JP2000231201A

JP2000231201A - パターン形成方法

Info

Publication number: JP2000231201A
Application number: JP1368799A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Sato; 弘章佐藤; Shinji Kanda; 真治神田
Original assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd; Fuji Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp; Fuji Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-01-22
Filing date: 1999-01-22
Publication date: 2000-08-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】プラズマディスプレイパネルの隔壁形成や電
極形成等のパターン形成に有効なパターン形成方法を提
供すること。【解決方法】基板１上に感光性樹脂組成物層３を積層
し（工程１）、パターンマスクを介して露光（工程
２）、現像（工程３）を行ってレジスト画像を形成（工
程４）した後、該形成されたレジスト画像の凹部に低融
点ガラスペースト等のパターン形成材料を埋め込み（工
程５）、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサンドブラ
スト加工により除去（工程６）した後、焼成炉を通して
焼結することにより基板上にパターンが形成される（工
程７）。ことを特徴とするパターン形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの隔壁形成や電極形成等の厚膜パターンを形
成する方法に関するものであり、更に詳しくはリフトオ
フ法において、感光性樹脂組成物の硬化レジストを容易
に除去することができるため、良好なパターン形成がで
きるパターン形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、隔壁形成等の低融点ガラスのパタ
ーン形成や配線等の電極形成の方法として、スクリーン
印刷法、サンドブラスト法、リフトオフ法等が行われて
きた。パターン形成材料に低融点ガラスを使用したプラ
ズマディスプレイパネルの隔壁形成の場合、スクリーン
印刷法では、基板上にスクリーン印刷法で低融点ガラス
ペーストを同じパターンで所定の厚みまで何回も重ね刷
りして隔壁パターンを形成し、その後、焼成することに
より低融点ガラスのガラス化を行っている。

【０００３】サンドブラスト法では、低融点ガラスペー
ストをコーターもしくはスクリーン印刷にて全面均一に
塗布し、乾燥後、サンドブラスト用のフォトレジストフ
ィルムをラミネートして、露光、現像を行い、レジスト
画像を形成し、その後サンドブラスト装置にて研磨材を
吹き付けレジスト膜で保護された低融点ガラスペースト
以外の部分の低融点ガラスペーストを研削、除去し、レ
ジストを剥離後焼成することにより隔壁を形成する。リ
フトオフ法では、基板上にフォトレジストフィルムをラ
ミネートし（必要に応じて所定の厚みにしたいときは何
回も繰り返してラミネートする。）、その後マスクをの
せて露光、現像を行いレジスト画像を形成し、該レジス
ト画像の凹部に低融点ガラスペーストを埋め込み乾燥し
た後、アルカリ剥離液に浸しレジストを膨潤させて該レ
ジストを剥離し、残った低融点ガラス部を焼成すること
により隔壁を形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ス
クリーン印刷法によるパターン形成方法では、例えば１
８０μｍに形成するためには１０回以上繰り返して印刷
を行わなければならないため、同じ位置に正確に重ね刷
りするには限界があり、大きな基板サイズに均一なパタ
ーンを形成することが困難であった。又、同様の理由で
形成するパターンをファイン化するにも限界があり、量
産性を考慮すると８０μｍ以下に形成することは困難で
あった。従って、スクリーン印刷法によるパターン形成
では、プラズマディスプレイパネルの大型化、高精細
化、高輝度化を図る上で困難である。

【０００５】又、サンドブラスト法によるパターン形成
方法では、高精細化で大型基板に対応できており、現状
では高精細化又は大型化のプラズマディスプレイパネル
の隔壁形成においてはこの方法が採用されているが、低
融点ガラス等のパターン形成材料を基板に全面塗布して
サンドブラストで削り取るため、削り取られた材料が廃
棄され、材料コストが高くなってしまう。プラズマディ
スプレイパネルの隔壁形成では、塗布された低融点ガラ
スの７５％が捨てられ利用されるのは２５％である。
又、削られた低融点ガラスは破砕された研磨材と混ざっ
てしまい再生が難しく、鉛ガラス等が入っているため廃
棄にもコストがかかってしまう、といった欠点がある。

【０００６】一方、リフトオフ法によるパターン形成方
法においては、レジスト画像の凹部にパターン形成材料
を埋め込むため、必要な部分のみ材料を使用するので低
融点ガラスの廃棄の必要がなく、非常に効率のよい方法
であるが、厚膜の感光性樹脂組成物の硬化レジストを剥
離する際には剥離液に浸漬して該レジストを膨潤させて
剥離させるため、レジスト画像の凹部に埋め込んだパタ
ーン形成材料も一緒に剥離してしまうという欠点があっ
た。特に、プラズマディスプレイパネルの隔壁形成にお
いてはレジストのパターンと埋め込む低融点ガラスのパ
ターンの比が３：１で、低融点ガラスのパターンのほう
が狭く、又形成する低融点ガラスのパターンの高さも約
１８０μｍと高いため、レジストの剥離が非常に難し
く、レジストの剥離と一緒に、埋め込んだ低融点ガラス
の剥離も起こってしまう。そのため、現実的にはプラズ
マディスプレイパネルの隔壁形成では使用されていない
状況である。

【０００７】そこで、本発明ではこのような背景下にお
いて、埋め込むパターン形成材料を効率よく使用してパ
ターン形成することができ、更にパターン形成材料の埋
め込み後のレジスト剥離を良好に行うことができるパタ
ーン形成方法を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【問題を解決するための手段】しかるに、本発明者等
は、かかる事情に鑑み鋭意研究をした結果、基板上に感
光性樹脂組成物層を積層し、パターンマスクを介して露
光、現像を行ってレジスト画像を形成した後、該形成さ
れたレジスト画像の凹部にパターン形成材料を埋め込
み、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサンドブラスト
加工により除去するパターン形成方法が、上記目的に合
致することを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００９】即ち、埋め込んだパターン形成材料を剥離
することなく、硬化レジストのみを除去することができ
る有効な方法である。本発明では特に、パターン形成材
料がガラスペーストであるときプラズマディスプレイパ
ネルの隔壁形成に有用で、又、パターン形成材料が電極
形成性材料であるときプラズマディスプレイパネルの電
極形成に有用である。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる
（図１参照）。（工程１）本発明では、先ず感光性樹脂組成物層を基板
上に積層するわけであるが、かかる感光性樹脂組成物と
しては、サンドブラストにより削れやすいものであれば
特に限定されない。該感光性樹脂組成物としては、ベー
スポリマー、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤か
らなるものであり、例えば、下記のものが好ましく用い
られる。

【００１１】酸価が１００〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇで
重量平均分子量が３００００〜１２００００のベースポ
リマー、エチレン性不飽和化合物、Ｐ，Ｐ′−ビス（ジ
アルキルアミノ）ベンゾフェノン、ヘキサアリールビイ
ミダゾール及びロイコ染料を含んでなり、ベースポリマ
ーとエチレン性不飽和化合物の合計１００重量部に対し
てＰ，Ｐ′−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン
を０．０１〜０．２５重量部、ヘキサアリールビイミダ
ゾールを１．０〜１０重量部、ロイコ染料を０．０５〜
２重量％含有し、かつエチレン性不飽和化合物が重合性
不飽和基を２個有してなるエチレン性不飽和化合物を９
５重量％以上含有してなる感光性樹脂組成物（特開平７
−２４８６２１号公報）、

【００１２】ベースポリマー、エチレン性不飽和化合
物、Ｎ−フェニルグリシン、Ｐ，Ｐ′−ビス（ジアルキ
ルアミノ）ベンゾフェノン、ｐＫａが２〜４の有機カル
ボン酸、ベンゾトリアゾール誘導体及びトリアジン誘導
体を含んでなり、ベースポリマーとエチレン性不飽和化
合物の合計１００重量部に対してＮ−フェニルグリシン
を０．０１〜５重量部、Ｐ，Ｐ′−ビス（ジアルキルア
ミノ）ベンゾフェノンを０．００５〜１．０重量部、ｐ
Ｋａが２〜４の有機カルボン酸を０．０５〜５重量部、
ベンゾトリアゾール誘導体を０．０３〜１．０重量部、
トリアジン誘導体を０．０１〜１．０重量部含有してな
る感光性樹脂組成物（特開平６−１４８８８１号公
報）、

【００１３】カルボキシル基含有ポリマー、エチレン
性不飽和化合物、ロフィン二量体、光重合開始剤（特に
ベンジルジメチルケタール）、ロイコ染料を含んでな
り、エチレン性不飽和化合物成分として下記（１）式で
示される化合物をエチレン性不飽和化合物成分全体に対
して５０〜１００重量％を含有し、更にカルボキシル基
含有ポリマーとエチレン性不飽和化合物の合計１００重
量部に対してロフィン二量体を０．５〜６．０重量部、
光重合開始剤を０．１〜１０重量部、ロイコ染料を０．
１〜３．０重量部含有してなる感光性樹脂組成物（特開
平１０−１１５９１６号公報）、

【００１４】

【化１】ここで、Ｒ₁、Ｒ₂は、炭素数１〜３のアルキル基又は水
素で、それらは同一であってもよいし、互いに異なって
いてもよい。ｎは４〜２０の整数である。

【００１５】酸価が９５〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇで、
重量平均分子量が５０００〜２０００００のベースポリ
マー、エチレン性不飽和化合物、自己開裂型開始剤を含
んでなり、エチレン性不飽和化合物中にエチレンオキシ
ド変性トリメチロールプロパントリアクリレートを５０
重量％以上含有してなる感光性樹脂組成物（特開平１０
−１６１３０６号公報）、

【００１６】ベースポリマー、エチレン性不飽和化合
物、光重合開始剤及びシラン系化合物を含んでなり、か
つエチレン性不飽和化合物として少なくともグリセリン
トリアクリレートを用いてなる感光性樹脂組成物（特開
平１０−１９８０３１号公報）、

【００１７】ベースポリマー、エチレン性不飽和化合
物、光重合開始剤及びシラン系化合物を含んでなり、か
つエチレン性不飽和化合物として少なくともポリエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレートを用いてなる感光
性樹脂組成物（特開平１０−１９８０３２号公報）、

【００１８】ベースポリマー、エチレン性不飽和化合
物及び光重合開始剤を含んでなり、かつベースポリマー
の共重合体主成分として（メタ）アクリル酸エステル、
（メタ）アクリル酸及び水酸基含有（メタ）アクリル酸
エステルを用いてなる感光性樹脂組成物（特開平１０−
１９８０３４号公報）、等が挙げられる。〜の感光性樹脂組成物の具体例については、それぞ
れの公開公報に記載の通りのものである。

【００１９】上記感光性樹脂組成物は、これをポリエス
テルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレン
フィルム等のベースフィルム面に塗工した後、必要に応
じてその塗工面の上からポリエチレンフィルム、ポリビ
ニルアルコール系フィルム等の保護フィルムを被覆して
フォトレジストフィルムとして使用される。フォトレジ
ストフィルム以外の用途としては、上記感光性樹脂組成
物をディップコート法、フローコート法、スクリーン印
刷法等の常法により、加工すべき基板上に直接塗工する
ことも可能である。塗工時にメチルエチルケトン、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、シクロヘキセン、メチルセルソルブ、塩化メチレ
ン、１，１，１−トリクロルエタン等の溶剤を添加する
こともできる。上記フォトレジストフィルムの感光性樹
脂組成物層の厚みは５〜３０μｍであることが好まし
く、これを７〜２５０μｍ厚みになるように重ね刷りす
ることが好ましい。

【００２０】基板上に上記感光性樹脂組成物層を積層す
るに際しては、フォトレジストフィルムのベースフィル
ムと感光性樹脂組成物層との接着力及び保護フィルムと
感光性樹脂組成物層との接着力を比較し、接着力の低い
方のフィルムを剥離してから感光性樹脂組成物層の側を
基板上に貼り付ける。

【００２１】（工程２）基板上に該感光性樹脂組成物層
を積層した後は、他方のフィルム上にパターンマスク
（ポリエステルフィルム、ガラスマスク等）を密着さ
せ、露光に供する。露光は通常紫外線照射により行い、
その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カ
ーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、
ケミカルランプ等が用いられる。紫外線照射後は、必要
に応じて加熱を行って、硬化の完全を図ることもでき
る。

【００２２】（工程３、４）露光後は、レジスト上のフ
ィルムを剥離除去してから現像を行い、未露光部分を除
去し、レジスト画像を形成する。かかる現像について
は、上記感光性樹脂組成物がアルカリ現像型であるの
で、炭酸ソーダ、炭酸カルシウム等のアルカリ０．５〜
３重量％程度の稀薄水溶液を用いて行う。

【００２３】（工程５）次いで、本発明では、形成され
たレジスト画像の凹部にパターン形成材料を埋め込み、
乾燥を行う。（工程６、７）乾燥後、感光性樹脂組成物の硬化レジス
トをサンドブラスト加工により除去し、厚膜等のパター
ンを形成する。上記パターン形成材料は、特に限定され
ることなく、用途に応じて種々の材料が選択されるが、
中でもプラズマディスプレイパネルの隔壁形成において
は、低融点ガラスペーストを用いることが好ましく、
又、プラズマディスプレイパネルの電極形成において
は、電極形成性材料を用いることが好ましい。

【００２４】隔壁形成を行うための低融点ガラスペース
トとしては、融点が４００〜６５０℃、好ましくは４０
０〜６００℃のものであり、具体的には、低融点ガラス
パウダー、骨剤、耐熱顔料等を有機バインダー樹脂に分
散させた有機ペースト材料等が挙げられ、骨剤として
は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓ
ＵＳ、マイカ等が用いられ、耐熱顔料としては、酸化ク
ロム、酸化鉄、酸化コバルト、酸化チタン、酸化銅、ア
ルミニウム等が挙げられる。又、該ペースト材料には、
硬化剤、安定剤、分散剤等の添加剤を配合することもで
きる。

【００２５】更に、上記有機バインダー樹脂として、熱
硬化性樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシア
クリレート樹脂、セルロース系樹脂、及びそれらの樹脂
に沸点が１５０℃以上である可塑剤を含有させたもの、
ポリブタジエン樹脂、ポリイソプレン樹脂等が挙げられ
る。

【００２６】該有機バインダーの含有量は、ガラスパウ
ダーと有機バインダー１００重量部に対して３〜４０重
量部であることが好ましく、更に好ましくは５〜３０重
量部、特に好ましくは１０〜３０重量部である。かかる
有機バインダーの含有量が３重量部未満ではブラストに
より硬化レジストを除去する際にセラミックパターンに
もダメージが起こることとなり、４０重量部を越えると
セラミックパターン形成後の焼成において残存炭素量が
増える可能性が高くなり好ましくない。

【００２７】又、ガラス成分は、通常平均粒径１０μｍ
以下の微粉末にして用いられるが、このガラス粉末の成
分として、特にその軟化点が５４０〜６５０℃、好まし
くは５４０〜６００℃のものを、その一部または全部に
用いることが好ましい。該軟化点が５４０℃未満ではガ
ラスの溶融が早すぎてガスの内包が発生し、６５０℃を
越えるとガラスが溶融せず隔壁強度が得られなくなり好
ましくない。上記隔壁形成においては、パターン形成材
料の厚みは７５〜２５０μｍであることが好ましく、特
に好ましくは１００〜２００μｍである。

【００２８】電極形成を行うための電極形成性材料とし
ては、銀含有ペースト、半田含有ペースト、亜鉛含有ペ
ースト、銅含有ペースト等が挙げられる。上記電極形成
においては、パターン形成材料の厚みは５〜７０μｍで
あることが好ましく、特に好ましくは７〜５０μｍであ
る。

【００２９】又、パターン形成材料の埋め込む方法につ
いては、上記凹部の開口部にパターン形成材料を流し込
み、ゴム又は金属等からなるスキージー又はスクレーバ
ー等をレジストパターン上部に接しながら基板と平行に
移動させながらはみ出した余分なパターン形成材料を除
去すると同時に、該開口部内に過不足なく充填し、次に
８０〜１２０℃程度で乾燥を行う。この埋め込み工程
は、必要に応じて複数回繰り返してもよいし、充填性に
よっては最後にスクリーン版を介して、上部全面にパタ
ーン形成材料を塗布した後、余剰分を切削や研磨によっ
て除去してもよい。ここで、ガラスペーストを埋め込む
際には、該ガラスペーストを酢酸ブチルカルビトール、
酢酸セロソルブアセテート、メチルナフタレン等の溶剤
にて、６０〜９０重量％程度に希釈しておくことが好ま
しい。

【００３０】サンドブラスト加工については、例えば、
粒子径が０．１〜１００μｍ程度のＳｉＣ、ＣａＣ
Ｏ₃、Ｈ₃ＢＯ₃等の無機粉体やブドウ糖等の有機粉体を
用いて、ブラスト圧０．５〜１０ｋｇで吹き付けて硬化
レジストの除去を行う。硬化レジストを除去した後は、
形成されたガラス等のパターン形成材料は焼成される。

【００３１】かくして本発明では、低融点ガラスペース
トや電極形成性材料等のパターン形成材料のパターニン
グにおいて、基板上、特にプラズマディスプレイパネル
形成用基板上に、感光性樹脂組成物のレジスト画像を形
成し、該レジスト画像の凹部にパターン形成材料を埋め
込み、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサンドブラス
ト加工により除去するため、埋め込んだパターン形成材
料が硬化レジストと一緒に剥がれるということがなく、
良好なパターン形成が得られるのである。

【００３２】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。尚、実施例中「％」、「部」とあるのは、断りの
ない限り重量基準を意味する。

【００３３】実施例１（ドープの調整）下記のベースポリマー（Ａ）に下記の
モノマー（Ｂ）、下記の光重合開始剤（Ｃ）及びその他
の添加剤（Ｄ）を混合して感光性樹脂組成物を調整し、
更に溶媒としてメチルエチルケトン１００部及びメチル
セロソルブ１０部を混合してドープを得た。

【００３４】ベースポリマー（Ａ）・メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／２− エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸の共重合割合が重量基準で５０／１０／１５／２５である共重合体（酸価１６３．１ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移点６６℃、重量平均分子量８万）６０部

【００３５】モノマー（Ｂ）・エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（大阪有機社製『ビスコート＃３６０』）３０部・フェノキシヘキサエチレングリコールアクリレート（新中村化学社製『ＡＭＰ−６０Ｇ』）１０部

【００３６】光重合開始剤（Ｃ）・ｐ，ｐ’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．０２部・ヘキサアリールビイミダゾール３．０部

【００３７】その他の添加剤（Ｄ）・ロイコクリスタルバイオレット０．３部・マラカイトグリーン０．０５部

【００３８】（フォトレジストフィルムの作製及び基板
へのラミネート）次に得られたドープを、ギャップ１０
ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリエス
テルフィルム上に塗工し、室温で１分３０秒間放置後、
６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ３分間
乾燥して、レジスト厚５０μｍのフォトレジストフィル
ム（保護フィルムは設けていない）を得た。これをガラ
ス基板にラミネートした後、該フォトレジストフィルム
のカバーフィルム（ポリエステルフィルム）を剥ぎ、更
に２層目のフォトレジストフィルムをラミネートした。
再度この操作を繰り返し１５０μｍ厚のフォトレジスト
フィルムの積層体を設けた。尚、上記のラミネート工程
においては、ガラス基板をオーブンで６０℃に予熱し、
ラミネートロール温度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃ
ｍ²、ラミネート速度１．５ｍ／ｍｉｎにてラミネート
した。

【００３９】（露光、現像）上記のフォトレジストフィ
ルムの積層体表面にライン／スペース＝３００μｍ／１
００μｍのパターンマスクを当てて、オーク製作所の露
光機ＨＭＷ−５３２Ｄにて２ｋｗ超高圧水銀灯で４５０
ｍｊで露光した。露光後１５分間のホールドタイムを取
った後、１％Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液、３０℃で最小現像時間
の１．５倍の時間で現像して、基板上に開口幅９７μ
ｍ、開口高さ１５０μｍのレジスト画像の凹部（雌型）
を形成させた。

【００４０】（パターン形成材料の埋め込み）上記の凹
部（雌型）によって得られた開口部に下記処方のガラス
ペースト（融点５５０℃）を流し込み、ゴム製のスキー
ジーにより、該開口部内に過不足なく充填した後、１２
０℃で６０分間乾燥を行った。この操作を３回繰り返し
て充填を行った。

【００４１】ガラスペースト・ガラスパウダー（ＰｂＯ／Ｂ₂Ｏ₅／ＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃／ＴｉＯ₂＝３１．１部／１５．１部／９．２部／３４．２部／１０．４部の混合物）７４部・バインダー（メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／メタクリル酸＝４５部／５４．５部／０．５部の共重合体（酸価３．３ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量１５００００）８部・エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジアクリレート１８部

【００４２】（サンドブラスト加工）ガラスペーストを
埋め込んだ後、不二製作所製のＳＣＭ−１ＡＤＥ−４０
１を用いて、研磨材ＣａＣＯ₃を噴霧圧力３ｋｇ／ｃｍ₂
でノズル距離５０ｍｍのところから噴霧し、感光性樹脂
組成物の硬化レジストをサンドブラスト加工により除去
した。

【００４３】上記で形成されたガラスパターンの形状を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、やや上端部が丸味
を帯びたものの矩形形状に近く、比較的良好なパターン
が得られ、これを３５０℃〜３８０℃に脱灰工程を有
し、Ｍａｘ５８０℃に設定したメッシュベルト式焼成炉
を通して焼結を行った結果、良好なものであった。

【００４４】実施例２実施例１において、パターン形成材料として、下記に示
す電極形成性材料を用いた以外は同様に行った。（電極
形成材料の厚み４０μｍ）電極形成性材料（銀含有ペースト）・銀８０部・バインダー（メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／メタクリル酸＝４５／５４．５／０．５（重量比）からなる共重合体（酸価３．３ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量１５００００）５部・エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジアクリレート１５部・酢酸ｎ−ブチルカルビトール１０部

【００４５】上記で形成された電極パターンの形状を走
査型電子顕微鏡で観察したところ、やや上端部が丸味を
帯びたものの矩形形状に近く、比較的良好なパターンが
得られ、これを３５０〜３８０℃に脱灰工程を有し、Ｍ
ａｘ５８０℃に設定したメッシュベルト式焼成炉を通し
て焼結を行った結果、良好なものであった。

【００４６】実施例３実施例１において、下記に示す感光性樹脂組成物のドー
プを用いた以外は同様に行った。（ドープの調製）下記のベースポリマー（Ａ）に下記の
モノマー（Ｂ）、下記の光重合開始剤（Ｃ）及びその他
の添加剤（Ｄ）を混合して感光性樹脂組成物を調整し、
更に溶媒としてメチルエチルケトン１００部及びメチル
セロソルブ１０部を混合してドープを得た。

【００４７】ベースポリマー（Ａ）・メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／２− エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸の共重合割合が重量基準で２０／４０／２０／２０である共重合体（酸価１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移点６７．１℃、重量平均分子量９万）６０部

【００４８】モノマー（Ｂ）・エピクロルヒドリン変性グリセリントリアクリレート（長瀬産業社製、『デナコールＤＡ−３１４』）２０部・プロピレングリコール＃４００ジアクリレート（新中村化学社製、『ＮＫエステルＡＰＧ−４００』）１０部・フェノキシテトラエチレングリコールアクリレート（東亞合成社製、『アロニックスＭ−１０２』１０部

【００４９】光重合開始剤（Ｃ）・４−（４−メトキシナフチル）−２，６−ビス（トリクロロメチル）−トリアジン０．３部

【００５０】その他の添加剤（Ｄ）・マラカイトグリーン０．０２部・ロイコクリスタルバイオレット０．５部

【００５１】上記で形成された電極パターンの形状を走
査型電子顕微鏡で観察したところ、やや上端部が丸味を
帯びたものの矩形形状に近く、比較的良好なパターンが
得られ、これを３５０〜３８０℃に脱灰工程を有し、Ｍ
ａｘ５８０℃に設定したメッシュベルト式焼成炉を通し
て焼結を行った結果、良好なものであった。

【００５２】実施例４実施例１において、サンドブラスト加工の研磨材をブド
ウ糖に変更した以外は同様に行った。上記で形成された
電極パターンの形状を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、やや上端部が丸味を帯びたものの矩形形状に近く、
比較的良好なパターンが得られ、これを３５０〜３８０
℃に脱灰工程を有し、Ｍａｘ５８０℃に設定したメッシ
ュベルト式焼成炉を通して焼結を行った結果、良好なも
のであった。

【００５３】比較例１実施例１において、パターン形成材料を埋め込んだ後、
サンドブラスト加工を行う代わりに、５０℃に加温した
３％水酸化ナトリウム水溶液でシャワーリングを行い、
硬化レジストを剥離した。

【００５４】上記で形成されたガラスパターンの形状を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、レジスト剥離時に
ガラスペーストパターンも影響を受け、高さがばらつく
と共に、一部ガラスが露出するほどの欠損が生じ、満足
な隔壁が得られなかった。

【００５５】

【発明の効果】本発明のパターン形成方法は、低融点ガ
ラスペーストや電極形成性材料等のパターン形成材料の
パターニングにおいて、基板上、特にプラズマディスプ
レイパネル形成用基板上に、感光性樹脂組成物のレジス
ト画像を形成し、該レジスト画像の凹部にパターン形成
材料を埋め込み、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサ
ンドブラスト加工により除去するため、埋め込んだパタ
ーン形成材料が硬化レジストと一緒に剥がれるというこ
とがなく、パターン形成性に優れた効果を示すものであ
り、特にプラズマディスプレイパネルの隔壁形成や電極
成形に非常に有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパターン形成方法に関する工程図で
ある。工程１は基板へのフォトレジストフィルムのラミ
ネート工程、工程２は紫外線による露光工程、工程３は
感光性樹脂組成物の未露光部分の現像工程、工程４はレ
ジスト画像形成工程、工程５はパターン形成材料の埋め
込み工程、工程６はサンドブラスト加工工程、工程７は
パターン形成工程である。

【符号の説明】

１・・・基板２・・・フォトレジストフィルムのラミネーターロール３・・・フォトレジストフィルム４・・・パターンマスク５・・・紫外線６・・・現像液７・・・パターン形成材料８・・・サンドブラストノズル９・・・研磨材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１ＡＦターム(参考） 2H096 AA27 BA05 BA20 EA02 GA08 HA01 JA04 LA06 5C027 AA01 AA09 5C040 GC19 GF19 JA02 JA09 JA15 JA17 JA20 JA22 KA01 KA09 KA16 MA23 MA24 MA25 5C058 AA11 AB01 BA35

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、
パターンマスクを介して露光、現像を行ってレジスト画
像を形成した後、該形成されたレジスト画像の凹部にパ
ターン形成材料を埋め込み、感光性樹脂組成物の硬化レ
ジストをサンドブラスト加工により除去することを特徴
とするパターン形成方法。
【請求項２】パターン形成材料が、ガラスペーストで
あることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方
法。
【請求項３】パターン形成方法が、電極形成性材料で
あることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方
法。
【請求項４】感光性樹脂組成物層が感光性樹脂組成物
をベースフィルムに積層してなるフォトレジストフィル
ムであることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の
パターン形成方法。
【請求項５】基板がプラズマディスプレイパネル形成
用基板であることを特徴とする請求項１〜４いずれか記
載のパターン形成方法。