JP2000256097A - 単結晶フェライト接合体の製造方法 - Google Patents
単結晶フェライト接合体の製造方法Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトを接
合して接合体を製造するのに際して、各フェライト内の
内在歪みを低減し、接合体を加工する際の欠けを低減
し、接合および加工工程における歩留りを向上させる。 【解決手段】フェライトの種単結晶と多結晶体とを接合
し、加熱して種単結晶と多結晶体との界面を多結晶体側
へと移動させることによって、互いに結晶方位の異なる
第一の単結晶フェライト１と第二の単結晶フェライト２
とを作製する。単結晶フェライト１と２とを当接させ
る。この際単結晶フェライト１の当接面１ａと単結晶フ
ェライト２の当接面２ａとのいずれにも（１００）面が
存在しないようにする。常圧下で加熱して固相拡散によ
り単結晶フェライト１と２とを接合する。
合して接合体を製造するのに際して、各フェライト内の
内在歪みを低減し、接合体を加工する際の欠けを低減
し、接合および加工工程における歩留りを向上させる。 【解決手段】フェライトの種単結晶と多結晶体とを接合
し、加熱して種単結晶と多結晶体との界面を多結晶体側
へと移動させることによって、互いに結晶方位の異なる
第一の単結晶フェライト１と第二の単結晶フェライト２
とを作製する。単結晶フェライト１と２とを当接させ
る。この際単結晶フェライト１の当接面１ａと単結晶フ
ェライト２の当接面２ａとのいずれにも（１００）面が
存在しないようにする。常圧下で加熱して固相拡散によ
り単結晶フェライト１と２とを接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド材料と
して有用な、互いに方位の異なる単結晶フェライトの接
合体を製造する方法に関するものである。
して有用な、互いに方位の異なる単結晶フェライトの接
合体を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッド用材料としては、単結晶およ
び多結晶のフェライトが知られている。しかし、場合に
よっては、磁気ヘッドが磁気記録媒体と習接する際、単
結晶単体では習動ノイズが大きく、また、多結晶単体で
は習動ノイズは低減できるが、電磁変換特性が劣った
り、偏磨耗や欠け等が起こり、単独では使用できなかっ
た。このため、磁気ヘッドの前部記録媒体対向部が単結
晶フェライトからなり、後部磁気回路構成部が多結晶フ
ェライトからなる複合型フェライトが知られている。ま
た、互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトを接合し
てなる磁気ヘッドが知られている。
び多結晶のフェライトが知られている。しかし、場合に
よっては、磁気ヘッドが磁気記録媒体と習接する際、単
結晶単体では習動ノイズが大きく、また、多結晶単体で
は習動ノイズは低減できるが、電磁変換特性が劣った
り、偏磨耗や欠け等が起こり、単独では使用できなかっ
た。このため、磁気ヘッドの前部記録媒体対向部が単結
晶フェライトからなり、後部磁気回路構成部が多結晶フ
ェライトからなる複合型フェライトが知られている。ま
た、互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトを接合し
てなる磁気ヘッドが知られている。
【０００３】例えば、特開昭５４−９４０１４号公報で
は、磁気ヘッドの前部磁気記録媒体対向部と後部磁気回
路構成部分とを、互いに結晶方位の異なるＭｎ−Ｚｎフ
ェライトで作製することによって、高感度の磁気ヘッド
を得ようとしている。特開昭５７−５３８１８号公報に
おいても、Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドにおいて、
前部磁気記録媒体対向部と後部磁気記録回構成部とを、
互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトによって構成
している。特開昭６３−４９６０６号公報においては、
磁路形成面に〈１１０〉の閉磁路を形成するよう、結晶
方位の異なる単結晶を接合し、優れた記録・再生特性を
得ようとしている。
は、磁気ヘッドの前部磁気記録媒体対向部と後部磁気回
路構成部分とを、互いに結晶方位の異なるＭｎ−Ｚｎフ
ェライトで作製することによって、高感度の磁気ヘッド
を得ようとしている。特開昭５７−５３８１８号公報に
おいても、Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドにおいて、
前部磁気記録媒体対向部と後部磁気記録回構成部とを、
互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトによって構成
している。特開昭６３−４９６０６号公報においては、
磁路形成面に〈１１０〉の閉磁路を形成するよう、結晶
方位の異なる単結晶を接合し、優れた記録・再生特性を
得ようとしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような複合型単
結晶を製造する際には、一般には融液からブリッジマン
法によって単結晶を育成し、互いに結晶方位の異なる単
結晶をガラスによって溶着させている。または、互いに
結晶方位の異なる単結晶を当接させ、５ｋｇ／ｃｍ２程
度の圧力を加えて加熱接合させている。
結晶を製造する際には、一般には融液からブリッジマン
法によって単結晶を育成し、互いに結晶方位の異なる単
結晶をガラスによって溶着させている。または、互いに
結晶方位の異なる単結晶を当接させ、５ｋｇ／ｃｍ２程
度の圧力を加えて加熱接合させている。
【０００５】しかし、これらの方法によって製造された
磁気ヘッドは、互いに異なる結晶方位を有する単結晶同
士の熱膨張差や、単結晶とガラスとの熱膨張差によって
生ずる内在歪み、あるいは接合時の加熱および加圧によ
って生ずる内在歪みから、あるいは非磁性材料であるガ
ラスを磁性材料の間に介在させることから、接合時の歩
留りが低く、また接合体を加工して磁気ヘッドを形成す
る加工工程において欠けが発生し易いばかりか、目的と
する高出力、低ノイズの複合型磁気ヘッドを効果的に作
製できない。
磁気ヘッドは、互いに異なる結晶方位を有する単結晶同
士の熱膨張差や、単結晶とガラスとの熱膨張差によって
生ずる内在歪み、あるいは接合時の加熱および加圧によ
って生ずる内在歪みから、あるいは非磁性材料であるガ
ラスを磁性材料の間に介在させることから、接合時の歩
留りが低く、また接合体を加工して磁気ヘッドを形成す
る加工工程において欠けが発生し易いばかりか、目的と
する高出力、低ノイズの複合型磁気ヘッドを効果的に作
製できない。
【０００６】本発明の課題は、互いに結晶方位の異なる
単結晶フェライトを接合して接合体を製造するのに際し
て、各単結晶フェライト内の内在歪みを低減し、また接
合体を加工する際の欠けを低減することによって、接合
工程および加工工程における製造歩留りを向上させるこ
とである。
単結晶フェライトを接合して接合体を製造するのに際し
て、各単結晶フェライト内の内在歪みを低減し、また接
合体を加工する際の欠けを低減することによって、接合
工程および加工工程における製造歩留りを向上させるこ
とである。
【０００７】また、本発明の課題は、高い出力と低いノ
イズとを有する磁気ヘッドを効果的に量産できるような
製造方法を提供することである。
イズとを有する磁気ヘッドを効果的に量産できるような
製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、フェライトの
種単結晶と多結晶体とを接合し、加熱して種単結晶と多
結晶体との界面を多結晶体側へと移動させることによっ
て、互いに結晶方位の異なる第一の単結晶フェライトと
第二の単結晶フェライトとを作製し、次いで第一の単結
晶フェライトと第二の単結晶フェライトとを当接させ、
この際第一の単結晶フェライトの当接面と第二の単結晶
フェライトの当接面とのいずれにも（１００）面が存在
しないようにし、常圧下で加熱して固相拡散により第一
の単結晶フェライトと第二の単結晶フェライトとを接合
することを特徴とする、単結晶フェライト接合体の製造
方法に係るものである。
種単結晶と多結晶体とを接合し、加熱して種単結晶と多
結晶体との界面を多結晶体側へと移動させることによっ
て、互いに結晶方位の異なる第一の単結晶フェライトと
第二の単結晶フェライトとを作製し、次いで第一の単結
晶フェライトと第二の単結晶フェライトとを当接させ、
この際第一の単結晶フェライトの当接面と第二の単結晶
フェライトの当接面とのいずれにも（１００）面が存在
しないようにし、常圧下で加熱して固相拡散により第一
の単結晶フェライトと第二の単結晶フェライトとを接合
することを特徴とする、単結晶フェライト接合体の製造
方法に係るものである。
【０００９】本発明者は、組成制御性に優れた固相反応
法によって、互いに結晶方位の異なる単結晶フェライト
を得た後に、これらの単結晶フェライトを当接させ、こ
の際当接面に（１００）面が存在しないように配向さ
せ、常圧下で加熱し、固相拡散により接合一体化するこ
とで、高い歩留りで接合体を得、その後の接合体の加工
工程における加工歩留りも高くでき、かつ高出力、低ノ
イズの複合型単結晶磁気ヘッドが得られることを見いだ
した。
法によって、互いに結晶方位の異なる単結晶フェライト
を得た後に、これらの単結晶フェライトを当接させ、こ
の際当接面に（１００）面が存在しないように配向さ
せ、常圧下で加熱し、固相拡散により接合一体化するこ
とで、高い歩留りで接合体を得、その後の接合体の加工
工程における加工歩留りも高くでき、かつ高出力、低ノ
イズの複合型単結晶磁気ヘッドが得られることを見いだ
した。
【００１０】接合時の温度は、１３０５℃以上が好まし
く、更には１３１０℃以上が更に好ましい。これによっ
て、接合時の歩留り、加工時の歩留りが一層向上する。
また、接合時の温度を１５５０℃以下とすることによっ
て、単結晶フェライトの溶解を防止できる。
く、更には１３１０℃以上が更に好ましい。これによっ
て、接合時の歩留り、加工時の歩留りが一層向上する。
また、接合時の温度を１５５０℃以下とすることによっ
て、単結晶フェライトの溶解を防止できる。
【００１１】フェライトの種単結晶と多結晶体とを接合
し、加熱して種単結晶と多結晶体との界面を多結晶体側
へと移動させることによって、互いに結晶方位の異なる
第一の単結晶フェライトと第二の単結晶フェライトとを
作製する方法は、固相反応法として本技術分野において
知られており、特公昭６１−３３１３号公報に記載され
ている。
し、加熱して種単結晶と多結晶体との界面を多結晶体側
へと移動させることによって、互いに結晶方位の異なる
第一の単結晶フェライトと第二の単結晶フェライトとを
作製する方法は、固相反応法として本技術分野において
知られており、特公昭６１−３３１３号公報に記載され
ている。
【００１２】各単結晶フェライトの各結晶面の方位は特
に限定されない。しかし、いずれの単結晶フェライトの
接合面にも（１００）方位が存在しないように配向させ
ることによって、単結晶フェライト同士を常圧で固相拡
散法によって高い歩留りで接合させ得ることを見いだし
た。
に限定されない。しかし、いずれの単結晶フェライトの
接合面にも（１００）方位が存在しないように配向させ
ることによって、単結晶フェライト同士を常圧で固相拡
散法によって高い歩留りで接合させ得ることを見いだし
た。
【００１３】複合型磁気ヘッドを作製する場合には、前
部磁気媒体当接部をＶＨＳ方位とし、後部磁気回路構成
部をβ方位とすることによって、特に高い出力と低いノ
イズとを実現できる。
部磁気媒体当接部をＶＨＳ方位とし、後部磁気回路構成
部をβ方位とすることによって、特に高い出力と低いノ
イズとを実現できる。
【００１４】
【実施例】図１に示すような形態の単結晶フェライト１
と２とを接合した。ただし、本発明内の実験番号１−６
においては、単結晶フェライト１、２を固相反応法によ
って作製し、実験番号７−９においては固相反応法によ
って作製し、実験番号１０−１３においてはブリッジマ
ン法によって作製した。表１には、実験番号１−６の単
結晶フェライト１、２の蛍光Ｘ線による分析組成および
組成の差を示しており、表２には、実験番号７−１３の
組成およびその差を示している。表の数値の単位は、ｍ
ｏｌ％である。表１、２から判るように、固相反応法を
利用した場合には、ブリッジマン法と比較して、単結晶
フェライト１と２との組成の差が少ない特徴がある。
と２とを接合した。ただし、本発明内の実験番号１−６
においては、単結晶フェライト１、２を固相反応法によ
って作製し、実験番号７−９においては固相反応法によ
って作製し、実験番号１０−１３においてはブリッジマ
ン法によって作製した。表１には、実験番号１−６の単
結晶フェライト１、２の蛍光Ｘ線による分析組成および
組成の差を示しており、表２には、実験番号７−１３の
組成およびその差を示している。表の数値の単位は、ｍ
ｏｌ％である。表１、２から判るように、固相反応法を
利用した場合には、ブリッジマン法と比較して、単結晶
フェライト１と２との組成の差が少ない特徴がある。
【００１５】実験番号１−９における単結晶フェライト
１、２は、固相反応法によって作製した。具体的には、
酸化鉄原料として、スピネル構造、あるいはスピネル構
造履歴を有する酸化鉄を使用して、Ｆｅ2 Ｏ3 ：５３．
７５ｍｏｌ％、ＭｎＯ：２９．５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：
１６．７５ｍｏｌ％となるように各原料を調合し、混合
し、仮焼し、粉砕後に成形し、平衡酸素分圧下で１３３
０℃で４時間焼成し、多結晶フェライトを得た。この多
結晶から板材を切り出し、板材のうちの一面を鏡面研磨
した。これと同様に、前記多結晶と略同一組成のＶＨＳ
あるいはβ方位を有する種単結晶を鏡面研磨した。上記
多結晶の鏡面と種単結晶の鏡面とを重ね、平衡酸素濃度
下で１４００℃以上の温度で加熱することにより、種単
結晶から多結晶方向へ結晶成長させ、単結晶を得た。
１、２は、固相反応法によって作製した。具体的には、
酸化鉄原料として、スピネル構造、あるいはスピネル構
造履歴を有する酸化鉄を使用して、Ｆｅ2 Ｏ3 ：５３．
７５ｍｏｌ％、ＭｎＯ：２９．５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：
１６．７５ｍｏｌ％となるように各原料を調合し、混合
し、仮焼し、粉砕後に成形し、平衡酸素分圧下で１３３
０℃で４時間焼成し、多結晶フェライトを得た。この多
結晶から板材を切り出し、板材のうちの一面を鏡面研磨
した。これと同様に、前記多結晶と略同一組成のＶＨＳ
あるいはβ方位を有する種単結晶を鏡面研磨した。上記
多結晶の鏡面と種単結晶の鏡面とを重ね、平衡酸素濃度
下で１４００℃以上の温度で加熱することにより、種単
結晶から多結晶方向へ結晶成長させ、単結晶を得た。
【００１６】実験番号１０−１３における単結晶フェラ
イト１、２は、ブリッジマン法によって作製した。具体
的には、Ｆｅ2 Ｏ3 ：５３．７５ｍｏｌ％、ＭｎＯ：２
９．５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１６．７５ｍｏｌ％となる
ように調合した原料を、混合し、乾燥し、１２００℃で
仮焼し、粉砕し、単結晶用原料を得た。この原料を白金
ルツボ内に入れ、１７００℃で溶解させた後、ルツボを
下降させ、ルツボの先端から徐々に冷却し、単結晶を得
た。
イト１、２は、ブリッジマン法によって作製した。具体
的には、Ｆｅ2 Ｏ3 ：５３．７５ｍｏｌ％、ＭｎＯ：２
９．５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１６．７５ｍｏｌ％となる
ように調合した原料を、混合し、乾燥し、１２００℃で
仮焼し、粉砕し、単結晶用原料を得た。この原料を白金
ルツボ内に入れ、１７００℃で溶解させた後、ルツボを
下降させ、ルツボの先端から徐々に冷却し、単結晶を得
た。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】次いで、図１（ａ）に示すように、単結晶
フェライト１、２を配向させ、接合させた。この際、接
合面１ａ、２ａ、側面１ｂ、１ｃ、２ｂ、２ｃの各結晶
方位は表３、４に示す。また、実験番号１−１１におい
ては、表３、４に示す各温度で常圧で１時間加熱するこ
とによって、固相拡散法で接合した。実験番号１２にお
いては、単結晶フェライト１と２とに対して、５ｋｇ／
ｃｍ２の圧力を、各接合面に対して垂直な方向に向かっ
て加えた。実験番号１３においては、単結晶フェライト
１と２との間に、スパッタリング法により、ガラスを介
在させ、８００℃で０．５時間加熱することによってガ
ラスを溶融させることによって両者を接合した。
フェライト１、２を配向させ、接合させた。この際、接
合面１ａ、２ａ、側面１ｂ、１ｃ、２ｂ、２ｃの各結晶
方位は表３、４に示す。また、実験番号１−１１におい
ては、表３、４に示す各温度で常圧で１時間加熱するこ
とによって、固相拡散法で接合した。実験番号１２にお
いては、単結晶フェライト１と２とに対して、５ｋｇ／
ｃｍ２の圧力を、各接合面に対して垂直な方向に向かっ
て加えた。実験番号１３においては、単結晶フェライト
１と２との間に、スパッタリング法により、ガラスを介
在させ、８００℃で０．５時間加熱することによってガ
ラスを溶融させることによって両者を接合した。
【００２０】得られた各接合体から、図１（ｂ）に示す
接合体の試料３Ａを切りだした。ただし、試料３Ａの長
さは２５ｍｍであり、幅は２ｍｍであり、厚さは合計で
４ｍｍである。第一の単結晶フェライト１Ａの厚さは２
ｍｍであり、第二の単結晶フェライト２Ａの厚さは２ｍ
ｍである。試料３ＡのＡ面（単結晶フェライト１、２の
側面１ｂ、２ｂに対応する）を、深さ１ｍｍにわたって
粗研磨し、次いで精密研磨し、鏡面ラップ仕上げ加工し
た。Ａ面について、単結晶フェライト１Ａと２Ａとの接
合界面Ｂに沿って、２５ｍｍの長さについて剥離の有無
を光学顕微鏡で観察した。各実験番号について試料３Ａ
を１００個作製し、剥離が発生しなかった接合体の割合
を、「接合時の歩留」として表３、表４に示した。
接合体の試料３Ａを切りだした。ただし、試料３Ａの長
さは２５ｍｍであり、幅は２ｍｍであり、厚さは合計で
４ｍｍである。第一の単結晶フェライト１Ａの厚さは２
ｍｍであり、第二の単結晶フェライト２Ａの厚さは２ｍ
ｍである。試料３ＡのＡ面（単結晶フェライト１、２の
側面１ｂ、２ｂに対応する）を、深さ１ｍｍにわたって
粗研磨し、次いで精密研磨し、鏡面ラップ仕上げ加工し
た。Ａ面について、単結晶フェライト１Ａと２Ａとの接
合界面Ｂに沿って、２５ｍｍの長さについて剥離の有無
を光学顕微鏡で観察した。各実験番号について試料３Ａ
を１００個作製し、剥離が発生しなかった接合体の割合
を、「接合時の歩留」として表３、表４に示した。
【００２１】また、接合時の歩留りを評価した後、試料
３ＡのＡ面に、ダイヤモンド砥石によって図１（ｂ）に
Ｃで示すように（接合面Ｂに対して垂直に）、図１
（ｃ）に示す溝Ｃを形成した。溝Ｃの長さは４ｍｍであ
り、幅は０．３ｍｍであった。溝Ｃの稜線５に発生した
寸法５０μｍ以上の欠けの有無を光学顕微鏡によって観
察した。試料を各実験番号について１００個ごと作製
し、その発生率を表３、４に示した。
３ＡのＡ面に、ダイヤモンド砥石によって図１（ｂ）に
Ｃで示すように（接合面Ｂに対して垂直に）、図１
（ｃ）に示す溝Ｃを形成した。溝Ｃの長さは４ｍｍであ
り、幅は０．３ｍｍであった。溝Ｃの稜線５に発生した
寸法５０μｍ以上の欠けの有無を光学顕微鏡によって観
察した。試料を各実験番号について１００個ごと作製
し、その発生率を表３、４に示した。
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】上記の結果から判るように、本発明によれ
ば、接合工程における歩留り、加工工程における歩留り
が共に極めて高い。実験番号７−９においては、単結晶
フェライト２の接合面が（１００）面であるが、接合工
程における歩留りが著しく低下した。実験番号１０、１
１においては、各単結晶フェライトをブリッジマン法に
よって育成したが、単結晶フェライト１と２との組成の
差が比較的大きく、また接合工程、加工工程における各
歩留りが低かった。実験番号１２、１３では、単結晶フ
ェライト１、２をブリッジマン法によって作製し、かつ
両者を加圧接合またはガラス接合した。しかし、接合工
程における歩留りはいまだ低く、加工工程における欠け
の発生率は上昇した。
ば、接合工程における歩留り、加工工程における歩留り
が共に極めて高い。実験番号７−９においては、単結晶
フェライト２の接合面が（１００）面であるが、接合工
程における歩留りが著しく低下した。実験番号１０、１
１においては、各単結晶フェライトをブリッジマン法に
よって育成したが、単結晶フェライト１と２との組成の
差が比較的大きく、また接合工程、加工工程における各
歩留りが低かった。実験番号１２、１３では、単結晶フ
ェライト１、２をブリッジマン法によって作製し、かつ
両者を加圧接合またはガラス接合した。しかし、接合工
程における歩留りはいまだ低く、加工工程における欠け
の発生率は上昇した。
【００２５】本発明内の実験番号１−６と、実験番号１
０−１３との各接合体を使用し、通常法に従って磁気ヘ
ッドを作製した。そして、各磁気ヘッドについて出力と
ノイズとを測定した。この結果、本発明内の実験番号１
−６の接合体を使用して作製された磁器ヘッドは、実験
番号１０−１３に比較し、高い出力と低いノイズ特性と
を有していた。
０−１３との各接合体を使用し、通常法に従って磁気ヘ
ッドを作製した。そして、各磁気ヘッドについて出力と
ノイズとを測定した。この結果、本発明内の実験番号１
−６の接合体を使用して作製された磁器ヘッドは、実験
番号１０−１３に比較し、高い出力と低いノイズ特性と
を有していた。
【００２６】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトを接合し
て接合体を製造するのに際して、各単結晶フェライト内
の内在歪みを低減し、また接合体を加工する際の欠けを
低減することによって、接合工程および加工工程におけ
る製造歩留りを向上させることができた。
ば、互いに結晶方位の異なる単結晶フェライトを接合し
て接合体を製造するのに際して、各単結晶フェライト内
の内在歪みを低減し、また接合体を加工する際の欠けを
低減することによって、接合工程および加工工程におけ
る製造歩留りを向上させることができた。
【図１】接合工程および加工工程における各歩留りを評
価するための接合体の試料の作製プロセスを示す図面で
ある。
価するための接合体の試料の作製プロセスを示す図面で
ある。
１、１Ａ 第一の単結晶フェライト １ａ、２
ａ 接合面 １ｂ、１ｃ、２ｂ、２ｃ 単結晶フ
ェライトの側面 ３接合体 ３Ａ 接
合体の試料 ５ 溝Ｃの稜線 Ａ 接
合体試料３Ａの鏡面加工面 Ｂ 接合体３Ａの
接合面 Ｃ 溝
ａ 接合面 １ｂ、１ｃ、２ｂ、２ｃ 単結晶フ
ェライトの側面 ３接合体 ３Ａ 接
合体の試料 ５ 溝Ｃの稜線 Ａ 接
合体試料３Ａの鏡面加工面 Ｂ 接合体３Ａの
接合面 Ｃ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】フェライトの種単結晶と多結晶体とを接合
し、加熱して前記種単結晶と多結晶体との界面を多結晶
体側へと移動させることによって、互いに結晶方位の異
なる第一の単結晶フェライトと第二の単結晶フェライト
とを作製し、次いで第一の単結晶フェライトと第二の単
結晶フェライトとを当接させ、この際第一の単結晶フェ
ライトの当接面と第二の単結晶フェライトの当接面との
いずれにも（１００）面が存在しないようにし、常圧下
で加熱して固相拡散により第一の単結晶フェライトと第
二の単結晶フェライトとを接合することを特徴とする、
単結晶フェライト接合体の製造方法。 - 【請求項２】前記第一の単結晶フェライトがＶＨＳ方位
を有しており、前記第二の単結晶フェライトがβ方位を
有していることを特徴とする、請求項１記載の単結晶フ
ェライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11057940A JP2000256097A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 単結晶フェライト接合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11057940A JP2000256097A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 単結晶フェライト接合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256097A true JP2000256097A (ja) | 2000-09-19 |
Family
ID=13070043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11057940A Withdrawn JP2000256097A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 単結晶フェライト接合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000256097A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122190A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP11057940A patent/JP2000256097A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122190A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
| CN114122190B (zh) * | 2021-10-14 | 2023-12-26 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |