JP2000244077A

JP2000244077A - 樹脂成形基板と電子部品組み込み樹脂成形基板

Info

Publication number: JP2000244077A
Application number: JP11045624A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Uchiyama; 博之内山
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 1999-02-24
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】パワー系のＩＣチップを直接実装できる手段
を有し、強化絶縁構造を保ちつつ小型化の実現できる樹
脂成形基板を提供する。【解決手段】電極パターン２の表面を合成樹脂３にて
覆うとともにその部品実装位置に、電子部品の少なくと
も一部を埋設可能な凹部４が形成され、凹部４の底部５
で電極パターン２の一部を露出させた基板を設け、基板
の凹部４に配置した電子部品を、導電樹脂または前記凹
部に充填した絶縁樹脂にて前記電子部品の電極と基板の
電極パターンとを導通させた状態に固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極パターンの表
面を合成樹脂にて覆った樹脂成形基板と、この樹脂成形
基板に電子部品を実装した電子部品組み込み樹脂成形基
板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高機能化の要
求に伴って、電子部品の高密度な実装が行なわれてい
る。そのためリード線のない表面実装型の電子部品が普
及し、クリーム半田などによるリフロー半田付け技術の
進歩とともに、プリント基板における電子部品の高密度
な実装へと一段とはずみがかかっている。

【０００３】また、ＩＣチップを直接に基板に実装する
ＩＣ実装が注目を集めつつあり、電子回路の小型化が進
んでいる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大電流
や高周波を扱う分野などでは、電子部品の表面実装化が
遅れているだけでなく、回路構成により基板の小型化を
実現することが困難であり、機器の小型が遅れている。
これは従来のプリント基板では、ガラスエポキシ樹脂や
紙フェノール樹脂に銅箔で電極パターンを形成している
ため、高密度に配線を行うと電気的な絶縁信頼性が十分
に確保されず、配線幅、配線間隔を小さくすることがで
きないためである。

【０００５】また、一般に電子回路で用いられるＩＣチ
ップは、発熱が激しいために放熱体やヒートシンク等の
放熱体を必要とし、電子回路の小型化がはばまれてい
る。これらの課題を解決するため、一部の電子回路ユニ
ットでは、ＩＣチップをアルミニウム基板などの高放熱
基板に直接実装する方法がとられている。図５は従来の
電子回路ユニットを示す。

【０００６】電子回路で使用されるパワーＩＣチップ
（以下、「ＩＣチップ」と称す。）６は、動作時に発熱
するため一般に金属基板１８の上に実装される。金属基
板１８は、ベースとなる金属板１５の表面に絶縁層１６
を形成し、その上に必要な配線パターン１７を配置した
ものである。ここで金属板１５には銅板にニッケルメッ
キをしたものがよく使用される。

【０００７】ＩＣチップ６は多くの場合トランジスタで
あり、ＩＣチップ６の片側にコレクタ電極が形成され反
対側にゲート電極とエミッタ電極の２電極が形成されて
いる。ＩＣチップ６の動作時の発熱は、コレクタ電極か
ら発生するため、コレクタ電極を金属基板１８の側に接
地し、上方の２電極からワイヤボンディングにより配線
を形成する。この時のワイヤ１９には電気容量の大きな
アルミニウム線が使用される。

【０００８】大電流、高電圧を使用する電気回路におい
ては、絶縁信頼性を確保するためにパターン間同士やパ
ターンと基板表面の間に一定の絶縁距離を必要とする。
この絶縁距離は空中では長い距離を必要とするが、絶縁
物で被われている場合には短縮することができる。そこ
で、金属基板１８はケース２０内に収められて、シリコ
ン樹脂などの絶縁封止材１３をケース２０内に充填し、
ＩＣチップ６、アルミニウム線、金属基板１８の電極パ
ターン２が空気中に露出しないようにしている。

【０００９】しかしながら、上記のように構成された電
子回路は絶縁封止材１３にて封入しなければならないた
め、電子回路を封入するケース２０よりも小型化するこ
とができない。また、絶縁封止材１３として使用される
絶縁樹脂は、配線部分を完全に覆う必要があるために一
般に液状樹脂が使用されるため、気泡を混入せずにケー
ス２０に封入するための工程管理が厳しいだけでなく、
この樹脂を封入して加熱硬化させる工程を経るため製造
工程が煩雑になる。

【００１０】また、金属基板１８は紙フェノール基板や
ガラスエポキシ基板に比べて高値であり、電源ユニット
のコストが上昇する。また、絶縁封止材１３として使用
される絶縁樹脂としては、常温で液体の絶縁樹脂、なか
でも常温で液状でありかつ高絶縁性を示すシリコン樹脂
がよく用いられる。これらのシリコン樹脂のなかには、
硬化後にゲル状となるものもあり、気泡の修正など可能
なものも存在するが、硬化にあたっては常温より高い温
度で長時間保持する必要がある。なかには８０℃で１０
時間程度の硬化時間を必要とするものもあり、樹脂を封
入した後のケース２０を大量に熱硬化処理するための炉
設備が必要となるだけでなく、生産のリードタイムが長
くなる。

【００１１】また、上述のようにＩＣチップ６からの発
熱は、ＩＣチップ６の限られた部分から発生するため、
放熱体を必要とするのはＩＣチップの部分だけである。
しかし、金属基板１８の製造上、一部分だけに金属板１
５を付与することができず、電極パターンすべてに金属
板１５を必要とするため、コストアップの一因となって
いる。

【００１２】一方、金属基板１８とは異なる方法で電子
回路を小型化する方法として、金属板により電極パター
ンを形成し、その表面を樹脂で覆った樹脂成形基板が提
案されている。図６は、従来の樹脂成形基板を示す。図
６（ａ）に示すように、金属板２１にプレスやエッチン
グにより所望の電極パターンを形成して所定のサイズに
切断し、その表面に電子部品を挿入するための穴２２を
形成することによりリードフレーム２３が形成される。

【００１３】金属板１５には銅や黄銅が用いられてお
り、半田付け時の金属板の表面の酸化を防止するため
に、その表面に錫やニッケルメッキを施されたものが使
用される場合もある。図６（ｂ）に示すように、このリ
ードフレーム２３の表面を合成樹脂２４で覆って成形す
ることにより、樹脂成形基板２６が得られる。なお、電
子部品の電極部２５として使用する部分には、合成樹脂
２４が付着しないようにする。

【００１４】この時に使用される樹脂には、エポキシ樹
脂に代表される熱硬化性樹脂や液晶ポリマーに代表され
る熱可塑性樹脂などあらゆる樹脂を利用することができ
る。樹脂成形方式としては、射出成形やトランスファー
成形が一般的に行われる。このため、リードフレーム２
３は平面状に構成される必要はなく、必要に応じて図６
（ｃ）に示すような曲げ加工２７を施した後に成形を行
うことにより、立体的な形状を持つ樹脂成形基板１を構
成することができる。

【００１５】また、樹脂成形基板２６は、リードフレー
ム２３を合成樹脂２４により覆ってしまうことによりパ
ターンの電気的絶縁を図るものであり、パターンと基板
の表面までは樹脂により一定の距離が確保される。ここ
で確保すべき絶縁距離は、通電する電流の大きさにより
最小値が国際電器標準会議（以下、「ＩＥＣ」と称
す。）規格で規定されているが、一般的な電気製品では
安全率を見込むため、樹脂の厚みをＩＥＣ規格で規定さ
れる最小値よりも大きくしている。

【００１６】このようにパターン間を絶縁物で分離した
状態を強化絶縁構造と呼び、絶縁距離を大幅に縮少する
ことができる。樹脂成形基板２６では、上述の金属基板
１８よりも安価に作成することが可能であるが、ＩＣチ
ップ６を搭載するための電極パターンの形成が困難であ
るという問題がある。

【００１７】また、上記のように構成された樹脂成形基
板１は、主にリード付き電子部品の挿入用として用いら
れており、ＩＣ実装の分野では使用されていない。これ
はＩＣチップ６を搭載するためには基板側の電極部分２
２を基板の表面に作成し、平面部分を確保した状態で搭
載する必要があるためである。樹脂成形基板１では、上
述のように銅板でリードフレーム２３を形成し、その表
面を合成樹脂２４で成形しているため、一般的にリード
フレーム２３は１枚板から形成され、その表面は平面形
状となっている。従って、リードフレーム２３の基板厚
み方向での位置は一義的に決定される。

【００１８】そこで、基板の表面に電極部を形成するた
めには、すべてのリードフレーム２３を基板の表面に露
出させる必要があり、強化絶縁構造をとることができな
くなる。従って、この状態では樹脂成形基板１が小型化
の観点から金属基板１８の代替にはならない。また、搭
載したＩＣチップ６に対し、放熱体を付与することがで
きないという問題点もある。

【００１９】ＩＣチップ６をＩＣの発熱面を下側にして
搭載した場合、ＩＣチップ６の下側はリードフレーム２
３と基板を形成する合成樹脂２４が存在することとな
る。従って、放熱体を樹脂成形基板１に密着させても、
ＩＣチップ６と放熱体の間の距離が長いため、効率的な
放熱効果が得られない。逆にＩＣチップ６の発熱面を上
側にして搭載した場合には、放熱体をＩＣチップ６に密
着させることはできるが、放熱体の支持がＩＣチップ６
の接合部だけとなってしまうため、放熱体を支持するこ
とが困難となる。

【００２０】また、搭載したＩＣチップ６の絶縁性を確
保するための絶縁樹脂の封入が困難であるという問題も
ある。樹脂成形基板１の表面にＩＣチップ６を直接搭載
した場合、上述したようにＩＣチップ６の発熱面を下側
にして搭載する必要があるわけであるが、これを絶縁封
止するためには、金属基板１８と同様にシリコン樹脂等
の絶縁樹脂を封入する必要がある。樹脂成形基板１の表
面は平面を構成しているために封入用のケースが必要と
なり、小型化の障害となる。

【００２１】本発明は、前記問題点を解決し、パワー系
のＩＣチップを直接実装できる手段を有し、強化絶縁構
造を保ちつつ小型化の実現できる樹脂成形基板を提供す
ることを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の樹脂成形基板
は、樹脂成形基板の実装面に少なくとも電子部品の一部
を埋設可能な電子部品実装部を設けたことを特徴とす
る。この本発明によると、電子部品を樹脂成形基板に直
接実装でき、しかも強化絶縁構造を保ちつつ小型化の実
現できる樹脂成形基板が得られる。

【００２３】

【発明の実施の形態】請求項１記載の樹脂成形基板は、
電極パターンの表面を合成樹脂にて覆った樹脂成形基板
であって、部品実装面の部品実装位置に電子部品の少な
くとも一部を埋設可能な凹部が形成され、前記凹部の底
部に前記電極パターンの一部を露出させて前記電極パタ
ーンと電子部品の電極とを接続可能にしたことを特徴と
する。

【００２４】請求項２記載の樹脂成形基板は、請求項１
において、凹部の外周縁部に前記凹部の開口部を囲む環
状壁を形成したことを特徴とする。請求項３記載の樹脂
成形基板は、請求項１または請求項２において、凹部の
基板表面から底面に到る部分または環状壁の内側に放熱
体を支持する支持部を設けたことを特徴とする。

【００２５】請求項４記載の樹脂成形基板は、請求項３
において、支持部の形成位置が、電極パターンと接続さ
れた電子部品の上面の高さとほぼ同一または同一である
ことを特徴とする。請求項５記載の電子部品組み込み樹
脂成形基板は、電極パターンの表面を合成樹脂にて覆う
とともにその部品実装位置に、電子部品の少なくとも一
部を埋設可能な凹部が形成され、前記凹部の底部で前記
電極パターンの一部を露出させた基板を設け、基板の前
記凹部に配置した電子部品を、導電樹脂または前記凹部
に充填した絶縁樹脂にて前記電子部品の電極と基板の電
極パターンとを導通させた状態に固定したことを特徴と
する。

【００２６】請求項６記載の電子部品組み込み樹脂成形
基板は、電極パターンの表面を合成樹脂にて覆うととも
にその部品実装位置に、電子部品の少なくとも一部を埋
設可能な凹部ならびにこの凹部の開口部を囲む環状壁が
形成され、前記凹部の底部で前記電極パターンの一部を
露出させた基板を設け、基板の前記凹部に配置した電子
部品を、導電樹脂または前記凹部と前記環状壁の内側に
充填した絶縁樹脂にて前記電子部品の電極と基板の電極
パターンとを導通させた状態に固定したことを特徴とす
る。

【００２７】請求項７記載の電子部品組み込み樹脂成形
基板は、請求項５または請求項６において、基板の凹部
の開口部またはこの凹部の開口部を囲む環状壁の内側に
配置された放熱体の一部を部品実装位置の電子部品に熱
結合させたことを特徴とする。請求項８記載の電子部品
組み込み樹脂成形基板は、請求項７において、基板の凹
部の開口部またはこの凹部の開口部を囲む環状壁の内側
に、電極パターンと接続された電子部品の上面の高さと
ほぼ同一または同一の位置に放熱体を支持する支持部を
設けたことを特徴とする。

【００２８】以下、本発明の各実施の形態を図１〜図４
を用いて説明する。なお、上記従来例を示す図５と同様
をなすものについては、同一の符号を付けて説明する。（実施の形態１）図１は本発明の（実施の形態１）を示
す。

【００２９】図１（ａ）は樹脂成形基板の斜視図を示
し、図１（ｂ）はＩＣチップを実装した樹脂成形基板の
断面図を示す。図１（ａ）に示すように、樹脂成形基板
１は、電極パターン２の表面を合成樹脂３にて覆うこと
により構成され、部品実装面の部品実装位置にはＩＣチ
ップを埋設可能な凹部４が形成されている。

【００３０】凹部４の底部５には、電極パターン２の一
部が露出されており、凹部４に実装するＩＣチップ６の
電極と接続可能に構成されている。この凹部４にＩＣチ
ップ６を配置して、図１（ｂ）に示すように、ＩＣチッ
プ６のバンプ電極７と電極パターン２とを導電性樹脂８
を介して電気的に接続する。この導電性樹脂８は特に限
定されるものではなく、一般的なＩＣ実装の接合手段が
利用できる。

【００３１】このようにして得られた電子部品組み込み
樹脂成形基板は、電極パターン２により強化絶縁構造を
保ったままＩＣチップ６を搭載でき、電子回路の小型化
が実現できる。なお、上記説明では樹脂成形基板１に実
装する部品としてＩＣチップ６の例を示したが本発明は
これに限定されるものではなく、電子部品一般を用いて
同様に実装することができる。

【００３２】以下にこの（実施の形態１）の具体例を示
す。実施例１厚みが０．５ｍｍである銅板を用いてその表面にエッチ
ングにより所望のパターンを形成し、リードフレームを
作成した。このリードフレームを金型に静置し、熱可塑
性樹脂であるポリフェニレンスルフィドを用いて射出成
形機により樹脂成形基板１を射出成形した。

【００３３】成形した合成樹脂３の厚みは銅板の片側に
それぞれ１ｍｍとして、この樹脂成形基板１のＩＣチッ
プ６の実装位置に凹部４を設けた。凹部４の上部開口部
と底部との間には、電極パターン２の表面となす角度が
４５°となるように傾斜辺を設け、底部５はＩＣチップ
６を実装できるように電極パターン２の一部を露出させ
た。底部５の形状は６ｍｍ×６ｍｍの正方形であり、こ
の底部５に４．５ｍｍ×４ｍｍ、厚み０．５２５ｍｍの
大きさのＩＣチップ６を配置した。

【００３４】ここでＩＣチップ６は具体的には、４端子
のダイオードブリッジである。このＩＣチップ６は、す
べての端子がＩＣの一方の面に形成されており、金線を
用いて接合用のバンプ電極７がＩＣの電極表面に形成さ
れている。このバンプ電極７を下側にしてＩＣチップ６
を電極パターン２と位置合わせし、導電樹脂を介して接
合する。

【００３５】導電性樹脂８には、異方性導電シート（以
下、「ＡＣＦ」と称す。）８を用いた。このＡＣＦ８を
凹部４の底部５に仮圧着した。仮圧着はＡＣＦ８を基板
上に貼りつけた後に、加熱した鏝を押し付けて８０℃の
温度で３０秒間加熱することにより行った。

【００３６】その後ＩＣチップ６を位置合わせし、ＡＣ
Ｆ８を介して基板上に配置した後、先程と同様の鏝を押
し付けて本圧着を行った。本圧着はＡＣＦ８部分が２０
０℃となる条件で、２０秒間圧着した。これによりＩＣ
チップ６の接合が完了した。得られた電子部品組み込み
樹脂成形基板は、強化絶縁構造を保ったままＩＣチップ
６を実装でき、電子回路の小型化が実現できた。

【００３７】（実施の形態２）図２は本発明の（実施の
形態２）を示す。この（実施の形態２）では、ＩＣチッ
プ６の放熱効率を良好にするためにＩＣチップ６の上面
に放熱体を設けた点で異なるが、その他の点については
上記（実施の形態１）とほぼ同様の構成である。

【００３８】詳しくは、凹部４の開口部の内側に段部を
形成して、ＩＣチップ６の放熱を効率良く行うための放
熱体１１を載置する支持部９を構成する。この支持部９
に接着剤１０を塗布するとともに、上記（実施の形態
１）と同様に凹部４に実装されたＩＣチップ６の上面に
伝熱性を有する樹脂１２を塗布する。

【００３９】そして、凹部４の開口部の内側に放熱体１
１を配置し、放熱体１１の一部を接着剤１０を介して支
持部９に載置するとともに、ＩＣチップ６の上面と放熱
体１１とが伝熱性を有する樹脂１２を介して熱結合する
よう放熱体１１の加圧および加熱を行って支持部９に放
熱体１１の一部を固定する。このような構成とすること
で、ＩＣチップ６の放熱を効率良く行うことができる。

【００４０】なお、凹部４の開口部の内側に形成された
段部は、凹部４に実装されたＩＣチップ６の上面と同一
またはほぼ同一の高さに形成されると、ＩＣチップ６と
放熱体１１とが密着し、放熱体１１とＩＣチップ６の上
面との間に伝熱用の樹脂１２を介装しなくても放熱が効
率よく行われ、ＩＣチップ６の上面に樹脂１２を塗布す
る工程が省略でき好適である。

【００４１】また、上記説明では放熱体１１の支持部９
への固定に熱硬化性の接着剤１０を用いたが、本発明は
これに限定されるものではなく、放熱体１１と支持部９
とを一体的に接着するものであればどのような樹脂を用
いても良い。あるいは、支持部９やその周囲の樹脂３の
一部と放熱体１１に貫通穴を設け、ビスなどによる機械
的固定を行うことも有効である。

【００４２】また、上記説明では、ＩＣチップ６として
片側に接合端子のあるダイオードブリッジを使用した例
を示したが、トランジスタのように両面に端子をもつＩ
Ｃチップ６の場合には、放熱体１１のＩＣチップ６と接
触する面に絶縁層と導電パターンとを設け、導電パター
ンと樹脂成形基板１の電極パターン２を接合することに
より、放熱に関して同様の効果が得られる。

【００４３】さらに、放熱体１１を発熱部のみに取り付
けられるため放熱体の大きさを小さくすることができ、
樹脂成形基板１による電子回路の面積の小型化を実現す
るだけでなく、体積上も小型化が実現できる。以下にこ
の（実施の形態２）の具体例を示す。実施例２凹部４の開口部から底部５に到る斜面の基板表面から
０．６ｍｍの位置に、段部を形成して放熱体１１の支持
部９を形成した。

【００４４】この支持部９に接着剤１０を塗布するとと
もに、ＩＣチップ６の上面に伝熱用のシリコン樹脂を塗
布した。そして、銅板にて形成されその表面に酸化防止
用のニッケルメッキが施された放熱体１１を支持部９に
載置し、あらかじめ塗布した接着剤１０にて放熱体１１
を樹脂成形基板１に固定した。

【００４５】得られた電子部品組み込み樹脂成形基板
は、電極パターン２により強化絶縁構造を保ったままＩ
Ｃチップ６を搭載でき、電子回路の小型化が実現できる
だけでなく、放熱性の良いものであった。なお、ＩＣチ
ップ６の上面に塗布したシリコン樹脂は、放熱体１１と
ＩＣチップ６を完全に密着させ、ＩＣチップ６の表面か
ら発生する熱を確実に放熱体１１伝えるために使用した
ものであり、同様の効果を有するものであれば、他の樹
脂あるいは手段を用いてもよい。

【００４６】（実施の形態３）図３は本発明の（実施の
形態３）を示す。この（実施の形態３）では、絶縁性を
向上させるために凹部４に絶縁樹脂１３を封入した点で
異なるが、それ以外の基本的な構成は上記（実施の形態
１）とほぼ同様である。

【００４７】詳しくは、まずＩＣチップ６のバンプ電極
７に銀を主要配合物とする導電ペーストを塗布し、凹部
４の底部５に露出された電極パターン２に位置合わせし
てＩＣチップ６を搭載した後、加熱して導電ペーストを
硬化する。ＩＣチップ６と樹脂成形基板１の基板表面と
の間の空間は空気で絶縁されるため、回路構成によれば
絶縁距離が不足する。特に電源用のＩＣチップ６では絶
縁距離が不足する。このためＩＣチップ６の接合面を絶
縁樹脂１３で封止する必要がある。

【００４８】この（実施の形態３）では、絶縁樹脂１３
として液状のシリコン樹脂を用い、この液状のシリコン
樹脂を凹部４の上面まで封入し、８０℃の温度で加熱し
て硬化することにより、ＩＣチップ６のバンプ電極７の
絶縁性の確保とＩＣチップ６の表面の絶縁性とを確保す
る。上記のように構成された電子部品組み込み樹脂成形
基板では、絶縁樹脂１３を封入するケースを必要とせ
ず、また基板全体をコーティングする必要もないため、
ＩＣ部分の絶縁性を確保しつつ、電子回路の小型化が実
現できる。

【００４９】なお、上記説明では絶縁樹脂１３としてシ
リコン樹脂を用いたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、絶縁性を有する封入材料であれば同様の効果
が得られる。（実施の形態４）図４は本発明の（実施の形態４）を示
す。

【００５０】この（実施の形態４）では、凹部４の外周
縁部に凹部４の開口部を囲む環状壁１４を設けた点で異
なるが、それ以外の基本的な構成は上記（実施の形態
３）とほぼ同様である。このような環状壁１４を設ける
ことで、電極パターン２の位置が基板の表面に近い場合
でもＩＣチップ６を搭載でき、特にＩＣチップ６と電極
パターン２を固定するに際し液状の絶縁樹脂を用いても
専用のケースを必要としないため、電子回路の小型化が
実現できる。

【００５１】また、樹脂成形基板１に設けられた凹部４
の厚みが小さくて十分な量の絶縁封止材料１３を凹部４
に注入できない場合や、基板の表面に電極が形成されて
絶縁封止材料１３を流し込むことができない場合でも、
基板にケースを設けて絶縁樹脂を封入したり、基板全体
をコーティングする必要がなくなり、ＩＣ部分の絶縁性
を確保でき、電子回路の小型化が実現できる。

【００５２】なお、上記説明では液状の樹脂としてシリ
コン樹脂を用いたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、絶縁樹脂であれば同様の効果が得られる。以下
にその具体例を示す。実施例３樹脂の厚みをリードフレーム表面から片側に０．５ｍｍ
ずつとし、基板の所定の位置に凹部４を設けた。

【００５３】凹部４の外周縁部には凹部４の開口部を囲
む環状壁１４を設けた。この環状壁１４は、樹脂成形基
板１の表面よりも０．５ｍｍ突出させた。上記のように
構成された樹脂成形基板１にＩＣチップ６を搭載し、液
状のシリコン樹脂を環状壁１４の上面まで封入し、８０
℃に加熱して樹脂を硬化し、ＩＣチップ６の絶縁性を確
保した。

【００５４】得られた電子部品組み込み樹脂成形基板
は、電子部品と電極パターンを固定するに際し液状の絶
縁樹脂を用いても専用のケースを必要としないため、電
子回路の小型化が実現できるものであった。また、上記
（実施の形態３）および（実施の形態４）においても、
（実施の形態２）と同様にＩＣチップ６の上面に放熱体
１１を載置しても良い。

【００５５】また、上記各実施の形態では、いずれも凹
部４にＩＣチップ６の全体を埋設した例を示したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、凹部４にＩＣチ
ップ６の少なくとも一部が埋設された例についても同様
である。

【００５６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極パタ
ーンの表面を合成樹脂にて覆った樹脂成形基板であっ
て、部品実装面の部品実装位置に電子部品を埋設可能な
凹部が形成され、前記凹部の底部に前記電極パターンの
一部を露出させて樹脂成形基板を用いることで、前記凹
部に電子部品を実装した電子部品組み込み樹脂成形基板
は、電極パターンにより強化絶縁構造を保ったまま電子
部品を搭載でき、電子回路の小型化を実現できる。

【００５７】また、前記凹部の外周縁部に開口部を囲む
環状壁が形成された樹脂成形基板を用いることで、電極
パターンの位置が基板表面に近い場合でも電子部品を搭
載でき、特に電子部品と電極パターンを固定するに際し
液状の絶縁樹脂を用いても専用のケースを必要としない
ため、電子回路の小型化が実現できる。また、前記凹部
の基板表面から底面に到る部分に開口部に配置される放
熱体の支持部を設けた樹脂成形基板を用いることで、前
記凹部に電子部品を配置して前記電子部品の電極と樹脂
成形基板の電極パターンとを導電樹脂を介して接続した
電子部品組み込み樹脂成形基板は、強化絶縁構造を保っ
たまま電子部品の発熱面を上面にして搭載でき、かつ放
熱体を電子部品の接合部にストレスをかけずに取り付け
ることができる。

【００５８】さらに、支持部の形成位置を配線パターン
と接続された電子部品の上面の高さとほぼ同一の高さと
することで、前記電子部品の上面と放熱体とを接着剤あ
るいは絶縁樹脂を介して接続した電子部品組み込み樹脂
成形基板は、電子部品と放熱体とを確実に密着させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（実施の形態１）における樹脂成形基板のＩＣ
実装部を示す断面図および凹部を示す斜視図

【図２】（実施の形態２）における樹脂成形基板の構成
を示す断面図

【図３】（実施の形態３）における樹脂成形基板の構成
を示す断面図

【図４】（実施の形態４）における樹脂成形基板の構成
を示す断面図

【図５】従来の金属基板のＩＣ実装構造を示す断面図

【図６】従来の樹脂成形基板の構成を示す図

【符号の説明】

１樹脂成形基板２電極パターン３合成樹脂４凹部５底部６ＩＣチップ７バンプ電極８導電性樹脂９支持部１０接着剤１１放熱体１２シリコン樹脂１３絶縁封止材料１４環状壁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極パターンの表面を合成樹脂にて覆った
樹脂成形基板であって、部品実装面の部品実装位置に電子部品の少なくとも一部
を埋設可能な凹部が形成され、前記凹部の底部に前記電
極パターンの一部を露出させて前記電極パターンと電子
部品の電極とを接続可能にした樹脂成形基板。
【請求項２】凹部の外周縁部に前記凹部の開口部を囲む
環状壁を形成した請求項１記載の樹脂成形基板。
【請求項３】凹部の基板表面から底面に到る部分または
環状壁の内側に放熱体を支持する支持部を設けた請求項
１または請求項２記載の樹脂成形基板。
【請求項４】支持部の形成位置が、電極パターンと接続
された電子部品の上面の高さとほぼ同一または同一であ
る請求項３記載の樹脂成形基板。
【請求項５】電極パターンの表面を合成樹脂にて覆うと
ともにその部品実装位置に、電子部品の少なくとも一部
を埋設可能な凹部が形成され、前記凹部の底部で前記電
極パターンの一部を露出させた基板を設け、基板の前記凹部に配置した電子部品を、導電樹脂または
前記凹部に充填した絶縁樹脂にて前記電子部品の電極と
基板の電極パターンとを導通させた状態に固定した電子
部品組み込み樹脂成形基板。
【請求項６】電極パターンの表面を合成樹脂にて覆うと
ともにその部品実装位置に、電子部品の少なくとも一部
を埋設可能な凹部ならびにこの凹部の開口部を囲む環状
壁が形成され、前記凹部の底部で前記電極パターンの一
部を露出させた基板を設け、基板の前記凹部に配置した電子部品を、導電樹脂または
前記凹部と前記環状壁の内側に充填した絶縁樹脂にて前
記電子部品の電極と基板の電極パターンとを導通させた
状態に固定した電子部品組み込み樹脂成形基板。
【請求項７】基板の凹部の開口部またはこの凹部の開口
部を囲む環状壁の内側に配置された放熱体の一部を部品
実装位置の電子部品に熱結合させた請求項５または請求
項６に記載の電子部品組み込み樹脂成形基板。
【請求項８】基板の凹部の開口部またはこの凹部の開口
部を囲む環状壁の内側に、電極パターンと接続された電
子部品の上面の高さとほぼ同一または同一の位置に放熱
体を支持する支持部を設けた請求項７記載の電子部品組
み込み樹脂成形基板。