JP2000251694A

JP2000251694A - 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法、電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造装置

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Publication number: JP2000251694A
Application number: JP5164899A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Takegami; 毅竹上
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 1999-02-26
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】電子放出素子の電気的特性を均一化を図る。【解決手段】電極間に設けられてなる導電性膜に形成
された電子放出部からの放出電流を増加させるための活
性化工程を有し、該活性化工程は、Ａ）活性化ガス雰囲
気下で前記電子放出部に電圧を印加する工程、Ｂ）前記
導電性膜の電気的特性及び活性化ガス圧力を検知する工
程、Ｃ）検知された前記電気的特性及び活性化ガス圧力
に応じて前記活性化工程の工程継続、工程終了、工程中
断のいずれかを選択する工程、Ｄ）前記工程Ｃ）で工程
中断が選択された場合、活性化ガス圧力が所定の設定値
になるまで前記電圧の印加を中断する工程、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子、電
子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置の製造方法
と製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば電界放出型素子（以下ＦＥ型と記
す）や、金属／絶縁層／金属型放出素子（以下ＭＩＭ型
と記す）や、表面伝導型電子放出素子などが知られてい
る。

【０００３】ＦＥ型の例としては、たとえば、W.P.Dyke
& W.W.Dolan，“Field emission”，Advance in Elect
ron Physics,8,89(1956)や、あるいは、C.A.Spindt，
“Physical properties of thin-film field emission
cathodes with molybdenium cones”，J.Appl.Phys.,4
7,5248(1976)などが知られている。

【０００４】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
C.A.Mead，“Operation of tunnel-emission Devices",
J.Appl.Phys.,32,646(1961)などが知られている。

【０００５】また、表面伝導型電子放出素子としては、
たとえば、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,
1290,(1965)や、後述する他の例が知られている。

【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等に
よるＳｎＯ₂薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜による
もの［G.Dittmer:“Thin Solid Films",9,317(1972)］
や、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［M.Hartwell
and C.G Fonstad:“IEEE Trans.ED Conf.",519(197
5)］や、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、
第２６巻、第１号、２２（１９８３）］等が報告されて
いる。

【０００７】これらの表面伝導型電子放出素子の素子構
成の典型的な例として、図１９に前述のM.Hartwellらに
よる素子の平面図を示す。同図において、３００１は基
板で、３００４はスパッタで形成された金属酸化物より
なる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図示のよ
うにＨ字形の平面形状に形成されている。該導電性薄膜
３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理
を施すことにより、電子放出部３００５が形成される。
図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］、Ｗは、０．１
［ｍｍ］で設定されている。尚、図示の便宜から、電子
放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に矩形の形
状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電子
放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではな
い。

【０００８】M.Hartwellらによる素子をはじめとして上
述の表面伝導型電子放出素子においては、電子放出を行
う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと呼ばれ
る通電処理を施すことにより電子放出部３００５を形成
するのが一般的であった。すなわち、通電フォーミング
とは、前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流電
圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくりと
したレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導電
性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは変
質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００５
を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは変形
もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀裂
が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜３０
０４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近に
おいて電子放出が行われる。

【０００９】上述の表面伝導型電子放出素子は、構造が
単純で製造も容易であることから、大面積にわたり多数
の素子を形成できる利点がある。そこで、たとえば本出
願人による特開昭６４−３１３３２号公報において開示
されるように、多数の素子を配列して駆動するための方
法が研究されている。

【００１０】また、表面伝導型電子放出素子の応用につ
いては、たとえば、画像表示装置、画像記録装置などの
画像形成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。

【００１１】特に、画像表示装置への応用としては、た
とえば本出願人による米国特許第５，０６６，８８３号
や特開平２−２５７５５１号公報において開示されてい
るように、表面伝導型電子放出素子と電子ビームの照射
により発光する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示
装置が研究されている。表面伝導型電子放出素子と蛍光
体とを組み合わせて用いた画像表示装置は、従来の他の
方式の画像表示装置よりも優れた特性が期待されてい
る。たとえば、近年普及してきた液晶表示装置と比較し
ても、自発光型であるためバックライトを必要としない
点や、視野角が広い点が優れていると言える。

【００１２】一方、本件発明者らは表面伝導型電子放出
素子の特性を改善するための研究を鋭意行った結果、製
造工程において通電活性化処理を行うことが効果的であ
ることを見出した。

【００１３】既に述べたように、表面伝導型電子放出素
子の電子放出部を形成する際には、導電性薄膜に電流を
流して該薄膜を局所的に破壊もしくは変形もしくは変質
させて亀裂を形成する処理（通電フォーミング処理）を
行う。この後更に、通電活性化処理を行い電子放出特性
を大幅に改善することが可能である。

【００１４】この通電活性化処理（以下では、活性化処
理と記す）とは、通電フォーミング処理により形成され
た電子放出部を、適宜の圧力の有機物ガス中で通電し、
その近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆積せしめる処理
のことである。このような処理を行うことにより、通電
フォーミング直後と比較して、同じ印加電圧における放
出電流を典型的には１００倍以上増加させることが可能
である。

【００１５】ここで、活性化処理時の表面伝導型電子放
出素子に流れる素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅの測定系
の概略図を図２０に示す。

【００１６】この図は、活性化処理時の素子電流Ｉｆと
放出電流Ｉｅの測定系を示している。

【００１７】電子放出部２５を有する導電性薄膜２１
は、電極２２を介して活性化電源２４に接続されてい
る。３１は該表面伝導型電子放出素子から放出される放
出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極である。この
アノード電極３１には、直流高圧電源３３及び電流計３
２が接続されている。

【００１８】この活性化処理では、有機物を含有する雰
囲気下（以下、このガス雰囲気のことを、活性化ガス圧
力と記す。）で、活性化電源２４から素子電極間（電子
放出部２５）に、適宜の電圧パルスを繰り返して印加し
ていることを示している。又、電流計２３及び電流計３
２で素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅを計測することで、
活性化の進行状況をモニタしている。電流計２３，３２
で計測された素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅの一例を図
２１に示す。活性化電源２４からパルス電圧が印加しは
じめると時間の経過と共に素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉ
ｅは増加するが、両者ともやがて飽和して殆ど増加しな
くなる。このように、素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅが
ほぼ飽和した時点で活性化電源２４からの電圧印加を停
止し、活性化処理を終了する。以下では、活性化の進行
状況をモニターした素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅを、
それぞれ、素子電流Ｉｆプロファイル、放出電流Ｉｅプ
ロファイルと呼ぶ。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
該活性化工程処理中に活性化ガス圧力が変動すると、素
子の電気的特性が変動し、素子特性の再現性が悪化する
という問題があった。

【００２０】図２２に、活性化処理時の表面伝導型電子
放出素子に流れる素子電流Ｉｆの時間的変化活性化ガ
ス圧力依存性を模式的に示す。

【００２１】活性化ガス圧力が活性化処理中に一定Ｐ
_init（ａ．ｕ．：任意単位）で変化のない場合を（１）
で示す。活性化処理終了時Ｔ₀（ａ．ｕ．）では、素子
電流はＩｆ₁（ａ．ｕ．）となった。一方、（２）で示
すように活性化処理中に活性化ガス圧力がＰ_initから
Ｐ′に変化してしまうと、活性化処理終了時Ｔ₀で素子
電流がＩｆ₂となる。不図示の放出電流Ｉｅについても
同様の傾向を示す。

【００２２】このように、素子電流特性、素子放出電流
特性は活性化ガス圧力に対して強い依存性を示してお
り、活性化ガス圧力の変動は、素子特性の再現性を悪化
させていた。

【００２３】また、この依存性は、真空容器内部に多数
の電子放出素子を配した電子源基板に対して活性化工程
を行う場合に、特に問題となる。多数の素子の活性化を
行う場合、活性化処理時間短縮化のために多数の電子放
出素子を同時に活性化する方法が採られる。この場合、
真空容器内部の活性化ガス消費量が多くなるため、活性
化ガス圧力が大きく変動し、素子の電気的特性を不均一
にしてしまう。

【００２４】この様な放出電流特性の不均一性は、画像
表示装置において輝度のバラツキとなるという問題があ
った。

【００２５】よって、本発明の目的は、上述した技術的
課題を解決し、電子放出素子、及び、複数の電子放出素
子を配線によって接続した電子源並びに画像表示装置に
おいて、素子特性の良好な再現性を得ることにある。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明の電子放出素子の
製造方法は、電極間に設けられてなる導電性膜に形成さ
れた電子放出部からの放出電流を増加させるための活性
化工程を有し、該活性化工程は、次の工程Ａ）〜Ｄ）を
有することを特徴とするものである。

【００２７】Ａ）活性化ガス雰囲気下で前記電子放出部
に電圧を印加する工程Ｂ）前記導電性膜の電気的特性及び活性化ガス圧力を検
知する工程Ｃ）検知された前記電気的特性及び活性化ガス圧力に応
じて前記活性化工程の工程継続、工程終了、工程中断の
いずれかを選択する工程Ｄ）前記工程Ｃ）で工程中断が選択された場合、活性化
ガス圧力が所定の設定値になるまで前記電圧の印加を中
断する工程また本発明の電子放出素子の製造方法は、電極間に設け
られてなる導電性膜に形成された電子放出部からの放出
電流を増加させるための活性化工程を有し、該活性化工
程は、次の工程Ａ）′〜Ｄ）′を有することを特徴とす
るものである。

【００２８】Ａ）′活性化ガス雰囲気下で前記電子放出
部に電圧を印加する工程Ｂ）′前記活性化ガス圧力を検知する工程Ｃ）′検知された前記活性化ガス圧力に応じて前記活性
化工程の工程継続、工程中断のいずれかを選択する工程Ｄ）′前記工程Ｃ）′で工程中断が選択された場合、活
性化ガス圧力が所定の設定値になるまで前記電圧の印加
を中断する工程本発明の電子源の製造方法および画像形成装置の製造方
法は、上記本発明の電子放出素子の製造方法を用いるも
のである。

【００２９】本発明の電子放出素子の製造装置は、電極
間に設けられてなる導電性膜に形成された電子放出部か
らの放出電流を増加させるための活性化処理を行う電子
放出素子の製造装置であって、活性化ガス雰囲気下で前
記電子放出部に電圧を印加する手段と、前記導電性膜の
電気的特性及び活性化ガス圧力を検知する手段と、検知
された前記電気的特性及び活性化ガス圧力に応じて前記
活性化処理の実施、終了、中断のいずれかを選択する手
段と、前記活性化処理の中断が選択された場合、活性化
ガス圧力が所定の設定値になるまで前記電圧の印加を中
断する手段と、を有するものである。

【００３０】また本発明の電子放出素子の製造装置は、
電極間に設けられてなる導電性膜に形成された電子放出
部からの放出電流を増加させるための活性化処理を行う
電子放出素子の製造装置であって、活性化ガス雰囲気下
で前記電子放出部に電圧を印加する手段と、前記活性化
ガス圧力を検知する手段と、検知された前記活性化ガス
圧力に応じて前記活性化処理の実施、中断のいずれかを
選択する手段と、前記活性化処理の中断が選択された場
合、活性化ガス圧力が所定の設定値になるまで前記電圧
の印加を中断する手段と、を有するものである。

【００３１】本発明の電子源の製造装置および画像形成
装置の製造装置は、上記本発明の電子放出素子の製造装
置を有するものである。

【００３２】

【発明の実施の形態】本発明の活性化方法は、活性化工
程時の活性化ガス圧力の変化を検知し、予め設定された
圧力変動許容値から外れた場合、素子への電圧印加を中
断し、活性化ガス圧力が回復するのを待つというシーケ
ンスに、特徴を有している。

【００３３】まず、本発明の活性化処理制御装置の構成
を図２に示す。

【００３４】図２において、２１１は、真空容器で、活
性化処理を施すべき電子放出素子が内部に設置される。
真空容器２１１には必要に応じてバルブ２１６を介して
排気装置２１５などが接続される。２１２は、“真空容
器内の活性化ガス圧力”及び“素子の電気的特性”検知
手段であり、真空容器２１１内の活性化ガス圧力をモニ
ターするための装置群と、電子放出素子２１７の電気的
素子特性をモニターするための装置群からなる。

【００３５】活性化ガス圧力のモニター方法は、（１）
真空圧力計や質量分析器（以下、Ｑ−Ｍａｓｓと記
す。）等を用いる方法と（２）電子放出素子の電気的特
性から雰囲気を判定する方法がある。

【００３６】２１３は、条件設定手段で、素子への印加
電圧を設定する装置、活性化ガス雰囲気を設定する雰囲
気設定用装置により構成される。

【００３７】２１４は、制御手段であり、検知手段２１
２により得られた情報を基に、活性化工程中断、活性化
工程継続、活性化工程終了を判定し、定められたプログ
ラムに基づいて行い、条件設定手段２１３を動作させて
工程を制御する。

【００３８】以下、このシーケンスについて説明する。

【００３９】本発明の活性化処理制御のフローチャート
を図１に示す。

【００４０】ステップ（ＩＮＴ）の初期活性化条件設定
は活性化工程に必要な初期条件を設定するものである。
例えば、真空容器内の排気を行い所定の圧力以下に減圧
した後、活性化に必要な有機物である、活性化ガスを真
空容器内へ導入するなど、適宜定められた一連の動作を
完了する。

【００４１】この後、ステップ（Ａ）のレギュラーシー
ケンスに移る。このシーケンスは、真空雰囲気及び素子
に印加するパルス電圧を一定に維持する場合だけでな
く、パルス波高値、パルス幅などを時間と共に定められ
たプログラムに従って変化させる場合など、適宜選択さ
れた標準工程を実行するものである。

【００４２】測定ステップ（Ｂ）は、次のステップ
（Ｃ）で行われる工程選択で素子の活性化終了状態判
断、活性化雰囲気状態の判断を行うために、それぞれ
素子の電気的特性、活性化ガス圧力測定が行われ
る。

【００４３】まず、素子の電気的特性の測定方法につい
て述べる。

【００４４】電子放出素子の電気的特性の測定方法とし
て、レギュラーシーケンスに定期的に割り込んで、測定
用のパルス電圧を印加し測定する方法と、レギュラーシ
ーケンスで使用する電圧パルスが、測定用パルスを兼
ね、常時特性の検知を行う方法がある。

【００４５】前者の例としては、例えばレギュラーシー
ケンスでは適当な矩形波パルスにより活性化を進行させ
つつ、間欠的に矩形波パルスを印加し、このときに測定
したＩｆまたは、及びＩｅの波形から特性をモニタす
る、といった方法が挙げられる。測定用のパルスとして
は、矩形波に限らず、レギュラーシーケンスとは異なる
測定用の波高値を有する三角波パルスを用いることもあ
り得る。

【００４６】一方、後者の例としては、レギュラーシー
ケンスにおいて三角波、台形波、あるいは階段状パルス
等により活性化を進行させＩｆ又は／及びＩｅを常時測
定して特性をモニタする方法が挙げられる。

【００４７】なお、複数素子を活性化処理したり、マト
リックス配線された素子（後述）からなる列（或いは
行）に電圧パルスを印加して活性化を行う場合などは、
以下のように測定してもよい。

【００４８】ここで、マトリックス配線された素子から
なる列（或いは行）を、ライン素子と呼ぶ。

【００４９】それぞれの素子、あるいはライン素子毎に
検知を行う場合の他、１もしくは複数の素子、又は１も
しくは複数のライン素子の特性を検知してこれを代表と
して用いる場合、あるいはモニタ専用素子またはライン
素子を設けておき、この特性を検知して代表として用い
る場合もある。いずれの方法を用いるかは処理の目的に
応じて適宜選択する。

【００５０】次に、活性化ガス圧力測定方法について述
べる。

【００５１】活性化ガス圧力の測定方法としては、以下
２つの方法がある。

【００５２】（１）真空計などを用いて直接雰囲気を測
定する（２）電子放出素子の電気的特性測定を行い、雰囲気の
測定行う以下では、本測定方法で特徴的な測定である上記（２）
の、電気的特性から活性化ガス圧力を検知する方法につ
いて説明する。

【００５３】活性化処理進行時の素子電流Ｉｆ特性に関
する活性化ガス圧力依存性を図３に示す。曲線（ｉ）
は、活性化ガス圧力一定の場合の理想的な素子電流特性
を示している。一方、曲線（ｒ）は、活性化ガス圧力が
変動した場合の、素子電流特性を示している。理想曲線
からのずれは、活性化ガス圧力が変動していることを示
している。

【００５４】図３では、活性化工程開始から時間Ｔ１を
過ぎた時点で、活性化ガス圧力変動の影響で、電流がＩ
ｆ_rとなっている。理想状態と比較して電流がΔＩｆ
（＝Ｉｆ_i−Ｉｆ_r）ずれてしまっている。

【００５５】このように、理想雰囲気における特性と表
面伝導型電子放出素子作成時の特性差を検出することに
よって活性化ガス圧力の変動検出を行うことが可能とな
る。

【００５６】以上では、特性測定に素子電流Ｉｆを用い
たが、放出電流Ｉｅの場合も同様に、雰囲気変動を検知
することが可能である。

【００５７】条件判断ステップ（Ｃ）では、上記ステッ
プ（Ｂ）でモニターされた特性から、予め定められた条
件（後述）に照らし、次に行うステップを以下の３つか
ら選択する。

【００５８】（１）従前のレギュラーシーケンスを継続
する（２）活性化中断シーケンスに移る（３）終了シーケンスに移る条件判断ステップを機能毎に分割すると、“活性化ガス
圧力判断シーケンス”と“活性化終了判断シーケンス”
の２つに分けることができる。

【００５９】まず、“活性化ガス圧力判断シーケンス”
ステップ（Ｃ１）について説明する。

【００６０】ステップ（Ｂ）で測定された活性化ガス圧
力が、予め設定された活性化ガス圧力の変動許容値から
外れた場合、圧力異常として活性化中断シーケンス
（Ｄ）へ移る。それ以外の場合は、“活性化終了条件判
断シーケンス”ステップ（Ｃ２）へ移る。

【００６１】活性化ガス圧力の変動許容値設定は、ステ
ップ（Ｂ）での活性化ガス圧力測定方法によって異な
り、（１）真空計などを用いて直接雰囲気を測定する場
合と、（２）電子放出素子の電気的特性測定を行う場合
に分類される。

【００６２】上記（１）の真空計等を用いて直接雰囲気
を測定する場合は、活性化ガス圧力変化値を変動許容値
として設定する。

【００６３】上記（２）の電子放出素子の電気的特性測
定をする場合は、素子電流Ｉｆプロファイルの理想曲線
からの“ずれ”を変動許容値として設定する。つまり、
図３で示したΔＩｆ（＝Ｉｆ_i−Ｉｆ_r）に変動許容値を
設定する。以上では、変動許容値の設定に素子電流Ｉｆ
を用いたが、放出電流Ｉｅの場合も同様に変動許容値を
設定することができる。

【００６４】次に、“活性化終了条件判断シーケンス”
ステップ（Ｃ２）では、素子特性が活性化終了条件を満
たしているか判断する。

【００６５】本活性化工程では、活性化終了条件を、素
子電流Ｉｆの飽和、放出電流Ｉｅの飽和と規定した。

【００６６】ステップ（Ｂ）で測定された素子の電流が
飽和する場合、活性化終了とした。それ以外の場合は、
活性化工程を継続する必要があるため、“レギュラーシ
ーケンス”ステップ（Ａ）へ移る。

【００６７】ここでは、活性化ガス圧力判断シーケンス
を行ってから、活性化終了条件判断シーケンスを行う場
合について説明したが、シーケンスの順序はこれに限定
されるものではない。

【００６８】電圧印加中断シーケンス（Ｄ）は、活性化
ガス圧力が設定値に戻るまで活性化電圧印加を中断する
シーケンスである。活性化ガス圧力の制御は、活性化電
圧印加を中止し、活性化工程によるガス消費をなくすこ
とにより行われる。活性化ガス圧力が設定値に戻ったの
が確認されると、ステップ（Ａ）のレギュラーシーケン
スに戻り、素子への電圧印加が再開される。

【００６９】活性化ガス圧力の確認方法は、直接、真空
計により活性化ガス圧力を測定する方法を用いる。ま
た、予め測定した活性化ガス圧力の回復に要する時間
（回復時間）を測定し、電圧印加中断時間が回復時間以
上になった場合、活性化ガス圧力が設定値に回復したと
判断してもよい。

【００７０】終了シーケンス（ＥＮＤ）は、活性化処理
を終了するための一連の処理で、例えばパルス印加の停
止、有機物質の導入停止、真空容器内の排気と一定の圧
力以下への到達の確認等を含む。

【００７１】以上の方法により、電子放出素子の活性化
処理を実行し、活性化工程を終了する。

【００７２】従来の活性化工程との違いは、条件判断ス
テップ（Ｃ）で“活性化ガス圧力チェック”し、電圧印
加中断シーケンス（Ｄ）を行うことにある。

【００７３】本発明では、このシーケンスを採用するこ
とによって、活性化ガス圧力一定条件下での活性化工程
が行え、“素子の電気的特性”の再現性の良好化を図る
ことができる。

【００７４】

【実施例】以下、上述した実施形態に基づく具体的な実
施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではなく、本発明の目的が達成される範囲内での
各要素の置換や設計変更がなされたものをも含有するこ
とは言うまでもない。

【００７５】本発明を適用した実施例を示すのに先立
ち、実施例で取り扱う表面伝導型電子放出素子のマルチ
電子ビーム源の応用である画像表示装置の構成及び製造
方法の概略について以下で説明する。

【００７６】(表示パネルの構成と製造法)次に、本発明
を適用した画像表示装置の表示パネルの構成と製造法に
ついて、具体的な例を示して説明する。

【００７７】図８は、本実施例に用いた表示パネルの斜
視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り
欠いて示している。

【００７８】図中、１００５はリアプレート、１００６
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、たとえばフリット
ガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。

【００７９】リアプレート１００５には、基板１００１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１００２
がＮ×Ｍ個形成されている（Ｎ，Ｍは２以上の正の整数
であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。）。前記Ｎ×Ｍ個の冷
陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の列方向
配線１００４により単純マトリックス配線されている。
前記、１００１〜１００４によって構成される部分を電
子源基板と呼ぶ。なお、電子源基板の製造方法や構造に
ついては、後述する。

【００８０】本実施例においては、気密容器のリアプレ
ート１００５に電子源基板の基板１００１を固定する構
成としたが、電子源基板の基板１００１が十分な強度を
有するものである場合には、気密容器のリアプレートと
して電子源基板の基板１００１自体を用いてもよい。

【００８１】また、フェースプレート１００７の下面に
は、蛍光膜１００８が形成されている。本実施例はカラ
ー表示装置であるため、蛍光膜１００８の部分にはＣＲ
Ｔの分野で用いられる赤、緑、青、の３原色の蛍光体が
塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図９
（ａ）に示すようにストライプ状に塗り分けられ、蛍光
体のストライプの間には黒色の導電体１０１０が設けて
ある。黒色の導電体１０１０を設ける目的は、電子ビー
ムの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが生
じないようにすることや、外光の反射を防止して表示コ
ントラストの低下を防ぐこと、電子ビームによる蛍光膜
のチャージアップを防止することなどである。黒色の導
電体１０１０には、黒鉛を主成分として用いたが、上記
の目的に適するものであればこれ以外の材料を用いても
良い。

【００８２】また、３原色の蛍光体の塗り分け方は前記
図９（ａ）に示したストライプ状の配列に限られるもの
ではなく、たとえば図９（ｂ）に示すようなデルタ状配
列や、それ以外の配列であってもよい。

【００８３】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜１００８に用い
ればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。

【００８４】また、蛍光膜１００８のリアプレート側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。メタルバック１００９を設けた目的は、
蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させることや、負イオンの衝突から蛍光膜１０
０８を保護することや、電子ビーム加速電圧を印加する
ための電極として作用させることや、蛍光膜１００８を
励起した電子の導電路として作用させることなどであ
る。メタルバック１００９は、蛍光膜１００８をフェー
スプレート基板１００７上に形成した後、蛍光膜表面を
平滑化処理し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により
形成した。なお、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材
料を用いた場合には、メタルバック１００９は用いなく
てもよい。

【００８５】また、本実施例では用いなかったが、加速
電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フェ
ースプレート基板１００７と蛍光膜１００８との間に、
たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよい。

【００８６】また、Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙ
ｎおよびＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路と
を電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用
端子である。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行
方向配線１００３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎは電子源基板の列
方向配線１００４と、Ｈｖはフェースプレートのメタル
バック１００９と電気的に接続している。

【００８７】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を１０^-7［Ｔｏｒｒ］程度
の真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、
気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前ある
いは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜（不
図示）を形成する。ゲッター膜とは、たとえばＢａを主
成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱
により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜
の吸着作用により気密容器内は１×１０^-5ないしは１×
１０^-7［Ｔｏｒｒ］の真空度に維持される。

【００８８】以上、本発明の実施例の表示パネルの基本
構成と製法を説明した。

【００８９】次に、前記実施例の表示パネルに用いた電
子源基板の製造方法について説明する。本発明の画像表
示装置に用いる電子源基板は、表面伝導型電子放出素子
を単純マトリックス配線した電子源であれば、表面伝導
型電子放出素子の材料や形状あるいは製法に制限はな
い。しかしながら、発明者らは、表面伝導型放出素子の
中では、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から
形成したものがとりわけ電子放出特性に優れ、しかも製
造が容易に行えることを見いだしている。したがって、
高輝度で大画面の画像表示装置の電子源基板に用いるに
は、最も好適であると言える。そこで、上記実施例の表
示パネルにおいては、電子放出部もしくはその周辺部を
微粒子膜から形成した表面伝導型電子放出素子を用い
た。そこで、まず好適な表面伝導型電子放出素子につい
て基本的な構成と製法および特性を説明し、その後で多
数の素子を単純マトリックス配線した電子源基板の構造
について述べる。（表面伝導型電子放出素子の好適な素子構成と製法）電
子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成する表
面伝導型電子放出素子の代表的な構成には、平面型と垂
直型の２種類があげられる。（平面型の表面伝導型電子放出素子）まず最初に、平面
型の表面伝導型電子放出素子の素子構成と製法について
説明する。

【００９０】図１０（ａ）は平面型の表面伝導型電子放
出素子の構成を説明するための平面図、図１０（ｂ）は
その断面図である。図中、１１０１は基板、１１０２と
１１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
１１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【００９１】基板１１０１としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ₂を材料とする絶縁層
を積層した基板、などを用いることができる。

【００９２】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂をはじめとする金属酸
化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜材
料を選択して用いればよい。電極を形成するには、たと
えば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィー、
エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて用い
れば容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえば印
刷技術）を用いて形成してもさしつかえない。

【００９３】素子電極１１０２と１１０３の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百μｍの範囲から適当な数値を選んで設計される
が、なかでも表示装置に応用するために好ましいのは数
μｍより数十μｍの範囲である。また、素子電極の厚さ
ｄについては、通常は数百オングストロームから数μｍ
の範囲から適当な数値が選ばれる。

【００９４】また、導電性薄膜１１０４の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。

【００９５】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、などである。具体的には、
数オングストロームから数千オングストロームの範囲の
なかで設定するが、なかでも好ましいのは１０オングス
トロームから５００オングストロームの間である。

【００９６】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，
Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ，などをはじめとする金属や、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，Ｓｂ₂Ｏ₃，などをはじ
めとする酸化物や、ＨｆＢ₂，ＺｒＢ₂，ＬａＢ₆，Ｃ
ｅＢ₆，ＹＢ₄，ＧｄＢ₄，などをはじめとする硼化物
や、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，
などをはじめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ，などをはじめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などを
はじめとする半導体や、カーボン、などがあげられ、こ
れらの中から適宜選択される。

【００９７】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０³から１０⁷［Ω／ｓｑ］の範囲に含まれるよう設定
した。

【００９８】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図１０の例においては、
下から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電
極、の順序で積層してもさしつかえない。

【００９９】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。亀裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通
電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂
内には、数オングストロームから数百オングストローム
の粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電
子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困
難なため、図１０においては模式的に示した。

【０１００】また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。

【０１０１】薄膜１１１３は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は５００［オングストロ
ーム］以下とするのが好ましく、３００［オングストロ
ーム］以下とするのがさらに好ましい。なお、実際の薄
膜１１１３の位置や形状を精密に図示するのは困難なた
め、図１０においては模式的に示した。

【０１０２】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施例においては以下のような素子を用いた。

【０１０３】すなわち基板１１０１には青板ガラスを用
い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００［オングストロー
ム］、電極間隔Ｌは２［μｍ］とした。

【０１０４】微粒子膜の主要材料としてＰｄもしくはＰ
ｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００［オングストロ
ーム］、幅Ｗは１００［μｍ］とした。

【０１０５】次に、好適な平面型の表面伝導型電子放出
素子の製造方法について説明する。

【０１０６】図１１（ａ）〜（ｄ）は、表面伝導型電子
放出素子の製造工程を説明するための断面図で、各部材
の表記は前記図１０と同一である。１）まず、図１１（ａ）に示すように、基板１１０１
上に素子電極１１０２および１１０３を形成する。

【０１０７】形成するにあたっては、あらかじめ基板１
１０１を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、
素子電極の材料を堆積させる。堆積する方法としては、
たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術を用
いればよい。その後、堆積した電極材料を、フォトリソ
グラフィー・エッチング技術を用いてパターニングし、
図１１（ａ）に示した一対の素子電極１１０２，１１０
３を形成する。２）次に、図１１（ｂ）に示すように、導電性薄膜１
１０４を形成する。

【０１０８】形成するにあたっては、まず図１１（ａ）
の一対の素子電極１１０２，１１０３が形成された基板
に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理して微
粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッチン
グにより所定の形状にパターニングする。ここで、有機
金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を主要
元素とする有機金属化合物の溶液である。具体的には、
本実施例では主要元素としてＰｄを用いた。また、実施
例では塗布方法として、ディッピング法を用いたが、そ
れ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法を用いても
よい。

【０１０９】また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成
膜方法としては、本実施例で用いた有機金属溶液の塗布
による方法以外の、たとえば真空蒸着法やスパッタ法、
あるいは化学的気相堆積法などを用いる場合もある。３）次に、図１１（ｃ）に示すように、フォーミング
用電源１１１０から素子電極１１０２と１１０３の間に
適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を行って、
電子放出部１１０５を形成する。

【０１１０】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。

【０１１１】通電方法をより詳しく説明するために、図
１２に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄
膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ま
しく、本実施例の場合には同図に示したようにパルス幅
Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加し
た。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆを、順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。

【０１１２】本実施例においては、たとえば１０^-5［ｔ
ｏｒｒ］程度の真空雰囲気下において、たとえばパルス
幅Ｔ１を１［ミリ秒］、パルス間隔Ｔ２を１０［ミリ
秒］とし、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに０．１［Ｖ］
ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス印加するたび
に１回の割りで、モニターパルスＰｍを挿入した。フォ
ーミング処理に悪影響を及ぼすことがないように、モニ
ターパルスの電圧Ｖｐｍは０．１［Ｖ］に設定した。そ
して、素子電極１１０２と１１０３の間の電気抵抗が１
×１０⁶［Ω］になった段階、すなわちモニターパルス
印加時に電流計１１１１で計測される電流が１×１０^-7
［Ａ］以下になった段階で、フォーミング処理にかかわ
る通電を終了した。

【０１１３】なお、上記の方法は、本実施例の表面伝導
型電子放出素子に関する好ましい方法であり、たとえば
微粒子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌなど表
面伝導型電子放出素子の設計を変更した場合には、それ
に応じて通電の条件を適宜変更するのが望ましい。１）次に、図１１（ｄ）に示すように、活性化用電源
１１１２から素子電極１１０２と１１０３の間に適宜の
電圧を印加し、通電活性化処理を行って、電子放出特性
の改善を行う。

【０１１４】本発明による活性化ガス圧力変動を検知
し、電圧印加を中断する通電活性化処理シーケンスにつ
いては後述する実施例１及び実施例２において説明す
る。

【０１１５】ここでは、通電活性化処理の概要について
説明する。

【０１１６】通電活性化処理とは、具体的には、活性化
ガス雰囲気下で、電圧パルスを定期的に印加することに
より、有機化合物を起源とする炭素もしくは炭素化合物
を堆積させ、電子放出特性の改善を行う工程である。こ
こで使用される適当な有機物質としては、アルカン、ア
ルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素
類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン
類、フェノール、カルボン、スルホン酸等の有機酸類等
を挙げることができ、具体的には、メタン、エタン、プ
ロパンなどＣ_nＨ_2n+2で表される飽和炭化水素、エチレ
ン、プロピレンなどＣ_nＨ_2n等の組成式で表される不飽
和炭化水素、ベンゼン、トルエン、ベンゾニトリル、メ
タノール、エタノール、ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミ
ン、エチルアミン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロピオ
ン酸等が使用できる。

【０１１７】通電方法をより詳しく説明するために、図
１３（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。本実施例においては、一定電
圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行った
が、具体的には、矩形波の電圧Ｖａｃは１４［Ｖ］，パ
ルス幅Ｔ３は１［ミリ秒］，パルス間隔Ｔ４は１０［ミ
リ秒］とした。なお、上述の通電条件は、本実施例の表
面伝導型電子放出素子に関する好ましい条件であり、表
面伝導型電子放出素子の設計を変更した場合には、それ
に応じて条件を適宜変更するのが望ましい。

【０１１８】図１１（ｄ）に示す１１１４は、該表面伝
導型電子放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉す
るためのアノード電極で、直流高電圧電源１１１５およ
び電流計１１１６が接続されている。なお、基板１１０
１を、表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行
う場合には、表示パネルの蛍光面をアノード電極１１１
４として用いる。活性化用電源１１１２から電圧を印加
する間、電流計１１１６で放出電流Ｉｅを計測して通電
活性化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源１１
１２の動作を制御する。電流計１１１６で計測された放
出電流Ｉｅの一例を図１３（ｂ）に示すが、活性化電源
１１１２からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経
過とともに放出電流Ｉｅは増加するが、やがて飽和して
ほとんど増加しなくなる。このように、放出電流Ｉｅが
ほぼ飽和した時点で活性化用電源１１１２からの電圧印
加を停止し、通電活性化処理を終了する。ここでは、活
性化終了条件として、放出電流Ｉｅが飽和することとし
たが、電流計１１１７で計測される素子電流Ｉｆも同様
の傾向を示すことから、素子電流Ｉｆが飽和した時点で
通電活性化処理を行っても良い。

【０１１９】以上のようにして、図１１（ｅ）に示す平
面型の表面伝導型電子放出素子を製造した。（垂直型の表面伝導型電子放出素子）次に、電子放出部
もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面伝導型電
子放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち垂直
型の表面伝導型電子放出素子の構成について説明する。

【０１２０】図１４は、垂直型の表面伝導型電子放出素
子の基本構成を説明するための模式的な断面図であり、
図中の１２０１は基板、１２０２と１２０３は素子電
極、１２０６は段差形成部材、１２０４は微粒子膜を用
いた導電性薄膜、１２０５は通電フォーミング処理によ
り形成した電子放出部、１２１３は通電活性化処理によ
り形成した薄膜、である。

【０１２１】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方の素子電極１２０２が段差形
成部材１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０
４が段差形成部材１２０６の側面を被覆している点にあ
る。したがって、前記図１０の平面型における素子電極
間隔Ｌは、垂直型においては段差形成部材１２０６の段
差高Ｌｓとして設定される。なお、基板１２０１、素子
電極１２０２および１２０３、微粒子膜を用いた導電性
薄膜１２０４、については、前記平面型の説明中に列挙
した材料を同様に用いることが可能である。また、段差
形成部材１２０６には、たとえばＳｉＯ₂のような電気
的に絶縁性の材料を用いる。

【０１２２】次に、垂直型の表面伝導型電子放出素子の
製法について説明する。図１５（ａ）〜（ｆ）は、製造
工程を説明するための断面図で、各部材の表記は前記図
１４と同一である。１）まず、図１５（ａ）に示すように、基板１２０１
上に素子電極１２０３を形成する。２）次に、図１５（ｂ）に示すように、段差形成部材
を形成するための絶縁層を積層する。絶縁層は、たとえ
ばＳｉＯ₂をスパッタ法で積層すればよいが、たとえば
真空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法を用いてもよ
い。３）次に、図１５（ｃ）に示すように、絶縁層の上に
素子電極１２０２を形成する。４）次に、図１５（ｄ）に示すように、絶縁層の一部
を、たとえばエッチング法を用いて除去し、素子電極１
２０３を露出させる。５）次に、図１５（ｅ）に示すように、微粒子膜を用
いた導電性薄膜１２０４を形成する。形成するには、前
記平面型の場合と同じく、たとえば塗布法などの成膜技
術を用いればよい。６）次に、前記平面型の場合と同じく、通電フォーミ
ング処理を行い、電子放出部を形成する（図１１（ｃ）
を用いて説明した平面型の通電フォーミング処理と同様
の処理を行えばよい。）。７）次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処
理を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を
堆積させる（図１１（ｄ）を用いて説明した平面型の通
電活性化処理と同様の処理を行えばよい。）。

【０１２３】以上のようにして、図１５（ｆ）に示す垂
直型の表面伝導型電子放出素子を製造した。（表示装置に用いた表面伝導型電子放出素子の特性）以
上、平面型と垂直型の表面伝導型電子放出素子について
素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用いた素
子の特性について述べる。

【０１２４】図１６に、表示装置に用いた素子の、（放
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。

【０１２５】表示装置に用いた素子は、放出電流Ｉｅに
関して以下に述べる３つの特性を有している。

【０１２６】第一に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖｔｈ
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。

【０１２７】すなわち、放出電流Ｉｅに関して、明確な
閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。

【０１２８】第二に、放出電流Ｉｅは素子に印加する電
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。

【０１２９】第三に、素子に印加する電圧Ｖｆに対して
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。

【０１３０】以上のような特性を有するため、表面伝導
型電子放出素子を表示装置に好適に用いることができ
た。たとえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設
けた表示装置において、第一の特性を利用すれば、表示
画面を順次走査して表示を行うことが可能である。すな
わち、駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電
圧Ｖｔｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子に
は閾値電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子
を順次切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査
して表示を行うことが可能である。

【０１３１】また、第二の特性かまたは第三の特性を利
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、階調表示を行うことが可能である。（多数素子を単純マトリックス配線した電子源基板の構
造）次に、上述の表面伝導型電子放出素子を基板上に配
列して単純マトリックス配線した電子源基板の構造につ
いて述べる。

【０１３２】図１７に示すのは、前記図８の表示パネル
に用いた電子源基板の平面図である。基板上には、前記
図１０で示したものと同様な表面伝導型電子放出素子が
配列され、これらの素子は行方向配線電極１００３と列
方向配線電極１００４により単純マトリックス状に配線
されている。行方向配線電極１００３と列方向配線電極
１００４の交差する部分には、電極間に絶縁層（不図
示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。

【０１３３】図１７のＡ−Ａ′に沿った断面を、図１８
に示す。

【０１３４】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１００３、列方向配
線電極１００４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型電子放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した
後、行方向配線電極１００３および列方向配線電極１０
０４を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と
通電活性化処理を行うことにより製造した。（多数素子を単純マトリックス配線した電子源基板の行
（列）単位活性化工程）次に、上述の単純マトリックス
配線した電子源基板を、行（列）単位に活性化処理する
方法について述べる。この手法を用いることにより、多
数の素子を同時に活性化できるため、活性化処理時間を
短くすることができる。

【０１３５】図４に示すのは、前記図１７のマトリック
ス配線された表面伝導型電子放出素子に対して、２行目
（Ｄｘ２）の素子を活性化処理する場合の電圧印加方法
を示している。

【０１３６】表面伝導型電子放出素子７４は、行方向配
線７２、列方向配線７３に接続されており、７７は活性
化電源、７６は素子電流を測定するための電流計で、２
行目の素子にのみ電圧を印加するために、２行目（Ｄｘ
２）以外の行方向配線７２と、すべての列方向配線７３
を接地している。このように素子を接続することによ
り、行方向の素子に電圧が印加され、活性化工程を行う
ことができる。

【０１３７】活性化工程の進行状況を観察する素子電流
測定は、電流計７６によって行われ、活性化終了条件
は、この素子電流の合算値が飽和したときとした。

【０１３８】ここでは、２行目（Ｄｘ２）の素子を活性
化処理する場合について述べたが、他の行の素子を活性
化処理する場合も、同様の方法を用いて行うことができ
る。

【０１３９】また、ここでは行配線単位の活性化工程に
ついて述べたが、列配線単位の活性化工程も同様の方法
を用いれば、行うことができる。

【０１４０】さらに、活性化工程の進行状況観察方法
は、素子電流測定に限られず、放出電流測定を用いても
よい。

【０１４１】以上、本実施例で扱う画像表示装置の構成
および作成方法について説明した。

【０１４２】次に本発明のより具体的な実施例について
説明する。［実施例１］本実施例は、多数の表面伝導型電子放出素
子を単純マトリックス配線（素子数１０２４×３０７
２）した電子源基板を有する画像表示装置の製造方法、
主に電子源の活性化工程の一例である。

【０１４３】以下、図５、図６、図８を用いて本実施例
を具体的に説明する。なお、どの行においても３０７２
個の表面伝導型電子放出素子を並べ列方向を形成してい
る。

【０１４４】図５は、本実施例における活性化装置の構
成を示すブロック図である。図８に示した電子源基板
を、図５のように接続して活性化処理を行う。

【０１４５】図５において、３１０は、表面伝導型電子
放出素子をｍ行×ｎ列（本実施例ではｍ＝１０２４、ｎ
＝３０７２）の単純マトリックス配線した画像表示装置
である。また、この電子放出素子は既にすべてフォーミ
ングされているものとする。

【０１４６】画像表示装置は、排気管を通じて真空排気
装置３１７に接続されており、電子源基板の行方向配線
Ｄｘ１〜Ｄｘｍは活性化処理装置３００のＳｘ１〜Ｓｘ
ｍに接続されている。

【０１４７】３１１は活性化電圧パルスを発生する活性
化電源である。３１２は、活性化電源３１１で発生した
電圧パルスを、任意の行に印加する行配線選択部であ
る。３１３は、各行配線に流れる素子電流値を測定する
電流計である。３１６は、真空測定系で、真空度及び真
空組成材料分析などが可能である。３１４は、電流計３
１３で検出されたライン素子の素子電流値及び真空測定
系３１６で測定された値に基づいて、活性化電源３１１
及び行配線選択部３１２を制御する制御部である。

【０１４８】本実施例では、多数の素子を活性化する方
法として、１行毎に活性化工程を行う、行単位活性化工
程を行うこととする。活性化処理時の印加波形は、電圧
波高値を１４Ｖ、パルス幅を１ｍｓｅｃ、パルス周期を
１０ｍｓｅｃとした。また、活性化処理の終了は、前述
した電流計３１３から得られる１行の素子電流値が飽和
した時点とした。

【０１４９】まず、前記フォーミング処理がなされた電
子源基板を有する真空容器内に、活性化ガスとして、有
機物質ベンゾニトリルを１×１０^-5Ｔｏｒｒ導入し、活
性化工程を行う。

【０１５０】制御部３１４より、行配線選択部３１２を
制御して、行配線Ｄｘ１の１行を選択し、この１行に活
性化電源３１１からパルス電圧印加し、活性化を行っ
た。

【０１５１】活性化時の素子特性検知方法と活性化ガス
圧力検知方法は、以下のようにした。

【０１５２】まず、素子特性検知は、活性化工程で使用
している電圧パルス（１４Ｖ、パルス幅１ｍｓｅｃ、パ
ルス周期１０ｍｓｅｃ）を用いて、常時、選択した行配
線の電流（素子電流）を測定する。

【０１５３】次に、活性化ガス圧力の検知は、真空容器
内の真空圧力測定によって行い、素子特性検知と同時に
測定することとした。

【０１５４】本活性化工程では、電圧印加中断工程によ
る活性化ガス圧力制御は行わないものとする。また、活
性化終了条件は、選択した行配線に流れる素子電流値が
飽和した場合とした。

【０１５５】また、活性化終了工程は、素子電圧の印加
の停止を行うこととした。

【０１５６】本活性化工程では、電圧印加中断工程によ
る活性化ガス圧力制御を行い、電圧印加中断条件を、活
性化ガス圧力が９×１０^-6Ｔｏｒｒ以下とし、また活性
化ガス圧力が１×１０^-5Ｔｏｒｒに戻るまで中断が継続
されることとした。

【０１５７】このときの素子電流Ｉｆプロファイルを図
７に示す。

【０１５８】Ｐ_act1は、活性化ガス圧力を示しており、
Ｉｆ₁は、１行目の素子電流を示している。

【０１５９】活性化の進行に伴って、活性化ガス圧力Ｐ
_act1が減少し、時刻Ｔ１（活性化開始から１０分）に９
×１０^-6Ｔｏｒｒとなった為、素子への電圧印加を一時
中断し、活性化ガス圧力が１×１０^-5Ｔｏｒｒに回復す
るのを待った。

【０１６０】時刻Ｔ２（活性化開始から２０分）に活性
化ガス圧力が１×１０^-5Ｔｏｒｒに回復したので、再び
電圧印加を開始した。

【０１６１】時刻Ｔ３（活性化開始から３０分）で、再
び、活性化ガス圧力が９×１０^-6Ｔｏｒｒとなってしま
ったため、素子に電圧を印加するのを中断し、活性化ガ
ス圧力が１×１０^-5Ｔｏｒｒに回復するのを待った。

【０１６２】時刻Ｔ４（活性化開始から４０分）に活性
化ガス圧力が１×１０^-5Ｔｏｒｒに回復したので、再び
電圧印加を開始した。

【０１６３】時刻Ｔ５（活性化開始から８０分）で、素
子電流Ｉｆは飽和したので活性化終了工程を行った。こ
の時、行の素子電流ＩｆはＩｆ_end（＝５Ａ）となっ
た。

【０１６４】残りの１０２３行に対して、順次同様の活
性化工程を行ったところ、何れの行の素子電流も、〜５
Ａを得ることができた。

【０１６５】以上のように、活性化ガス圧力の変化に応
じて電圧印加中断シーケンスを導入する活性化を行う
と、画像表示に寄与する部位の各表面伝導型電子放出素
子間での放出電流は均一なものとなり、輝度バラツキを
抑えた画像表示装置を提供することが可能となった。

【０１６６】ここでは、活性化ガス圧力の検知は、真空
計によって真空系の全圧を測定するものとしたが、Ｑｍ
ａｓｓなどを用いて活性化ガス分圧の検知を行ってもよ
い。

【０１６７】［実施例２］本活性化工程は、実施例１と
同様に活性化ガス圧力制御が行われるが、活性化ガス圧
力測定方法が実施例１と異なっており、素子電流Ｉｆか
ら活性化ガス圧力を検知する方法を用いた。

【０１６８】本活性化工程では、電圧印加中断工程によ
る活性化ガス圧力制御を行い、電圧印加中断条件を、理
想的な活性化ガス圧力中の電流特性と測定ライン電流が
２００ｍＡ以上となった時とし、３０分間中断が継続さ
れることとした。

【０１６９】活性化工程を、行配線Ｄｘ１の１行目に対
して行った時の、素子電流Ｉｆプロファイルを図８に示
す。

【０１７０】Ｉｆ₃は、活性化工程時のＤｘ１行の素子
電流を示しており、Ｉｆ_ideal341、Ｉｆ_ideal342、Ｉｆ
_ideal343は、活性化ガス圧力Ｐ_init１×１０^-5Ｔｏｒｒ
一定で変化のない場合の理想的な特性曲線を示してい
る。

【０１７１】活性化の進行とともに、理想曲線Ｉｆ
_ideal341と実験素子電流Ｉｆ₃の差が開き、時刻Ｔ６(活
性化開始から１０分後)に理想曲線Ｉｆ₆(＝２．０Ａ)と
実験曲線Ｉｆ_r6(＝１．８Ａ)の差が２００ｍＡとなった
ため３０分間電圧印加を中断した。

【０１７２】中断後、時刻Ｔ７(活性化開始から４０分
後)に電圧印加を再開した。ここで時刻Ｔ７における理
想曲線の初期値をＩｆ_r6とした。

【０１７３】中断後、時刻Ｔ７以降の理想曲線Ｉｆ
_ideal342は、活性化開始時の理想曲線Ｉｆ_ideal341の時
間軸原点を０′にシフトしたものである。時間軸原点
０′は、以下のように計算した。

【０１７４】Ｉｆ_ideal341が１．８Ａとなる時刻Ｔａ
(＝５分)を見積もり、活性化再開時刻Ｔ７(＝４０分)か
ら時刻Ｔａを差し引いた時間を０′(＝３５分)とした
(０′＝Ｔ７−Ｔａ)。

【０１７５】時刻Ｔ８(活性化開始から６０分後)に理想
曲線Ｉｆ₈(＝３．８Ａ)と実験曲線Ｉｆ_r8(＝３．６Ａ)
の差が２００ｍＡとなったため３０分間電圧印加を中断
した。

【０１７６】中断後、時刻Ｔ９(活性化開始から９０分
後)に電圧印加を再開した。ここで時刻Ｔ９における理
想曲線の初期値をＩｆ_r8とした。中断後時刻Ｔ９以降の
理想曲線Ｉｆ_ideal343は、活性化開始時の理想曲線Ｉｆ
_ideal341の時間軸原点を０″にシフトしたものである。

【０１７７】時間軸原点０″は、以下のように計算し
た。

【０１７８】Ｉｆ_ideal341が３．６Ａとなる時刻Ｔｂ
(＝２０分)を見積もり、活性化再開時刻Ｔ９(＝９０分)
から時刻Ｔｂを差し引いた時間を０″(＝７０分)とした
(０″＝Ｔ９−Ｔｂ)。

【０１７９】時刻Ｔ１０(活性化開始から１４０分後)に
素子電流が飽和したため活性化を終了した。この時、行
の素子電流ＩｆはＩｆ_end(＝５Ａ)となった。

【０１８０】この後、残りの１０２３行に対して、順次
同様の活性化工程を行ったところ、何れの行の素子電流
も、〜５Ａを得た。

【０１８１】以上のように、素子電流Ｉｆから活性化ガ
ス圧力制御を行うことで、実施例１の活性化とほぼ同等
の電流が得られた。

【０１８２】以上の方法により活性化を行った結果、画
像表示に寄与する部位の各表面伝導型電子放出素子間で
の放出電流は略均一なものとなり、電子源全体の活性化
処理時間を短く保ちながら、輝度バラツキを抑えた画像
表示装置を提供することが可能となった。

【０１８３】活性化ガス圧力を素子の電気的測定から検
知する方法は、以上述べたように、素子電流Ｉｆ特性か
ら測定する方法があるが、これに限られたものではな
く、放出電流Ｉｅプロファイル特性から測定する方法を
用いてもよい。

【０１８４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子放出素子、及び、複数の電子放出素子を配線接続し
た電子源、並びに、画像表示装置の活性化工程で、活性
化ガス圧力変動の影響を抑制した製造方法および製造装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の活性化工程を示すフロー図
である。

【図２】本発明の実施形態の活性化装置の構成を示す概
略的構成図である。

【図３】活性化工程の素子電流プロファイルによる活性
化ガス圧力検知を説明する図である。

【図４】単純マトリックス配線した電子源を行配線単位
で活性化する方法を示す図である。

【図５】本発明の実施例を示す電子源活性化装置のブロ
ック図である。

【図６】活性化ガス圧力変動を検知し、電圧印加中断工
程を行う活性化工程での素子電流Ｉｆプロファイルであ
る。

【図７】活性化ガス圧力変動を検知し、電圧印加中断工
程を行う活性化工程での素子電流Ｉｆプロファイルであ
る。

【図８】画像表示装置の一部を切り欠いて示した斜視図
である。

【図９】画像表示装置のフェースプレートの蛍光体配列
を例示した平面図である。

【図１０】実施例で用いた平面型の表面伝導型電子放出
素子の平面図及び断面図である。

【図１１】平面型の表面伝導型電子放出素子の製造工程
を示す断面図である。

【図１２】通電フォーミング処理の際の印加電圧波形を
示す図である。

【図１３】通電活性化処理の際の印加電圧波形を示す図
および放出電流Ｉｅの変化を示す図である。

【図１４】垂直型の表面伝導型電子放出素子の断面図で
ある。

【図１５】垂直型の表面伝導型電子放出素子の製造工程
を示す断面図である。

【図１６】実施例で用いた表面伝導型電子放出素子の典
型的な特性（Ｉｆ、Ｉｅ）を示すグラフである。

【図１７】多数素子を単純マトリックス配線した電子源
基板の平面図である。

【図１８】多数素子を単純マトリックス配線した電子源
基板の断面図である。

【図１９】平面型の表面伝導型電子放出素子の概略構成
の一例を示す図である。

【図２０】表面伝導型電子放出素子の活性化処理装置の
一例を示す模式図である。

【図２１】活性化処理時の、表面伝導型電子放出素子の
素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅの時間的な変化を示す図
である。

【図２２】活性化処理時の素子電流Ｉｆプロファイルに
関する活性化ガス圧力依存性を示す図である。

【符号の説明】

２１１真空容器２１２真空容器内の活性化ガス圧力及び素子の電気的
特性の検知手段２１３条件設定手段２１４制御装置２１５排気装置２１６バルブ２１７電子放出素子３００活性化処理装置３１０画像表示装置３１１活性化電源３１２行配線選択部３１３電流計３１４制御部３１５真空容器３１６真空測定系３１７真空排気装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極間に設けられてなる導電性膜に形成
された電子放出部からの放出電流を増加させるための活
性化工程を有し、該活性化工程は、次の工程Ａ）〜Ｄ）
を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。Ａ）活性化ガス雰囲気下で前記電子放出部に電圧を印加
する工程Ｂ）前記導電性膜の電気的特性及び活性化ガス圧力を検
知する工程Ｃ）検知された前記電気的特性及び活性化ガス圧力に応
じて前記活性化工程の工程継続、工程終了、工程中断の
いずれかを選択する工程Ｄ）前記工程Ｃ）で工程中断が選択された場合、活性化
ガス圧力が所定の設定値になるまで前記電圧の印加を中
断する工程
【請求項２】電極間に設けられてなる導電性膜に形成
された電子放出部からの放出電流を増加させるための活
性化工程を有し、該活性化工程は、次の工程Ａ）〜Ｄ）
を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。Ａ）活性化ガス雰囲気下で前記電子放出部に電圧を印加
する工程Ｂ）前記活性化ガス圧力を検知する工程Ｃ）検知された前記活性化ガス圧力に応じて前記活性化
工程の工程継続、工程中断のいずれかを選択する工程Ｄ）前記工程Ｃ）で工程中断が選択された場合、活性化
ガス圧力が所定の設定値になるまで前記電圧の印加を中
断する工程
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の電子放出
素子の製造方法において、前記活性化ガス圧力の検知
は、真空測定装置を用いて行われることを特徴とする電
子放出素子の製造方法。
【請求項４】請求項１又は請求項２に記載の電子放出
素子の製造方法において、前記活性化ガス圧力は、前記
電子放出素子の電気的特性をもとに検知されることを特
徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項５】請求項４に記載の電子放出素子の製造方
法において、前記電子放出素子の電気的特性は、前記導
電性膜に流れる電流の電流値又は前記導電性膜から放出
される電流の電流値であることを特徴とする電子放出素
子の製造方法。
【請求項６】請求項１又は請求項２に記載の電子放出
素子の製造方法において、電圧の印加を中断する工程
Ｄ）は、前記活性化ガス圧力を検知する工程と、検知さ
れた活性化ガス圧力に応じて前記電子放出部に電圧を印
加するか、電圧印加の中断を継続するかを選択する工程
とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項７】請求項６に記載の電子放出素子の製造方
法において、前記活性化ガス圧力の検知は、真空測定装
置を用いて行うことを特徴とする電子放出素子の製造方
法。
【請求項８】請求項６に記載の電子放出素子の製造方
法において、前記活性化ガス圧力の検知は、電圧印加を
中断する時間をもとにして行うことを特徴とする電子放
出素子の製造方法。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかの請求項に記載
の電子放出素子は、表面伝導型電子放出素子であること
を特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項１０】複数の電子放出素子が共通配線に接続
される電子源の製造方法において、該電子放出素子を請
求項１〜９のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法
により製造することを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項１１】請求項１０に記載の電子源は、複数の
電子放出素子がマトリックス状に配置され、同じ行に配
置された前記電子放出素子の一方の電極が、行方向の配
線に接続され、同じ列に配置された前記電子放出素子の
他方の電極が、列方向の配線に接続されていることを特
徴とする電子源の製造方法。
【請求項１２】複数の電子放出素子を有する電子源
と、該電子源からの電子照射により画像を形成する画像
形成部材と、を有する画像形成装置の製造方法におい
て、前記電子放出素子を請求項１〜９のいずれかに記載
の電子放出素子の製造方法により製造することを特徴と
する画像形成装置の製造方法。
【請求項１３】電極間に設けられてなる導電性膜に形
成された電子放出部からの放出電流を増加させるための
活性化処理を行う電子放出素子の製造装置であって、活
性化ガス雰囲気下で前記電子放出部に電圧を印加する手
段と、前記導電性膜の電気的特性及び活性化ガス圧力を
検知する手段と、検知された前記電気的特性及び活性化
ガス圧力に応じて前記活性化処理の実施、終了、中断の
いずれかを選択する手段と、前記活性化処理の中断が選
択された場合、活性化ガス圧力が所定の設定値になるま
で前記電圧の印加を中断する手段と、を有する電子放出
素子の製造装置。
【請求項１４】電極間に設けられてなる導電性膜に形
成された電子放出部からの放出電流を増加させるための
活性化処理を行う電子放出素子の製造装置であって、活
性化ガス雰囲気下で前記電子放出部に電圧を印加する手
段と、前記活性化ガス圧力を検知する手段と、検知され
た前記活性化ガス圧力に応じて前記活性化処理の実施、
中断のいずれかを選択する手段と、前記活性化処理の中
断が選択された場合、活性化ガス圧力が所定の設定値に
なるまで前記電圧の印加を中断する手段と、を有する電
子放出素子の製造装置。
【請求項１５】請求項１３又は請求項１４に記載の電
子放出素子の製造装置において、前記活性化ガス圧力を
検知する手段は、真空雰囲気を測定する手段を有するこ
とを特徴とする電子放出素子の製造装置。
【請求項１６】請求項１３又は請求項１４に記載の電
子放出素子の製造装置において、前記活性化ガス圧力を
検知する手段は、前記電子放出素子の電気的特性を測定
する手段を有することを特徴とする電子放出素子の製造
装置。
【請求項１７】請求項１６に記載の電子放出素子の製
造装置において、前記電子放出素子の電気的特性は、前
記導電性膜に流れる電流の電流値又は前記導電性膜から
放出される電流の電流値であることを特徴とする電子放
出素子の製造装置。
【請求項１８】請求項１３又は請求項１４に記載の電
子放出素子の製造装置において、活性化ガス圧力が所定
の設定値になるまで前記電圧の印加を中断する手段は、
前記活性化ガス圧力を検知する手段と、検知された活性
化ガス圧力に応じて前記電子放出部に電圧を印加する
か、電圧印加の中断を継続するかを選択する手段とを有
することを特徴とする電子放出素子の製造装置。
【請求項１９】請求項１８に記載の電子放出素子の製
造装置において、前記活性化ガス圧力を検知する手段
は、真空雰囲気を測定する手段であることを特徴とする
電子放出素子の製造装置。
【請求項２０】請求項１８に記載の電子放出素子の製
造装置において、前記活性化ガス圧力を検知する手段
は、電圧印加を中断する時間を測定する手段を有するこ
とを特徴とする電子放出素子の製造装置。
【請求項２１】請求項１３〜２０のいずれかの請求項
に記載の電子放出素子は、表面伝導型電子放出素子であ
ることを特徴とする電子放出素子の製造装置。
【請求項２２】複数の電子放出素子が共通配線に接続
される電子源の製造装置において、請求項１３〜２１の
いずれかに記載の電子放出素子の製造装置を有すること
を特徴とする電子源の製造装置。
【請求項２３】請求項２２に記載の電子源は、複数の
電子放出素子がマトリックス状に配置され、同じ行に配
置された前記電子放出素子の一方の電極が、行方向の配
線に接続され、同じ列に配置された前記電子放出素子の
他方の電極が、列方向の配線に接続されていることを特
徴とする電子源の製造装置。
【請求項２４】複数の電子放出素子を有する電子源
と、該電子源からの電子照射により画像を形成する画像
形成部材と、を有する画像形成装置の製造装置におい
て、前記電子放出素子を請求項１３〜２１のいずれかに
記載の電子放出素子の製造装置を有することを特徴とす
る画像形成装置の製造装置。