JP2000285991A - 気密端子 - Google Patents
気密端子Info
- Publication number
- JP2000285991A JP2000285991A JP11086989A JP8698999A JP2000285991A JP 2000285991 A JP2000285991 A JP 2000285991A JP 11086989 A JP11086989 A JP 11086989A JP 8698999 A JP8698999 A JP 8698999A JP 2000285991 A JP2000285991 A JP 2000285991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- soldering
- eutectic
- airtight terminal
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 34
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 10
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 abstract 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリンダー気密端子の耐熱性を満たし、且つ
半田付け性の良い気密端子を提供する。 【解決手段】 外周金属部とリード表面に高温半田メッ
キを施し、さらに前記高温半田メッキ上に共晶半田メッ
キを施して成る気密端子を、有機系リン化合物を主とす
る複合剤で化学処理し、前記共晶半田メッキの表面にリ
ン酸被膜を形成した気密端子とする。
半田付け性の良い気密端子を提供する。 【解決手段】 外周金属部とリード表面に高温半田メッ
キを施し、さらに前記高温半田メッキ上に共晶半田メッ
キを施して成る気密端子を、有機系リン化合物を主とす
る複合剤で化学処理し、前記共晶半田メッキの表面にリ
ン酸被膜を形成した気密端子とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子の気密
端子に関するものである。
端子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】耐熱性を向上した表面実装タイプ振動子
が実用化されている。図１は水晶振動子の分解斜視図で
ある。１は封止管、２は気密端子、３はリード、４は水
晶片、５は水晶片に形成された電極である。図１に示す
水晶振動子は、水晶片４が気密端子２に埋設されたリー
ド３のインナーリード３ａに固定され、前記水晶片４が
固定された気密端子２を封止管１に圧入封止して完成さ
れるシリンダータイプの水晶振動子である。
が実用化されている。図１は水晶振動子の分解斜視図で
ある。１は封止管、２は気密端子、３はリード、４は水
晶片、５は水晶片に形成された電極である。図１に示す
水晶振動子は、水晶片４が気密端子２に埋設されたリー
ド３のインナーリード３ａに固定され、前記水晶片４が
固定された気密端子２を封止管１に圧入封止して完成さ
れるシリンダータイプの水晶振動子である。
【０００３】図２は実装対応したシリンダータイプ水晶
振動子の側面図である。上述の通り組み立てられた水晶
振動子は、リード３を折り曲げ、基板実装に対応するよ
う成形されたものである。表面実装の場合、回路基板へ
の部品搭載はチップマウンターが使用され、自動化され
ている。リードを実装対応に形成した後、エンボスキャ
リアテープに収納されチップマウンターで回路基板に自
動で実装される。前記したシリンダータイプ水晶振動子
は回路基板への表面実装を可能にするために、リフロー
炉内での高温に耐えられるように耐熱性を向上させたも
のでなければならない。
振動子の側面図である。上述の通り組み立てられた水晶
振動子は、リード３を折り曲げ、基板実装に対応するよ
う成形されたものである。表面実装の場合、回路基板へ
の部品搭載はチップマウンターが使用され、自動化され
ている。リードを実装対応に形成した後、エンボスキャ
リアテープに収納されチップマウンターで回路基板に自
動で実装される。前記したシリンダータイプ水晶振動子
は回路基板への表面実装を可能にするために、リフロー
炉内での高温に耐えられるように耐熱性を向上させたも
のでなければならない。
【０００４】図３は気密端子２の断面図であり、６は外
周金属部（ヘッダー部）、７はガラス、３はリード、８
はメッキ部である。気密端子２の外周金属部６には圧入
封止時に軟質金属を介在させて気密性を保つためにメッ
キ部８が施されている。ＳＭＤ素子として用いる場合、
半田リフローを行うので、２４０〜２６０℃の高温に耐
え得るものでなければならない。そこで気密端子２のメ
ッキ部８は、高温半田を電着してメッキ部を構成してい
る。高温半田メッキ（Ｐｂメッキ）はＰｂ対残部が９対
１で、融点が２６０〜２９０℃であるため、耐熱性が十
分に得られるものである。残部については、ＳｎやＳｎ
にＡｇを加えたもの等が用いられている。
周金属部（ヘッダー部）、７はガラス、３はリード、８
はメッキ部である。気密端子２の外周金属部６には圧入
封止時に軟質金属を介在させて気密性を保つためにメッ
キ部８が施されている。ＳＭＤ素子として用いる場合、
半田リフローを行うので、２４０〜２６０℃の高温に耐
え得るものでなければならない。そこで気密端子２のメ
ッキ部８は、高温半田を電着してメッキ部を構成してい
る。高温半田メッキ（Ｐｂメッキ）はＰｂ対残部が９対
１で、融点が２６０〜２９０℃であるため、耐熱性が十
分に得られるものである。残部については、ＳｎやＳｎ
にＡｇを加えたもの等が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高温半
田メッキは耐熱性を十分に満たせても、リフロー時の半
田付け性があまり良くなく、半田はがれ等の問題が起き
てしまう。そこで、高温半田メッキ上に共晶半田を電着
して半田付け性向上を図りたいが、共晶半田メッキの融
点は、１８３℃であるため、共晶半田メッキを施すとメ
ッキの融点が下がってしまい、ＳＭＤ用素子として要求
される耐熱性を満たすことができない。そこで本発明は
ＳＭＤ用素子に要求されるシリンダータイプ気密端子の
耐熱性を満たし、且つ半田付け性の良い気密端子を提供
しようとするものである。
田メッキは耐熱性を十分に満たせても、リフロー時の半
田付け性があまり良くなく、半田はがれ等の問題が起き
てしまう。そこで、高温半田メッキ上に共晶半田を電着
して半田付け性向上を図りたいが、共晶半田メッキの融
点は、１８３℃であるため、共晶半田メッキを施すとメ
ッキの融点が下がってしまい、ＳＭＤ用素子として要求
される耐熱性を満たすことができない。そこで本発明は
ＳＭＤ用素子に要求されるシリンダータイプ気密端子の
耐熱性を満たし、且つ半田付け性の良い気密端子を提供
しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】外周金属部とリード表面
に高温半田メッキを施し、さらに前記高温半田メッキ上
に共晶半田メッキを施して成る気密端子を、有機系リン
化合物を主とする複合剤で化学処理し、前記共晶半田メ
ッキの表面にリン酸被膜を形成した気密端子とする。
に高温半田メッキを施し、さらに前記高温半田メッキ上
に共晶半田メッキを施して成る気密端子を、有機系リン
化合物を主とする複合剤で化学処理し、前記共晶半田メ
ッキの表面にリン酸被膜を形成した気密端子とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】図４は本発明の一実施形態を示す
気密端子の断面図である。１０はメッキ部であり、気密
端子９のリード１１、インナーリード１１ａ、外周金属
部１２の表面に施されている。メッキ部１０は高温半田
メッキ上に共晶半田メッキを施した２層構造のメッキ部
である。該メッキ部１０を施した後、気密端子９を有機
系リン化合物を主とする複合剤を用いて化学処理し、リ
ン酸被膜１３を形成して気密端子９を構成する。有機系
リン化合物を主とする複合剤には例えば石原薬品（株）
の５０１ＳＮを用いる。高温半田メッキ上に共晶半田を
電着後、前記５０１ＳＮ：１０％、水：９０％の混合液
に気密端子を１０分程度浸漬して化学処理を行う。前記
化学処理を行うと、メッキ表面にはリン酸被膜が形成さ
れる。共晶半田メッキ表面にリン酸被膜が形成されるこ
とにより、共晶半田メッキ融点を向上させることができ
る。
気密端子の断面図である。１０はメッキ部であり、気密
端子９のリード１１、インナーリード１１ａ、外周金属
部１２の表面に施されている。メッキ部１０は高温半田
メッキ上に共晶半田メッキを施した２層構造のメッキ部
である。該メッキ部１０を施した後、気密端子９を有機
系リン化合物を主とする複合剤を用いて化学処理し、リ
ン酸被膜１３を形成して気密端子９を構成する。有機系
リン化合物を主とする複合剤には例えば石原薬品（株）
の５０１ＳＮを用いる。高温半田メッキ上に共晶半田を
電着後、前記５０１ＳＮ：１０％、水：９０％の混合液
に気密端子を１０分程度浸漬して化学処理を行う。前記
化学処理を行うと、メッキ表面にはリン酸被膜が形成さ
れる。共晶半田メッキ表面にリン酸被膜が形成されるこ
とにより、共晶半田メッキ融点を向上させることができ
る。
【０００８】表１は高温半田メッキ上に共晶半田メッキ
を施した気密端子を５０１ＳＮ液で化学処理したもの
と、化学処理しないものとを半田リフロー試験（リフロ
ー温度２４０〜２６０℃）にて比較した結果である
を施した気密端子を５０１ＳＮ液で化学処理したもの
と、化学処理しないものとを半田リフロー試験（リフロ
ー温度２４０〜２６０℃）にて比較した結果である
【０００９】
【表１】
【００１０】表１の変形率は気密端子に半田リフローに
より熱風にさらされた時のその前後の気密端子の外形寸
法のメッキ変形率を示したものである。５０１ＳＮ液で
気密端子を化学処理し、リン酸被膜を形成したものは半
田リフロー試験でのメッキ変形率が小さい。５０１ＳＮ
液で化学処理をすると、共晶半田メッキ融点が向上して
いることがわかる。化学処理を行わないものは、共晶半
田メッキ融点がそのままの１８３℃であるため、メッキ
変形率が大きく、両者には大きな差が生じている。前記
実験から化学処理を行いリン酸被膜を形成することによ
り耐熱性が向上することが確認できる。
より熱風にさらされた時のその前後の気密端子の外形寸
法のメッキ変形率を示したものである。５０１ＳＮ液で
気密端子を化学処理し、リン酸被膜を形成したものは半
田リフロー試験でのメッキ変形率が小さい。５０１ＳＮ
液で化学処理をすると、共晶半田メッキ融点が向上して
いることがわかる。化学処理を行わないものは、共晶半
田メッキ融点がそのままの１８３℃であるため、メッキ
変形率が大きく、両者には大きな差が生じている。前記
実験から化学処理を行いリン酸被膜を形成することによ
り耐熱性が向上することが確認できる。
【００１１】また、水晶振動子は、真空に封じられてい
るため、高温にさらされた場合内部のガス発生により、
真空度の劣化により水晶振動子特性（周波数偏差）に悪
影響を与えることが知られている。そこで、高温半田メ
ッキ上に共晶半田メッキを施した気密端子を５０１ＳＮ
液で化学処理したものの熱に対する周波数偏差の評価を
行ったところ、５０１ＳＮ液で化学処理した気密端子を
用いて試作した水晶振動子は、周波数偏差が少なく熱に
対する内部のガス発生による真空度の劣化が少ないこと
が確認された。これにより、ＳＭＤ用素子としての条件
を十分満たせる気密端子を提供することができる。
るため、高温にさらされた場合内部のガス発生により、
真空度の劣化により水晶振動子特性（周波数偏差）に悪
影響を与えることが知られている。そこで、高温半田メ
ッキ上に共晶半田メッキを施した気密端子を５０１ＳＮ
液で化学処理したものの熱に対する周波数偏差の評価を
行ったところ、５０１ＳＮ液で化学処理した気密端子を
用いて試作した水晶振動子は、周波数偏差が少なく熱に
対する内部のガス発生による真空度の劣化が少ないこと
が確認された。これにより、ＳＭＤ用素子としての条件
を十分満たせる気密端子を提供することができる。
【００１２】
【発明の効果】高温半田メッキ上に共晶半田メッキを施
した気密端子を有機リン系化合物を主とする複合剤で化
学処理し、リン酸被膜を形成することにより、表面実装
に対応する十分な耐熱性が得られ、且つ半田付け性の良
いシリンダー気密端子を得ることができる。
した気密端子を有機リン系化合物を主とする複合剤で化
学処理し、リン酸被膜を形成することにより、表面実装
に対応する十分な耐熱性が得られ、且つ半田付け性の良
いシリンダー気密端子を得ることができる。
【図１】水晶振動子の分解斜視図
【図２】シリンダータイプ水晶振動子の側面図
【図３】気密端子の断面図
【図４】本発明の気密端子の断面図
１ 封止管 ２ 気密端子 ３ リード ３ａ インナーリード ４ 水晶片 ５ 電極 ６ 外周金属部 ７ ガラス ８ メッキ部 ９ 気密端子 １０ メッキ部 １１ リード １１ａ インナーリード １２ 外周金属部 １３ リン酸被膜
Claims (1)
- 【請求項１】 外周金属部とリード表面に高温半田メッ
キを施し、さらに前記高温半田メッキ上に共晶半田メッ
キを施して成る気密端子を、有機系リン化合物を主とす
る複合剤で化学処理し、前記共晶半田メッキの表面にリ
ン酸被膜を形成したことを特徴とする気密端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086989A JP2000285991A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 気密端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086989A JP2000285991A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 気密端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285991A true JP2000285991A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13902288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11086989A Pending JP2000285991A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 気密端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000285991A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7493680B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-02-24 | Seiko Instruments Inc. | Method of fabricating airtight terminals |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086989A patent/JP2000285991A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7493680B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-02-24 | Seiko Instruments Inc. | Method of fabricating airtight terminals |
| US7755259B2 (en) | 2005-10-24 | 2010-07-13 | Seiko Instruments Inc. | Airtight terminal |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1217686A (en) | Metallization of ceramics | |
| EP0681322A2 (en) | Bonded ceramic metal composite substrates and circuit boards constructed therewith | |
| DE3421988A1 (de) | Verfahren zum metallisieren von keramischen oberflaechen | |
| EP0823719A1 (en) | Molded electronic component having pre-plated lead terminals and manufacturing process thereof | |
| JP2000285991A (ja) | 気密端子 | |
| JP3861280B2 (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JP2003142614A (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JPS63303505A (ja) | シリンダ−タイプ水晶振動子 | |
| JPH11145757A (ja) | 圧電振動子の容器 | |
| JPH08330105A (ja) | 電子部品 | |
| JPS5885515A (ja) | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4466014B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2626028B2 (ja) | 半導体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH0226405A (ja) | シリンダータイプ水晶振動子 | |
| JP2003155593A (ja) | 配線基板 | |
| JP2007150235A (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JP3520865B2 (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JPS5926985A (ja) | ガラスまたはセラミツクスと銅とのろう付け結合方法 | |
| JPH10265927A (ja) | Ｐｂメッキ気密端子の製造方法 | |
| JP2001111379A (ja) | 水晶振動子用封止管の製造方法 | |
| JP2787743B2 (ja) | 貫通型磁器コンデンサ | |
| JP2004342649A (ja) | 気密端子および気密端子のめっき方法 | |
| JP2005191558A (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JP2001214296A (ja) | 圧入封止用気密端子 | |
| JP2007104080A (ja) | 水晶振動子用気密端子、その製造方法及び水晶振動子 |