JP2000281993A - 半導体ウエハ加工用粘着シート - Google Patents
半導体ウエハ加工用粘着シートInfo
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに対して優れた粘着力を示し、
かつ耐チッピング特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエ
ハへの糊残りが少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを
提供すること。 【解決手段】 紫外線及び/又は電子線に対し透過性を
有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物
と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布して
なる半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、粘着剤層
がベースポリマー100重量部に対してアクリロイル基
を5〜6個有する放射線重合性化合物が5〜50重量部
含有されており、保持力がJISZ0237において3
600秒後のズレの距離が5mm以下であり、且つ、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上である半導体ウエハ加工用粘着シート。
かつ耐チッピング特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエ
ハへの糊残りが少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを
提供すること。 【解決手段】 紫外線及び/又は電子線に対し透過性を
有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物
と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布して
なる半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、粘着剤層
がベースポリマー100重量部に対してアクリロイル基
を5〜6個有する放射線重合性化合物が5〜50重量部
含有されており、保持力がJISZ0237において3
600秒後のズレの距離が5mm以下であり、且つ、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上である半導体ウエハ加工用粘着シート。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基材と粘着剤層と
を備える半導体ウエハ加工用粘着シートに関するもので
ある。
を備える半導体ウエハ加工用粘着シートに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハに貼着し、ダイシン
グ、エキスパンティング等を行い、次いで該半導体ウエ
ハをピックアップすると同時にマウンティングする際に
用いる半導体ウエハ加工用シートとして、紫外線及び/
又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び/
又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布さ
れた粘着シートを用い、ダイシング後に紫外線及び/又
は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応
をさせ、粘着力を低下せしめて半導体ウエハ(チップ)
をピックアップする方法が知られている。例えば、特開
昭60−196956号公報、特開昭60−22313
9号公報には、粘着剤層を構成する光重合性化合物とし
て、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等の
分子内に紫外線及び/又は電子線重合性炭素−炭素二重
結合を少なくとも2個以上有するアクリル樹脂系化合物
を用いることが提案されている。
グ、エキスパンティング等を行い、次いで該半導体ウエ
ハをピックアップすると同時にマウンティングする際に
用いる半導体ウエハ加工用シートとして、紫外線及び/
又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び/
又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布さ
れた粘着シートを用い、ダイシング後に紫外線及び/又
は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応
をさせ、粘着力を低下せしめて半導体ウエハ(チップ)
をピックアップする方法が知られている。例えば、特開
昭60−196956号公報、特開昭60−22313
9号公報には、粘着剤層を構成する光重合性化合物とし
て、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等の
分子内に紫外線及び/又は電子線重合性炭素−炭素二重
結合を少なくとも2個以上有するアクリル樹脂系化合物
を用いることが提案されている。
【0003】しかしながら、前記の化合物を用いた粘着
剤層では、化合物の粘度が低いため層全体の粘度が低下
し凝集力が不十分となり、ダイシングジ時にチップの位
置ズレや浮きが生じやすく、その結果チッピング(チッ
プ欠け)やチップ飛びが発生しやすくなるという欠点が
ある。ここで凝集力とは粘着剤層中の分子同士の寄り集
まろうとする力であり、外部応力による塑性変形に対す
る抵抗力である。通常JISZ0237保持力で評価さ
れる。
剤層では、化合物の粘度が低いため層全体の粘度が低下
し凝集力が不十分となり、ダイシングジ時にチップの位
置ズレや浮きが生じやすく、その結果チッピング(チッ
プ欠け)やチップ飛びが発生しやすくなるという欠点が
ある。ここで凝集力とは粘着剤層中の分子同士の寄り集
まろうとする力であり、外部応力による塑性変形に対す
る抵抗力である。通常JISZ0237保持力で評価さ
れる。
【0004】特開昭62−153376号公報には、分
子量3000〜10000程度の多官能ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを使用することが提案されている
が、このような範囲の分子量を持つ多官能ウレタンアク
リレート系オリゴマーを使用した粘着剤層では、ダイシ
ングラインの粘着剤が剥離脱落してチップを汚染した
り、粘着剤層の凝集力が不十分であるため、ダイシング
時のチッピング、チップ飛散という問題が発生しやすい
という欠点がある。
子量3000〜10000程度の多官能ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを使用することが提案されている
が、このような範囲の分子量を持つ多官能ウレタンアク
リレート系オリゴマーを使用した粘着剤層では、ダイシ
ングラインの粘着剤が剥離脱落してチップを汚染した
り、粘着剤層の凝集力が不十分であるため、ダイシング
時のチッピング、チップ飛散という問題が発生しやすい
という欠点がある。
【0005】また、現在これら光重合性化合物を重合さ
せる紫外線条件が、積算光量50mJ以下と低照度で行
われることが多くなり、紫外線照射後の重合反応が不十
分となり結果、シート剥離後の半導体ウエハへの粘着剤
層の転写(糊残り)を引き起こすという問題がある。
せる紫外線条件が、積算光量50mJ以下と低照度で行
われることが多くなり、紫外線照射後の重合反応が不十
分となり結果、シート剥離後の半導体ウエハへの粘着剤
層の転写(糊残り)を引き起こすという問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウエハに対して優れた粘着力を示し、かつ耐チッピン
グ特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが
少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することに
ある。
体ウエハに対して優れた粘着力を示し、かつ耐チッピン
グ特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが
少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することに
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、紫外線及び/
又は電子線に対し透過性を有する基材面上にベースポリ
マーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤か
らなる粘着剤層を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着
シートにおいて、粘着剤層がベースポリマー100重量
部に対して、アクリロイル基を5〜6個有する放射線重
合性化合物が5〜50重量部含有されており、保持力が
JISZ0237において3600秒後のズレの距離が
5mm以下であり、且つ、紫外線照射及び/又は電子線
照射後のゲル分率が90wt%以上である半導体ウエハ
加工用粘着シートである。ここでゲル分率とは、溶剤浸
漬前後の粘着剤層の重量比率で表し、紫外線重合反応の
反応率の目安となる。好ましくは、前記放射線重合重合
開始剤のモル吸光係数が280〜340nmの波長にお
いて1000〜20000(1/mol・cm)の範囲
である前記半導体ウエハ加工用粘着シートである。
又は電子線に対し透過性を有する基材面上にベースポリ
マーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤か
らなる粘着剤層を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着
シートにおいて、粘着剤層がベースポリマー100重量
部に対して、アクリロイル基を5〜6個有する放射線重
合性化合物が5〜50重量部含有されており、保持力が
JISZ0237において3600秒後のズレの距離が
5mm以下であり、且つ、紫外線照射及び/又は電子線
照射後のゲル分率が90wt%以上である半導体ウエハ
加工用粘着シートである。ここでゲル分率とは、溶剤浸
漬前後の粘着剤層の重量比率で表し、紫外線重合反応の
反応率の目安となる。好ましくは、前記放射線重合重合
開始剤のモル吸光係数が280〜340nmの波長にお
いて1000〜20000(1/mol・cm)の範囲
である前記半導体ウエハ加工用粘着シートである。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明において、基材上に設けら
れる粘着剤層は、紫外線及び/又は電子線により重合硬
化反応を起こせばよく、粘着剤層には、放射線重合性化
合物、放射線重合性重合開始剤等を含有しており、該粘
着剤層の凝集力がJISZ0237において保持力で3
600秒後のズレの距離が5mm以下(好ましくは3m
m以下より好ましくは1mm以下)と高いのでダイシン
グ時にチップの位置ズレや浮きが生じにくい。その結果
チッピング(チップ欠け)やチップ飛びが発生しにく、
紫外線及び/又は電子線を照射することにより重合硬化
反応し、塑性流動性が低下するので粘着力が低下し、チ
ップのピックアップを容易に行うことができる。更に、
硬化後も一定以上の破断伸度を有しているので、エキス
パンディング時に粘着剤層の割れを防ぐことができ、チ
ップ間隔の整列性を均一に保つことができる。また、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上と高く紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが少
ない。
れる粘着剤層は、紫外線及び/又は電子線により重合硬
化反応を起こせばよく、粘着剤層には、放射線重合性化
合物、放射線重合性重合開始剤等を含有しており、該粘
着剤層の凝集力がJISZ0237において保持力で3
600秒後のズレの距離が5mm以下(好ましくは3m
m以下より好ましくは1mm以下)と高いのでダイシン
グ時にチップの位置ズレや浮きが生じにくい。その結果
チッピング(チップ欠け)やチップ飛びが発生しにく、
紫外線及び/又は電子線を照射することにより重合硬化
反応し、塑性流動性が低下するので粘着力が低下し、チ
ップのピックアップを容易に行うことができる。更に、
硬化後も一定以上の破断伸度を有しているので、エキス
パンディング時に粘着剤層の割れを防ぐことができ、チ
ップ間隔の整列性を均一に保つことができる。また、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上と高く紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが少
ない。
【0009】本発明において用いられる基材としては、
紫外線及び/又は電子線に対して透過性を有するもので
あれば特に限定されず、例えば、塩化ビニル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン
−ヘキセン共重合体、エチレン−ブテン共重合体または
エチレン−プロピレン−ブテン共重合体等が挙げられ
る。
紫外線及び/又は電子線に対して透過性を有するもので
あれば特に限定されず、例えば、塩化ビニル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン
−ヘキセン共重合体、エチレン−ブテン共重合体または
エチレン−プロピレン−ブテン共重合体等が挙げられ
る。
【0010】本発明において用いられるベースポリマー
としては、特に限定されるものではなく、例えば、アク
リル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルからなるポ
リマー、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステ
ルと共重合可能な不飽和単量体、例えば、酢酸ビニル、
スチレン、アクリロニトリルなどとの共重合体が用いら
れる。また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるために
ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール
樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油
樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等
を添加しても構わない。
としては、特に限定されるものではなく、例えば、アク
リル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルからなるポ
リマー、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステ
ルと共重合可能な不飽和単量体、例えば、酢酸ビニル、
スチレン、アクリロニトリルなどとの共重合体が用いら
れる。また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるために
ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール
樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油
樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等
を添加しても構わない。
【0011】本発明において用いられる放射線重合性化
合物は、紫外線及び/又は電子線による硬化反応前には
半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、硬化反応後
には粘着力が低下し半導体ウエハ(チップ)のピックア
ップを容易に行うことができ、しかも高い凝集力を保つ
ことが必要である。このために好ましくは5000以
上、更に好ましくは8000以上、最も好ましくは10
000以上の分子量を持つ多官能ウレタンアクリレート
と好ましくは1000以下の分子量を持つ多官能アクリ
レートモノマーまたは2種類以上のアクリレートモノマ
ーとを混合することが好ましい。
合物は、紫外線及び/又は電子線による硬化反応前には
半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、硬化反応後
には粘着力が低下し半導体ウエハ(チップ)のピックア
ップを容易に行うことができ、しかも高い凝集力を保つ
ことが必要である。このために好ましくは5000以
上、更に好ましくは8000以上、最も好ましくは10
000以上の分子量を持つ多官能ウレタンアクリレート
と好ましくは1000以下の分子量を持つ多官能アクリ
レートモノマーまたは2種類以上のアクリレートモノマ
ーとを混合することが好ましい。
【0012】5000以上の分子量を持つ多官能ウレタ
ンアクリレートを用いることで、硬化反応前の粘着剤層
に十分な凝集力を付与することができ、エキスパンディ
ング時にアルミリング等の専用治具から粘着シートが剥
離、脱落する恐れがなくなる。しかも蛍光灯下に長時間
暴露しても粘着力を安定することができ、更に硬化反応
後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与することができ、
ダイシング時にチッピングやチップの飛散を抑えること
ができる。分子量が5000未満であると粘度が低くな
り、粘着剤層の凝集力が不足し、官能基数が1であると
硬化後の粘着剤層の架橋密度が十分に上がらず、粘着力
の低下が不十分となる。
ンアクリレートを用いることで、硬化反応前の粘着剤層
に十分な凝集力を付与することができ、エキスパンディ
ング時にアルミリング等の専用治具から粘着シートが剥
離、脱落する恐れがなくなる。しかも蛍光灯下に長時間
暴露しても粘着力を安定することができ、更に硬化反応
後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与することができ、
ダイシング時にチッピングやチップの飛散を抑えること
ができる。分子量が5000未満であると粘度が低くな
り、粘着剤層の凝集力が不足し、官能基数が1であると
硬化後の粘着剤層の架橋密度が十分に上がらず、粘着力
の低下が不十分となる。
【0013】一方5000以上の分子量を持つ多官能の
ウレタンアクリレートのみでは粘度が高く取扱が困難
で、硬化後の粘着力の低下が十分でなくチップのピック
アップが困難になる。これを調整するために1000以
下の分子量を持つ多官能のアクリレートモノマーを併用
すると粘着物性のバランスが好適になる。多官能のアク
リレートモノマーを使用するのは硬化後の粘着剤層の架
橋密度を上げ、粘着力を十分に低下させるためのであ
り、これらの組み合わせ以外では硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になる等とい
う問題が発生する。
ウレタンアクリレートのみでは粘度が高く取扱が困難
で、硬化後の粘着力の低下が十分でなくチップのピック
アップが困難になる。これを調整するために1000以
下の分子量を持つ多官能のアクリレートモノマーを併用
すると粘着物性のバランスが好適になる。多官能のアク
リレートモノマーを使用するのは硬化後の粘着剤層の架
橋密度を上げ、粘着力を十分に低下させるためのであ
り、これらの組み合わせ以外では硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になる等とい
う問題が発生する。
【0014】本発明に用いられる多官能ウレタンアクリ
レートとしては、ジイソシアネート、ポリオール及びヒ
ドロキシ(メタ)アクリレートとにより合成される化合
物であり、好ましくは2個のアクリロイル基を有するウ
レタンアクリレートである。前記のイソシアネートとし
ては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメ
タンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テ
トラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイ
ソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオー
ルとしては、例えばエチレングリコール、プロピレング
リコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げ
ることができる。前記のヒドロキシ(メタ)アクリレー
トとしては、例えば、2−ヒドルキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドルキシプロピル(メタ)アクリレ
ート等を挙げることができる。
レートとしては、ジイソシアネート、ポリオール及びヒ
ドロキシ(メタ)アクリレートとにより合成される化合
物であり、好ましくは2個のアクリロイル基を有するウ
レタンアクリレートである。前記のイソシアネートとし
ては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメ
タンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テ
トラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイ
ソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオー
ルとしては、例えばエチレングリコール、プロピレング
リコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げ
ることができる。前記のヒドロキシ(メタ)アクリレー
トとしては、例えば、2−ヒドルキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドルキシプロピル(メタ)アクリレ
ート等を挙げることができる。
【0015】本発明に用いられる多官能アクリレートモ
ノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げるこ
とができるが、官能基数としては5〜6を有する必要が
あり、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタア
クリレート又はジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ートが好ましい。4官能以下であると、反応後の架橋密
度が不十分であり、ゲル分率も低く、結果糊残りが発生
するため好ましくない。7官能以上は合成することが困
難である。アクリロイル基を5〜6個有する多官能アク
リレートモノマーの配合量はベースポリマー100重量
部に対して、5〜50重量部含有されていることが必要
である。5重量部未満であると紫外線照射後の後の架橋
密度が不十分であり、ゲル分率も低く、結果糊残りが発
生するため好ましくなく、50重量部を超えると紫外線
後の糊残りはないものの、粘着剤層の凝集力が低くな
り、チッピングが多く発生するため好ましくない。
ノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げるこ
とができるが、官能基数としては5〜6を有する必要が
あり、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタア
クリレート又はジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ートが好ましい。4官能以下であると、反応後の架橋密
度が不十分であり、ゲル分率も低く、結果糊残りが発生
するため好ましくない。7官能以上は合成することが困
難である。アクリロイル基を5〜6個有する多官能アク
リレートモノマーの配合量はベースポリマー100重量
部に対して、5〜50重量部含有されていることが必要
である。5重量部未満であると紫外線照射後の後の架橋
密度が不十分であり、ゲル分率も低く、結果糊残りが発
生するため好ましくなく、50重量部を超えると紫外線
後の糊残りはないものの、粘着剤層の凝集力が低くな
り、チッピングが多く発生するため好ましくない。
【0016】放射線重合性化合物の2官能のウレタンア
クリレートと5〜6官能のアクリレートモノマーの重量
比は、10:90〜90:10の範囲が好ましく、更に
好ましくは30:70〜70:30の範囲である。5〜
6官能ウレタンアクリレートの重量比が10未満になる
と粘着剤層の凝集力が不足し、90を越えると硬化後の
粘着力の低下が十分でなくチップのピックアップが困難
になるという問題が生じる。放射線重合性化合物の配合
割合は、ベースポリマー100重量部に対して50〜2
00重量部である。放射線重合性化合物の割合が50重
量部未満であると硬化後の粘着力の低下が十分でなくチ
ップのピックアップが困難になり、200重量部を越え
ると粘着剤層の凝集力が不足し好ましくない。
クリレートと5〜6官能のアクリレートモノマーの重量
比は、10:90〜90:10の範囲が好ましく、更に
好ましくは30:70〜70:30の範囲である。5〜
6官能ウレタンアクリレートの重量比が10未満になる
と粘着剤層の凝集力が不足し、90を越えると硬化後の
粘着力の低下が十分でなくチップのピックアップが困難
になるという問題が生じる。放射線重合性化合物の配合
割合は、ベースポリマー100重量部に対して50〜2
00重量部である。放射線重合性化合物の割合が50重
量部未満であると硬化後の粘着力の低下が十分でなくチ
ップのピックアップが困難になり、200重量部を越え
ると粘着剤層の凝集力が不足し好ましくない。
【0017】本発明に用いられる放射線重合重合開始剤
は、そのモル吸光係数が280〜340nmの波長にお
いて1000〜20000(1/mol・cm)の範囲
のものが好ましい。1000(1/mol・cm)未満
であると紫外線照射及び/又は電子線照射における放射
線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり糊残りの原因と
なり、20000(1/mol・cm)を超えると熱あ
るいは蛍光灯下での安定性が悪くなり好ましくない。放
射線重合性重合開始剤の混合割合は放射線重合性重合化
合物に対し0.03〜22.5重量部割合が好ましい。
0.03重量部未満であると紫外線及び/又は電子線照
射における放射線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり
粘着力の低下が不十分となり好ましくなく、22.5重
量部を越えると反応が促進されすぎ、反応時に放射線重
合性重合化合物の短鎖成分が多く生成され糊残りの原因
となり好ましくない。
は、そのモル吸光係数が280〜340nmの波長にお
いて1000〜20000(1/mol・cm)の範囲
のものが好ましい。1000(1/mol・cm)未満
であると紫外線照射及び/又は電子線照射における放射
線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり糊残りの原因と
なり、20000(1/mol・cm)を超えると熱あ
るいは蛍光灯下での安定性が悪くなり好ましくない。放
射線重合性重合開始剤の混合割合は放射線重合性重合化
合物に対し0.03〜22.5重量部割合が好ましい。
0.03重量部未満であると紫外線及び/又は電子線照
射における放射線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり
粘着力の低下が不十分となり好ましくなく、22.5重
量部を越えると反応が促進されすぎ、反応時に放射線重
合性重合化合物の短鎖成分が多く生成され糊残りの原因
となり好ましくない。
【0018】本発明において、粘着剤層の厚さは特に限
定されるものではないが、5〜35μmであるのが好ま
しい。本発明において、粘着剤層を基材上に形成し、半
導体ウエハ加工用粘着紙とを製造するには、粘着剤層を
構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により
溶液化し、塗布又は散布等により基材上に塗工し、例え
ば80〜100℃、30秒〜10分程度加熱処理等によ
り乾燥させることにより得ることができる。
定されるものではないが、5〜35μmであるのが好ま
しい。本発明において、粘着剤層を基材上に形成し、半
導体ウエハ加工用粘着紙とを製造するには、粘着剤層を
構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により
溶液化し、塗布又は散布等により基材上に塗工し、例え
ば80〜100℃、30秒〜10分程度加熱処理等によ
り乾燥させることにより得ることができる。
【0019】本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートを
使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半
導体ウエハ加工用粘着シートを半導体ウエハに貼り付け
て固定した後、回転丸刃で半導体ウエハを素子小片(以
下チップという)に切断する。その後、前記加工用粘着
シートの基材側から紫外線及び/又は電子線を照射し、
次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着シート放
射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップを
ニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エア
ピンセット等で吸着する方法等によりピックアップする
と同時にマウンティングすればよい。
使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半
導体ウエハ加工用粘着シートを半導体ウエハに貼り付け
て固定した後、回転丸刃で半導体ウエハを素子小片(以
下チップという)に切断する。その後、前記加工用粘着
シートの基材側から紫外線及び/又は電子線を照射し、
次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着シート放
射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップを
ニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エア
ピンセット等で吸着する方法等によりピックアップする
と同時にマウンティングすればよい。
【0020】
【実施例】以下本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定するものではない。 《実施例1》アクリル酸2−エチルヘキシル50重量部
とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量
部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共
重合して得られた重量平均分子量500000のアクリ
ル共重合体100重量部に対し、放射線重合化合物とし
て分子量が11000の2官能ウレタンアクリレート3
5重量部、及び5官能アクリレートモノマー(ジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート)3
5重量部、光重合開始剤として2−ベンジル−2−ジメ
チルアミノ−1−(4−モルフォニルフェニル)−ブタ
ノン[モル吸光係数(340nm):10000(1/mol・
cm)]を放射性重合化合物100重量部に対して8.
3重量部、ポリイソシアネート系架橋剤をアクリル共重
合体100重量部に対して、6重量部を配合した樹脂溶
液を、剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィル
ムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80
℃5分間乾燥した。その後、基材として厚さ80μmの
ポリ塩化ビニル(PVC)フィルムをラミネートし、半
導体加工用粘着シートを作製した。得られた半導体加工
用粘着シートを室温で7日以上成熟後、JIS Z−0
237に準じて粘着力及び凝集力を測定するためのサン
プルを作製し、各項目の評価を行った。その結果を表1
に示す。
るが、本発明はこれらに限定するものではない。 《実施例1》アクリル酸2−エチルヘキシル50重量部
とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量
部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共
重合して得られた重量平均分子量500000のアクリ
ル共重合体100重量部に対し、放射線重合化合物とし
て分子量が11000の2官能ウレタンアクリレート3
5重量部、及び5官能アクリレートモノマー(ジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート)3
5重量部、光重合開始剤として2−ベンジル−2−ジメ
チルアミノ−1−(4−モルフォニルフェニル)−ブタ
ノン[モル吸光係数(340nm):10000(1/mol・
cm)]を放射性重合化合物100重量部に対して8.
3重量部、ポリイソシアネート系架橋剤をアクリル共重
合体100重量部に対して、6重量部を配合した樹脂溶
液を、剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィル
ムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80
℃5分間乾燥した。その後、基材として厚さ80μmの
ポリ塩化ビニル(PVC)フィルムをラミネートし、半
導体加工用粘着シートを作製した。得られた半導体加工
用粘着シートを室温で7日以上成熟後、JIS Z−0
237に準じて粘着力及び凝集力を測定するためのサン
プルを作製し、各項目の評価を行った。その結果を表1
に示す。
【0021】《実施例2》実施例1で用いた2官能ウレ
タンアクリレートの分子量が6000であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。 《実施例3》実施例1で用いた光開始剤の重量部数が1
重量部であること以外は、実施例1と同様の方法で試料
を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。そ
の結果を表1に示す。 《実施例4》実施例1で用いた光開始剤が2−メチル−
1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプ
ロバン[モル吸光係数(340nm):2000(1/mol・
cm)]であること以外は、実施例1と同様の方法で試
料を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。
その結果を表1に示す。
タンアクリレートの分子量が6000であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。 《実施例3》実施例1で用いた光開始剤の重量部数が1
重量部であること以外は、実施例1と同様の方法で試料
を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。そ
の結果を表1に示す。 《実施例4》実施例1で用いた光開始剤が2−メチル−
1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプ
ロバン[モル吸光係数(340nm):2000(1/mol・
cm)]であること以外は、実施例1と同様の方法で試
料を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。
その結果を表1に示す。
【0022】《比較例1》実施例1で用いた2官能ウレ
タンアクリレートの分子量が3000であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。 《比較例2》アクリル共重合体100重量部に対し2官
能ウレタンアクリレートが5重量部、5官能アクリレー
トモノマーが95重量部であること以外は、実施例1と
同様の方法で試料を作製し、実施例1と同様の項目につ
いて試験した。その結果を表1に示す。 《比較例3》実施例1で用いた光開始剤の重量部数が
0.01重合部であること以外は、実施例1と同様の方
法で試料を作製し、実施例1と同様の項目について試験
した。その結果を表1に示す。 《比較例4》実施例1で用いた光開始剤が2,2−ジメ
トキシ−2−フェニルアセトフェノン[モル吸光係数(34
0nm):100(1/mol・cm)]であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。
タンアクリレートの分子量が3000であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。 《比較例2》アクリル共重合体100重量部に対し2官
能ウレタンアクリレートが5重量部、5官能アクリレー
トモノマーが95重量部であること以外は、実施例1と
同様の方法で試料を作製し、実施例1と同様の項目につ
いて試験した。その結果を表1に示す。 《比較例3》実施例1で用いた光開始剤の重量部数が
0.01重合部であること以外は、実施例1と同様の方
法で試料を作製し、実施例1と同様の項目について試験
した。その結果を表1に示す。 《比較例4》実施例1で用いた光開始剤が2,2−ジメ
トキシ−2−フェニルアセトフェノン[モル吸光係数(34
0nm):100(1/mol・cm)]であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。
【0023】
【表1】
【0024】実施例及び比較例の評価は、以下の評価方
法を用いた。 ・初期粘着力(UV照射前) 半導体加工用粘着シートから25mm×250mmの測
定用シートを作成し、23℃湿度50%の環境下でシリ
コンウエハに2kgのゴムロールを1往復させて圧着す
る。20分以上放置した後、300mm/minの引張
速度で180度剥離を行い、粘着力を測定した。 ・UV照射後粘着力 上記方法で作成した試料に、基材面より10cmの距離
から80W/cmの高圧水銀ランプを用いて積算光量が
50mJになるように紫外線を照射し、粘着剤層を硬化
させた後、上記と同様の方法で粘着力を測定した。 ・保持力 半導体加工用粘着シートから25mm×75mmの測定
用シートを作成し、23℃、湿度50%の環境下でステ
ンレス板に接着面積が25mm×25mmになるように
2kgのゴムロールを1往復させて圧着する。20分以
上放置した後、40℃の恒温槽に入れ、更に20分後に
セン断方向に1kgの荷重をかけ、1時間後のズレを測
定した。 ・チッピング特性 半導体ウエハを、粘着シートに保持固定し、ダイシング
ソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピンドル回転数3
0,000rpm、カッティングスピード120mm/
minでチップサイズにカット後、チップを粘着シート
より剥離しその裏面の欠けの状態を実体顕微鏡で観察す
ることにより評価した。 ・ゲル分率 上記のように硬化させた粘着剤層を10cm×10cm
に切り出し、24時間トルエン溶液に浸漬し、浸漬前後
の重量変化より算出した。 ゲル分率(%)=(浸漬後の重量)/(浸漬前の重量)×1
00 ・糊残り 粘着シートをシリコンウエハ鏡面に貼着後、前記条件に
て紫外線を照射した後、シートを剥離し、その表面を光
学顕微鏡にて糊残り(シリコンウエハへの粘着剤層の転
写)の有無を評価した。 ○:糊残り無し ×:糊残り有り
法を用いた。 ・初期粘着力(UV照射前) 半導体加工用粘着シートから25mm×250mmの測
定用シートを作成し、23℃湿度50%の環境下でシリ
コンウエハに2kgのゴムロールを1往復させて圧着す
る。20分以上放置した後、300mm/minの引張
速度で180度剥離を行い、粘着力を測定した。 ・UV照射後粘着力 上記方法で作成した試料に、基材面より10cmの距離
から80W/cmの高圧水銀ランプを用いて積算光量が
50mJになるように紫外線を照射し、粘着剤層を硬化
させた後、上記と同様の方法で粘着力を測定した。 ・保持力 半導体加工用粘着シートから25mm×75mmの測定
用シートを作成し、23℃、湿度50%の環境下でステ
ンレス板に接着面積が25mm×25mmになるように
2kgのゴムロールを1往復させて圧着する。20分以
上放置した後、40℃の恒温槽に入れ、更に20分後に
セン断方向に1kgの荷重をかけ、1時間後のズレを測
定した。 ・チッピング特性 半導体ウエハを、粘着シートに保持固定し、ダイシング
ソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピンドル回転数3
0,000rpm、カッティングスピード120mm/
minでチップサイズにカット後、チップを粘着シート
より剥離しその裏面の欠けの状態を実体顕微鏡で観察す
ることにより評価した。 ・ゲル分率 上記のように硬化させた粘着剤層を10cm×10cm
に切り出し、24時間トルエン溶液に浸漬し、浸漬前後
の重量変化より算出した。 ゲル分率(%)=(浸漬後の重量)/(浸漬前の重量)×1
00 ・糊残り 粘着シートをシリコンウエハ鏡面に貼着後、前記条件に
て紫外線を照射した後、シートを剥離し、その表面を光
学顕微鏡にて糊残り(シリコンウエハへの粘着剤層の転
写)の有無を評価した。 ○:糊残り無し ×:糊残り有り
【0025】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ加工用シートは、
紫外線及び/又は電子線の照射前には十分な粘着力と凝
集力を有し、ダイシング時にのチッピングやチップ飛散
防止に優れ、照射後にはピックアップ等を行う際の最適
値まで粘着力を低下させることにより安定したピックア
ップが可能となる。且つ、ウエハに対する糊残りが少な
い。
紫外線及び/又は電子線の照射前には十分な粘着力と凝
集力を有し、ダイシング時にのチッピングやチップ飛散
防止に優れ、照射後にはピックアップ等を行う際の最適
値まで粘着力を低下させることにより安定したピックア
ップが可能となる。且つ、ウエハに対する糊残りが少な
い。
Claims (2)
- 【請求項1】 紫外線及び/又は電子線に対し透過性を
有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物
と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布して
なる半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、粘着剤層
がベースポリマー100重量部に対してアクリロイル基
を5〜6個有する放射線重合性化合物が5〜50重量部
含有されており、保持力がJISZ0237において3
600秒後のズレの距離が5mm以下であり、且つ、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着
シート。 - 【請求項2】 放射線重合重合開始剤のモル吸光係数が
280〜340nmの波長において1000〜2000
0(1/mol・cm)の範囲である請求項1記載の半
導体ウエハ加工用粘着シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11090171A JP2000281993A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11090171A JP2000281993A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000281993A true JP2000281993A (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=13991056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11090171A Pending JP2000281993A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000281993A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121511A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
| JP2004043761A (ja) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004043763A (ja) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006328160A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Emulsion Technology Co Ltd | 粘着性樹脂組成物、並びに粘着シートおよびその製造方法 |
| JP2007056210A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Emulsion Technology Co Ltd | バックグラインド用粘着性樹脂組成物、並びにバックグラインド用粘着シートおよびその製造方法 |
| US20100279109A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Nitto Denko Corporation | Laminated film and process for producing semiconductor device |
| WO2022097471A1 (ja) | 2020-11-09 | 2022-05-12 | デンカ株式会社 | 粘着テープ及び加工方法 |
| JP2023077329A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | 住友ベークライト株式会社 | 粘着テープ |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP11090171A patent/JP2000281993A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121511A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
| JP2004043761A (ja) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004043763A (ja) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006328160A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Emulsion Technology Co Ltd | 粘着性樹脂組成物、並びに粘着シートおよびその製造方法 |
| JP2007056210A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Emulsion Technology Co Ltd | バックグラインド用粘着性樹脂組成物、並びにバックグラインド用粘着シートおよびその製造方法 |
| US20100279109A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Nitto Denko Corporation | Laminated film and process for producing semiconductor device |
| WO2022097471A1 (ja) | 2020-11-09 | 2022-05-12 | デンカ株式会社 | 粘着テープ及び加工方法 |
| CN116391004A (zh) * | 2020-11-09 | 2023-07-04 | 电化株式会社 | 粘合带及加工方法 |
| KR20230098593A (ko) | 2020-11-09 | 2023-07-04 | 덴카 주식회사 | 점착 테이프 및 가공 방법 |
| JP2023077329A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | 住友ベークライト株式会社 | 粘着テープ |
| JP7797843B2 (ja) | 2021-11-24 | 2026-01-14 | 住友ベークライト株式会社 | 粘着テープ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |