JPH0621304A - リードフレーム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0621304A JPH0621304A JP4177885A JP17788592A JPH0621304A JP H0621304 A JPH0621304 A JP H0621304A JP 4177885 A JP4177885 A JP 4177885A JP 17788592 A JP17788592 A JP 17788592A JP H0621304 A JPH0621304 A JP H0621304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- lead
- lead frame
- die pad
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】集積回路チップを搭載する略四角形のダイパッ
ドの集縁に配置され、一端をダイパッドに向けたインナ
ーリードによって構成されるリードフレームにおいて、
インナーリードのワイヤステッチボンド（内部リード端
子においてのセカンドボンディング点）近傍にハーフエ
ッチングを設ける。 【効果】インナーリードと樹脂との密着性を高めること
ができ、それと同時に、リードの移動、ワイヤ切れとい
った不良発生を防止する。
ドの集縁に配置され、一端をダイパッドに向けたインナ
ーリードによって構成されるリードフレームにおいて、
インナーリードのワイヤステッチボンド（内部リード端
子においてのセカンドボンディング点）近傍にハーフエ
ッチングを設ける。 【効果】インナーリードと樹脂との密着性を高めること
ができ、それと同時に、リードの移動、ワイヤ切れとい
った不良発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型の半導体装置
の外部リード付け組立に使用されるリードフレーム、特
にリードフレームのハーフエッチングの形状に関する。
の外部リード付け組立に使用されるリードフレーム、特
にリードフレームのハーフエッチングの形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームを用いた半導体装
置は図４に示すように導電性ワイヤ６によりリードフレ
ームのインナーリード３のワイヤステッチボンド（内部
リード端子においてのセカンドボンディング点）と集積
回路チップ５のパッド部とを接続するワイヤボンディン
グ工程は半導体装置の組立工程の１つである。リードフ
レームのインナーリード３の表面粗さは部材である４２
ＡｌｌｏｙやＣｕの素材としての表面粗さのままであっ
た。
置は図４に示すように導電性ワイヤ６によりリードフレ
ームのインナーリード３のワイヤステッチボンド（内部
リード端子においてのセカンドボンディング点）と集積
回路チップ５のパッド部とを接続するワイヤボンディン
グ工程は半導体装置の組立工程の１つである。リードフ
レームのインナーリード３の表面粗さは部材である４２
ＡｌｌｏｙやＣｕの素材としての表面粗さのままであっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来の
技術を用いた方法では、図４に示すようにリードフレー
ムのインナーリード３部平面が平坦であるためにインナ
ーリード３を樹脂で封止したとき、インナーリード３と
樹脂との密着性が悪くなりパッケージのハンダ時にパッ
ケージクラックが発生した。そのため樹脂が図４に示し
たように矢印７の方向に熱収縮されたとき、インナーリ
ード３は相対方向（矢印８の）に動き、インナーリード
３が移動したり、インナーリード３先端にボンディング
されたワイヤ６が切れるなどという問題が生じた。した
がって以上の課題を克服するためのリードフレームを提
供するところにある。
技術を用いた方法では、図４に示すようにリードフレー
ムのインナーリード３部平面が平坦であるためにインナ
ーリード３を樹脂で封止したとき、インナーリード３と
樹脂との密着性が悪くなりパッケージのハンダ時にパッ
ケージクラックが発生した。そのため樹脂が図４に示し
たように矢印７の方向に熱収縮されたとき、インナーリ
ード３は相対方向（矢印８の）に動き、インナーリード
３が移動したり、インナーリード３先端にボンディング
されたワイヤ６が切れるなどという問題が生じた。した
がって以上の課題を克服するためのリードフレームを提
供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、集積回路チップを搭載する略四角形のダイパッドの
集縁に配置され、一端をダイパッドに向けたインナーリ
ードによって構成されるリードフレームにおいて、前記
インナーリードステッチボンド近傍にハーフエッチング
を設けることを特徴とする。
は、集積回路チップを搭載する略四角形のダイパッドの
集縁に配置され、一端をダイパッドに向けたインナーリ
ードによって構成されるリードフレームにおいて、前記
インナーリードステッチボンド近傍にハーフエッチング
を設けることを特徴とする。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１により説明す
る。図１は、本発明の実施例を示すダイパッド部およ
び、インナーリード先端部の断面図である。集積回路チ
ップ５を搭載するための略四角形のダイパッド１は、そ
の四隅においてダイパッド吊りリードによって支持され
ている。インナーリード３は集積回路チップ５上のパッ
ドとインナーリード３先端をワイヤ６でボンディングす
ることによってチップ５への信号の入出力を行なってい
る。
る。図１は、本発明の実施例を示すダイパッド部およ
び、インナーリード先端部の断面図である。集積回路チ
ップ５を搭載するための略四角形のダイパッド１は、そ
の四隅においてダイパッド吊りリードによって支持され
ている。インナーリード３は集積回路チップ５上のパッ
ドとインナーリード３先端をワイヤ６でボンディングす
ることによってチップ５への信号の入出力を行なってい
る。
【０００６】インナーリード３のワイヤステッチボンド
近傍には横に細長いハーフエッチング部２が設けられて
いる。
近傍には横に細長いハーフエッチング部２が設けられて
いる。
【０００７】図２もまた本発明の他の実施例を示す平面
図である。
図である。
【０００８】図２にあるのはインナーリード３のワイヤ
ステッチボンド近傍に設けられた、縦に細長いハーフエ
ッチング部４である。
ステッチボンド近傍に設けられた、縦に細長いハーフエ
ッチング部４である。
【０００９】本発明ではハーフエッチングは同形状のも
のと、インナーリード先端からの距離も等しいもので説
明したがこれは異形状でインナーリード先端からの距離
も異なっていても良い。
のと、インナーリード先端からの距離も等しいもので説
明したがこれは異形状でインナーリード先端からの距離
も異なっていても良い。
【００１０】前記に示した、図１、図２にあるハーフエ
ッチング部２、４はリードフレームの表面に設けたもの
を示した図である。
ッチング部２、４はリードフレームの表面に設けたもの
を示した図である。
【００１１】図３は本発明の他の実施例を示すダイパッ
ド部およびインナーリード先端部の断面図である。
ド部およびインナーリード先端部の断面図である。
【００１２】図３（ａ）はインナーリード３のワイヤス
テッチボンド近傍の裏面にハーフエッチング部９を設け
たものである。
テッチボンド近傍の裏面にハーフエッチング部９を設け
たものである。
【００１３】図３（ｂ）はインナーリード３のワイヤス
テッチボンド近傍の両面にハーフエッチング部１０を設
けたものである。
テッチボンド近傍の両面にハーフエッチング部１０を設
けたものである。
【００１４】図３（ｃ）はインナーリード３のワイヤス
テッチボンド近傍の表面、もしくは裏面、あるいは両面
に複数のハーフエッチング部１１を設けたものである。
テッチボンド近傍の表面、もしくは裏面、あるいは両面
に複数のハーフエッチング部１１を設けたものである。
【００１５】今まで、インナーリードのワイヤステッチ
ボンド近傍が平坦であるためにインナーリードと樹脂と
の密着性が悪くなっていた。しかし本発明は、前記に示
したハーフエッチング部を設けることによりインナーリ
ードを樹脂で封止した時インナーリードと樹脂との密着
性を高めることができた。
ボンド近傍が平坦であるためにインナーリードと樹脂と
の密着性が悪くなっていた。しかし本発明は、前記に示
したハーフエッチング部を設けることによりインナーリ
ードを樹脂で封止した時インナーリードと樹脂との密着
性を高めることができた。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明において、イ
ンナーリードのワイヤステッチボンド近傍にハーフエッ
チング部を設けることによりインナーリードと樹脂との
密着性を高めることができ、それと同時に、リードの移
動、ワイヤ切れといった不良発生を防止するという優れ
た効果を有する。
ンナーリードのワイヤステッチボンド近傍にハーフエッ
チング部を設けることによりインナーリードと樹脂との
密着性を高めることができ、それと同時に、リードの移
動、ワイヤ切れといった不良発生を防止するという優れ
た効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す平面図。
【図３】（ａ）本発明の他の実施例を示す断面図。 （ｂ）本発明の他の実施例を示す断面図。 （ｃ）本発明の他の実施例を示す断面図。
【図４】従来の技術を示す断面図。
１ ・・・ダイパッド部 ２、４・・・ハーフエッチング部 ３ ・・・インナーリード先端部 ５ ・・・集積回路チップ ６ ・・・ワイヤ ７ ・・・インナーリードの収縮方向 ８ ・・・樹脂の収縮方向 ９ ・・・ハーフエッチング部 １０ ・・・ハーフエッチング部 １１ ・・・ハーフエッチング部
Claims (2)
- 【請求項１】 集積回路チップを搭載する略四角形のダ
イパッドと、前記ダイパッドの集縁に配置され、一端を
ダイパッドに向けたインナーリードによって構成される
リードフレームにおいて、前記インナーリードのステッ
チボンド近傍にハーフエッチングを設けたことを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームを用いた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177885A JPH0621304A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177885A JPH0621304A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621304A true JPH0621304A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16038763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4177885A Pending JPH0621304A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621304A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955778A (en) * | 1996-10-08 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Lead frame with notched lead ends |
| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6900524B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same |
| JP2013016819A (ja) * | 2004-12-16 | 2013-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4177885A patent/JPH0621304A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955778A (en) * | 1996-10-08 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Lead frame with notched lead ends |
| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6900524B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same |
| US7538416B2 (en) | 1997-06-27 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP2013016819A (ja) * | 2004-12-16 | 2013-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
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