JP2000252140A - 変成器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄型化、小型化しても、昇圧比が高く、高変
換効率であり、しかも構造の簡略化が可能な変成器の提
供。 【解決手段】 一対の磁性材料層５，５間に伝送線路４
１が挟持され、一対の磁性材料層５，５の外周に磁性材
料からなるヨーク４０，４０が形成され、該ヨーク４
０，４０により一対の磁性材料層５，５が連結された変
成器。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のバ
ックライト用インバータ等に好適に用いることができる
変成器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置のバックライト用
インバータには、昇圧トランスが備えられていることが
知られている。このような用途に用いられる昇圧トラン
スとしては、従来から巻線トランスが使用されている。
この巻線トランスは、バラスト・コンデンサを介して冷
陰極管に接続されている。この冷陰極管には、水銀が封
入されており、高い電圧が印加されることで発生した電
子が上記水銀に衝突し、紫外線を発生し、この紫外線が
管の内側に塗布された蛍光体を励起発光させ可視光に変
換されるようになっている。このような冷陰極管は、始
動時には電子を発生させるため高い電圧を印加する必要
があるが、しかし、一度放電を開始してしまえば、放電
を維持する電圧は始動電圧の１／３程度で済む。このと
き冷陰極管には５〜６ｍＡ程度の電流を流すだけで十分
であり、大電流は必要ない。従って、このような用途に
用いられる昇圧トランスに望まれる特性としては、冷陰
極管の放電開始時に出力電圧を一瞬上昇させることがで
き、定常時には放電維持電圧まで低下できることであ
る。

【０００３】ところで、近年、液晶表示装置に対する小
型軽量化ならびに高性能化の要求はさらに高まってお
り、このような要求を満足するために、上記バックライ
ト用インバータの小型化、薄型化、高変換効率化が強く
要望されるようになってきている。しかしながら従来の
インバータにおいては、巻線トランスを使って薄型化を
実現しようとすると、変換効率が低下してしまうという
問題があった。この理由は、巻線トランスを薄くするた
めにコアの形状を扁平にすると、結果として巻線が長く
なって直流抵抗が増えてしまうためである。また、巻線
トランスを使用する場合は、設置面積が大きくなってし
まい、小型化に制約があった。

【０００４】そこで、巻線トランスに代えて平板状のセ
ラミック素子からなる圧電トランスを備えたバックライ
ト用インバータが考えられている。この圧電トランス
は、高変換効率を維持したまま薄型化が可能であるが、
昇圧比が不足するため、巻線トランスを補助トランスと
して使用する場合があり、薄型化に制約があった。ま
た、圧電トランスの昇圧比や共振周波数は、上記素子の
形状や電気機械結合係数によって決まるため、素子の大
きさを小さくすると、共振周波数が高周波側にシフト
し、昇圧比も小さくなってしまうため、上記素子の大き
さをあまり小さくすることができず、巻線トランスと同
様に設置面積が大きくなってしまい、インバータの小型
化に制約があった。また、圧電トランスにおいて、高昇
圧比と高変換効率を両立させるためには、積層構造にし
たり、長辺が２０〜３０ｍｍの長方形状にする必要があ
り、構造が比較的複雑となってしまう。

【０００５】一方、インピーダンス変換作用を応用した
変成器としては、これまでに放電灯の点灯装置用に分布
定数線路として高周波同軸ケーブルを使用し、該高周波
同軸ケーブルを電圧変換器として使用した例が報告され
ている。この同軸ケーブルの絶縁体としては、使用周波
数にもよるが、通常、ポリエチレン（ε＝２．３）かテ
フロン（ε＝２．１）が使用されている。しかしながら
従来の変成器においては、同軸ケーブルの絶縁体の誘電
率が低く、例えば、１ＭＨｚで使用するためには同軸ケ
ーブルの長さを約４９ｍにする必要があり、特に、液晶
表示装置のバックライト用インバータとして用いる場合
に、６０ｋＨｚ程度で使用するためには同軸ケーブルの
長さを約８８４ｍにする必要があり、小型化が困難であ
った。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、薄型化、小型化しても、昇圧
比が高く、高変換効率であり、しかも構造の簡略化が可
能な変成器の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく、種々の検討及び実験を重ねた結果、一対の
磁性材料層間に伝送線路を挟持することにより、薄型
化、小型化しても、昇圧比が高く、高変換効率であり、
しかも構造の簡略化が可能な変成器を提供できることを
究明した。本発明では、このように一対の磁性材料層間
に伝送線路を挟持したタイプの変成器を内部導体ライン
型の変成器という。

【０００８】ところで上記のような構成の内部導体ライ
ン型の変成器においては、巻線トランス等の補助トラン
スを使用しなくても、高昇圧比と高変換効率を両立でき
るので、補助トランスを用いる圧電トランスに比べて、
薄型化が可能であるが、より変換効率が高い変成器が要
望された場合には、上記のような構成の内部導体ライン
型の変成器では磁性材料層の端部において渡り磁束成分
が大きく、しかも磁性材料層の端部の近傍（外側近傍）
に位置する伝送線路は構造上ライン長が長いため、伝送
線路に交流電流を印加したときに、磁性材料層の端部の
近傍の伝送線路に磁束が鎖交して交流抵抗が増加し、こ
れにより銅損が大きくなり、変換効率が低下してしまう
ため、変換効率の向上の障害となっていることがわかっ
た。

【０００９】さらに、本願発明者は、種々の検討及び実
験を重ねた結果、上記一対の磁性材料層の周囲に磁性材
料からなるヨークを形成し、該ヨークにより上記一対の
磁性材料層を連結することにより、上記磁性材料層の端
部の近傍の伝送線路に磁束が鎖交するのを防止できるこ
とを究明し、本発明を完成したのである。すなわち、本
発明は、一対の磁性材料層間に伝送線路が挟持され、上
記一対の磁性材料層の外周に磁性材料からなるヨークが
形成され、該ヨークにより上記一対の磁性材料層が連結
された変成器を上記課題の解決手段とした。本発明に係
わる変成器において、上記伝送線路は、スパイラル型で
あってもミアンダ型であってもよい。本発明に係わる変
成器において、上記ヨークは、一対の磁性材料層の外周
に対向して設けられた一対のヨークあるいは一対の磁性
材料層の外周の全周に設けられたものであってもよい
が、上記磁性材料層の端部の近傍の伝送線路に鎖交する
磁束の防止効果が優れる点で一対の磁性材料層の外周の
全周に亘って設けられていることが好ましい。また、本
発明に係わる変成器において、上記一対の磁性材料層の
外側には、接地導体が形成されていてもよい。

【００１０】ところが、上記の構成の内部導体ライン型
の変成器において、上記一対の磁性材料層の外周に磁性
材料からなるヨークを形成し、該ヨークにより上記一対
の磁性材料層を連結して、閉磁路構造とすることで、一
対の磁性材料層の端部の近傍（外側近傍）の渡り磁束は
低減できるが、一対の磁性材料層間の中心部近傍（内
側）の渡り磁束はあまり低減できないため、さらに変換
効率が優れた変成器を実現するには、損失低減効果にお
いて不満があった。そして、本発明者らは、さらに変換
効率が優れた変成器を提供するために、実験および検討
を重ねた結果、一対の磁性材料層間に伝送線路が挟持さ
れ、上記一対の磁性材料層の外周に磁性材料からなるヨ
ークが形成され、該ヨークにより上記一対の磁性材料層
が連結された変成器において、上記磁性材料層として対
向面の形状が方形もしくは円形で、かつ長辺の長さは短
辺の長さの３倍以下であるものを用い、上記伝送線路は
上記磁性材料層の対向面の輪郭に沿って形成されたもの
をものを用い、長辺が短辺の長さの３倍を超える磁性材
料層を用いる場合に比べて、上記磁性材料層の端部の近
傍、すなわち、渡り磁束成分の少ない領域に配置される
伝送線路長の比率が高くなり、一対の磁性材料層間の中
心部近傍、すなわち、渡り磁束成分が大きい領域に配置
される伝送線路長の比率が低くなるので、鎖交磁束の大
きい伝送線路の比率が低くなり、銅損が減り、変換効率
が優れた変成器の提供が可能である。

【００１１】本発明に係わる変成器は、上記の構成の変
成器において、上記磁性材料層の対向面の形状は、長方
形もしくは長円形のものであってもよい。ここでの長円
形には、楕円形が含まれ、その場合には、長辺は長軸で
あり、短辺は短軸である。また、本発明に係わる変成器
は、上記の構成の変成器において、上記磁性材料層の対
向面の形状は、正方形もしくは真円形のものであっても
よい。本発明の変成器においては、上記磁性材料層の対
向面の形状が正方形または真円形に近いものを用いる
程、すなわち、長辺が短辺の１倍に近くなる程、上記磁
性材料層の端部の近傍、すなわち、渡り磁束成分の少な
い領域に配置される伝送線路長の比率が高くなり、一対
の磁性材料層間の中心部近傍、すなわち、渡り磁束成分
が大きい領域に配置される伝送線路長の比率が低くなる
ので、鎖交磁束の大きい伝送線路の比率が低くなり、銅
損が減り、変換効率が優れた変成器の提供が可能であ
る。さらに、本発明の係わる変成器は、上記の構成の変
成器において、上記伝送線路は、上記一対の磁性材料層
間の中心部近傍では疎に形成され、上記磁性材料層の端
部の近傍は密に形成されているものであってもよい。か
かる構成の変成器によれば、上記磁性材料層の端部の近
傍、すなわち、渡り磁束成分の少ない領域に大部分の伝
送線路が配置され、一対の磁性材料層間の中心部近傍、
すなわち、渡り磁束成分が存在する領域には伝送線路が
殆ど配置されていないので、伝送線路に鎖交する磁束が
殆どなく、銅損が減り、変換効率が優れた変成器の提供
が可能である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の変成器の一実施形
態について説明する。なお、以下に述べる実施の形態で
は、本発明の変成器が液晶表示装置のバックライト用イ
ンバータに適用された場合について述べる。図１は、本
発明の第一の実施形態の変成器の概略構成を示す図であ
り、図２はこの第一の実施形態の変成器の要部を示す平
面図である。この第一の実施形態の変成器は、電圧変換
部２と、負荷装置としての冷陰極管２０から概略構成さ
れてなるものである。

【００１３】電圧変換部２は、対向する一対のコア部
４，４間にスパイラル型の伝送線路４１が挟持され、さ
らに一対のコア部４，４の外周に一対のヨーク４０，４
０が形成され、一対のコア部４，４の外側に接地導体４
２，４２が形成されてなるものである。各コア部４は、
磁性材料層５の一方の面５ａにポリイミド等からなる第
一の絶縁層６が設けられ、他方の面５ｂにポリイミド等
からなる第二の絶縁層７が設けられてなる板状のもので
ある。各磁性材料層５をなす材料としては、誘電性と磁
性を有するＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライ
ト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から選ばれた１種又は２
種以上からなるものを用いることが、磁性材料層の寸法
を短くでき、変成器の小型化が可能である点で好まし
い。

【００１４】各磁性材料層５は、１００ｋＨｚにおける
実効透磁率μが１０〜２００００であることが好まし
く、また、各磁性材料層５は、実効誘電率εが１０〜５
０００であることが好ましい。波長短縮効果は、実効透
磁率μ、実効誘電率εが大きいほど大きくなるため変成
器を小型化できる。しかし、伝送線路の特性インピーダ
ンスは、実効透磁率μが大きいほど高くなるが、実効誘
電率εが大きくなると低くなるため、μとεには最適な
範囲が存在する。よって、本発明においては、波長短縮
効果を大きくし、かつ、特性インピーダンスを所定の値
にするには、μとεは上記の範囲であることが好まし
い。

【００１５】各磁性材料層５の対向面５ａの形状は、長
方形状であり、長辺が短辺の３倍以下であるものが用い
られ、好ましくは長辺の長さが短辺の長さの２倍以下の
ものが用いられる。なお、各磁性材料層５の対向面５ａ
の長辺が短辺の１倍であるときの対向面５ａの形状は、
正方形状である。上述のような構成の二つのコア部４，
４は、第一の絶縁層６，６が対向するように配置され、
さらにコア部４，４の対向面４ａ，４ａの間に伝送線路
４１が設けられており、すなわち伝送線路４１は、一対
の磁性材料層５，５間に第一の絶縁層６，６を介して設
けられている。

【００１６】伝送線路４１は、導体からなるものであ
る。このような伝送線路４１を形成する方法としては、
例えば、一般的な被覆銅線を用い、この被覆導線を磁性
材料層５の輪郭に沿って折り曲げて長方形スパイラル型
コイルを形成し、これを一方のコア部４の対向面４ａに
接着する方法や、一方のコア部４の対向面４ａ上にメッ
キまたはスパッタにより磁性材料層５の輪郭に沿った形
状となるように長方形スパイラル型の導体を形成するな
どの方法により形成することができる。なお、磁性材料
層５の対向面５ａの形状が、正方形状である場合の伝送
線路４１の形状は、正方形スパイラル型であることが好
ましい。

【００１７】一対のヨーク４０，４０は、磁性材料から
なるもので、一対の磁性材料層５，５の長辺の外側に対
向して設けられ、これらヨーク４０，４０により一方の
磁性材料層５と他方の磁性材料層５が連結されている。
各ヨーク４０をなす磁性材料としては、磁性材料層５に
用いたものと同様の磁性材料を用いるのが好ましい。こ
のような一対のヨーク４０，４０は、一対の磁性材料層
５，５と一体成形されているのが好ましいが、一対の磁
性材料層５，５に接着剤を用いて接着されていてもよ
い。接地導体４２，４２は、コイル状のものであっても
膜状のものであってもよい。

【００１８】上述のような伝送線路４１の出力側（受端
側）の端子４１ａには、冷陰極管２０が接続されてお
り、入力側（送端側）の端子４１ｂには、交流電源（図
示略）と接続されたスイッチ回路３５が接続されてい
る。また、一方の接地導体（下側接地導体）４２の出力
側の端子には、冷陰極管２０が接続されており、入力側
の端子には、上記交流電源と接続されたスイッチ回路３
５が接続されている。また、一方の接地導体（下側接地
導体）４２と他方の接地導体（上側接地導体）４２は、
電位を同じにするために接続用導体４３により電気的に
接続されている。

【００１９】伝送線路４１と接地導体４２，４２の各線
路長Ｌは、これら導体に印加する交流電圧の周波数（動
作周波数）の１／４波長にほぼ等しいことが好ましい。
伝送線路４１と接地導体４２，４２の各線路長Ｌが、印
加する交流電圧の周波数（動作周波数）の１／４波長と
ほぼ等しくないと、電圧変換部２の固有インピーダンス
より大きなインピーダンスを有する冷陰極管２０が接続
された場合に、インピーダンス変換ならびに電圧変換が
行われず、好ましくない。

【００２０】冷陰極管２０としては、上述のような構成
の電圧変換部２の固有インピーダンスと異なるインピー
ダンスを有するものを用いるのが、負荷の両端に電圧変
換部２の固有のインピーダンスとの比に応じた倍率で入
力電圧と異なる電圧が加わる点で好ましい。さらに、こ
の冷陰極管２０は、電圧変換部２の固有インピーダンス
より大きなインピーダンスを有するものを用いるのが、
負荷の両端に電圧変換部２の固有のインピーダンスとの
比に応じた倍率で入力電圧より高い電圧が加わる点でよ
り好ましい。

【００２１】この第一の実施形態の変成器では、外周に
対向する一対のヨーク４０，４０が形成された一対の磁
性材料層５，５間に介在された伝送線路４１に流れる電
流により発生する磁束の方向が、図１中の符号Ｉ_a，Ｉ_b
で示される矢印の向きとなっている。

【００２２】上述のような構成の第一の実施形態の変成
器では、寄生容量（分布定数）を回路定数に取り込み、
一対の磁性材料層５，５と、伝送線路４１と接地導体４
２，４２を使った図３に示すような分布定数回路が構成
されている。 図３中、符号Ｖ₁は入力電圧、Ｖ₂は受端
電圧、Ｉ₁は入力電流、Ｉ₂は受端電流、Ｚ₁は入力側か
ら見たインピーダンス、Ｚ₂は出力側から見たインピー
ダンス、Ｚ₀は伝送線路４１と接地導体４２，４２から
構成される線路ａの固有のインピーダンス、Ｌは線路ａ
の線路長である。図３に示す分布定数回路は、下記式
（１）で表される。

【００２３】

【数１】

【００２４】上記式中、Ｖ₁は入力電圧、Ｖ₂は受端電
圧、Ｉ₁は入力電流、Ｉ₂は受端電流、Ｚ₁は入力側から
見たインピーダンス、Ｚ₂は出力側から見たインピーダ
ンス、Ｚ₀は伝送線路ａの固有のインピーダンス、Ｌは
線路ａの線路長、 βは線路ａの伝搬定数（β＝２πｆ
／ｖ＝２π／λ・・・（１−ａ）式）である。（１−
ａ）式でのｖは伝搬速度（＝ｆλ）、λは伝搬波長であ
る。

【００２５】本実施形態においては、伝送線路４１と接
地導体４２，４２の各線路長Ｌは、動作周波数のλ／４
であるので、 βＬ＝（２π／λ）×（λ／４）＝π／２ となる。よって、式（１）は、下記式（４）で表せる。

【００２６】

【数２】

【００２７】上記式（４）を変形し、入力側から見たイ
ンピーダンスＺ₁を求めると、 Ｚ₁＝Ｖ₁／Ｉ₁＝（ｊＺ₀・Ｉ₂）／（（ｊ／Ｚ₀）・Ｖ₂） ・・・（５） ここでＶ₂＝Ｚ₂・Ｉ₂であるので、 Ｚ₁＝Ｚ₀／（Ｚ₂／Ｚ₀）＝Ｚ₀ ²／Ｚ₂ ・・・式（６） これは、伝搬波長／４＝線路長である場合においては、
固有のインピーダンス５０オームの線路の出力側の端子
に１００オームのインピーダンスを接続した場合、入力
側から見ると２５オームに見えることを示しており、
受電端に接続されたインピーダンスＺ₂は、送電端から
はＺ₁に変換されて見える。よって、インピーダンス変
換がされることになる。

【００２８】また、上記式（４）から 以上のことから、電圧は他端の電流に比例し、電流は
他端の電圧に比例することがわかる。各線路長Ｌが伝搬
波長／４のときにおいてのみ、上記並びにの関係が
成り立ち電圧変換が行われる。このように線路ａの固有
のインピーダンスと、負荷抵抗（負荷装置の抵抗）の比
率で昇圧比が決まるので、第一の実施形態の変成器は、
高電圧が必要な始動時に高抵抗、点灯時に抵抗が下がる
冷陰極管のインピーダンス特性に適している。

【００２９】次に、第一の実施形態の変成器の動作につ
いて、上記式（６）、式（７）及び図４を用いて説明す
る。図４は、第一の実施形態の変成器の伝送線路の昇圧
作用を説明するためのグラフである。図４のグラフにお
いて、横軸は出力側から見たインピーダンス（負荷イン
ピーダンス）Ｚ₂と線路ａの固有のインピーダンスＺ₀の
比を表している。ここで、入力電圧Ｖ₁が定電圧である
とする。負荷インピーダンスＺ₂が線路ａの固有のイン
ピーダンスＺ₀に等しい場合（Ｚ ₂／Ｚ₀＝１）は、線路
ａは整合状態となっており、図中Ａ点に示されているよ
うに送端と受端の電圧が等しいのが明らかである。Ｚ₂
＞Ｚ₀なる負荷を接続した場合（Ｚ₂／Ｚ₀＞１）は、上
記式（６）よりＺ₁＜Ｚ₀となって入力電流Ｉ₁が増え
る。また、上記式（７）から、受端電圧Ｖ₂は入力電圧
Ｉ₁に比例するので、図中Ｂ点に示されているように同
じく増える。Ｚ₂＞Ｚ₀の領域では、Ｖ₂はＶ₁より大きく
なっており昇圧されていることになる。よって、各線路
長Ｌが動作周波数の１／４波長の線路ａの負荷として、
該線路ａの固有のインピーダンスより大きな負荷を接続
すると、その負荷の両端には線路ａの固有のインピーダ
ンスとの比に応じた倍率で入力電圧より高い電圧が加わ
る。

【００３０】次に、第一の実施形態の変成器において、
上述のような磁性材料層５を用いることにより、波長を
短縮でき、変成器を小型化できる理由について説明す
る。自由空間における波長は下記式（８）で表される。 λ＝ｖ／ｆ ・・・（８） 電圧変換部２の電界が発生する部分の誘電率・透磁率が
大きいと、進行波の伝搬速度ｖが遅くなる。この伝搬速
度ｖは、下記式（９）で示される。 ｖ［ｍ／ｓ］＝３×１０⁸×（ε^1/2・μ^1/2）^-1 ・・・（９） よって、その場合の波長は下記式（１０）で示される。 λ＝（ｖ／ｆ）・（ε^1/2・μ^1/2）^-1 ・・・（１０） 上記（１０）式から明らかなように誘電率、透磁率の値
に応じて波長短縮が生じ、すなわち、誘電率、透磁率が
大きくなるとこれに応じて波長も短くなっており、よっ
て、磁性材料層５を誘電率、透磁率が大きい材料から構
成することにより、波長を短縮でき、磁性材料層寸法も
短くでき、変成器の小型化が可能である。

【００３１】従って、第一の実施形態の変成器にあって
は、一対の磁性材料層５，５間にスパイラル型の伝送線
路４１が挟持され、さらに一対の磁性材料層５，５の外
側に接地導体４２，４２が形成されてなる電圧変換部２
と、電圧変換部２の固有インピーダンスと異なるインピ
ーダンスを有する冷陰極管（負荷装置）２０が具備され
たことにより、波長を短縮でき、これによって磁性材料
層寸法を短くできるので、設置面積も小さくて済み、高
昇圧比及び高変換効率を維持したうえで変成器の小型化
が可能である。また、巻線トランス等の補助トランスを
使用しなくても、高昇圧比と高変換効率を両立できるの
で、補助トランスを用いる圧電トランスに比べて、薄型
化が可能である。また、一対の磁性材料層５，５間に伝
送線路４１を設け、これら一対の磁性材料層５，５の外
側に接地導体４２，４２を設けるだけで、高昇圧比と高
変換効率を両立させることができ、構造の簡略化が可能
である。また、伝送線路４１は、磁性材料層５の対向面
ａ上にメッキまたはスパッタなどの方法により形成する
ことができるので、厚みの薄い導体を形成でき、薄型の
変成器の提供が可能である。

【００３２】さらに、第一の実施形態の変成器にあって
は、一対の磁性材料層５，５の外周に磁性材料からなる
ヨーク４０，４０を形成し、該ヨーク４０，４０により
上記一対の磁性材料層５，５を連結して閉磁路構造とす
ることで、磁性材料層５の端部７３の近傍（外側近傍）
の渡り磁束は低減でき、磁性材料層５の端部７３の近傍
の伝送線路４１に磁束が鎖交するのを防止でき、銅損が
減り、より高変換効率の変成器を提供できる。また、第
一の実施形態の変成器にあっては、磁性材料層５として
対向面５ａの形状が長方形状で、かつ長辺は短辺の３倍
以下であるものを用い、伝送線路４１として磁性材料層
５の対向面５ａの輪郭に沿って形成された長方形スパイ
ラル型のものを用いたことにより、磁性材料層５の端部
７３の近傍、すなわち、渡り磁束成分の少ない領域に配
置される伝送線路長の比率が高くなり、一対の磁性材料
層５，５間の中心部７２近傍、すなわち、渡り磁束成分
が多い領域に配置される伝送線路長の比率が低くなるの
で、鎖交磁束が多い伝送線路の比率が低くなり、銅損が
減り、さらに変換効率が優れた変成器の提供が可能であ
る。

【００３３】本実施形態の変成器においては、一対の磁
性材料層５，５をなす材料として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの
群から選ばれた１種又は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、希土類元素の群から選ばれた１種又は２種以
上の元素Ｍと、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又
は２種以上の元素Ｄを含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂
からなるものを用いるのが、一対の磁性材料層５，５の
透磁率及び誘電率を大きくでき、波長短縮効果が十分と
なり、変成器を小型化できる点で好ましい。

【００３４】上記軟磁性合金粉末としては、例えば、以
下の組成式で示されるものが好適に用いられる。 Ｔ_aＭ_bＤ_c （上記組成式中、ＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの群から選ばれ
た１種または２種以上の元素を表し、ＭはＨｆ，Ｚｒ，
Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｂ
ｉ，希土類元素の群から選ばれた１種または２種以上の
元素を表し、ＤはＯ，Ｃ，Ｎ，Ｂの群から選ばれた１種
または２種以上の元素を表す。また、組成式中、組成比
を示すａ，ｂ，ｃは、原子％で、４０≦ａ＜８７、０＜
ｂ≦２０、０＜ｃ≦５０なる関係を満足するものであ
る。）

【００３５】上記合成樹脂としては、誘電損失が小さい
材料（即ちＱの大きい材料でＱが４００以上のもの）が
用いられ、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポ
リスチレン、パラフィン、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂等が挙げられ
る。

【００３６】上述のような軟磁性合金粉末と合成樹脂か
らなる各磁性材料層５は、例えば、以下のようにして製
造することができる。まず、組成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示さ
れる軟磁性合金粉末の組成になるように各原料を秤量す
る。ここでの原料は、Ｔの粉末、Ｍの粉末が用いられ
る。Ｔの粉末としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの群から選ば
れた少なくとも一種の元素の単体，酸化物，炭化物，炭
酸塩，窒素化物，ホウ化物のうちから選ばれた粉末が用
いられる。Ｍの粉末としては、Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｚ
ｎ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｂｉ，希土
類元素の群から選ばれた少なくとも１種の元素の単体，
酸化物，炭化物，炭酸塩，窒素化物，ホウ化物のうちか
ら選ばれた粉末が用いられる。上記希土類元素として
は、周期表の３Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタ
ノイドの群から選ばれる少なくとも１種の元素またはそ
れらの混合物が挙げられる。この際、Ｔの粉末は粒径が
１００μｍ以下、Ｍの粉末は粒径が２μｍ以下のものが
望ましい。

【００３７】次いで、Ｄのうち、Ｏ，Ｃ，Ｎを添加する
場合は、上述のＴの粉末とＭの粉末とをステンレス鋼製
ポット中に、ポットと同材質のステンレス球と共に封入
し、Ｏ，Ｃ，Ｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素
の単体ガス，酸化物ガス，炭化物ガスのうちから選ばれ
たＤのガスを充満させる。そして、高エネルギ型遊星式
ボールミルを用いて所定時間、粉砕、攪拌するメカニカ
ルアロイングにより、組成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示される軟
磁性合金粉末が得られる。メカニカルアロイングの時間
は、２時間以上とするのが、ｂｃｃ構造もしくはｆｃｃ
構造、または、これらが混在したＴの結晶の微細化を十
分にできる点で好ましい。ここで得られた軟磁性合金粉
末は、平均結晶粒径が数ｎｍ〜数１０ｎｍオーダーのｂ
ｃｃ構造のＴの微結晶相が、Ｍ，Ｄを多量に含む非晶質
相で取り囲まれたような構造を有する平均粒径が１〜２
μｍ程度の凝集粒子となる。この軟磁性合金粉末は、凝
集粒子を構成するｂｃｃ構造もしくはｆｃｃ構造、また
は、これらが混在したＴの微結晶の平均粒径が微細であ
るため、優れた軟磁気特性を示し、また、ｂｃｃ構造も
しくはｆｃｃ構造、またはこれらが混在したＴの微結晶
が、高抵抗の非晶質相によって取り囲まれているため、
渦電流損失を小さく押えることができるという特徴があ
る。

【００３８】次に、得られた軟磁性合金粉末を有機溶剤
を溶媒とする合成樹脂液に分散してスラリーを得た後、
このスラリーを３本ロールに繰り返し通して該スラリー
が粉末状になるまで混練し混練物を得る。この合成樹脂
を溶解させる有機溶剤としては、キシレン、トルエン、
ベンゼン等が挙げられる。合成樹脂への軟磁性合金粉末
の添加割合は、目的とする磁性材料層の磁性と誘電性に
よって適宜変更可能であるが、スラリー中の体積割合で
５０〜８０vol％程度となるように添加するのが好まし
い。軟磁性合金粉末の体積割合が５０ｖｏｌ％未満であ
ると、透磁率が低くなるという不都合が生じる恐れがあ
り、一方、８０ｖｏｌ％を超えると射出成形等により成
形するのが困難になるという不都合が生じる恐れがあ
る。

【００３９】上記軟磁性合金粉末は合成樹脂液に分散、
混練する前に、空気，酸素，窒素，水蒸気のうちから選
択される雰囲気中またはこれらの混合雰囲気中で熱処理
を行うことが望ましい。ここでの加熱温度は、２５℃〜
３００℃程度、加熱時間は、０.５時間〜４８時間程度
が好ましい。このようにすると、上記軟磁性合金粉末の
表面に酸化物からなる絶縁層が形成されるので、軟磁性
合金粉末の固有抵抗が上がり、高周波での誘電率をより
低くすることができる。なお、ここでの絶縁層は、酸化
膜に限らず、他の絶縁膜を用いて形成してもよい。

【００４０】ついで、上記混練物を乾燥器等に入れて加
熱することにより有機溶剤を蒸発させたのち、プレス成
形機、射出成形機、押出装置等を用いて所望の形状に成
形して成形体を作製する。この後、この成形体を１５０
〜４００℃程度、１時間程度加熱することにより、目的
とする磁性と誘電性とを有する磁性材料層５が得られ
る。また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなる磁性材料
層５は、Ｔの粉末とＭの粉末とを混合後、Ｄのガス雰囲
気中で粉砕、攪拌するのに代えて、Ｔの粉末と、Ｍの粉
末と、Ｄの粉末とを混合後、不活性ガス雰囲気中、ある
いはＯ，Ｃ，Ｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素
の単体ガス，酸化物ガス，炭化物ガスのうちから選ばれ
たＤのガス雰囲気中で粉砕、攪拌する以外は先に述べた
製造例と同様にして製造することもできる。上記Ｄの粉
末としては、カーボンとＢのうちから選ばれた少なくと
も一種または混合物が用いられる。また、この例では、
上記Ｔの粉末とＭの粉末とＤの粉末の粉砕、攪拌をＤの
ガス雰囲気下、またはＡｒガス等の不活性ガス雰囲気
下、あるいは上記ＤのガスとＡｒガス等の不活性ガスと
の混合ガス雰囲気下で行なわれ、上記混合ガス雰囲気下
で行う場合には材料中の酸素，炭素，窒素量を調整する
ことができる。

【００４１】また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなる
磁性材料層５は、Ｔの粉末とＭの粉末に代えて液体急冷
法により得られたＴ−Ｍ合金薄帯の粉砕物粉末を用いる
以外は、先に述べた製造例と同様にして製造することも
できる。また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなる磁性
材料層５は、Ｔの粉末とＭの粉末と、Ｄの粉末および／
またはＤのガスに加えて液体急冷法により得られたＴ−
Ｍ合金薄帯の粉砕物粉末も用いる以外は、先に述べた製
造例と同様にして製造することもできる。

【００４２】誘電損失が小さい合成樹脂と、組成式がＴ
_aＭ_bＤ_cで示される軟磁性合金粉末から磁性材料層５を
構成することにより、磁性材料層５の固有抵抗が１０⁸
Ω・ｃｍ以上となるうえ、合成樹脂が有する絶縁体（誘
電体）としての誘電特性と、軟磁性合金粉末が有する軟
磁気特性とを合わせ持つことができる。上述のような組
成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示される軟磁性合金粉末と合成樹脂
から構成した一対の磁性材料５，５は、透磁率および誘
電率が十分大きく、従って、このような一対の磁性材料
層５，５間に、導体からなり、スパイラル型の伝送線路
４１が挟持され、一対の磁性材料層５，５の外側に接地
導体４２，４２が形成されてなる電圧変換部２を具備す
る変成器にあっては、特に、波長短縮効果が十分であ
り、磁性材料層寸法を短くでき、変成器の小型化が可能
である。

【００４３】次に、本発明の変成器の第二の実施形態に
ついて説明する。図５は、第二の実施形態の変成器の要
部を示す平面図である。第二の実施形態の変成器が、図
１及び図２に示した第一の実施形態の変成器と異なると
ころは、一対のコア部４，４間にスパイラル型の伝送線
路が挟まれているのに代えて、図５に示すようなミアン
ダ型の伝送線路５１が挟まれている点である。なお、図
５中の符号５１ａは、伝送線路５１の出力側（受端側）
の端子であり、この出力側の端子５１ａには冷陰極管２
０が接続されている。また、符号５１ｂは、伝送線路５
１の入力側（送端側）の端子５１ｂであり、この入力側
の端子５１ｂには交流電源（図示略）と接続されたスイ
ッチ回路３５が接続されている。

【００４４】第二の実施形態の変成器によれば、一対の
磁性材料層５，５間にミアンダ型の伝送線路５１が挟持
されたことにより、波長を短縮でき、これによって磁性
材料層寸法を短くできるので、設置面積も小さくて済
み、高昇圧比及び高変換効率を維持したうえで変成器の
小型化が可能である。また、巻線トランス等の補助トラ
ンスを使用しなくても、高昇圧比と高変換効率を両立で
きるので、補助トランスを用いる圧電トランスに比べ
て、薄型化が可能である。また、一対の磁性材料層５，
５間に伝送線路５１を設け、これら一対の磁性材料層
５，５の外側に接地導体４２，４２を設けるだけで、高
昇圧比と高変換効率を両立させることができ、構造の簡
略化が可能である。また、伝送線路５１は、磁性材料層
５の対向面ａ上にメッキまたはスパッタなどの方法によ
り形成することができるので、厚みの薄い導体を形成で
き、薄型の変成器の提供が可能である。

【００４５】さらに、第二の実施形態の変成器にあって
は、一対の磁性材料層５，５の外周に磁性材料からなる
ヨーク４０，４０を形成し、該ヨーク４０，４０により
上記一対の磁性材料層５，５を連結して閉磁路構造とす
ることで、磁性材料層５の端部７３の近傍（外側近傍）
の渡り磁束は低減でき、磁性材料層５の端部７３の近傍
の伝送線路５１に磁束が鎖交するのを防止でき、銅損が
減り、より高変換効率の変成器を提供できる。

【００４６】また、本発明の変成器は図６乃至図７に示
すような構造のものであってもよい。図６は、本発明の
変成器の第三の実施形態の概略構成を示す図であり、図
７は第三の実施形態の変成器の要部を示す平面図であ
る。この第三の実施形態の変成器が、図１乃至図２に示
した第一の実施形態の変成器と異なる点は、一対のコア
部４，４を構成する各コア部４の対向面４ａの形状が正
方形状であり、一対のコア部４，４間に挟まれる正方形
スパイラル型の伝送線路７１が一対の磁性材料層５，５
間の中心部７２付近では疎に形成され、磁性材料層５の
端部７３近傍は密に形成されている。この第三の実施形
態では、各コア部４の対向面４ａの形状が正方形状であ
るので、各磁性材料層５の対向面５ａの形状も正方形状
となっている。

【００４７】第三の実施形態の変成器によれば、特に、
各磁性材料層５の対向面５ａの形状が正方形状であり、
かつ一対の磁性材料層５，５間に挟持される伝送線路７
１が正方形スパイラル型であり、かつこの伝送線路７１
は一対の磁性材料層５，５間の中心部７２近傍では疎に
形成され、磁性材料層５の端部７３の近傍は密に形成さ
れたことにより、磁性材料層５の端部７３の近傍、すな
わち、渡り磁束成分の少ない領域に相対的に多くの伝送
線路７１が配置され、一対の磁性材料層５，５間の中心
部７２近傍、すなわち、渡り磁束成分が多い領域に配置
される伝送線路は相対的に少ないため、銅損が減り、変
換効率が優れた変成器の提供が可能である。

【００４８】

【実施例】以下、本発明を、実施例および比較例によ
り、具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみ
に限定されるものではない。 （実験例１）電圧変換部２の各磁性材料層５の長辺の長
さＦ₁、短辺の長さＦ₂、最外周部の伝送線路４１のうち
磁性材料層５の長辺に沿った部分の長さＣ₁、磁性材料
層５の短辺に沿った部分の長さＣ₂を表１に示す範囲で
変更した以外は図６乃至図７に示した第三の実施形態の
変成器と同様の変成器（サンプルＮｏ.１〜８）を作製
した。

【００４９】ここで作製した変成器の電圧変換部２のＭ
ｎ−Ｚｎフェライトからなる各磁性材料層５の厚みは７
００μｍ、透磁率は、μ’（透磁率の実数部）は１５０
０、μ''（透磁率の虚数部）は２０、誘電率（ε_F）は
１．０×１０⁵、比抵抗（ρ）は３．０Ωｍ、一対の磁
性材料層５，５間のギャップ５６μｍ、各コア４のポリ
イミドからなる第一の絶縁層６の厚みは３μｍ、ポリイ
ミドからなる第二の絶縁層７の厚み３００μｍ、各第一
の絶縁層６および各第二の絶縁層７の誘電率は４、図７
のＡ−Ａ線に沿った方向の各ヨーク４０の幅は１ｍｍ、
スパイラル型の伝送線路７１の線路長Ｌは印加する電圧
の周波数の１／４波長にほぼ等しく、厚みは５０μｍ、
幅は５０μｍ、ターン数は３５、図７のＡ−Ａ線に沿っ
た方向（磁性材料層の短辺と平行な方向）の伝送線路７
１間のスペースは５０μｍ、伝送線路７１の中心部の幅
Ｗは５ｍｍ、接地導体４２，４２の厚みはそれぞれ５０
μｍであった。

【００５０】ここで作製した変成器の電圧変換部のトラ
ンス負荷特性を測定した。ここでの測定には、インピー
ダンスアナライザＨＰ４１９４Ａ（商品名；日本ヒュー
レットパッカード株式会社製）を用いてゲイン（Ｇｖ）
と変換効率（η）の測定を出力側の端子に接続する終端
抵抗を１００ｋΩ、７０ｋΩ、開放時（消灯状態）と変
化させて行った。測定周波数範囲は、０．０１〜１ＭＨ
ｚとした。終端抵抗には、炭素皮膜抵抗を用いた。測定
結果を表１にあわせて示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１中、∞は、消灯状態のときである。表
１に示した結果から磁性材料層５の対向面および伝送線
路４１の形状が正方形に近くなるにつれて、ゲイン（昇
圧比）が高くなっており、変換効率も高くなっており、
また、終端抵抗が大きくなるほど高いゲイン（昇圧比）
が得られていることがわかる。特に、磁性材料層５の対
向面の形状が正方形状であり、伝送線路７１の形状が正
方形スパイラル型であるサンプルＮｏ.８の変成器は、
最大ゲインが得られていることがわかる。これに対して
磁性材料層５の長辺の長さＦ₁が短辺の長さＦ₂の３倍を
超えるサンプルＮｏ.１の変成器は、ゲインならびに変
換効率は低いことがわかる。なお、伝送線路７１のター
ン数を４０と５０に変更したときのトランス負荷特性を
同様にして測定したところ、上記実験結果とほぼ同様の
結果が得られた。

【００５３】サンプルＮｏ.８の変成器に、１Ａの交流
電流を印加したときに伝送線路に鎖交する磁束の位置及
び大きさと、コアを通る磁束の位置及び大きさについて
調べた。その結果を図８、図９に示す。図８のグラフに
おいて、横軸は図７のＡ−Ａ線に沿った方向（磁性材料
層の短辺と平行な方向）の伝送線路の位置であり、縦軸
は伝送線路を鎖交する磁束の大きさである。図９のグラ
フにおいて、横軸は図７のＡ−Ａ線に沿った方向（磁性
材料層の短辺と平行な方向）の磁性材料層の位置であ
り、縦軸はコアを通る磁束の大きさである。

【００５４】また、比較のために一対のコア４，４の外
周に対向する一対のヨーク４０，４０を設けない以外は
サンプルＮｏ.８と同様の変成器（比較例１）を作製
し、この変成器に１Ａの交流電流を印加したときに伝送
線路に鎖交する磁束の位置及び大きさと、コアを通る磁
束の位置及び大きさについて調べた。その結果を図１
０、図１１に示す。図１０のグラフにおいて、横軸は図
７のＡ−Ａ線に沿った方向（磁性材料層の短辺と平行な
方向）の伝送線路の位置であり、縦軸は伝送線路を鎖交
する磁束の大きさである。図１１のグラフにおいて、横
軸は図７のＡ−Ａ線に沿った方向（磁性材料層の短辺と
平行な方向）の磁性材料層の位置であり、縦軸はコアを
通る磁束の大きさである。

【００５５】図８乃至図１１に示した結果から一対のコ
ア４，４の外周にヨーク４０，４０を設けていない比較
例１の変成器は、磁性材料層の両端部の近傍に位置する
伝送線路に鎖交する磁束が大きく、また、コアを通る磁
束は、磁性材料層の端部に近づく程、小さくなっている
ことがわかる。これに対して一対のコア４，４の外周に
ヨーク４０，４０を設けたサンプルＮｏ.８の変成器
（実施例）は、磁性材料層の両端部の近傍に位置する伝
送線路に鎖交する磁束が小さく、また、コアを通る磁束
は、磁性材料層の端部に近づく程、大きくなっているこ
とがわかる。これらのことからサンプルＮｏ.８の変成
器は、磁性材料層の端部の近傍、すなわち、渡り磁束成
分の少ない領域に配置される伝送線路長の比率が高く、
一対の磁性材料層間の中心部近傍、すなわち、渡り磁束
成分が多い領域に配置される伝送線路長の比率が低いた
め鎖交磁束の多い伝送線路の比率が低くなり、銅損が減
り、変換効率が優れたものであることがわかる。

【００５６】（実験例２）また、磁性材料層の実効誘電
率を７００００とした以外はサンプルＮｏ.８と同様の
サンプルＮｏ.９の変成器（実施例）を液晶表示装置の
バックライト用インバータとして使用する場合の必要な
線路長さを以下のようにして計算したところ、使用周波
数が６０ｋＨｚにおいて１２ｃｍであった。

【００５７】

【数３】

【００５８】このように実施例１の変成器では、磁性と
誘電性を有する磁性材料層の使用による波長短縮効果が
あるので、後述する同軸ケーブルを用いる比較例の変成
器に比べて線路長を大幅に短縮できることがわかる。

【００５９】また、比較のため高周波同軸ケーブルが電
圧変換器として備えられた従来の変成器（比較例２の変
成器）の線路長は、８８４ｍであった。比較例２の変成
器の線路長は、該変成器を液晶表示装置のバックライト
用インバータとして使用するときの使用周波数が６０ｋ
Ｈｚである場合の必要な長さを以下のように計算して設
定したものである。同軸ケーブルの絶縁体の実効誘電率
ε＝２であった。

【００６０】

【数４】

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の変成器によ
れば、一対の磁性材料層間に伝送線路が挟持されたこと
により、薄型化、小型化しても、昇圧比が高く、高変換
効率であり、しかも構造の簡略化が可能である。さら
に、本発明によれば、上記一対の磁性材料層の周囲に磁
性材料からなるヨークを形成し、該ヨークにより上記一
対の磁性材料層を連結したことにより、磁性材料層の端
部の近傍の渡り磁束を低減でき、上記磁性材料層の端部
の近傍の伝送線路に磁束が鎖交するのを防止でき、銅損
が減り、より高変換効率の変成器を提供できる。

【００６２】また、本発明の変成器において、上記磁性
材料層として対向面の形状が方形または円形で、かつ長
辺は短辺の３倍以下であるものを用い、上記伝送線路と
して磁性材料層の対向面の輪郭に沿って形成されたもの
を用いたものにあっては、磁性材料層の端部の近傍、す
なわち、渡り磁束成分の少ない領域に配置される伝送線
路長の比率が高くなり、一対の磁性材料層間の中心部近
傍、すなわち、渡り磁束成分が多い領域に配置される伝
送線路長の比率が低くなるので、鎖交磁束の多い伝送線
路の比率が低くなり、銅損が減り、さらに変換効率が優
れた変成器の提供が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一の実施形態の変成器の概略構成
を示す図である。

【図２】 図１の変成器の要部を示す平面図である。

【図３】 第一の実施形態の変成器の分布定数回路を説
明するための図である。

【図４】 第一の実施形態の変成器の伝送線路の昇圧作
用を説明するための図である。

【図５】 本発明の第二の実施形態の変成器の概略構成
を示す断面図である。

【図６】 本発明の第三の実施形態の変成器の概略構成
を示す断面図である。

【図７】 図６の変成器の要部を示す平面図である。

【図８】 一対のコアの外周に一対のヨークを設けた変
成器に交流電流を印加したときに伝送線路に鎖交する磁
束の位置及び大きさを調べた結果を示すグラフである。

【図９】 一対のコアの外周に一対のヨークを設けた変
成器に交流電流を印加したときにコアを通る磁束の位置
及び大きさについて調べた結果を示すグラフである。

【図１０】 一対のコアの外周に一対のヨークを設けて
いない変成器に交流電流を印加したときに伝送線路に鎖
交する磁束の位置及び大きさを調べた結果を示すグラフ
である。

【図１１】 一対のコアの外周に一対のヨークを設けて
いない変成器に交流電流を印加したときにコアを通る磁
束の位置及び大きさについて調べた結果を示すグラフで
ある。

【符号の説明】

２・・・電圧変換部、４・・・コア部、４ａ・・・対向面、５・・・
磁性材料層、２０・・・冷陰極管（負荷装置）、４０・・・ヨ
ーク、４１，５１，７１・・・伝送線路、４２・・・接地導
体、７２・・・中心部、７３・・・端部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 豊 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式 会社内 (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式 会社内 (72)発明者 佐藤 敏郎 長野県長野市若里186−１ グランドハイ ツ若里305号室 (72)発明者 山沢 清人 長野県長野市松代町城東90番地

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の磁性材料層間に伝送線路が挟持さ
   れ、前記一対の磁性材料層の外周に磁性材料からなるヨ
   ークが形成され、該ヨークにより前記一対の磁性材料層
   が連結されていることを特徴とする変成器。
2. 【請求項２】 前記伝送線路は、スパイラル型であるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の変成器。
3. 【請求項３】 前記磁性材料層の対向面の形状は、方形
   もしくは円形のものであり、長辺の長さは短辺の長さの
   ３倍以下であり、前記伝送線路は前記磁性材料層の対向
   面の輪郭に沿って形成されたものであることを特徴とす
   る請求項１又は２に記載の変成器。
4. 【請求項４】 前記磁性材料層の対向面の形状は、長方
   形もしくは長円形のものであることを特徴とする請求項
   ３記載の変成器。
5. 【請求項５】 前記磁性材料層の対向面の形状は、正方
   形もしくは真円形のものであることを特徴とする請求項
   ３記載の変成器。
6. 【請求項６】 前記伝送線路は、前記一対の磁性材料層
   間の中心部近傍では疎に形成され、前記磁性材料層の端
   部の近傍は密に形成されていることを特徴とする請求項
   １乃至５のいずれかに記載の変成器。