JP2000228533A - フォトカプラー - Google Patents
フォトカプラーInfo
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- JP2000228533A JP2000228533A JP3094899A JP3094899A JP2000228533A JP 2000228533 A JP2000228533 A JP 2000228533A JP 3094899 A JP3094899 A JP 3094899A JP 3094899 A JP3094899 A JP 3094899A JP 2000228533 A JP2000228533 A JP 2000228533A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームの強度を十分に保つとともに
ワイヤのループの頂点部の接近を抑えて電気絶縁耐圧を
低下させないフォトカプラーの提供。 【解決手段】 一次リード１ａ，２ａと二次リード１
ｂ，２ｂをそれぞれ形成した発光素子３側及び受光素子
４側のリードフレーム１，２を備え、一次リード１ａ，
２ａには素子３，４をそれぞれ搭載するマウント部１
ｃ，１ｄ，２ｃを肉厚を薄くして形成し、一次，二次の
リード１ａ，２ａとによってその少なくとも１辺を片持
ち構造として展開することによって機械的強度を保つ。
ワイヤのループの頂点部の接近を抑えて電気絶縁耐圧を
低下させないフォトカプラーの提供。 【解決手段】 一次リード１ａ，２ａと二次リード１
ｂ，２ｂをそれぞれ形成した発光素子３側及び受光素子
４側のリードフレーム１，２を備え、一次リード１ａ，
２ａには素子３，４をそれぞれ搭載するマウント部１
ｃ，１ｄ，２ｃを肉厚を薄くして形成し、一次，二次の
リード１ａ，２ａとによってその少なくとも１辺を片持
ち構造として展開することによって機械的強度を保つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば電位の異
なる回路間の信号伝達等に広く利用されているフォトカ
プラーに係り、特に発光側及び受光側の素子にボンディ
ングするワイヤを含めて厚さ方向の嵩を抑えて薄型化に
対応できるようにしたフォトカプラーに関する。
なる回路間の信号伝達等に広く利用されているフォトカ
プラーに係り、特に発光側及び受光側の素子にボンディ
ングするワイヤを含めて厚さ方向の嵩を抑えて薄型化に
対応できるようにしたフォトカプラーに関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえばインターフェイス等に多用され
ているフォトカプラーは、発光素子と受光素子とを組み
合わせて一つの素子を構成し、入出力間は絶縁されて光
によって信号を伝達するというのがその基本的な構成で
あり、その概略断面を図４に示す。
ているフォトカプラーは、発光素子と受光素子とを組み
合わせて一つの素子を構成し、入出力間は絶縁されて光
によって信号を伝達するというのがその基本的な構成で
あり、その概略断面を図４に示す。
【０００３】図示のように上下にオーバーラップさせた
一対のリードフレーム５１，５２のそれぞれに発光素子
５３及び受光素子５４をそれぞれ搭載して互いに対向配
置し、Ａｕ線を利用したワイヤ５３ａ，５４ａによって
ボンディングした後にエポキシ樹脂等を利用した透光性
の樹脂５６で封止した後に遮光性を有するパッケージ５
５によって封止されている。
一対のリードフレーム５１，５２のそれぞれに発光素子
５３及び受光素子５４をそれぞれ搭載して互いに対向配
置し、Ａｕ線を利用したワイヤ５３ａ，５４ａによって
ボンディングした後にエポキシ樹脂等を利用した透光性
の樹脂５６で封止した後に遮光性を有するパッケージ５
５によって封止されている。
【０００４】このようなフォトカプラーでは、ボンディ
ング用のワイヤ５３ａ，５４ａがそれぞれ対向している
素子側に膨らむループ状に形成されることが多い。これ
は、ボンディングのときにワイヤ５３ａ，５４ａのネッ
ク部に加わる力をできるだけ小さくなるようにするため
である。したがって、ワイヤ５３ａ，５４ａのループ高
さが大きいと、ワイヤ５３ａ，５４ａのループの最も高
い部分どうしが接近してしまい、入力側と出力側の電気
絶縁耐圧が低下してしまう。
ング用のワイヤ５３ａ，５４ａがそれぞれ対向している
素子側に膨らむループ状に形成されることが多い。これ
は、ボンディングのときにワイヤ５３ａ，５４ａのネッ
ク部に加わる力をできるだけ小さくなるようにするため
である。したがって、ワイヤ５３ａ，５４ａのループ高
さが大きいと、ワイヤ５３ａ，５４ａのループの最も高
い部分どうしが接近してしまい、入力側と出力側の電気
絶縁耐圧が低下してしまう。
【０００５】このようなワイヤ５３ａ，５４ａの接近に
起因する電気絶縁耐圧の問題に対しては従来から様々な
提案がされており、その一例としてたとえば特開平７−
１４７４２７号公報に記載のように、素子側に対しては
ワイヤをウエッジボンディングし、リードフレーム側に
対してはボールボンディングするというものがある。こ
れは、ウエッジボンディングであれば、素子表面に対し
てワイヤを寝かせた姿勢で接続できることを利用して、
ワイヤのループの頂点部が素子の側方に外れた位置にで
きるようにし、ワイヤどうしの接近を抑えるというもの
である。
起因する電気絶縁耐圧の問題に対しては従来から様々な
提案がされており、その一例としてたとえば特開平７−
１４７４２７号公報に記載のように、素子側に対しては
ワイヤをウエッジボンディングし、リードフレーム側に
対してはボールボンディングするというものがある。こ
れは、ウエッジボンディングであれば、素子表面に対し
てワイヤを寝かせた姿勢で接続できることを利用して、
ワイヤのループの頂点部が素子の側方に外れた位置にで
きるようにし、ワイヤどうしの接近を抑えるというもの
である。
【０００６】このようにワイヤのループの頂点部の位置
を互いにずらすようにすれば、ワイヤの接近を避けて電
気絶縁耐圧を高く保てるとともに、全体の肉厚も小さく
でき、実装面での最適化が図られる。
を互いにずらすようにすれば、ワイヤの接近を避けて電
気絶縁耐圧を高く保てるとともに、全体の肉厚も小さく
でき、実装面での最適化が図られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、先の公報に
記載のように、ワイヤのボンディング形態によってルー
プの形成位置を操作するものでは、素子とリードフレー
ムに対するボンディングツールの位置決めや動きの精度
を厳しく管理する必要がある。このためボンディング操
作の制御に困難さを伴いやすいだけでなく、最終段階で
樹脂封止するときにワイヤが変形する可能性も高いので
製品の信頼性にも大きく影響する。
記載のように、ワイヤのボンディング形態によってルー
プの形成位置を操作するものでは、素子とリードフレー
ムに対するボンディングツールの位置決めや動きの精度
を厳しく管理する必要がある。このためボンディング操
作の制御に困難さを伴いやすいだけでなく、最終段階で
樹脂封止するときにワイヤが変形する可能性も高いので
製品の信頼性にも大きく影響する。
【０００８】一方、ワイヤのループの頂点どうしの間の
距離を確保するため、リードフレームに素子を搭載する
部分を凹ませるように曲げ加工し、この凹みに相当する
長さを素子どうしの間の距離に反映させてワイヤどうし
の接近を抑えるようにしたものもある。この方式では、
ワイヤのボンディングについては支障はないものの、薄
いリードフレームの微小な一部に曲げ加工を施すこと自
体が困難であり、応力集中による強度低下も無視できな
い。
距離を確保するため、リードフレームに素子を搭載する
部分を凹ませるように曲げ加工し、この凹みに相当する
長さを素子どうしの間の距離に反映させてワイヤどうし
の接近を抑えるようにしたものもある。この方式では、
ワイヤのボンディングについては支障はないものの、薄
いリードフレームの微小な一部に曲げ加工を施すこと自
体が困難であり、応力集中による強度低下も無視できな
い。
【０００９】本発明において解決すべき課題は、ワイヤ
のボンディングが良好に行えるとともにリードフレーム
の強度も十分に保ってワイヤのループの頂点部の接近を
抑えて電気絶縁耐圧の低下がないフォトカプラーを提供
することにある。
のボンディングが良好に行えるとともにリードフレーム
の強度も十分に保ってワイヤのループの頂点部の接近を
抑えて電気絶縁耐圧の低下がないフォトカプラーを提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光素子及び
受光素子をそれぞれ搭載する一対のリードフレームを前
記発光素子及び受光素子が対向する関係として配置し、
前記発光素子及び受光素子のそれぞれの対向面の電極パ
ッドと前記発光素子及び受光素子をそれぞれ搭載した前
記リードフレームとの間をワイヤによってボンディング
したフォトカプラーであって、前記一対のリードフレー
ムは、リードとその先端部に形成され前記発光素子及び
受光素子を搭載するマウント部とを備え、前記発光素子
及び受光素子の少なくとも一方の前記マウント部は、前
記リードよりも薄肉として前記リードの表面との間に落
差を持つ断面形状とし且つ前記リードから少なくとも１
辺の片持ち支持として展開形成してなることを特徴とす
る。
受光素子をそれぞれ搭載する一対のリードフレームを前
記発光素子及び受光素子が対向する関係として配置し、
前記発光素子及び受光素子のそれぞれの対向面の電極パ
ッドと前記発光素子及び受光素子をそれぞれ搭載した前
記リードフレームとの間をワイヤによってボンディング
したフォトカプラーであって、前記一対のリードフレー
ムは、リードとその先端部に形成され前記発光素子及び
受光素子を搭載するマウント部とを備え、前記発光素子
及び受光素子の少なくとも一方の前記マウント部は、前
記リードよりも薄肉として前記リードの表面との間に落
差を持つ断面形状とし且つ前記リードから少なくとも１
辺の片持ち支持として展開形成してなることを特徴とす
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、発光素子
及び受光素子をそれぞれ搭載する一対のリードフレーム
を前記発光素子及び受光素子が対向する関係として配置
し、前記発光素子及び受光素子のそれぞれの対向面の電
極パッドと前記発光素子及び受光素子をそれぞれ搭載し
た前記リードフレームとの間をワイヤによってボンディ
ングしたフォトカプラーであって、前記一対のリードフ
レームは、リードとその先端部に形成され前記発光素子
及び受光素子を搭載するマウント部とを備え、前記発光
素子及び受光素子の少なくとも一方の前記マウント部
は、前記リードよりも薄肉として前記リードの表面との
間に落差を持つ断面形状とし且つ前記リードから少なく
とも１辺の片持ち支持として展開形成してなるフォトカ
プラーであり、発光側及び受光側の素子をマウント部に
沈み込ませるようにしてリードフレームに搭載でき、素
子どうしの間の距離を拡げて、ボンディング用のワイヤ
のループの頂点部の間の距離を適正化するという作用を
有する。
及び受光素子をそれぞれ搭載する一対のリードフレーム
を前記発光素子及び受光素子が対向する関係として配置
し、前記発光素子及び受光素子のそれぞれの対向面の電
極パッドと前記発光素子及び受光素子をそれぞれ搭載し
た前記リードフレームとの間をワイヤによってボンディ
ングしたフォトカプラーであって、前記一対のリードフ
レームは、リードとその先端部に形成され前記発光素子
及び受光素子を搭載するマウント部とを備え、前記発光
素子及び受光素子の少なくとも一方の前記マウント部
は、前記リードよりも薄肉として前記リードの表面との
間に落差を持つ断面形状とし且つ前記リードから少なく
とも１辺の片持ち支持として展開形成してなるフォトカ
プラーであり、発光側及び受光側の素子をマウント部に
沈み込ませるようにしてリードフレームに搭載でき、素
子どうしの間の距離を拡げて、ボンディング用のワイヤ
のループの頂点部の間の距離を適正化するという作用を
有する。
【００１２】請求項２に記載の発明は、前記リードフレ
ームは、前記発光素子及び受光素子を搭載する一次リー
ドと、前記ワイヤがボンディングされる二次リードとを
備え、前記一次リードと二次リードの厚さを等しくして
なる請求項１記載のフォトカプラーであり、マウント部
に搭載した素子の電極パッドと二次リード側との間の落
差を小さくでき、電極パッドにワイヤをボールボンディ
ングする場合でも、ワイヤのループを緩やかにでき、ワ
イヤどうしが過度に接近しないアセンブリが得られると
いう作用を有する。
ームは、前記発光素子及び受光素子を搭載する一次リー
ドと、前記ワイヤがボンディングされる二次リードとを
備え、前記一次リードと二次リードの厚さを等しくして
なる請求項１記載のフォトカプラーであり、マウント部
に搭載した素子の電極パッドと二次リード側との間の落
差を小さくでき、電極パッドにワイヤをボールボンディ
ングする場合でも、ワイヤのループを緩やかにでき、ワ
イヤどうしが過度に接近しないアセンブリが得られると
いう作用を有する。
【００１３】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１４】図１は本発明のフォトカプラーの概略を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【００１５】図１において、フォトカプラーは従来構造
と同様に、発光側及び受光側のリードフレーム１，２
と、これらのリードフレーム１，２にそれぞれ搭載した
発光素子３及び受光素子４と、全体を封止するエポキシ
樹脂を利用したパッケージ５とから構成されている。発
光素子３は発光効率が高いとされている例えばＧａＡｓ
化合物半導体を利用した赤外発光のダイオード（ＬＥ
Ｄ）であり、受光素子４はたとえばシリコンフォトトラ
ンジスタやフォトダイオードである。
と同様に、発光側及び受光側のリードフレーム１，２
と、これらのリードフレーム１，２にそれぞれ搭載した
発光素子３及び受光素子４と、全体を封止するエポキシ
樹脂を利用したパッケージ５とから構成されている。発
光素子３は発光効率が高いとされている例えばＧａＡｓ
化合物半導体を利用した赤外発光のダイオード（ＬＥ
Ｄ）であり、受光素子４はたとえばシリコンフォトトラ
ンジスタやフォトダイオードである。
【００１６】図２はリードフレーム１への発光素子３の
搭載構造の要部を示す詳細であって、同図の（ａ）は図
１における底面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
線矢視での断面図である。
搭載構造の要部を示す詳細であって、同図の（ａ）は図
１における底面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
線矢視での断面図である。
【００１７】図示の例では、１個のパッケージ５の中に
２個の発光素子３を組み込む構成であり、リードフレー
ム１は実装するプリント配線基板（図示せず）の配線パ
ターンにそれぞれ独立して導通させるため一次リード１
ａと二次リード１ｂの２本を一組としたものである。そ
して、これらの一次及び二次のリード１ａ，１ｂの先端
部には発光素子３を搭載するためのほぼ正方形の平面形
状を持つマウント部１ｃ，１ｄを形成している。これら
のマウント部１ｃ，１ｄは同図の（ａ）に示すように、
一次及び二次のリード１ａ，１ｂの長手方向に位置をず
らして配置されたものである。なお、図１では説明を判
りやすくするため、二次リード１ｂ側だけを図示してい
る。
２個の発光素子３を組み込む構成であり、リードフレー
ム１は実装するプリント配線基板（図示せず）の配線パ
ターンにそれぞれ独立して導通させるため一次リード１
ａと二次リード１ｂの２本を一組としたものである。そ
して、これらの一次及び二次のリード１ａ，１ｂの先端
部には発光素子３を搭載するためのほぼ正方形の平面形
状を持つマウント部１ｃ，１ｄを形成している。これら
のマウント部１ｃ，１ｄは同図の（ａ）に示すように、
一次及び二次のリード１ａ，１ｂの長手方向に位置をず
らして配置されたものである。なお、図１では説明を判
りやすくするため、二次リード１ｂ側だけを図示してい
る。
【００１８】リードフレーム１を構成している一次及び
二次のリード１ａ，１ｂは、従来周知のものと同様に１
５０μｍ〜２００μｍ程度の厚さである。これに対し
て、マウント部１ｃは同図の（ａ）から明らかなように
一次リード１ａに比べて薄く、約７０μｍ〜８０μｍ程
度の厚さであり、二次リード１ｂ側のマウント部１ｄも
同様である。そして、マウント部１ｃ，１ｄに搭載され
る発光素子３は、それぞれリード１ｂ，１ａとの間にＡ
ｕ線のワイヤ６ａ，６ｂがボンディングされる。
二次のリード１ａ，１ｂは、従来周知のものと同様に１
５０μｍ〜２００μｍ程度の厚さである。これに対し
て、マウント部１ｃは同図の（ａ）から明らかなように
一次リード１ａに比べて薄く、約７０μｍ〜８０μｍ程
度の厚さであり、二次リード１ｂ側のマウント部１ｄも
同様である。そして、マウント部１ｃ，１ｄに搭載され
る発光素子３は、それぞれリード１ｂ，１ａとの間にＡ
ｕ線のワイヤ６ａ，６ｂがボンディングされる。
【００１９】ここで、同図の（ｂ）から明らかなよう
に、マウント部１ｃは一次及び二次のリード１ａ，１ｂ
の表面に比べると下に落ち込んでいるため、このマウン
ト部１ｃに発光素子３を搭載したときのその上面の電極
パッド３ａと二次リード１ｂの表面との落差は小さくな
る。したがって、電極パッド３ａと二次リード１ｂとの
間にボンディングするワイヤ６ａのループは、たとえば
一次リード１ａの肉厚と同じとしたマウント部１ｃに発
光素子３を搭載する場合に比べて低くなる。なお、マウ
ント部１ｄに搭載した発光素子３の電極パッド３ａと一
次リード１ａとの間のボンディング用のワイヤ６ｂにつ
いても全く同様である。
に、マウント部１ｃは一次及び二次のリード１ａ，１ｂ
の表面に比べると下に落ち込んでいるため、このマウン
ト部１ｃに発光素子３を搭載したときのその上面の電極
パッド３ａと二次リード１ｂの表面との落差は小さくな
る。したがって、電極パッド３ａと二次リード１ｂとの
間にボンディングするワイヤ６ａのループは、たとえば
一次リード１ａの肉厚と同じとしたマウント部１ｃに発
光素子３を搭載する場合に比べて低くなる。なお、マウ
ント部１ｄに搭載した発光素子３の電極パッド３ａと一
次リード１ａとの間のボンディング用のワイヤ６ｂにつ
いても全く同様である。
【００２０】図３は他方のリードフレーム２への受光素
子４の搭載構造の要部の詳細であって、同図の（ａ）は
図１における平面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＢ−
Ｂ線矢視図である。
子４の搭載構造の要部の詳細であって、同図の（ａ）は
図１における平面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＢ−
Ｂ線矢視図である。
【００２１】リードフレーム２は受光素子４への通電の
ために一次リード２ａと二次リード２ｂとから構成され
たもので、これらに一次及び二次リード２ａ，２ｂは発
光側のリードフレーム１と同様にプリント配線基板（図
示せず）に接続され、一次リード２ａの先端部には受光
素子４を搭載するためのマウント部２ｃを形成してい
る。リードフレーム２についても、一次及び二次のリー
ド２ａ，２ｂの肉厚はリードフレーム１の場合と同様に
１５０μｍ〜２００μｍ程度であり、受光素子４の搭載
に十分な機械的強度を持つ。そして、マウント部２ｃ
は、同図の（ａ）に示すように、ほぼ長方形の平面形状
を持ち、その隣合う２辺がリード２ａの肉厚のままとし
たガード２ｄとして形成されている。
ために一次リード２ａと二次リード２ｂとから構成され
たもので、これらに一次及び二次リード２ａ，２ｂは発
光側のリードフレーム１と同様にプリント配線基板（図
示せず）に接続され、一次リード２ａの先端部には受光
素子４を搭載するためのマウント部２ｃを形成してい
る。リードフレーム２についても、一次及び二次のリー
ド２ａ，２ｂの肉厚はリードフレーム１の場合と同様に
１５０μｍ〜２００μｍ程度であり、受光素子４の搭載
に十分な機械的強度を持つ。そして、マウント部２ｃ
は、同図の（ａ）に示すように、ほぼ長方形の平面形状
を持ち、その隣合う２辺がリード２ａの肉厚のままとし
たガード２ｄとして形成されている。
【００２２】このようなマウント部２ｃを備えるリード
フレーム２においても、マウント部２ｃが二次リード２
ｂの表面よりも下がっているので、受光素子４の上面の
電極パッド４ａと二次リード２ｂとの間にボンディング
するワイヤ７のループ高さを低くできる。
フレーム２においても、マウント部２ｃが二次リード２
ｂの表面よりも下がっているので、受光素子４の上面の
電極パッド４ａと二次リード２ｂとの間にボンディング
するワイヤ７のループ高さを低くできる。
【００２３】このように、発光素子３及び受光素子４の
それぞれにボンディングされるワイヤ６ａ，６ｂ，７の
ループの高さを従来構造に比べて低くできる。なお、こ
のボンディングでは、素子３，４側ではボールボンディ
ングとし、リードフレーム１，２側ではエッジボンディ
ングとすることで、ツールの位置決めや移動の制御は従
来のものをそのまま適用でき、制御が煩雑になったりハ
ンドリングに支障をきたしたりすることはない。
それぞれにボンディングされるワイヤ６ａ，６ｂ，７の
ループの高さを従来構造に比べて低くできる。なお、こ
のボンディングでは、素子３，４側ではボールボンディ
ングとし、リードフレーム１，２側ではエッジボンディ
ングとすることで、ツールの位置決めや移動の制御は従
来のものをそのまま適用でき、制御が煩雑になったりハ
ンドリングに支障をきたしたりすることはない。
【００２４】また、ワイヤ６ａ，６ｂ，７のループ高さ
が低く抑えらるれるので、図１のようにリードフレーム
１，２をアセンブリしてパッケージ５で封止したときに
は、発光素子３側のワイヤ６ａ，６ｂと受光素子４側の
ワイヤ７との間の間隔を十分に開けることができる。こ
のため、発光側と受光側のワイヤ６ａ，６ｂ，７の接近
による電気絶縁耐圧の低下がなくなる。そして、ワイヤ
６ａ，６ｂ，７の間の上下方向の間隔を、電気絶縁耐圧
の低下の発生がない程度まで短くできるので、パッケー
ジ５の薄型化も可能となり、フォトカプラーの小型化が
図られる。
が低く抑えらるれるので、図１のようにリードフレーム
１，２をアセンブリしてパッケージ５で封止したときに
は、発光素子３側のワイヤ６ａ，６ｂと受光素子４側の
ワイヤ７との間の間隔を十分に開けることができる。こ
のため、発光側と受光側のワイヤ６ａ，６ｂ，７の接近
による電気絶縁耐圧の低下がなくなる。そして、ワイヤ
６ａ，６ｂ，７の間の上下方向の間隔を、電気絶縁耐圧
の低下の発生がない程度まで短くできるので、パッケー
ジ５の薄型化も可能となり、フォトカプラーの小型化が
図られる。
【００２５】
【発明の効果】本発明では、発光側と受光側の素子どう
しの間の間隔を拡げたアセンブリとなるので、ボンディ
ング用のワイヤの過度の接近がなくなり、電気絶縁耐圧
の低下を招くことがなく、リードフレーム自身の間の間
隔を拡げないでもワイヤの干渉が防止できるので、パッ
ケージを含む全体が薄型化できる。そして、マウント部
分を薄肉としていてもリード側から片持ち構造として展
開させることによって、マウント部を補強でき、その変
形を生じることもない。
しの間の間隔を拡げたアセンブリとなるので、ボンディ
ング用のワイヤの過度の接近がなくなり、電気絶縁耐圧
の低下を招くことがなく、リードフレーム自身の間の間
隔を拡げないでもワイヤの干渉が防止できるので、パッ
ケージを含む全体が薄型化できる。そして、マウント部
分を薄肉としていてもリード側から片持ち構造として展
開させることによって、マウント部を補強でき、その変
形を生じることもない。
【００２６】また、一次リードと二次リードとを同じ厚
さとしたものでは、素子の電極パッドと二次リードの表
面どうしの間の落差が小さくなるので、ワイヤのループ
高さが抑えられ、電気絶縁耐圧をより効果的に高く維持
できる。
さとしたものでは、素子の電極パッドと二次リードの表
面どうしの間の落差が小さくなるので、ワイヤのループ
高さが抑えられ、電気絶縁耐圧をより効果的に高く維持
できる。
【図１】本発明のフォトカプラーの要部を示す概略縦断
面図
面図
【図２】発光素子のリードフレームへの導通搭載構造の
詳細であって、 （ａ）は図１における底面図 （ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視による縦断面図
詳細であって、 （ａ）は図１における底面図 （ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視による縦断面図
【図３】受光素子のリードフレームへの導通搭載構造の
詳細であって、 （ａ）は図１における要部の平面図 （ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視図
詳細であって、 （ａ）は図１における要部の平面図 （ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視図
【図４】従来のフォトカプラーの基本構成を示す概略図
１ リードフレーム １ａ 一次リード １ｂ 二次リード １ｃ，１ｄ マウント部 ２ リードフレーム ２ａ 一次リード ２ｂ 二次リード ２ｃ マウント部 ３ 発光素子 ３ａ 電極パッド ４ 受光素子 ４ａ 電極パッド ５ パッケージ ６ａ，６ｂ ワイヤ ７ ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 25/16 Ｈ０１Ｌ 25/16 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 発光素子及び受光素子をそれぞれ搭載す
る一対のリードフレームを前記発光素子及び受光素子が
対向する関係として配置し、前記発光素子及び受光素子
のそれぞれの対向面の電極パッドと前記発光素子及び受
光素子をそれぞれ搭載した前記リードフレームとの間を
ワイヤによってボンディングしたフォトカプラーであっ
て、前記一対のリードフレームは、リードとその先端部
に形成され前記発光素子及び受光素子を搭載するマウン
ト部とを備え、前記発光素子及び受光素子の少なくとも
一方の前記マウント部は、前記リードよりも薄肉として
前記リードの表面との間に落差を持つ断面形状とし且つ
前記リードから少なくとも１辺の片持ち支持として展開
形成してなるフォトカプラー。 - 【請求項２】 前記リードフレームは、前記発光素子及
び受光素子を搭載する一次リードと、前記ワイヤがボン
ディングされる二次リードとを備え、前記一次リードと
二次リードの厚さを等しくしてなる請求項１記載のフォ
トカプラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094899A JP2000228533A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | フォトカプラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094899A JP2000228533A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | フォトカプラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228533A true JP2000228533A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12317908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094899A Pending JP2000228533A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | フォトカプラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332361A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 半導体装置、およびこれを用いた電子機器、ならびに半導体装置のリサイクル方法 |
| JP2017135214A (ja) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-02-09 JP JP3094899A patent/JP2000228533A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332361A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 半導体装置、およびこれを用いた電子機器、ならびに半導体装置のリサイクル方法 |
| JP2017135214A (ja) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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