JP2000277361A - 変成器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁束が伝送線路の伝送線路に鎖交することが
なく、昇圧比が高く、変換効率に優れた変成器を提供す
る。 【解決手段】誘電性と磁性を有するコア４と、コア４上
に形成された伝送線路４１とを少なくとも具備してな
り、伝送線路４１の線路長Ｌが伝送線路４１に印加する
電圧の周波数の１／４波長にほぼ等しく設定され、コア
４に伝送線路４１から発生した磁束を通す磁路が形成さ
れていることを特徴とする変成器１を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のバ
ックライト用インバータ等に好適に用いることができる
変成器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置のバックライト用
インバータには、昇圧トランスが備えられていることが
知られている。このような用途に用いられる昇圧トラン
スとしては、従来から巻線トランスが使用されている。
この巻線トランスは、バラスト・コンデンサを介して冷
陰極管に接続されている。この冷陰極管には、水銀が封
入されており、高い電圧が印加されることで発生した電
子が上記水銀に衝突し、紫外線を発生し、この紫外線が
管の内側に塗布された蛍光体を励起発光させ可視光に変
換されるようになっている。このような冷陰極管は、始
動時には電子を発生させるため高い電圧を印加する必要
があるが、しかし、一度放電を開始してしまえば、放電
を維持する電圧は始動電圧の１／３程度で済む。このと
き冷陰極管には５〜６ｍＡ程度の電流を流すだけで十分
であり、大電流は必要ない。従って、このような用途に
用いられる昇圧トランスに望まれる特性としては、冷陰
極管の放電開始時に出力電圧を一瞬上昇させることがで
き、定常時には放電維持電圧まで低下できることであ
る。

【０００３】ところで、近年、液晶表示装置に対する小
型軽量化ならびに高性能化の要求はさらに高まってお
り、このような要求を満足するために、上記バックライ
ト用インバータの小型化、薄型化、高変換効率化が強く
要望されるようになってきている。しかしながら従来の
インバータにおいては、巻線トランスを使って薄型化を
実現しようとすると、変換効率が低下してしまうという
問題があった。この理由は、巻線トランスを薄くするた
めにコアの形状を扁平にすると、結果として巻線が長く
なって直流抵抗が増えてしまうためである。また、巻線
トランスを使用する場合は、設置面積が大きくなってし
まい、小型化に制約があった。

【０００４】そこで、巻線トランスに代えて平板状のセ
ラミック素子からなる圧電トランスを備えたバックライ
ト用インバータが考えられている。この圧電トランス
は、高変換効率を維持したまま薄型化が可能であるが、
昇圧比が不足するため、巻線トランスを補助トランスと
して使用する場合があり、薄型化に制約があった。ま
た、圧電トランスの昇圧比や共振周波数は、上記素子の
形状や電気機械結合係数によって決まるため、素子の大
きさを小さくすると、共振周波数が高周波側にシフト
し、昇圧比も小さくなってしまうため、上記素子の大き
さをあまり小さくすることができず、巻線トランスと同
様に設置面積が大きくなってしまい、インバータの小型
化に制約があった。また、圧電トランスにおいて、高昇
圧比と高変換効率を両立させるためには、積層構造にし
たり、長辺が２０〜３０ｍｍの長方形状にする必要があ
り、構造が比較的複雑となってしまう。

【０００５】一方、インピーダンス変換作用を応用した
変成器としては、これまでに放電灯の点灯装置用に分布
定数線路として高周波同軸ケーブルを使用し、該高周波
同軸ケーブルを電圧変換器として使用した例が報告され
ている。この同軸ケーブルの絶縁体としては、使用周波
数にもよるが、通常、ポリエチレン（ε＝２．３）かテ
フロン（ε＝２．１）が使用されている。

【０００６】しかしながら従来の変成器においては、同
軸ケーブルの絶縁体の誘電率が低く、例えば、１ＭＨｚ
で使用するためには同軸ケーブルの長さを約４９ｍにす
る必要があり、特に、液晶表示装置のバックライト用イ
ンバータとして用いる場合に、６０ｋＨｚ程度で使用す
るためには同軸ケーブルの長さを約８８４ｍにする必要
があり、小型化が困難であった。

【０００７】そこで、本願発明者らは、先に、従来の変
成器よりも小型にできる変成器を平成１０年９月３日に
特願平１０−２５００８３号として特許出願している。
この変成器の一例を図１１及び図１２に示す。この変成
器は、誘電性と磁性を有する板状の一対のコア６４，６
４間に、スパイラル型の伝送線路７１が挟持され、一対
のコア６４，６４の外側に接地導体７２，７２が形成さ
れてなる電圧変換部８２と、冷陰極管（負荷装置）９０
を具備してなるものである。この伝送線路７１の出力側
（受端側）の端子７１ａには、冷陰極管（負荷装置）９
０が接続されており、入力側（送端側）の端子７１ｂに
は、交流電源（図示略）と接続されたスイッチ回路９５
が接続されている。また、一方の接地導体７２の出力側
の端子には、冷陰極管９０が接続されており、入力側の
端子には、上記交流電源と接続されたスイッチ回路９５
が接続されている。また、一方の接地導体７２と他方の
接地導体７２は、電位を同じにするために接続用導体９
８により電気的に接続されている。

【０００８】また、符号１０１、１０２はコア６４と接
地導体７２を接着する接着層、符号１０３、１０６は伝
送線路７１とコアを絶縁するための絶縁層、符号１０４
は絶縁層１０３とコア６４を接着する接着層、符号１０
５は絶縁層１０３と伝送線路７１を接着する接着層、符
号１０７は絶縁層１０６とコア６４を接着する接着層を
それぞれ示す。

【０００９】この構造の変成器においては、動作周波数
における伝搬波長がコアの透磁率及び誘電率により決定
されるため、透磁率及び誘電率が高い材料からなるコア
を用いることにより、伝送線路長を短縮でき、変成器の
小型化を図ることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の変成器
においては、板状のコア６４、６４が伝送線路７１を挟
んで対向しているため、コア６４、６４同士の突き合わ
せ面が磁気ギャップとして作用し、伝送線路７１に印加
された交流電流により発生した磁束が別の部分にある伝
送線路７１に鎖交して銅損が大きくなり、変換効率が低
下してしまうという課題があった。

【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、磁束が伝送線路の伝送線路に鎖交
することがなく、昇圧比が高く、変換効率に優れた変成
器を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の変成器
は、誘電性と磁性を有するコアと、該コア上に形成され
た伝送線路とを少なくとも具備してなり、前記伝送線路
の線路長Ｌが該伝送線路に印加する電圧の周波数の１／
４波長にほぼ等しく設定され、前記コアに、前記伝送線
路から発生した磁束を通す磁路が形成されていることを
特徴とする。かかる変成器によれば、磁束を通す磁路が
コアに形成されているので、発生した磁束が伝送線路に
鎖交することがなく銅損が低下し、変換効率を高めるこ
とが可能になる。

【００１３】また、本発明の変成器は、先に記載の変成
器であって、前記コアは一対の板状のコア半体が突き合
わされてなり、前記伝送線路の線路導体は、該一対のコ
ア半体に挟まれて前記コアの内部に配置され、前記少な
くとも一方のコア半体の突き合わせ面の反対側の面に接
地導体が配置され、少なくとも一方のコア半体の前記伝
送線路の周辺部に、前記磁路を形成する磁路形成部が設
けられ、前記伝送線路が前記磁路形成部により前記いず
れか一方のコア半体と離間されたことを特徴とする。か
かる変成器によれば、伝送線路から発生した磁束の大部
分が磁路を通ると共に、伝送線路とコアとが離間されて
いるので、伝送線路を鎖交する渡り磁束成分が減少して
銅損が小さくなり、変換効率を高めることが可能にな
る。

【００１４】更に、本発明の変成器は、先に記載の変成
器であって、少なくとも一方のコア半体の突き合わせ面
の中央部に中央凸部が設けられ、該突き合わせ面の周辺
部の少なくとも一部に周辺凸部が設けられ、前記磁路形
成部は、前記一方のコア半体の前記中央凸部及び前記周
辺凸部が他方のコア半体に突き合わされることにより形
成され、前記磁路は、前記一対のコア半体と前記中央凸
部と前記周辺凸部とにより構成され、前記伝送線路が、
前記磁路形成部内に配置されて前記磁路に囲まれている
ことを特徴とする。かかる変成器によれば、伝送線路か
ら発生した磁束を中央凸部及び周辺凸部に集中させるこ
とができ、伝送線路に鎖交する渡り磁束成分を減少させ
て銅損を小さくできるため、変換効率を高めることが可
能になる。

【００１５】また、本発明の変成器は、先に記載の変成
器であって、前記周辺凸部が前記コア半体の前記周辺部
の全体に設けられていることを特徴とする。かかる変成
器によれば、前記周辺凸部が前記周辺部の全体に設けら
れているので、伝送線路が配置される前記磁路形成部を
周辺凸部によって完全に囲むことが可能となり、伝送線
路に鎖交する渡り磁束をより小さくでき、銅損を低減で
きるため、変成器の変換効率をより高めることが可能と
なる。

【００１６】また、本発明の変成器は、先に記載の変成
器であって、前記伝送線路が、前記中央凸部の周囲に巻
回されて前記磁路形成部内に配置されたことを特徴とす
る。かかる変成器においては、伝送線路が中央凸部の周
囲に巻回されて構成されているので、発生した磁束を中
央凸部及び周辺凸部に集中させることができ、伝送線路
に鎖交する渡り磁束成分を減少させて銅損を小さくでき
るため、変換効率を高めることが可能になる。

【００１７】なお、上記一方のコア半体に磁路形成部が
設けられても、巻回された伝送線路同士の間隔や接地導
体の間隔は一定に保つことができるので、磁路形成部の
形成により生じる変成器の特性（トランス特性）への悪
影響はない。従って、本発明によれば、変成器の特性を
変化させることなく、損失を十分低減でき、より高変換
効率の変換器を提供できる。

【００１８】更に、本発明に係る変成器においては、磁
路形成部に非磁性材料が充填されたものであっても良
い。かかる構成の変成器によれば、コア半体に磁路形成
部が形成されていても、該磁路形成部内に充填された非
磁性材料によりコア半体が補強され、変成器の機械的強
度を向上できる。

【００１９】また、本発明の変成器は、先に記載の変成
器であって、前記コアはＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−
Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から選ばれ
た１種又は２種以上からなるものであることを特徴とす
る。かかる変成器によれば、コアの寸法を短くでき、小
型化が可能になる。また、本発明に係る変成器において
は、上記コアが、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選ばれた１
種又は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、希土
類元素の群から選ばれた１種又は２種以上の元素Ｍと、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又は２種以上の元
素Ｄを含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂からなるもので
あってもよい。かかる変成器によれば、コアの透磁率及
び誘電率を大きくでき、波長短縮効果が十分となり、小
型化が可能である。

【００２０】更に、本発明の変成器は、先に記載の変成
器であって、前記コアの１００ｋＨｚにおける実効透磁
率μが１０〜２００００であり、実効誘電率εが１０〜
５０００であることを特徴とする。かかる変成器によれ
ば、コアの透磁率及び誘電率が大きく、伝送線路長が短
縮され、コアの寸法をも短くでき、小型化が可能にな
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の変成器の一実施形
態について説明する。なお、以下に述べる実施の形態で
は、本発明の変成器が液晶表示装置のバックライト用イ
ンバータに適用された場合について述べる。図１は、本
発明の第１の実施形態の変成器の要部を示す斜視図であ
り、図２はこの変成器の断面図である。変成器１は、図
２に示すように、電圧変換部２と、負荷装置としての冷
陰極管３６から概略構成されてなるものである。

【００２２】電圧変換部２は、コア４を構成する一対の
コア半体４ａ、４ｂの間にスパイラル型の伝送線路４１
が挟持され、さらに一対のコア半体４ａ、４ｂの外側に
接地導体４２，４２が形成されてなるものである。コア
４は、誘電性と磁性を有するものである。コア４をなす
材料としては、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェ
ライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から選ばれた１種又
は２種以上からなるものを用いることが、コア４の寸法
を短くでき、変成器１の小型化が可能である点で好まし
い。接地導体４２、４２は、一対のコア半体４ａ、４ｂ
の各突き合わせ面の反対側の各面にそれぞれ設けられて
いる。この接地導体４２、４２は、コア半体４ａ、４ｂ
の各突き合わせ面の反対側の面の全面に接着層１０１、
１０２を介して設けられた薄膜であるが、薄膜に限られ
ずコイル状に形成されたものであっても良い。

【００２３】コア４は、１００ｋＨｚにおける実効透磁
率μが１０〜２００００であることが好ましく、また、
コア４は、実効誘電率εが１０〜５０００であることが
好ましい。コア４は、前記フェライト群から選ばれた２
種類以上からなる場合など積層構造をなす場合があり、
その場合の実効透磁率と実効誘電率は、積層構造を連続
媒質とみなした場合の値とする。波長短縮効果は、コア
４の実効透磁率μ、実効誘電率εが大きいほど大きくな
るため変成器１が小型化できる。しかし、伝送線路の特
性インピーダンスは、実効透磁率μが大きいほど高くな
るが、実効誘電率εが大きくなると低くなるため、μと
εには最適な範囲が存在する。よって、本発明において
は、波長短縮効果を大きくし、かつ、特性インピーダン
スを所定の値にするには、コア４のμとεが上記の範囲
であることが好ましい。

【００２４】また、図１及び図２に示すように、コア半
体４ａの突き合わせ面４ｆの中央には、中央凸部４ｃが
設けられ、突き合わせ面４ｆの周辺部４ｄの一部には、
周辺凸部４ｅ、４ｅが設けられている。周辺凸部４ｅ、
４ｅは、突き合わせ面４ｆ上にて互いに対向して設けら
れている。このような中央凸部４ｃ及び周辺凸部４ｅ、
４ｅは、例えば板状のコアブロックの一面を砥石等で切
削加工して中央凸部４ｃ及び周辺凸部４ｅ、４ｅを残す
ように加工する方法や、凹部を有する型に板状のコアブ
ロックを入れて、プレスし、板状のコアブロックの一方
の面に中央凸部４ｃ及び周辺凸部４ｅ、４ｅを形成する
方法などにより形成することができる。また、コア半体
４ｂは板状とされている。そして、このコア半体４ａの
中央凸部４ｃと周辺凸部４ｅ、４ｅがコア半体４ｂに突
き合わされてコア４が形成されると共に、このコア４の
内部に、一対のコア半体４ａ、４ｂと中央凸部４ｃと周
辺凸部４ｅ、４ｅとに区画されて空隙部７ａが形成さ
れ、この空隙部７ａにより磁路形成部７が構成される。
そして、これら一対のコア半体４ａ、４ｂと中央凸部４
ｃと周辺凸部４ｅ、４ｅとにより磁路形成部７を囲む磁
路が構成される。

【００２５】次に図１及び図２に示すように、伝送線路
４１は、線路導体からなるものであって、中央凸部４ｃ
の周囲に巻回されて、コア半体４ａと離間して磁路形成
部７内に配置されている。このような伝送線路４１を磁
路形成部７内に設ける方法としては、例えば、一般的な
被覆銅線を用い、この被覆導線を磁路形成部７内に収納
する方法や、コア半体４ｂの上面にメッキまたはスパッ
タでスパイラル状の導体を形成し、コア半体４ａを突き
合わせるなどの方法により形成することができる。この
ようにして伝送線路４１は、磁路形成部７内に配置され
て磁路に囲まれている。

【００２６】また図２に示すように、コア半体４ｂには
接着層１０３が積層され、この接着層１０３の一部にポ
リイミド等からなる絶縁層１０４が積層され、この絶縁
層１０４上に上述の伝送線路４１が形成されていて、伝
送線路４１とコア半体４ｂが絶縁されている。また、伝
送線路４１には接着層１０６を介してポリイミド等から
なる絶縁層１０５が積層されている。

【００２７】この変成器１では、上述のような一対のコ
ア半体４ａ、４ｂ間に介在された伝送線路４１より発生
する磁束の方向は、伝送線路４１に流れる電流の方向が
図２に示された通りであるときは、図２中の符号Ｉ_a、
Ｉ_bで示される矢印の向きとなる。従って、伝送線路か
ら発生した磁束は、その大部分が一対のコア半体４ａ、
４ｂと中央凸部４ｃと周辺凸部４ｅ、４ｅとにより構成
される磁路を通ることになる。そして、伝送線路から発
生した磁束は、中央凸部４ｃ及び周辺凸部４ｅ、４ｅに
集中し、渡り磁束成分が伝送線路４１に鎖交することが
なく、銅損を小さくでき、変成器１の変換効率を高くす
ることができる。

【００２８】また、伝送線路４１の出力側（受端側）の
端子４１ａには、冷陰極管３６が接続されており、入力
側（送端側）の端子４１ｂには、交流電源（図示略）と
接続されたスイッチ回路３５が接続されている。また、
他方の接地導体４２の出力側の端子には、冷陰極管３６
が接続されており、入力側の端子には、上記交流電源と
接続されたスイッチ回路３５が接続されている。また、
接地導体４２、４２同士は、電位を同じにするために接
続用導体４３により電気的に接続されている。

【００２９】伝送線路４１と接地導体４２，４２の各線
路長Ｌは、これら導体に印加する交流電圧の周波数（動
作周波数）の１／４波長にほぼ等しいことが好ましい。
伝送線路４１と接地導体４２，４２の各線路長Ｌが、交
流電圧の周波数（動作周波数）の１／４波長と異なる
と、電圧変換部２の固有インピーダンスより大きなイン
ピーダンスを有する冷陰極管３６が接続された場合に、
電圧変換が行われず、好ましくない。

【００３０】冷陰極管３６としては、上述のような構成
の電圧変換部２の固有インピーダンスと異なるインピー
ダンスを有するものを用いるのが、負荷の両端に電圧変
換部２の固有のインピーダンスとの比に応じた倍率で入
力電圧と異なる電圧が加わる点で好ましい。さらに、こ
の冷陰極管３６は、電圧変換部２の固有インピーダンス
より大きなインピーダンスを有するものを用いるのが、
負荷の両端に電圧変換部２の固有のインピーダンスとの
比に応じた倍率で入力電圧より高い電圧が加わる点でよ
り好ましい。この変成器１では、寄生容量（分布定数）
を回路定数に取り込み、誘電性と磁性を有するコア４
と、伝送線路４１と接地導体４２，４２を使った図３に
示すような分布定数回路が構成されている。図３中、符
号Ｖ₁は入力電圧、Ｖ₂は受端電圧、Ｉ₁は入力電流、Ｉ₂
は受端電流、Ｚ₁は入力側から見たインピーダンス、Ｚ₂
は出力側から見たインピーダンス、Ｚ₀は伝送線路４１
の固有のインピーダンス、Ｌは伝送線路４１の線路長で
ある。 図３に示す分布定数回路は、下記式（１）で表
される。尚、式（１）中βは伝送線路４１の伝搬定数
（β＝２πｆ／ｖ＝２π／λ・・・（１−ａ）式）であ
る。（１−ａ）式でのｖは伝搬速度（＝ｆλ）、λは伝
搬波長である。

【００３１】

【数１】

【００３２】本実施形態においては、伝送線路４１の線
路長Ｌが、動作周波数のλ／４とされているので、 βＬ＝（２π／λ）×（λ／４）＝π／２ となる。よって、式（１）は、下記式（４）で表せる。

【００３３】

【数２】

【００３４】上記式（４）を変形し、入力側から見たイ
ンピーダンスＺ₁を求めると、 Ｚ₁＝Ｖ₁／Ｉ₁＝（ｊＺ₀・Ｉ₂）／（（ｊ／Ｚ₀）・Ｖ₂） ・・・（５） ここでＶ₂＝Ｚ₂・Ｉ₂であるので、 Ｚ₁＝Ｚ₀／（Ｚ₂／Ｚ₀）＝Ｚ₀ ²／Ｚ₂ ・・・式（６） これは、伝搬波長／４＝線路長である場合においては、
固有のインピーダンス５０オームの線路の出力側の端子
に１００オームのインピーダンスを接続した場合、入力
側から見ると２５オームに見えることを示しており、
受電端に接続されたインピーダンスＺ₂は、送電端から
はＺ₁に変換されて見える。よって、インピーダンス変
換がされることになる。

【００３５】また、上記式（４）から 以上のことから、電圧は他端の電流に比例し、電流は
他端の電圧に比例することがわかる。線路長Ｌが伝搬波
長／４のときにおいてのみ、上記並びにの関係が成
り立ち電圧変換が行われる。このように伝送線路４１の
固有のインピーダンスと、負荷抵抗（負荷装置の抵抗）
の比率で昇圧比が決まるので、この変成器１は、高電圧
が必要な始動時に高抵抗、点灯時に抵抗が下がる冷陰極
管のインピーダンス特性に適している。

【００３６】次に、この変成器１の動作について、上記
式（６）、式（７）及び図４を用いて説明する。図４
は、変成器１の伝送線路の昇圧作用を説明するためのグ
ラフである。図４のグラフにおいて、横軸は出力側から
見たインピーダンスＺ₂と伝送線路４１の固有のインピ
ーダンスＺ₀の比を表している。ここで、入力電圧Ｖ₁が
定電圧であるとする。負荷インピーダンスＺ₂が伝送線
路４１の固有のインピーダンスＺ₀に等しい場合（Ｚ₂／
Ｚ₀＝１）は、伝送線路４１は整合状態となっており、
図中Ａ点に示されているように送端と受端の電圧が等し
いのが明らかである。Ｚ₂＞Ｚ₀なる負荷を接続した場合
（Ｚ₂／Ｚ₀＞１）は、上記式（６）よりＺ₁＜Ｚ₀となっ
て入力電流Ｉ₁が増える。また、上記式（７）から、受
端電圧Ｖ₂は入力電圧Ｉ₁に比例するので、図中Ｂ点に示
されているように同じく増える。Ｚ₂＞Ｚ₀の領域では、
Ｖ₂はＶ₁より大きくなっており昇圧されていることにな
る。よって、線路長Ｌが動作周波数の１／４波長の伝送
線路４１の負荷として、伝送線路４１の固有のインピー
ダンスより大きな負荷を接続すると、その負荷の両端に
伝送線路４１の固有のインピーダンスとの比に応じた倍
率で入力電圧より高い電圧が加わる。

【００３７】次に、この変成器１において、上述のコア
４を用いることにより波長を短縮でき、変成器１を小型
化できる理由について説明する。自由空間における波長
は下記式（８）で表される。 λ＝ｖ／ｆ ・・・（８） 電圧変換部２の電磁界が発生する部分の誘電率・透磁率
が大きいと、進行波の伝搬速度ｖが遅くなる。この伝搬
速度ｖは、下記式（９）で示される。 ｖ［ｍ／ｓ］＝３×１０⁸×（ε^1/2・μ^1/2）^-1 ・・・（９） よって、その場合の波長は下記式（１０）で示される。 λ＝（ｖ／ｆ）・（ε^1/2・μ^1/2）^-1 ・・・（１０） 上記（１０）式から明らかなように誘電率、透磁率の値
に応じて波長短縮が生じ、すなわち、誘電率、透磁率が
大きくなるとこれに応じて波長も短くなっており、よっ
て、コア４を誘電率、透磁率が大きい材料から構成する
ことにより、波長を短縮でき、コア寸法も短くでき、変
成器１の小型化が可能である。

【００３８】上述の変成器１にあっては、誘電性と磁性
を有する一対のコア半体４ａ、４ｂ間に、スパイラル型
の伝送線路４１が挟持され、一対のコア半体４ａ、４ｂ
の外側に接地導体４２，４２が形成されてなる電圧変換
部２と、電圧変換部２の固有インピーダンスと異なるイ
ンピーダンスを有する冷陰極管（負荷装置）３６が具備
されたことにより、波長を短縮でき、これによってコア
寸法を短くできるので、設置面積も小さくて済み、高昇
圧比及び高変換効率を維持したうえで変成器１の小型化
が可能である。また、巻線トランス等の補助トランスを
使用しなくても、高昇圧比と高変換効率を両立できるの
で、補助トランスを用いる圧電トランスに比べて、イン
バータの薄型化が可能である。また、誘電性と磁性を有
する一対のコア半体４ａ、４ｂ間に伝送線路４１を設
け、これら一対のコア半体４ａ、４ｂの外側に接地導体
４２，４２を設けるだけで、高昇圧比と高変換効率を両
立させることができ、構造の簡略化が可能である。

【００３９】上述の変成器１においては、コア４をなす
材料として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選ばれた１種又
は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、希土類元素
の群から選ばれた１種又は２種以上の元素Ｍと、Ｏ、
Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又は２種以上の元素Ｄ
を含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂からなるものを用い
るのが、コア４の透磁率及び誘電率を大きくでき、波長
短縮効果が十分となり、変成器１を小型化できる点で好
ましい。

【００４０】上記軟磁性合金粉末としては、例えば、以
下の組成式で示されるものが好適に用いられる。 Ｔ_aＭ_bＤ_c （上記組成式中、ＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの群から選ばれ
た１種または２種以上の元素を表し、ＭはＨｆ，Ｚｒ，
Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｂ
ｉ，希土類元素の群から選ばれた１種または２種以上の
元素を表し、ＤはＯ，Ｃ，Ｎ，Ｂの群から選ばれた１種
または２種以上の元素を表す。また、組成式中、組成比
を示すａ，ｂ，ｃは、原子％で、４０≦ａ＜８７、０＜
ｂ≦２０、０＜ｃ≦５０なる関係を満足するものであ
る。）

【００４１】上記合成樹脂としては、誘電損失が小さい
材料（即ちＱの大きい材料でＱが４００以上のもの）が
用いられ、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポ
リスチレン、パラフィン、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂等が挙げられ
る。

【００４２】上述のような軟磁性合金粉末と合成樹脂か
らなるコア４は、例えば、以下のようにして製造するこ
とができる。まず、組成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示される軟磁
性合金粉末の組成になるように各原料を秤量する。ここ
での原料は、Ｔの粉末、Ｍの粉末が用いられる。Ｔの粉
末としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの群から選ばれた少なく
とも一種の元素の単体，酸化物，炭化物，炭酸塩，窒素
化物，ホウ化物のうちから選ばれた粉末が用いられる。
Ｍの粉末としては、Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｂｉ，希土類元素の群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素の単体，酸化物，炭化
物，炭酸塩，窒素化物，ホウ化物のうちから選ばれた粉
末が用いられる。上記希土類元素としては、周期表の３
Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタノイドの群から選ば
れる少なくとも１種の元素またはそれらの混合物が挙げ
られる。この際、Ｔの粉末は粒径が１００μｍ以下、Ｍ
の粉末は粒径が２μｍ以下のものが望ましい。

【００４３】次いで、Ｄのうち、Ｏ，Ｃ，Ｎを添加する
場合は、上述のＴの粉末とＭの粉末とをステンレス鋼製
ポット中に、ポットと同材質のステンレス球と共に封入
し、Ｏ，Ｃ，Ｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素
の単体ガス，酸化物ガス，炭化物ガスのうちから選ばれ
たＤのガスを充満させる。そして、高エネルギ型遊星式
ボールミルを用いて所定時間、粉砕、攪拌するメカニカ
ルアロイングにより、組成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示される軟
磁性合金粉末が得られる。メカニカルアロイングの時間
は、２時間以上とするのが、ｂｃｃ構造もしくはｆｃｃ
構造、または、これらが混在したＴの結晶の微細化を十
分にできる点で好ましい。ここで得られた軟磁性合金粉
末は、平均結晶粒径が数ｎｍ〜数１０ｎｍオーダーのｂ
ｃｃ構造のＴの微結晶相が、Ｍ，Ｄを多量に含む非晶質
相で取り囲まれたような構造を有する平均粒径が１〜２
μｍ程度の凝集粒子となる。この軟磁性合金粉末は、凝
集粒子を構成するｂｃｃ構造もしくはｆｃｃ構造、また
は、これらが混在したＴの微結晶の平均粒径が微細であ
るため、優れた軟磁気特性を示し、また、ｂｃｃ構造も
しくはｆｃｃ構造、またはこれらが混在したＴの微結晶
が、高抵抗の非晶質相によって取り囲まれているため、
渦電流損失を小さく押えることができるという特徴があ
る。

【００４４】次に、得られた軟磁性合金粉末を有機溶剤
を溶媒とする合成樹脂液に分散してスラリーを得た後、
このスラリーを３本ロールに繰り返し通して該スラリー
が粉末状になるまで混練し混練物を得る。この合成樹脂
を溶解させる有機溶剤としては、キシレン、トルエン、
ベンゼン等が挙げられる。合成樹脂への軟磁性合金粉末
の添加割合は、目的とするコアの磁性と誘電性によって
適宜変更可能であるが、スラリー中の体積割合で５０〜
８０vol％程度となるように添加するのが好ましい。軟
磁性合金粉末の体積割合が５０ｖｏｌ％未満であると、
透磁率が低くなるという不都合が生じる恐れがあり、一
方、８０ｖｏｌ％を超えると射出成形等により成形する
のが困難になるという不都合が生じる恐れがある。

【００４５】上記軟磁性合金粉末は合成樹脂液に分散、
混練する前に、空気，酸素，窒素，水蒸気のうちから選
択される雰囲気中またはこれらの混合雰囲気中で熱処理
を行うことが望ましい。ここでの加熱温度は、２５℃〜
３００℃程度、加熱時間は、０.５時間〜４８時間程度
が好ましい。このようにすると、上記軟磁性合金粉末の
表面に酸化物からなる絶縁層が形成されるので、軟磁性
合金粉末の固有抵抗が上がり、高周波での誘電率をより
低くすることができる。なお、ここでの絶縁層は、酸化
膜に限らず、他の絶縁膜を用いて形成してもよい。

【００４６】ついで、上記混練物を乾燥器等に入れて加
熱することにより有機溶剤を蒸発させたのち、プレス成
形機、射出成形機、押出装置等を用いて所望の形状に成
形して成形体を作製する。この後、この成形体を１５０
〜４００℃程度、１時間程度加熱することにより、目的
とする磁性と誘電性とを有するコア４が得られる。ま
た、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなるコア４は、Ｔの
粉末とＭの粉末とを混合後、Ｄのガス雰囲気中で粉砕、
攪拌するのに代えて、Ｔの粉末と、Ｍの粉末と、Ｄの粉
末とを混合後、不活性ガス雰囲気中、あるいはＯ，Ｃ，
Ｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素の単体ガス，
酸化物ガス，炭化物ガスのうちから選ばれたＤのガス雰
囲気中で粉砕、攪拌する以外は先に述べた製造例と同様
にして製造することもできる。上記Ｄの粉末としては、
カーボンとＢのうちから選ばれた少なくとも一種または
混合物が用いられる。また、この例では、上記Ｔの粉末
とＭの粉末とＤの粉末の粉砕、攪拌をＤのガス雰囲気
下、またはＡｒガス等の不活性ガス雰囲気下、あるいは
上記ＤのガスとＡｒガス等の不活性ガスとの混合ガス雰
囲気下で行なわれ、上記混合ガス雰囲気下で行う場合に
は材料中の酸素，炭素，窒素量を調整することができ
る。

【００４７】また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなる
コア４は、Ｔの粉末とＭの粉末に代えて液体急冷法によ
り得られたＴ−Ｍ合金薄帯の粉砕物粉末を用いる以外
は、先に述べた製造例と同様にして製造することもでき
る。また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなるコア４
は、Ｔの粉末とＭの粉末と、Ｄの粉末および／またはＤ
のガスに加えて液体急冷法により得られたＴ−Ｍ合金薄
帯の粉砕物粉末も用いる以外は、先に述べた製造例と同
様にして製造することもできる。

【００４８】誘電損失が小さい合成樹脂と、組成式がＴ
_aＭ_bＤ_cで示される軟磁性合金粉末からコア４を構成す
ることにより、コア４の固有抵抗が１０⁸Ω・ｃｍ以上
となるうえ、合成樹脂が有する絶縁体（誘電体）として
の誘電特性と、軟磁性合金粉末が有する軟磁気特性とを
合わせ持つことができる。上述のような組成式がＴ_aＭ_b
Ｄ_cで示される軟磁性合金粉末と合成樹脂から構成した
一対のコア半体４ａ、４ｂは、透磁率および誘電率が十
分大きく、従って、このような一対のコア半体４ａ、４
ｂ間に、導体からなり、スパイラル型の伝送線路４１が
挟持され、一対のコア半体４ａ、４ｂの外側に接地導体
４２，４２が形成されてなる電圧変換部２を具備する変
成器１にあっては、特に、波長短縮効果が十分であり、
コア寸法を短くでき、変成器１の小型化が可能である。

【００４９】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図５は、第２の実施形態の変成器の要部を示す
斜視図である。この変成器１０が、図１及び図２に示し
た変成器１と異なるところは、一方のコア半体４ｇの突
き合わせ面４ｆの周辺部４ｄの全体に、周辺凸部４ｈが
設けられている点である。即ちこの周辺凸部４ｈは、略
矩形の突き合わせ面４ｆの全周に渡って形成されてい
る。そして、伝送線路４１は、コア半体４ｇ、４ｂと中
央凸部４ｃと周辺凸部４ｈとに区画された磁路形成部内
に配置されることにより、コア４に完全に囲まれること
となる。

【００５０】従って、この変成器１０によれば、上述し
た変成器１の効果に加えて、次のような効果が得られ
る。即ち、周辺凸部４ｈが突き合わせ面４ｆの全周に渡
って設けられているので、伝送線路４１が磁路に完全に
囲まれることとなり、伝送線路４１に鎖交する渡り磁束
成分をより小さくでき、銅損を低減できるため、変成器
１０の変換効率をより高めることができる。

【００５１】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図６は、第３の実施形態の変成器２０の電力変
換部２２を示す断面図である。この変成器２０が、図１
及び図２に示した変成器１と異なるところは、磁路形成
部７に非磁性材料２５が充填されている点である。即ち
この非磁性材料２５は、伝送線路４１と一方のコア４ａ
との間にある空隙部７ａ（磁路形成部７）に充填されて
いる。ここで例えば磁路形成部７に磁性材料を充填する
と、伝送線路４１から発生した磁束が磁性材料に印加さ
れ、伝送線路４１に鎖交する磁束が増えて銅損が増加
し、変成器２０の変換効率が低下するため好ましくな
い。非磁性材料２５としては、樹脂、例えばエポキシ樹
脂等の硬度が高い樹脂が好ましく、コア４と熱膨張係数
を略等しくすると良い。

【００５２】この変成器２０によれば、上述した変成器
１の効果に加えて、次のような効果が得られる。即ち、
コア半体４ａに磁路形成部７が形成されていても、磁路
形成部７内に充填された非磁性材料２５によりコア半体
４ａの機械的強度が補強され、変成器２０の機械的強度
を向上できる。

【００５３】

【実施例】以下、本発明を、実施例および比較例によ
り、具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみ
に限定されるものではない。 （実施例１）図１及び図２に示した変成器１０と同様の
変成器を作製した。ここで作製した実施例１の変成器の
電圧変換部２のＭｎ−Ｚｎフェライトからなる各コア半
体４ａ、４ｂの厚みは０．５ｍｍ、コア半体４ａの中央
凸部４ｃ及び周辺凸部４ｅの高さは０．５ｍｍであるこ
とから磁路形成部７の深さは０．５ｍｍ、スパイラル型
の伝送線路４１の厚みは０．０４ｍｍ、伝送線路４１の
幅は０．２９ｍｍ、伝送線路４１のピッチは０．２４ｍ
ｍ、接地導体４２，４２の厚みは０．０４ｍｍであっ
た。また、伝送線路４１の線路長Ｌは１．８ｍであっ
た。また、絶縁層１０４の厚さが７０μｍ、絶縁層１０
５の厚さが７μｍであることから、絶縁層１０５とコア
半体４ａとの間隔は約０．３９ｍｍであった。

【００５４】ここで作製した変成器の電圧変換部のゲイ
ンフェーズを測定した。ここでの測定には、インピーダ
ンスアナライザＨＰ４１９４Ａ（商品名；日本ヒューレ
ットパッカード株式会社製）を用いてゲインフェーズ
（専用の測定ジグ使用）の測定を出力側の端子に接続す
る終端抵抗Ｚ_Lを１００ｋΩとして行った。測定周波数
範囲は、共振近傍の点が細かくとれるように０．０１Ｍ
Ｈｚから１０ＭＨｚとした。 終端抵抗Ｚ_Lには、炭素皮
膜抵抗を用いた。測定結果を図７に示す。また、λ／４
に同調したときの周波数ｆ、ゲインＧ_v の値を以下に示
す。

【００５５】Ｚ_L＝１００ｋΩ時 ｆ＝０．８６ＭＨ
ｚ、Ｇ_v＝２４．３ｄＢ

【００５６】図７に示した結果からフェーズ（入出力電
圧の位相差）が−９０（ｄｅｇ．）のとき、ゲインが最
大となっていることがわかる。また、ゲインの値も２
４．３ｄＢと高い値を示していることがわかる。

【００５７】次に、終端抵抗を４４０Ω、９６０Ω、
３．０５ｋΩ、１０．０５ｋΩ、３３．０５ｋΩと変化
させた場合の変換効率をオシロスコープを用いて測定し
た。入力電圧は３Ｖ、５Ｖ、７Ｖとした。作動周波数は
８６０ｋＨｚ（λ／４同調時）とした。結果を図８に示
す。図８から明らかなように、実施例１の変成器におい
ては、終端抵抗が約１ｋΩの時に約９２％の変換効率を
示していることがわかる。

【００５８】（比較例１）図１１及び図１２に示した変
成器と同様の変成器を作製した。ここで作製した比較例
１の変成器の電圧変換部２のＭｎ−Ｚｎフェライトから
なる各コア半体６４、６４の厚みは０．５ｍｍ、スパイ
ラル型の伝送線路７１の厚みは０．０４ｍｍ、伝送線路
７１の幅は０．２３ｍｍ、伝送線路７１ピッチは０．３
ｍｍ、接地導体７２、７２の厚みは０．０４ｍｍであっ
た。また、伝送線路７１の線路長Ｌは２．４８ｍであっ
た。

【００５９】この比較例１の変成器の電圧変換部のゲイ
ン−フェーズ特性を、実施例１と同様にして測定した。
結果を図９に示す。また、λ／４に同調したときの周波
数ｆ、ゲインＧ_v の値を以下に示す。

【００６０】Ｚ_L＝１００ｋΩ時 ｆ＝０．４ＭＨｚ、
Ｇ_v＝１８．０ｄＢ

【００６１】図９に示した結果からフェーズ（入出力電
圧の位相差）が−９０（ｄｅｇ．）のとき、ゲインが最
大となっているが、ゲインの値は１８．０ｄＢと実施例
１の変成器よりも低くなっていることがわかる。

【００６２】次に、比較例１の変成器の変換効率を、実
施例１と同様にして測定した。ただし、入力電圧は１
Ｖ、３Ｖ、５Ｖとした。作動周波数は４００ｋＨｚ（λ
／４同調時）とした。結果を図１０に示す。図１０から
明らかなように、比較１の変成器においては、終端抵抗
が約７００Ωの時に約７７％の変換効率を示している
が、これは実施例１の変成器の変換効率よりも低いもの
であることがわかる。

【００６３】ゲイン及び変換効率が実施例１の変成器の
方が高い値を示した理由は、実施例１の変成器には磁束
形成部が設けられていて、伝送線路とコア半体とが離間
されているので、伝送線路に鎖交する渡り磁束成分が減
少し、銅損が低下したためと推定される。

【００６４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
変成器は、前記コアに前記伝送線路から発生した磁束を
通す磁路が形成されているので、伝送線路に鎖交する渡
り磁束成分が減少して銅損が低下するため、変換効率を
高めることができる。

【００６５】また、本発明の変成器においては、前記伝
送線路の周辺部に前記磁路を形成する磁路形成部が設け
られて、前記伝送線路が前記磁路形成部によりコアと離
間されているので、伝送線路を鎖交する渡り磁束成分が
減少して銅損が小さくなり、変換効率を高めることがで
きる。

【００６６】更に、本発明の変成器においては、前記磁
路形成部が、前記一対のコア半体と前記中央凸部と前記
周辺凸部とに区画されて形成され、前記磁路形成部を区
画する前記一対のコア半体と前記中央凸部と前記周辺凸
部とにより前記磁路が構成され、前記伝送線路が、前記
磁路形成部内に配置されて前記磁路に囲まれているの
で、伝送線路から発生した磁束のうちの一方のコア半体
から他方のコア半体に移動する渡り磁束成分が中央凸部
及び周辺凸部に集中し、渡り磁束成分が伝送線路に鎖交
することがなく銅損が低下するため、変換効率を高める
ことができる。

【００６７】また、本発明の変成器においては、前記周
辺凸部が前記周辺部の全体に設けられているので、伝送
線路が配置される前記磁路形成部を周辺凸部によって完
全に囲むことが可能となり、伝送線路に鎖交する渡り磁
束をより小さくでき、銅損を低減できるため、変成器の
変換効率をより高めることができる。

【００６８】また、本発明の変成器においては、伝送線
路が中央凸部の周囲に巻回されて構成されているので、
発生した磁束を中央凸部及び周辺部凸部に集中させるこ
とができ、伝送線路に鎖交する渡り磁束成分を減少させ
て銅損を小さくできるため、変換効率を高めることがで
きる。

【００６９】また、本発明の変成器の前記コアはＭｎ−
Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフ
ェライトの群から選ばれた１種又は２種以上からなるも
のであるので、コアの寸法を短くでき、変成器を小型化
できる。更に、本発明の変成器においては、前記コアの
１００ｋＨｚにおける実効透磁率μが１０〜２００００
であり、実効誘電率εが１０〜５０００であるので、伝
送線路長が短縮され、コアの寸法をも短くでき、変成器
を小型化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態の変成器の要部を示
す斜視図である。

【図２】 本発明の第１の実施形態の変成器の断面図で
ある。

【図３】 第１の実施形態の変成器の分布定数回路を説
明するための図である。

【図４】 第１の実施形態の変成器の伝送線路の昇圧作
用を説明するための図である。

【図５】 本発明の第２の実施形態の変成器の要部を示
す斜視図である。

【図６】 本発明の第３の実施形態の変成器の電圧変換
部の断面図である。

【図７】 実施例１の変成器の終端抵抗が１００ｋΩ時
のゲイン−フェーズ特性を示す図である。

【図８】 実施例１の変成器の終端抵抗と変換効率との
関係を示す図である。

【図９】 比較例１の変成器の終端抵抗が１００ｋΩ時
のゲイン−フェーズ特性を示す図である。

【図１０】 比較例１の変成器の終端抵抗と変換効率と
の関係を示す図である。

【図１１】 従来の変成器の要部を示す斜視図である。

【図１２】 従来の実施形態の変成器の断面図である。

【符号の説明】

１、１０、２０ 変成器 ４ コア ４ａ、４ｂ、４ｇ コア半体 ４ｃ 中央凸部 ４ｄ 周辺部 ４ｅ、４ｈ 周辺凸部 ４ｆ 突き合わせ面 ７ 磁路形成部 ４１ 伝送線路 ４２ 接地導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 利男 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E043 BA01

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電性と磁性を有するコアと、該コア上
   に形成された伝送線路とを少なくとも具備してなり、 前記伝送線路の線路長Ｌが該伝送線路に印加する電圧の
   周波数の１／４波長にほぼ等しく設定され、 前記コアに、前記伝送線路から発生した磁束を通す磁路
   が形成されていることを特徴とする変成器。
2. 【請求項２】 前記コアは一対の板状のコア半体が突き
   合わされてなり、前記伝送線路の線路導体は、該一対の
   コア半体に挟まれて前記コアの内部に配置され、 前記少なくとも一方のコア半体の突き合わせ面の反対側
   の面に接地導体が配置され、 少なくとも一方のコア半体の前記伝送線路の周辺部に、
   前記磁路を形成する磁路形成部が設けられ、前記伝送線
   路が前記磁路形成部により前記いずれか一方のコア半体
   と離間されたことを特徴とする請求項１記載の変成器。
3. 【請求項３】 少なくとも一方のコア半体の突き合わせ
   面の中央部に中央凸部が設けられ、該突き合わせ面の周
   辺部の少なくとも一部に周辺凸部が設けられ、 前記磁路形成部は、前記一方のコア半体の前記中央凸部
   及び前記周辺凸部が他方のコア半体に突き合わされるこ
   とにより形成され、 前記磁路は、前記一対のコア半体と前記中央凸部と前記
   周辺凸部とにより構成され、 前記伝送線路が、前記磁路形成部内に配置されて前記磁
   路に囲まれていることを特徴とする請求項２記載の変成
   器。
4. 【請求項４】 前記周辺凸部が前記コア半体の前記周辺
   部の全体に設けられていることを特徴とする請求項３記
   載の変成器。
5. 【請求項５】 前記伝送線路が、前記中央凸部の周囲に
   巻回されて前記磁路形成部内に配置されたことを特徴と
   する請求項３記載の変成器。
6. 【請求項６】 前記コアはＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ
   −Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から選ば
   れた１種又は２種以上からなるものであることを特徴と
   する請求項１ないし５のいずれかに記載の変成器。
7. 【請求項７】 前記コアの１００ｋＨｚにおける実効透
   磁率μが１０〜２００００であり、実効誘電率εが１０
   〜５０００であることを特徴とする請求項１ないし６の
   いずれかに記載の変成器。