JP2000218844A - サーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装置 - Google Patents
サーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装置Info
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- JP2000218844A JP2000218844A JP2389199A JP2389199A JP2000218844A JP 2000218844 A JP2000218844 A JP 2000218844A JP 2389199 A JP2389199 A JP 2389199A JP 2389199 A JP2389199 A JP 2389199A JP 2000218844 A JP2000218844 A JP 2000218844A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 連続的なサーマル消去処理がなされるなどし
て蓄熱している消去ヘッドに加熱エネルギーを供給して
も、消去ヘッドの過剰な温度上昇を抑えて常に適正な消
去温度に保持する。 【解決手段】 所定の消去温度に加熱した消去ヘッドを
リライタブルカードのリライト層に接触させて消去処理
を行うにあたり、環境温度と消去ヘッドの温度とをそれ
ぞれ検出し、両者の温度差に応じて、消去ヘッドに印加
する加熱エネルギーを、消去ヘッドの温度が常に設定さ
れた消去温度で発熱するよう補正する。
て蓄熱している消去ヘッドに加熱エネルギーを供給して
も、消去ヘッドの過剰な温度上昇を抑えて常に適正な消
去温度に保持する。 【解決手段】 所定の消去温度に加熱した消去ヘッドを
リライタブルカードのリライト層に接触させて消去処理
を行うにあたり、環境温度と消去ヘッドの温度とをそれ
ぞれ検出し、両者の温度差に応じて、消去ヘッドに印加
する加熱エネルギーを、消去ヘッドの温度が常に設定さ
れた消去温度で発熱するよう補正する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リライタブルカー
ドのリライト層に印字された画像をサーマル消去するサ
ーマル消去ヘッド等、記録層にサーマル処理を施すサー
マルヘッドの温度制御方法およびそのサーマルヘッドを
用いたサーマル処理装置に関する。
ドのリライト層に印字された画像をサーマル消去するサ
ーマル消去ヘッド等、記録層にサーマル処理を施すサー
マルヘッドの温度制御方法およびそのサーマルヘッドを
用いたサーマル処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、種々のカードが広い分野で使用さ
れているが、それらの中には、テレフォンカードやポイ
ントカード等、カードを使用する都度、流動的な可変情
報(残高やポイント等)を更新してカードに表示させる
形式のものがある。この種のカードにおける情報表示方
式としては、サーマルプリンタにより情報を単に印字す
る方法が挙げられる。ところが、この方法では印字され
た画像が全て残るので、印字行数を確保するために印字
画像を小さくしたり、印字エリアを広くする等の必要が
生じ、その結果、印字画像が見にくくなったり、模様や
名前等の可変情報以外の固定的な画像を表示するエリア
が狭くなったりするといった不都合な面があった。
れているが、それらの中には、テレフォンカードやポイ
ントカード等、カードを使用する都度、流動的な可変情
報(残高やポイント等)を更新してカードに表示させる
形式のものがある。この種のカードにおける情報表示方
式としては、サーマルプリンタにより情報を単に印字す
る方法が挙げられる。ところが、この方法では印字され
た画像が全て残るので、印字行数を確保するために印字
画像を小さくしたり、印字エリアを広くする等の必要が
生じ、その結果、印字画像が見にくくなったり、模様や
名前等の可変情報以外の固定的な画像を表示するエリア
が狭くなったりするといった不都合な面があった。
【0003】そこで、近年、前回の画像が消去されると
ともに、同一箇所に最新の画像のみが印字されるリライ
タブルカードが提供されている。このリライタブルカー
ドは、樹脂製基材にリライト層として積層された熱可逆
性記録材料に対し、同材料に定められた加熱/冷却処理
をカード処理装置のサーマルヘッドユニットによって施
すことにより、画像の消去/印字、すなわちリライトが
繰り返し行われるようになされている。その具体的構造
としては、通常、主体を構成する長方形状の樹脂製基材
の表面に、上記熱可逆性材料からなるリライト層が基材
の長手方向と平行にストライプ状に形成されている。
ともに、同一箇所に最新の画像のみが印字されるリライ
タブルカードが提供されている。このリライタブルカー
ドは、樹脂製基材にリライト層として積層された熱可逆
性記録材料に対し、同材料に定められた加熱/冷却処理
をカード処理装置のサーマルヘッドユニットによって施
すことにより、画像の消去/印字、すなわちリライトが
繰り返し行われるようになされている。その具体的構造
としては、通常、主体を構成する長方形状の樹脂製基材
の表面に、上記熱可逆性材料からなるリライト層が基材
の長手方向と平行にストライプ状に形成されている。
【0004】上記カード処理装置は、一般に、上記のよ
うなリライタブルカードを、消去ヘッドとプラテンロー
ラとの間から印字ヘッドとプラテンローラとの間に順次
挟み込んでリライト層の延びる方向に搬送しながら、各
ヘッドが、リライト層に圧接して消去/印字を行うよう
構成されている。同装置の印字ヘッドは、サーマルプリ
ンタの印字ヘッドと同様に、複数の発熱体が配列され、
リライト層に圧接しながら画像の印字部分に対応する発
熱体に電流を流すことにより、リライト層を印字温度に
加熱して画像をサーマル印字する構成である。一方、消
去ヘッドは、消去温度に一様に発熱する発熱体がリライ
ト層に圧接することにより、リライト層の画像をサーマ
ル消去する構成である。
うなリライタブルカードを、消去ヘッドとプラテンロー
ラとの間から印字ヘッドとプラテンローラとの間に順次
挟み込んでリライト層の延びる方向に搬送しながら、各
ヘッドが、リライト層に圧接して消去/印字を行うよう
構成されている。同装置の印字ヘッドは、サーマルプリ
ンタの印字ヘッドと同様に、複数の発熱体が配列され、
リライト層に圧接しながら画像の印字部分に対応する発
熱体に電流を流すことにより、リライト層を印字温度に
加熱して画像をサーマル印字する構成である。一方、消
去ヘッドは、消去温度に一様に発熱する発熱体がリライ
ト層に圧接することにより、リライト層の画像をサーマ
ル消去する構成である。
【0005】図10(a)、(b)、(c)は、上記消
去ヘッドの一例を示している。この消去ヘッドは、セラ
ミックス等からなるバー状の基板90のヘッド面90a
に、電極91,91および電気抵抗体からなる発熱体9
2が固着され、基板90の両端に取り付けられたコ字状
のホルダ93を介して装置に取り付けられる構成となっ
ている。発熱体92は、電極91,91を介して電流が
流され、抵抗値に応じて一様に発熱し、その温度はヘッ
ド面の裏側に取り付けられたサーミスタからなる温度セ
ンサ94により検出される。この消去ヘッドは、搬送さ
れるリライタブルカード(図10(a)の矢印Fが搬送
方向)に対して基板90および発熱体91がストライプ
状のリライト層を横断するように、すなわち直交するよ
うに対向配置されてリライト層に圧接するよう装備され
る。
去ヘッドの一例を示している。この消去ヘッドは、セラ
ミックス等からなるバー状の基板90のヘッド面90a
に、電極91,91および電気抵抗体からなる発熱体9
2が固着され、基板90の両端に取り付けられたコ字状
のホルダ93を介して装置に取り付けられる構成となっ
ている。発熱体92は、電極91,91を介して電流が
流され、抵抗値に応じて一様に発熱し、その温度はヘッ
ド面の裏側に取り付けられたサーミスタからなる温度セ
ンサ94により検出される。この消去ヘッドは、搬送さ
れるリライタブルカード(図10(a)の矢印Fが搬送
方向)に対して基板90および発熱体91がストライプ
状のリライト層を横断するように、すなわち直交するよ
うに対向配置されてリライト層に圧接するよう装備され
る。
【0006】ところで、この消去ヘッドによると、画像
の消去処理時においては、発熱体92からリライタブル
カードに供給される熱エネルギーが大きくなることか
ら、リライタブルカードに対する発熱体92の圧接面の
温度と温度センサ94の検出温度との間に大きな温度差
が生じる。このため、温度センサ94で発熱体92の温
度を検出しながら発熱体92の温度を消去温度に保持す
るフィードバック制御を行っても、発熱体92の圧接面
の温度を所定の消去温度に保持することは困難である。
そこで、実際には、発熱体92の圧接面からリライタブ
ルカードに供給される熱エネルギー量を実験的に求め、
その熱エネルギー量に相当する一定の電流(電気エネル
ギー)を発熱体92に流すことにより、圧接面の温度を
所定の消去温度に保持する制御を行っている。
の消去処理時においては、発熱体92からリライタブル
カードに供給される熱エネルギーが大きくなることか
ら、リライタブルカードに対する発熱体92の圧接面の
温度と温度センサ94の検出温度との間に大きな温度差
が生じる。このため、温度センサ94で発熱体92の温
度を検出しながら発熱体92の温度を消去温度に保持す
るフィードバック制御を行っても、発熱体92の圧接面
の温度を所定の消去温度に保持することは困難である。
そこで、実際には、発熱体92の圧接面からリライタブ
ルカードに供給される熱エネルギー量を実験的に求め、
その熱エネルギー量に相当する一定の電流(電気エネル
ギー)を発熱体92に流すことにより、圧接面の温度を
所定の消去温度に保持する制御を行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記消去ヘ
ッドにより消去処理が開始されると、発熱体92に印加
される一定の加熱エネルギーEは、発熱体92からリラ
イタブルカードに供給される加熱エネルギー(消去エネ
ルギー)Ecと、発熱体92よりも低温のホルダ93を
加熱する加熱エネルギーEhとに分割される。ここで、
加熱エネルギーEcは、リライタブルカードの温度が一
定ならば、それに応じてほぼ一定と考えられるが、加熱
エネルギーEhは、主にホルダ93の蓄熱状態により変
化する。つまり、短時間で消去が繰り返し行われたこと
などに起因してホルダ93が蓄熱されていると加熱エネ
ルギーEhは小さくなり、その分、加熱エネルギーEc
が増大する。このため、リライタブルカードに供給され
る加熱エネルギーEcが過剰となり、その結果、消し残
りが生じるなど消去特性の低下がみられた。通常、リラ
イト層を構成する熱可逆性記録材料の消去温度は一定範
囲内にあり、一方、印字温度は消去温度以上で特定され
ないことから、消去温度の管理に高い精度が求められ
る。このため、消去ヘッドの過剰な温度上昇は適正な消
去特性を阻害する要因となり、解決すべき課題である。
ッドにより消去処理が開始されると、発熱体92に印加
される一定の加熱エネルギーEは、発熱体92からリラ
イタブルカードに供給される加熱エネルギー(消去エネ
ルギー)Ecと、発熱体92よりも低温のホルダ93を
加熱する加熱エネルギーEhとに分割される。ここで、
加熱エネルギーEcは、リライタブルカードの温度が一
定ならば、それに応じてほぼ一定と考えられるが、加熱
エネルギーEhは、主にホルダ93の蓄熱状態により変
化する。つまり、短時間で消去が繰り返し行われたこと
などに起因してホルダ93が蓄熱されていると加熱エネ
ルギーEhは小さくなり、その分、加熱エネルギーEc
が増大する。このため、リライタブルカードに供給され
る加熱エネルギーEcが過剰となり、その結果、消し残
りが生じるなど消去特性の低下がみられた。通常、リラ
イト層を構成する熱可逆性記録材料の消去温度は一定範
囲内にあり、一方、印字温度は消去温度以上で特定され
ないことから、消去温度の管理に高い精度が求められ
る。このため、消去ヘッドの過剰な温度上昇は適正な消
去特性を阻害する要因となり、解決すべき課題である。
【0008】したがって本発明は、サーマルヘッドの過
剰な温度上昇を抑えて常に適正な処理温度に保持するこ
とができ、その結果としてサーマル処理の特性が向上す
るサーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装
置を提供することを目的としている。
剰な温度上昇を抑えて常に適正な処理温度に保持するこ
とができ、その結果としてサーマル処理の特性が向上す
るサーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装
置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のサーマルヘッド
の温度制御方法は、所定の処理温度に加熱したサーマル
ヘッドを記録担体の記録層に接触させてサーマル処理を
行うにあたり、サーマルヘッドの温度と該サーマルヘッ
ドがおかれる環境温度とをそれぞれ検出し、両者の温度
差に応じて、サーマルヘッドに印加する加熱エネルギー
を補正することを特徴としている。
の温度制御方法は、所定の処理温度に加熱したサーマル
ヘッドを記録担体の記録層に接触させてサーマル処理を
行うにあたり、サーマルヘッドの温度と該サーマルヘッ
ドがおかれる環境温度とをそれぞれ検出し、両者の温度
差に応じて、サーマルヘッドに印加する加熱エネルギー
を補正することを特徴としている。
【0010】上記方法によれば、サーマルヘッドの温度
と環境温度との温度差に応じてサーマルヘッドに印加す
る加熱エネルギーを大きくしたり小さくしたりする。そ
のためには、予めサーマルヘッドの温度が常に適正な温
度となる加熱エネルギーを温度差に応じて把握してお
き、そのデータに基づいて加熱エネルギーを補正する。
加熱エネルギーは、サーマルヘッドが電気抵抗体であれ
ば発熱体に印加する電流値であり、その電流値は、従
来、電圧、発熱体の抵抗値、画像記録層の温度特性等を
制御因子として一定に定められていたが、本発明では、
電流値を定める制御因子にサーマルヘッドと環境温度と
の温度差を加え、電流値を変化させる。
と環境温度との温度差に応じてサーマルヘッドに印加す
る加熱エネルギーを大きくしたり小さくしたりする。そ
のためには、予めサーマルヘッドの温度が常に適正な温
度となる加熱エネルギーを温度差に応じて把握してお
き、そのデータに基づいて加熱エネルギーを補正する。
加熱エネルギーは、サーマルヘッドが電気抵抗体であれ
ば発熱体に印加する電流値であり、その電流値は、従
来、電圧、発熱体の抵抗値、画像記録層の温度特性等を
制御因子として一定に定められていたが、本発明では、
電流値を定める制御因子にサーマルヘッドと環境温度と
の温度差を加え、電流値を変化させる。
【0011】より具体的には、サーマルヘッドと環境温
度との温度差が大きくなるにしたがって、サーマルヘッ
ドに印加する加熱エネルギーを小さくする。サーマルヘ
ッドが常に環境温度から加熱されていく場合には、両者
の温度差は0であり、このとき、加熱エネルギーを最大
とする。連続処理が行われるなどしてサーマルヘッドに
蓄熱が生じ、サーマルヘッドが環境温度以上の温度から
加熱される場合には、両者の温度差が大きくなるので、
予め把握しておいた温度差に応じた1以下の補正率を加
熱エネルギーの最大値に乗じ、加熱エネルギーを低下さ
せる。加熱エネルギーを小さくすることにより、サーマ
ルヘッドは過剰な温度上昇が抑制されて適正な処理温度
に保持され、その結果、記録担体の記録層のサーマル処
理が確実になされる。
度との温度差が大きくなるにしたがって、サーマルヘッ
ドに印加する加熱エネルギーを小さくする。サーマルヘ
ッドが常に環境温度から加熱されていく場合には、両者
の温度差は0であり、このとき、加熱エネルギーを最大
とする。連続処理が行われるなどしてサーマルヘッドに
蓄熱が生じ、サーマルヘッドが環境温度以上の温度から
加熱される場合には、両者の温度差が大きくなるので、
予め把握しておいた温度差に応じた1以下の補正率を加
熱エネルギーの最大値に乗じ、加熱エネルギーを低下さ
せる。加熱エネルギーを小さくすることにより、サーマ
ルヘッドは過剰な温度上昇が抑制されて適正な処理温度
に保持され、その結果、記録担体の記録層のサーマル処
理が確実になされる。
【0012】また、本発明のサーマル処理装置は、上記
サーマルヘッドの温度制御方法を実施する上で好適な装
置に係り、所定の処理温度に加熱したサーマルヘッド
を、記録担体の記録層に接触させてサーマル処理を行う
サーマル処理装置であって、当該装置がおかれる環境温
度を検出する環境温度検出手段と、サーマルヘッドの温
度を検出するサーマルヘッド温度検出手段と、環境温度
検出手段が検出した温度とサーマルヘッド温度検出手段
が検出した温度とを比較し、その温度差に応じてサーマ
ルヘッドに印加する加熱エネルギーを補正する制御手段
とを具備することを特徴としている。
サーマルヘッドの温度制御方法を実施する上で好適な装
置に係り、所定の処理温度に加熱したサーマルヘッド
を、記録担体の記録層に接触させてサーマル処理を行う
サーマル処理装置であって、当該装置がおかれる環境温
度を検出する環境温度検出手段と、サーマルヘッドの温
度を検出するサーマルヘッド温度検出手段と、環境温度
検出手段が検出した温度とサーマルヘッド温度検出手段
が検出した温度とを比較し、その温度差に応じてサーマ
ルヘッドに印加する加熱エネルギーを補正する制御手段
とを具備することを特徴としている。
【0013】上記制御手段は、サーマルヘッドが過剰に
温度上昇して処理温度以上に昇温することを防止するた
めに、サーマルヘッドの温度と環境温度との温度差が大
きくなるにしたがって、サーマルヘッドに印加する加熱
エネルギーを小さくさせる制御を採ることが望ましい。
温度上昇して処理温度以上に昇温することを防止するた
めに、サーマルヘッドの温度と環境温度との温度差が大
きくなるにしたがって、サーマルヘッドに印加する加熱
エネルギーを小さくさせる制御を採ることが望ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明を
リライタブルカードの処理装置における消去ヘッドに適
用した一実施形態を説明する。図1は、リライタブルカ
ードの処理装置の右側面断面を示しており、図2は図1
のII−II線矢視図である。これら図で左側が本装置の前
側、右側が後側であり、また、図2においては上側が本
装置の左側、下側が右側である。以下の説明で、前後左
右といった方向の表現は、このようなカード処理装置を
基にした方向と定義する。当該カード処理装置は、図1
に示すように、前端部に設けられたカード挿入口10に
リライタブルカード(記録担体:以下、単にカードと略
称する)Cを挿入すると、まず、後端部の待機位置まで
カードCを搬送する。この状態から消去/印字の処理コ
マンドが発せられると、カードCを前方に搬送しなが
ら、カードCの表面に設けられたリライト層に対し、画
像の消去と印字をこの順で行う。係るカード処理装置の
構成を説明する前に、まずカードCについて説明する。
リライタブルカードの処理装置における消去ヘッドに適
用した一実施形態を説明する。図1は、リライタブルカ
ードの処理装置の右側面断面を示しており、図2は図1
のII−II線矢視図である。これら図で左側が本装置の前
側、右側が後側であり、また、図2においては上側が本
装置の左側、下側が右側である。以下の説明で、前後左
右といった方向の表現は、このようなカード処理装置を
基にした方向と定義する。当該カード処理装置は、図1
に示すように、前端部に設けられたカード挿入口10に
リライタブルカード(記録担体:以下、単にカードと略
称する)Cを挿入すると、まず、後端部の待機位置まで
カードCを搬送する。この状態から消去/印字の処理コ
マンドが発せられると、カードCを前方に搬送しなが
ら、カードCの表面に設けられたリライト層に対し、画
像の消去と印字をこの順で行う。係るカード処理装置の
構成を説明する前に、まずカードCについて説明する。
【0015】(1)リライタブルカードの構成 カードCは、例えば「JIS X 6303」で規定さ
れる長方形状のICカードであって、図2に示すよう
に、PVC(塩化ビニール)等の樹脂製基材の表面に、
熱可逆性記録材料が積層されてなるリライト層(記録
層)1と、内蔵されたICの外部端子2とが設けられ、
裏面に磁気ストライプ3が設けられている。リライト層
1は図2でカードCの上側にカードCの全長にわたって
ストライプ状に積層され、このリライト層1の下側であ
ってカードCの右側の所定位置に、外部端子2が積層さ
れている。また、裏面の磁気ストライプ3は、下方に積
層されている。
れる長方形状のICカードであって、図2に示すよう
に、PVC(塩化ビニール)等の樹脂製基材の表面に、
熱可逆性記録材料が積層されてなるリライト層(記録
層)1と、内蔵されたICの外部端子2とが設けられ、
裏面に磁気ストライプ3が設けられている。リライト層
1は図2でカードCの上側にカードCの全長にわたって
ストライプ状に積層され、このリライト層1の下側であ
ってカードCの右側の所定位置に、外部端子2が積層さ
れている。また、裏面の磁気ストライプ3は、下方に積
層されている。
【0016】リライト層1を構成する熱可逆性記録材料
は、加熱することにより可逆で、簡便・安易に高解像度
の画像を繰り返し消去/印字する、すなわちリライトす
ることができる記録材料である。その構成は、図3に示
すように、透明ポリエステルフィルム5上に、樹脂6a
中に有機低分子物質6bが分散された記録層6と、保護
層7とがこの順で積層されたものであり、有機低分子物
質6bとしては、粒径1μm以下の高級脂肪酸が用いら
れる。図4を参照して熱可逆性の原理を説明すると、透
明状態では、記録層6中の有機低分子物質6bの粒子が
比較的大きな単結晶を形成している。このため、入射し
た光が結晶の界面を通る回数が少なく、散乱されること
なく透過することにより、全体として透明に見える。一
方、白濁状態では、有機低分子物質6bの粒子は多結晶
を形成している。このため、入射した光は結晶の界面で
何度も屈折し、光が散乱されて白く見える。
は、加熱することにより可逆で、簡便・安易に高解像度
の画像を繰り返し消去/印字する、すなわちリライトす
ることができる記録材料である。その構成は、図3に示
すように、透明ポリエステルフィルム5上に、樹脂6a
中に有機低分子物質6bが分散された記録層6と、保護
層7とがこの順で積層されたものであり、有機低分子物
質6bとしては、粒径1μm以下の高級脂肪酸が用いら
れる。図4を参照して熱可逆性の原理を説明すると、透
明状態では、記録層6中の有機低分子物質6bの粒子が
比較的大きな単結晶を形成している。このため、入射し
た光が結晶の界面を通る回数が少なく、散乱されること
なく透過することにより、全体として透明に見える。一
方、白濁状態では、有機低分子物質6bの粒子は多結晶
を形成している。このため、入射した光は結晶の界面で
何度も屈折し、光が散乱されて白く見える。
【0017】熱可逆性記録材料の熱可逆特性を、図5を
参照して説明する。はじめに、室温(20〜30℃)で
白濁状態にあるとする(A)。これを加熱すると、実線
で示すように、約70℃から透過率が増加し始め、約7
5〜100℃で最大透明状態(B〜C)となる。これを
室温まで冷却しても透明状態は維持される(D)。次
に、破線で示すように、最大透明状態の当該材料を11
0℃以上に再加熱すると、最大透明状態と最大白濁状態
の中間状態となり(D→C→E)、これを室温まで冷却
すると元の白濁状態に戻る(E→A)。
参照して説明する。はじめに、室温(20〜30℃)で
白濁状態にあるとする(A)。これを加熱すると、実線
で示すように、約70℃から透過率が増加し始め、約7
5〜100℃で最大透明状態(B〜C)となる。これを
室温まで冷却しても透明状態は維持される(D)。次
に、破線で示すように、最大透明状態の当該材料を11
0℃以上に再加熱すると、最大透明状態と最大白濁状態
の中間状態となり(D→C→E)、これを室温まで冷却
すると元の白濁状態に戻る(E→A)。
【0018】(2)カード処理装置の構成 次に、図1および図2を参照してカード処理装置の構成
を説明する。これら図で符合9は、互いに離間して平行
に対向配置された左右一対の下側サイドフレームであ
る。下側サイドフレーム9,9間の中央には、前側から
順に、第1の搬送ローラ対11、第2の搬送ローラ対1
2および第3の搬送ローラ対13が配置されている。各
搬送ローラ対11,12,13は、いずれも下側の駆動
ローラ14と上側の従動ローラ15とで構成され、これ
ら上下のローラ14,15間にカードCを挟み、駆動ロ
ーラ14の回転方向にしたがって、カードCを、前方か
ら後方あるいは後方から前方に搬送する。また、第2の
搬送ローラ対12と第3の搬送ローラ対13との間に
は、前側から、印字プラテンローラ16および消去プラ
テンローラ17が配置され、さらに、印字プラテンロー
ラ16の上方には印字ヘッド40が、消去プラテンロー
ラ17の上方には消去ヘッド(サーマルヘッド)50
が、それぞれ配置されている。
を説明する。これら図で符合9は、互いに離間して平行
に対向配置された左右一対の下側サイドフレームであ
る。下側サイドフレーム9,9間の中央には、前側から
順に、第1の搬送ローラ対11、第2の搬送ローラ対1
2および第3の搬送ローラ対13が配置されている。各
搬送ローラ対11,12,13は、いずれも下側の駆動
ローラ14と上側の従動ローラ15とで構成され、これ
ら上下のローラ14,15間にカードCを挟み、駆動ロ
ーラ14の回転方向にしたがって、カードCを、前方か
ら後方あるいは後方から前方に搬送する。また、第2の
搬送ローラ対12と第3の搬送ローラ対13との間に
は、前側から、印字プラテンローラ16および消去プラ
テンローラ17が配置され、さらに、印字プラテンロー
ラ16の上方には印字ヘッド40が、消去プラテンロー
ラ17の上方には消去ヘッド(サーマルヘッド)50
が、それぞれ配置されている。
【0019】下側サイドフレーム9,9間の後端部に
は、カードCの外部接点2が接触してカードC内のIC
に対する情報の入出力を行うICユニット18が配置さ
れている。また、カード挿入口10とICユニット18
の間に、第1〜第3の搬送ローラ対11〜13における
上下のローラ14,15の間、印字プラテンローラ16
と印字ヘッド40との間、および消去プラテンローラ1
7と消去ヘッド50との間を水平に結ぶカードCの搬送
路19が形成される。この搬送路19をカードCがスム
ーズに搬送されるように、下側サイドフレーム9,9の
内面には、溝状のカードガイド9aが形成されている。
カード挿入口10にカードCを挿入すると、まず、後端
部の待機位置までカードCを搬送すると前述したが、そ
の待機位置は、ICユニット18内である。
は、カードCの外部接点2が接触してカードC内のIC
に対する情報の入出力を行うICユニット18が配置さ
れている。また、カード挿入口10とICユニット18
の間に、第1〜第3の搬送ローラ対11〜13における
上下のローラ14,15の間、印字プラテンローラ16
と印字ヘッド40との間、および消去プラテンローラ1
7と消去ヘッド50との間を水平に結ぶカードCの搬送
路19が形成される。この搬送路19をカードCがスム
ーズに搬送されるように、下側サイドフレーム9,9の
内面には、溝状のカードガイド9aが形成されている。
カード挿入口10にカードCを挿入すると、まず、後端
部の待機位置までカードCを搬送すると前述したが、そ
の待機位置は、ICユニット18内である。
【0020】第1〜第3の搬送ローラ対11〜13の各
駆動ローラ14および各プラテンローラ16,17は、
下側サイドフレーム9,9に回転自在に支持された駆動
軸20と一体回転する。図2に示すように、これら駆動
軸20は左側の下側サイドフレーム9を貫通し、その突
出端部には、駆動ギヤ21がそれぞれ固定されている。
これら駆動ギヤ21は、左側の下側サイドフレーム9の
外側(左側)に配された図示せぬ複数の中間ギヤを介し
て図1に示すメインモータ22に接続され、メインモー
タ22が駆動すると、各中間ギヤから各駆動ギヤ21に
回転力が伝達されて各駆動軸20が同一方向に回転し、
第1〜第3の搬送ローラ対11〜13の各駆動ローラ1
4および各プラテンローラ16,17が回転する。カー
ドCは、これら駆動ローラ14およびプラテンローラ1
6,17の回転方向にしたがって、搬送路19を搬送さ
れる。第2の搬送ローラ対12の駆動ローラ14の右側
には、カードCの磁気ストライプ3に対して磁気データ
の読取り/書込みを行うための磁気ヘッド24が配置さ
れている。
駆動ローラ14および各プラテンローラ16,17は、
下側サイドフレーム9,9に回転自在に支持された駆動
軸20と一体回転する。図2に示すように、これら駆動
軸20は左側の下側サイドフレーム9を貫通し、その突
出端部には、駆動ギヤ21がそれぞれ固定されている。
これら駆動ギヤ21は、左側の下側サイドフレーム9の
外側(左側)に配された図示せぬ複数の中間ギヤを介し
て図1に示すメインモータ22に接続され、メインモー
タ22が駆動すると、各中間ギヤから各駆動ギヤ21に
回転力が伝達されて各駆動軸20が同一方向に回転し、
第1〜第3の搬送ローラ対11〜13の各駆動ローラ1
4および各プラテンローラ16,17が回転する。カー
ドCは、これら駆動ローラ14およびプラテンローラ1
6,17の回転方向にしたがって、搬送路19を搬送さ
れる。第2の搬送ローラ対12の駆動ローラ14の右側
には、カードCの磁気ストライプ3に対して磁気データ
の読取り/書込みを行うための磁気ヘッド24が配置さ
れている。
【0021】図2に示すように、搬送路19には、搬送
されるカードCを検出する第1〜第4のカードセンサ3
1,32,33,34が、前から順に設けられている。
この場合、第1のカードセンサ31は右側の下側サイド
フレーム9の前端部に取り付けられ、第2〜第4のカー
ドセンサ32〜34は、左側の下側サイドフレーム9に
取り付けられている。
されるカードCを検出する第1〜第4のカードセンサ3
1,32,33,34が、前から順に設けられている。
この場合、第1のカードセンサ31は右側の下側サイド
フレーム9の前端部に取り付けられ、第2〜第4のカー
ドセンサ32〜34は、左側の下側サイドフレーム9に
取り付けられている。
【0022】図1に示すように、下側サイドフレーム
9,9には、左右一対の上側サイドフレーム35が取り
付けられている。上側サイドフレーム35,35は、そ
の後端部が下側サイドフレーム9,9に対し上下方向に
揺動自在にピン結合され、一体に開閉するようになって
いる。上側サイドフレーム35,35には、前後方向に
延びるアーム41,51が揺動可能に支持され、これら
アーム41,51の先端に、印字ヘッド40および消去
ヘッド50がそれぞれ取り付けられている。各アーム4
1,51は、図示せぬバネ等の付勢手段により下方に付
勢されている。
9,9には、左右一対の上側サイドフレーム35が取り
付けられている。上側サイドフレーム35,35は、そ
の後端部が下側サイドフレーム9,9に対し上下方向に
揺動自在にピン結合され、一体に開閉するようになって
いる。上側サイドフレーム35,35には、前後方向に
延びるアーム41,51が揺動可能に支持され、これら
アーム41,51の先端に、印字ヘッド40および消去
ヘッド50がそれぞれ取り付けられている。各アーム4
1,51は、図示せぬバネ等の付勢手段により下方に付
勢されている。
【0023】消去ヘッド50は、図10で示したものと
同様の構成である。すなわち、同図に示すように、セラ
ミックス等からなるバー状の基板90と、この基板90
のヘッド面90aに固着された電極91,91および電
気抵抗体からなる発熱体92と、基板90の両端に取り
付けられたコ字状のホルダ93と、基板90に取り付け
られて発熱体92の温度を検出する温度センサ(サーマ
ルヘッド温度検出手段)94とから構成されている。一
方、印字ヘッド40は、図示して詳述はしないが、複数
の発熱体が配列された一般的なサーマルヘッドであり、
リライト層1に圧接しながら画像の印字部分に対応する
発熱体に電流を流すことにより、リライト層1を印字温
度に加熱して画像をサーマル印字する構成である。
同様の構成である。すなわち、同図に示すように、セラ
ミックス等からなるバー状の基板90と、この基板90
のヘッド面90aに固着された電極91,91および電
気抵抗体からなる発熱体92と、基板90の両端に取り
付けられたコ字状のホルダ93と、基板90に取り付け
られて発熱体92の温度を検出する温度センサ(サーマ
ルヘッド温度検出手段)94とから構成されている。一
方、印字ヘッド40は、図示して詳述はしないが、複数
の発熱体が配列された一般的なサーマルヘッドであり、
リライト層1に圧接しながら画像の印字部分に対応する
発熱体に電流を流すことにより、リライト層1を印字温
度に加熱して画像をサーマル印字する構成である。
【0024】図2に示すように、右側の下側サイドフレ
ーム9の外側(右側)には、各アーム41,51を揺動
させることにより、印字ヘッド40および消去ヘッド5
0を搬送中のカードCに対して離接させるカムギヤ60
が配置されている。このカムギヤ60は、カムギヤ軸6
1を介して右側の下側サイドフレーム9に回転自在に支
持されており、図6に示すカムモータ77により、右側
面から見て反時計方向に回転させられる。カムギヤ60
の内面には、印字ヘッド40側のアーム41を揺動させ
る印字ヘッドカム64と、消去ヘッド50側のアーム5
1を揺動させる消去ヘッドカム65とが、所定のカムプ
ロフィールをもって同軸的に形成されている。
ーム9の外側(右側)には、各アーム41,51を揺動
させることにより、印字ヘッド40および消去ヘッド5
0を搬送中のカードCに対して離接させるカムギヤ60
が配置されている。このカムギヤ60は、カムギヤ軸6
1を介して右側の下側サイドフレーム9に回転自在に支
持されており、図6に示すカムモータ77により、右側
面から見て反時計方向に回転させられる。カムギヤ60
の内面には、印字ヘッド40側のアーム41を揺動させ
る印字ヘッドカム64と、消去ヘッド50側のアーム5
1を揺動させる消去ヘッドカム65とが、所定のカムプ
ロフィールをもって同軸的に形成されている。
【0025】印字ヘッド40と消去ヘッド50は、カム
ギヤ60の回転角に応じてカードCに対する離接状態が
定められる。カムギヤ60の回転角は、図6に示すカム
センサ66により検出され、その検出信号は同図に示す
CPU(制御手段)70に入力される。そして、CPU
70は、その信号パターンに応じてカムギヤ60が所定
の回転角に位置するようカムモータ77の回転を制御す
る。
ギヤ60の回転角に応じてカードCに対する離接状態が
定められる。カムギヤ60の回転角は、図6に示すカム
センサ66により検出され、その検出信号は同図に示す
CPU(制御手段)70に入力される。そして、CPU
70は、その信号パターンに応じてカムギヤ60が所定
の回転角に位置するようカムモータ77の回転を制御す
る。
【0026】図1に示すように、カード挿入口10の下
方には、環境温度センサ(環境温度検出手段)69が設
けられている。この環境温度センサ69は、当該装置が
おかれる室内等の環境温度を測定する。環境温度センサ
69は、環境温度を正確に測定する上で、装置内部の温
度上昇の影響を最も受けにくい箇所に配置されているこ
とが望ましい。装置内部に収納する場合には、その近傍
に装置外部へ通じる開口を設けるとよい。
方には、環境温度センサ(環境温度検出手段)69が設
けられている。この環境温度センサ69は、当該装置が
おかれる室内等の環境温度を測定する。環境温度センサ
69は、環境温度を正確に測定する上で、装置内部の温
度上昇の影響を最も受けにくい箇所に配置されているこ
とが望ましい。装置内部に収納する場合には、その近傍
に装置外部へ通じる開口を設けるとよい。
【0027】図6は、上記カード処理装置の制御ブロッ
ク図である。CPU70は、シリアルIO、パラレルI
O、タイマ、ADコンバータ、ウォッチドッグタイマ等
の周辺機能を内蔵したマイクロコントローラである。こ
のCPU70には、制御プログラムや固定データを格納
したROM71が接続され、CPU70は、ROM71
に格納されたプログラムにしたがって各種制御を行う。
また、CPU70には、印字データ、コマンドデータ、
各種設定値および基準値等を必要に応じて格納すること
ができるRAM72と、消去/印字コマンド等を上位装
置から受けてCPU70に発行するシリアルインターフ
ェース73が接続されている。
ク図である。CPU70は、シリアルIO、パラレルI
O、タイマ、ADコンバータ、ウォッチドッグタイマ等
の周辺機能を内蔵したマイクロコントローラである。こ
のCPU70には、制御プログラムや固定データを格納
したROM71が接続され、CPU70は、ROM71
に格納されたプログラムにしたがって各種制御を行う。
また、CPU70には、印字データ、コマンドデータ、
各種設定値および基準値等を必要に応じて格納すること
ができるRAM72と、消去/印字コマンド等を上位装
置から受けてCPU70に発行するシリアルインターフ
ェース73が接続されている。
【0028】CPU70には、第1〜第4のカードセン
サ31〜34の検出信号が供給され、これらカードセン
サ31〜34の検出信号に基づいて、CPU70はメイ
ンモータ制御回路74に制御信号を出力し、メインモー
タ22の回転速度、回転方向、起動/停止等の動作を制
御する。メインモータ22には、FG(回転信号発生
器)75が取り付けられており、FG75から出力され
るパルスのパルス幅を計測することにより、メインモー
タ22の回転速度を検出することが可能となっている。
また、CPU70は、第2〜第4のカードセンサ32〜
34およびカムセンサ66の出力に基づき、カムモータ
制御回路76を介してカムモータ77に駆動/停止信号
を出力してカムギヤ60の回転角を制御する。磁気ヘッ
ド24には、カードCの磁気ストライプ3に書き込まれ
た磁気データを読み取る読取り回路78と、磁気ストラ
イプ3に磁気データを書き込む書込み回路79とが接続
されており、CPU70は、磁気ヘッド24およびこれ
ら回路78,79を介して磁気ストライプ3に対する磁
気データの読取り/書込みを行う。
サ31〜34の検出信号が供給され、これらカードセン
サ31〜34の検出信号に基づいて、CPU70はメイ
ンモータ制御回路74に制御信号を出力し、メインモー
タ22の回転速度、回転方向、起動/停止等の動作を制
御する。メインモータ22には、FG(回転信号発生
器)75が取り付けられており、FG75から出力され
るパルスのパルス幅を計測することにより、メインモー
タ22の回転速度を検出することが可能となっている。
また、CPU70は、第2〜第4のカードセンサ32〜
34およびカムセンサ66の出力に基づき、カムモータ
制御回路76を介してカムモータ77に駆動/停止信号
を出力してカムギヤ60の回転角を制御する。磁気ヘッ
ド24には、カードCの磁気ストライプ3に書き込まれ
た磁気データを読み取る読取り回路78と、磁気ストラ
イプ3に磁気データを書き込む書込み回路79とが接続
されており、CPU70は、磁気ヘッド24およびこれ
ら回路78,79を介して磁気ストライプ3に対する磁
気データの読取り/書込みを行う。
【0029】また、CPU70は画像(ビットマップ)
データを作成し、そのデータを、カードCの搬送距離と
同期させながら印字ヘッド制御回路80を介して印字ヘ
ッド40に転送する。これにより、任意の画像がカード
Cのリライト層1に印字される。さらに、CPU70
は、消去ヘッド制御回路81を介して消去ヘッド50を
所定の消去温度に加熱する。前記温度センサ94によっ
て検出される消去ヘッド50の発熱体92の温度は、C
PU70に内蔵されたA/Dコンバータによりデジタル
値として検出される。CPU70は、検出した発熱体9
2の温度と、ROM71またはRAM72に格納された
設定値データに基づいてデューティを求め、そのデュー
ティに対応するパルス幅の通電パルスを消去ヘッド制御
回路81に出力する。このようにして、消去ヘッド50
の発熱体92の温度は、リライト層1を形成する熱可逆
性記録材料を透明にする所定の消去温度に制御される。
データを作成し、そのデータを、カードCの搬送距離と
同期させながら印字ヘッド制御回路80を介して印字ヘ
ッド40に転送する。これにより、任意の画像がカード
Cのリライト層1に印字される。さらに、CPU70
は、消去ヘッド制御回路81を介して消去ヘッド50を
所定の消去温度に加熱する。前記温度センサ94によっ
て検出される消去ヘッド50の発熱体92の温度は、C
PU70に内蔵されたA/Dコンバータによりデジタル
値として検出される。CPU70は、検出した発熱体9
2の温度と、ROM71またはRAM72に格納された
設定値データに基づいてデューティを求め、そのデュー
ティに対応するパルス幅の通電パルスを消去ヘッド制御
回路81に出力する。このようにして、消去ヘッド50
の発熱体92の温度は、リライト層1を形成する熱可逆
性記録材料を透明にする所定の消去温度に制御される。
【0030】さらに、CPU70には環境温度センサ6
9の検出信号が供給され、その検出信号は、CPU70
内のA/Dコンバータに入力されてデジタル値に変換さ
れる。CPU70は、環境温度センサ69の測定値に基
づき、消去/印字処理のプロセスならびに印字ヘッド4
0および消去ヘッド50のデューティ等を制御する。
9の検出信号が供給され、その検出信号は、CPU70
内のA/Dコンバータに入力されてデジタル値に変換さ
れる。CPU70は、環境温度センサ69の測定値に基
づき、消去/印字処理のプロセスならびに印字ヘッド4
0および消去ヘッド50のデューティ等を制御する。
【0031】(3)カード処理装置の動作 次に、上記構成のカード処理装置においてカードCのリ
ライト層1に対する画像の消去/印字処理を行う場合の
動作を、図7のフローチャートにしたがって説明する。
なお、この動作は、カードCの搬送位置を検出する第1
〜第4のカードセンサ31〜34ならびにカムセンサ6
6の検出信号が供給されるCPU70により制御され
る。
ライト層1に対する画像の消去/印字処理を行う場合の
動作を、図7のフローチャートにしたがって説明する。
なお、この動作は、カードCの搬送位置を検出する第1
〜第4のカードセンサ31〜34ならびにカムセンサ6
6の検出信号が供給されるCPU70により制御され
る。
【0032】まず、図示されない上位装置からシリアル
インターフェース73を介してCPU70に消去/印字
コマンドが発行されると、CPU70は、ROM71に
格納されたプログラムにしたがって、印字コマンド処理
サブルーチンS0を呼び出す。印字コマンド処理サブル
ーチンS0は、ステップS1で、環境温度および消去ヘ
ッド50の温度を、環境温度センサ69および温度セン
サ94によりそれぞれ計測するとともに、両者の温度差
を求め、これに基づき、消去処理時における消去ヘッド
50のデューティを設定し、ステップS2に進む。ステ
ップS2では、第1のカードセンサ31がカードCの挿
入を待つ状態となっており、カードCの挿入が第1のカ
ードセンサ31で検出されたら、メインモータ制御回路
74を介してメインモータ22が駆動し、カードCを待
機位置に搬送するとともに、消去ヘッド50の予熱を行
う。このとき、印字ヘッド40および消去ヘッド50
は、カムギヤ60の作用により搬送路19からともに上
方に離れている。消去ヘッド50の予熱は、温度センサ
94で検出された温度TESと、ROM71またはRA
M72に格納された予熱温度設定値TERを用い、消去
ヘッド通電パルスのデューティをEPDとしたとき、次
の EPD=(TER−TES)×GAIN(ただし最大値は100%)…(A) の関係式で通電されることにより行われる。ここで、E
PDは1回で決定されず、通電周期(例えば、10m
S)が経過するたびに、再計算を行うフィードバック制
御が行われる。
インターフェース73を介してCPU70に消去/印字
コマンドが発行されると、CPU70は、ROM71に
格納されたプログラムにしたがって、印字コマンド処理
サブルーチンS0を呼び出す。印字コマンド処理サブル
ーチンS0は、ステップS1で、環境温度および消去ヘ
ッド50の温度を、環境温度センサ69および温度セン
サ94によりそれぞれ計測するとともに、両者の温度差
を求め、これに基づき、消去処理時における消去ヘッド
50のデューティを設定し、ステップS2に進む。ステ
ップS2では、第1のカードセンサ31がカードCの挿
入を待つ状態となっており、カードCの挿入が第1のカ
ードセンサ31で検出されたら、メインモータ制御回路
74を介してメインモータ22が駆動し、カードCを待
機位置に搬送するとともに、消去ヘッド50の予熱を行
う。このとき、印字ヘッド40および消去ヘッド50
は、カムギヤ60の作用により搬送路19からともに上
方に離れている。消去ヘッド50の予熱は、温度センサ
94で検出された温度TESと、ROM71またはRA
M72に格納された予熱温度設定値TERを用い、消去
ヘッド通電パルスのデューティをEPDとしたとき、次
の EPD=(TER−TES)×GAIN(ただし最大値は100%)…(A) の関係式で通電されることにより行われる。ここで、E
PDは1回で決定されず、通電周期(例えば、10m
S)が経過するたびに、再計算を行うフィードバック制
御が行われる。
【0033】ところで、発熱体92を予熱温度に加熱す
る際に発熱体92を急速に加熱すると、温度センサ94
の時定数や、発熱体92から温度センサ94までの熱伝
導時間等により、発熱体92の表面温度と温度センサ9
4の検出値との間に大きな差が生じる場合がある。した
がって、発熱体92は徐々に加熱されることが望まし
く、上記(A)式のGAIN値は1〜2程度が適当であ
る。消去ヘッド50の予熱が終了するとステップS3に
進み、CPU70が印字コマンドで指定された印字文字
列をRAM72内にビットマップ展開する。次いで、ス
テップS4に進み、カードCのリライト層に対する画像
の消去/印字処理が行われる。
る際に発熱体92を急速に加熱すると、温度センサ94
の時定数や、発熱体92から温度センサ94までの熱伝
導時間等により、発熱体92の表面温度と温度センサ9
4の検出値との間に大きな差が生じる場合がある。した
がって、発熱体92は徐々に加熱されることが望まし
く、上記(A)式のGAIN値は1〜2程度が適当であ
る。消去ヘッド50の予熱が終了するとステップS3に
進み、CPU70が印字コマンドで指定された印字文字
列をRAM72内にビットマップ展開する。次いで、ス
テップS4に進み、カードCのリライト層に対する画像
の消去/印字処理が行われる。
【0034】消去/印字処理は、待機位置にあるカード
Cを、搬送距離を測定しながら低速で前方に搬送し、カ
ードCの前端が消去ヘッド50の位置に達すると、消去
ヘッド50が下方に向けて揺動し、上記のようにして予
熱されている発熱体92がカードCのリライト層1に圧
接する。このとき、ステップS1で設定されたデューテ
ィの消去ヘッド通電パルスが消去ヘッド制御回路81を
介して消去ヘッド50に出力され、その電気エネルギー
に応じた温度に消去ヘッド50の発熱体92が発熱す
る。リライト層1は発熱体92により加熱され、引き続
きカードCが前方に搬送されることにより、リライト層
1の画像がサーマル消去される。
Cを、搬送距離を測定しながら低速で前方に搬送し、カ
ードCの前端が消去ヘッド50の位置に達すると、消去
ヘッド50が下方に向けて揺動し、上記のようにして予
熱されている発熱体92がカードCのリライト層1に圧
接する。このとき、ステップS1で設定されたデューテ
ィの消去ヘッド通電パルスが消去ヘッド制御回路81を
介して消去ヘッド50に出力され、その電気エネルギー
に応じた温度に消去ヘッド50の発熱体92が発熱す
る。リライト層1は発熱体92により加熱され、引き続
きカードCが前方に搬送されることにより、リライト層
1の画像がサーマル消去される。
【0035】次いで、カードCの前端が印字ヘッド40
の位置に達すると、印字ヘッド40が下方に向けて揺動
し、リライト層1に圧接する。印字ヘッド40がリライ
ト層1に圧接すると、規定された搬送量(例えば、約
0.1mm)搬送するたびに、RAM72に格納されて
いる印字データが印字ヘッド40に順次転送される。印
字ヘッド40に対して1ラインの印字データの転送が終
了すると、CPU70に内蔵されたタイマを利用して得
られたパルス幅の印字ヘッド通電パルスが印字ヘッド制
御回路80を介して印字ヘッド40に出力されるに伴
い、印字データにより選択された印字ヘッド40の発熱
体に通電され、リライト層1に画像がサーマル印字され
る。このように、カードCの搬送に伴って消去ヘッド5
0による画像消去と印字ヘッド40による新たな画像の
印字が平行して行われる。
の位置に達すると、印字ヘッド40が下方に向けて揺動
し、リライト層1に圧接する。印字ヘッド40がリライ
ト層1に圧接すると、規定された搬送量(例えば、約
0.1mm)搬送するたびに、RAM72に格納されて
いる印字データが印字ヘッド40に順次転送される。印
字ヘッド40に対して1ラインの印字データの転送が終
了すると、CPU70に内蔵されたタイマを利用して得
られたパルス幅の印字ヘッド通電パルスが印字ヘッド制
御回路80を介して印字ヘッド40に出力されるに伴
い、印字データにより選択された印字ヘッド40の発熱
体に通電され、リライト層1に画像がサーマル印字され
る。このように、カードCの搬送に伴って消去ヘッド5
0による画像消去と印字ヘッド40による新たな画像の
印字が平行して行われる。
【0036】次いで、カードCの後端が消去ヘッド50
の位置に達すると、消去ヘッド50がカードCから上方
に離れ、そこから先は印字のみが行われる。全ての画像
データの印字が終了すると、印字ヘッド40もカードC
から上方に離れ、消去/印字処理が完了し、ステップS
5のカード排出に進む。ステップS5では、前端部がカ
ード挿入口10から排出される状態までカードCを所定
量搬送し、この後、メインモータ22が停止する。
の位置に達すると、消去ヘッド50がカードCから上方
に離れ、そこから先は印字のみが行われる。全ての画像
データの印字が終了すると、印字ヘッド40もカードC
から上方に離れ、消去/印字処理が完了し、ステップS
5のカード排出に進む。ステップS5では、前端部がカ
ード挿入口10から排出される状態までカードCを所定
量搬送し、この後、メインモータ22が停止する。
【0037】次に、上記ステップS1において設定され
る消去ヘッド50のデューティの設定方法につき、図8
を参照して説明する。デューティ設定サブルーチンS0
が呼び出されると、ステップS1で、環境温度センサ6
9からの出力信号を、CPU70が内蔵するADコンバ
ータでデジタル値に変換し、変換した温度データ(T
a)に基づきデューティf(Ta)を求める。このデュ
ーティは、所定の計算式で得られる値でもよいし、テー
ブル参照によって得られる値でもよい。次いでステップ
S2に進み、消去ヘッド50の発熱体92の抵抗値のラ
ンクを設定するスイッチの設定状態を読み込み、この設
定状態に対応するデューティ補正率f(R)を求め、こ
れをステップS1で求めたデューティf(Ta)と積算
し、ステップS3に進む。ステップS3では、消去ヘッ
ド50の温度センサ94の出力信号を、CPU70が内
蔵するADコンバータでデジタル値に変換し、消去ヘッ
ド温度データ(Te)を求める。次に、ΔT=Te−T
aなる演算を行い、求めたΔTに対するデューティ補正
率f(ΔT)を求める。この補正率を、ステップS2で
求めた補正後のデューティに積算して通電デューティD
を求める。すなわち、この通電デューティは、次の
(B)で求められる。 D=f(Ta)×f(R)×f(ΔT)…(B) なお、最終的に積算するデューティ補正率f(ΔT)
は、図9に示すように、ΔTが0の場合は1.0であっ
て、ΔTが大きければ大きいほど小さくなるが、なおか
つ、環境温度が低ければ低いほど小さくなるよう可変的
に設定することもできる。
る消去ヘッド50のデューティの設定方法につき、図8
を参照して説明する。デューティ設定サブルーチンS0
が呼び出されると、ステップS1で、環境温度センサ6
9からの出力信号を、CPU70が内蔵するADコンバ
ータでデジタル値に変換し、変換した温度データ(T
a)に基づきデューティf(Ta)を求める。このデュ
ーティは、所定の計算式で得られる値でもよいし、テー
ブル参照によって得られる値でもよい。次いでステップ
S2に進み、消去ヘッド50の発熱体92の抵抗値のラ
ンクを設定するスイッチの設定状態を読み込み、この設
定状態に対応するデューティ補正率f(R)を求め、こ
れをステップS1で求めたデューティf(Ta)と積算
し、ステップS3に進む。ステップS3では、消去ヘッ
ド50の温度センサ94の出力信号を、CPU70が内
蔵するADコンバータでデジタル値に変換し、消去ヘッ
ド温度データ(Te)を求める。次に、ΔT=Te−T
aなる演算を行い、求めたΔTに対するデューティ補正
率f(ΔT)を求める。この補正率を、ステップS2で
求めた補正後のデューティに積算して通電デューティD
を求める。すなわち、この通電デューティは、次の
(B)で求められる。 D=f(Ta)×f(R)×f(ΔT)…(B) なお、最終的に積算するデューティ補正率f(ΔT)
は、図9に示すように、ΔTが0の場合は1.0であっ
て、ΔTが大きければ大きいほど小さくなるが、なおか
つ、環境温度が低ければ低いほど小さくなるよう可変的
に設定することもできる。
【0038】(4)一実施形態の作用効果 上記一実施形態のカード処理装置による画像消去時の温
度制御方法によれば、連続的な消去/印字処理がなされ
るなどして消去ヘッド50が蓄熱しても、その蓄熱状態
が、消去ヘッド50の温度と環境温度の温度差が大きく
なることにより検出され、消去ヘッド50に供給される
電気エネルギーが低く設定される。したがって、消去ヘ
ッド50は、過剰な温度上昇が抑えられて常に適正な消
去温度に保持され、その結果、画像の消し残り等の不具
合は起こらず消去処理の特性が向上する。
度制御方法によれば、連続的な消去/印字処理がなされ
るなどして消去ヘッド50が蓄熱しても、その蓄熱状態
が、消去ヘッド50の温度と環境温度の温度差が大きく
なることにより検出され、消去ヘッド50に供給される
電気エネルギーが低く設定される。したがって、消去ヘ
ッド50は、過剰な温度上昇が抑えられて常に適正な消
去温度に保持され、その結果、画像の消し残り等の不具
合は起こらず消去処理の特性が向上する。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サーマルヘッドの温度と該サーマルヘッドがおかれる環
境温度とをそれぞれ検出し、両者の温度差に応じて、サ
ーマルヘッドに印加する加熱エネルギーを補正するの
で、サーマルヘッドは過剰な温度上昇が抑えられて常に
適正な処理温度に保持され、その結果、サーマル処理の
特性が向上する。
サーマルヘッドの温度と該サーマルヘッドがおかれる環
境温度とをそれぞれ検出し、両者の温度差に応じて、サ
ーマルヘッドに印加する加熱エネルギーを補正するの
で、サーマルヘッドは過剰な温度上昇が抑えられて常に
適正な処理温度に保持され、その結果、サーマル処理の
特性が向上する。
【図1】 本発明の一実施形態に係る消去ヘッドを備え
たカード処理装置の右側断面図である。
たカード処理装置の右側断面図である。
【図2】 図1のII−II線矢視図である。
【図3】 本発明の一実施形態に係るリライタブルカー
ドのリライト層を構成する熱可逆性記録材料を模式的に
示す断面図である。
ドのリライト層を構成する熱可逆性記録材料を模式的に
示す断面図である。
【図4】 熱可逆性記録材料の原理を説明する図であ
る。
る。
【図5】 熱可逆性記録材料の加熱に伴う透明/白濁の
変化を示す線図である。
変化を示す線図である。
【図6】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置の
制御ブロック図である。
制御ブロック図である。
【図7】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置の
動作を示すフローチャートである。
動作を示すフローチャートである。
【図8】 消去ヘッドに供給する通電幅(デューティ)
の設定方法の手順を示すフローチャートである。
の設定方法の手順を示すフローチャートである。
【図9】 消去ヘッドと環境温度との温度差に応じた消
去ヘッドに供給する通電幅(デューティ)の補正率を、
環境温度ごとに可変的に設定するためのテーブルを表す
線図である。
去ヘッドに供給する通電幅(デューティ)の補正率を、
環境温度ごとに可変的に設定するためのテーブルを表す
線図である。
【図10】 本発明の一実施形態に係る消去ヘッドを示
し、(a)は側面図、(b)は正面図、(c)は下面図
である。
し、(a)は側面図、(b)は正面図、(c)は下面図
である。
1…リライト層(記録層) 50…消去ヘッド(サーマルヘッド) 69…環境温度センサ(環境温度検出手段) 70…CPU(制御手段) 94…温度センサ(サーマルヘッド温度検出手段) C…リライタブルカード(記録担体)
フロントページの続き (72)発明者 中村 方也 静岡県静岡市中吉田20番10号 スター精密 株式会社内 Fターム(参考) 2C066 AA03 AA18 AB09 CA05 CA11 CA14 CA15 CA19
Claims (4)
- 【請求項1】 所定の処理温度に加熱したサーマルヘッ
ドを記録担体の記録層に接触させてサーマル処理を行う
にあたり、 前記サーマルヘッドの温度と該サーマルヘッドがおかれ
る環境温度とをそれぞれ検出し、両者の温度差に応じ
て、サーマルヘッドに印加する加熱エネルギーを補正す
ることを特徴とするサーマルヘッドの温度制御方法。 - 【請求項2】 前記温度差が大きくなるにしたがって前
記加熱エネルギーを小さくすることを特徴とする請求項
1に記載のサーマルヘッドの温度制御方法。 - 【請求項3】 所定の処理温度に加熱したサーマルヘッ
ドを、記録担体の記録層に接触させてサーマル処理を行
うサーマル処理装置であって、 当該装置がおかれる環境温度を検出する環境温度検出手
段と、 前記サーマルヘッドの温度を検出するサーマルヘッド温
度検出手段と、 前記環境温度検出手段が検出した温度と前記サーマルヘ
ッド温度検出手段が検出した温度とを比較し、その温度
差に応じて前記サーマルヘッドに印加する加熱エネルギ
ーを補正する制御手段とを具備することを特徴とするサ
ーマル処理装置。 - 【請求項4】 前記制御手段は、前記温度差が大きくな
るにしたがって前記加熱エネルギーを小さくすることを
特徴とする請求項3に記載のサーマル処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2389199A JP2000218844A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | サーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2389199A JP2000218844A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | サーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000218844A true JP2000218844A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=12123085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2389199A Pending JP2000218844A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | サーマルヘッドの温度制御方法およびサーマル処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000218844A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010042532A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Nidec Sankyo Corp | 印字消去装置および印字消去装置の制御方法 |
| CN104494317A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-08 | 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 | 一种自动调节热敏打印机加热时间的装置及方法 |
| GB2553181A (en) * | 2016-06-01 | 2018-02-28 | Datamax Oneil Corp | Thermal printhead temperature control |
| CN118560172A (zh) * | 2024-08-01 | 2024-08-30 | 珠海恒茂电子科技有限公司 | 热敏打印机的控制方法以及系统 |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP2389199A patent/JP2000218844A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010042532A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Nidec Sankyo Corp | 印字消去装置および印字消去装置の制御方法 |
| CN104494317A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-08 | 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 | 一种自动调节热敏打印机加热时间的装置及方法 |
| GB2553181A (en) * | 2016-06-01 | 2018-02-28 | Datamax Oneil Corp | Thermal printhead temperature control |
| US10183500B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-01-22 | Datamax-O'neil Corporation | Thermal printhead temperature control |
| GB2553181B (en) * | 2016-06-01 | 2019-10-16 | Datamax Oneil Corp | Thermal printhead temperature control |
| CN118560172A (zh) * | 2024-08-01 | 2024-08-30 | 珠海恒茂电子科技有限公司 | 热敏打印机的控制方法以及系统 |
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