JP2000277359A - 放電灯点灯装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電力損失が低いと共に小型化が可能な放電灯
点灯装置を提供する。 【解決手段】 交流電圧を直流電圧に変換する整流平滑
回路２と、前記直流電圧を前記交流電圧より高い周波数
の高周波交流電圧に変換する高周波変換回路３と、少な
くとも伝送線路１０を有する分布定数回路２０を備えて
なり、前記高周波交流電圧を昇圧して放電灯５を点灯さ
せ、かつ放電灯５の点灯後に前記高周波交流電圧の電流
量を制御する伝送線路型トランス装置４とを具備してな
ることを特徴とする放電灯点灯装置１を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放電灯を点灯する
ために用いられる放電灯点灯装置に関するものであり、
特に、伝送線路を有する分布定数回路を備えた伝送線路
型トランスを具備してなる放電灯点灯装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】放電灯は、微量のガスが真空のガラス管
に封入されてなり、ガラス管に設けられた電極から放出
される電子と前記ガスとの相互作用により可視光を発光
させるもので、照明用の光源として広く用いられてい
る。

【０００３】放電灯は、点灯時には電子を発生させるた
めに高電圧を印加する必要があるが、点灯後において
は、比較的低い電圧で放電を維持できる。また、放電灯
は負性抵抗を有するために点灯後は電流を制限する必要
がある。従って、このような放電灯を点灯させるには、
放電灯の点灯時に電圧を一瞬上昇させ、点灯後に放電維
持電圧まで低下させると共に、電流量を一定に維持する
ことが可能な放電灯点灯装置が必須である。

【０００４】そこで、上記の放電灯を点灯させるのに好
適な放電灯点灯装置を図面を参照して説明する。図１２
及び図１３には従来の放電灯点灯装置の一例を示す。図
１２に示す従来の放電灯点灯装置２００は、整流平滑回
路２０１と高周波変換回路２０２とランプ点灯回路２０
３とを主体として構成されている。また、ランプ点灯回
路２０３には放電灯２０４が接続され、整流平滑回路２
０１には交流電源２０５が接続されている。図１３に
は、この放電灯点灯装置２００の回路構成の一例を示
す。この回路は、ハーフブリッジ型インバータ回路を構
成している。整流平滑回路２０１は、４つの整流素子Ｄ
₁〜Ｄ₄と、コンデンサＣ₁からなる。高周波変換回路２
０２は、制御回路２０６と２つのトランジスタＴｒ₁、
Ｔｒ₂及びコンデンサＣ₃、Ｃ₄からなる。また、ランプ
点灯回路２０３は、インダクタＬ_Hと放電灯２０４のフ
ィラメントに対して直列に接続されたコンデンサＣ₂か
らなる。

【０００５】整流素子Ｄ₁〜Ｄ₄にはダイオードが用いら
れ、コンデンサＣ₁には電解型コンデンサが用いられ、
インダクタＬ_Hにはチョークコイルが用いられ、放電灯
２０４には例えば蛍光灯が用いられる。蛍光灯は、ガラ
ス管に封入された水銀蒸気が電子との作用により放電し
て紫外線を発し、この紫外線がガラス管の内周壁に塗布
された蛍光物質を励起して可視光を発光するというもの
である。

【０００６】次に、この放電灯点灯装置２００の動作を
説明する。整流平滑回路２０１は、交流電源２０５より
入力された周波数５０Ｈｚの交流電圧を整流素子Ｄ₁〜
Ｄ₄により全波整流し、コンデンサＣ₁により平滑化して
直流電圧に変換する。高周波変換回路２０２は、整流平
滑回路２０１により変換された直流電圧を４０〜５０ｋ
Ｈｚの高周波交流電圧に変換する。高周波変換回路２０
２においては、スイッチとして機能するトランジスタＴ
ｒ₁がｏｎになって整流平滑回路２０１から電流Ｉ₁が流
れ、次にＴｒ₁がｏｆｆになると同時にＴｒ₂がｏｎにな
って電流Ｉ₂が流れる。この動作を制御回路２０６で１
秒間に４万〜５万回繰り返すことにより４０〜５０ｋＨ
ｚの高周波交流電圧を発生させる。ランプ点灯回路２０
３では、高周波変換回路２０２で発生した高周波交流電
圧をコンデンサＣ₂により昇圧させて放電灯２０４を点
灯する。また、コンデンサＣ₂は放電灯２０４の電極の
加熱も行う。放電灯２０４の点灯後は、インダクタＬ_H
により放電灯２０４に印加される電流量を低く抑えると
共に一定に維持して放電灯２０４の破損を防ぐ。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の放電灯
点灯装置２００では、ランプ点灯回路２０３のインダク
タＬ_Hを構成する銅巻線が電力損失源の１つとなってい
るという課題があった。また、ランプ点灯回路２０３
は、高周波電圧を昇圧するコンデンサＣ₂と電流を制御
するインダクタＬ_Hとからなるので、ランプ点灯回路２
０３の構造が複雑になってしまうと共に、その形状が大
きくなって放電灯点灯装置２００の小型化が図れないと
いう課題があった。

【０００８】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、電力損失が小さいと共に小型化が
可能な放電灯点灯装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の放電灯
点灯装置は、交流電圧を直流電圧に変換する整流平滑回
路と、前記直流電圧を前記交流電圧より高い周波数の高
周波交流電圧に変換する高周波変換回路と、伝送線路を
有する分布定数回路を備えてなり、前記高周波交流電圧
を昇圧して放電灯を点灯させ、かつ前記放電灯の点灯後
に前記高周波交流電圧の電流量を一定に維持する伝送線
路型トランスとを具備してなることを特徴とする。

【００１０】かかる放電灯点灯装置は、分布定数回路を
備えた伝送線路型トランスを具備しており、該伝送線路
型トランスの昇圧比（電圧ゲイン）は、分布定数回路の
固有インピーダンスと、伝送線路型トランスに接続され
た放電灯の負荷インピーダンスとの比により決定される
ものであるが、点灯前の放電灯の負荷インピーダンスは
数ＭΩと非常に高いので、放電灯の点灯時においては伝
送線路型トランスの電圧ゲインが大きくなって、放電灯
の点灯に必要な高電圧を発生させることが可能になる。
また点灯後は、放電灯の負荷インピーダンスが小さくな
って動作電圧が低下するが、伝送線路型トランスの電圧
ゲインが負荷インピーダンスの低下に追従して低くなる
ため、高周波交流電圧が低くなり、放電灯の放電維持に
必要な電圧を発生させることができる。また、前記分布
定数回路はインピーダンス−アドミタンス変換器として
動作するため、伝送線路型トランスの出力電流値が入力
電圧値に比例する。従って、伝送線路型トランスの入力
電圧を一定値にすることで出力される高周波交流電圧の
電流値を一定に維持することが可能になる。また、伝送
線路型トランスにより高周波交流電圧の電流値を一定に
維持することが可能となるので、従来の放電灯点灯装置
において必須であった電流制限用のインダクタが不要と
なり、電力損失源の１つとなっているランプ点灯回路の
インダクタを構成する銅巻線が不要となるので、電力損
失を低くすることが可能になると共に、放電灯点灯装置
の小型化を図ることが可能になる。

【００１１】また本発明の放電灯点灯装置は、先に記載
の放電灯点灯装置であって、前記伝送線路型トランス
は、前記伝送線路と、誘電性と磁性を有するコアとを具
備してなるものであることを特徴とする。かかる放電灯
点灯装置に備えられた伝送線路型トランスにおいては、
伝送線路とコアとにより分布定数回路が構成されてお
り、このトランスの伝送線路長は、コアの誘電率と透磁
率が大きいほど短縮できるので、コアの形状が小さくな
り、トランス自体が小型化されて放電灯点灯装置の小型
化を図ることが可能となる。

【００１２】更に本発明の放電灯点灯装置は、先に記載
の放電灯点灯装置であって、前記コアがＭｎ−Ｚｎフェ
ライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト
の群から選ばれた１種又は２種以上からなるものである
ことを特徴とする。かかる放電灯点灯装置においては、
伝送線路型トランスのコアの形状が小さくなって、放電
灯点灯装置の小型化が可能になる。

【００１３】また前記コアは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群か
ら選ばれた１種又は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚｒ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ、希土類元素の群から選ばれた１種又は２種以上の元
素Ｍと、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又は２種
以上の元素Ｄを含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂からな
るものであることを特徴とする。かかる放電灯点灯装置
によれば、コアの透磁率及び誘電率を大きくでき、波長
短縮効果が十分となって伝送線路長が短縮されてコアの
形状が小さくなり、トランス自体が小型化されて放電灯
点灯装置の小型化を図ることが可能となる。

【００１４】更に、本発明の放電灯点灯装置は、先に記
載の放電灯点灯装置であって、前記コアの１００ｋＨｚ
における実効透磁率μが１０〜２００００であり、実効
誘電率εが１０〜５０００であることを特徴とする。か
かる放電灯点灯装置によれば、コアの透磁率及び誘電率
を大きくでき、波長短縮効果が十分となって伝送線路長
が短縮されてコアの形状が小さくなり、トランス自体が
小型化されて放電灯点灯装置の小型化を図ることが可能
となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１〜図４には本発明の第１の実
施形態である放電灯点灯装置を示す。図１に示す放電灯
点灯装置１は、整流平滑回路２と、高周波変換回路３
と、後述する伝送線路型トランスを含む伝送線路型トラ
ンス装置４とを主体として構成されている。また、伝送
線路型トランス装置４の出力側には放電灯５が接続さ
れ、整流平滑回路２には交流電源６が接続されている。
図２には、図１に示した放電灯点灯装置１の回路構成の
一例を示す。整流平滑回路２は、４つの整流素子Ｄ₁〜
Ｄ₄と、コンデンサＣ₁からなる。高周波変換回路３は、
制御回路７と２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂及びコン
デンサＣ₂、Ｃ₃からなる。

【００１６】整流素子Ｄ₁〜Ｄ₄にはダイオードが用いら
れ、コンデンサＣ₁には電解型コンデンサが用いられ、
インダクタＬ_Hにはチョークコイルが用いられ、放電灯
５には例えば蛍光灯が用いられる。蛍光灯は、ガラス管
に封入された水銀蒸気が電子との作用により放電して紫
外線を発し、この紫外線がガラス管の内周壁に塗布され
た蛍光物質を励起して可視光を発光するというものであ
る。なお、整流平滑回路２及び高周波変換回路３は、図
２に示した回路構成に限定されるものではなく、従来か
ら知られた整流回路、平滑回路、高周波変換回路を用い
ても良い。

【００１７】伝送線路型トランス２３は、図３及び図４
に示すように、コア部１３と伝送線路１０とからなる電
圧変換部２０を主体として構成されている。また、この
伝送線路型トランス２３は必要に応じて放電灯のフィラ
メントに対して直列に接続されるコンデンサを備えてい
ても良く、これらコンデンサ、伝送線路型トランス２３
等により伝送線路型トランス装置４を構成することもで
きる。コア部１３は、図４に示すように、誘電性と磁性
を有するコア１４の両面に第１の接着層１５を介して絶
縁層１６が形成され、さらに該絶縁層１６上に第二の接
着層１７が形成されてなるものである。コア１４をなす
材料としては、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェ
ライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から選ばれた１種又
は２種以上からなるものを用いることが、コア１４の寸
法を短くでき、変成器の小型化が可能である点で好まし
い。

【００１８】コア部１３は、１００ｋＨｚにおける実効
透磁率μが１０〜２００００であることが好ましく、ま
た、コア部１３は、実効誘電率εが１０〜５０００であ
ることが好ましい。波長短縮効果は、実効透磁率μ、実
効誘電率εが大きいほど大きくなるため伝送線路型トラ
ンス２３が小型化できる。しかし、伝送線路１０の固有
インピーダンスは、実効透磁率μが大きいほど高くなる
が、実効誘電率εが大きくなると低くなるため、μとε
には最適な範囲が存在する。よって、本発明において
は、波長短縮効果を大きくし、かつ、固有インピーダン
スを所定の値にするには、μとεが上記の範囲であるこ
とが好ましい。

【００１９】絶縁層１６をなす材料としては、ポリイミ
ド等が用いられる。伝送線路１０は一対の線路導体１
１、１２からなるものであり、これら一対の線路導体１
１、１２は、それぞれコア部１３の周囲に螺旋状に巻回
されると共に、その巻回方向が互いに反対となるように
巻回されている。また、各線路導体１１、１２は、コア
部１３の一方の面側にある導体と他方の面側にある導体
に流れる電流の方向を逆（コア部の表裏で電流方向が
逆）にして、磁束を強め合う構造となっている。この伝
送線路型トランス２３においては、一方の線路導体１１
と他方の線路導体１２がコア部１３において磁束が矢印
ＭＦの方向を向くように構成されている。図中、符号Ｉ
_a、Ｉ_bで示される矢印の向きは、各線路導体１１，１２
に流れる電流により発生する磁束の方向である。このよ
うにして、伝送線路１０及びコア１４により電圧変換部
２０が構成されていて、この電圧変換部２０は分布定数
回路として動作するように構成されている。

【００２０】伝送線路１０をコア１４の周囲に形成する
方法としては、例えば、一般的な被覆銅線を巻回する、
絶縁層１６上にメッキまたはスパッタで導体を形成す
る、接着層１５、絶縁層１６、第２の接着層１７、伝送
線路１０が一体で形成されたものを帯状に加工し、コア
１４の両面に所定の形状で配置するなどの方法により形
成することができる。

【００２１】各線路導体１１、１２の出力側（受端側）
の端子１１ａ、１２ａには、放電灯５が接続されてお
り、入力側（送端側）の端子１１ｂ、１２ｂには、高周
波変換回路３が接続されている。

【００２２】各線路導体１１、１２（伝送線路１０）の
線路長Ｄは、これら線路導体１１、１２に印加する高周
波交流電圧の周波数（動作周波数）の１／４波長にほぼ
等しいことが好ましい。線路長Ｄが、高周波交流電圧の
周波数（動作周波数）の１／４波長と異なると、電圧変
換部２０の固有インピーダンスより大きな負荷インピー
ダンスを有する放電灯５が接続された場合に、インピー
ダンス変換ならびに電圧変換が行われず、好ましくな
い。

【００２３】放電灯５としては、上述のような構成の電
圧変換部２０の固有インピーダンスと異なるインピーダ
ンスを有するものを用いるのが、負荷の両端に電圧変換
部２０の固有インピーダンスとの比に応じた倍率でトラ
ンス２３の入力電圧（高周波交流電圧）と異なる電圧が
加わる点で好ましい。さらに、この放電灯５は、電圧変
換部２０の固有インピーダンスより大きなインピーダン
スを有するものを用いるのが、放電灯５の両端に電圧変
換部２０の固有のインピーダンスとの比に応じた倍率で
トランス２３の入力電圧（高周波交流電圧）より高い電
圧が加わる点でより好ましい。特に、放電灯５として蛍
光灯を用いた場合には、蛍光灯の点灯前の負荷インピー
ダンスは数ＭΩと非常に高く、分布定数回路の固有イン
ピーダンスとの比が大きくなり、伝送線路型トランス装
置４の昇圧比（電圧ゲイン）が大きくなって、蛍光灯の
点灯に必要な高電圧を発生させることができる。

【００２４】次に、この放電灯点灯装置１の動作を説明
する。整流平滑回路２は、交流電源６より入力された商
用周波数の交流電圧を整流素子Ｄ₁〜Ｄ₄により全波整流
し、コンデンサＣ₁により平滑化して直流電圧に変換す
る。高周波変換回路３は、整流平滑回路２により変換さ
れた直流電圧を４０〜５０ｋＨｚの高周波交流電圧に変
換する。高周波変換回路３においては、スイッチとして
機能するトランジスタＴｒ₁がｏｎになって整流平滑回
路２から電流Ｉ₁が流れ、次にＴｒ₁がｏｆｆになると同
時にＴｒ₂がｏｎになって電流Ｉ₂が流れる。この動作を
制御回路７で１秒間に４万〜５万回繰り返すことにより
４０〜５０ｋＨｚの高周波交流電圧が発生する。伝送線
路型トランス装置４では、高周波変換回路３で発生した
高周波交流電圧を昇圧させて放電灯５を点灯する。放電
灯５の点灯後は、トランスからの出力電流を必要なだけ
一定に維持して放電灯５の破損を防ぐ。

【００２５】次に、伝送線路型トランス２３の動作につ
いて更に詳しく説明する。上述の伝送線路型トランス２
３においては、寄生容量（分布定数）を回路定数に取り
込み、誘電性と磁性を有するコア１４と、伝送線路１０
からなる図５に示すような分布定数回路が構成されてい
る。図５中、符号Ｖ_inはトランス２３の入力電圧（高周
波交流電圧）、Ｖ_outはトランス２３の出力電圧、Ｉ_in
はトランス２３の入力電流（高周波交流電圧の電流
値）、Ｉ_outはトランスの出力電流、Ｚ_inはトランス２
３の入力インピーダンス、Ｚ_outはトランス２３の出力
側から見たインピーダンス、Ｚ_Cは伝送線路１０及びコ
ア１４から構成される分布定数回路の固有インピーダン
ス、Ｄは伝送線路１０の線路長である。図５に示す分布
定数回路は、下記式（１）で表される。尚、式（１）中
βは伝送線路１０の伝搬定数（β＝２πｆ／ｖ＝２π／
λ・・・（１−ａ）式）である。（１−ａ）式でのｖは
伝搬速度（＝ｆλ）、λは伝搬波長である。

【００２６】

【数１】

【００２７】本実施形態において、伝送線路１０の線路
長Ｄを所定の周波数のλ／４とすると、 βＬ＝（２π／λ）×（λ／４）＝π／２ となる。よって、式（１）は、下記式（２）で表せる。

【００２８】

【数２】

【００２９】上記式（２）を変形し、トランス２３の入
力インピーダンスＺ_inを求めると、 Ｚ_in＝Ｖ_in／Ｉ_in ＝（ｊＺ_C・Ｉ_out）／（（ｊ／Ｚ_C）・Ｖ_out）・・・（３） ここでＶ_out＝Ｚ_out・Ｉ_outであるので、 Ｚ_in＝Ｚ_C／（Ｚ_out／Ｚ_C）＝Ｚ_C ²／Ｚ_out・・・（４） これは、伝搬波長／４＝線路長Ｄである場合において
は、固有インピーダンスＺ_Cが５０オームの線路の出力
側の端子に１００オームのインピーダンスを有する負荷
を接続した場合、入力側から見ると負荷のインピーダン
スが２５オームに見えることを示しており、出力側に
接続された負荷インピーダンスＺ_Lは、入力側からはＺ
_inに変換されて見える。よって、インピーダンス変換が
されることになる。

【００３０】また、上記式（２）から 以上のことから、トランス２３の入力電圧Ｖ_inは出力
電流Ｉ_outに比例し、入力電流Ｉ_inは出力電圧Ｖ_outに比
例することがわかる。各線路長Ｄが伝搬波長／４のとき
においてのみ、上記並びにの関係が成り立ち電圧変
換が行われる。このように伝送線路型トランス２３の昇
圧比（電圧ゲイン）は、分布定数回路の固有インピーダ
ンスＺ_Cと、放電灯５の負荷インピーダンスＺ_Lとの比率
で決まるので、この伝送線路型トランス２３は、高電圧
が必要な始動時に高い負荷インピーダンスを示し、点灯
後に低い負荷インピーダンスを示す放電灯５のインピー
ダンス特性に適している。

【００３１】次に、この伝送線路型トランス２３の昇圧
作用について更に詳しく説明する。図６は、伝送線路型
トランス２３の伝送線路１０の昇圧作用を説明するため
のグラフである。図６のグラフにおいて、横軸は負荷イ
ンピーダンスＺ_Lと固有インピーダンスＺ_Cの比を表して
いる。ここで、トランス２３の入力電圧Ｖ_inが定電圧で
あるとする。負荷インピーダンスＺ_Lが固有インピーダ
ンスＺ_Cに等しい場合（Ｚ_L／Ｚ_C＝１）は、分布定数回
路が整合状態となっており、図中Ａ点に示されているよ
うに入力側と出力側の電圧が等しいのが明らかである。
Ｚ_L＞Ｚ_Cなる放電灯５を接続した場合（Ｚ_L／Ｚ_C＞１）
は、上記式（４）よりＺ_in＜Ｚ_Cとなって入力電流Ｉ_in
が増える。また、上記式（５）から、出力電圧Ｖ_outは
入力電圧Ｉ_inに比例するので、図中Ｂ点に示されている
ように同じく増える。従ってＺ_L＞Ｚ_Cの領域では、Ｖ
_outはＶ_inより大きくなっており昇圧されていることに
なる。よって、線路長Ｄが動作周波数の１／４波長の線
路の負荷として、分布定数回路の固有インピーダンスＺ
_Cより大きな負荷インピーダンスを示す放電灯５を接続
すると、その放電灯５の両端には固有インピーダンスＺ
_Cとの比に応じた倍率で入力電圧Ｖ_in2より高い出力電圧
Ｖ_outが加わり、放電灯５を点灯させることができる。
また放電灯５の点灯後は、放電灯５の負荷インピーダン
スＺ_Lが小さくなると共に動作電圧が低下するが、伝送
線路型トランス２３の昇圧比が負荷インピーダンスＺ_L
の低下に追従して低くなるため、トランスの出力電圧Ｖ
_outが低くなり、放電灯５の点灯を安定して維持するこ
とができる。

【００３２】また前述したように、放電灯５は、点灯時
には電子を発生させるために高電圧を印加する必要があ
るが、点灯後においては比較的低い電圧で放電を維持で
きる。また、放電灯５は負性抵抗を有するため、点灯後
は電流を制限する必要がある。前記分布定数回路は、イ
ンピーダンス−アドミタンス変換器として動作するた
め、伝送線路型トランス２３の出力電流値が入力電圧値
に比例する。従って、伝送線路型トランス２３の入力電
圧を一定値にすることで出力される高周波交流電圧の電
流値を一定に維持することが可能になる。このように、
伝送線路型トランス２３により放電灯５への電流量を一
定に維持することが可能となるので、従来の放電灯点灯
装置において必須であった電流制限用のインダクタが不
要となり、電流損失源の１つとなっているランプ点灯回
路を構成するインダクタの銅巻線が不要となり、電力損
失を低くすることができる。

【００３３】次に、この伝送線路型トランス２３におい
て、上述のコア１４を用いることにより波長を短縮で
き、伝送線路型トランス２３を小型化できる理由につい
て説明する。自由空間における波長は下記式（６）で表
される。 λ＝ｖ／ｆ ・・・（６） 電圧変換部２０の電界が発生する部分の誘電率・透磁率
が大きいと、進行波の伝搬速度ｖが遅くなる。この伝搬
速度ｖは、下記式（７）で示される。 ｖ［ｍ／ｓ］＝３×１０⁸×（ε^1/2・μ^1/2）^-1 ・・・（７） よって、その場合の波長は下記式（８）で示される。 λ＝（ｖ／ｆ）・（ε^1/2・μ^1/2）^-1 ・・・（８） 上記（８）式から明らかなように誘電率、透磁率の値に
応じて波長短縮が生じ、すなわち、誘電率、透磁率が大
きくなるとこれに応じて波長も短くなっており、よっ
て、コア１４を誘電率、透磁率が大きい材料から構成す
ることにより、波長を短縮でき、コア寸法も短くでき、
伝送線路型トランス２３自体が小型化されて放電灯点灯
装置１の小型化を図ることができる。

【００３４】上述の伝送線路型トランス２３において
は、コア１４をなす材料として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群
から選ばれた１種又は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、希土類元素の群から選ばれた１種又は２種以
上の元素Ｍと、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又
は２種以上の元素Ｄを含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂
からなるものを用いるのが、コア１４の透磁率及び誘電
率を大きくでき、波長短縮効果が十分となり、伝送線路
型トランス２３自体が小型化されて放電灯点灯装置１の
小型化を図ることができる点で好ましい。

【００３５】上記軟磁性合金粉末としては、例えば、以
下の組成式で示されるものが好適に用いられる。 Ｔ_aＭ_bＤ_c （上記組成式中、ＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの群から選ばれ
た１種または２種以上の元素を表し、ＭはＨｆ，Ｚｒ，
Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｂ
ｉ，希土類元素の群から選ばれた１種または２種以上の
元素を表し、ＤはＯ，Ｃ，Ｎ，Ｂの群から選ばれた１種
または２種以上の元素を表す。また、組成式中、組成比
を示すａ，ｂ，ｃは、原子％で、４０≦ａ＜８７、０＜
ｂ≦２０、０＜ｃ≦５０なる関係を満足するものであ
る。）

【００３６】上記合成樹脂としては、誘電損失が小さい
材料（即ちＱの大きい材料でＱが４００以上のもの）が
用いられ、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポ
リスチレン、パラフィン、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂等が挙げられ
る。

【００３７】上述のような軟磁性合金粉末と合成樹脂か
らなるコア１４は、例えば、以下のようにして製造する
ことができる。まず、組成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示される軟
磁性合金粉末の組成になるように各原料を秤量する。こ
こでの原料は、Ｔの粉末、Ｍの粉末が用いられる。Ｔの
粉末としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの群から選ばれた少な
くとも一種の元素の単体，酸化物，炭化物，炭酸塩，窒
素化物，ホウ化物のうちから選ばれた粉末が用いられ
る。Ｍの粉末としては、Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｂｉ，希土類元素
の群から選ばれた少なくとも１種の元素の単体，酸化
物，炭化物，炭酸塩，窒素化物，ホウ化物のうちから選
ばれた粉末が用いられる。上記希土類元素としては、周
期表の３Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｄ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタノイド
の群から選ばれる少なくとも１種の元素またはそれらの
混合物が挙げられる。この際、Ｔの粉末は粒径が１００
μｍ以下、Ｍの粉末は粒径が２μｍ以下のものが望まし
い。

【００３８】次いで、Ｄのうち、Ｏ，Ｃ，Ｎを添加する
場合は、上述のＴの粉末とＭの粉末とをステンレス鋼製
ポット中に、ポットと同材質のステンレス球と共に封入
し、Ｏ，Ｃ，Ｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素
の単体ガス，酸化物ガス，炭化物ガスのうちから選ばれ
たＤのガスを充満させる。そして、高エネルギ型遊星式
ボールミルを用いて所定時間、粉砕、攪拌するメカニカ
ルアロイングにより、組成式がＴ_aＭ_bＤ_cで示される軟
磁性合金粉末が得られる。メカニカルアロイングの時間
は、２時間以上とするのが、ｂｃｃ構造もしくはｆｃｃ
構造、または、これらが混在したＴの結晶の微細化を十
分にできる点で好ましい。ここで得られた軟磁性合金粉
末は、平均結晶粒径が数ｎｍ〜数１０ｎｍオーダーのｂ
ｃｃ構造のＴの微結晶相が、Ｍ，Ｄを多量に含む非晶質
相で取り囲まれたような構造を有する平均粒径が１〜２
μｍ程度の凝集粒子となる。この軟磁性合金粉末は、凝
集粒子を構成するｂｃｃ構造もしくはｆｃｃ構造、また
は、これらが混在したＴの微結晶の平均粒径が微細であ
るため、優れた軟磁気特性を示し、また、ｂｃｃ構造も
しくはｆｃｃ構造、またはこれらが混在したＴの微結晶
が、高抵抗の非晶質相によって取り囲まれているため、
渦電流損失を小さく押えることができるという特徴があ
る。

【００３９】次に、得られた軟磁性合金粉末を有機溶剤
を溶媒とする合成樹脂液に分散してスラリーを得た後、
このスラリーを３本ロールに繰り返し通して該スラリー
が粉末状になるまで混練し混練物を得る。この合成樹脂
を溶解させる有機溶剤としては、キシレン、トルエン、
ベンゼン等が挙げられる。合成樹脂への軟磁性合金粉末
の添加割合は、目的とするコアの磁性と誘電性によって
適宜変更可能であるが、スラリー中の体積割合で５０〜
８０vol％程度となるように添加するのが好ましい。軟
磁性合金粉末の体積割合が５０ｖｏｌ％未満であると、
透磁率が低くなるという不都合が生じる恐れがあり、一
方、８０ｖｏｌ％を超えると射出成形等により成形する
のが困難になるという不都合が生じる恐れがある。

【００４０】上記軟磁性合金粉末は合成樹脂液に分散、
混練する前に、空気，酸素，窒素，水蒸気のうちから選
択される雰囲気中またはこれらの混合雰囲気中で熱処理
を行うことが望ましい。ここでの加熱温度は、２５℃〜
３００℃程度、加熱時間は、０.５時間〜４８時間程度
が好ましい。このようにすると、上記軟磁性合金粉末の
表面に酸化物からなる絶縁層が形成されるので、軟磁性
合金粉末の固有抵抗が上がり、高周波での誘電率をより
低くすることができる。なお、ここでの絶縁層は、酸化
膜に限らず、他の絶縁膜を用いて形成してもよい。

【００４１】ついで、上記混練物を乾燥器等に入れて加
熱することにより有機溶剤を蒸発させたのち、プレス成
形機、射出成形機、押出装置等を用いて所望の形状に成
形して成形体を作製する。この後、この成形体を１５０
〜４００℃程度、１時間程度加熱することにより、目的
とする磁性と誘電性とを有するコア１４が得られる。ま
た、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなるコア１４は、Ｔ
の粉末とＭの粉末とを混合後、Ｄのガス雰囲気中で粉
砕、攪拌するのに代えて、Ｔの粉末と、Ｍの粉末と、Ｄ
の粉末とを混合後、不活性ガス雰囲気中、あるいはＯ，
Ｃ，Ｎの群から選ばれた少なくとも一種の元素の単体ガ
ス，酸化物ガス，炭化物ガスのうちから選ばれたＤのガ
ス雰囲気中で粉砕、攪拌する以外は先に述べた製造例と
同様にして製造することもできる。上記Ｄの粉末として
は、カーボンとＢのうちから選ばれた少なくとも一種ま
たは混合物が用いられる。また、この例では、上記Ｔの
粉末とＭの粉末とＤの粉末の粉砕、攪拌をＤのガス雰囲
気下、またはＡｒガス等の不活性ガス雰囲気下、あるい
は上記ＤのガスとＡｒガス等の不活性ガスとの混合ガス
雰囲気下で行なわれ、上記混合ガス雰囲気下で行う場合
には材料中の酸素，炭素，窒素量を調整することができ
る。

【００４２】また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなる
コア１４は、Ｔの粉末とＭの粉末に代えて液体急冷法に
より得られたＴ−Ｍ合金薄帯の粉砕物粉末を用いる以外
は、先に述べた製造例と同様にして製造することもでき
る。また、軟磁性合金粉末と合成樹脂からなるコア１４
は、Ｔの粉末とＭの粉末と、Ｄの粉末および／またはＤ
のガスに加えて液体急冷法により得られたＴ−Ｍ合金薄
帯の粉砕物粉末も用いる以外は、先に述べた製造例と同
様にして製造することもできる。

【００４３】次に本発明の第２の実施形態について説明
する。図７には、本発明の第２の実施形態である放電灯
点灯装置を示す。この放電灯点灯装置２１が、図１〜図
４に示した放電灯点灯装置１と異なるところは、伝送線
路型トランスの構成が異なる点にある。即ち、この放電
灯点灯装置２１に備えられた伝送線路型トランス２２
は、誘電性と磁性を有する板状のコア４４の一面に、ス
パイラル型の線路導体４１が設けられ、コア４４の他面
に接地導体４２が形成されてなるものである。この線路
導体４１と接地導体４２により伝送線路４５が構成され
ている。コア４４は、前述した図３及び図４に示す伝送
線路型トランス２３のコア１４と同じ材料からなるもの
である。このコア４４と伝送線路４５により電圧変換部
４６（分布定数回路）が構成される。接地導体４２は、
コア４４の他面の全面に設けられた薄膜であるが、薄膜
に限られずコイル状に形成されたものであっても良い。

【００４４】線路導体４１の出力側の端子４１ａには放
電灯５が接続され、入力側の端子４１ｂには高周波変換
回路３が接続されている。また、接地導体４２の出力側
の端子には放電灯５が接続されており、入力側の端子に
は高周波変換回路３が接続されている。

【００４５】上述の構成の放電灯点灯装置２１において
は、図１〜図４に示した放電灯点灯装置１の効果に加え
て、以下の効果が得られる。即ち、伝送線路型トランス
２２が、コア４４と、コア４４の一面及び他面に設けら
れた伝送線路４５とからなるので、伝送線路４５のイン
ダクタンスを大きくすることが可能となり、また静電容
量を高くできる。これにより伝送線路型トランス２２の
小型化が図れる。

【００４６】次に本発明の第３の実施形態について説明
する。図８及び図９には、本発明の第３の実施形態であ
る放電灯点灯装置を示す。この放電灯点灯装置３０が、
図１〜図４に示した放電灯点灯装置１と異なるところ
は、伝送線路型トランスの構成が異なる点にある。即
ち、この放電灯点灯装置３０に備えられた伝送線路型ト
ランス３１は、コア５４を構成する一対のコア半体５４
ａ、５４ｂの間にスパイラル型の伝送線路５１が挟持さ
れ、さらに一対のコア半体５４ａ、５４ｂの外側に接地
導体５２、５２が形成されてなるものである。コア５４
は、前述した図３及び図４に示す伝送線路型トランス２
３のコア１４と同じ材料からなるものである。このコア
５４と伝送線路５１により電圧変換部３２（分布定数回
路）が構成される。接地導体５２、５２は、一対のコア
半体５４ａ、５４ｂの各突き合わせ面の反対側の各面に
それぞれ設けられている。この接地導体５２、５２は、
コア半体５４ａ、５４ｂの各突き合わせ面の反対側の面
の全面に接着層１０１、１０２を介して設けられている
が、全面に形成せず、コイル状に形成されたものであっ
ても良い。

【００４７】また、図８及び図９に示すように、コア半
体５４ａの突き合わせ面５４ｆの中央には中央凸部５４
ｃが設けられ、突き合わせ面５４ｆの周辺部５４ｄの一
部には周辺凸部５４ｅ、５４ｅが設けられている。周辺
凸部５４ｅ、５４ｅは、突き合わせ面５４ｆ上にて互い
に対向して設けられている。また、コア半体５４ｂは板
状とされている。そして、このコア半体５４ａの中央凸
部５４ｃと周辺凸部５４ｅ、５４ｅがコア半体５４ｂに
突き合わされてコア５４が形成されると共に、このコア
５４の内部に、一対のコア半体５４ａ、５４ｂと中央凸
部５４ｃと周辺凸部５４ｅ、５４ｅとに区画されて空隙
部７ａが形成され、この空隙部７ａにより磁路形成部７
が構成される。そして、これら一対のコア半体５４ａ、
５４ｂと中央凸部５４ｃと周辺凸部５４ｅ、５４ｅとに
より磁路形成部７を囲む磁路が構成される。

【００４８】次に図８及び図９に示すように、伝送線路
５１は、導体からなるものであって、中央凸部５４ｃの
周囲に巻回されて、コア半体５４ａと離間して磁路形成
部７内に配置されている。このようにして伝送線路５１
は、磁路形成部７内に配置されて磁路に囲まれている。

【００４９】また図９に示すように、コア半体５４ｂに
は接着層１０３が積層され、この接着層１０３の一部に
ポリイミド等からなる絶縁層１０４が積層され、この絶
縁層１０４上に上述の伝送線路５１が形成されていて、
伝送線路５１とコア半体５４ｂが絶縁されている。ま
た、伝送線路５１には接着層１０６を介してポリイミド
等からなる絶縁層１０５が積層されている。

【００５０】また、伝送線路５１の出力側の端子５１ｂ
には放電灯５が接続されており、入力側の端子５１ａに
は高周波変換回路３が接続されている。また、一方の接
地導体５２の出力側の端子には放電灯５が接続されてお
り、入力側の端子には高周波変換回路３が接続されてい
る。また、接地導体５２、５２同士は、電位を同じにす
るために接続用導体５３により電気的に接続されてい
る。

【００５１】この伝送線路型トランス３１では、上述の
ような一対のコア半体５４ａ、５４ｂ間に介在された伝
送線路５１より発生する磁束の方向は、伝送線路５１に
流れる電流の方向が図９に示された通りであるときは、
図９中の符号Ｉ_a、Ｉ_bで示される矢印の向きとなる。従
って、伝送線路５１から発生した磁束は、その大部分が
一対のコア半体５４ａ、５４ｂと中央凸部５４ｃと周辺
凸部５４ｅ、５４ｅとにより構成される磁路に流れるこ
とになる。そして、伝送線路５１から発生した磁束のう
ち、コア半体５４ａからコア半体５４ｂに移動する磁束
が、中央凸部５４ｃ及び周辺凸部５４ｅ、５４ｅに集中
し、伝送線路５１に鎖交する渡り磁束成分が少なくなっ
て銅損が小さくなる。

【００５２】よって、上述の構成の放電灯点灯装置３０
においては、図１〜図４に示した放電灯点灯装置１の効
果に加えて、以下の効果が得られる。即ち、伝送線路型
トランス３１が上述の構成からなるので、伝送線路５１
に鎖交する渡り磁束成分が少なくなり、その結果銅損が
小さくなり、伝送線路型トランス３１の変換効率が高く
なって、放電灯点灯装置３０の電力損失をより小さくす
ることができる。

【００５３】

【実施例】（実験例１）負荷インピーダンスが変化した
場合における伝送線路型トランスの昇圧比（電圧ゲイ
ン）の周波数特性を調査した。図８及び図９に示した放
電灯点灯装置３０の伝送線路型トランス３１と同様の伝
送線路型トランスを作製した。ここで作製した伝送線路
型トランスのＭｎ−Ｚｎフェライトからなる各コア半体
５４ａ、５４ｂの厚みは０．５ｍｍ、コア半体５４ａの
中央凸部５４ｃ及び周辺凸部５４ｅの高さが０．５ｍｍ
であることから磁路形成部７の深さは０．５ｍｍ、スパ
イラル型の伝送線路５１の厚みは０．０４ｍｍ、伝送線
路５１の幅は０．２９ｍｍ、伝送線路５１のピッチは
０．２４ｍｍ、接地導体５２、５２の厚みは０．０４ｍ
ｍであった。また、伝送線路５１の線路長Ｄは１．８ｍ
であった。

【００５４】ここで作製した伝送線路型トランスの電圧
ゲイン−フェーズ特性を測定した。ここでの測定には、
インピーダンスアナライザＨＰ４１９４Ａ（商品名；日
本ヒューレットパッカード株式会社製）を用い、トラン
スの出力側の端子に接続する終端抵抗（負荷インピーダ
ンス）を１０ｋΩ、１００ｋΩとして行った。終端抵抗
には炭素皮膜抵抗を用いた。測定周波数範囲は、共振近
傍の点が細かくとれるように０．０１ＭＨｚから１０Ｍ
Ｈｚとした。 負荷インピーダンスを１０ｋΩとしたと
きの測定結果を図１０に、負荷インピーダンスを１００
ｋΩとしたときの測定結果を図１１にそれぞれ示す。

【００５５】図１０から明らかなように、負荷インピー
ダンスを１０ｋΩとしたとき、伝送線路型トランスのλ
／４に同調したときの周波数（同調周波数）は９３０ｋ
Ｈｚ、電圧ゲインは１６．１ｄＢであった。また図１１
から明らかなように、負荷インピーダンスを１００ｋΩ
としたとき、伝送線路型トランスの電圧ゲインは２４．
３ｄＢであった。

【００５６】従って、この伝送線路型トランスの電圧ゲ
イン（昇圧比）は、負荷インピーダンスによって変動
し、負荷インピーダンスが大きいほど電圧ゲインが高
く、負荷インピーダンスが小さいほど電圧ゲインが低く
なる。従ってこの伝送線路型トランスは、放電開始のた
めに高電圧の印加が必要である点灯前は高インピーダン
ス、相対的に低い値である放電維持電圧を印加すればよ
い点灯時には低インピーダンスとなる負性抵抗特性を有
する放電灯の点灯装置に好適に用いることができる。

【００５７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
放電灯点灯装置は、整流平滑回路と、高周波変換回路
と、分布定数回路を備えた伝送線路型トランスとを具備
しており、該伝送線路型トランスの昇圧比（電圧ゲイ
ン）は、分布定数回路の固有インピーダンスと、伝送線
路型トランスに接続された放電灯の負荷インピーダンス
との比により決定されるものであるが、点灯前の放電灯
の負荷インピーダンスは数ＭΩと非常に高いので、放電
灯の点灯時においては伝送線路型トランスの電圧ゲイン
が大きくなって、放電灯の点灯に必要な高電圧を発生さ
せることができる。また点灯後は、放電灯の負荷インピ
ーダンスが小さくなり、伝送線路型トランスの電圧ゲイ
ンが負荷インピーダンスの低下に追従して低くなるた
め、高周波交流電圧が低くなり、放電灯の点灯を安定し
て維持することができる。

【００５８】また、前記分布定数回路はインピーダンス
−アドミタンス変換器として動作するため、伝送線路型
トランスの出力電流値が入力電圧値に比例する。従っ
て、伝送線路型トランスの入力電圧を一定値にすること
で、出力される高周波交流電圧の電流値を低く一定に維
持することができる。また、伝送線路型トランスにより
高周波交流電圧の電流値を一定に維持することが可能と
なるので、従来の放電灯点灯装置において必須であった
電流制限用のインダクタが不要となり、電力損失源の１
つとなっているランプ点灯回路のインダクタを構成する
銅巻線が不要となり、電力損失を低くすることができる
と共に、放電灯点灯装置の小型化を図ることができる。

【００５９】また伝送線路型トランスは、前記伝送線路
と、誘電性と磁性を有するコアとを具備してなるもので
あり、これら伝送線路とコアとにより分布定数回路が構
成されており、このトランスの伝送線路長は、コアの誘
電率と透磁率が大きいほど短縮できるので、コアの形状
が小さくなり、トランス自体が小型化されて放電灯点灯
装置の小型化を図ることができる。

【００６０】更に、前記コアがＭｎ−Ｚｎフェライト、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から
選ばれた１種又は２種以上からなるものであるので、伝
送線路型トランスのコアの形状が小さくなって、放電灯
点灯装置の小型化を図ることができる。

【００６１】また前記コアは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群か
ら選ばれた１種又は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚｒ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ、希土類元素の群から選ばれた１種又は２種以上の元
素Ｍと、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又は２種
以上の元素Ｄを含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂からな
るので、コアの透磁率及び誘電率を大きくでき、波長短
縮効果が十分となって伝送線路長が短縮されてコアの形
状が小さくなり、トランス自体が小型化されて放電灯点
灯装置の小型化を図ることができる。

【００６２】更に、前記コアの１００ｋＨｚにおける実
効透磁率μが１０〜２００００であり、実効誘電率εが
１０〜５０００であるので、波長短縮効果が十分となっ
て伝送線路長が短縮されてコアの形状が小さくなり、ト
ランス自体が小型化されて放電灯点灯装置の小型化を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態である放電灯点灯装
置の構成を示す模式図である。

【図２】 図１に示す放電灯点灯装置の回路図である。

【図３】 図１の放電灯点灯装置に備えられた伝送線路
型トランスを示す斜視図である。

【図４】 図１の放電灯点灯装置に備えられた伝送線路
型トランスを示す断面図である。

【図５】 伝送線路型トランスに備えられた分布定数回
路を説明するための図である。

【図６】 伝送線路型トランスの昇圧作用を説明するた
めの図である。

【図７】 本発明の第２の実施形態である放電灯点灯装
置に備えられた伝送線路型トランスを示す断面図であ
る。

【図８】 本発明の第３の実施形態である放電灯点灯装
置に備えられた伝送線路型トランスの要部を示す斜視図
である。

【図９】 本発明の第３の実施形態である放電灯点灯装
置に備えられた伝送線路型トランスを示す断面図であ
る。

【図１０】 伝送線路型トランスの電圧ゲインとフェー
ズの周波数特性を示す図である。

【図１１】 伝送線路型トランスの電圧ゲインとフェー
ズの周波数特性を示す図である。

【図１２】 従来の放電灯点灯装置の構成を示す模式図
である。

【図１３】 図１２に示す放電灯点灯装置の回路図であ
る。

【符号の説明】

１、２１、３０ 放電灯点灯装置 ２ 整流平滑回路 ３ 高周波変換回路 ４ 伝送線路型トランス装置 ２２、２３、３１ 伝送線路型トランス ５ 放電灯 １０、４５、５１ 伝送線路 １４、４４、５４ コア ２０、３２、４６ 電圧変換部（分布定数回路）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 交流電圧を直流電圧に変換する整流平滑
   回路と、前記直流電圧を前記交流電圧より高い周波数の
   高周波交流電圧に変換する高周波変換回路と、 伝送線路を有する分布定数回路を備えてなり、前記高周
   波交流電圧を昇圧して放電灯を点灯させ、かつ前記放電
   灯の点灯後に前記高周波交流電圧の電流量を一定に維持
   する伝送線路型トランスとを具備してなることを特徴と
   する放電管点灯装置。
2. 【請求項２】 前記伝送線路型トランスは、前記伝送線
   路と、誘電性と磁性を有するコアとを具備してなるもの
   であることを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装
   置。
3. 【請求項３】 前記コアはＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ
   −Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライトの群から選ば
   れた１種又は２種以上からなるものであることを特徴と
   する請求項２記載の放電灯点灯装置。
4. 【請求項４】 前記コアは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から
   選ばれた１種又は２種以上の元素Ｔと、Ｈｆ、Ｚｒ、
   Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、
   Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
   ｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂ
   ｉ、希土類元素の群から選ばれた１種又は２種以上の元
   素Ｍと、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｂの群から選ばれた１種又は２種
   以上の元素Ｄを含む軟磁性合金粉末と、合成樹脂からな
   るものであることを特徴とする請求項２ないし請求項３
   のいずれかに記載の放電灯点灯装置。
5. 【請求項５】 前記コアの１００ｋＨｚにおける実効透
   磁率μが１０〜２００００であり、実効誘電率εが１０
   〜５０００であることを特徴とする請求項２ないし請求
   項４のいずれかに記載の放電灯点灯装置。