JPH0198106A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、フェライトからなる一対のハーフコアの突合
せ面に、この突合せ市に対して傾斜した薄膜付着溝を形
成し、この薄膜付着溝に付着させた金属磁性膜の接合面
を磁気ギャップとするタイプの磁気ヘッドおよびその製
造方法に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性膜と磁気ギャップとが傾斜しているタイプの磁
気へラドコアとして、従来では、第５図に示すものが提
案されている。単結晶フェライトからなる一対のハーフ
コア１１の突合せ面には、それぞれ形成すべき磁気ギャ
ップ１２に対し傾斜した薄膜付着溝１３が上下関係を逆
にして形成されており、この薄膜付着溝１３に、スパッ
タリング、蒸着等の薄膜形成手段により、センダスト等
の金属性薄膜１４が付着されている。さらに、ハーフコ
ア１１の突合せ面で該コア１１の両側には、トラック幅
規制溝１５が磁気ギャップ１２で対称関係に形成されて
いる。このトラック幅規制溝１５は、薄膜付着溝１３の
突合せ面寄りの一端を切り欠くように配置されている。

磁気ギャップ１２は、薄膜付着溝１３に付着形成された
金属性薄膜１４の端面間の空隙に形成されている。そし
て、はぼ７字状をなす金属性薄膜１４の空間とトラック
幅規制溝１５の空間には、ガラス等の非磁性酸化物接合
材料（以下、単にガラスという）１６が充填され、一対
のハーフコア１１が接合固着されている。なお、一方の
ハーフコア１１にはコイル巻線孔・１７が形成されてい
る。

ところで、前記ハーフコア１１として単結晶フェライト
を用いる理由は、単結晶フェライトは機械的特性にすぐ
れており、耐摩耗性を有していることから、単結晶フェ
ライトを用いた磁気へラドコアはトラック加工を高精度
に形成し得、長期間の使用にも十分耐えるものとなる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、単結晶フェライトでコアを形成したフェライ
ト磁気ヘッドは、単結晶フェライト特有の雑音を発生す
る。従って、最近の高品位ビデオテープレコーダ用の映
像磁気ヘッドとしてＳ／Ｎ　（信号雑音比）が問題とな
って来た。

なお、上記雑音発生の原因は、磁性体が単結晶材料の場
合は磁化に際しての磁区固定要素がきわめて少なく磁壁
移動が容易に起ってしまう結果であるといわれている。

一方、多結晶フェライトをコアとして用いたものは、磁
性体が多結晶材料であることから、結晶粒界を有してお
り、これが磁区を固定する要素として働き、このため単
結晶フェライトの場合のような雑音発生はない。したが
って高Ｓ／Ｎ比を要求される装置にも十分使用可能な磁
気ヘッドを形成できる。ところが、上記多結晶フェライ
トをコアとしたものは、たとえそれがホットプレス材料
および熱間静水圧プレス材料のような緻密な組織を持つ
ものであっても、接触形磁気ヘッドとして使用した場合
は、記録媒体に接触する面において、結晶粒界が脱落し
比較的短時間で使用不能に陥る。

また、ギャップ近傍における結晶軸がランダムであるた
め出力特性が得られない等の欠点をもっている。

本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもの
で、コア°の磁気媒体が接触する面側にある部分を単結
晶フェライト、その他の部分を多結晶フェライトで構成
し、高Ｓ／Ｎを有する磁気ヘッド及びその製造方法を提
供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る磁気ヘッドは、一対のハーフコアの突合せ
面に金属磁性膜を設けた磁気ヘッドにおいて、前記ハー
フコアの磁気媒体が接触する面側の部分を単結晶フェラ
イト、その他の部分を多結晶７エライトで構成したもの
にある。

また、本発明による磁気ヘッドの製造方法は、単結晶フ
ェライトと多結晶フェライトとを接触させ、加熱による
固相反応によって単結晶フェライトを多結晶側に結晶成
長させ、単結晶と多結晶の２つの領域を有する一対のハ
ーフコアブロックを形成し、該一対のハーフコアブロッ
クの突合せ面に金属磁性膜を付着させた後、前記単結晶
領域を磁気媒体の接触面側となるように加工することを
特徴とする。

〔作用〕

本発明によれば、コアの磁気媒体と接触する面側か単結
晶フェライトから成るため、耐摩耗性を有し且つトラッ
ク加工の精度も高く、また、その他の部分が多結晶フェ
ライトから成るので、ｓ／Ｎが良くなる。

次に、本発明による磁気ヘッドの製造方法について説明
する。

先ず、第２図、第３図は本発明で用いる単結晶−多結晶
のフェライト結合体の製造方法を示したもので、１は種
子に使うＭｎ　−Ｚｎ系の単結晶フェライト、２は同じ
組成を有する単結晶化しようとする多結晶７エライト、
３は単結晶フェライト１と多結晶フェライト２との接合
界面である。前記両フェライト１，２の接合面はＳＩＣ
砥粒（２０００メツシュ、４０００メツシユ）でラップ
し、その後、粒径３μｍのダイヤモンドで鏡面ランプす
る。清浄にした双方の接合面に希硝酸を塗布した後、相
互を貼り合わせて接合体となし、これを型材の中に入れ
、窒素ガスを流した雰囲気中で接合面に垂直な方向に加
圧してホットプレスする（温度１２５０℃。

圧力３０１＆／ｉ、処理時間３０分）。ホットプレス後
、接合体を、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法により、温
度１３２０℃で圧力１０００　ＶｆＡｌｉを３時間印加
して熱処理する。その結果、前記接合界面３が相互の固
相反応を誘起し、多結晶フェライト２側に単結晶が育成
され、単結晶化領域４が形成される。これを所定のブロ
ックに切断し、ハーフコアブロックを形成する。

次に、前記ハーフコアブロックを用いた磁気ヘッドの製
造工程を第４図によ）説明する。

なお、ハーフコアブロック１１の加工にあたっては、単
結晶７エライ）　ｌｌｂが予め磁気媒体との接触面側に
位置するようにする。第１工程で、ハーフコアブロック
１１の突合せ面１１ａに、くさび状の薄膜付着溝１３が
形成される（第４図（ａ））。

第２工程で、この薄膜付着溝１３に、センダスト等より
なる金属磁性膜１４がスパッタリング等により付着形成
される（第４図（ｂ））。

第３工程で、金属磁性膜１４がラップ研磨され、薄膜付
着溝１３内の金属磁性膜１４だけが残される（第４図（
Ｃ））。

第４工程で、金属磁性膜１４の付着された薄膜付着溝１
３に隣接し、この薄膜付着溝１３の一部を切り欠くよう
に、トラック幅規制溝１５が加工形成される（第４図（
ｄ））。

次の第５の工程で、本発明を構成する侵食防と膜２０が
、金属磁性膜１４とトラック幅規制溝１５に、スパッタ
リング等の薄膜付着手段により形成される（第４図（ｅ
））。侵食防止膜２０は、Ｃｒ　−Ｔｉ　＊Ｚｎ　、’
　Ｈｆなどの活性化金属あるいは５ｉＯｔ、Ｔａ５ｋｓ
などの金属酸化物のいずれかを膜厚０．４〜２μｍで単
層に形成してもよいが、上記活性化金属と金属酸化物を
積層に形成することもできる。積層形成の場合は、例え
ばまずＣｒを膜厚０．４〜２μｍでスパッタリングし、
更にこの上からＳ１０．を膜厚０．４〜１μｍでスパッ
タリングして形成する。また、侵食防止膜２０は、上記
の活性化金属と金属酸化物の複合体により形成すること
もできる。この場合は、例えばＣｒと５ｉｏｔの複合体
焼結ターゲットをスパッタリングして形成する。このよ
うな侵食防止膜２０は、次の工程であるガラス１６の溶
融充填時に、ハーフコアブロック１１の材料であるフェ
ライト等や金属磁性膜１４の材料であるセンダスト等が
、ガラス１６により侵食されるのを防ぐものである。

第５工程で侵食防止膜２０の形成が終了した後、第６エ
程では、この侵食防止膜２０上にガラス１６が溶融充填
される。これで、ガラス１６は、侵食防止膜２０を介し
て、金属磁性膜１４と侵食防止膜２０の空間に充填され
る（第４図（ｆ））。

そして、第７エ程で、ガラス１６は、金属磁性膜１４の
接合面１４ｂが所定量露出するまで砥石によりラップ研
磨され、磁気ギャップ１２のギャップ幅が決定される（
第４図（ｇ））。

最後の第８工程で、接合面１４ｂの研磨の終了し九一対
のハーフコアブロック１１が、磁気ギャップ１２となる
べき接合面１４ｂを位置決めして突き合わされ、両ハー
フコアブロック１１が、また、本発明の製造方法によれ
ば、単結晶フェライトと多結晶フェライトとの領域を固
相反応による単結晶育成法により形成しているので、前
記領域の制御が容易で、境界面における磁気抵抗の増大
もない。

〔発明の実施例〕

以下に、本発明による磁気ヘッドの一実施例を第１図に
基いて説明する。なお、第３図において共通する部材に
は、同一符号を付して説明を省略する。

本発明では、単結晶フエライ）　ｌｌｂと多結晶フェラ
イトｌｌａとからなるハーフコア１１の突合せ面１１ａ
（第４図（ａ）参照）に形成したトラック幅規制溝１５
と、このトラック幅規制溝１５に充填したガラス１６０
間に、活性化金属あるいは金属酸化物の単層膜または、
活性化金属と金属酸化物の積層膜からなる侵食防止膜２
０を介在させている。

これは、ガラスによる金属磁性膜１４の侵食を防止する
ものである。また、侵食防止膜２０を活性化金属・金属
酸化物の複合体から構成してもよい。

この場合、活性化金属としては、Ｃｒ　＊Ｔｉ　ｅＺｒ
　ｅＨｆ等が好ましく、金属酸化物としては５ｌｏｔ　
−Ｔａｇ’ｓなどが好ましい。また、薄膜付着溝１３に
付着形成されている金属磁性［１４のＶ字状空間にも、
ガラス１６が充填されるが、侵食防止膜２０は、この金
属磁性膜１４とガラス１６との間にも介在している。接
合されて、接合コアブロックとなる（第４図ら））。こ
の接合コアブロックを切断線Ａ−Ｂに沿って所定幅Ｓで
切断すると、第１図で示すような磁気へラドコアが得ら
れる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の磁気ヘッドは、ハーフコ
アの磁気媒体と接触する面側の部分を単結晶フェライト
、その他の部分を多結晶フェライトで構成したものであ
るため、耐摩耗性及びトラック加工の精度をそれぞれ損
わず、且つ、高Ｓ／Ｎを保持することが出来る。

また、ハーフコアの単結晶と多結晶の２つの領域は固相
反応による単結晶育成法により製造しているため、本願
のように２つの領域を用いる様なコアの作成には最適で
あり、且つ、製造も簡便で、前記領域の制御も容易であ
る。また、２つの領域の境界面における磁気抵抗の増大
もない等の顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気ヘッドの斜視図、第２図及び
第３図は本発明の単結晶−多結晶のフェライト結合体の
製法を説明するための図、第４図（ａ）ないしくｈ）は
本発明による磁気ヘッドの製造方法の工程を順次示すも
ので、（ａ）ないしくｇ）は斜視図、（ωは正面図、第
５図は従来の磁気ヘッドの斜視図である。 １１・・・ハーフコア（ハーフコアブロック）　、ｌｌ
ａ・・・突合せ面、１１ｂ・・・単結晶フェライト、ｌ
ｌｃ・・・多結晶フェライト、１２・・・磁気ギャップ
、１３・・・薄膜付着溝、１４・・・金属磁性膜、１４
ａ・・・先端面、１５・・・トラック幅規制溝、１６・
・・ガラス、２０・・・侵食防止膜。 １１・・・ハーフコア １１ｂ・９．単耗晶フェライト １１ｃ１０．今託晶フ、ライト １６・・・ブー）又 （ｂ） （ｅ） 第４図 （ｈ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）フェライトから成る一対のハーフコアの突合せ面
   に、金属磁性膜を形成し、該金属磁性膜を突合せて磁気
   ギャップとした磁気ヘッドにおいて、前記ハーフコアの
   磁気媒体が接触する面側の部分を単結晶フェライト、そ
   の他の部分を多結晶フェライトで構成したことを特徴と
   する磁気ヘッド。
2. （２）単結晶フェライトと多結晶フェライトとを接触さ
   せ、加熱による固相反応によつて単結晶フェライトを多
   結晶側に結晶成長させ、単結晶と多結晶の２つの領域を
   有する一対のハーフコアブロックを形成し、該一対のハ
   ーフコアブロックの突合せ面に金属磁性膜を付着させた
   後、前記単結晶領域を磁気媒体の接触面側となるように
   、トラック幅規制溝を形成し、次に前記トラック幅規制
   溝内にガラスを溶融充填し、しかる後、前記突合せ面を
   研磨して磁気ギャップとなる金属磁性膜の端面を露出さ
   せた後、金属磁性膜の端面を突合せてハーフコアブロッ
   クを接合し、その後にこの接合コアブロックを所定幅に
   切断することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。