃度ムラにより評価した。
【０１７８】（ハーフトーン評価方法）以下に、画像濃
度ムラの評価方法を図４を用いて説明する。
度ムラの評価方法を図４を用いて説明する。
【０１７９】現像器４０４の位置における暗部電位が４
００Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１に反射濃度が０．３の原稿４１２を置
き、明部電位が２００Ｖになるようにハロゲンランプ４
１０の点灯電圧を調整し、Ａ３サイズのハーフトーン画
像を作成した。この画像によってワイヤー汚れによって
発生するスジ状の濃度ムラを観察した。
００Ｖになるように主帯電器４０２の帯電電流量を調整
し、原稿台４１１に反射濃度が０．３の原稿４１２を置
き、明部電位が２００Ｖになるようにハロゲンランプ４
１０の点灯電圧を調整し、Ａ３サイズのハーフトーン画
像を作成した。この画像によってワイヤー汚れによって
発生するスジ状の濃度ムラを観察した。
【０１８０】以上の評価で得られた結果は表２３に併せ
て示す。表中の表記に関しては、 ◎……濃度ムラ極めて良好。 ○……濃度ムラ良好。 △……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。 ×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あ
り。 を示している。
て示す。表中の表記に関しては、 ◎……濃度ムラ極めて良好。 ○……濃度ムラ良好。 △……部分的に濃度ムラが発生（実用上問題なし）。 ×……画像の全面にスジ状の濃度ムラが発生する場合あ
り。 を示している。
【０１８１】その結果、１００万枚の耐久後でもワイヤ
ー汚れによって発生するスジ状の濃度ムラは全く発生し
なかった。この結果から初期のクリーニング性が維持で
きていることが判明した。
ー汚れによって発生するスジ状の濃度ムラは全く発生し
なかった。この結果から初期のクリーニング性が維持で
きていることが判明した。
【０１８２】何れの光受容部材においても１００万枚の
耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状の濃度
ムラは全く発生しなかった。この結果からエッチング処
理に用いるガス種は如何なるフッ素系のガスでも初期の
クリーニング性が維持できることが判明した。
耐久後でもワイヤー汚れによって発生するスジ状の濃度
ムラは全く発生しなかった。この結果からエッチング処
理に用いるガス種は如何なるフッ素系のガスでも初期の
クリーニング性が維持できることが判明した。
【０１８３】
【表２１】
【０１８４】
【表２２】
【０１８５】
【表２３】
【０１８６】（実験例１１）実験例１０と同様の方法に
よってトータル３０００Åの膜厚になる様に成膜及びエ
ッチング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面
層形成に際し、成膜による堆積膜の膜厚とフッ素処理に
よるエッチング膜厚は以下の表２４に示す５通りとし
た。尚フッ素源にはＣＦ4ガスを用いた。
よってトータル３０００Åの膜厚になる様に成膜及びエ
ッチング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表面
層形成に際し、成膜による堆積膜の膜厚とフッ素処理に
よるエッチング膜厚は以下の表２４に示す５通りとし
た。尚フッ素源にはＣＦ4ガスを用いた。
【０１８７】
【表２４】
【０１８８】上記ａ〜ｅの５本の光受容部材の撥水性を
評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を純水
で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上の
接触角を示し、高い撥水性のものであった。
評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を純水
で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上の
接触角を示し、高い撥水性のものであった。
【０１８９】次いで、この５本の光受容部材を実験例１
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
【０１９０】以上の評価で得られた結果を表２５に示
す。
す。
【０１９１】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
あり、１回のエッチング膜厚が２０Å以上で初期の撥水
性が維持できることが判明した。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
あり、１回のエッチング膜厚が２０Å以上で初期の撥水
性が維持できることが判明した。
【０１９２】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１０と同様に評価した。こ
の評価で得られた結果を表２５に示す。
トーン濃度ムラにより実験例１０と同様に評価した。こ
の評価で得られた結果を表２５に示す。
【０１９３】何れの光受容部材においても、１００万枚
の耐久後にワイヤー汚れによるスジ状の濃度ムラは全く
発生しなかった。この結果から、１回のエッチング膜厚
が２０Å以上で初期のクリーニング性が維持できること
が判明した。
の耐久後にワイヤー汚れによるスジ状の濃度ムラは全く
発生しなかった。この結果から、１回のエッチング膜厚
が２０Å以上で初期のクリーニング性が維持できること
が判明した。
【０１９４】
【表２５】
【０１９５】（実験例１２）実験例１０と同様の方法に
よってトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及び
エッチング処理を複数回繰り返し表面層を形成した。但
し、表面層の堆積膜厚とフッ素処理によるエッチング膜
厚は以下の表２６に示す６通りとした。なおフッ素源に
はＣＦ4ガスを用いた。
よってトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及び
エッチング処理を複数回繰り返し表面層を形成した。但
し、表面層の堆積膜厚とフッ素処理によるエッチング膜
厚は以下の表２６に示す６通りとした。なおフッ素源に
はＣＦ4ガスを用いた。
【０１９６】
【表２６】
【０１９７】上記ｆ〜ｋの６本の光受容部材の撥水性を
評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を純水
で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上の
接触角を示し、高い撥水性のものであった。
評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を純水
で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以上の
接触角を示し、高い撥水性のものであった。
【０１９８】次いで、この６本の光受容部材を実験例１
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
【０１９９】以上の評価で得られた結果を表２７に示
す。
す。
【０２００】その結果、光受容部材ｋ以外は１００万枚
の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００万
枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材ｋ以外は
１００度以上であり、初期の撥水性が維持できたが、光
受容部材ｋに関しては１００万枚耐久後の接触角が５０
度であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受容部材にも
発生しなかった。
の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００万
枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材ｋ以外は
１００度以上であり、初期の撥水性が維持できたが、光
受容部材ｋに関しては１００万枚耐久後の接触角が５０
度であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受容部材にも
発生しなかった。
【０２０１】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験例
１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。こ
の評価で得られた結果を表２７に示す。
１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。こ
の評価で得られた結果を表２７に示す。
【０２０２】その結果、何れの光受容部材においても、
１００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによるスジ状の濃
度ムラは発生しなかった。
１００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによるスジ状の濃
度ムラは発生しなかった。
【０２０３】以上の結果から、成膜及びエッチング処理
の操作によって積層する表面層の一層当たりの膜厚は２
０００Å以下が好ましいことが判明した。尚、２０Åよ
り薄くすると成膜された膜の均一性が十分でなくなる場
合があることや成膜とエッチングの回数が増えるため総
合的な表面層形成時間が長くなる。
の操作によって積層する表面層の一層当たりの膜厚は２
０００Å以下が好ましいことが判明した。尚、２０Åよ
り薄くすると成膜された膜の均一性が十分でなくなる場
合があることや成膜とエッチングの回数が増えるため総
合的な表面層形成時間が長くなる。
【０２０４】
【表２７】
【０２０５】（実験例１３）実験例１０と同様の方法に
よってトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及び
エッチング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表
面層形成に関しては、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を
用い、表２８に示した条件により作成した。
よってトータル４０００Åの膜厚になるように成膜及び
エッチング処理を繰り返し表面層を形成した。但し、表
面層形成に関しては、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を
用い、表２８に示した条件により作成した。
【０２０６】又、表面層の堆積膜厚とフッ素処理による
エッチング膜厚は以下の表２９に示す６通りで行った。
なおフッ素源にはＣＦ4ガスを用いて作成した。
エッチング膜厚は以下の表２９に示す６通りで行った。
なおフッ素源にはＣＦ4ガスを用いて作成した。
【０２０７】
【表２８】
【０２０８】
【表２９】
【０２０９】上記ｆ’〜ｋ’の６本の光受容部材の撥水
性を評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を
純水で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以
上の接触角を示し、高い撥水性のものであった。
性を評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を
純水で測定したところ、何れの光受容部材も１００度以
上の接触角を示し、高い撥水性のものであった。
【０２１０】次いで、この６本の光受容部材を実験例１
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
【０２１１】以上の評価で得られた結果を表３０に示
す。
す。
【０２１２】その結果、光受容部材ｋ’以外は１００万
枚の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００
万枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材ｋ’以
外は１００度以上であり、初期の撥水性が維持できてい
たが、光受容部材ｋ’に関しては１００万枚耐久後の接
触角が５０度であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受
容部材にも発生しなかった。
枚の耐久で画像流れは全く発生しなかった。又、１００
万枚耐久後の接触角を測定した結果、光受容部材ｋ’以
外は１００度以上であり、初期の撥水性が維持できてい
たが、光受容部材ｋ’に関しては１００万枚耐久後の接
触角が５０度であった。キズ等の画像欠陥は何れの光受
容部材にも発生しなかった。
【０２１３】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１０と同様に評価した。こ
の評価で得られた結果を表３０に示す。
トーン濃度ムラにより実験例１０と同様に評価した。こ
の評価で得られた結果を表３０に示す。
【０２１４】その結果、何れの光受容部材においても、
１００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生する
スジ状の濃度ムラは実用上問題のないレベルであること
が判る。
１００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生する
スジ状の濃度ムラは実用上問題のないレベルであること
が判る。
【０２１５】
【表３０】
【０２１６】（実験例１４）図２に記載のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて実験例１０と同様の方法によりフッ素原
子を含有した表面層を製造した。なおフッ素源にはＣＦ
4ガスを用いて表３１に示す４通りの膜厚条件で作成し
た。
Ｄ装置を用いて実験例１０と同様の方法によりフッ素原
子を含有した表面層を製造した。なおフッ素源にはＣＦ
4ガスを用いて表３１に示す４通りの膜厚条件で作成し
た。
【０２１７】
【表３１】
【０２１８】上記ｌ〜ｏの４本の光受容部材の撥水性を
評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を純水
で測定したところ、何れの光受容部材関しても１００度
以上の接触角があり、高い撥水性が得られた。
評価するために実験例１０と同様に表面の接触角を純水
で測定したところ、何れの光受容部材関しても１００度
以上の接触角があり、高い撥水性が得られた。
【０２１９】次いで、この４本の光受容部材を実験例１
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
０と同様に帯電、露光、現像、転写、分離、スクレープ
クリーニングの各工程を順次繰り返し、耐久を行った。
【０２２０】以上の評価で得られた結果を表３２に示
す。
す。
【０２２１】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。この結果から成膜及びエッチング処理
の操作を２回以上繰り返すことにより本発明の効果が得
られることが判明した。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。この結果から成膜及びエッチング処理
の操作を２回以上繰り返すことにより本発明の効果が得
られることが判明した。
【０２２２】又、耐久中の帯電器ワイヤー汚れをハーフ
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表３２に示す。その結果、何れの
光受容部材においても、１００万枚の耐久後でもワイヤ
ー汚れによって発生するスジ状の濃度ムラは発生しなか
った。
トーン濃度ムラにより実験例１と同様に評価した。この
評価で得られた結果を表３２に示す。その結果、何れの
光受容部材においても、１００万枚の耐久後でもワイヤ
ー汚れによって発生するスジ状の濃度ムラは発生しなか
った。
【０２２３】
【表３２】
【０２２４】（実施例１５）図２に記載のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて表３３に示した条件により光受容部材を
製造した。但し、表面層形成において成膜する堆積膜の
１回当たりの膜厚を１０００Åとした。この様にして得
られた堆積膜に対して表２の条件で５００Åのエッチン
グ操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚のフッ素
原子を含有する表面層を形成した。
Ｄ装置を用いて表３３に示した条件により光受容部材を
製造した。但し、表面層形成において成膜する堆積膜の
１回当たりの膜厚を１０００Åとした。この様にして得
られた堆積膜に対して表２の条件で５００Åのエッチン
グ操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚のフッ素
原子を含有する表面層を形成した。
【０２２５】上記の光受容部材の撥水性を評価するため
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
【０２２６】次いで、この光受容部材を実験例１０と同
様にして耐久を行った。
様にして耐久を行った。
【０２２７】以上の評価で得られた結果を表３４に示
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０２２８】また、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表３４に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表３４に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
【０２２９】以上の結果から表面層以外は如何なる層構
成及び放電周波数でも本発明の効果が得られることが判
明した。
成及び放電周波数でも本発明の効果が得られることが判
明した。
【０２３０】
【表３３】
【０２３１】
【表３４】
【０２３２】（実験例１６）図５、６、７に記載のプラ
ズマＣＶＤ装置を用いて、表２１に示した条件により光
受容部材を製造した。但し、このとき１回の成膜による
堆積膜の膜厚は１０００Åとし、前記堆積膜を表２２の
条件でフッ素処理を施すことにより５００Åのエッチン
グを行う操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚の
フッ素原子を含有する表面層を形成した。
ズマＣＶＤ装置を用いて、表２１に示した条件により光
受容部材を製造した。但し、このとき１回の成膜による
堆積膜の膜厚は１０００Åとし、前記堆積膜を表２２の
条件でフッ素処理を施すことにより５００Åのエッチン
グを行う操作を繰り返し、トータル３０００Åの膜厚の
フッ素原子を含有する表面層を形成した。
【０２３３】上記の光受容部材の撥水性を評価するため
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
【０２３４】次いで、この光受容部材を実験例１０と同
様にして耐久を行った。
様にして耐久を行った。
【０２３５】以上の評価で得られた結果を表３５に示
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０２３６】また、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表３５に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表３５に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
【０２３７】以上の結果から、如何なる構成の装置を用
いて光受容部材を製造しても、本発明の製造方法によれ
ば良好な効果が得られることが判明した。
いて光受容部材を製造しても、本発明の製造方法によれ
ば良好な効果が得られることが判明した。
【０２３８】
【表３５】
【０２３９】（実験例１７）図２に記載のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて光受容部材を製造した。下部阻止層と光
導電層は表３６に示した条件により成膜した。光導電層
まで成膜が終了した時点で表３７の条件でエッチング処
理を施し、その後表３８の条件で表面層の成膜と表３７
の条件でエッチングを２回繰り返して本発明の表面層を
形成した。但し、この時の１回の堆積膜の膜厚は１００
０Åとし、エッチングは１回２００Åで行い、表面層の
膜厚をトータル１６００Åとした。
Ｄ装置を用いて光受容部材を製造した。下部阻止層と光
導電層は表３６に示した条件により成膜した。光導電層
まで成膜が終了した時点で表３７の条件でエッチング処
理を施し、その後表３８の条件で表面層の成膜と表３７
の条件でエッチングを２回繰り返して本発明の表面層を
形成した。但し、この時の１回の堆積膜の膜厚は１００
０Åとし、エッチングは１回２００Åで行い、表面層の
膜厚をトータル１６００Åとした。
【０２４０】上記の光受容部材の撥水性を評価するため
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
【０２４１】次いで、この光受容部材を実験例１０と同
様にして耐久を行った。
様にして耐久を行った。
【０２４２】以上の評価で得られた結果を表３９に示
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０２４３】また、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表３９に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表３９に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
【０２４４】
【表３６】
【０２４５】
【表３７】
【０２４６】
【表３８】
【０２４７】
【表３９】
【０２４８】（実験例１８）図２に記載のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて光受容部材を製造した。下部阻止層、光
導電層、表面層は表４０に示した条件により成膜した。
本実験例では成膜／エッチングのプロセスを５回繰り返
したが、各々のプロセスで表面層の成膜条件を表４０の
通り変化させた。エッチングの条件は表４１に示した通
りである。
Ｄ装置を用いて光受容部材を製造した。下部阻止層、光
導電層、表面層は表４０に示した条件により成膜した。
本実験例では成膜／エッチングのプロセスを５回繰り返
したが、各々のプロセスで表面層の成膜条件を表４０の
通り変化させた。エッチングの条件は表４１に示した通
りである。
【０２４９】上記の光受容部材の撥水性を評価するため
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
に実験例１０と同様にして表面の接触角を純水で測定し
たところ、１００度以上の接触角があり、高い撥水性が
得られた。
【０２５０】次いで、この光受容部材を実験例１０と同
様にして耐久を行った。
様にして耐久を行った。
【０２５１】以上の評価で得られた結果を表４２に示
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
す。その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０２５２】また、耐久中の帯電器ワイヤー汚れを実験
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表４２に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
例１０と同様にハーフトーン濃度ムラにより評価した。
この評価で得られた結果を表４２に示す。その結果、１
００万枚の耐久後でもワイヤー汚れによって発生するス
ジ状の濃度ムラは発生しなかった。
【０２５３】
【表４０】
【０２５４】
【表４１】
【０２５５】
【表４２】
【０２５６】
【０２５７】（実験例２０）表１の条件で受容層として
下部阻止層及び光導電層を形成した後、表１の表面層の
条件で０．３μｍのａ−ＳｉＣ層を形成し、該ａ−Ｓｉ
Ｃ層の表面を表２の条件でフッ素処理した。続いて、フ
ッ素処理したａ−ＳｉＣ層上に表２１の表面層の条件で
層を１０００Å形成した後、表２２の条件でフッ素処理
を施した。この様にして得た光受容部材は実験例１０と
同様に優れた特性を有する光受容部材であった。
下部阻止層及び光導電層を形成した後、表１の表面層の
条件で０．３μｍのａ−ＳｉＣ層を形成し、該ａ−Ｓｉ
Ｃ層の表面を表２の条件でフッ素処理した。続いて、フ
ッ素処理したａ−ＳｉＣ層上に表２１の表面層の条件で
層を１０００Å形成した後、表２２の条件でフッ素処理
を施した。この様にして得た光受容部材は実験例１０と
同様に優れた特性を有する光受容部材であった。
【０２５８】（実験例２１）表４３の条件で下部阻止層
及び光導電層を形成した後、表４３に示した条件により
膜厚１０００Åの表面層を形成した。この様にして得ら
れた光受容部材の表面層に対して表４４の条件でフッ素
処理を施し５００Åのエッチングを行い、次いで１回の
堆積で形成される表面構成層を１０００Å形成した後、
再度表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åのエッチ
ングを行うといった操作を繰り返しトータル３０００Å
の膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング処理を
複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形成し
た。
及び光導電層を形成した後、表４３に示した条件により
膜厚１０００Åの表面層を形成した。この様にして得ら
れた光受容部材の表面層に対して表４４の条件でフッ素
処理を施し５００Åのエッチングを行い、次いで１回の
堆積で形成される表面構成層を１０００Å形成した後、
再度表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åのエッチ
ングを行うといった操作を繰り返しトータル３０００Å
の膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング処理を
複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形成し
た。
【０２５９】この様に形成された光受容部材を実験例１
と同様にして耐久試験を行った。
と同様にして耐久試験を行った。
【０２６０】その結果、１００万枚の耐久で画像流れ及
びキズ等の画像欠陥は全く発生しなかった。
びキズ等の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０２６１】以上の結果から表面層にａ−Ｃを用いた層
構成でも本発明の効果が得られることが判明した。
構成でも本発明の効果が得られることが判明した。
【０２６２】
【表４３】
【０２６３】
【表４４】
【０２６４】（実験例２２）表４３に示した条件で下部
阻止層、光導電層を形成した後、表４５に示した条件で
表面層を形成した。
阻止層、光導電層を形成した後、表４５に示した条件で
表面層を形成した。
【０２６５】この時の１回で形成される層の膜厚を１０
００Åとした。この様にして得られた光受容部材の表面
層に対して表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した
後に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行うといった操作を繰り返しトータル３０
００Åの膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング
処理を複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形
成した。
００Åとした。この様にして得られた光受容部材の表面
層に対して表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した
後に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行うといった操作を繰り返しトータル３０
００Åの膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング
処理を複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形
成した。
【０２６６】尚、フッ素源にＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3
のそれぞれのガスを用いた場合の３本の光受容部材を作
製した。
のそれぞれのガスを用いた場合の３本の光受容部材を作
製した。
【０２６７】何れの光受容部材も接触角１００度以上の
高い撥水性を有しており、実験例１と同様に耐久試験を
したところ、Ｎ含有層の場合も光受容部材において１０
０万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く発
生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定し
た結果、何れの光受容部材に関しても７５度以上であっ
た。
高い撥水性を有しており、実験例１と同様に耐久試験を
したところ、Ｎ含有層の場合も光受容部材において１０
０万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く発
生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定し
た結果、何れの光受容部材に関しても７５度以上であっ
た。
【０２６８】
【表４５】
【０２６９】（実験例２３）表４３に示した条件により
堆積膜を順次積層した。但し、このときの表面を構成す
る層の膜厚を３５００Åと一度で形成した。この様にし
て得られた光受容部材の表面層に対して表４４の条件で
最表面のみにフッ素処理を施し５００Åのエッチングを
行い表面層を膜厚を３０００Åとした。尚、フッ素源に
ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3のそれぞれのガスを用いた場
合の３本の光受容部材を作製した。上記３本の光受容部
材の撥水性を評価するために表面の接触角を測定したと
ころ、何れの光受容部材も１００度以上の接触角であり
高い撥水性が得られた。
堆積膜を順次積層した。但し、このときの表面を構成す
る層の膜厚を３５００Åと一度で形成した。この様にし
て得られた光受容部材の表面層に対して表４４の条件で
最表面のみにフッ素処理を施し５００Åのエッチングを
行い表面層を膜厚を３０００Åとした。尚、フッ素源に
ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3のそれぞれのガスを用いた場
合の３本の光受容部材を作製した。上記３本の光受容部
材の撥水性を評価するために表面の接触角を測定したと
ころ、何れの光受容部材も１００度以上の接触角であり
高い撥水性が得られた。
【０２７０】又、実験例１と同様に耐久試験をしたとこ
ろ、何れの光受容部材においても１００万枚の耐久で５
０万枚目から画像流れが発生する場合があった。
ろ、何れの光受容部材においても１００万枚の耐久で５
０万枚目から画像流れが発生する場合があった。
【０２７１】上記１００万枚耐久後の光受容部材の接触
角を測定した結果、何れの光受容部材に関しても５０度
以下の値であった。
角を測定した結果、何れの光受容部材に関しても５０度
以下の値であった。
【０２７２】（実験例２４）実験例２２と同様の方法に
よってトータル３０００Åの膜厚になるように表面層の
成膜及びエッチング処理を複数回繰り返し表面層を形成
した。但し、表面層の堆積膜厚とフッ素処理によるエッ
チング膜厚は以下の通りとした。尚、フッ素源にはＣＦ
4ガスを用いて作成した。
よってトータル３０００Åの膜厚になるように表面層の
成膜及びエッチング処理を複数回繰り返し表面層を形成
した。但し、表面層の堆積膜厚とフッ素処理によるエッ
チング膜厚は以下の通りとした。尚、フッ素源にはＣＦ
4ガスを用いて作成した。
【０２７３】
【表４６】
【０２７４】このように形成された光受容部材の表面の
接触角を測定したところ、何れの光受容部材に関しても
１００度以上の接触角であり高い撥水性が得られた。
接触角を測定したところ、何れの光受容部材に関しても
１００度以上の接触角であり高い撥水性が得られた。
【０２７５】又、これら光受容部材を実験例１と同様に
１００万枚耐久試験を行った。
１００万枚耐久試験を行った。
【０２７６】その結果、何れの光受容部材においても１
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
あり１回のエッチング膜厚が２０Å以上であれば初期の
撥水性が維持できていることが判明した。
００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等の画像欠陥は全く
発生しなかった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定
した結果、何れの光受容部材に関しても１００度以上で
あり１回のエッチング膜厚が２０Å以上であれば初期の
撥水性が維持できていることが判明した。
【０２７７】（実験例２５）実験例２２と同様の方法に
よってトータル４０００Åの膜厚になるように表面層の
成膜及びエッチング処理を複数回繰り返し表面層を形成
した。但し、表面層の堆積膜厚とフッ素処理によるエッ
チング膜厚は以下の通りとした。尚、フッ素源にはＣＦ
4ガスを用いて作成した。
よってトータル４０００Åの膜厚になるように表面層の
成膜及びエッチング処理を複数回繰り返し表面層を形成
した。但し、表面層の堆積膜厚とフッ素処理によるエッ
チング膜厚は以下の通りとした。尚、フッ素源にはＣＦ
4ガスを用いて作成した。
【０２７８】
【表４７】
【０２７９】このように形成された光受容部材の表面の
接触角を測定したところ、何れの光受容部材に関しても
１００度以上の接触角であり高い撥水性が得られた。
接触角を測定したところ、何れの光受容部材に関しても
１００度以上の接触角であり高い撥水性が得られた。
【０２８０】次いで、実験例１と同様に１００万枚耐久
試験を行った。
試験を行った。
【０２８１】その結果、１回の堆積膜厚が２５００Åの
もの以外は１００万枚の耐久で画像流れは全く発生しな
かった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定した結
果、上記光受容部材以外は７５度以上であり初期の撥水
性が維持できていたが、上記光受容部材に関しては５０
万枚以後画像流れが部分的に発生することがあり、１０
０万枚耐久後の接触角は５０度であった。キズ等の画像
欠陥に関しては何れの光受容部材にも発生しなかった。
もの以外は１００万枚の耐久で画像流れは全く発生しな
かった。又、１００万枚耐久後の接触角を測定した結
果、上記光受容部材以外は７５度以上であり初期の撥水
性が維持できていたが、上記光受容部材に関しては５０
万枚以後画像流れが部分的に発生することがあり、１０
０万枚耐久後の接触角は５０度であった。キズ等の画像
欠陥に関しては何れの光受容部材にも発生しなかった。
【０２８２】この結果から、成膜及びエッチング処理の
操作によって積層する表面層の一層当たりの膜厚は２０
００Å以下が好ましいことが判明した。
操作によって積層する表面層の一層当たりの膜厚は２０
００Å以下が好ましいことが判明した。
【０２８３】（実験例２６）実験例２２と同様にして堆
積膜を順次積層した。但し、このとき１回に形成される
表面構成層の膜厚を１０００Åとした。
積膜を順次積層した。但し、このとき１回に形成される
表面構成層の膜厚を１０００Åとした。
【０２８４】この様にして得られた光受容部材の表面層
に対して表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åのエ
ッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した後
に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åのエ
ッチングを行うといった操作を繰り返し、トータル１０
００Å、２０００Å、３０００Å、４０００Åの膜厚に
なるように表面層の成膜及びエッチング処理を複数回繰
り返しフッ素原子を含有した表面層を形成した。
に対して表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åのエ
ッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した後
に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åのエ
ッチングを行うといった操作を繰り返し、トータル１０
００Å、２０００Å、３０００Å、４０００Åの膜厚に
なるように表面層の成膜及びエッチング処理を複数回繰
り返しフッ素原子を含有した表面層を形成した。
【０２８５】この様にして得た光受容部材の表面の接触
角を測定したところ、何れの光受容部材に関しても１０
０度以上の接触角であり高い撥水性が得られた。又、実
験例１と同様に耐久試験を行ったところ、何れの光受容
部材においても１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
角を測定したところ、何れの光受容部材に関しても１０
０度以上の接触角であり高い撥水性が得られた。又、実
験例１と同様に耐久試験を行ったところ、何れの光受容
部材においても１００万枚の耐久で画像流れ及びキズ等
の画像欠陥は全く発生しなかった。
【０２８６】（実験例２７）表４８に示した条件により
堆積膜を順次積層した。但し、この時の１回に形成され
る表面構成層の膜厚を１０００Åとした。この様にして
得られた光受容部材の表面層に対して表４４の条件でフ
ッ素処理を施し５００Åのエッチングを行い、次いで表
面層を１０００Å形成した後に再度、表４４の条件でフ
ッ素処理を施し５００Åのエッチングを行うといった操
作を繰り返しトータル３０００Åの膜厚になるように表
面層の成膜及びエッチング処理を複数回繰り返しフッ素
原子を含有する表面層を形成した。
堆積膜を順次積層した。但し、この時の１回に形成され
る表面構成層の膜厚を１０００Åとした。この様にして
得られた光受容部材の表面層に対して表４４の条件でフ
ッ素処理を施し５００Åのエッチングを行い、次いで表
面層を１０００Å形成した後に再度、表４４の条件でフ
ッ素処理を施し５００Åのエッチングを行うといった操
作を繰り返しトータル３０００Åの膜厚になるように表
面層の成膜及びエッチング処理を複数回繰り返しフッ素
原子を含有する表面層を形成した。
【０２８７】こうして得られた光受容部材の表面の接触
角を測定したところ、１００度以上の接触角であり高い
撥水性が得られた。
角を測定したところ、１００度以上の接触角であり高い
撥水性が得られた。
【０２８８】次いで、実験例１と同様に耐久試験を行っ
たところ、同様に優れた特性を有することが分かった。
たところ、同様に優れた特性を有することが分かった。
【０２８９】
【表４８】
【０２９０】（実験例２８）実験例２１と同様に下部阻
止層、光導電層を形成した後、表４９に示した条件で表
面層を形成した。この時１回に堆積される膜厚を１００
０Åとした。この様にして得られた光受容部材の表面層
に対して表４４の条件でフッ素処理を施し、５００Åの
エッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した
後に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行うといった操作を繰り返しトータル３０
００Åの膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング
処理を複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形
成した。
止層、光導電層を形成した後、表４９に示した条件で表
面層を形成した。この時１回に堆積される膜厚を１００
０Åとした。この様にして得られた光受容部材の表面層
に対して表４４の条件でフッ素処理を施し、５００Åの
エッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した
後に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行うといった操作を繰り返しトータル３０
００Åの膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング
処理を複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形
成した。
【０２９１】こうして得られた光受容部材の表面の接触
角を測定したところ、１００度以上の接触角であり高い
撥水性が得られた。
角を測定したところ、１００度以上の接触角であり高い
撥水性が得られた。
【０２９２】次いで、実験例１と同様に耐久試験を行っ
たところ、同様に優れた特性を有することが分かった。
たところ、同様に優れた特性を有することが分かった。
【０２９３】以上の結果から表面層がＯを含有する層で
も本発明の効果が得られることが判明した。
も本発明の効果が得られることが判明した。
【０２９４】
【表４９】
【０２９５】（実験例２９）実験例２１と同様に下部阻
止層、光導電層を形成した後、表５０に示した条件で表
面層を形成した。この時１回に堆積される膜厚を１００
０Åとした。この様にして得られた光受容部材の表面層
に対して表４４の条件でフッ素処理を施し、５００Åの
エッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した
後に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行うといった操作を繰り返しトータル３０
００Åの膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング
処理を複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形
成した。
止層、光導電層を形成した後、表５０に示した条件で表
面層を形成した。この時１回に堆積される膜厚を１００
０Åとした。この様にして得られた光受容部材の表面層
に対して表４４の条件でフッ素処理を施し、５００Åの
エッチングを行い、次いで表面層を１０００Å形成した
後に再度、表４４の条件でフッ素処理を施し５００Åの
エッチングを行うといった操作を繰り返しトータル３０
００Åの膜厚になるように表面層の成膜及びエッチング
処理を複数回繰り返しフッ素原子を含有する表面層を形
成した。
【０２９６】こうして得られた光受容部材の表面の接触
角を測定したところ、１００度以上の接触角であり、実
験例１と同様に耐久後の特性も優れたものであった。
角を測定したところ、１００度以上の接触角であり、実
験例１と同様に耐久後の特性も優れたものであった。
【０２９７】以上の結果から表面層にａ−ＢＮを用いた
層構成でも本発明の効果が得られることが判明した。
層構成でも本発明の効果が得られることが判明した。
【０２９８】
【表５０】
【０２９９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は成膜及び
フッ素系ガスによるエッチング処理を複数回繰り返して
光受容部材を作製するので、表面層にフッ素原子が効果
的に含有される。これを電子写真装置等に用いた場合、
帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニングの各工程
を繰り返してもコロナ放電生成物の付着を充分に防止す
ることが可能となる。又、表面保護層としての硬度を損
なうことがなく、ブレードによるスクレープクリーニン
グを長期間繰り返した結果、光受容部材の最表面が研磨
されても、表面層の撥水性が維持でき、環境の違いによ
る水分の吸着の変化が実質的になく、光受容部材の加温
手段を設けなくても画像流れや画像ボケの発生を防止す
ることが可能となった。更には、クリーニング性に優
れ、複写工程を繰り返し行ってもクリーニング性を維持
することが可能であり、トナー飛散に起因する帯電器ワ
イヤー汚れによって発生する画像濃度ムラを防止するこ
とが可能になった。加えて、光受容部材の加温が不要に
なることから、使用できるトナーの種類も格段に広げる
ことができる。
フッ素系ガスによるエッチング処理を複数回繰り返して
光受容部材を作製するので、表面層にフッ素原子が効果
的に含有される。これを電子写真装置等に用いた場合、
帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニングの各工程
を繰り返してもコロナ放電生成物の付着を充分に防止す
ることが可能となる。又、表面保護層としての硬度を損
なうことがなく、ブレードによるスクレープクリーニン
グを長期間繰り返した結果、光受容部材の最表面が研磨
されても、表面層の撥水性が維持でき、環境の違いによ
る水分の吸着の変化が実質的になく、光受容部材の加温
手段を設けなくても画像流れや画像ボケの発生を防止す
ることが可能となった。更には、クリーニング性に優
れ、複写工程を繰り返し行ってもクリーニング性を維持
することが可能であり、トナー飛散に起因する帯電器ワ
イヤー汚れによって発生する画像濃度ムラを防止するこ
とが可能になった。加えて、光受容部材の加温が不要に
なることから、使用できるトナーの種類も格段に広げる
ことができる。
【０３００】尚、本発明は本発明の主旨の範囲内で適宜
変形組合せを行うことができ、上記した各実験例に限定
されないことは言うまでもない。
変形組合せを行うことができ、上記した各実験例に限定
されないことは言うまでもない。
【図１】本発明の光受容部材の表面層の構成の好適な一
例を示す模式的断面図である。
例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明に適用可能なＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により
光受容部材を形成するために用いられる堆積装置の一例
を示す模式的構成図である。
光受容部材を形成するために用いられる堆積装置の一例
を示す模式的構成図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明の光受容部
材の構成例を示す模式的断面図である。
材の構成例を示す模式的断面図である。
【図４】電子写真装置の一例を説明する模式的断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明に適用可能なＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により
光受容部材を形成するために用いられる堆積装置の一例
を示す模式的縦断面図である。
光受容部材を形成するために用いられる堆積装置の一例
を示す模式的縦断面図である。
【図６】図５の堆積装置の模式的横断面図である。
【図７】図５の堆積装置の全体構成を説明する模式的構
成図である。
成図である。
１０１ フッ素原子が拡散している領域
１０２ フッ素原子が結合状態で存在する領域
２１００、５１００ 堆積装置
２１１０、５１１１ 反応容器
２１１１、５１１８ カソード電極
２１１２、５１１５ 導電性基体
２１１３、５１１６ 基体加熱用ヒーター
２１１４、５１１７ ガス導入管
２１１５、５１１２ 高周波マッチングボックス
２１１６ ガス配管
２１１７ リークバルブ
２１１８ メインバルブ
２１１９ 真空計
２１２０、５１１９ 高周波電源
２１２１ 絶縁材料
２１２２ 絶縁シールド板
２１２３ 受け台
２２００、５２００ ガス供給装置
２２１１〜２２１６、５２１１〜５１２６ マスフロー
コントローラー ２２２１〜２２２６、５２２１〜５２２６ ボンベ ２２３１〜２２３６、５２３１〜５２３６ バルブ ２２４１〜２２４６、５２４１〜５２４６ 流入バルブ ２２５１〜２２５６、５２５１〜５２５６ 流出バルブ ２２６０、５２６０ 補助バルブ ２２６１〜２２６６、５２６１〜５２６６ 圧力調整器 ３０１ 導電性基体 ３０２ 電荷注入阻止層 ３０３ 光導電層 ３０４ 表面層 ３０５ 電荷発生層 ３０６ 電荷輸送層 ４０１ 光受容部材 ４０２ 主帯電器 ４０３ 静電潜像形成部位 ４０４ 現像器 ４０５ 転写紙供給系 ４０６（ａ） 転写帯電器 ４０６（ｂ） 分離帯電器 ４０７ クリーニングローラー ４０８ 搬送系 ４０９ 除電光源 ４１０ ハロゲンランプ ４１１ 原稿台 ４１２ 原稿 ４１３〜４１６ ミラー ４１７ レンズユニット ４１８ レンズ ４１９ 給紙ガイド ４２０ ブランク露光ＬＥＤ ４２１ クリーニングブレード ４２２ レジストローラー ４２３ 面状ヒーター ４２４ 定着装置 ４５０ クリーナー
コントローラー ２２２１〜２２２６、５２２１〜５２２６ ボンベ ２２３１〜２２３６、５２３１〜５２３６ バルブ ２２４１〜２２４６、５２４１〜５２４６ 流入バルブ ２２５１〜２２５６、５２５１〜５２５６ 流出バルブ ２２６０、５２６０ 補助バルブ ２２６１〜２２６６、５２６１〜５２６６ 圧力調整器 ３０１ 導電性基体 ３０２ 電荷注入阻止層 ３０３ 光導電層 ３０４ 表面層 ３０５ 電荷発生層 ３０６ 電荷輸送層 ４０１ 光受容部材 ４０２ 主帯電器 ４０３ 静電潜像形成部位 ４０４ 現像器 ４０５ 転写紙供給系 ４０６（ａ） 転写帯電器 ４０６（ｂ） 分離帯電器 ４０７ クリーニングローラー ４０８ 搬送系 ４０９ 除電光源 ４１０ ハロゲンランプ ４１１ 原稿台 ４１２ 原稿 ４１３〜４１６ ミラー ４１７ レンズユニット ４１８ レンズ ４１９ 給紙ガイド ４２０ ブランク露光ＬＥＤ ４２１ クリーニングブレード ４２２ レジストローラー ４２３ 面状ヒーター ４２４ 定着装置 ４５０ クリーナー
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ
31/08 Ｑ
(72)発明者 土田 伸史
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(56)参考文献 特開 昭62−204266（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−289354（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−275857（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−136740（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−134431（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−242624（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−150592（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−72781（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−40381（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−352168（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−281460（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−69963（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03G 5/00
Claims (31)
- 【請求項１】 減圧可能な反応容器内で、基体上に形成
された受容層上に、フッ素系のガスを含まない原料ガス
による炭素原子、酸素原子又は窒素原子の少なくともい
ずれか一種を含む非単結晶材料の層の成膜とフッ素を有
するガスによるエッチングとを交互に複数回繰り返すこ
とにより表面層を形成する光受容部材の製造方法であっ
て、前記１回の成膜で堆積される膜厚が３０Å〜２５０
０Åであり、前記１回のエッチングによってエッチング
される膜厚は２０Å以上であり、かつ該成膜とエッチン
グの１回の組によって形成される表面層の膜厚が１０Å
〜２０００Åであることを特徴とする光受容部材の製造
方法。 - 【請求項２】 前記フッ素を有するガスがＣＦ4、ＣＨ
Ｆ3、ＣｌＦ3の少なくともいずれか一つを含む請求項１
に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項３】 前記１回のエッチングによってエッチン
グされる膜厚は５０Å以上である請求項１に記載の光受
容部材の製造方法。 - 【請求項４】 前記成膜の１回で堆積される膜厚が６０
Å〜１０００Åである請求項１に記載の光受容部材の製
造方法。 - 【請求項５】 前記成膜とエッチングの１回の組によっ
て形成される表面層の膜厚が４０Å〜１０００Åである
請求項１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項６】 前記成膜とエッチングによってフッ素が
結合した領域が形成される請求項１に記載の光受容部材
の製造方法。 - 【請求項７】 前記領域の厚さは１Å〜５００Åである
請求項６に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項８】 前記受容層は光導電性を有する請求項１
に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項９】 前記受容層は光導電層を有する請求項１
に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１０】 前記光導電層は単層型である請求項９
に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１１】 前記光導電層は機能分離型である請求
項９に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１２】 前記光導電層は電荷輸送層と電荷発生
層を有する請求項９に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１３】 前記受容層は前記基体側に電荷注入阻
止層を有する請求項１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１４】 前記受容層はシリコン原子を母体とす
る非単結晶材料を有する請求項１に記載の光受容部材の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記表面層は更にシリコン原子を含有
する請求項１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１６】 前記非単結晶材料の層は非晶質材料を
含む請求項１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項１７】 前記表面層は５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨ
ｚの周波数を利用して成膜されている請求項１に記載の
光受容部材の製造方法。 - 【請求項１８】 前記エッチングが５０ＭＨｚ〜４５
０ＭＨｚの周波数を利用して行われる請求項１に記載の
光受容部材の製造方法。 - 【請求項１９】 前記成膜と前記エッチングがともに５
０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの周波数を利用して行われる請
求項１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項２０】 前記受容層は１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ
の周波数を利用して成膜されている請求項１に記載の光
受容部材の製造方法。 - 【請求項２１】 前記表面層は炭素原子を有する請求項
１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項２２】 前記表面層の炭素原子の含有量が表面
側に向かって増加している請求項２１に記載の光受容部
材の製造方法。 - 【請求項２３】 前記表面層は非単結晶炭素層である請
求項２１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項２４】 前記表面層は更にシリコン原子を含有
する請求項２１又は２２に記載の光受容部材の製造方
法。 - 【請求項２５】 前記表面層は更に水素原子を有する請
求項１に記載の光受容部材の製造方法。 - 【請求項２６】 減圧可能な反応容器内で、基体上の受
容層上をフッ素を有するガスによりエッチングした後、
表面層を形成することを特徴とする請求項１に記載の光
受容部材の製造方法。 - 【請求項２７】 請求項１乃至２６のいずれか１項に記
載の光受容部材の製造方法によって作製された光受容部
材。 - 【請求項２８】 請求項１乃至２６のいずれか１項に記
載の光受容部材の製造方法によって作製された光受容部
材を有する電子写真装置。 - 【請求項２９】 請求項１乃至２６のいずれか１項に記
載の光受容部材の製造方法によって作製された光受容部
材を用い、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを行
う電子写真プロセス。 - 【請求項３０】 光受容部材が請求項２１に記載の方法
により製造されたものであって、加温手段を使用せず
に、順次、該光受容部材を帯電すること、帯電された該
光受容部材に光を照射し静電像を形成すること、前記光
照射された光受容部材の表面を現像しトナー像を形成す
ること、該形成されたトナー像を被記録材上に転写する
こと、トナー像を転写した後の前記光受容部材の表面を
クリーニングすることの各プロセスを有する請求項２９
記載の電子写真プロセス。 - 【請求項３１】 表面層中にフッ素原子の濃度の低い領
域と高い領域を有し、該フッ素原子の濃度の低い領域が
濃度の高い領域に挟持されてなる請求項２７に記載の光
受容部材。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09655896A JP3530676B2 (ja) | 1995-04-26 | 1996-04-18 | 光受容部材の製造方法、該光受容部材、該光受容部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プロセス |
| US08/637,188 US5958644A (en) | 1995-04-26 | 1996-04-24 | Process to form light-receiving member with outer layer made by alternately forming and etching |
| EP96106542A EP0743376B1 (en) | 1995-04-26 | 1996-04-25 | Light-receiving member, process for its production and its use in an electrophotographic apparatus and method |
| DE69626437T DE69626437T2 (de) | 1995-04-26 | 1996-04-25 | Lichtempfindliches Element, Verfahren zur dessen Herstellung, sowie seine Verwendung in einer elektrophotographischen Vorrichtung bzw. Methode |
| KR1019960013124A KR100230540B1 (ko) | 1995-04-26 | 1996-04-26 | 수광 부재 제조 방법, 수광 부재, 수광 부재를 갖는 전자 사진식 장치 및 수광 부재를 사용하는 전자 사진 방법 |
| CN96105669A CN1115596C (zh) | 1995-04-26 | 1996-04-26 | 光接收部件及其生产工艺,电子照相装置与电子照相方法 |
| US09/361,804 US6280895B1 (en) | 1995-04-26 | 1999-07-27 | Light-receiving member with outer layer made by alternatively forming and etching |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-102026 | 1995-04-26 | ||
| JP10202695 | 1995-04-26 | ||
| JP7-335951 | 1995-11-30 | ||
| JP33595195 | 1995-11-30 | ||
| JP09655896A JP3530676B2 (ja) | 1995-04-26 | 1996-04-18 | 光受容部材の製造方法、該光受容部材、該光受容部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プロセス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211878A JPH09211878A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3530676B2 true JP3530676B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=27308145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09655896A Expired - Fee Related JP3530676B2 (ja) | 1995-04-26 | 1996-04-18 | 光受容部材の製造方法、該光受容部材、該光受容部材を有する電子写真装置及び該光受容部材を用いた電子写真プロセス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5958644A (ja) |
| EP (1) | EP0743376B1 (ja) |
| JP (1) | JP3530676B2 (ja) |
| KR (1) | KR100230540B1 (ja) |
| CN (1) | CN1115596C (ja) |
| DE (1) | DE69626437T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7279313B2 (en) * | 1995-09-15 | 2007-10-09 | Centelion | Circular DNA molecule having a conditional origin of replication, process for their preparation and their use in gene therapy |
| US6406824B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus having the photosensitive member |
| US6195191B1 (en) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Lucent Technologies, Inc. | Optical devices having improved temperature stability |
| JP4593797B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 感光体の製法 |
| US7432207B2 (en) * | 2001-08-31 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method for etching object to be processed |
| NL1018951C2 (nl) * | 2001-09-13 | 2003-03-14 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een staafvormig vormdeel alsmede een werkwijze voor het uit een dergelijk staafvormig vormdeel vervaardigen van optische vezels. |
| JP4753967B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2011-08-24 | 京セラ株式会社 | 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置 |
| TWI532794B (zh) * | 2011-07-01 | 2016-05-11 | 太陽誘電化學技術股份有限公司 | 底漆組合物、包含該組合物所形成之底漆層之構造體及該構造體之製造方法 |
| JP6588731B2 (ja) * | 2015-05-07 | 2019-10-09 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
| CN111106189B (zh) * | 2020-01-06 | 2021-12-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种光电二极管及显示屏 |
| CN115537765B (zh) * | 2022-09-27 | 2024-07-12 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 等离子体化学气相沉积装置和小尺寸沟槽填充方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598831B2 (ja) * | 1977-09-10 | 1984-02-27 | キヤノン株式会社 | トナ−層形成装置 |
| GB2081135B (en) * | 1977-09-10 | 1982-09-08 | Canon Kk | Developing apparatus for electrostatic image |
| US4265991A (en) * | 1977-12-22 | 1981-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
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| JPS6357777A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-12 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPS63187257A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-02 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63223183A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-16 | Canon Inc | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成方法 |
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| US5358811A (en) * | 1988-12-27 | 1994-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method using an amorphous silicon light receiving member with a latent image support layer and a developed image support layer and insulating toner having a volume average particle size of 4.5 to 9.0 micron |
| JP2962851B2 (ja) * | 1990-04-26 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | 光受容部材 |
| JP3155413B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2001-04-09 | キヤノン株式会社 | 光受容部材の形成方法、該方法による光受容部材および堆積膜の形成装置 |
| EP0605972B1 (en) * | 1992-12-14 | 1999-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member having a multi-layered light receiving layer with an enhanced concentration of hydrogen or/and halogen atoms in the vicinity of the interface of adjacent layers |
| JPH07230177A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-08-29 | Canon Inc | 電子写真感光体、その製造方法及び該電子写真感光体を有する電子写真装置 |
| JP3548327B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 電子写真用光受容部材 |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP09655896A patent/JP3530676B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-24 US US08/637,188 patent/US5958644A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-25 DE DE69626437T patent/DE69626437T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-25 EP EP96106542A patent/EP0743376B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-26 KR KR1019960013124A patent/KR100230540B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-26 CN CN96105669A patent/CN1115596C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-07-27 US US09/361,804 patent/US6280895B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1161476A (zh) | 1997-10-08 |
| EP0743376A3 (en) | 1998-10-28 |
| EP0743376B1 (en) | 2003-03-05 |
| US6280895B1 (en) | 2001-08-28 |
| JPH09211878A (ja) | 1997-08-15 |
| US5958644A (en) | 1999-09-28 |
| KR100230540B1 (ko) | 1999-11-15 |
| KR960037876A (ko) | 1996-11-19 |
| DE69626437D1 (de) | 2003-04-10 |
| EP0743376A2 (en) | 1996-11-20 |
| CN1115596C (zh) | 2003-07-23 |
| DE69626437T2 (de) | 2003-10-02 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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