JP2000077440A - 樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法Info
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止工程にお
いて、封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が必
要である。また、封止樹脂が流出防止用ダムを越えて、
所要の領域から流出する場合がある。 【解決手段】 回路基板上の半導体チップとボンディン
グワイヤの領域に樹脂枠を配置し、この樹脂枠の内部に
封止樹脂を滴下することにより、封止樹脂の流出防止用
のダムを形成する工程が不要となり、封止樹脂が所要の
領域から流出することを確実に防止することができる。
いて、封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が必
要である。また、封止樹脂が流出防止用ダムを越えて、
所要の領域から流出する場合がある。 【解決手段】 回路基板上の半導体チップとボンディン
グワイヤの領域に樹脂枠を配置し、この樹脂枠の内部に
封止樹脂を滴下することにより、封止樹脂の流出防止用
のダムを形成する工程が不要となり、封止樹脂が所要の
領域から流出することを確実に防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、回路基板上に複
数の半導体チップを実装し、樹脂封止した樹脂封止型混
成集積回路の樹脂封止方法に関するものである。
数の半導体チップを実装し、樹脂封止した樹脂封止型混
成集積回路の樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型混成集積回路は、回路基板上
に複数の半導体チップを実装し、この半導体チップを樹
脂で被覆して封止し、さらに回路基板に外部接続リード
を取り付け、この外部接続リードを入出力端子として所
望の電気的機能を有しており、ハイブリッドＩＣやマル
チチップモジュールとして、各種のものが利用されてい
る。また、樹脂封止型混成集積回路では、回路基板上に
取り付けた半導体チップ及び半導体チップと回路基板を
接続するボンディングワイヤ上に熱硬化性の液状の封止
樹脂を滴下して被覆し、この封止樹脂を硬化させて半導
体チップとボンディングワイヤを封止しており、これに
より半導体チップとボンディングワイヤを腐食や外部応
力から保護しており、半導体チップの封止方法としては
最も簡易的で、低コストであるため、小型民生品の分野
で多く適用されている。
に複数の半導体チップを実装し、この半導体チップを樹
脂で被覆して封止し、さらに回路基板に外部接続リード
を取り付け、この外部接続リードを入出力端子として所
望の電気的機能を有しており、ハイブリッドＩＣやマル
チチップモジュールとして、各種のものが利用されてい
る。また、樹脂封止型混成集積回路では、回路基板上に
取り付けた半導体チップ及び半導体チップと回路基板を
接続するボンディングワイヤ上に熱硬化性の液状の封止
樹脂を滴下して被覆し、この封止樹脂を硬化させて半導
体チップとボンディングワイヤを封止しており、これに
より半導体チップとボンディングワイヤを腐食や外部応
力から保護しており、半導体チップの封止方法としては
最も簡易的で、低コストであるため、小型民生品の分野
で多く適用されている。
【０００３】樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止工程
は、半導体チップが取り付けられ、この半導体チップと
ワイヤボンディング法を用いて接続されたガラスエポキ
シ等の回路基板において、前記回路基板のボンディング
ワイヤを含む半導体チップ実装部の周囲に、封止樹脂と
同系の熱硬化性の液状の樹脂を塗布して封止樹脂流出防
止用のダムを形成する工程、その後、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの上方から熱硬化性の液状の封止樹
脂を滴下し、半導体チップ及びボンディングワイヤを被
覆する工程、さらに、前記封止樹脂を加熱して硬化させ
る工程から構成され、これにより半導体チップ及びボン
ディングワイヤが封止される。
は、半導体チップが取り付けられ、この半導体チップと
ワイヤボンディング法を用いて接続されたガラスエポキ
シ等の回路基板において、前記回路基板のボンディング
ワイヤを含む半導体チップ実装部の周囲に、封止樹脂と
同系の熱硬化性の液状の樹脂を塗布して封止樹脂流出防
止用のダムを形成する工程、その後、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの上方から熱硬化性の液状の封止樹
脂を滴下し、半導体チップ及びボンディングワイヤを被
覆する工程、さらに、前記封止樹脂を加熱して硬化させ
る工程から構成され、これにより半導体チップ及びボン
ディングワイヤが封止される。
【０００４】図１３は、従来の樹脂封止型混成集積回路
の構造を示す断面図で、２は半導体チップ３が取り付け
られ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４によ
り電気的に接続された回路基板であり、５は半導体チッ
プ３とボンディングワイヤ４を被覆した封止樹脂であ
る。また、６は液状の封止樹脂５を半導体チップ上に滴
下した際の樹脂流出防止のために、回路基板２上の半導
体チップ３とボンディングワイヤ４の周囲に設けられた
ダムである。７は外部接続リードであり、このリードを
入出力端子として所望の電気的機能を有する樹脂封止型
混成集積回路１を構成している。
の構造を示す断面図で、２は半導体チップ３が取り付け
られ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４によ
り電気的に接続された回路基板であり、５は半導体チッ
プ３とボンディングワイヤ４を被覆した封止樹脂であ
る。また、６は液状の封止樹脂５を半導体チップ上に滴
下した際の樹脂流出防止のために、回路基板２上の半導
体チップ３とボンディングワイヤ４の周囲に設けられた
ダムである。７は外部接続リードであり、このリードを
入出力端子として所望の電気的機能を有する樹脂封止型
混成集積回路１を構成している。
【０００５】図１４は、図１３に示したものの斜視図で
ある。まず、回路基板２に半導体チップ３を取り付ける
と共に、回路基板２と半導体チップ３をボンディングワ
イヤ４により接続する。次に、回路基板２上の半導体チ
ップ３とボンディングワイヤ４の領域に熱硬化性の液状
の樹脂を塗布して封止樹脂流出防止用のダム６を形成す
る。その後、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４
の上方から液状の封止樹脂５をディスペンサ等により滴
下すると共に、自然拡散により流動させ、半導体チップ
３及びボンディングワイヤ４の領域を被覆する。さら
に、封止樹脂５を加熱して硬化させ半導体チップ３及び
ボンディングワイヤ４を封止する。
ある。まず、回路基板２に半導体チップ３を取り付ける
と共に、回路基板２と半導体チップ３をボンディングワ
イヤ４により接続する。次に、回路基板２上の半導体チ
ップ３とボンディングワイヤ４の領域に熱硬化性の液状
の樹脂を塗布して封止樹脂流出防止用のダム６を形成す
る。その後、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４
の上方から液状の封止樹脂５をディスペンサ等により滴
下すると共に、自然拡散により流動させ、半導体チップ
３及びボンディングワイヤ４の領域を被覆する。さら
に、封止樹脂５を加熱して硬化させ半導体チップ３及び
ボンディングワイヤ４を封止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような樹脂封止
型混成集積回路の樹脂封止方法では、液状の封止樹脂５
を半導体チップ３及びボンディングワイヤ４に滴下した
際に、封止樹脂５が自然拡散により流動しすぎて、封止
樹脂が所要の領域から流れ出ないように、樹脂により流
出防止用のダム６を回路基板２上に形成する必要があ
り、製作に時間がかかるという問題がある。
型混成集積回路の樹脂封止方法では、液状の封止樹脂５
を半導体チップ３及びボンディングワイヤ４に滴下した
際に、封止樹脂５が自然拡散により流動しすぎて、封止
樹脂が所要の領域から流れ出ないように、樹脂により流
出防止用のダム６を回路基板２上に形成する必要があ
り、製作に時間がかかるという問題がある。
【０００７】また、樹脂を回路基板２に塗布することに
より流出防止用のダム６を形成するため、形成できるダ
ム６の高さには限界があり、封止樹脂５に流動性の高い
樹脂を使用した場合、封止樹脂５がダム６を超えて所要
の領域から流れ出て、その結果、封止樹脂４の高さが不
足してボンディングワイヤ４が露出すると共に、所要の
領域外の部品、配線等に封止樹脂が付着するという問題
がある。
より流出防止用のダム６を形成するため、形成できるダ
ム６の高さには限界があり、封止樹脂５に流動性の高い
樹脂を使用した場合、封止樹脂５がダム６を超えて所要
の領域から流れ出て、その結果、封止樹脂４の高さが不
足してボンディングワイヤ４が露出すると共に、所要の
領域外の部品、配線等に封止樹脂が付着するという問題
がある。
【０００８】また、封止樹脂５の硬化工程後の最終的な
形状、高さ及び面積は、封止樹脂５の自然拡散による流
動に依存しているため、封止樹脂５の硬化工程後の、最
終的な形状、高さ及び面積のコントロールが困難である
という問題がある。
形状、高さ及び面積は、封止樹脂５の自然拡散による流
動に依存しているため、封止樹脂５の硬化工程後の、最
終的な形状、高さ及び面積のコントロールが困難である
という問題がある。
【０００９】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたもので、樹脂封止型混成集積回路におい
て、封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要
で、かつ封止樹脂の形状、高さ及び面積をコントロール
することができる樹脂封止方法を得ることを目的とす
る。
めになされたもので、樹脂封止型混成集積回路におい
て、封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要
で、かつ封止樹脂の形状、高さ及び面積をコントロール
することができる樹脂封止方法を得ることを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明による樹脂封
止型混成集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板
上の各半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に、
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域を囲う、離
型性の高い樹脂で形成された樹脂枠をそれぞれ取り付
け、第２に、樹脂枠のそれぞれの内側に熱硬化性の液状
の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導体チップ及び
ボンディングワイヤを被覆し、第３に、液状の封止樹脂
を回路基板と共に加熱して硬化させ、第４に硬化した封
止樹脂から樹脂枠を取り外して、半導体チップ及びボン
ディングワイヤを樹脂封止するものである。
止型混成集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板
上の各半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に、
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域を囲う、離
型性の高い樹脂で形成された樹脂枠をそれぞれ取り付
け、第２に、樹脂枠のそれぞれの内側に熱硬化性の液状
の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導体チップ及び
ボンディングワイヤを被覆し、第３に、液状の封止樹脂
を回路基板と共に加熱して硬化させ、第４に硬化した封
止樹脂から樹脂枠を取り外して、半導体チップ及びボン
ディングワイヤを樹脂封止するものである。
【００１１】第２の発明による樹脂封止型混成集積回路
の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂で
形成された樹脂枠をそれぞれ取り付け、第２に、樹脂枠
のそれぞれの内側に熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下し
て自然拡散させ、半導体チップ及びボンディングワイヤ
を被覆し、第３に、封止樹脂の上方から、離型性の高い
樹脂の加圧板を押し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧加
担変形させ、第４に、封止樹脂を加圧したまま回路基板
と共に加熱して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から
樹脂枠と加圧板を取り外して、半導体チップを封止する
ものである。
の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂で
形成された樹脂枠をそれぞれ取り付け、第２に、樹脂枠
のそれぞれの内側に熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下し
て自然拡散させ、半導体チップ及びボンディングワイヤ
を被覆し、第３に、封止樹脂の上方から、離型性の高い
樹脂の加圧板を押し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧加
担変形させ、第４に、封止樹脂を加圧したまま回路基板
と共に加熱して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から
樹脂枠と加圧板を取り外して、半導体チップを封止する
ものである。
【００１２】第３の発明による樹脂封止型混成集積回路
の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂で
形成された樹脂枠をそれぞれ取り付け、第２に、封止樹
脂の注入部に開口を設けた、離型性の高い樹脂のカバー
を樹脂枠の上部に接合し、第３に、カバーの開口部から
熱硬化性の液状の封止樹脂を充填して、半導体チップ及
びボンディングワイヤを被覆し、第４に、液状の封止樹
脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第５に、硬化し
た封止樹脂から樹脂枠とカバーを取り外して、半導体チ
ップ及びボンディングワイヤを樹脂封止するものであ
る。
の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂で
形成された樹脂枠をそれぞれ取り付け、第２に、封止樹
脂の注入部に開口を設けた、離型性の高い樹脂のカバー
を樹脂枠の上部に接合し、第３に、カバーの開口部から
熱硬化性の液状の封止樹脂を充填して、半導体チップ及
びボンディングワイヤを被覆し、第４に、液状の封止樹
脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第５に、硬化し
た封止樹脂から樹脂枠とカバーを取り外して、半導体チ
ップ及びボンディングワイヤを樹脂封止するものであ
る。
【００１３】また、第４の発明による樹脂封止型混成集
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域を囲う金属枠を、離型
剤を塗布した後に、それぞれ取り付け、第２に、金属枠
を加熱すると共に、この金属枠のそれぞれの内側に熱硬
化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導体
チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、液状
の封止樹脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第４に
硬化した封止樹脂から金属枠を取り外して、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤを樹脂封止するものである。
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域を囲う金属枠を、離型
剤を塗布した後に、それぞれ取り付け、第２に、金属枠
を加熱すると共に、この金属枠のそれぞれの内側に熱硬
化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導体
チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、液状
の封止樹脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第４に
硬化した封止樹脂から金属枠を取り外して、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤを樹脂封止するものである。
【００１４】また、第５の発明による樹脂封止型混成集
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域を囲う金属枠を、離型
剤を塗布した後に、それぞれ取り付け、第２に、金属枠
を加熱すると共に、この金属枠のそれぞれの内側に熱硬
化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導体
チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、封止
樹脂の上方から、離型剤を塗布した金属の加圧板を押し
当て、封止樹脂上面を平坦に加圧変形させ、第４に、封
止樹脂を加圧したまま回路基板と共に加熱して硬化さ
せ、第５に硬化した封止樹脂から金属枠と加圧板を取り
外して、半導体チップを封止するものである。
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域を囲う金属枠を、離型
剤を塗布した後に、それぞれ取り付け、第２に、金属枠
を加熱すると共に、この金属枠のそれぞれの内側に熱硬
化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導体
チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、封止
樹脂の上方から、離型剤を塗布した金属の加圧板を押し
当て、封止樹脂上面を平坦に加圧変形させ、第４に、封
止樹脂を加圧したまま回路基板と共に加熱して硬化さ
せ、第５に硬化した封止樹脂から金属枠と加圧板を取り
外して、半導体チップを封止するものである。
【００１５】また、第６の発明による樹脂封止型混成集
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域を囲う金属枠を、離型
剤を塗布した後に、それぞれ取り付け、第２に、封止樹
脂の注入部に開口を設けた、金属のカバーを、離型剤を
塗布した後に金属枠の上部に接合し、第３に、金属枠を
加熱すると共に、カバーの開口部から熱硬化性の液状の
封止樹脂を充填して、半導体チップ及びボンディングワ
イヤを被覆し、第４に、封止樹脂を回路基板と共に加熱
して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から金属枠とカ
バーを取り外して、半導体チップを封止するものであ
る。
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域を囲う金属枠を、離型
剤を塗布した後に、それぞれ取り付け、第２に、封止樹
脂の注入部に開口を設けた、金属のカバーを、離型剤を
塗布した後に金属枠の上部に接合し、第３に、金属枠を
加熱すると共に、カバーの開口部から熱硬化性の液状の
封止樹脂を充填して、半導体チップ及びボンディングワ
イヤを被覆し、第４に、封止樹脂を回路基板と共に加熱
して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から金属枠とカ
バーを取り外して、半導体チップを封止するものであ
る。
【００１６】また、第７の発明による樹脂封止型混成集
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全ての
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応する
位置に開口を設けた、離型性の高い樹脂で形成された樹
脂マスクを回路基板上に取り付け、第２に、樹脂マスク
のそれぞれの開口部に熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下
して自然拡散させ、半導体チップ及びボンディングワイ
ヤを被覆し、第３に、液状の封止樹脂を回路基板と共に
加熱して硬化させ、第４に、硬化した封止樹脂から樹脂
マスクを取り外して、半導体チップ及びボンディングワ
イヤを樹脂封止するものである。
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全ての
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応する
位置に開口を設けた、離型性の高い樹脂で形成された樹
脂マスクを回路基板上に取り付け、第２に、樹脂マスク
のそれぞれの開口部に熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下
して自然拡散させ、半導体チップ及びボンディングワイ
ヤを被覆し、第３に、液状の封止樹脂を回路基板と共に
加熱して硬化させ、第４に、硬化した封止樹脂から樹脂
マスクを取り外して、半導体チップ及びボンディングワ
イヤを樹脂封止するものである。
【００１７】また、第８の発明による樹脂封止型混成集
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全ての
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応する
位置に開口を設けた、離型性の高い樹脂で形成された樹
脂マスクを回路基板上に取り付け、第２に、樹脂マスク
のそれぞれの開口部に熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下
して自然拡散させ、半導体チップ及びボンディングワイ
ヤを被覆し、第３に、封止樹脂の上方から、離型性の高
い樹脂の加圧板を押し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧
変形させ、第４に、封止樹脂を加圧したまま回路基板と
共に加熱して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から樹
脂マスクと加圧板を取り外して、半導体チップを封止す
るものである。
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全ての
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応する
位置に開口を設けた、離型性の高い樹脂で形成された樹
脂マスクを回路基板上に取り付け、第２に、樹脂マスク
のそれぞれの開口部に熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下
して自然拡散させ、半導体チップ及びボンディングワイ
ヤを被覆し、第３に、封止樹脂の上方から、離型性の高
い樹脂の加圧板を押し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧
変形させ、第４に、封止樹脂を加圧したまま回路基板と
共に加熱して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から樹
脂マスクと加圧板を取り外して、半導体チップを封止す
るものである。
【００１８】また、第９の発明による樹脂封止型混成集
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全ての
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応する
位置に開口を設けた、離型性の高い樹脂で形成された樹
脂マスクを回路基板上に取り付け、第２に、封止樹脂の
注入部に開口を設けた、離型性の高い樹脂のカバーを樹
脂マスクの上面に接合し、第３に、カバーの開口部から
熱硬化性の液状の封止樹脂を充填して、半導体チップ及
びボンディングワイヤを被覆し、第４に、液状の封止樹
脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第５に、硬化し
た封止樹脂から樹脂マスクとカバーを取り外して、半導
体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止するもので
ある。
積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全ての
半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応する
位置に開口を設けた、離型性の高い樹脂で形成された樹
脂マスクを回路基板上に取り付け、第２に、封止樹脂の
注入部に開口を設けた、離型性の高い樹脂のカバーを樹
脂マスクの上面に接合し、第３に、カバーの開口部から
熱硬化性の液状の封止樹脂を充填して、半導体チップ及
びボンディングワイヤを被覆し、第４に、液状の封止樹
脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第５に、硬化し
た封止樹脂から樹脂マスクとカバーを取り外して、半導
体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止するもので
ある。
【００１９】また、第１０の発明による樹脂封止型混成
集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全て
の半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応す
る位置に開口を設けた金属マスクを、離型剤を塗布した
後に、回路基板上に取り付け、第２に、金属マスクを加
熱すると共に、この金属マスクのそれぞれの開口部に熱
硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導
体チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、液
状の封止樹脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第４
に、硬化した封止樹脂から金属マスクを取り外して、半
導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止するもの
である。
集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全て
の半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応す
る位置に開口を設けた金属マスクを、離型剤を塗布した
後に、回路基板上に取り付け、第２に、金属マスクを加
熱すると共に、この金属マスクのそれぞれの開口部に熱
硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導
体チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、液
状の封止樹脂を回路基板と共に加熱して硬化させ、第４
に、硬化した封止樹脂から金属マスクを取り外して、半
導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止するもの
である。
【００２０】また、第１１の発明による樹脂封止型混成
集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全て
の半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応す
る位置に開口を設けた金属マスクを、離型剤を塗布した
後に、回路基板上に取り付け、第２に、金属マスクを加
熱すると共に、この金属マスクのそれぞれの開口部に熱
硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導
体チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、封
止樹脂の上方から、離型剤を塗布した金属の加圧板を押
し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧変形させ、第４に、
封止樹脂を加圧したまま回路基板と共に加熱して硬化さ
せ、第５に硬化した封止樹脂から金属マスクと加圧板を
取り外して、半導体チップを封止するものである。
集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全て
の半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応す
る位置に開口を設けた金属マスクを、離型剤を塗布した
後に、回路基板上に取り付け、第２に、金属マスクを加
熱すると共に、この金属マスクのそれぞれの開口部に熱
硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、半導
体チップ及びボンディングワイヤを被覆し、第３に、封
止樹脂の上方から、離型剤を塗布した金属の加圧板を押
し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧変形させ、第４に、
封止樹脂を加圧したまま回路基板と共に加熱して硬化さ
せ、第５に硬化した封止樹脂から金属マスクと加圧板を
取り外して、半導体チップを封止するものである。
【００２１】また、第１２の発明による樹脂封止型混成
集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全て
の半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応す
る位置に開口を設けた金属マスクを、離型剤を塗布した
後に、回路基板上に取り付け、第２に、封止樹脂の注入
部に開口を設けた、金属のカバーを、離型剤を塗布した
後に金属マスクの上面に接合し、第３に、金属マスクを
加熱すると共に、カバーの開口部から熱硬化性の液状の
封止樹脂を充填して、半導体チップ及びボンディングワ
イヤを被覆し、第４に、封止樹脂を回路基板と共に加熱
して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から金属マスク
とカバーを取り外して、半導体チップを封止するもので
ある。
集積回路の樹脂封止方法は、第１に、回路基板上の全て
の半導体チップ及びボンディングワイヤの領域に対応す
る位置に開口を設けた金属マスクを、離型剤を塗布した
後に、回路基板上に取り付け、第２に、封止樹脂の注入
部に開口を設けた、金属のカバーを、離型剤を塗布した
後に金属マスクの上面に接合し、第３に、金属マスクを
加熱すると共に、カバーの開口部から熱硬化性の液状の
封止樹脂を充填して、半導体チップ及びボンディングワ
イヤを被覆し、第４に、封止樹脂を回路基板と共に加熱
して硬化させ、第５に硬化した封止樹脂から金属マスク
とカバーを取り外して、半導体チップを封止するもので
ある。
【００２２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１を示す断面図、図２は図１に示したものの
斜視図である。図において、２は半導体チップ３が取り
付けられ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４
を介して電気的に接続された回路基板である。まず、こ
の回路基板２上の半導体チップ３とワイヤボンディング
４の領域に、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４
の領域を囲う、離型性の高いフッ素樹脂等の樹脂枠８を
取り付ける。次に、樹脂枠８の内側に熱硬化性の液状の
封止樹脂５をディスペンサ等により滴下して自然拡散に
より流動させ、半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回路基板２
と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した封止樹脂
５から樹脂枠８を取り外して、半導体チップ３及びボン
ディングワイヤ４を樹脂封止する。以上のような樹脂封
止型混成集積回路の樹脂封止方法では、半導体チップ３
及びボンディングワイヤ４の領域に取り付けた樹脂枠８
の内側に封止樹脂５を滴下するので、回路基板２上に樹
脂により封止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工程
が不要となると同時に、樹脂枠８を封止樹脂５の所要の
高さより高くすることにより、封止樹脂５が所要の領域
から流出することを確実に防止することができる。
実施の形態１を示す断面図、図２は図１に示したものの
斜視図である。図において、２は半導体チップ３が取り
付けられ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４
を介して電気的に接続された回路基板である。まず、こ
の回路基板２上の半導体チップ３とワイヤボンディング
４の領域に、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４
の領域を囲う、離型性の高いフッ素樹脂等の樹脂枠８を
取り付ける。次に、樹脂枠８の内側に熱硬化性の液状の
封止樹脂５をディスペンサ等により滴下して自然拡散に
より流動させ、半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回路基板２
と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した封止樹脂
５から樹脂枠８を取り外して、半導体チップ３及びボン
ディングワイヤ４を樹脂封止する。以上のような樹脂封
止型混成集積回路の樹脂封止方法では、半導体チップ３
及びボンディングワイヤ４の領域に取り付けた樹脂枠８
の内側に封止樹脂５を滴下するので、回路基板２上に樹
脂により封止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工程
が不要となると同時に、樹脂枠８を封止樹脂５の所要の
高さより高くすることにより、封止樹脂５が所要の領域
から流出することを確実に防止することができる。
【００２３】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示す断面図、図４は図３に示したものの斜視図で
ある。図において、２は半導体チップ３が取り付けら
れ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４を介し
て電気的に接続された回路基板である。まず、この回路
基板２上の半導体チップ３とワイヤボンディング４の領
域に、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４の領域
を囲う、ステンレス等の金属枠９を、シリコングリース
等の離型剤１０を金属枠９の内側に塗布した後に、取り
付ける。次に、金属枠９を加熱すると共に、この金属枠
９の内側に熱硬化性の液状の封止樹脂５をディスペンサ
等により滴下して自然拡散により流動させ、半導体チッ
プ３及びボンディングワイヤ４を被覆する。その後、液
状の封止樹脂５を回路基板２と共に加熱して硬化させ
る。さらに、硬化した封止樹脂５から金属枠９を取り外
して、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂
封止する。以上のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂
封止方法では、半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４の領域に取り付けた金属枠９の内側に封止樹脂５を滴
下するので、回路基板２上に樹脂により封止樹脂５の流
出防止用のダムを形成する工程が不要となると同時に、
金属枠９を封止樹脂５の所要の高さより高くすることに
より、封止樹脂５が所要の領域から流出することを確実
に防止することができる。また、封止樹脂５は加熱する
ことにより流動性が高くなるため、金属枠９を加熱しな
がら封止樹脂５を滴下することにより、滴下した封止樹
脂５の自然拡散が促進され、流動性の高い封止樹脂５を
使用した場合でも、一定の形状で樹脂封止することがで
きる。さらに、金属枠９に離型剤１０も塗布してあるの
で、硬化した封止樹脂５から金属枠９を容易に取り外す
ことができる。
態２を示す断面図、図４は図３に示したものの斜視図で
ある。図において、２は半導体チップ３が取り付けら
れ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４を介し
て電気的に接続された回路基板である。まず、この回路
基板２上の半導体チップ３とワイヤボンディング４の領
域に、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４の領域
を囲う、ステンレス等の金属枠９を、シリコングリース
等の離型剤１０を金属枠９の内側に塗布した後に、取り
付ける。次に、金属枠９を加熱すると共に、この金属枠
９の内側に熱硬化性の液状の封止樹脂５をディスペンサ
等により滴下して自然拡散により流動させ、半導体チッ
プ３及びボンディングワイヤ４を被覆する。その後、液
状の封止樹脂５を回路基板２と共に加熱して硬化させ
る。さらに、硬化した封止樹脂５から金属枠９を取り外
して、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂
封止する。以上のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂
封止方法では、半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４の領域に取り付けた金属枠９の内側に封止樹脂５を滴
下するので、回路基板２上に樹脂により封止樹脂５の流
出防止用のダムを形成する工程が不要となると同時に、
金属枠９を封止樹脂５の所要の高さより高くすることに
より、封止樹脂５が所要の領域から流出することを確実
に防止することができる。また、封止樹脂５は加熱する
ことにより流動性が高くなるため、金属枠９を加熱しな
がら封止樹脂５を滴下することにより、滴下した封止樹
脂５の自然拡散が促進され、流動性の高い封止樹脂５を
使用した場合でも、一定の形状で樹脂封止することがで
きる。さらに、金属枠９に離型剤１０も塗布してあるの
で、硬化した封止樹脂５から金属枠９を容易に取り外す
ことができる。
【００２４】実施の形態３．図５はこの発明の実施の形
態１を示す断面図、図６は図５に示したものの斜視図で
ある。図において、２は半導体チップ３が取り付けら
れ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４を介し
て電気的に接続された回路基板である。まず、この回路
基板２の半導体チップ３とワイヤボンディング４の領域
に対応する位置に開口を設けた、離型性の高いフッ素樹
脂等の樹脂マスク１１を、回路基板２上に取り付ける。
次に、樹脂マスク１１のそれぞれの開口部に、熱硬化性
の液状の封止樹脂５をディスペンサ等により滴下し、自
然拡散により流動させ、半導体チップ３及びボンディン
グワイヤ４を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回
路基板２と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した
封止樹脂５から樹脂マスク１１を取り外して、半導体チ
ップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂封止する。以上
のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法では、
半導体チップ３及びボンディングワイヤ４の領域に対応
した位置に開口部を設けた樹脂マスク１１の開口部に封
止樹脂５を滴下するので、回路基板２上に樹脂により封
止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工程が不要とな
ると同時に、樹脂マスク１１を封止樹脂５の所要の高さ
より高くすることにより、封止樹脂５が所要の領域から
流出することを確実に防止することができる。また、回
路基板２上の全ての半導体チップ３及びボンディングワ
イヤ４を一個の樹脂マスク１１を用いて樹脂封止できる
ので、樹脂マスク１１の回路基板２上への取り付け及び
硬化した封止樹脂５からの取り外しが容易である。
態１を示す断面図、図６は図５に示したものの斜視図で
ある。図において、２は半導体チップ３が取り付けら
れ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４を介し
て電気的に接続された回路基板である。まず、この回路
基板２の半導体チップ３とワイヤボンディング４の領域
に対応する位置に開口を設けた、離型性の高いフッ素樹
脂等の樹脂マスク１１を、回路基板２上に取り付ける。
次に、樹脂マスク１１のそれぞれの開口部に、熱硬化性
の液状の封止樹脂５をディスペンサ等により滴下し、自
然拡散により流動させ、半導体チップ３及びボンディン
グワイヤ４を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回
路基板２と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した
封止樹脂５から樹脂マスク１１を取り外して、半導体チ
ップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂封止する。以上
のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法では、
半導体チップ３及びボンディングワイヤ４の領域に対応
した位置に開口部を設けた樹脂マスク１１の開口部に封
止樹脂５を滴下するので、回路基板２上に樹脂により封
止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工程が不要とな
ると同時に、樹脂マスク１１を封止樹脂５の所要の高さ
より高くすることにより、封止樹脂５が所要の領域から
流出することを確実に防止することができる。また、回
路基板２上の全ての半導体チップ３及びボンディングワ
イヤ４を一個の樹脂マスク１１を用いて樹脂封止できる
ので、樹脂マスク１１の回路基板２上への取り付け及び
硬化した封止樹脂５からの取り外しが容易である。
【００２５】実施の形態４．図７はこの発明の実施の形
態１を示す断面図、図８は図７に示したものの斜視図で
ある。図において、２は半導体チップ３が取り付けら
れ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４を介し
て電気的に接続された回路基板である。まず、この回路
基板２の半導体チップ３とワイヤボンディング４の領域
に対応する位置に開口を設けたステンレス等の金属マス
ク１２を、シリコングリース等の離型剤１０を金属マス
ク１２の開口部の内側に塗布した後に回路基板２上に取
り付ける。次に、金属マスク１２を加熱すると共に、こ
の金属マスク１２のそれぞれの開口部に、熱硬化性の液
状の封止樹脂５をディスペンサ等により滴下し、自然拡
散により流動させ、半導体チップ３及びボンディングワ
イヤ４を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回路基
板２と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した封止
樹脂５から金属マスク１２を取り外して、半導体チップ
３及びボンディングワイヤ４を樹脂封止する。以上のよ
うな樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法では、半導
体チップ３及びボンディングワイヤ４の領域に対応した
位置に開口部を設けた金属マスク１２の開口部に封止樹
脂５を滴下するので、回路基板２上に樹脂により封止樹
脂５の流出防止用のダムを形成する工程が不要となると
同時に、金属マスク１２を封止樹脂５の所要の高さより
高くすることにより、封止樹脂５が所要の領域から流出
することを確実に防止することができる。また、回路基
板２上の全ての半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４を一個の金属マスク１２を用いて樹脂封止できるの
で、金属マスク１２の回路基板２上への取り付け及び硬
化した封止樹脂５からの取り外しが容易である。また、
封止樹脂５は加熱することにより流動性が高くなるた
め、金属マスク１２を加熱しながら封止樹脂５を滴下す
ることにより、滴下した封止樹脂５の自然拡散が促進さ
れ、流動性の高い封止樹脂５を使用した場合でも、一定
の形状で樹脂封止することができる。さらに、金属枠１
２に離型剤１０を塗布してあるので、硬化した封止樹脂
５から金属枠１２を容易に取り外すことができる。
態１を示す断面図、図８は図７に示したものの斜視図で
ある。図において、２は半導体チップ３が取り付けら
れ、この半導体チップ３とボンディングワイヤ４を介し
て電気的に接続された回路基板である。まず、この回路
基板２の半導体チップ３とワイヤボンディング４の領域
に対応する位置に開口を設けたステンレス等の金属マス
ク１２を、シリコングリース等の離型剤１０を金属マス
ク１２の開口部の内側に塗布した後に回路基板２上に取
り付ける。次に、金属マスク１２を加熱すると共に、こ
の金属マスク１２のそれぞれの開口部に、熱硬化性の液
状の封止樹脂５をディスペンサ等により滴下し、自然拡
散により流動させ、半導体チップ３及びボンディングワ
イヤ４を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回路基
板２と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した封止
樹脂５から金属マスク１２を取り外して、半導体チップ
３及びボンディングワイヤ４を樹脂封止する。以上のよ
うな樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法では、半導
体チップ３及びボンディングワイヤ４の領域に対応した
位置に開口部を設けた金属マスク１２の開口部に封止樹
脂５を滴下するので、回路基板２上に樹脂により封止樹
脂５の流出防止用のダムを形成する工程が不要となると
同時に、金属マスク１２を封止樹脂５の所要の高さより
高くすることにより、封止樹脂５が所要の領域から流出
することを確実に防止することができる。また、回路基
板２上の全ての半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４を一個の金属マスク１２を用いて樹脂封止できるの
で、金属マスク１２の回路基板２上への取り付け及び硬
化した封止樹脂５からの取り外しが容易である。また、
封止樹脂５は加熱することにより流動性が高くなるた
め、金属マスク１２を加熱しながら封止樹脂５を滴下す
ることにより、滴下した封止樹脂５の自然拡散が促進さ
れ、流動性の高い封止樹脂５を使用した場合でも、一定
の形状で樹脂封止することができる。さらに、金属枠１
２に離型剤１０を塗布してあるので、硬化した封止樹脂
５から金属枠１２を容易に取り外すことができる。
【００２６】実施の形態５．図９はこの発明の実施の形
態５を示す断面図、図１０は図９に示したものの斜視図
であり、実施の形態３において、樹脂マスク１１のそれ
ぞれの開口部に熱硬化性の液状の封止樹脂５を滴下して
自然拡散させ、半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４を被覆した後に、前記封止樹脂５の上部から、離型性
の高いフッ素樹脂等の樹脂の加圧板１３を押し当て、封
止樹脂５の上面を平坦に加圧変形させる。その後、前記
封止樹脂５を上面から加圧したまま、回路基板２と共に
加熱して硬化させる。さらに、硬化した封止樹脂５から
加圧板１３及び、樹脂マスク１０を取り外して、半導体
チップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂封止する。以
上のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法で
は、実施の形態３と同様に、回路基板２上に樹脂により
封止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工程が不要と
なると同時に、封止樹脂５が所要の領域から流出するこ
とを確実に防止することができ、さらに、加圧板１３に
より滴下した封止樹脂５の上部が平坦になるように加圧
変形させるので、一定の高さ及び形状で樹脂封止するこ
とができる。
態５を示す断面図、図１０は図９に示したものの斜視図
であり、実施の形態３において、樹脂マスク１１のそれ
ぞれの開口部に熱硬化性の液状の封止樹脂５を滴下して
自然拡散させ、半導体チップ３及びボンディングワイヤ
４を被覆した後に、前記封止樹脂５の上部から、離型性
の高いフッ素樹脂等の樹脂の加圧板１３を押し当て、封
止樹脂５の上面を平坦に加圧変形させる。その後、前記
封止樹脂５を上面から加圧したまま、回路基板２と共に
加熱して硬化させる。さらに、硬化した封止樹脂５から
加圧板１３及び、樹脂マスク１０を取り外して、半導体
チップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂封止する。以
上のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法で
は、実施の形態３と同様に、回路基板２上に樹脂により
封止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工程が不要と
なると同時に、封止樹脂５が所要の領域から流出するこ
とを確実に防止することができ、さらに、加圧板１３に
より滴下した封止樹脂５の上部が平坦になるように加圧
変形させるので、一定の高さ及び形状で樹脂封止するこ
とができる。
【００２７】実施の形態６．図１１はこの発明の実施の
形態６を示す断面図、図１２は図１１に示したものの斜
視図であり、実施の形態３において、樹脂マスク１１の
開口上部に、封止樹５を注入するための開口を設けた樹
脂のカバー１４を接合し、このカバー１４を接合した樹
脂マスク１１を回路基板２上に取り付ける。次に、カバ
ー１４のそれぞれの開口部から熱硬化性の液状の封止樹
脂５をディスペンサ等により滴下すると共に、自然拡散
により流動させ、半導体チップ３及びボンディングワイ
ヤ４の領域を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回
路基板２と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した
封止樹脂５から樹脂マスク１１及びカバー１４を取り外
して、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂
封止する。以上のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂
封止方法では、実施の形態３と同様に、回路基板２上に
樹脂により封止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工
程が不要となると同時に、封止樹脂５が所要の領域から
流出することを確実に防止することができ、さらに、封
止樹脂５の上面を加圧することなく、一定の高さ及び形
状で樹脂封止することができる。
形態６を示す断面図、図１２は図１１に示したものの斜
視図であり、実施の形態３において、樹脂マスク１１の
開口上部に、封止樹５を注入するための開口を設けた樹
脂のカバー１４を接合し、このカバー１４を接合した樹
脂マスク１１を回路基板２上に取り付ける。次に、カバ
ー１４のそれぞれの開口部から熱硬化性の液状の封止樹
脂５をディスペンサ等により滴下すると共に、自然拡散
により流動させ、半導体チップ３及びボンディングワイ
ヤ４の領域を被覆する。その後、液状の封止樹脂５を回
路基板２と共に加熱して硬化させる。さらに、硬化した
封止樹脂５から樹脂マスク１１及びカバー１４を取り外
して、半導体チップ３及びボンディングワイヤ４を樹脂
封止する。以上のような樹脂封止型混成集積回路の樹脂
封止方法では、実施の形態３と同様に、回路基板２上に
樹脂により封止樹脂５の流出防止用のダムを形成する工
程が不要となると同時に、封止樹脂５が所要の領域から
流出することを確実に防止することができ、さらに、封
止樹脂５の上面を加圧することなく、一定の高さ及び形
状で樹脂封止することができる。
【００２８】
【発明の効果】第１の発明によれば、半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域に取り付けた樹脂枠の内部に
封止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により封止
樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要となると
同時に、樹脂枠を封止樹脂の所要の高さより高くするこ
とにより、封止樹脂が所要の領域から流出することを確
実に防止することができる。
ボンディングワイヤの領域に取り付けた樹脂枠の内部に
封止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により封止
樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要となると
同時に、樹脂枠を封止樹脂の所要の高さより高くするこ
とにより、封止樹脂が所要の領域から流出することを確
実に防止することができる。
【００２９】第２の発明によれば、半導体チップ及びボ
ンディングワイヤの領域に取り付けた樹脂枠の内部に封
止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により封止樹
脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要となると同
時に、樹脂枠を封止樹脂の所要の高さより高くすること
により、封止樹脂が所要の領域から流出することを確実
に防止することができる。また、加圧板により滴下した
封止樹脂の上部が平坦になるように加圧変形させるの
で、一定の高さ及び形状で樹脂封止することができる。
ンディングワイヤの領域に取り付けた樹脂枠の内部に封
止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により封止樹
脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要となると同
時に、樹脂枠を封止樹脂の所要の高さより高くすること
により、封止樹脂が所要の領域から流出することを確実
に防止することができる。また、加圧板により滴下した
封止樹脂の上部が平坦になるように加圧変形させるの
で、一定の高さ及び形状で樹脂封止することができる。
【００３０】第３の発明によれば、半導体チップ及びボ
ンディングワイヤの領域に取り付けた樹脂枠の上部にカ
バーを接合し、このカバーの開口部から封止樹脂を充填
するので、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止
用のダムを形成する工程が不要となると同時に、樹脂枠
を封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止
樹脂が所要の領域から流出することを確実に防止するこ
とができる。また、カバーがあることにより、封止樹脂
の上面を加圧することなく、一定の高さ及び形状で樹脂
封止することができる。
ンディングワイヤの領域に取り付けた樹脂枠の上部にカ
バーを接合し、このカバーの開口部から封止樹脂を充填
するので、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止
用のダムを形成する工程が不要となると同時に、樹脂枠
を封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止
樹脂が所要の領域から流出することを確実に防止するこ
とができる。また、カバーがあることにより、封止樹脂
の上面を加圧することなく、一定の高さ及び形状で樹脂
封止することができる。
【００３１】また、第４の発明によれば、半導体チップ
及びボンディングワイヤの領域に取り付けた金属枠の内
側に封止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により
封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要とな
ると同時に、金属枠を封止樹脂の所要の高さより高くす
ることにより、封止樹脂が所要の領域から流出すること
を確実に防止することができる。また、封止樹脂は加熱
することにより流動性が高くなるため、金属枠を加熱し
ながら封止樹脂を滴下することにより、滴下した封止樹
脂の自然拡散が促進され、流動性の高い封止樹脂を使用
した場合でも、一定の形状で樹脂封止することができ
る。さらに、金属枠に離型剤を塗布してあるので、硬化
した封止樹脂からの金属枠を容易に取り外すことができ
る。
及びボンディングワイヤの領域に取り付けた金属枠の内
側に封止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により
封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要とな
ると同時に、金属枠を封止樹脂の所要の高さより高くす
ることにより、封止樹脂が所要の領域から流出すること
を確実に防止することができる。また、封止樹脂は加熱
することにより流動性が高くなるため、金属枠を加熱し
ながら封止樹脂を滴下することにより、滴下した封止樹
脂の自然拡散が促進され、流動性の高い封止樹脂を使用
した場合でも、一定の形状で樹脂封止することができ
る。さらに、金属枠に離型剤を塗布してあるので、硬化
した封止樹脂からの金属枠を容易に取り外すことができ
る。
【００３２】また、第５の発明によれば、半導体チップ
及びボンディングワイヤの領域に取り付けた金属枠の内
側に封止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により
封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要とな
ると同時に、金属枠を封止樹脂の所要の高さより高くす
ることにより、封止樹脂が所要の領域から流出すること
を確実に防止することができる。また、封止樹脂は加熱
することにより流動性が高くなるため、金属枠を加熱し
ながら封止樹脂を滴下することにより、滴下した封止樹
脂の自然拡散が促進され、流動性の高い封止樹脂を使用
した場合でも、一定の形状で樹脂封止することができ、
また、加圧板により滴下した封止樹脂の上部が平坦にな
るように加圧変形させるので、一定の高さ及び形状で樹
脂封止することができる。さらに、金属枠に離型剤を塗
布してあるので、硬化した封止樹脂からの金属枠を容易
に取り外すことができる。
及びボンディングワイヤの領域に取り付けた金属枠の内
側に封止樹脂を滴下するので、回路基板上に樹脂により
封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程が不要とな
ると同時に、金属枠を封止樹脂の所要の高さより高くす
ることにより、封止樹脂が所要の領域から流出すること
を確実に防止することができる。また、封止樹脂は加熱
することにより流動性が高くなるため、金属枠を加熱し
ながら封止樹脂を滴下することにより、滴下した封止樹
脂の自然拡散が促進され、流動性の高い封止樹脂を使用
した場合でも、一定の形状で樹脂封止することができ、
また、加圧板により滴下した封止樹脂の上部が平坦にな
るように加圧変形させるので、一定の高さ及び形状で樹
脂封止することができる。さらに、金属枠に離型剤を塗
布してあるので、硬化した封止樹脂からの金属枠を容易
に取り外すことができる。
【００３３】また、第６の発明によれば、半導体チップ
及びボンディングワイヤの領域に取り付けた金属枠の上
部にカバーを接合し、このカバーの開口部から封止樹脂
を充填するので、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流
出防止用のダムを形成する工程が不要となると同時に、
金属枠を封止樹脂の所要の高さより高くすることによ
り、封止樹脂が所要の領域から流出することを確実に防
止することができる。また、封止樹脂は加熱することに
より流動性が高くなるため、金属枠を加熱しながら封止
樹脂を充填することにより、滴下した封止樹脂の自然拡
散が促進され、流動性の高い封止樹脂を使用した場合で
も、一定の形状で樹脂封止することができ、また、カバ
ーがあることにより、封止樹脂の上面を加圧することな
く、一定の高さ及び形状で樹脂封止することができる。
さらに、金属枠に離型剤を塗布してあるので、硬化した
封止樹脂からの金属枠を容易に取り外すことができる。
及びボンディングワイヤの領域に取り付けた金属枠の上
部にカバーを接合し、このカバーの開口部から封止樹脂
を充填するので、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流
出防止用のダムを形成する工程が不要となると同時に、
金属枠を封止樹脂の所要の高さより高くすることによ
り、封止樹脂が所要の領域から流出することを確実に防
止することができる。また、封止樹脂は加熱することに
より流動性が高くなるため、金属枠を加熱しながら封止
樹脂を充填することにより、滴下した封止樹脂の自然拡
散が促進され、流動性の高い封止樹脂を使用した場合で
も、一定の形状で樹脂封止することができ、また、カバ
ーがあることにより、封止樹脂の上面を加圧することな
く、一定の高さ及び形状で樹脂封止することができる。
さらに、金属枠に離型剤を塗布してあるので、硬化した
封止樹脂からの金属枠を容易に取り外すことができる。
【００３４】また、第７の発明によれば、半導体チップ
及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口部
を設けた樹脂マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、樹脂マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、回路基板上の全ての半導体チップ及び
ボンディングワイヤを一個の樹脂マスクを用いて樹脂封
止できるので、樹脂マスクの回路基板上への取り付け及
び硬化した封止樹脂からの取り外しが容易である。
及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口部
を設けた樹脂マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、樹脂マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、回路基板上の全ての半導体チップ及び
ボンディングワイヤを一個の樹脂マスクを用いて樹脂封
止できるので、樹脂マスクの回路基板上への取り付け及
び硬化した封止樹脂からの取り外しが容易である。
【００３５】また、第８の発明によれば、半導体チップ
及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口部
を設けた樹脂マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、樹脂マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、加圧板により滴下した封止樹脂の上部
が平坦になるように加圧変形させるので、一定の高さ及
び形状で樹脂封止することができる。また、回路基板上
の全ての半導体チップ及びボンディングワイヤを一個の
樹脂マスクを用いて樹脂封止できるので、樹脂マスクの
回路基板上への取り付け及び硬化した封止樹脂からの取
り外しが容易である。
及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口部
を設けた樹脂マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、樹脂マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、加圧板により滴下した封止樹脂の上部
が平坦になるように加圧変形させるので、一定の高さ及
び形状で樹脂封止することができる。また、回路基板上
の全ての半導体チップ及びボンディングワイヤを一個の
樹脂マスクを用いて樹脂封止できるので、樹脂マスクの
回路基板上への取り付け及び硬化した封止樹脂からの取
り外しが容易である。
【００３６】また、第９の発明によれば、半導体チップ
及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口部
を設けた樹脂マスクの上部にカバーを接合し、このカバ
ーの開口部から封止樹脂を充填するので、回路基板上に
樹脂により封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程
が不要となると同時に、樹脂マスクを封止樹脂の所要の
高さより高くすることにより、封止樹脂が所要の領域か
ら流出することを確実に防止することができる。また、
カバーがあることにより、封止樹脂の上面を加圧するこ
となく、一定の高さ及び形状で樹脂封止することができ
る。また、回路基板上の全ての半導体チップ及びボンデ
ィングワイヤを一個の樹脂マスクを用いて樹脂封止でき
るので、樹脂マスクの回路基板上への取り付け及び硬化
した封止樹脂からの取り外しが容易である。
及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口部
を設けた樹脂マスクの上部にカバーを接合し、このカバ
ーの開口部から封止樹脂を充填するので、回路基板上に
樹脂により封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工程
が不要となると同時に、樹脂マスクを封止樹脂の所要の
高さより高くすることにより、封止樹脂が所要の領域か
ら流出することを確実に防止することができる。また、
カバーがあることにより、封止樹脂の上面を加圧するこ
となく、一定の高さ及び形状で樹脂封止することができ
る。また、回路基板上の全ての半導体チップ及びボンデ
ィングワイヤを一個の樹脂マスクを用いて樹脂封止でき
るので、樹脂マスクの回路基板上への取り付け及び硬化
した封止樹脂からの取り外しが容易である。
【００３７】また、第１０の発明によれば、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口
部を設けた金属マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、金属マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、回路基板上の全ての半導体チップ及び
ボンディングワイヤを一個の金属マスクを用いて樹脂封
止できるので、金属マスクの回路基板上への取り付け及
び硬化した封止樹脂からの取り外しが容易である。ま
た、封止樹脂は加熱することにより流動性が高くなるた
め、金属マスクを加熱しながら封止樹脂を滴下すること
により、滴下した封止樹脂の自然拡散が促進され、流動
性の高い封止樹脂を使用した場合でも、一定の形状で樹
脂封止することができる。さらに、金属マスクに離型剤
を塗布してあるので、硬化した封止樹脂からの金属マス
クを容易に取り外すことができる。
プ及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口
部を設けた金属マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、金属マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、回路基板上の全ての半導体チップ及び
ボンディングワイヤを一個の金属マスクを用いて樹脂封
止できるので、金属マスクの回路基板上への取り付け及
び硬化した封止樹脂からの取り外しが容易である。ま
た、封止樹脂は加熱することにより流動性が高くなるた
め、金属マスクを加熱しながら封止樹脂を滴下すること
により、滴下した封止樹脂の自然拡散が促進され、流動
性の高い封止樹脂を使用した場合でも、一定の形状で樹
脂封止することができる。さらに、金属マスクに離型剤
を塗布してあるので、硬化した封止樹脂からの金属マス
クを容易に取り外すことができる。
【００３８】また、第１１の発明によれば、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口
部を設けた金属マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、金属マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、回路基板上の全ての半導体チップ及び
ボンディングワイヤを一個の金属マスクを用いて樹脂封
止できるので、金属マスクの回路基板上への配置及び硬
化した封止樹脂からの取り外しが容易である。また、封
止樹脂は加熱することにより流動性が高くなるため、金
属マスクを加熱しながら封止樹脂を滴下することによ
り、滴下した封止樹脂の自然拡散が促進され、流動性の
高い封止樹脂を使用した場合でも、一定の形状で樹脂封
止することができ、また、加圧板により滴下した封止樹
脂の上部が平坦になるように加圧変形させるので、一定
の高さ及び形状で樹脂封止することができる。さらに、
金属マスクに離型剤を塗布してあるので、硬化した封止
樹脂からの金属マスクを容易に取り外すことができる。
プ及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口
部を設けた金属マスクの開口部に封止樹脂を滴下するの
で、回路基板上に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダ
ムを形成する工程が不要となると同時に、金属マスクを
封止樹脂の所要の高さより高くすることにより、封止樹
脂が所要の領域から流出することを確実に防止すること
ができる。また、回路基板上の全ての半導体チップ及び
ボンディングワイヤを一個の金属マスクを用いて樹脂封
止できるので、金属マスクの回路基板上への配置及び硬
化した封止樹脂からの取り外しが容易である。また、封
止樹脂は加熱することにより流動性が高くなるため、金
属マスクを加熱しながら封止樹脂を滴下することによ
り、滴下した封止樹脂の自然拡散が促進され、流動性の
高い封止樹脂を使用した場合でも、一定の形状で樹脂封
止することができ、また、加圧板により滴下した封止樹
脂の上部が平坦になるように加圧変形させるので、一定
の高さ及び形状で樹脂封止することができる。さらに、
金属マスクに離型剤を塗布してあるので、硬化した封止
樹脂からの金属マスクを容易に取り外すことができる。
【００３９】また、第１２の発明によれば、半導体チッ
プ及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口
部を設けた金属マスクの上部にカバーを接合し、このカ
バーの開口部から封止樹脂を充填するので、回路基板上
に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工
程が不要となると同時に、金属マスクを封止樹脂の所要
の高さより高くすることにより、封止樹脂が所要の領域
から流出することを確実に防止することができる。ま
た、回路基板上の全ての半導体チップ及びボンディング
ワイヤを一個の金属マスクを用いて樹脂封止できるの
で、金属マスクの回路基板上への取り付け及び硬化した
封止樹脂からの取り外しが容易である。また、封止樹脂
は加熱することにより流動性が高くなるため、金属マス
クを加熱しながら封止樹脂を滴下することにより、滴下
した封止樹脂の自然拡散が促進され、流動性の高い封止
樹脂を使用した場合でも、一定の形状で樹脂封止するこ
とができ、また、カバーがあることにより、封止樹脂の
上面を加圧することなく、一定の高さ及び形状で樹脂封
止することができる。さらに、金属マスクに離型剤を塗
布してあるので、硬化した封止樹脂からの金属マスクを
容易に取り外すことができる。
プ及びボンディングワイヤの領域に対応した位置に開口
部を設けた金属マスクの上部にカバーを接合し、このカ
バーの開口部から封止樹脂を充填するので、回路基板上
に樹脂により封止樹脂の流出防止用のダムを形成する工
程が不要となると同時に、金属マスクを封止樹脂の所要
の高さより高くすることにより、封止樹脂が所要の領域
から流出することを確実に防止することができる。ま
た、回路基板上の全ての半導体チップ及びボンディング
ワイヤを一個の金属マスクを用いて樹脂封止できるの
で、金属マスクの回路基板上への取り付け及び硬化した
封止樹脂からの取り外しが容易である。また、封止樹脂
は加熱することにより流動性が高くなるため、金属マス
クを加熱しながら封止樹脂を滴下することにより、滴下
した封止樹脂の自然拡散が促進され、流動性の高い封止
樹脂を使用した場合でも、一定の形状で樹脂封止するこ
とができ、また、カバーがあることにより、封止樹脂の
上面を加圧することなく、一定の高さ及び形状で樹脂封
止することができる。さらに、金属マスクに離型剤を塗
布してあるので、硬化した封止樹脂からの金属マスクを
容易に取り外すことができる。
【図１】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態１を示す断面図である。
脂封止方法の実施の形態１を示す断面図である。
【図２】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態１を示す斜視図である。
脂封止方法の実施の形態１を示す斜視図である。
【図３】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態２を示す断面図である。
脂封止方法の実施の形態２を示す断面図である。
【図４】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態２を示す斜視図である。
脂封止方法の実施の形態２を示す斜視図である。
【図５】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態３を示す断面図である。
脂封止方法の実施の形態３を示す断面図である。
【図６】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態３を示す斜視図である。
脂封止方法の実施の形態３を示す斜視図である。
【図７】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態４を示す断面図である。
脂封止方法の実施の形態４を示す断面図である。
【図８】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態４を示す斜視図である。
脂封止方法の実施の形態４を示す斜視図である。
【図９】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法の実施の形態５を示す断面図である。
脂封止方法の実施の形態５を示す断面図である。
【図１０】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の
樹脂封止方法の実施の形態５を示す斜視図である。
樹脂封止方法の実施の形態５を示す斜視図である。
【図１１】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の
樹脂封止方法の実施の形態６を示す断面図である。
樹脂封止方法の実施の形態６を示す断面図である。
【図１２】 この発明による樹脂封止型混成集積回路の
樹脂封止方法の実施の形態６を示す斜視図である。
樹脂封止方法の実施の形態６を示す斜視図である。
【図１３】 この従来の樹脂封止型混成集積回路を示す
断面図である。
断面図である。
【図１４】 この従来の樹脂封止型混成集積回路を示す
斜視図である。
斜視図である。
１ 樹脂封止型混成集積回路、２ 回路基板、３ 半導
体チップ、４ ボンディングワイヤ、５ 封止樹脂、６
ダム、７ リード、８ 樹脂枠、９ 金属枠、１０
離型剤、１１ 樹脂マスク、１２ 金属マスク、１３
加圧板、１４カバー。
体チップ、４ ボンディングワイヤ、５ 封止樹脂、６
ダム、７ リード、８ 樹脂枠、９ 金属枠、１０
離型剤、１１ 樹脂マスク、１２ 金属マスク、１３
加圧板、１４カバー。
Claims (12)
- 【請求項１】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記回
路基板上のそれぞれの半導体チップ及びボンディングワ
イヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂材で形成された複
数個の樹脂枠を、前記回路基板上の各半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域に、それぞれ取り付ける第１
の工程と、前記樹脂枠で囲われたそれぞれの内側に、熱
硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、前記
半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを被覆する第
２の工程と、前記封止樹脂を前記回路基板と共に加熱し
て硬化させる第３の工程と、硬化した前記封止樹脂から
前記樹脂枠を取り外す第４の工程とを有する樹脂封止型
混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項２】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記回
路基板上のそれぞれの半導体チップ及びボンディングワ
イヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂材で形成された複
数個の樹脂枠を、前記回路基板上の各半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域に、それぞれ取り付ける第１
の工程と、前記樹脂枠で囲われたそれぞれの内側に、熱
硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、前記
半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを被覆する第
２の工程と、前記封止樹脂の上部から離型性の高い樹脂
材の加圧板を押し当て、封止樹脂上面を平坦に加圧変形
させる第３の工程と、前記封止樹脂を前記回路基板と共
に加熱して硬化させる第４の工程と、硬化した前記封止
樹脂から前記樹脂枠と前記加圧板を取り外す第５の工程
とを有する請求項１記載の樹脂封止型混成集積回路の樹
脂封止方法。 - 【請求項３】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記回
路基板上のそれぞれの半導体チップ及びボンディングワ
イヤの領域を囲う、離型性の高い樹脂材で形成された複
数個の樹脂枠を、前記回路基板上の各半導体チップ及び
ボンディングワイヤの領域に、それぞれ取り付ける第１
の工程と、封止樹脂の注入部に開口を設けた離型性の高
い樹脂材のカバーを、前記樹脂枠の上部にそれぞれ接合
する第２の工程と、前記カバーのそれぞれの開口部から
熱硬化性の液状の封止樹脂を充填し、前記半導体チップ
及び前記ボンディングワイヤを被覆する第３の工程と、
前記封止樹脂を前記回路基板と共に加熱して硬化させる
第４の工程と、硬化した前記封止樹脂から前記樹脂枠と
前記カバーを取り外す第５の工程とを有する請求項１記
載の樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項４】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板上とをワイヤボ
ンディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを
形成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤ
を樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記
回路基板上のそれぞれの半導体チップ及びボンディング
ワイヤの領域を囲う、金属材で形成された複数個の金属
枠を、離型剤を塗布した後に、前記回路基板上の各半導
体チップ及びボンディングワイヤの領域に、それぞれ取
り付ける第１の工程と、前記金属枠を加熱すると共に、
この金属枠で囲われたそれぞれの内側に、熱硬化性の液
状の封止樹脂を滴下して自然拡散させ、前記半導体チッ
プ及び前記ボンディングワイヤを被覆する第２の工程
と、前記封止樹脂を前記回路基板と共に加熱して硬化さ
せる第３の工程と、硬化した前記封止樹脂から前記金属
枠を取り外す第４の工程とを有する樹脂封止型混成集積
回路の樹脂封止方法。 - 【請求項５】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、金属材
で形成された複数個の金属枠を、離型剤を塗布した後
に、前記回路基板上の各半導体チップ及びボンディング
ワイヤの領域に、それぞれ取り付ける第１の工程と、前
記金属枠を加熱すると共に、この金属枠で囲われたそれ
ぞれの内側に、熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自
然拡散させ、前記半導体チップ及び前記ボンディングワ
イヤを被覆する第２の工程と、前記封止樹脂の上部から
離型剤を塗布した金属の加圧板を押し当て、封止樹脂上
面を平坦に加圧変形させる第３の工程と、前記封止樹脂
を前記回路基板と共に加熱して硬化させる第４の工程
と、硬化した前記封止樹脂から前記金属枠と前記加圧板
を取り外す第５の工程とを有する請求項４記載の樹脂封
止型混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項６】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、金属材
で形成された複数個の金属枠を、離型剤を塗布した後
に、前記回路基板上の各半導体チップ及びボンディング
ワイヤの領域に、それぞれ取り付ける第１の工程と、封
止樹脂の注入部に開口を設けた金属材のカバーを、離型
剤を塗布した後に、前記金属枠の上部にそれぞれ接合す
る第２の工程と、前記金属枠を加熱すると共に、前記カ
バーのそれぞれの開口部から熱硬化性の液状の封止樹脂
を充填し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイ
ヤを被覆する第３の工程と、前記封止樹脂を前記回路基
板と共に加熱して硬化させる第４の工程と、硬化した前
記封止樹脂から前記金属枠と前記カバーを取り外す第５
の工程とを有する請求項４記載の樹脂封止型混成集積回
路の樹脂封止方法。 - 【請求項７】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記回
路基板上の全ての半導体チップ及びボンディングワイヤ
の領域それぞれに対応する位置に開口を設けた、離型性
の高い樹脂材で形成された樹脂マスクを、前記回路基板
上に取り付ける第１の工程と、前記樹脂マスクのそれぞ
れの開口部に、熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自
然拡散させ、前記半導体チップ及び前記ボンディングワ
イヤを被覆する第２の工程と、前記封止樹脂を前記回路
基板と共に加熱して硬化させる第３の工程と、硬化した
前記封止樹脂から前記樹脂マスクを取り外す第４の工程
とを有する樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項８】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記回
路基板上の全ての半導体チップ及びボンディングワイヤ
の領域それぞれに対応する位置に開口を設けた、離型性
の高い樹脂材で形成された樹脂マスクを、前記回路基板
上に取り付ける第１の工程と、前記樹脂マスクのそれぞ
れの開口部に、熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自
然拡散させ、前記半導体チップ及び前記ボンディングワ
イヤを被覆する第２の工程と、前記封止樹脂の上部から
離型性の高い樹脂材の加圧板を押し当て、封止樹脂上面
を平坦に加圧変形させる第３の工程と、前記封止樹脂を
前記回路基板と共に加熱して硬化させる第４の工程と、
硬化した前記封止樹脂から前記樹脂マスクと前記加圧板
を取り外す第５の工程とを有する請求項７記載の樹脂封
止型混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項９】 複数個の半導体チップを回路基板に取り
付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボン
ディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを形
成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記回
路基板上の全ての半導体チップ及びボンディングワイヤ
の領域それぞれに対応する位置に開口を設けた、離型性
の高い樹脂材で形成された樹脂マスクを、前記回路基板
上に取り付ける第１の工程と、封止樹脂の注入部に開口
を設けた離型性の高い樹脂材のカバーを、前記樹脂マス
クの上面に接合する第２の工程と、前記カバーのそれぞ
れの開口部から熱硬化性の液状の封止樹脂を充填し、前
記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを被覆する
第３の工程と、前記封止樹脂と前記回路基板と共に加熱
して硬化させる第４の工程と、硬化した前記封止樹脂か
ら前記樹脂マスクと前記カバーを取り外す第５の工程と
を有する請求項７記載の樹脂封止型混成集積回路の樹脂
封止方法。 - 【請求項１０】 複数個の半導体チップを回路基板に取
り付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボ
ンディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを
形成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤ
を樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記
回路基板上の全ての半導体チップ及びボンディングワイ
ヤの領域それぞれに対応する位置に開口を設けた、金属
材で形成された金属マスクを、離型剤を塗布した後に、
前記回路基板上に取り付ける第１の工程と、前記金属マ
スクを加熱すると共に、この金属マスクのそれぞれの開
口部に、熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散
させ、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
被覆する第２の工程と、前記封止樹脂を前記回路基板と
共に加熱して硬化させる第３の工程と、硬化した前記封
止樹脂から前記金属マスクを取り外す第４の工程とを有
する樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項１１】 複数個の半導体チップを回路基板に取
り付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボ
ンディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを
形成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤ
を樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記
回路基板上の全ての半導体チップ及びボンディングワイ
ヤの領域それぞれに対応する位置に開口を設けた、金属
材で形成された金属マスクを、離型剤を塗布した後に、
前記回路基板上に取り付ける第１の工程と、前記金属マ
スクを加熱すると共に、この金属マスクのそれぞれの開
口部に、熱硬化性の液状の封止樹脂を滴下して自然拡散
させ、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを
被覆する第２の工程と、前記封止樹脂の上部から離型剤
を塗布した金属材の加圧板を押し当て、封止樹脂上面を
平坦に加圧変形させる第３の工程と、前記封止樹脂を前
記回路基板と共に加熱して硬化させる第４の工程と、硬
化した前記封止樹脂から前記金属マスクと前記加圧板を
取り外す第５の工程とを有する請求項１０記載の樹脂封
止型混成集積回路の樹脂封止方法。 - 【請求項１２】 複数個の半導体チップを回路基板に取
り付け、前記半導体チップと前記回路基板とをワイヤボ
ンディング法を用いて接続して、ボンディングワイヤを
形成し、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤ
を樹脂封止する樹脂封止型混成集積回路において、前記
回路基板上の全ての半導体チップ及びボンディングワイ
ヤの領域それぞれに対応する位置に開口を設けた、金属
材で形成された金属マスクを、離型剤を塗布した後に、
前記回路基板上に取り付ける第１の工程と、封止樹脂の
注入部に開口を設けた金属材のカバーを離型剤を塗布し
た後に、前記金属マスクの上面に接合する第２の工程
と、前記カバーのそれぞれの開口部から熱硬化性の液状
の封止樹脂を充填し、前記半導体チップ及び前記ボンデ
ィングワイヤを被覆する第３の工程と、前記封止樹脂を
前記回路基板と共に加熱して硬化させる第４の工程と、
硬化した前記封止樹脂から前記金属マスクと前記カバー
を取り外す第５の工程とを有する請求項１０記載の樹脂
封止型混成集積回路の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24467898A JP2000077440A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24467898A JP2000077440A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077440A true JP2000077440A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17122329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24467898A Pending JP2000077440A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 樹脂封止型混成集積回路の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077440A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234968A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| CN100382285C (zh) * | 2004-09-29 | 2008-04-16 | 株式会社理光 | 印制电路板及其制造方法以及电子部件 |
| JP2009202473A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド |
| US8012777B2 (en) * | 2009-04-09 | 2011-09-06 | Lextar Electronics Corp. | Packaging process of light emitting diode |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP24467898A patent/JP2000077440A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100382285C (zh) * | 2004-09-29 | 2008-04-16 | 株式会社理光 | 印制电路板及其制造方法以及电子部件 |
| JP2007234968A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP2009202473A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド |
| US8012777B2 (en) * | 2009-04-09 | 2011-09-06 | Lextar Electronics Corp. | Packaging process of light emitting diode |
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