JP2000267158A

JP2000267158A - Ｔｔｌストロボ調光装置

Info

Publication number: JP2000267158A
Application number: JP11070100A
Authority: JP
Inventors: Masataka Ide; 昌孝井出; Seisuke Matsuda; 成介松田
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1999-03-16
Filing date: 1999-03-16
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単且つ低コストな構成でストロボ調光機能を
実現するストロボ調光装置を提供することにある。【解決手段】本発明のＴＴＬストロボ調光装置では、制
御部６が、共通の半導体基板上に形成された相補型ＭＯ
Ｓ集積回路の製造プロセスに起因する寄生バイポーラト
ランジスタ７を含む対数圧縮部４と、サブスレッショル
ド領域で作動するＭＯＳトランジスタ８を含む指数伸長
部５の少なくともいずれか一方を含むことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カメラ等に利用す
ることが可能なＴＴＬストロボ調光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、シリコンフォトダイオード
（SPD；Silicon photo Diode）等の受光素子により、
ストロボ発光による被写体からの反射光を受光し、その
入射光量に応じた出力電流が所定量に達すると、ストロ
ボ発光を停止させることを特徴とするストロボ調光装置
に関する種々の技術が開示されている。

【０００３】このようなストロボ調光装置として、例え
ば、特開平４−４２０号公報、特開平６−３０１０８６
号公報には、Ｂi ・ＣＭＯＳプロセスにより構成された
ストロボ調光回路を使用したストロボ調光装置が開示さ
れている。

【０００４】また、汎用ＣＭＯＳプロセスにより、ＣＰ
Ｕおよび周辺回路からなるマイクロコンピュータと同一
半導体チップ上に構成された測光装置等のアナログ回路
が特開平６−２６８５２４号公報に開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平４−４２０号公報、特開平６−３０１０８６号公報
に開示されているストロボ調光装置においては、Ｂi ・
ＣＭＯＳプロセスを使用したストロボ調光回路が採用さ
れているが、Ｂi ・ＣＭＯＳプロセスはプロセスが複雑
で製造工程が多くコスト的には非常に高いという問題が
ある。

【０００６】一方、ＣＭＯＳプロセスはＢi ・ＣＭＯＳ
プロセスに比べて、工程が少なく最も汎用的にマイクロ
コンピュータやデジタル回路に採用されているので非常
に低コストである。しかしながら、特開平６−２６８５
２４号公報に開示のＣＭＯＳプロセスによるアナログ回
路では、定常光を測定する測光回路は開示されているも
ののストロボ調光回路に関しては記述されていない。

【０００７】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、簡単且つ低コストな構成
でストロボ調光機能を実現するストロボ調光装置を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様では、ストロボ発光時にフィル
ムからの反射光を受光する受光手段と、上記フィルムの
フィルム感度に応じた情報を出力する手段と、上記受光
手段の出力を積分した値と所定の判定値とを、上記フィ
ルム感度に応じた情報を加味して比較し、受光出力が判
定値に達した時に上記ストロボ発光を停止させる制御手
段とを備えたＴＴＬストロボ調光装置であって、上記制
御手段は、共通の半導体基板上に形成された相補型ＭＯ
Ｓ集積回路の製造プロセスに起因する寄生バイポーラト
ランジスタ、対数圧縮手段、またはサブスレッショルド
領域で作動するＭＯＳトランジスタを含む指数伸長手段
との少なくともいずれか一つを含むことを特徴とするＴ
ＴＬストロボ調光装置が提供される。

【０００９】第２の態様では、上記第１の態様におい
て、上記制御手段は、上記共通の半導体基板の絶対温度
に関する情報を検出する測温手段を更に備え、当該測温
手段による測温結果に応じて上記積分処理過程の温度補
正を行うことを特徴とするＴＴＬストロボ調光装置が提
供される。

【００１０】第３の態様では、上記第１又は第２の態様
において、上記制御手段は、相補型ＭＯＳ集積回路の製
造プロセスにより構成されたマイクロコンピュータ装置
と共通の半導体基板上に形成されていることを特徴とす
るＴＴＬストロボ調光装置が提供される。

【００１１】上記第１乃至第３の態様によれば以下の作
用が奏される。

【００１２】即ち、本発明の第１の態様では、共通の半
導体基板上に形成された相補型ＭＯＳ集積回路の製造プ
ロセスに起因する寄生バイポーラトランジスタを含む対
数圧縮手段と、サブスレッショルド領域で作動するＭＯ
Ｓトランジスタを含む指数伸長手段との少なくともいず
れか一方が制御手段に含まれる。

【００１３】第２の態様では、上記第１の態様におい
て、上記制御手段の測温手段による測温結果に応じて上
記積分処理過程の温度補正が行われる。

【００１４】第３の態様では、上記第１又は第２の態様
において、相補型ＭＯＳ集積回路の製造プロセスにより
構成されたマイクロコンピュータ装置と共通の半導体基
板上に制御手段が形成される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。

【００１６】図１は本発明のＴＴＬストロボ調光装置の
概念図である。

【００１７】この図１に示されるように、ＴＴＬストロ
ボ調光装置は、ストロボ発光部、受光部３、寄生バイポ
ーラトランジスタ７を含む対数圧縮部４、ＭＯＳトラン
ジスタ８を含む対数伸張部５、全体の制御を司る制御部
６からなる。

【００１８】上記構成では、特に上記対数圧縮部４、対
数伸張部５が、ＣＭＯＳプロセスにおける寄生バイポー
ラトランジスタ７、サブスレッショルド領域で動作する
ＭＯＳトランジスタ８を含み、これを利用する点に特徴
を有している。

【００１９】このような構成において、ストロボ発光部
１より被写体２に向けて光が照射されると、当該被写体
２での反射光が受光部３により受光され、被写体の輝度
に応じた信号電流が発生される。この信号電流は後段の
対数圧縮部４に導かれ、当該信号電流を対数圧縮した対
数圧縮電圧が発生される。そして、この対数圧縮電圧は
後段の対数伸張部５に導かれ、対数伸張され電流が発生
される。後段の制御部６は、この電流を積分し、所定電
位に達すると上記ストロボ発光部１のストロボ発光を停
止する。このようにして、ストロボ発光部１の発光調整
をなす。

【００２０】以下、上記概念をふまえて、本発明の第１
の実施の形態について説明する。

【００２１】先ず、図２は本発明の第１の実施の形態に
係るＴＴＬストロボ調光装置を採用したカメラの光学系
の構成を示す図である。

【００２２】同図に示されるように、カメラボディ９内
の所定位置には撮影レンズ１１が設けられている。この
撮影レンズ１１の光軸上には、メインミラー１２が設け
られており、該メインミラー１２で反射された光の光路
上には、少なくともペンタプリズムを有するファインダ
１３が設けられている。更に、上記メインミラー１２の
後方には、先幕１７及び後幕１９からなるフォーカルプ
レーンシャッタ１６とフィルム１５が配置されている。

【００２３】一方、上記メインミラー１２の一部には、
サブミラー１４が設けられており、このサブミラー１４
で反射された光の光路上には焦点検出部２８、ＡＦセン
サ２９が設けられている。また、フィルム１５の反射光
の光路上には、集光レンズ１８及び調光素子ＰＤ０が設
けられている。この他、カメラボディ９の上部所定位置
にはストロボ装置１０が配置されている。

【００２４】このような構成において、撮影開始前の状
態では、カメラボディ９に装着された撮影レンズ１１を
通過した被写体光は、メインミラー１２で一部反射され
ファインダ１３に導かれる。このとき、光束の一部は、
メインミラー１２を透過して、サブミラー１４で反射さ
れた後、焦点検出部２８に導かれる。

【００２５】尚、フィルム１５の前方には、前述したよ
うにフォーカルプレーンシャッタ１６が配置されてお
り、撮影時以外はその先幕１７で遮光することで、フィ
ルム１５に露光しないような工夫がなされている。

【００２６】一方、撮影時には、メインミラー１２、サ
ブミラー１４は図中の点線で示す位置に退避すると共
に、フォーカルプレーンシャッタ１６の先幕１７が退避
状態となる。そして、撮影レンズ１１を通過した被写体
光は、フィルム１５の表面に結像し、そのうちの一部は
反射して集光レンズ１８を介して調光素子ＰＤ０に達す
る。かかる動作の後に、フォーカルプレーンシャッタ１
６の後幕１９を開放し、こうしてフィルム１５の露光を
終了する。

【００２７】図３は第１の実施の形態に係るカメラの制
御系の構成を示す図である。

【００２８】同図に於いて、全体の制御を司るコントロ
ーラ２０は、本カメラの制御装置である。そして、その
内部に、中央演算処理装置（以下、ＣＰＵと記す）２
１、リードオンリメモリ（以下、ＲＯＭと記す）２２、
ランダムアクセスメモリ（以下、ＲＡＭと記す）２３、
アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ（以下、ＡＤ
Ｃと記す）２４、不揮発性メモリ（以下、ＥＥＰＲＯＭ
と記す）２６を有する。かかるＣＰＵ２１は、上記ＲＯ
Ｍ２２に格納されたシーケンスプログラムに従ってカメ
ラの一例の動作を制御することとなる。尚、上記ＥＥＰ
ＲＯＭ２６には、カメラの調整値や補正データが記憶さ
れている。

【００２９】フィルム感度読取部２５は、測光露出演算
に必要なフィルム感度情報を読み取る回路である。液晶
表示部（LCD；Liquid Crystal Display）２７は、カ
メラ本体上に設けられ、各種の表示を行うものである。

【００３０】焦点検出部２８は、この例では位相差検出
方式を採用しており、ＡＦセンサ２９と位相差ＡＦ光学
系３０とから構成されている。コントローラ２０は、上
記ＡＦセンサ２９の出力に基づいてデフォーカス量を演
算し、撮影レンズ１１内の焦点調節レンズ群の駆動量を
演算する。

【００３１】レンズ駆動部３１は、コントローラ２０か
らの制御信号により、アクチュエータであるモータ３２
を駆動して焦点調節レンズ群を移動させる。エンコーダ
３３は、焦点調節レンズの移動量をモニタし、コントロ
ーラ２０に移動量を示すパルスを出力する。コントロー
ラ２０は、上記エンコーダ３３の出力パルスを検出し
て、焦点調節レンズ群の位置調節を行う。

【００３２】測光部３４は、撮影領域に対応したシリコ
ンファトダイオード（SPD；SiliconPhoto Diode）５０
を有しており、被写体の輝度に応じた出力を発生する。
コントローラ２０は、上記測光部３４の出力をＡＤＣ２
４によりＡ／Ｄ変換して、測光値を内部のＲＡＭ２３に
格納する。

【００３３】ミラー駆動部３５は、コントローラ２０か
らの制御信号によりメインミラー１２、サブミラー１４
のアップダウン駆動を行い、フィルム露光時には撮影光
路から退避させる。シャッタ駆動部３６は、先幕マグネ
ットＭｇ１と後幕マグネットＭｇ２とを有し、露出演算
結果に基づくコントローラ２０からの制御信号により、
シャッタの先幕１７、後幕１９を駆動してフィルム１５
に露光を行う。絞り駆動部３７は、露出演算結果に基づ
くコントローラ２０からの制御信号により動作して、絞
りを駆動して所定の絞り値に設定する。

【００３４】フィルム駆動部３８は、コントローラ２０
からの制御信号によりフィルム１５の給送を行い、フィ
ルム１５をセットする時のオートロード、撮影後の１駒
巻き上げ及び巻き戻し動作を行う。ファーストレリーズ
スイッチ１ＲＳＷ、セカンドレリーズスイッチ２ＲＳＷ
は、レリーズボタンに連動したスイッチで、レリーズボ
タンの第１段階の押し下げにより１ＲＳＷがオンし、引
き続いて第２段階の押し下げで２ＲＳＷがオンする。そ
して、コントローラ２０は、１ＲＳＷがオンされると測
光部３４による測光、焦点検出部２８によるＡＦを行
い、２ＲＳＷがオンされると露出動作とフィルム巻き上
げ動作を行う。

【００３５】ストロボ回路３９は、昇圧を行うためのト
ランス３９ｂ、一次側回路３９ａ、二次側回路３９ｃ、
メインコンデンサ３９ｄ、発光管（Ｘｅ管）３９ｅ、こ
の発光管３９ｅに対して発光トリガをかけるトリガ回路
３９ｇ、発光制御回路３９ｆから構成されている。コン
トローラ２０は、上記メインコンデンサ３９ｄの充電を
行い、当該メインコンデンサ３９ｄの両端電位が所定の
電圧に達すると、充電を停止する。また、コントローラ
２０は、発光信号をストロボ回路３９に出力して発光管
３９ｅを発光させる。

【００３６】詳細は後述する調光回路４０は、フィルム
面からの反射光を受光する調光素子たるフォトダイオー
ドＰＤ０の出力電流を受けて積分処理を行い、発光停止
信号をストロボ回路３９に出力して発光を停止させる。
環境温度を測定する測温回路５１は、調光回路４０と同
一ＩＣチップ上に形成されている。

【００３７】以下、図４のフローチャートを参照して、
本発明の第１の実施の形態に係るＴＴＬストロボ調光装
置を適用したカメラの動作について詳細に説明する。

【００３８】カメラのメインスイッチがオンされると、
ＲＯＭ２２に記憶されたシーケンスプログラムに従って
ＣＰＵ２１が動作を開始する。

【００３９】先ず、ＣＰＵ２１はポート、ＲＡＭ２３等
の初期化を行うと共にＥＥＰＲＯＭ２６に記憶されてい
る測光、ＡＦ等の各種補正データを読み出してＲＡＭ２
３の所定領域に展開する（ステップＳ１０１）。続い
て、フィルム感度読取り部２５よりフィルムＩＳＯ感度
を読み取り、ＲＡＭ２３に格納する（ステップＳ１０
２）。さらに、ストロボ発光のためのエネルギーをスト
ロボ回路３９内のメインコンデンサ３９ｄに充電するス
トロボ充電を行う（ステップＳ１０３）。メインコンデ
ンサ３９ｄの電圧が所定の電位に達すると充電を停止さ
せる。既に充電が完了している場合は、充電せずにステ
ップＳ１０４に進む。

【００４０】次いで、１ＲＳＷがオンしているか否かを
判断し、オンでなければオンされるのを待機する（ステ
ップＳ１０４）。そして、１ＲＳＷがオンされると、Ｃ
ＰＵ２１は、測温回路５１を動作させ、測温動作を行い
環境温度を測定する（ステップＳ１０５）。そして、露
出量を決定するために測光部３４を動作させて被写体輝
度を測定する測光動作を行う（ステップＳ１０６）。既
にＲＡＭ２３に格納されているフィルムＩＳＯ感度等の
情報を含めて露出演算を行う。

【００４１】続いて、焦点検出動作等のＡＦ演算を行う
（ステップＳ１０７）。そして、合焦か否か判定し、合
焦の場合はステップＳ１１０に進む（ステップＳ１０
８）。これに対して、非合焦の場合は、続くステップＳ
１０９にて算出したレンズ駆動量と駆動方向に基づいて
焦点調節レンズを駆動する。次いで、ＣＰＵ２１は、２
ＲＳＷがオンされているか否かを判定する（ステップＳ
１１０）。ここで、２ＲＳＷがオンされている場合はス
テップＳ１１１に移行する。一方、２ＲＳＷがオフであ
る場合はステップＳ１０３に戻り、上記動作を繰り返
す。

【００４２】次いで、ミラー駆動部３５を動作させミラ
ーアップを行うと共に、露出演算値に基づき絞りを駆動
して所定の絞り値に設定する（ステップＳ１１１）。そ
して、シャッタの先幕マグネットＭｇ１をオフして先幕
１７をスタートさせ、開放状態にする（ステップＳ１１
２）。次いで、ストロボ発光させるか否か判別し（ステ
ップＳ１１３）、発光させる場合はストロボ回路３９に
発光信号を出力してストロボ発光させる（ステップＳ１
１４）。また、同時に調光回路４０に対して積分開始信
号を出力する。尚、発光の停止は、後述するように調光
回路４０からの発光停止信号により行われる。

【００４３】一方、上記ステップＳ１１３にて発光させ
ない場合は、シャッタ開口から所定時間が経過したか否
か判別し、経過したらステップＳ１１６に移行する（ス
テップＳ１１５）。そして、シャッタの後幕マグネット
Ｍｇ２をオフして後幕１９を走行させてシャッタを閉じ
る（ステップＳ１１６）。続いて、ミラー駆動部３７に
よりメインミラー１２をダウンさせ、絞り駆動部３６に
より絞りを開放させ（ステップＳ１１７）、フィルム駆
動部３８を駆動させて撮影した駒を巻き上げて、次の駒
の位置にフィルムを給送し、一連の撮影動作を終了して
上記ステップＳ１０３に戻ることになる（ステップＳ１
１８）。

【００４４】次に図５は上記調光回路４０の詳細な構成
を示す図である。

【００４５】同図に示されるように、この調光回路４０
は、対数圧縮電流電圧変換回路４１とＩＳＯ電圧発生回
路４２、対数伸張可変増幅回路４３、判定回路４４に大
別される。

【００４６】上記対数圧縮電流電圧変換回路４１は、オ
ペアンプＡ１と、ＰＭＯＳトランジスタＰ１と、ＣＭＯ
Ｓプロセスにおける寄生ＰＮＰトランジスタＰ２とによ
り構成されており、調光素子であるフォトダイオードＰ
Ｄ０の光電流ＩＰを入力としている。上記寄生ＰＮＰト
ランジスタＰ２は、図９に示されるように、Ｐ型シリコ
ン基板６１上にＣＭＯＳ構造のトランジスタを形成した
ＣＭＯＳプロセスの場合に、Ｐ+ 拡散層６２をエミッ
タ、Ｎウェル領域６３をベース、Ｐ型シリコン基板６１
をコレクタとする縦型寄生バイポーラＰＮＰトランジス
タである。

【００４７】上記ＩＳＯ電圧発生回路４２は、オペアン
プＡ２と、帰還抵抗Ｒｉと、電流ＤＡコンバータＤＡＩ
とで構成されている。そして、コントローラ２０からの
シリアル通信データ（ＳＣＬＫ、ＳＤＡＴＡによる）が
レジスタＲＳに設定されて、信号ＩＳＯ０〜７によりフ
ィルム感度ＩＳＯに応じた電流ＩDAC を発生し、抵抗Ｒ
ｉに流してフィルム感度ＩＳＯの応じた電圧を出力す
る。

【００４８】上記対数伸張可変増幅回路４３は、ＮＭＯ
ＳトランジスタＮ１により構成されている。このＮＭＯ
ＳトランジスタＮ１のソースには定電圧Ｖｒが印加され
ている。さらに、このＮＭＯＳトランジスタＮ１はサブ
スレッショルド領域で動作するようにバイアスされてい
る。比較的微小電流でバイアスされるサブスレッショル
ド領域での特性は、図１０に示されるようにバイポーラ
トランジスタと同様な対数圧縮特性を示す。尚、同図に
おいて、横軸はゲート−ソース間電圧ＶGS［Ｖ］を示
し、縦軸はドレイン電流ＩD［Ａ］を示している。

【００４９】上記ＮＭＯＳトランジスタＮ１のドレイン
と、低電圧Ｖd との間には積分コンデンサＣINT 及び積
分スイッチＳＷINT が接続されている。また、上記ＮＭ
ＯＳトランジスタＮ１のドレインは、コンパレータＣＭ
Ｐに入力されている。以上が判定回路４４を構成する。
コンパレータＣＭＰの出力は、ストロボ回路３９に接続
されている。

【００５０】上記積分スイッチＳＷINT は、コントロー
ラ２０からの信号ＩＮＴにより制御され、ストロボ発光
直前にオンからオフにされて、積分コンデンサＣINT に
積分動作を開始する。上記コンパレータＣＭＰは、Ｖc
を比較電圧としており、積分コンデンサＣINT のｃ点の
電位がＶc よりも下がると端子ＳＴＯＰよりストロボ発
光停止信号を出力する。

【００５１】上述したような構成の調光回路４０におい
て、オペアンプＡ１の出力電位（ａ点電位）は、次式で
示される。

【００５２】Ｖa＝ＶTｌｎ（ＩP／Ｉs1）（１）上記（１）式において、Ｉs1は寄生ＰＮＰトランジスタ
の逆方向飽和電流であり、ＶT （ｋＴ／ｑ）（ｋ：ボル
ツマン定数、ｑ：電子の電荷）は熱電圧である。かかる
熱電圧は温度Ｔに比例するものである。

【００５３】次に、ＩＳＯ電圧発生回路の出力ｂ点の電
位Ｖb は、次式で示される。

【００５４】Ｖb＝Ｖa＋ＶISO ＝Ｖa＋ＩDAC・Ｒｉ（２）また、ｂ点の電位Ｖb は、積分電流ＩINT により以下の
ようにも表わすことができる。

【００５５】Ｖb＝Ｖr＋ＶTｌｎ（ＩINT／Ｉs2）（３）上記（３）式において、Ｉs2はサブスレッショルド領域
で動作するＮＭＯＳトランジスタのサイズとプロセス条
件で決定される定数である。

【００５６】そして、上記（１），（２），（３）式よ
り、Ｖr ＋ＶTｌｎ（ＩINT ／Ｉs2）＝Ｖr −ＶTｌｎ（ＩP
／Ｉs1）＋ＩDAC ・Ｒｉが成立する。ここで、寄生ＰＮＰトランジスタの逆方向
飽和電流Ｉs1とＮＭＯＳトランジスタの上記定数Ｉs2
は、両トランジスタの面積やプロセス条件等のパラメー
タを設定することで操作することができ、この第１の実
施の形態では、両者を等しく設定してあるものとする。

【００５７】以上より積分電流ＩINT は、次のように表
わすことができる。

【００５８】ＩINT＝ＩP・ｅｘｐ（（ＩDAC・Ｒｉ−Ｖr）／ＶT）（４）これより、電流ＤＡコンバータＤＡＩの出力電流ＩDAC
に応じた増幅率を有する電流を発生することとなる。

【００５９】一方、ストロボ発光停止に必要な電荷Ｑは
以下のように示される。

【００６０】Ｑ＝ＣINT・（Ｖd−Ｖc）＝∫ＩINT ｄｔ（５）例えば、フィルム感度がＩＳＯ１００の時とＩＳＯ２０
０の時の電流ＤＡコンバータＤＡＩの出力電流ＩDAC を
それぞれＩ100 ，Ｉ200 、また積分電流ＩINTをそれぞ
れＩINT100，ＩINT200とすると、ＩＳＯ１００とＩＳＯ
２００に対するストロボ調光量は２：１とする必要があ
るので、ＩINT100＝２・ＩINT200 とする。

【００６１】また、積分量は上記（５）式で示されるよ
うに一定であるから、ＩDAC （Ｉ100 ，Ｉ200 ）は、以
下のように設定すればよい。

【００６２】Ｉ100 ＝２・Ｉ200 −Ｖr ／Ｒｉこのように、フィルム感度ＩＳＯに応じて電流ＤＡコン
バータＤＡＩを設定することで、フィルム感度ＩＳＯに
対して適切なストロボ調光量が得られる。積分電流ＩIN
T は、上記（４）式で示されるような温度特性を有して
いるので、環境温度に応じて補正する必要があり、後述
する測温回路５１の出力を参照して補正する。

【００６３】以下、図６のタイムチャートを参照して、
ストロボ調光を行う場合の露出シーケンスについて詳細
に説明する。

【００６４】シャッターボタンの全押しによりセカンド
レリーズスイッチ２ＲＳＷがオンすると（図６（ａ）参
照）、メインミラー１２の跳ね上げを開始する（図６
（ｂ）参照）。このとき、先幕マグネットＭｇ１、後幕
マグネットＭｇ２に通電（オン）されて（図６（ｄ），
（ｅ）参照）、先幕１７及び後幕１９が保持される。

【００６５】尚、上記メインミラー１２の跳ね上げに並
行して行われる絞り駆動については、特徴的ではないの
で、ここでは説明を省略する。

【００６６】こうしてメインミラー１２の跳ね上げが完
了すると、ミラーアップスイッチＭＵＳＷがオンする
（図６（ｃ）参照）。コントローラ２０は、このミラー
アップスイッチＭＵＳＷのオンを検出すると、フィルム
感度ＩＳＯ及び環境温度に応じて電流ＤＡコンバータＤ
ＡＩを設定する（図６（ｌ）参照）。次いで、先幕マグ
ネットＭｇ１をオフして、先幕１７を開放する（図６
（ｄ）参照）。

【００６７】この先幕１７が走行完了してシャッタが全
開すると（図６（ｆ）参照）、シンクロスイッチＸＳＷ
がオンする（図６（ｇ）参照）。

【００６８】コントローラ２０は、シンクロスイッチＸ
ＳＷのオンを検出すると（図６（ｇ）参照）、調光回路
４０に対して積分開始信号ＩＮＴを出力するとともに、
ストロボ回路３９に発光開始信号ＳＴＲＧを出力してＸ
ｅ管の発光を開始させる（図６（ｉ）参照）。ストロボ
装置３９より発せられる光は、被写体を照明し、その反
射光は撮影レンズ１１を通過してフィルム１５の面で反
射されて、フォトダイオードＰＤ０に入射して光電流を
発生する。

【００６９】この光電流は、調光回路４０内で対数圧縮
され、ＩＳＯ感度が加味された後、積分電流である対数
伸張電流ＩINT を発生し、積分コンデンサＣINT を充電
する。積分コンデンサＣINT の電位ｃが所定電圧Ｖc に
達すると（図６（ｊ）参照）、コンパレータＣＭＰの出
力であるストロボ発光停止信号ＳＴＯＰが調光回路４０
からストロボ回路３９に出力されて（図６（ｋ）参
照）、Ｘｅ管の発光を停止する（図６（ｉ）参照）。

【００７０】こうしてストロボ装置１０の発光が停止す
ると、フォトダイオードＰＤ０の光電流が発生しなくな
るので、積分コンデンサＣINT の電位は変化しなくな
る。その後、所定のタイミング（露出秒時）で後幕マグ
ネットＭｇ２がオフされて後幕が開放され（図６（ｅ）
参照）、シャッタが閉じる（図６（ｆ）参照。そして発
光開始信号ＳＴＲＧ、積分開始信号ＩＮＴをオフした
後、メインミラー１２のダウンを行い、露出シーケンス
が終了する（図６（ｈ）参照）。

【００７１】次に図７は測温回路５１の詳細な構成を示
す図である。

【００７２】第１の実施の形態では、同図に示すような
構成の測温回路５１により、調光回路４０を含むＩＣチ
ップ自体の温度を測定する。

【００７３】前述した特開平６−２６８５２４号公報に
より開示された測温回路は、モータ駆動回路、昇圧回
路、プランジャ駆動回路等の大消費電力部を同一チップ
上に有しており、上記回路を動作させるとＩＣチップの
温度が非常に高温になってしまう。そのため、環境温度
に低下するまでに数分間待たなければならない。

【００７４】よってＩＣチップ自体の温度で、カメラ動
作の温度補正を行おうとすると、不正確な補正がなされ
てしまうという問題がある。そして、大消費電力部を動
作させてから、数分レベルの所定時間を待って温度測定
を行うようにするためには、コントローラ２０の複雑な
プログラムを必要とするという問題もある。

【００７５】これに対して、第１の実施の形態が採用す
る調光回路４０、測温回路５１等は、消費電力が小さ
く、数ｍＡ程度なので、ＩＣチップ自体の温度が環境温
度と同一であるとみなすことができる。従って、測温回
路５１の出力により環境温度を正しく測定することがで
きる。

【００７６】即ち、詳細には、図７に示されるように、
この測温回路５１は、ＭＯＳトランジスタＱ１〜Ｑ１０
とＣＭＯＳプロセス内に存在する寄生ＰＮＰトランジス
タＱ７，Ｑ８と抵抗Ｒ１，Ｒ２と定電流源Ｉ１とからな
る温度比例型基準電流回路と、ＣＭＯＳプロセス内に存
在する寄生ＰＮＰトランジスタＱ１１と抵抗Ｒ３とから
なる温度安定型基準電圧回路と、ＣＭＯＳオペアンプＯ
Ｐ１と抵抗Ｒ４，Ｒ５とからなる増幅回路とで構成され
ている。

【００７７】かかる構成の下、上記温度比例型基準電流
回路において寄生ＰＮＰトランジスタＱ７とＱ８の面積
比は１：８に設定されており、この関係によってＩref1
は次式で示される電流値となる。

【００７８】Ｉref1＝（ＶTｌｎ８）／Ｒ２（７）上記Ｉref1を寄生ＰＮＰトランジスタＱ１１と抵抗Ｒ３
に流すことにより、温度に対して非常に安定なバンドギ
ャップ電圧ＶBGを発生する。よって、オペアンプに発生
する電圧ＶTEMPは次式で示されるように温度に比例する
電圧を増幅した電圧となる（図８参照）。

【００７９】ＶTEMP＝ＶBG・（１＋Ｒ５／Ｒ４）−Ｒ５・（ＶTｌｎ８）／Ｒ２（８）上記ＶTEMPは、コントローラ２０内のＡＤコンバータＡ
ＤＣ２４でＡ／Ｄ変換される。得られるＡ／Ｄ変換後の
デジタル値と実際の温度との関係は、予めＥＥＰＲＯＭ
２６に記録されているＡ／Ｄ変換値と理論値と実際の値
との差に対応する補正値を読み出して補正して求める。
そして、このようにして求められた環境温度は、上記調
光回路の電流ＤＡコンバータＤＡＩの出力電流ＩDAC の
補正や、測光部の測光出力の温度補正、焦点検出部の位
相差検出光学系の温度特性による検出デフォーカス量の
補正等に用いられる。

【００８０】以上説明したように、ＣＭＯＳプロセスで
調光回路を構成できるので、低コストな調光装置を有す
るカメラを提供することが可能となる。

【００８１】尚、第１の実施の形態では、対数圧縮回路
に寄生ＰＮＰトランジスタ、対数伸張回路にサブスレッ
ショルド領域で動作のＮＭＯＳトランジスタをそれぞれ
採用しているが、これに限定されることはなく、逆に対
応させたり、一方のみを採用してもよい。また、Ｐ型シ
リコン基板上にＣＭＯＳ構造トランジスタを形成した場
合ではなく、Ｎ型シリコン基板上にＣＭＯＳ構造のトラ
ンジスタを形成した場合に適用することも可能である。

【００８２】更に、以下のように第１の実施の形態を改
良することもできる。

【００８３】即ち、先に図９で説明したような縦型寄生
バイポーラＰＮＰトランジスタに換えて、例えば、図１
１に示されるような、Ｎ^＋拡散層７２をエミッタ、Ｐ
ウェル領域７３をベース、Ｎ型シリコン基板７１をコレ
クタとする縦型寄生バイポーラＮＰＮトランジスタを採
用することもできる。

【００８４】この場合、調光回路４０の構成は、先に図
５で説明した構成に換えて、図１２に示されるような構
成の調光回路４０ａとなる。即ち、この調光回路４０ａ
では、対数圧縮電流電圧変換回路において、オペアンプ
Ａ１０の出力は、ＮＭＯＳトランジスタＮ２０のゲート
に入力され、寄生バイポーラトランジスタＮ１０のエミ
ッタと上記ＮＭＯＳトランジスタＮ２０のコレクタとの
接続端の電位がＩＳＯ電圧発生回路内のオペアンプＡ２
０の入力端の一方に入力される。さらに、対数伸張可変
増幅回路がＰＭＯＳトランジスタＰ２０で構成される。

【００８５】また、図１３に示されるように、調光素子
ＰＤ２０の光電流を対数圧縮せずに積分した電圧と、フ
ィルムＩＳＯ感度に対応する電流ＤＡコンバータの出力
を対数伸張した電圧とを比較し、一致した時点でストロ
ボ発光を停止させる方式において、ＣＭＯＳプロセスに
おける寄生バイポーラトランジスタ又はサブスレッショ
ルド領域で動作するＭＯＳトランジスタを対数伸張回路
に使用しても同様の効果が得られる事は勿論である。

【００８６】さらに、図１４に示されるように、調光素
子フォトダイオードＰＤ０を同一チップ上に形成するこ
とで、実装面積の更なる縮小化が可能となり、低コスト
化が実現できる。即ち、図１４（ａ）はチップ断面図、
図１４（ｂ）は対数圧縮回路の変更部分のみ示した回路
図である。これらの図に示されるように、この改良例で
は、調光素子フォトダイオードＰＤ０のアノード−カソ
ード間がイマジナリショートから逆バイアスに変更され
ている。そして、調光回路チップ上に、測温回路を形成
したので、温度測定のタイミングの制約がなく、簡単な
プログラムで正確な環境温度の測定を行うことができる
こととなる。

【００８７】次に本発明の第２実施例について説明す
る。

【００８８】以下、前述した第１の実施の形態との相違
点を中心に説明する。

【００８９】先ず、第１の実施の形態の光学的配置（図
２参照）との相違点を述べる。

【００９０】前述した第１の実施の形態では、撮影時に
はメインミラー１２、サブミラー１４は図中の点線の位
置に退避した後、シャッタ１６の先幕が退避する前の状
態においても撮影レンズ１１を通過した被写体光はシャ
ッタ１６の先幕の表面に略結像し、そのうちの一部は反
射して集光レンズ１８を介して調光素子ＰＤに達する光
学的配置となっていたが、第２の実施の形態では、この
時の反射光も使用する点に特徴を有している。

【００９１】ここで、図１５は調光素子ＰＤと集光レン
ズ１８の構造を示す図である。

【００９２】同図に示されるように、調光素子ＰＤには
３個の受光領域ＰＤａ，ＰＤｂ，ＰＤｃが形成されてい
る。そして、集光レンズ１８は、上記受光領域の３個の
ブロックに対応する３個のレンズ部分１８ａ，１８ｂ，
１８ｃを有する。

【００９３】調光素子ＰＤの３個の受光領域ＰＤａ，Ｐ
Ｄｂ，ＰＤｃは、集光レンズ１８の３個のレンズ部分１
８ａ，１８ｂ，１８ｃを通過して、フィルム面のそれぞ
れ中央、左、右領域を対応しており、且つそれらを略結
像させている。従って、この調光素子は、フィルム面の
３個の領域の明るさを、それぞれ分割して、測光して、
調光に利用するような構成となっている。

【００９４】図１６は第２実施の形態に係るＴＴＬスト
ロボ調光装置を採用したカメラの制御系を中心とした構
成を示すブロック図である。

【００９５】同図に示されるように、第２の実施の形態
では、第１の実施の形態における調光回路４０をサブコ
ントローラ１００に内蔵させている。

【００９６】このサブコントローラ１００は、マイクロ
コンピュータ（以下、マイコンと記す）１０１とＣＭＯ
Ｓアナログ回路とをＣＭＯＳプロセスにより同一半導体
基板上にワンチップ化して構成している。

【００９７】上記マイコン１０１は、ＣＰＵ１０２と、
周辺回路であるＲＯＭ１０３、ＲＡＭ１０４、ＡＤコン
バータＡＤＣ１０５、ＥＥＰＲＯＭ１０６等から構成さ
れている。一方、ＣＭＯＳアナログ回路は、調光回路１
４０、測温回路１４１等の回路ブロックから構成されて
いる。

【００９８】上記サブコントローラ１００は、調光回路
１４０、測温回路１４１等の同一チップ上の回路を制御
すると共に、焦点検出部１２８の制御を行う。即ち、Ａ
Ｆセンサ１２９の積分制御、センサデータ読み出し、焦
点検出演算を行う。また、サブコントローラ１００は、
レンズ駆動部１３１、エンコーダ１３３により撮影レン
ズ１１１内の焦点調節レンズ群の制御を行う。

【００９９】上記調光回路１４０には調光用受光素子Ｐ
Ｄ１１，ＰＤ１２，ＰＤ１３が接続されており、これら
調光用受光素子ＰＤ１１，ＰＤ１２，ＰＤ１３の出力す
る光電流を計測することで、ストロボの調光制御を行
う。

【０１００】図１７は、上記サブコントローラ１００の
構成要素のうち、調光動作に関わるレジスタＲＳ及び調
光回路１４０の詳細な構成を示す図である。

【０１０１】同図に示されるように、調光素子ＰＤ１
１，ＰＤ１２，ＰＤ１３として、シリコンフォトダイオ
ードが用いられている。調光回路１４０は、第１実施の
形態と基本構成が略同一となっている。

【０１０２】以下、フォトダイオードＰＤ１１に対応す
る回路部について説明する。

【０１０３】先ず、図１７に於いて、対数圧縮回路は、
オペアンプＡ１１と、ＰＭＯＳトランジスタＰ１１と、
ＣＭＰＯＳプロセスにおける寄生ＰＮＰトランジスタＰ
２１とにより構成されており、調光素子であるフォトダ
イオードＰＤ１１の光電流ＩＰ１１を入力としている。
レベルシフト回路は、オペアンプＡ２１と、帰還抵抗Ｒ
１１と、定電流源Ｉ１１とで構成されており、対数圧縮
回路の出力を所定電圧分（Ｒ１１・Ｉ１１）だけレベル
シフトする。

【０１０４】対数伸張可変増幅回路は、ＮＭＯＳトラン
ジスタＮ１１，Ｎ２１で構成されており、ゲートにはレ
ベルシフト回路の出力電圧が入力される。また、ゲイン
設定用入力電圧ＶG1をソースの電位として、このゲート
−ソース間の電位差で決まるゲインで対数伸張されたド
レイン電流ＩD21 を発生する。ＤＡコンバータＤＡ１１
は、マイコン１０１よりレジスタＲＳ１５０を介して制
御され、必要なゲインを設定するためのものである。

【０１０５】コンデンサＣ１１は、ＮＭＯＳトランジス
タＮ２１のドレイン電流によって充電される。このコン
デンサＣ１１に充電された電圧は、バッファアンプＡ３
１を介して出力電圧Ｖ01としてマルチプレクサ回路ＭＰ
Ｘ１６０に入力される。さらに、このマルチプレクサ回
路ＭＰＸ１６０の出力は、マイコン１０１内のＡＤコン
バータＡＤＣ１０４に入力される。

【０１０６】積分スイッチＳＷ１１は、マイコン１０１
からレジスタＲＳを介して出力される積分制御信号ＩＮ
Ｔの信号を受けて、積分コンデンサＣ１１に充電されて
いる電荷を放電する。以上の動作は、Ｖ02，Ｖ03が出力
となっている他の２個の調光回路についても同様であ
る。

【０１０７】一方、ＮＭＯＳトランジスタＮ１１〜Ｎ１
３の各ドレイン電流は加算されて、ＩINT としてコンデ
ンサＣINT を充電する。このコンデンサＣINT に充電さ
れた電圧は、コンパレータＣＭＰ１によって比較電圧Ｖ
c と比較され、その関係が反転すると、出力はＨからＬ
に変化してストロボ発光停止信号ＳＴＯＰをストロボ回
路１３９に出力する。また、ゲイン入力電圧ＶG2，ＶG3
は、ＶG1と同様に、マイコン１０１によりレジスタＲＳ
１５０を介して制御されるＤＡコンバータＤＡ１２，Ｄ
Ａ１３の出力信号が入力される。

【０１０８】以下、図１８のフローチャートを参照し
て、上記サブコントローラ１００の動作を詳細に説明す
る。尚、前述した第１の実施の形態のコントローラ２０
をメインのコントローラとし、サブコントローラ１００
は、該メインコントローラ２０との通信により、その指
令に基づいて動作するものとする。

【０１０９】ファーストレリーズスイッチ１ＲＳＷのオ
ンを待ち、該１ＲＳＷがオンされると（ステップＳ２０
１）、ＡＦセンサ１２９の積分動作を制御し（ステップ
Ｓ２０２）、ＡＦセンサ１２９からセンサデータを読み
出し（ステップＳ２０３）、上記センサデータに基づい
て焦点検出演算を行う（ステップＳ２０４）。

【０１１０】続いて、合焦しているか否か判定し（ステ
ップＳ２０５）、合焦している場合にはステップＳ２０
７に移行し、非合焦の場合は、上記焦点検出演算結果に
基いてレンズ駆動を行う（ステップＳ２０６）。

【０１１１】続いて、ファーストレリーズスイッチ１Ｒ
ＳＷのオンをチェックし（ステップＳ２０７）、オンさ
れるとステップＳ２０８に進み、一方、オフの場合はス
テップＳ２０１に戻り、上記動作を繰り返す。

【０１１２】次いで、セカンドレリーズスイッチ２ＲＳ
Ｗがオンされるまで待機し（ステップＳ２０８）、セカ
ンドレリーズスイッチ２ＲＳＷがオンされると、ミラー
アップスイッチＭＵＳＷのオンを待ち（ステップＳ２０
９）、オンを検出すると今回の露出動作においてストロ
ボ発光ありか否か判別する（ステップＳ２１０）。そし
て、発光なしの場合はリターンする。

【０１１３】一方、上記ステップＳ２１０にて、ストロ
ボ発光ありの場合は、調光回路１４０内のＤＡコンバー
タＤＡ１１〜ＤＡ１３に同一の電圧をセットする（ステ
ップＳ２１１）。そして、ストロボ回路１３９のプリ発
光、調光回路１４０のプリ積分を開始し（ステップＳ２
１２）、プリ発光が終了するまで待つ（ステップＳ２１
３）。そして、プリ発光が停止すると、調光回路１４０
内の積分電圧Ｖ01〜Ｖ03をＡＤ変換して（ステップＳ２
１４）、メインコントローラ２０に送信する（ステップ
Ｓ２１５）。メインコントローラ２０では、この積分電
圧データに基づいて本発光時のゲイン設定を計算する。

【０１１４】次いで、メインコントローラ２０からの通
信データを用いて、調光回路１４０内のＤＡコンバータ
ＤＡ１１〜ＤＡ１３のＶG1〜ＶG3を設定する（ステップ
Ｓ２１６）。そして、ストロボ装置１３９の本発光と調
光回路１４０の本積分を開始し（ステップＳ２１７）、
本発光が終了するとリターンする（ステップＳ２１
８）。

【０１１５】次に、図１９のタイムチャートを参照し
て、ストロボ調光を行う場合の露出シーケンスについて
詳細に説明する。

【０１１６】シャッタボタンが全押しされてセカンドレ
リーズスイッチ２ＲＳＷがオンすると（図１９（ａ）参
照）、ミラーアップを開始する（図１９（ｂ）参照）。
このとき、先幕マグネットＭｇ１、後幕マグネットＭｇ
２がオンされて先幕１７、後幕１９が保持される（図１
９（ｄ），（ｅ）参照）。

【０１１７】上記ミラーアップが完了すると、ミラーア
ップスイッチＭＵＳＷがオンする（図１９（ｃ）参
照）。そして、マイコン１０１は、ミラーアップスイッ
チＭＵＳＷのオンを検出すると、調光回路１４０のゲイ
ン設定をすべく、ＤＡコンバータＤＡ１１，ＤＡ１２，
ＤＡ１３を動作させ、同一の所定電圧をＶG1，ＶG2，Ｖ
G3に入力する（図１９（ｍ），（ｎ），（ｏ）参照）。

【０１１８】そして、調光回路１４０に対して積分開始
信号ＩＮＴを出力し、これと同時にストロボ装置１３９
に発光信号ＳＴＲＧを出力する（図１９（ｈ）参照）。
これにより、ストロボ装置３９はプリ発光を開始する
（図１９（ｉ）参照）。かかる発光波形は、図１９
（ｉ）に示すように発光量が立ち上がるものである。フ
ォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１２，ＰＤ１３は、この
プリ発光による被写体からの反射光を受光して、その光
量に比例した光電流を発生する。プリ発光は予め決めら
れた所定時間だけ行われる。すなわち所定発光量だけ行
われる。

【０１１９】以下、その後の回路動作をフォトダイオー
ドＰＤ１１を中心に説明する。

【０１２０】上記フォトダイオードＰＤ１１で発生した
光電流は、対数圧縮回路により対数圧縮された電圧に変
換され、レベルシフト回路によりレベルシフトされる。
そして、この出力をゲートに入力され、ゲイン設定端子
からの入力電圧ＶG1をソースの電位とする対数伸張可変
増幅回路により対数伸張された電流出力に変換される
（図１９（ｍ）参照）。このように、ＮＭＯＳトランジ
スタＮ２１のドレイン電流ＩＤ２１は、光電流と比例関
係を保ったままＶG1の電位によって決まるゲインで増幅
され、発光波形と相似形の出力電流波形を示す。

【０１２１】ＮＭＯＳトランジスタＮ２１のドレイン電
流ＩＤ２１は、積分開始信号ＩＮＴのＬからＨの変化に
より（図１９（ｈ）参照）、短絡状態から開放された積
分コンデンサＣ１１を充電する。積分コンデンサＣ１１
の充電電圧は、バッファＡ１１によって低インピーダン
スの電圧出力に変換されてＶ01からマルチプレクサ回路
ＭＰＸ１６０を介してＡＤＣ１０４に入力される（図１
９（ｊ）参照）。他の２個の場合も、被写体からの反射
光量が異なるだけで回路動作そのものは同様である（図
１９（ｋ），（ｌ）参照）。

【０１２２】上記ＶG1，ＶG2，ＶG3としては、予め同一
の電位が与えられているので、同一のゲインで光電流を
増幅した電流を出力する。

【０１２３】分割された被写体領域に対応するプリ発光
による積分電圧出力Ｖ01〜Ｖ03を、マルチプレクサ回路
ＭＰＸ１６０を制御してマイコン１０１内のＡＤコンバ
ータＡＤ１０４に順に出力する。ＡＤコンバータＡＤＣ
１０４は、これをＡＤ変換してメインコントローラ２０
に送信する（図１９（ｇ）参照）。そして、この結果を
所定のアルゴリズムにより処理して、撮影のための本発
光時の分割領域に対する重み付けの度合いを決定する。

【０１２４】その後、積分開始信号ＩＮＴと発光信号Ｓ
ＴＲＧをＨに戻し（図１９（ｈ）参照）、調光回路１４
０の積分コンデンサＣINT を放電する（図１９（ｐ）参
照）。そして、各分割領域に対する重み付けの度合い、
及びフィルムＩＳＯ感度を加味して各領域に対するゲイ
ンの調節を行うべく、ゲイン設定電圧ＶG1〜ＶG3を設定
するため、ＤＡコンバータＤＡ１１〜ＤＡ１３にデータ
をセットする（図１９（ｍ），（ｎ），（ｏ）参照）。
これにより、より重み付けの高い分割領域に関して増幅
率を高くした電流を積分するように設定される。

【０１２５】次に先幕マグネットＭｇ１の通電を解除し
て先幕の走行を開始させ（図１９（ｄ）参照）、シャッ
タが全開した後のシンクロスイッチＸＳＷがオンするの
を待ち、オンしたら（図１９（ｇ）参照）、積分開始信
号ＩＮＴ、ストロボ発光信号ＳＴＲＧをＬからＨにして
（図１９（ｈ）参照）、調光回路１４０の積分を開始さ
せるとともにストロボ装置を本発光させる（図１９
（ｉ）参照）。

【０１２６】上記ストロボ装置１３９より発せられる光
は、被写体を照明し、その反射光は撮影レンズを通過し
てフィルム面で反射されて、フォトダイオードＰＤ１
１，ＰＤ１２，ＰＤ１３に入射して光電流を発生する。
その光電流は、調光回路１４０内で対数圧縮され、重み
付けが加味された積分電流である対数伸張電流の総和Ｉ
INT により積分コンデンサＣINT を充電する（図１９
（ｐ）参照）。

【０１２７】積分コンデンサＣINT の電位が比較電圧Ｖ
c に達すると、コンパレータＣＭＰ１の出力であるスト
ロボ発光停止信号ＳＴＯＰが調光回路１４０からストロ
ボ装置１３９に出力されて、発光を停止する（図１９
（ｐ），（ｉ）参照）。

【０１２８】マイコン１０１は、先幕マグネットＭｇ１
の通電を解除してからの時間を計測し、設定されたシャ
ッタ秒時が経過した時点で後幕マグネットＭｇ２の通電
を解除する（図１９（ｅ）参照）。こうして、発光が停
止すると、フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１２，ＰＤ
１３の光電流が発生しなくなるので、積分コンデンサＣ
INT の電位は変化しなくなる。その後ミラーダウンを行
い（図１９（ｂ）参照）、露出シーケンスを終了する。

【０１２９】このように第２の実施の形態では、サブコ
ントローラ１００は、１ＲＳＷオン時にはＡＦ動作に関
連した制御を行い、２ＲＳＷオン時には露出動作に関連
する調光制御を行うので、非常に効率よくカメラ動作の
制御を行うことができる。また、調光回路とマイコンと
を同一半導体チップ上に形成したので、調光装置をより
低コスト化することができる。さらに、カメラボディ内
において、ミラーボックス底部付近の配置的に近いＡＦ
センサ、位相差ＡＦ光学系からなる焦点検出部と調光素
子とを、調光回路を有するコントローラと電気的に接続
して制御させることにより、実装スペースを縮小させる
ことができる。

【０１３０】以上説明したように、本発明のストロボ調
光装置によれば、低コストなＣＭＯＳプロセスによりス
トロボ調光回路を実現できる。

【０１３１】尚、本発明の上記実施の形態には、以下の
発明も含まれる。

【０１３２】（１）被写体を照明するストロボ手段と、
ストロボ手段を発光させた際にフィルムからの反射光を
受光して、上記対象物の輝度に応じた信号電流を発生す
る受光手段と、前記信号電流を対数圧縮した対数圧縮電
圧を発生する対数圧縮手段と、前記対数圧縮された電圧
をフィルム感度に応じてレベルシフトする手段と、前記
対数圧縮電圧を指数伸張した電流を発生する指数伸張手
段と、前記指数伸張された電流を積分し、この積分電圧
が所定電位に達するとストロボ手段の発光を停止させる
制御手段と、を具備するＴＴＬストロボ調光装置であっ
て、前記対数圧縮手段、又は前記指数伸長手段は、相補
型ＭＯＳ集積回路製造プロセスに起因する寄生バイポー
ラトランジスタ又はサブスレッショルド領域で作動する
ＭＯＳトランジスタとを含んでなることを特徴とするＴ
ＴＬストロボ調光装置。

【０１３３】（２）前記対数圧縮手段、および前記指数
伸長手段は、ＣＭＯＳマイクロコンピュータ装置と同一
の半導体基板上に形成されていることを特徴とする
（１）に記載のＴＴＬストロボ調光装置。

【０１３４】（３）前記ストロボ調光装置は、半導体基
板の温度を測定する測温手段をさらに具備し、この測温
手段が前記対数圧縮手段、および指数伸長手段と共通の
半導体基板上に形成されていることを特徴とする（１）
に記載のＴＴＬストロボ調光装置。

【０１３５】（４）被写体を照明するストロボ手段と、
ストロボ手段を発光させた際にフィルムからの反射光を
受光して、上記対象物の輝度に応じた信号電流を発生す
る受光手段と、フィルム感度に応じた信号を指数伸長し
た比較電圧を発生する比較電圧発生手段と、前記受光手
段から出力される信号電流を積分し、前記比較電圧に達
するとストロボ手段の発光を停止させる制御手段と、を
具備するストロボ調光装置であって、前記比較電圧発生
手段は、相補型ＭＯＳ集積回路製造プロセスに起因する
寄生バイポーラトランジスタ又はサブスレッショルド領
域で作動するＭＯＳトランジスタとを含んでなることを
特徴とするＴＴＬストロボ調光装置。

【０１３６】（５）前記比較電圧発生手段は、ＣＭＯＳ
マイクロコンピュータ装置と同一の半導体基板上に形成
されていることを特徴とする（４）に記載のＴＴＬスト
ロボ調光装置。

【０１３７】（６）前記ストロボ調光装置は、半導体基
板の温度を測定する測温手段をさらに具備し、この測温
手段が前記比較電圧発生手段と共通の半導体基板上に形
成されていることを特徴とする（４）に記載のＴＴＬス
トロボ調光装置。

【０１３８】

【発明の効果】本発明によれば、簡単且つ低コストな構
成でストロボ調光機能を実現するストロボ調光装置を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＴＴＬストロボ調光装置の概念図であ
る。

【図２】第１の実施の形態に係るＴＴＬストロボ調光装
置を採用したカメラの光学系の構成を示す図である。

【図３】第１の実施の形態に係るカメラの制御系の構成
を示す図である。

【図４】第１の実施の形態に係るＴＴＬストロボ調光装
置を適用したカメラの動作について詳細に説明するフロ
ーチャートである。

【図５】第１の実施の形態が採用する調光回路４０の詳
細な構成を示す図である。

【図６】第１の実施の形態において、ストロボ調光を行
う場合の露出シーケンスについて詳細に説明するタイム
チャートである。

【図７】第１の実施の形態が採用する測温回路５１の詳
細な構成を示す図である。

【図８】第１の実施の形態に関し、環境温度と測温出力
との関係、並びに理論値と実際値との間の補正値を示す
特性図である。

【図９】第１の実施の形態が採用する縦型寄生バイポー
ラＰＮＰトランジスタの構造を示す図である。

【図１０】第１の実施の形態に係る比較的微小電流でバ
イアスされるサブスレッショルド領域での対数圧縮特性
を示す図である。

【図１１】第１の実施の形態が採用する縦型寄生バイポ
ーラＮＰＮトランジスタの構造を示す図である。

【図１２】第１の実施の形態が採用する他の調光回路４
０の詳細な構成を示す図である。

【図１３】調光素子ＰＤ２０の光電流を対数圧縮せずに
積分した電圧と、フィルムＩＳＯ感度に対応する電流Ｄ
Ａコンバータの出力を対数伸張した電圧とを比較し、一
致した時点でストロボ発光を停止させる方式を説明する
図である。

【図１４】（ａ）はチップ断面図であり、（ｂ）は対数
圧縮回路の変更部分のみ示した回路図である。

【図１５】第２の実施の形態に係るＴＴＬストロボ調光
装置における調光素子ＰＤと集光レンズ１８の構造を示
す図である。

【図１６】第２実施の形態に係るＴＴＬストロボ調光装
置を採用したカメラの制御系を中心とした構成を示すブ
ロック図である。

【図１７】第２の実施の形態に係る、サブコントローラ
１００の構成要素のうち、調光動作に関わるレジスタＲ
Ｓ及び調光回路１４０の詳細な構成を示す図である。

【図１８】第２の実施の形態におけるサブコントローラ
１００の動作を詳細に説明するフローチャートである。

【図１９】第２の実施の形態において、ストロボ調光を
行う場合の露出シーケンスについて詳細に説明するタイ
ムチャートである。

【符号の説明】

１ストロボ発光部２被写体３受光部４対数圧縮部５対数伸張部６制御部７寄生バイポーラトランジスタ８ＭＯＳトランジスタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H002 CD07 CD11 CD13 DB01 DB11 DB14 DB31 EB03 FB86 HA21 HA26 ZA01 ZA03 2H053 AA00 AA01 AD21 AD23 BA00 BA51 3K098 BB09 BB13 BB14 BB15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ストロボ発光時にフィルムからの反射光
を受光する受光手段と、上記フィルムのフィルム感度に
応じた情報を出力する手段と、上記受光手段の出力を積
分した値と所定の判定値とを、上記フィルム感度に応じ
た情報を加味して比較し、受光出力が判定値に達した時
に上記ストロボ発光を停止させる制御手段とを備えたＴ
ＴＬストロボ調光装置であって、上記制御手段は、共通の半導体基板上に形成された相補
型ＭＯＳ集積回路の製造プロセスに起因する寄生バイポ
ーラトランジスタ、対数圧縮手段、またはサブスレッシ
ョルド領域で作動するＭＯＳトランジスタを含む指数伸
長手段の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とす
るＴＴＬストロボ調光装置。
【請求項２】上記制御手段は、上記共通の半導体基板
の絶対温度に関する情報を検出する測温手段を更に備
え、当該測温手段による測温結果に応じて上記積分処理
過程の温度補正を行うことを特徴とする請求項１に記載
のＴＴＬストロボ調光装置。
【請求項３】上記制御手段は、相補型ＭＯＳ集積回路
の製造プロセスにより構成されたマイクロコンピュータ
装置と共通の半導体基板上に形成されていることを特徴
とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のＴＴＬ
ストロボ調光装置。