JPH01243531A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH01243531A JPH01243531A JP63069528A JP6952888A JPH01243531A JP H01243531 A JPH01243531 A JP H01243531A JP 63069528 A JP63069528 A JP 63069528A JP 6952888 A JP6952888 A JP 6952888A JP H01243531 A JPH01243531 A JP H01243531A
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、導電性樹脂接着剤を用いて
半導体ペレットをリードフレームナトの支持体上に固着
させる際に当該接着剤からガスが発生したときに、ガス
抜きを行って適切なペレット付けを実施することができ
る技術に関する。
半導体ペレットをリードフレームナトの支持体上に固着
させる際に当該接着剤からガスが発生したときに、ガス
抜きを行って適切なペレット付けを実施することができ
る技術に関する。
半導体ペレット（以下単にペレットとり・う）を、リー
ドフレームなどの支持体の台座（タブとかダイアタッチ
部などとも称される）に、導電性樹脂接着剤を用いて、
固着（ダイボンディングとかペレット付けなどと称され
る）することが行われている。導電性樹脂接着法と称さ
れ、当該接着剤の主組成は、一般に、Ａｇ粉やＡＡ粉や
Ａｕ粉などの金属粉と、エポキシ樹脂などの合成樹脂と
、ジメチルアセトアミドやＮ−メチルピロリドンなどの
溶剤とから成っており、ペースト状で、当該ペースト状
の接着剤を塗布し、当該樹脂を熱硬化（キエア）させて
、上記グイボンディングを行う。
ドフレームなどの支持体の台座（タブとかダイアタッチ
部などとも称される）に、導電性樹脂接着剤を用いて、
固着（ダイボンディングとかペレット付けなどと称され
る）することが行われている。導電性樹脂接着法と称さ
れ、当該接着剤の主組成は、一般に、Ａｇ粉やＡＡ粉や
Ａｕ粉などの金属粉と、エポキシ樹脂などの合成樹脂と
、ジメチルアセトアミドやＮ−メチルピロリドンなどの
溶剤とから成っており、ペースト状で、当該ペースト状
の接着剤を塗布し、当該樹脂を熱硬化（キエア）させて
、上記グイボンディングを行う。
なお、当該導電性樹脂接着法について述べた特許の例と
しては、実公昭５０−２９４１５号公報が挙げられる。
しては、実公昭５０−２９４１５号公報が挙げられる。
しかるに、当該樹脂接着法によれば、低温で処理でき、
ペレットにクラックが入らないなどの利点がある一方で
、熱硬化させることによる接着剤中の溶剤の蒸発および
樹脂硬化反応に起因するガスが、接着剤全体から発生し
、当該ガスがペレットを持上げしたり、ペレットを移動
させたりする。
ペレットにクラックが入らないなどの利点がある一方で
、熱硬化させることによる接着剤中の溶剤の蒸発および
樹脂硬化反応に起因するガスが、接着剤全体から発生し
、当該ガスがペレットを持上げしたり、ペレットを移動
させたりする。
その為、ペレットと支持体との間の接着強度か充分でな
かったり、また、ペレットと支持体との間をボンディン
グワイヤにより結線（ワイヤボンディング）しようとす
るときにペレットが傾いたりあるいは所定のボンディン
ダ位置になかったりするので、そのワイヤボンディング
に支障を来たりする。
かったり、また、ペレットと支持体との間をボンディン
グワイヤにより結線（ワイヤボンディング）しようとす
るときにペレットが傾いたりあるいは所定のボンディン
ダ位置になかったりするので、そのワイヤボンディング
に支障を来たりする。
かかる不都合は、高集積素子でペレットサイズが大型化
するに従い顕著なものとなってきている。
するに従い顕著なものとなってきている。
さらに、封止用ガラスを用いてノ１−メチツクシールし
ようとする場合には、より高温下に接着剤がおかれるの
で、そのガスの発生量も多く、より一層問題を大きくし
ている。
ようとする場合には、より高温下に接着剤がおかれるの
で、そのガスの発生量も多く、より一層問題を大きくし
ている。
本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消し、導電性
樹脂接着剤を用いたダイボンディングにおいて良好な接
着強度を確保し、また、ワイヤボンディングに支障を与
えない技術を提供することを目的とする。
樹脂接着剤を用いたダイボンディングにおいて良好な接
着強度を確保し、また、ワイヤボンディングに支障を与
えない技術を提供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
な蘭単に説明すれば、下記のとおりである。
な蘭単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明ではダイボンディングする支持体の台座を、従来
のごとく平坦な面とせずに、複数の突起部を有するよう
にする。特に、当該突起部の上面は平坦なペレットを載
置することができる面とするとよい。
のごとく平坦な面とせずに、複数の突起部を有するよう
にする。特に、当該突起部の上面は平坦なペレットを載
置することができる面とするとよい。
このように、台座が突起部を有するようになっているの
で、当該突起部上にペレットをダイボンディングしたと
きに、突起部と突起部との間に間隙ができ、当該間隙を
介してガスを逃が丁ことかできる。
で、当該突起部上にペレットをダイボンディングしたと
きに、突起部と突起部との間に間隙ができ、当該間隙を
介してガスを逃が丁ことかできる。
従来は台座の面が全体に平坦なのでガスの逃げ場がなく
、ガスが接着剤中にこもってしまいペレットを浮上らせ
たりなどしていたが、本発明によれば適当なガス抜きが
行われるので、良好なダイボンディングが実施でき、ワ
イヤボンディングも良好に行なえるようになった。
、ガスが接着剤中にこもってしまいペレットを浮上らせ
たりなどしていたが、本発明によれば適当なガス抜きが
行われるので、良好なダイボンディングが実施でき、ワ
イヤボンディングも良好に行なえるようになった。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
実施例１゜
第１図は本発明を樹脂封止型半導体装置に適用した例を
示す。
示す。
第１図にて、１はペレット、２はボンディングワイヤ、
３はリードフレーム、３Ａは該リードフレームの台座、
４は導電性樹脂接着剤（以下ペーストという）、５は樹
脂封止部、６は間隙である。
３はリードフレーム、３Ａは該リードフレームの台座、
４は導電性樹脂接着剤（以下ペーストという）、５は樹
脂封止部、６は間隙である。
同図に示すように、リードフレーム３の台座３Ａには複
数の突起部３Ｂが形成されている。
数の突起部３Ｂが形成されている。
第２図はリードフレームの一笑施例平面図で、第３図は
このリードフレームの要部斜視図を示す。
このリードフレームの要部斜視図を示す。
このリードフレーム３は、その中央の突起部３Ｂを有す
る台座３Ａと、該台座３Ａを支持しているタブ吊りリー
ド３Ｃと、台座３人の周辺に配設されたインナーリード
３Ｄと、モールド時の樹脂の流れ止めなどの目的で設け
られているダム３Ｅと、ダム３Ｅの外側のアクタ−リー
ド３Ｆと、内枠３Ｇと外枠３Ｈとから成っている。
る台座３Ａと、該台座３Ａを支持しているタブ吊りリー
ド３Ｃと、台座３人の周辺に配設されたインナーリード
３Ｄと、モールド時の樹脂の流れ止めなどの目的で設け
られているダム３Ｅと、ダム３Ｅの外側のアクタ−リー
ド３Ｆと、内枠３Ｇと外枠３Ｈとから成っている。
白眼樹脂封止型半導体装置の製造は、例えば、次のよう
にして行われる。すなわち、先ず、リードフレーム３の
突起部３Ｂを有する台座３Ａ上に、ペレット１を固着す
る。ペレット１の固着に先立ち、ペースト４を、台座３
Ａに滴下方式又はマーク方式などＫより塗布する。その
際、ペースト４は突起部３Ｂの上面に付着した後に、突
起部３Ｂの斜面に沿い下方に流れ落ちる。
にして行われる。すなわち、先ず、リードフレーム３の
突起部３Ｂを有する台座３Ａ上に、ペレット１を固着す
る。ペレット１の固着に先立ち、ペースト４を、台座３
Ａに滴下方式又はマーク方式などＫより塗布する。その
際、ペースト４は突起部３Ｂの上面に付着した後に、突
起部３Ｂの斜面に沿い下方に流れ落ちる。
接着強度を上げるには、第４図に示すように、突起部３
Ｂの上部に、平坦なペレットの載置面３Ｂ′を形成して
おくことが好ましい。ペースト４の塗布された台座３Ａ
上にペレット１をマクントし、次いで、加熱し、例えば
１００〜４００Ｃ程のキュア温度で、熱硬化を行なう。
Ｂの上部に、平坦なペレットの載置面３Ｂ′を形成して
おくことが好ましい。ペースト４の塗布された台座３Ａ
上にペレット１をマクントし、次いで、加熱し、例えば
１００〜４００Ｃ程のキュア温度で、熱硬化を行なう。
突起部３Ｂと突起部３Ｂとの間には間隙６が形成され、
当該キュア工程に於いて、ガスがこの間隙６を通して逃
散する。次いで、ボンディングワイヤ２により、ペレッ
ト１とリードフレーム３のインナーリード３Ｄとを電気
的に接続（ワイヤボンディング）する。
当該キュア工程に於いて、ガスがこの間隙６を通して逃
散する。次いで、ボンディングワイヤ２により、ペレッ
ト１とリードフレーム３のインナーリード３Ｄとを電気
的に接続（ワイヤボンディング）する。
当該組立後に、モールド金型に当該組立品を入れ、樹脂
をモールドして、樹脂封止部５を形成する。
をモールドして、樹脂封止部５を形成する。
切断工程などを経て、第１図に示すような、アウターリ
ード３Ｆの引き出しされた樹脂封止型半導体装置を得る
。
ード３Ｆの引き出しされた樹脂封止型半導体装置を得る
。
第５図は当該樹脂封止型半導体装置７の一部切欠斜視図
を示す。
を示す。
実施例２゜
第６図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
で、本発明をガラス封止の気密封止型半導体装置に適用
した例を示す。
で、本発明をガラス封止の気密封止型半導体装置に適用
した例を示す。
第１図と共通する符号は同一の機能を示すのでその説明
する。
する。
このガラス封止型半導体装貨８では、パッケージペース
９のペレット搭載のための溝部９Ａに突起部９Ｂが形成
さｉており、当該ペース９とキャップ１０との間を封止
用ガラス１１により封止する。
９のペレット搭載のための溝部９Ａに突起部９Ｂが形成
さｉており、当該ペース９とキャップ１０との間を封止
用ガラス１１により封止する。
このガラス封止では、４００〜５００Ｃ程度の封止已度
で当該封止用ガラス１１を＠融させ、ペース９とキャッ
プ１０との封着を行う。このように、封止温度が樹脂封
止の場合の１５０〜２００Ｃに比べて高いので、ペース
ト４からガスが出品（１゜ 本発明に使用されるペレット１は、例えばシリコン単結
晶基板から成り、周知の技術によってこのペレット（チ
ップ）内には多数の回路素子が形成され、１つの回路機
能が与えられている。回路素子の具体例は、例えばＭＯ
Ｓ）ランジスタから成り、これらの回路素子によって、
例えば論理回路およびメモリの回路機能が形成されてい
る。
で当該封止用ガラス１１を＠融させ、ペース９とキャッ
プ１０との封着を行う。このように、封止温度が樹脂封
止の場合の１５０〜２００Ｃに比べて高いので、ペース
ト４からガスが出品（１゜ 本発明に使用されるペレット１は、例えばシリコン単結
晶基板から成り、周知の技術によってこのペレット（チ
ップ）内には多数の回路素子が形成され、１つの回路機
能が与えられている。回路素子の具体例は、例えばＭＯ
Ｓ）ランジスタから成り、これらの回路素子によって、
例えば論理回路およびメモリの回路機能が形成されてい
る。
ボンディングワイヤ２は、例えばＡｔｊｉ’ＰＡＡ脚に
より構成される。
より構成される。
リードフレーム３は、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金より成る
、 便脂封止部５の形成に使用される樹脂は、例えばエポキ
シ樹脂より成る。
、 便脂封止部５の形成に使用される樹脂は、例えばエポキ
シ樹脂より成る。
ペース９ＪＰキヤツプ１０は、例えばセラミック材によ
り構成される。
り構成される。
本発明によればリードフレーム３やパッケージペース９
に突起部３Ａや９Ｂを形成するようにしたので、これら
突起部３Ａ（９Ｂ）の間隙６かもガスが抜け、ペレット
１が持上り移動したり、またはガス気泡により浮いた状
態になったりしないので、良好なペレット接着強度が得
られ、また、ワイヤボンディング工程に支障を与えたり
することが防止できた。
に突起部３Ａや９Ｂを形成するようにしたので、これら
突起部３Ａ（９Ｂ）の間隙６かもガスが抜け、ペレット
１が持上り移動したり、またはガス気泡により浮いた状
態になったりしないので、良好なペレット接着強度が得
られ、また、ワイヤボンディング工程に支障を与えたり
することが防止できた。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるデエアルインライン
のプラスチックパッケージやセラミックパッケージにつ
いて適用した場合に、ついて説明したが、それに限定さ
れるものではなく、その他ペーストを使用する各種の半
導体装置に適用することができる。
をその背景となった利用分野であるデエアルインライン
のプラスチックパッケージやセラミックパッケージにつ
いて適用した場合に、ついて説明したが、それに限定さ
れるものではなく、その他ペーストを使用する各種の半
導体装置に適用することができる。
本願において開示さｎる発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
本発明によｉばペーストを用いたダイボンディングして
なる半導体装置において良好なグイボンディングを行な
うことができた。
なる半導体装置において良好なグイボンディングを行な
うことができた。
第１図は本発明の実施例を示す半導体装置の断面図、
第２図は本発明の実施例を示すリードフレームの平面図
、 第３図はリードフレームの台座の要部斜視図、第４図は
台座の他の例を示す断面図、 第５１図は本発明の実施例を示す半導体装置の一部切欠
斜視図、 第６図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
である。 １・・・ベレット、２・・・ポンディングワイヤ、３・
・・リードフレーム、３Ａ・・・台座、３Ｂ・・・突起
部、３Ｃ・・・タブ吊りリード、３Ｄ・・・インナーリ
ード、３Ｅ・・・ダム、３Ｆ・・・アラターリード、３
Ｇ・・・内枠、３Ｈ・・・外枠、４・・・導電性樹脂接
着剤、５・・・樹脂封止部、６・・・間隙、７・・・樹
脂封止型半導体装置、８・・・ガラス封止型半導体装置
、９・・・パッケージペース、９Ａ・・・溝部、９Ｂ・
・・突起部、１０・・・キャップ、１１・・・封止用ガ
ラス。 第 ３ 図 第４図
、 第３図はリードフレームの台座の要部斜視図、第４図は
台座の他の例を示す断面図、 第５１図は本発明の実施例を示す半導体装置の一部切欠
斜視図、 第６図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
である。 １・・・ベレット、２・・・ポンディングワイヤ、３・
・・リードフレーム、３Ａ・・・台座、３Ｂ・・・突起
部、３Ｃ・・・タブ吊りリード、３Ｄ・・・インナーリ
ード、３Ｅ・・・ダム、３Ｆ・・・アラターリード、３
Ｇ・・・内枠、３Ｈ・・・外枠、４・・・導電性樹脂接
着剤、５・・・樹脂封止部、６・・・間隙、７・・・樹
脂封止型半導体装置、８・・・ガラス封止型半導体装置
、９・・・パッケージペース、９Ａ・・・溝部、９Ｂ・
・・突起部、１０・・・キャップ、１１・・・封止用ガ
ラス。 第 ３ 図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットを固着させる台座に複数の突起物を
形成してなる支持体の当該突起部上に、導電性樹脂接着
剤により半導体ペレットを固着せしめて成ることを特徴
とする半導体装置。 ２、半導体装置が、ガラス封止の気密封止型半導体装置
である、請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069528A JPH01243531A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069528A JPH01243531A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243531A true JPH01243531A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13405314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069528A Pending JPH01243531A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243531A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04125458U (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-16 | 山口日本電気株式会社 | リードフレーム |
| EP0582084A3 (en) * | 1992-08-06 | 1994-07-27 | Motorola Inc | Semiconductor leadframe and package |
| US5440170A (en) * | 1990-09-10 | 1995-08-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a die pad with rounded edges and its manufacturing method |
| EP1134806A3 (en) * | 2000-03-16 | 2003-11-12 | Microchip Technology Inc. | Stress reducing lead-frame for plastic encapsulation |
| JP2011171766A (ja) * | 2011-05-27 | 2011-09-01 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| DE10221085B4 (de) * | 2002-05-11 | 2012-07-26 | Robert Bosch Gmbh | Baugruppe mit einer Verbindungseinrichtung zum Kontaktieren eines Halbleiter-Bauelements und Herstellungsverfahren |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069528A patent/JPH01243531A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5440170A (en) * | 1990-09-10 | 1995-08-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a die pad with rounded edges and its manufacturing method |
| JPH04125458U (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-16 | 山口日本電気株式会社 | リードフレーム |
| EP0582084A3 (en) * | 1992-08-06 | 1994-07-27 | Motorola Inc | Semiconductor leadframe and package |
| EP1134806A3 (en) * | 2000-03-16 | 2003-11-12 | Microchip Technology Inc. | Stress reducing lead-frame for plastic encapsulation |
| DE10221085B4 (de) * | 2002-05-11 | 2012-07-26 | Robert Bosch Gmbh | Baugruppe mit einer Verbindungseinrichtung zum Kontaktieren eines Halbleiter-Bauelements und Herstellungsverfahren |
| JP2011171766A (ja) * | 2011-05-27 | 2011-09-01 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
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