JP2000281436A - 誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板 - Google Patents
誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼結温度が低く、高い基板強度と優れた基板
特性を有するセラミック多層基板を提供すること。 【解決手段】 絶縁性セラミック基板３ａ及び３ｂと誘
電体セラミック層２とを積層、焼成してなるセラミック
多層基板１において、絶縁性セラミック基板３ａ及び３
ｂを、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の低温焼結セラミ
ック材料で形成し、誘電体セラミック層２を、ＢａＯ−
ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2（但し、Ｍｅはランタ
ノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０である。）で表さ
れる誘電体セラミック成分に、２０．０〜６５．０モル
％のＢａＯ、５．０〜５０．０モル％のＳｉＯ2、及
び、１０．０〜５０．０モル％のＢ2Ｏ3を３．０〜３
５．０重量％混合してなる誘電体セラミック材料で形成
する。
特性を有するセラミック多層基板を提供すること。 【解決手段】 絶縁性セラミック基板３ａ及び３ｂと誘
電体セラミック層２とを積層、焼成してなるセラミック
多層基板１において、絶縁性セラミック基板３ａ及び３
ｂを、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の低温焼結セラミ
ック材料で形成し、誘電体セラミック層２を、ＢａＯ−
ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2（但し、Ｍｅはランタ
ノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０である。）で表さ
れる誘電体セラミック成分に、２０．０〜６５．０モル
％のＢａＯ、５．０〜５０．０モル％のＳｉＯ2、及
び、１０．０〜５０．０モル％のＢ2Ｏ3を３．０〜３
５．０重量％混合してなる誘電体セラミック材料で形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い誘電率を有す
る誘電体セラミック組成物、並びに、絶縁性セラミック
材料と誘電体セラミック材料とを積層、焼結してなるセ
ラミック多層基板に関するものである。
る誘電体セラミック組成物、並びに、絶縁性セラミック
材料と誘電体セラミック材料とを積層、焼結してなるセ
ラミック多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス分野における電
子部品の性能向上は著しく、特に、情報化社会を支える
大型コンピュータ、移動通信端末、パーソナルコンピュ
ータ等に代表される情報処理装置では、情報処理速度の
高速化、装置の小型化、多機能化などが進められてい
る。このような情報処理装置の性能向上は、主として、
ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体デバイスの高集積化、高
速化、高機能化によって実現されている。しかしなが
ら、半導体デバイスが高速化、高性能化しても、デバイ
スとデバイスとを接続する基板上での信号遅延やクロス
トーク、インピーダンスのミスマッチ、電源電圧変動等
によるノイズによって、システムとしての動作が制限さ
れることがあった。
子部品の性能向上は著しく、特に、情報化社会を支える
大型コンピュータ、移動通信端末、パーソナルコンピュ
ータ等に代表される情報処理装置では、情報処理速度の
高速化、装置の小型化、多機能化などが進められてい
る。このような情報処理装置の性能向上は、主として、
ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体デバイスの高集積化、高
速化、高機能化によって実現されている。しかしなが
ら、半導体デバイスが高速化、高性能化しても、デバイ
スとデバイスとを接続する基板上での信号遅延やクロス
トーク、インピーダンスのミスマッチ、電源電圧変動等
によるノイズによって、システムとしての動作が制限さ
れることがあった。
【０００３】このため、高速かつ高性能な情報処理を行
う電子部品として、高性能の半導体デバイスをセラミッ
ク基板上に複数実装した、いわゆるマルチチップモジュ
ール（ＭＣＭ）が実用化されている。このようなモジュ
ールにおいて、ＬＳＩ等の実装密度を高め、各ＬＳＩ間
を電気的に良好に接続するためには、線路導体を３次元
的に配したセラミック多層基板が有用であり、従来は、
セラミック多層基板用材料としてアルミナを用いてい
た。
う電子部品として、高性能の半導体デバイスをセラミッ
ク基板上に複数実装した、いわゆるマルチチップモジュ
ール（ＭＣＭ）が実用化されている。このようなモジュ
ールにおいて、ＬＳＩ等の実装密度を高め、各ＬＳＩ間
を電気的に良好に接続するためには、線路導体を３次元
的に配したセラミック多層基板が有用であり、従来は、
セラミック多層基板用材料としてアルミナを用いてい
た。
【０００４】しかしながら、アルミナは焼結温度が１３
００℃以上と高いため、セラミック多層基板を共焼結に
よって得ようとする場合、内層用の線路導体としてタン
グステンやモリブデン等の高融点金属を使用する必要が
あった。また、これら高融点金属は、比抵抗が大きいた
め高密度配線が難しいといった問題を有している。さら
に、アルミナは、比誘電率が約１０と大きいため、半導
体デバイス等の実装部品を高速動作させたときの信号遅
延が大きくなったり、半導体デバイスを構成するシリコ
ンに比べて熱膨張率が大きいため、熱サイクルによる信
頼性の低下等の問題も生じることがあった。
００℃以上と高いため、セラミック多層基板を共焼結に
よって得ようとする場合、内層用の線路導体としてタン
グステンやモリブデン等の高融点金属を使用する必要が
あった。また、これら高融点金属は、比抵抗が大きいた
め高密度配線が難しいといった問題を有している。さら
に、アルミナは、比誘電率が約１０と大きいため、半導
体デバイス等の実装部品を高速動作させたときの信号遅
延が大きくなったり、半導体デバイスを構成するシリコ
ンに比べて熱膨張率が大きいため、熱サイクルによる信
頼性の低下等の問題も生じることがあった。
【０００５】そこで、これらの問題を解決するため、セ
ラミック組成物とガラス成分との複合材料である低温焼
結セラミック材料の研究が活発に行われており、多層モ
ジュールや多層デバイス等のセラミック多層基板として
実用化が進められている。低温焼結セラミック材料は、
母材となるセラミック組成物にガラス成分を加えた材料
であり、焼結温度を低下させ、材料物性や焼結温度に対
する設計の自由度を大幅に広げることが可能となった。
特に、低温焼結セラミック材料は、比抵抗の小さな銀、
銅等の低融点金属を電極材料として同時焼結可能なこと
から、高周波特性に優れたセラミック多層基板を形成で
きる。
ラミック組成物とガラス成分との複合材料である低温焼
結セラミック材料の研究が活発に行われており、多層モ
ジュールや多層デバイス等のセラミック多層基板として
実用化が進められている。低温焼結セラミック材料は、
母材となるセラミック組成物にガラス成分を加えた材料
であり、焼結温度を低下させ、材料物性や焼結温度に対
する設計の自由度を大幅に広げることが可能となった。
特に、低温焼結セラミック材料は、比抵抗の小さな銀、
銅等の低融点金属を電極材料として同時焼結可能なこと
から、高周波特性に優れたセラミック多層基板を形成で
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】また、近年、表面実装
部品（ＳＭＤ：Surface Mounted Device）の一部構成素
子であったキャパシタやインダクタ等の受動素子をセラ
ミック多層基板内に取り込むことによって、さらにモジ
ュール全体を小型化しようとする試みがなされている。
セラミック多層基板内にこれらの素子を内蔵する場合、
基板表面に搭載されている実装素子の特性よりも内蔵素
子の特性が劣化したのではそれによるメリットが半減し
てしまうため、内蔵素子は、基板上の実装素子と同等、
或いはそれ以上の特性を有していることが求められる。
部品（ＳＭＤ：Surface Mounted Device）の一部構成素
子であったキャパシタやインダクタ等の受動素子をセラ
ミック多層基板内に取り込むことによって、さらにモジ
ュール全体を小型化しようとする試みがなされている。
セラミック多層基板内にこれらの素子を内蔵する場合、
基板表面に搭載されている実装素子の特性よりも内蔵素
子の特性が劣化したのではそれによるメリットが半減し
てしまうため、内蔵素子は、基板上の実装素子と同等、
或いはそれ以上の特性を有していることが求められる。
【０００７】このため、セラミック多層基板の構成材料
として、内蔵素子の電気特性が十分に発揮されるような
材料を選択するのが通常であり、例えば、キャパシタを
形成する部分には高誘電率の誘電体セラミック層を、そ
の他の部分には低誘電率の絶縁性セラミック基板（特に
低温焼結セラミック基板）をそれぞれ設けることが有効
である。
として、内蔵素子の電気特性が十分に発揮されるような
材料を選択するのが通常であり、例えば、キャパシタを
形成する部分には高誘電率の誘電体セラミック層を、そ
の他の部分には低誘電率の絶縁性セラミック基板（特に
低温焼結セラミック基板）をそれぞれ設けることが有効
である。
【０００８】低誘電率の絶縁性セラミック基板に用いる
材料としては、内蔵されるキャパシタやインダクタ等の
素子間に発生する浮遊容量、配線間の結合容量などの電
気特性を劣化させる要因を少なく抑える必要があるた
め、また、高周波用途で用いる場合は比誘電率εｒが低
いほど有利であるため、εｒ≦１０の材料を用いるのが
一般的である。
材料としては、内蔵されるキャパシタやインダクタ等の
素子間に発生する浮遊容量、配線間の結合容量などの電
気特性を劣化させる要因を少なく抑える必要があるた
め、また、高周波用途で用いる場合は比誘電率εｒが低
いほど有利であるため、εｒ≦１０の材料を用いるのが
一般的である。
【０００９】一方、高誘電率の誘電体セラミック層に用
いる材料として、本出願人は、特公昭５６−８２５０１
号公報において、 一般式：ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ
3/2 と表したとき（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を示
し、０≦ｍ≦１．０である。）、ｘ、ｙ及びｚが
いる材料として、本出願人は、特公昭５６−８２５０１
号公報において、 一般式：ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ
3/2 と表したとき（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を示
し、０≦ｍ≦１．０である。）、ｘ、ｙ及びｚが
【表３】 で示される各点ａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれるモル比組成
を有するマイクロ波用誘電体セラミック材料を提案して
いる。この誘電体セラミック材料は、高いＱ値を有する
と共に２０００以上の極めて高い比誘電率を示し、ま
た、ランタノイド系元素の添加量を変化させることによ
って静電容量の温度特性を任意に調節可能である等の利
点を有している。
を有するマイクロ波用誘電体セラミック材料を提案して
いる。この誘電体セラミック材料は、高いＱ値を有する
と共に２０００以上の極めて高い比誘電率を示し、ま
た、ランタノイド系元素の添加量を変化させることによ
って静電容量の温度特性を任意に調節可能である等の利
点を有している。
【００１０】しかしながら、この誘電体セラミック材料
を用いてセラミック多層基板を形成する場合、この誘電
体セラミック材料は１３００〜１４００℃とその焼結温
度が高いため、銅や銀等の比抵抗の小さな低融点金属と
同時焼結が困難であり、また、絶縁性セラミック基板
（特に低温焼結セラミック基板）との接着性に乏しいの
で、得られたセラミック多層基板の強度が低下すること
がある。
を用いてセラミック多層基板を形成する場合、この誘電
体セラミック材料は１３００〜１４００℃とその焼結温
度が高いため、銅や銀等の比抵抗の小さな低融点金属と
同時焼結が困難であり、また、絶縁性セラミック基板
（特に低温焼結セラミック基板）との接着性に乏しいの
で、得られたセラミック多層基板の強度が低下すること
がある。
【００１１】さらに、誘電体セラミック材料の焼結温度
を低下させる目的でガラス成分を添加すると、ガラス成
分の種類や含有量によっては、アルミナ基板等と比較し
て、著しく基板強度が低くなったり、基板強度が高くて
も電気特性が低下すること等があった。特に、基板強度
を重視した場合は、その比誘電率が小さくなって基板内
に大きな容量を持つキャパシタを内蔵することが難しく
なり、また、内蔵できたとしても、キャパシタの占める
電極面積が大きくなって、基板の小型化、高密度実装化
に対して不利であった。一方、電気特性を重視した場合
は、基板強度が低くなってしまい、半導体デバイス等の
実装基板用途としては不適当になることがあった。
を低下させる目的でガラス成分を添加すると、ガラス成
分の種類や含有量によっては、アルミナ基板等と比較し
て、著しく基板強度が低くなったり、基板強度が高くて
も電気特性が低下すること等があった。特に、基板強度
を重視した場合は、その比誘電率が小さくなって基板内
に大きな容量を持つキャパシタを内蔵することが難しく
なり、また、内蔵できたとしても、キャパシタの占める
電極面積が大きくなって、基板の小型化、高密度実装化
に対して不利であった。一方、電気特性を重視した場合
は、基板強度が低くなってしまい、半導体デバイス等の
実装基板用途としては不適当になることがあった。
【００１２】本発明は、上述した従来の問題点を解決す
るものであり、その目的は、焼結温度が低く、電気特性
等に優れ、焼結後の強度が高い誘電体セラミック組成
物、並びに、低温焼結可能で、高周波特性に優れ、基板
強度の高いセラミック多層基板を提供することにある。
るものであり、その目的は、焼結温度が低く、電気特性
等に優れ、焼結後の強度が高い誘電体セラミック組成
物、並びに、低温焼結可能で、高周波特性に優れ、基板
強度の高いセラミック多層基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ＢａＯ
−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2（但し、Ｍｅはラン
タノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０である。）で表
される誘電体セラミック成分に、酸化バリウム、酸化ケ
イ素及び酸化ホウ素からなるガラス成分を混合し、これ
を焼成してなることを特徴とする誘電体セラミック組成
物に係るものである。
−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2（但し、Ｍｅはラン
タノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０である。）で表
される誘電体セラミック成分に、酸化バリウム、酸化ケ
イ素及び酸化ホウ素からなるガラス成分を混合し、これ
を焼成してなることを特徴とする誘電体セラミック組成
物に係るものである。
【００１４】本発明の誘電体セラミック組成物におい
て、前記ガラス成分は、酸化バリウムを２０．０〜６
５．０モル％、酸化ケイ素を５．０〜５０．０モル％、
及び、酸化ホウ素を１０．０〜５０．０モル％混合して
なることを特徴とする。
て、前記ガラス成分は、酸化バリウムを２０．０〜６
５．０モル％、酸化ケイ素を５．０〜５０．０モル％、
及び、酸化ホウ素を１０．０〜５０．０モル％混合して
なることを特徴とする。
【００１５】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいては、前記ガラス成分の混合量を、前記誘電体セラ
ミック成分に対して、３．０〜３５．０重量％とするこ
とを特徴とする。
おいては、前記ガラス成分の混合量を、前記誘電体セラ
ミック成分に対して、３．０〜３５．０重量％とするこ
とを特徴とする。
【００１６】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいて、前記誘電体セラミック成分は、これをｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2と表したとき、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ及びｚが下記表
４のａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモル比組成を
有することを特徴とする。
おいて、前記誘電体セラミック成分は、これをｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2と表したとき、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ及びｚが下記表
４のａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモル比組成を
有することを特徴とする。
【００１７】
【表４】
【００１８】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいては、前記誘電体セラミック成分に対して、酸化鉛
が１７重量％以下混合されていることを特徴とする。
おいては、前記誘電体セラミック成分に対して、酸化鉛
が１７重量％以下混合されていることを特徴とする。
【００１９】また、本発明は、低誘電率の絶縁性セラミ
ック層と高誘電率の誘電体セラミック層とを積層してな
るセラミック多層基板において、前記絶縁性セラミック
層は、低温焼結セラミック層であり、前記誘電体セラミ
ック層は、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ
3/2（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を示し、０≦ｍ
≦１．０である。）で表される誘電体セラミック成分
に、前記絶縁性セラミック層中の酸化物無機成分とほぼ
同組成のガラス成分を混合し、これを焼成してなる誘電
体セラミック層であることを特徴とするセラミック多層
基板を提供するものである。
ック層と高誘電率の誘電体セラミック層とを積層してな
るセラミック多層基板において、前記絶縁性セラミック
層は、低温焼結セラミック層であり、前記誘電体セラミ
ック層は、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ
3/2（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を示し、０≦ｍ
≦１．０である。）で表される誘電体セラミック成分
に、前記絶縁性セラミック層中の酸化物無機成分とほぼ
同組成のガラス成分を混合し、これを焼成してなる誘電
体セラミック層であることを特徴とするセラミック多層
基板を提供するものである。
【００２０】本発明のセラミック多層基板において、前
記ガラス成分は、酸化バリウムを２０．０〜６５．０モ
ル％、酸化ケイ素を５．０〜５０．０モル％、及び、酸
化ホウ素を１０．０〜５０．０モル％混合してなること
を特徴とする。
記ガラス成分は、酸化バリウムを２０．０〜６５．０モ
ル％、酸化ケイ素を５．０〜５０．０モル％、及び、酸
化ホウ素を１０．０〜５０．０モル％混合してなること
を特徴とする。
【００２１】また、本発明のセラミック多層基板におい
ては、前記ガラス成分の含有量を、前記誘電体セラミッ
ク成分に対して、３．０〜３５．０重量％とすることを
特徴とする。
ては、前記ガラス成分の含有量を、前記誘電体セラミッ
ク成分に対して、３．０〜３５．０重量％とすることを
特徴とする。
【００２２】また、本発明のセラミック多層基板におい
て、前記誘電体セラミック成分は、これをｘＢａＯ−ｙ
ＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2と表したとき、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ及びｚが下記表５の
ａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモル比組成を有す
ることを特徴とする。
て、前記誘電体セラミック成分は、これをｘＢａＯ−ｙ
ＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2と表したとき、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ及びｚが下記表５の
ａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモル比組成を有す
ることを特徴とする。
【００２３】
【表５】
【００２４】また、本発明のセラミック多層基板におい
ては、前記誘電体セラミック成分に対して、酸化鉛が１
７重量％以下混合されていることを特徴とする。
ては、前記誘電体セラミック成分に対して、酸化鉛が１
７重量％以下混合されていることを特徴とする。
【００２５】また、本発明のセラミック多層基板におい
て、前記低温焼結セラミック層は、酸化バリウム、酸化
アルミニウム及び酸化ケイ素からなるガラスセラミック
複合材料を焼成してなることを特徴とする。
て、前記低温焼結セラミック層は、酸化バリウム、酸化
アルミニウム及び酸化ケイ素からなるガラスセラミック
複合材料を焼成してなることを特徴とする。
【００２６】また、本発明のセラミック多層基板におい
て、前記セラミック多層基板は、前記絶縁性セラミック
層用のグリーンシートと、前記誘電体セラミック層用の
グリーンシートとを積層し、これを一括焼成してなるこ
とを特徴とする。
て、前記セラミック多層基板は、前記絶縁性セラミック
層用のグリーンシートと、前記誘電体セラミック層用の
グリーンシートとを積層し、これを一括焼成してなるこ
とを特徴とする。
【００２７】また、本発明のセラミック多層基板におい
て、前記セラミック多層基板は、前記絶縁性セラミック
層用のグリーンシートと、前記誘電体セラミック層用の
厚膜印刷物とを積層し、これを一括焼成してなることを
特徴とする。
て、前記セラミック多層基板は、前記絶縁性セラミック
層用のグリーンシートと、前記誘電体セラミック層用の
厚膜印刷物とを積層し、これを一括焼成してなることを
特徴とする。
【００２８】また、本発明のセラミック多層基板におい
て、前記セラミック多層基板は銅系の導体パターンを備
えることを特徴とする。
て、前記セラミック多層基板は銅系の導体パターンを備
えることを特徴とする。
【００２９】本発明の誘電体セラミック組成物によれ
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅ m）Ｏ3/2（但し、
Ｍｅはランタノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０であ
る。以下、同様）で表される誘電体セラミック成分に、
酸化バリウム、酸化ケイ素及び酸化ホウ素からなるガラ
ス成分を混合、焼成してなるので、誘電体セラミック成
分の高い比誘電率や高いＱ値、さらには優れた温度特性
を保持することができ、かつ、焼結温度が低く、焼結後
の強度が高い誘電体セラミック組成物を得ることができ
る。
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅ m）Ｏ3/2（但し、
Ｍｅはランタノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０であ
る。以下、同様）で表される誘電体セラミック成分に、
酸化バリウム、酸化ケイ素及び酸化ホウ素からなるガラ
ス成分を混合、焼成してなるので、誘電体セラミック成
分の高い比誘電率や高いＱ値、さらには優れた温度特性
を保持することができ、かつ、焼結温度が低く、焼結後
の強度が高い誘電体セラミック組成物を得ることができ
る。
【００３０】また、本発明のセラミック多層基板によれ
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表され
る誘電体セラミック成分に、前記絶縁性セラミック材料
における前記ガラス成分とほぼ同組成のガラス成分を混
合、焼成してなる誘電体セラミック層を備えるので、前
記絶縁性セラミック層と前記誘電体セラミック層との接
合強度が高く、また、前記誘電体セラミック層は、比誘
電率が高く、Ｑ値や温度特性に優れた層になる。従っ
て、低温焼結可能であって、高周波特性に優れ、基板強
度の高いセラミック多層基板を得ることができる。
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表され
る誘電体セラミック成分に、前記絶縁性セラミック材料
における前記ガラス成分とほぼ同組成のガラス成分を混
合、焼成してなる誘電体セラミック層を備えるので、前
記絶縁性セラミック層と前記誘電体セラミック層との接
合強度が高く、また、前記誘電体セラミック層は、比誘
電率が高く、Ｑ値や温度特性に優れた層になる。従っ
て、低温焼結可能であって、高周波特性に優れ、基板強
度の高いセラミック多層基板を得ることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】まず、図１を参照に、本発明によ
る第１の実施の形態を説明する。
る第１の実施の形態を説明する。
【００３２】本実施の形態によるセラミック多層基板１
においては、その一方主面に、厚膜抵抗体６が印刷さ
れ、また、半導体ＩＣやチップコンデンサ等の実装部品
７が搭載されており、そして、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2等のガラスセラミック複合材料からなる絶縁性セラ
ミック層３ａ及び３ｂの間には、本発明の誘電体セラミ
ック組成物を焼結してなる誘電体セラミック層２が設け
られている。
においては、その一方主面に、厚膜抵抗体６が印刷さ
れ、また、半導体ＩＣやチップコンデンサ等の実装部品
７が搭載されており、そして、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2等のガラスセラミック複合材料からなる絶縁性セラ
ミック層３ａ及び３ｂの間には、本発明の誘電体セラミ
ック組成物を焼結してなる誘電体セラミック層２が設け
られている。
【００３３】誘電体セラミック層２には、電極４ａ、電
極４ｂ及び電極４ｃからなるコンデンサが形成されてい
る。電極４ａと電極４ｃとはビアホール５ｂを介して接
続されており、電極４ａと電極４ｂとの間、電極４ｂと
電極４ｃとの間でそれぞれ所定の容量が形成されて、こ
れらの容量の和がコンデンサ全体の容量となっている。
そして、このコンデンサは、ビアホール５ａ及び５ｃを
介して厚膜抵抗体６に接続されている。
極４ｂ及び電極４ｃからなるコンデンサが形成されてい
る。電極４ａと電極４ｃとはビアホール５ｂを介して接
続されており、電極４ａと電極４ｂとの間、電極４ｂと
電極４ｃとの間でそれぞれ所定の容量が形成されて、こ
れらの容量の和がコンデンサ全体の容量となっている。
そして、このコンデンサは、ビアホール５ａ及び５ｃを
介して厚膜抵抗体６に接続されている。
【００３４】同様に、誘電体セラミック層２には、電極
４ｄ、電極４ｅ及び電極４ｆからなるコンデンサが形成
されており、ビアホール５ｆを介して電極４ｄと電極４
ｆが接続され、電極４ｄと電極４ｅとの間、電極４ｅと
電極４ｆとの間でそれぞれ所定の容量が形成されてい
る。そして、このコンデンサは、ビアホール５ｄ及び５
ｅを介して実装部品７に接続されている。
４ｄ、電極４ｅ及び電極４ｆからなるコンデンサが形成
されており、ビアホール５ｆを介して電極４ｄと電極４
ｆが接続され、電極４ｄと電極４ｅとの間、電極４ｅと
電極４ｆとの間でそれぞれ所定の容量が形成されてい
る。そして、このコンデンサは、ビアホール５ｄ及び５
ｅを介して実装部品７に接続されている。
【００３５】このように、セラミック多層基板１におい
ては、セラミック多層基板１内にコンデンサが形成され
ているので、実装部品の点数を減らして基板表面を有効
に活用することができ、また、コンデンサを形成する電
極間に高誘電率の誘電体セラミック層２が挟み込まれて
いるので、比較的小さな電極パターンで大容量のコンデ
ンサを形成できる。
ては、セラミック多層基板１内にコンデンサが形成され
ているので、実装部品の点数を減らして基板表面を有効
に活用することができ、また、コンデンサを形成する電
極間に高誘電率の誘電体セラミック層２が挟み込まれて
いるので、比較的小さな電極パターンで大容量のコンデ
ンサを形成できる。
【００３６】さらに、セラミック多層基板１において、
誘電体セラミック層２は、絶縁性セラミック層３ａ及び
３ｂにおける酸化物無機成分とほぼ同組成のガラス成分
（ここでは酸化バリウム及び酸化ケイ素）を含んでいる
ので、絶縁性セラミック層３ａ及び３ｂと誘電体セラミ
ック層２との接着強度が高く、また、各層の構成成分の
相互拡散による基板特性の変動が抑えられる。さらに、
誘電体セラミック層２は、本発明の誘電体セラミック組
成物からなるので、高い比誘電率、高いＱ値を有し、か
つ、静電容量の温度係数が任意に調節可能である。つま
り、セラミック多層基板１は、高い信頼性と優れた電気
特性とを両立した基板となる。
誘電体セラミック層２は、絶縁性セラミック層３ａ及び
３ｂにおける酸化物無機成分とほぼ同組成のガラス成分
（ここでは酸化バリウム及び酸化ケイ素）を含んでいる
ので、絶縁性セラミック層３ａ及び３ｂと誘電体セラミ
ック層２との接着強度が高く、また、各層の構成成分の
相互拡散による基板特性の変動が抑えられる。さらに、
誘電体セラミック層２は、本発明の誘電体セラミック組
成物からなるので、高い比誘電率、高いＱ値を有し、か
つ、静電容量の温度係数が任意に調節可能である。つま
り、セラミック多層基板１は、高い信頼性と優れた電気
特性とを両立した基板となる。
【００３７】次に、図２を参照に、本発明による第２の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００３８】セラミック多層基板１１は、その一方主面
に、チップ抵抗体や半導体デバイス等の実装部品７を搭
載してなり、また、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2等のガ
ラスセラミック複合材料からなる絶縁性セラミック層１
３内であって、電極１４ａと電極１４ｂとの間、及び、
電極１４ｃと電極１４ｄとの間には、本発明の誘電体セ
ラミック組成物からなる誘電体セラミック層１２ａ及び
１２ｂが厚膜印刷物としてそれぞれ設けられている。
に、チップ抵抗体や半導体デバイス等の実装部品７を搭
載してなり、また、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2等のガ
ラスセラミック複合材料からなる絶縁性セラミック層１
３内であって、電極１４ａと電極１４ｂとの間、及び、
電極１４ｃと電極１４ｄとの間には、本発明の誘電体セ
ラミック組成物からなる誘電体セラミック層１２ａ及び
１２ｂが厚膜印刷物としてそれぞれ設けられている。
【００３９】そして、電極１４ａ、電極１４ｂ、及び、
これらの電極間に設けられた誘電体セラミック層１２ａ
によってコンデンサが形成されており、同様に、電極１
４ｃ、電極１４ｄ、及び、誘電体セラミック層１２ｂに
よってコンデンサが形成されている。そして、電極１４
ａ及び電極１４ｂによって形成されるコンデンサは、一
方で、ビアホール１５ａを介して実装部品７に接続さ
れ、他方で、ビアホール１５ｂを介して、ストリップラ
イン１８に接続されている。また、電極１４ｃ及び電極
１４ｄによって形成されるコンデンサは、一方で、ビア
ホール１５ｃ及び線路導体１６を介して実装部品７に接
続されており、他方で、ビアホール１５ｄを介してグラ
ンド導体１７に接続されている。
これらの電極間に設けられた誘電体セラミック層１２ａ
によってコンデンサが形成されており、同様に、電極１
４ｃ、電極１４ｄ、及び、誘電体セラミック層１２ｂに
よってコンデンサが形成されている。そして、電極１４
ａ及び電極１４ｂによって形成されるコンデンサは、一
方で、ビアホール１５ａを介して実装部品７に接続さ
れ、他方で、ビアホール１５ｂを介して、ストリップラ
イン１８に接続されている。また、電極１４ｃ及び電極
１４ｄによって形成されるコンデンサは、一方で、ビア
ホール１５ｃ及び線路導体１６を介して実装部品７に接
続されており、他方で、ビアホール１５ｄを介してグラ
ンド導体１７に接続されている。
【００４０】このように、セラミック多層基板１１にお
いては、セラミック多層基板内にコンデンサが形成され
ているので、実装部品の点数を減らして基板表面を有効
に活用することができ、また、コンデンサを形成する電
極間には高誘電率の誘電体セラミック層１２ａ及び１２
ｂが挟み込まれているので、比較的小さな電極パターン
で大容量のコンデンサを形成できる。
いては、セラミック多層基板内にコンデンサが形成され
ているので、実装部品の点数を減らして基板表面を有効
に活用することができ、また、コンデンサを形成する電
極間には高誘電率の誘電体セラミック層１２ａ及び１２
ｂが挟み込まれているので、比較的小さな電極パターン
で大容量のコンデンサを形成できる。
【００４１】さらに、セラミック多層基板１１において
は、誘電体セラミック層１２ａ及び１２ｂの構成材料
は、絶縁性セラミック層１３における酸化物無機成分と
ほぼ同組成のガラス成分（ここでは酸化バリウム及び酸
化ケイ素）を含んでいるので、絶縁性セラミック層１３
と誘電体セラミック層１２ａ及び１２ｂとの接着強度が
高く、また、各層の構成成分の相互拡散による基板特性
の変動が抑えられる。さらに、誘電体セラミック層１２
ａ及び１２ｂは、本発明の誘電体セラミック組成物で形
成されているので、高い比誘電率及び高いＱ値を有して
おり、かつ、静電容量の温度係数が任意に調節可能であ
る。つまり、セラミック多層基板１１は、高い信頼性と
優れた電気特性とを両立した基板となる。
は、誘電体セラミック層１２ａ及び１２ｂの構成材料
は、絶縁性セラミック層１３における酸化物無機成分と
ほぼ同組成のガラス成分（ここでは酸化バリウム及び酸
化ケイ素）を含んでいるので、絶縁性セラミック層１３
と誘電体セラミック層１２ａ及び１２ｂとの接着強度が
高く、また、各層の構成成分の相互拡散による基板特性
の変動が抑えられる。さらに、誘電体セラミック層１２
ａ及び１２ｂは、本発明の誘電体セラミック組成物で形
成されているので、高い比誘電率及び高いＱ値を有して
おり、かつ、静電容量の温度係数が任意に調節可能であ
る。つまり、セラミック多層基板１１は、高い信頼性と
優れた電気特性とを両立した基板となる。
【００４２】次に、上述した第1の実施の形態によるセ
ラミック多層基板の作製方法例を説明する。
ラミック多層基板の作製方法例を説明する。
【００４３】まず、絶縁性セラミック層用の材料とし
て、Ａｌ2Ｏ3を主成分とするセラミック原料粉末と、Ｂ
ａＯ、ＳｉＯ2を主原料とするガラス粉末とを用意した
後、アルミナ１００重量部に対してガラス粉末２０〜３
０重量部を添加し、これを混合する。必要に応じて、混
合前の前記主原料を８００〜１１００℃程度で仮焼して
よい。
て、Ａｌ2Ｏ3を主成分とするセラミック原料粉末と、Ｂ
ａＯ、ＳｉＯ2を主原料とするガラス粉末とを用意した
後、アルミナ１００重量部に対してガラス粉末２０〜３
０重量部を添加し、これを混合する。必要に応じて、混
合前の前記主原料を８００〜１１００℃程度で仮焼して
よい。
【００４４】なお、絶縁性セラミック層用の材料は、例
えば、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＣａＺｒＯ3、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8
などのセラミック原料粉末にＢａＯやＳｉＯ2等を含む
ガラス粉末を添加したものや、ＢａＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2を主成分としたものを用いてもよい。例えば、Ｂ2Ｏ
3−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2を主成分とする原料粉末
を使用する場合は、これを混合した後、８００〜１００
０℃で仮焼しておくことが望ましい。
えば、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＣａＺｒＯ3、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8
などのセラミック原料粉末にＢａＯやＳｉＯ2等を含む
ガラス粉末を添加したものや、ＢａＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2を主成分としたものを用いてもよい。例えば、Ｂ2Ｏ
3−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2を主成分とする原料粉末
を使用する場合は、これを混合した後、８００〜１００
０℃で仮焼しておくことが望ましい。
【００４５】次いで、得られたセラミック原料粉末に、
バインダー、分散剤、可塑剤、有機溶媒等を適量添加
し、これらを混合することによって、有機スラリーを調
製する。これを、ドクターブレード法等によってシート
状に成形し、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2からなるガラ
スセラミック複合材料の絶縁性セラミック層用グリーン
シートを得る。
バインダー、分散剤、可塑剤、有機溶媒等を適量添加
し、これらを混合することによって、有機スラリーを調
製する。これを、ドクターブレード法等によってシート
状に成形し、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2からなるガラ
スセラミック複合材料の絶縁性セラミック層用グリーン
シートを得る。
【００４６】次いで、これとは別に、高誘電率の誘電体
セラミック層用の材料として、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎ
ｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表される誘電体セラミック材料成
分を用意し１０００℃、１時間以上仮焼する。
セラミック層用の材料として、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎ
ｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表される誘電体セラミック材料成
分を用意し１０００℃、１時間以上仮焼する。
【００４７】続いて、得られた仮焼原料を粉砕した後、
この仮焼原料と、酸化バリウム：２０．０〜６５．０モ
ル％、酸化ケイ素：５．０〜５０．０モル％、酸化ホウ
素：１０．０〜５０．０モル％を混合してなるガラス成
分３．０〜３５．０重量％とを混合した後、有機ビヒク
ル、分散剤、可塑剤、有機溶媒等を適量添加し、これら
を混合することにより、有機スラリーを調製する。そし
て、これをドクターブレード法等によってシート状に成
形し、誘電体セラミック層用グリーンシートを得る。
この仮焼原料と、酸化バリウム：２０．０〜６５．０モ
ル％、酸化ケイ素：５．０〜５０．０モル％、酸化ホウ
素：１０．０〜５０．０モル％を混合してなるガラス成
分３．０〜３５．０重量％とを混合した後、有機ビヒク
ル、分散剤、可塑剤、有機溶媒等を適量添加し、これら
を混合することにより、有機スラリーを調製する。そし
て、これをドクターブレード法等によってシート状に成
形し、誘電体セラミック層用グリーンシートを得る。
【００４８】このようにして得られた絶縁性セラミック
層用グリーンシートと誘電体セラミック層用グリーンシ
ートとに必要に応じてビアホール用孔を開け、ビアホー
ル用孔中に、銅等の電極ペーストや電極粉を充填してビ
アホールを形成する。さらに、各グリーンシートに所定
パターンのコンデンサや配線パターンが形成されるよう
に銅等の電極ペーストを印刷して、誘電体セラミック層
用グリーンシートと、絶縁性セラミック層用グリーンシ
ートとを積み重ねる。
層用グリーンシートと誘電体セラミック層用グリーンシ
ートとに必要に応じてビアホール用孔を開け、ビアホー
ル用孔中に、銅等の電極ペーストや電極粉を充填してビ
アホールを形成する。さらに、各グリーンシートに所定
パターンのコンデンサや配線パターンが形成されるよう
に銅等の電極ペーストを印刷して、誘電体セラミック層
用グリーンシートと、絶縁性セラミック層用グリーンシ
ートとを積み重ねる。
【００４９】この後、積み重ねたグリーンシートをプレ
スし、積層体ブロックを形成する。必要に応じて、作製
した積層体ブロックを適当な大きさに切断したり、溝を
形成したりしてもよい。そして、この積層体ブロックを
還元性雰囲気中、１０００℃以下で焼結すれば、、図１
に示したようなコンデンサを内蔵したセラミック多層基
板が１得られる。
スし、積層体ブロックを形成する。必要に応じて、作製
した積層体ブロックを適当な大きさに切断したり、溝を
形成したりしてもよい。そして、この積層体ブロックを
還元性雰囲気中、１０００℃以下で焼結すれば、、図１
に示したようなコンデンサを内蔵したセラミック多層基
板が１得られる。
【００５０】なお、誘電体セラミック層は、上述したよ
うに、グリーンシートに成形し、これをセラミック多層
基板に内蔵することによって形成してもよいが、誘電体
セラミック層用の粉体を有機ビヒクル、有機溶剤、可塑
剤等に混合することによってペースト化し、得られた誘
電体ペーストを必要な部分に厚膜印刷することにより、
厚膜印刷物として誘電体セラミック層を形成してもよい
（図２参照）。この場合も、誘電体セラミック層の形成
後に、グリーンシートを積み重ね、プレス、カット、焼
結等の工程を経てセラミック多層基板を作製できる。
うに、グリーンシートに成形し、これをセラミック多層
基板に内蔵することによって形成してもよいが、誘電体
セラミック層用の粉体を有機ビヒクル、有機溶剤、可塑
剤等に混合することによってペースト化し、得られた誘
電体ペーストを必要な部分に厚膜印刷することにより、
厚膜印刷物として誘電体セラミック層を形成してもよい
（図２参照）。この場合も、誘電体セラミック層の形成
後に、グリーンシートを積み重ね、プレス、カット、焼
結等の工程を経てセラミック多層基板を作製できる。
【００５１】次に、本発明のセラミック多層基板をさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【００５２】本発明のセラミック多層基板においては、
前記ガラス成分として、酸化バリウム、酸化ケイ素及び
酸化ホウ素を混合してなるガラス成分を用いることが望
ましい。すなわち、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭ
ｅm）Ｏ3/2で表される誘電体セラミック成分に対して、
ＢａＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス成分を用いることに
よって、誘電体セラミック成分の各種特性を良好に維持
し、電気特性に優れたセラミック多層基板が得られる。
前記ガラス成分として、酸化バリウム、酸化ケイ素及び
酸化ホウ素を混合してなるガラス成分を用いることが望
ましい。すなわち、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭ
ｅm）Ｏ3/2で表される誘電体セラミック成分に対して、
ＢａＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス成分を用いることに
よって、誘電体セラミック成分の各種特性を良好に維持
し、電気特性に優れたセラミック多層基板が得られる。
【００５３】また、酸化バリウム、酸化ケイ素及び酸化
ホウ素を混合してなるガラス成分は、特にＢａＯ−Ａｌ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料からなる低温焼結セラミック材料
の構成成分とほぼ同組成の酸化物無機成分であるので、
絶縁性セラミック材料からなる絶縁性セラミック基板と
誘電体セラミック材料からなる誘電体セラミック層とが
良好に接合し、高い基板強度を有するセラミック多層基
板が得られる。
ホウ素を混合してなるガラス成分は、特にＢａＯ−Ａｌ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料からなる低温焼結セラミック材料
の構成成分とほぼ同組成の酸化物無機成分であるので、
絶縁性セラミック材料からなる絶縁性セラミック基板と
誘電体セラミック材料からなる誘電体セラミック層とが
良好に接合し、高い基板強度を有するセラミック多層基
板が得られる。
【００５４】特に、本発明のセラミック多層基板及び本
発明の誘電体セラミック組成物においては、図３に示す
ように、酸化バリウムをＢａＯ換算で２０．０〜５５．
０モル％、酸化ケイ素をＳｉＯ2換算で５．０〜５０．
０モル％、及び、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3換算でを１０．０
〜５０．０モル％混合してなるガラス成分を用いること
が望ましい。このようなモル比組成のガラス成分を用い
れば、特に、Ｑ値が１５００以上、比誘電率が３５以
上、静電容量の温度係数Ｔｃｃが±１５０ｐｐｍ以内の
優れた電気特性を達成した誘電体セラミック層を形成で
きる。
発明の誘電体セラミック組成物においては、図３に示す
ように、酸化バリウムをＢａＯ換算で２０．０〜５５．
０モル％、酸化ケイ素をＳｉＯ2換算で５．０〜５０．
０モル％、及び、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3換算でを１０．０
〜５０．０モル％混合してなるガラス成分を用いること
が望ましい。このようなモル比組成のガラス成分を用い
れば、特に、Ｑ値が１５００以上、比誘電率が３５以
上、静電容量の温度係数Ｔｃｃが±１５０ｐｐｍ以内の
優れた電気特性を達成した誘電体セラミック層を形成で
きる。
【００５５】また、前記ガラス成分の含有量が、ＢａＯ
−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表される誘電体セ
ラミック材料に対して、３．０〜３５．０重量％の範囲
内とすると、強度、Ｑ値、比誘電率、及び、静電容量の
温度係数のバランスが優たものとなる。なお、ガラス成
分の含有量が３．０重量％未満であると、高い基板強度
が得られるものの焼結温度が高くなる傾向にあり、他
方、ガラス成分の含有量が３５．０重量％を超えると、
焼結温度が低くなるものの基板強度が小さくなる傾向に
ある。
−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表される誘電体セ
ラミック材料に対して、３．０〜３５．０重量％の範囲
内とすると、強度、Ｑ値、比誘電率、及び、静電容量の
温度係数のバランスが優たものとなる。なお、ガラス成
分の含有量が３．０重量％未満であると、高い基板強度
が得られるものの焼結温度が高くなる傾向にあり、他
方、ガラス成分の含有量が３５．０重量％を超えると、
焼結温度が低くなるものの基板強度が小さくなる傾向に
ある。
【００５６】また、本発明において、前記ＢａＯ−Ｔｉ
Ｏ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表される前記誘電体セラ
ミック成分は、これを ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2 と表したとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ
及びｚが表１のａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモ
ル比組成を有していることが望ましい。このｘ、ｙ及び
ｚのモル比組成を図４に示す。図４において、領域Ａで
は、焼結が困難になり、緻密な焼結体を形成することが
困難である。また、領域Ｂでは、温度特性がプラス側に
大きくなりすぎる傾向がある。また、領域Ｃでは、温度
特性がプラス側に大きくなりすぎる傾向があると共に、
焼結が不安定になることがある。さらに領域Ｄでは、温
度特性がマイナス側に大きくなり易い。なお、ａ、ｂ、
ｃ及びｄで囲まれる領域は、その線上も含む領域であ
る。
Ｏ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2で表される前記誘電体セラ
ミック成分は、これを ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2 と表したとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ
及びｚが表１のａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモ
ル比組成を有していることが望ましい。このｘ、ｙ及び
ｚのモル比組成を図４に示す。図４において、領域Ａで
は、焼結が困難になり、緻密な焼結体を形成することが
困難である。また、領域Ｂでは、温度特性がプラス側に
大きくなりすぎる傾向がある。また、領域Ｃでは、温度
特性がプラス側に大きくなりすぎる傾向があると共に、
焼結が不安定になることがある。さらに領域Ｄでは、温
度特性がマイナス側に大きくなり易い。なお、ａ、ｂ、
ｃ及びｄで囲まれる領域は、その線上も含む領域であ
る。
【００５７】また、本発明においては、前記誘電体セラ
ミック成分に対して、酸化鉛がＰｂＯ換算で１７重量％
以下混合されていることが望ましい。ＰｂＯの添加量が
増えるほど比誘電率が増加する傾向にあり、かつ、温度
特性をマイナス側にシフトさせることができる。但し、
その混合量が１７重量％を超えると、焼結が不安定にな
る傾向がある。
ミック成分に対して、酸化鉛がＰｂＯ換算で１７重量％
以下混合されていることが望ましい。ＰｂＯの添加量が
増えるほど比誘電率が増加する傾向にあり、かつ、温度
特性をマイナス側にシフトさせることができる。但し、
その混合量が１７重量％を超えると、焼結が不安定にな
る傾向がある。
【００５８】また、本発明においては、ＢａＯ−Ａｌ2
Ｏ3−ＳｉＯ2からなる低温焼結セラミック材料を用いれ
ば、セラミック多層基板内に比抵抗の小さな銅系等の低
融点金属を配し、これを還元性雰囲気中で共焼結（同時
焼成）することが可能なことから、高周波特性に優れた
セラミック多層基板を形成できる。また、この低温焼結
セラミック材料は、上述したように、酸化バリウム、酸
化ケイ素及び酸化ホウ素を混合してなるガラス成分とほ
ぼ同組成の酸化物無機成分からなるので、絶縁性セラミ
ック材料層と誘電体セラミック材料層との相性が良く、
したがって、前述の誘電体セラミック層との接着強度が
高く、基板特性の変動が少ない。
Ｏ3−ＳｉＯ2からなる低温焼結セラミック材料を用いれ
ば、セラミック多層基板内に比抵抗の小さな銅系等の低
融点金属を配し、これを還元性雰囲気中で共焼結（同時
焼成）することが可能なことから、高周波特性に優れた
セラミック多層基板を形成できる。また、この低温焼結
セラミック材料は、上述したように、酸化バリウム、酸
化ケイ素及び酸化ホウ素を混合してなるガラス成分とほ
ぼ同組成の酸化物無機成分からなるので、絶縁性セラミ
ック材料層と誘電体セラミック材料層との相性が良く、
したがって、前述の誘電体セラミック層との接着強度が
高く、基板特性の変動が少ない。
【００５９】また、本発明のセラミック多層基板は、銅
系の導体パターンを備えることが望ましい。すなわち、
本発明の誘電体セラミック組成物は、例えば酸化ビスマ
スのように還元性雰囲気で金属化し易い酸化物無機成分
を含んでいないので、還元性雰囲気中での焼成が可能で
あって、比抵抗が極めて小さく、安価な銅系導体材料と
の同時焼成が可能であり、拡散等の問題が少なく安定性
の高いセラミック多層基板を実現できる。また、上述し
たＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2からなる低温焼結セラミ
ック材料も還元性雰囲気中での焼成が可能であるため、
還元性雰囲気中での一括焼成によって製造できる。
系の導体パターンを備えることが望ましい。すなわち、
本発明の誘電体セラミック組成物は、例えば酸化ビスマ
スのように還元性雰囲気で金属化し易い酸化物無機成分
を含んでいないので、還元性雰囲気中での焼成が可能で
あって、比抵抗が極めて小さく、安価な銅系導体材料と
の同時焼成が可能であり、拡散等の問題が少なく安定性
の高いセラミック多層基板を実現できる。また、上述し
たＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2からなる低温焼結セラミ
ック材料も還元性雰囲気中での焼成が可能であるため、
還元性雰囲気中での一括焼成によって製造できる。
【００６０】以上、本発明を実施の形態にしたがって説
明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるも
のではない。
明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるも
のではない。
【００６１】例えば、絶縁性セラミック層の材料はＢａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料に限定されるものではな
く、例えば、ＢａＯ−ＳｒＯ−ＳｉＯ2、ＢａＯ−Ｓｉ
Ｏ2−Ｌｉ2Ｏ等の低温焼結セラミック材料を用いること
も可能である。これらの低温焼結セラミック材料は、前
述したＢａＯ、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からなるガラス成分
とほぼ同組成の酸化物無機成分を含む材料である。
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料に限定されるものではな
く、例えば、ＢａＯ−ＳｒＯ−ＳｉＯ2、ＢａＯ−Ｓｉ
Ｏ2−Ｌｉ2Ｏ等の低温焼結セラミック材料を用いること
も可能である。これらの低温焼結セラミック材料は、前
述したＢａＯ、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からなるガラス成分
とほぼ同組成の酸化物無機成分を含む材料である。
【００６２】また、本発明のセラミック多層基板は、半
導体ＩＣやチップコンデンサ等の実装部品を搭載するた
めの基板として利用するだけでなく、ＬＣフィルタ等の
積層電子部品、さらにはセラミックパッケージ等として
用いることが可能である。また、セラミック多層基板
上、或いはその裏面に抵抗を形成することで、若しく
は、絶縁性セラミック基板内又は誘電体セラミック層内
にチョークコイルやストリップラインを形成すること
で、基板形状のさらなる小型化を達成できる。
導体ＩＣやチップコンデンサ等の実装部品を搭載するた
めの基板として利用するだけでなく、ＬＣフィルタ等の
積層電子部品、さらにはセラミックパッケージ等として
用いることが可能である。また、セラミック多層基板
上、或いはその裏面に抵抗を形成することで、若しく
は、絶縁性セラミック基板内又は誘電体セラミック層内
にチョークコイルやストリップラインを形成すること
で、基板形状のさらなる小型化を達成できる。
【００６３】また、電極パターン、ビアホール、配線パ
ターン等として用いられる導体材料は銅系材料に限定さ
れるものではなく、銀、銀／パラジウム、銀／白金、金
等の低融点金属、さらには、タングステンやモリブデン
等の高融点金属を使用してもよい。
ターン等として用いられる導体材料は銅系材料に限定さ
れるものではなく、銀、銀／パラジウム、銀／白金、金
等の低融点金属、さらには、タングステンやモリブデン
等の高融点金属を使用してもよい。
【００６４】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例について説明
する。
する。
【００６５】まず、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭ
ｅm）Ｏ3/2を下記表６に示した所定量秤量し、空気中、
１０００℃以上、１時間以上で仮焼した。引き続いて、
仮焼後のセラミック原料粉末を粉砕した後、下記表６に
示す比率で混合したＢａＯ、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からな
るガラス成分を所定量加え、さらにバインダー、分散
材、可塑剤、有機溶媒を適量添加、混合して、誘電体セ
ラミック層用の有機スラリーを作製した。
ｅm）Ｏ3/2を下記表６に示した所定量秤量し、空気中、
１０００℃以上、１時間以上で仮焼した。引き続いて、
仮焼後のセラミック原料粉末を粉砕した後、下記表６に
示す比率で混合したＢａＯ、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からな
るガラス成分を所定量加え、さらにバインダー、分散
材、可塑剤、有機溶媒を適量添加、混合して、誘電体セ
ラミック層用の有機スラリーを作製した。
【００６６】
【表６】
【００６７】次いで、これをドクターブレード法に基づ
いてシート状に成形して誘電体基板用セラミックグリー
ンシートを作製した後、このセラミックグリーンシート
を必要な厚さになる分だけ積み重ね、これをプレスし、
適当な形状にカットした。その後、これを還元性雰囲気
中、１０００℃以下で焼結した。そして、得られたシー
ト状の誘電体セラミックの両面に銅電極を付与し、比誘
電率εｒ、Ｑ値、及び、静電容量の温度係数Ｔｃｃをそ
れぞれ測定した。測定結果を下記表７に示す。
いてシート状に成形して誘電体基板用セラミックグリー
ンシートを作製した後、このセラミックグリーンシート
を必要な厚さになる分だけ積み重ね、これをプレスし、
適当な形状にカットした。その後、これを還元性雰囲気
中、１０００℃以下で焼結した。そして、得られたシー
ト状の誘電体セラミックの両面に銅電極を付与し、比誘
電率εｒ、Ｑ値、及び、静電容量の温度係数Ｔｃｃをそ
れぞれ測定した。測定結果を下記表７に示す。
【００６８】また、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料
からなる低温焼結セラミック材料をシート状に成形して
作製したグリーンシートと、前述した誘電体セラミック
用グリーンシートとを積み重ね、図１に示したようなセ
ラミック多層基板を作製し、その基板強度（抗折強度）
及び焼結温度を測定した。基板強度及び焼結温度の測定
結果を下記表７に併せて示す。なお、下記表７における
焼結温度は、焼結体の最も密度の高くなる温度を示し
た。
からなる低温焼結セラミック材料をシート状に成形して
作製したグリーンシートと、前述した誘電体セラミック
用グリーンシートとを積み重ね、図１に示したようなセ
ラミック多層基板を作製し、その基板強度（抗折強度）
及び焼結温度を測定した。基板強度及び焼結温度の測定
結果を下記表７に併せて示す。なお、下記表７における
焼結温度は、焼結体の最も密度の高くなる温度を示し
た。
【００６９】
【表７】
【００７０】表６及び表７から、例８のようにガラス成
分におけるＢａＯの組成比が２０．０モル％以下である
と、Ｑ値がやや小さく、静電容量の温度係数Ｔｃｃもや
やばらつくことがあり、また、セラミック多層基板の焼
結温度が上昇してしまうことが分かった。また、例９の
ように、ガラス成分におけるＢａＯの組成比が６５．０
モル％を超えると、静電容量の温度係数Ｔｃｃがややば
らつき、基板強度は優れるものの焼結温度が上昇する傾
向があった。
分におけるＢａＯの組成比が２０．０モル％以下である
と、Ｑ値がやや小さく、静電容量の温度係数Ｔｃｃもや
やばらつくことがあり、また、セラミック多層基板の焼
結温度が上昇してしまうことが分かった。また、例９の
ように、ガラス成分におけるＢａＯの組成比が６５．０
モル％を超えると、静電容量の温度係数Ｔｃｃがややば
らつき、基板強度は優れるものの焼結温度が上昇する傾
向があった。
【００７１】また、例１０のように、ガラス成分におけ
るＳｉＯ2の組成比が５．０モル％以下であると焼結温
度が上昇する傾向があり、他方、例１１のように、Ｓｉ
Ｏ2の組成比が５０．０モル％を超えると、Ｑ値が小さ
くなり、また、静電容量の温度係数Ｔｃｃが大きくばら
つき、焼結温度が上昇してしまう傾向があった。
るＳｉＯ2の組成比が５．０モル％以下であると焼結温
度が上昇する傾向があり、他方、例１１のように、Ｓｉ
Ｏ2の組成比が５０．０モル％を超えると、Ｑ値が小さ
くなり、また、静電容量の温度係数Ｔｃｃが大きくばら
つき、焼結温度が上昇してしまう傾向があった。
【００７２】また、例１２のように、ガラス成分におけ
るＢ2Ｏ3の組成比が１０．０モル％を下回ると、静電容
量の温度係数が大きくばらつくと共に焼結温度が上昇し
てしまい、他方、例１３のように、Ｂ2Ｏ3の組成比が５
０．０モル％を上回ると、基板強度が小さくなってしま
う傾向にあった。
るＢ2Ｏ3の組成比が１０．０モル％を下回ると、静電容
量の温度係数が大きくばらつくと共に焼結温度が上昇し
てしまい、他方、例１３のように、Ｂ2Ｏ3の組成比が５
０．０モル％を上回ると、基板強度が小さくなってしま
う傾向にあった。
【００７３】さらに、誘電体セラミック成分に対するガ
ラス成分の添加量に関して、例１４から、その添加量が
３．０重量％未満であると焼結温度が上昇してしまい、
他方、例１６から、３５．０重量％を超えると基板強度
が低下してしまう傾向にあることが分かった。
ラス成分の添加量に関して、例１４から、その添加量が
３．０重量％未満であると焼結温度が上昇してしまい、
他方、例１６から、３５．０重量％を超えると基板強度
が低下してしまう傾向にあることが分かった。
【００７４】これに対して、例１〜例７から、ＢａＯ、
ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からなるガラス成分の組成比に関し
て、図３の三成分図に示すように、ＢａＯが２０．０〜
６５．０モル％、ＳｉＯ2が５．０〜５０．０モル％、
Ｂ2Ｏ3が１０．０〜５０．０モル％のときは、高いＱ値
を有し、かつ、比誘電率εｒ及び静電容量の温度係数Ｔ
ｃｃに優れた値を示していると共に、基板強度が高く、
焼結温度が低いといった優れた特性を有していることが
分かる。
ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からなるガラス成分の組成比に関し
て、図３の三成分図に示すように、ＢａＯが２０．０〜
６５．０モル％、ＳｉＯ2が５．０〜５０．０モル％、
Ｂ2Ｏ3が１０．０〜５０．０モル％のときは、高いＱ値
を有し、かつ、比誘電率εｒ及び静電容量の温度係数Ｔ
ｃｃに優れた値を示していると共に、基板強度が高く、
焼結温度が低いといった優れた特性を有していることが
分かる。
【００７５】また、例１４〜例１６に関し、基板強度と
焼結温度とのバランスを考慮すると、誘電体セラミック
材料におけるガラス成分の含有量は３．０〜３５．０重
量％が望ましいと思われる。
焼結温度とのバランスを考慮すると、誘電体セラミック
材料におけるガラス成分の含有量は３．０〜３５．０重
量％が望ましいと思われる。
【００７６】特に、ＢａＯ、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3からな
るガラス成分の組成比が、ＢａＯが２０．０〜６５．０
モル％、ＳｉＯ2が５．０〜５０．０モル％、Ｂ2Ｏ3が
１０．０〜５０．０モル％であって、かつ、誘電体セラ
ミック材料におけるガラス成分の含有量が３．０〜３
５．０重量％のとき、Ｑ値が１５００以上、比誘電率ε
ｒが３５以上の優れた電気特性、静電容量の温度係数Ｔ
ｃｃが±１５０ｐｐｍ以内の優れた温度特性をそれぞれ
示していることが分かる。また、これらの例は、焼結温
度も低いのでＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料からな
る絶縁性セラミック基板及び低融点金属と同時焼結で
き、基板強度にも優れていることが分かる。
るガラス成分の組成比が、ＢａＯが２０．０〜６５．０
モル％、ＳｉＯ2が５．０〜５０．０モル％、Ｂ2Ｏ3が
１０．０〜５０．０モル％であって、かつ、誘電体セラ
ミック材料におけるガラス成分の含有量が３．０〜３
５．０重量％のとき、Ｑ値が１５００以上、比誘電率ε
ｒが３５以上の優れた電気特性、静電容量の温度係数Ｔ
ｃｃが±１５０ｐｐｍ以内の優れた温度特性をそれぞれ
示していることが分かる。また、これらの例は、焼結温
度も低いのでＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料からな
る絶縁性セラミック基板及び低融点金属と同時焼結で
き、基板強度にも優れていることが分かる。
【００７７】以上、本実施例によれば、浮遊容量が発生
すると特性上不利になると思われる部分に誘電率の低い
セラミック材料を用い、大きな容量を必要とする部分に
誘電率の高い誘電体セラミック材料を内蔵することで、
大容量のコンデンサを内蔵することができ、セラミック
多層基板の大幅な小型化、低背化が達成できる。同時
に、必要な部分にのみ誘電率の高い材料を内蔵している
ので、電極間や配線間の浮遊容量を最小限に抑えること
ができる。また、高誘電率の誘電体セラミック層部分を
グリーンシート等にして内蔵する場合、例えば、コンデ
ンサ間の誘電体膜厚を一定にすることができるため、非
常に精度の高い大容量のコンデンサを、必ずしも容量調
節のためのトリミングを行う必要なく、容易に形成でき
る。
すると特性上不利になると思われる部分に誘電率の低い
セラミック材料を用い、大きな容量を必要とする部分に
誘電率の高い誘電体セラミック材料を内蔵することで、
大容量のコンデンサを内蔵することができ、セラミック
多層基板の大幅な小型化、低背化が達成できる。同時
に、必要な部分にのみ誘電率の高い材料を内蔵している
ので、電極間や配線間の浮遊容量を最小限に抑えること
ができる。また、高誘電率の誘電体セラミック層部分を
グリーンシート等にして内蔵する場合、例えば、コンデ
ンサ間の誘電体膜厚を一定にすることができるため、非
常に精度の高い大容量のコンデンサを、必ずしも容量調
節のためのトリミングを行う必要なく、容易に形成でき
る。
【００７８】さらに、低誘電率の絶縁性セラミック基板
と高誘電率の誘電体セラミック層とがほぼ同組成の酸化
物無機成分を含んでいるためにこれらの間の接合が適切
に働き、絶縁性セラミック基板と誘電体セラミック層と
の接着強度が非常に大きくなり、基板強度が大幅に向上
し、基板の安定性に優れる。
と高誘電率の誘電体セラミック層とがほぼ同組成の酸化
物無機成分を含んでいるためにこれらの間の接合が適切
に働き、絶縁性セラミック基板と誘電体セラミック層と
の接着強度が非常に大きくなり、基板強度が大幅に向上
し、基板の安定性に優れる。
【００７９】また、前記誘電体セラミック成分にはラン
タノイド系元素Ｍｅが添加されており、このＭｅは焼結
助剤として作用するため、ガラス成分におけるＳｉＯ2
の割合を比較的多くすることができ、これにより基板強
度の向上が達成できる。
タノイド系元素Ｍｅが添加されており、このＭｅは焼結
助剤として作用するため、ガラス成分におけるＳｉＯ2
の割合を比較的多くすることができ、これにより基板強
度の向上が達成できる。
【００８０】
【発明の効果】本発明の誘電体セラミック組成物によれ
ば、誘電体セラミック成分の高Ｑ値、高誘電率、静電容
量の温度係数などの優れた電気特性を保持することがで
き、また、比較的低温で焼結可能であって、焼結後の強
度が高い誘電体セラミック組成物を得ることができる。
ば、誘電体セラミック成分の高Ｑ値、高誘電率、静電容
量の温度係数などの優れた電気特性を保持することがで
き、また、比較的低温で焼結可能であって、焼結後の強
度が高い誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【００８１】本発明のセラミック多層基板によれば、絶
縁性セラミック層と誘電体セラミック層との接合性が向
上すると共に、高Ｑ値、高誘電率、優れた温度特性を有
する誘電体セラミック層を有するセラミック多層基板を
形成できる。また、このセラミック多層基板は、低温焼
結可能であって、基板強度が高いので、高周波特性及び
信頼性に優れる。
縁性セラミック層と誘電体セラミック層との接合性が向
上すると共に、高Ｑ値、高誘電率、優れた温度特性を有
する誘電体セラミック層を有するセラミック多層基板を
形成できる。また、このセラミック多層基板は、低温焼
結可能であって、基板強度が高いので、高周波特性及び
信頼性に優れる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるセラミック多
層基板の概略断面図である。
層基板の概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態によるセラミック多
層基板の概略断面図である。
層基板の概略断面図である。
【図３】本発明の誘電体セラミック組成物におけるガラ
ス成分の組成範囲を示す三成分図である。
ス成分の組成範囲を示す三成分図である。
【図４】本発明のＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）
Ｏ3/2系誘電体セラミック成分のモル比組成範囲を示す
三成分図である。
Ｏ3/2系誘電体セラミック成分のモル比組成範囲を示す
三成分図である。
１…セラミック多層基板、 ２…誘電体セラミック層、 ３ａ、３ｂ…絶縁性セラミック層、 ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ…電極、 ５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ…ビアホール、 ６、７…表面実装部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA11 AA28 AA29 AA30 AA32 BA09 CA03 5E346 AA12 AA13 AA36 BB01 BB20 CC18 CC21 CC32 DD02 DD07 EE24 EE29 GG04 GG09 HH01 HH06 5G303 AA05 AB06 AB08 AB11 AB12 AB15 BA06 BA12 CA01 CA03 CB01 CB02 CB03 CB22 CB25 CB30 CB35
Claims (14)
- 【請求項１】 ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ
3/2（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を示し、０≦ｍ
≦１．０である。）で表される誘電体セラミック成分
に、酸化バリウム、酸化ケイ素及び酸化ホウ素からなる
ガラス成分を混合し、これを焼成してなることを特徴と
する、誘電体セラミック組成物。 - 【請求項２】 前記ガラス成分は、酸化バリウムを２
０．０〜６５．０モル％、酸化ケイ素を５．０〜５０．
０モル％、及び、酸化ホウ素を１０．０〜５０．０モル
％混合してなることを特徴とする、請求項１に記載の誘
電体セラミック組成物。 - 【請求項３】 前記ガラス成分の混合量を、前記誘電体
セラミック成分に対して、３．０〜３５．０重量％とす
ることを特徴とする、請求項１又は２に記載の誘電体セ
ラミック組成物。 - 【請求項４】 前記誘電体セラミック成分は、これをｘ
ＢａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2と表した
とき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ及びｚが
下記表１のａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモル比
組成を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいず
れかに記載の誘電体セラミック組成物。 【表１】 - 【請求項５】 前記誘電体セラミック成分に対して、酸
化鉛が１７重量％以下混合されていることを特徴とす
る、請求項１乃至４のいずれかに記載の誘電体セラミッ
ク組成物。 - 【請求項６】 低誘電率の絶縁性セラミック層と高誘電
率の誘電体セラミック層とを積層してなるセラミック多
層基板において、 前記絶縁性セラミック層は、低温焼結セラミック層であ
り、 前記誘電体セラミック層は、ＢａＯ−ＴｉＯ2−（Ｎｄ
1-mＭｅm）Ｏ3/2（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を
示し、０≦ｍ≦１．０である。）で表される誘電体セラ
ミック成分に、前記絶縁性セラミック層中の酸化物無機
成分とほぼ同組成のガラス成分を混合し、これを焼成し
てなる誘電体セラミック層であることを特徴とする、セ
ラミック多層基板。 - 【請求項７】 前記ガラス成分は、酸化バリウムを２
０．０〜６５．０モル％、酸化ケイ素を５．０〜５０．
０モル％、及び、酸化ホウ素を１０．０〜５０．０モル
％混合してなることを特徴とする、請求項６に記載のセ
ラミック多層基板。 - 【請求項８】 前記ガラス成分の含有量を、前記誘電体
セラミック成分に対して、３．０〜３５．０重量％とす
ることを特徴とする、請求項６又は７に記載のセラミッ
ク多層基板。 - 【請求項９】 前記誘電体セラミック成分は、これをｘ
ＢａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ（Ｎｄ1-mＭｅm）Ｏ3/2と表した
とき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、かつ、ｘ、ｙ及びｚが
下記表２のａ、ｂ、ｃ及びｄで囲まれる領域内のモル比
組成を有することを特徴とする、請求項６乃至８のいず
れかに記載のセラミック多層基板。 【表２】 - 【請求項１０】 前記誘電体セラミック成分に対して、
酸化鉛が１７重量％以下混合されていることを特徴とす
る、請求項６乃至９のいずれかに記載のセラミック多層
基板。 - 【請求項１１】 前記低温焼結セラミック層は、酸化バ
リウム、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素からなるガラ
スセラミック複合材料を焼成してなることを特徴とす
る、請求項６乃至１０のいずれかに記載のセラミック多
層基板。 - 【請求項１２】 前記セラミック多層基板は、前記絶縁
性セラミック層用のグリーンシートと、前記誘電体セラ
ミック層用のグリーンシートとを積層し、これを一括焼
成してなることを特徴とする、請求項６乃至１１のいず
れかに記載のセラミック多層基板。 - 【請求項１３】 前記セラミック多層基板は、前記絶縁
性セラミック層用のグリーンシートと、前記誘電体セラ
ミック層用の厚膜印刷物とを積層し、これを一括焼成し
てなることを特徴とする、請求項６乃至１１のいずれか
に記載のセラミック多層基板。 - 【請求項１４】 前記セラミック多層基板は銅系の導体
パターンを備えることを特徴とする、請求項６乃至１３
のいずれかに記載のセラミック多層基板。
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