JP2000297360A - 成膜装置 - Google Patents
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】成膜装置に関し、特に、大判のガラス基板上で
も、短時間で所定膜厚の薄膜を蒸着させることが可能な
真空蒸着装置に関する。 【解決手段】真空槽２内には、基板ホルダー４と、第
１、第２の蒸発源３1、３2とが設けられており、第１の
蒸発源３1は、基板ホルダー４に対し、第２の蒸発源３2
よりも近い位置に配置されている。第１の蒸発源３1で
斜め方向に蒸着材料を入射させ、第２の蒸発源３2で垂
直方向に蒸着材料を入射させて薄膜を成膜する場合に
は、第１の蒸発源３1が、第２の蒸発源３2より基板ホル
ダーに対して近い分、第１の蒸発源３1で成膜する際の
成膜速度が大きくなるので、成膜に要する時間を短縮す
ることができ、蒸着装置の生産性が向上する。
も、短時間で所定膜厚の薄膜を蒸着させることが可能な
真空蒸着装置に関する。 【解決手段】真空槽２内には、基板ホルダー４と、第
１、第２の蒸発源３1、３2とが設けられており、第１の
蒸発源３1は、基板ホルダー４に対し、第２の蒸発源３2
よりも近い位置に配置されている。第１の蒸発源３1で
斜め方向に蒸着材料を入射させ、第２の蒸発源３2で垂
直方向に蒸着材料を入射させて薄膜を成膜する場合に
は、第１の蒸発源３1が、第２の蒸発源３2より基板ホル
ダーに対して近い分、第１の蒸発源３1で成膜する際の
成膜速度が大きくなるので、成膜に要する時間を短縮す
ることができ、蒸着装置の生産性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は成膜装置の技術分野
にかかり、特に、ＦＥＤ(Field Emission Display)の製
造に用いられる真空蒸着装置に関する。
にかかり、特に、ＦＥＤ(Field Emission Display)の製
造に用いられる真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４の符号１０１に、従来の真空蒸着装
置の一例を示す。この真空蒸着装置１０１は、真空槽１
０２と、蒸発源１０３と、基板ホルダー１０４とを有し
ている。蒸発源１０３は真空槽１０２の内部底面に配置
されており、蒸発源１０３の上方には基板ホルダー１０
４が配置されている。
置の一例を示す。この真空蒸着装置１０１は、真空槽１
０２と、蒸発源１０３と、基板ホルダー１０４とを有し
ている。蒸発源１０３は真空槽１０２の内部底面に配置
されており、蒸発源１０３の上方には基板ホルダー１０
４が配置されている。
【０００３】予め基板ホルダー１０４に基板１１０を保
持させて、基板１１０の表面を蒸発源１０３に対向さ
せ、不図示の真空排気系で真空槽１０２内を真空排気し
た状態で、蒸発源１０３から蒸着材料を蒸発させる。蒸
発した蒸着材料は基板１１０の表面に到達し、蒸着材料
からなる薄膜が基板１１０の表面に成膜される。
持させて、基板１１０の表面を蒸発源１０３に対向さ
せ、不図示の真空排気系で真空槽１０２内を真空排気し
た状態で、蒸発源１０３から蒸着材料を蒸発させる。蒸
発した蒸着材料は基板１１０の表面に到達し、蒸着材料
からなる薄膜が基板１１０の表面に成膜される。
【０００４】最近、表示装置として注目されているＦＥ
Ｄに用いられる電極基板を製造する際には、基板上に高
アスペクト比の微小孔を形成する。この微小孔の底部に
コーン形状のＭｏエミッタを蒸着法で形成する工程と、
ゲート上に被着したＭｏを剥離するための剥離層もゲー
ト上だけに形成するために底部に成膜しない工程とが必
要になる。
Ｄに用いられる電極基板を製造する際には、基板上に高
アスペクト比の微小孔を形成する。この微小孔の底部に
コーン形状のＭｏエミッタを蒸着法で形成する工程と、
ゲート上に被着したＭｏを剥離するための剥離層もゲー
ト上だけに形成するために底部に成膜しない工程とが必
要になる。
【０００５】微小孔の底部にエミッタを形成するには、
基板表面に対してほぼ垂直に蒸着材料を入射させる必要
があり、他方、微小孔の底部に成膜せずに、ゲート上だ
けに成膜するには、基板表面に対して斜め方向から蒸着
材料を入射させる必要がある。
基板表面に対してほぼ垂直に蒸着材料を入射させる必要
があり、他方、微小孔の底部に成膜せずに、ゲート上だ
けに成膜するには、基板表面に対して斜め方向から蒸着
材料を入射させる必要がある。
【０００６】基板上に斜め方向と垂直方向の両方から蒸
着材料を入射させることができる真空処理装置として、
図５に示すような蒸着装置１１１が提案されている。こ
の蒸着装置１１１は、真空槽１１２と、蒸発源１１３
と、基板ホルダー１１４とを有している。蒸発源１１３
は真空槽１１２の内部底面に配置されており、蒸発源１
１３の上方には基板ホルダー１１４が対向して配置され
ている。
着材料を入射させることができる真空処理装置として、
図５に示すような蒸着装置１１１が提案されている。こ
の蒸着装置１１１は、真空槽１１２と、蒸発源１１３
と、基板ホルダー１１４とを有している。蒸発源１１３
は真空槽１１２の内部底面に配置されており、蒸発源１
１３の上方には基板ホルダー１１４が対向して配置され
ている。
【０００７】基板ホルダー１１４は、真空槽１１２の側
壁から水平に突出した軸(図示せず)に取付られ、その軸
を中心にして揺動できるように構成されており、水平な
状態と、蒸発源１１３に対して傾いた状態とのいずれか
一方をとることができる。
壁から水平に突出した軸(図示せず)に取付られ、その軸
を中心にして揺動できるように構成されており、水平な
状態と、蒸発源１１３に対して傾いた状態とのいずれか
一方をとることができる。
【０００８】基板ホルダー１１４が傾いた状態を図５
(ａ)に、水平な状態を図５(ｂ)に示す。図５(ａ)の基板
ホルダー１１４が傾いた状態では、蒸着材料の基板１１
０に対する入射角δ1が大きいため斜め方向に蒸着材料
を入射させることができ、他方、図５(ｂ)の基板ホルダ
ー１１４が水平な状態では、蒸着材料の基板１１０に対
する入射角δ2が小さいため、ほぼ垂直方向に蒸着材料
を入射させることができる。
(ａ)に、水平な状態を図５(ｂ)に示す。図５(ａ)の基板
ホルダー１１４が傾いた状態では、蒸着材料の基板１１
０に対する入射角δ1が大きいため斜め方向に蒸着材料
を入射させることができ、他方、図５(ｂ)の基板ホルダ
ー１１４が水平な状態では、蒸着材料の基板１１０に対
する入射角δ2が小さいため、ほぼ垂直方向に蒸着材料
を入射させることができる。
【０００９】近年微細化が進み、上述した微小孔も小さ
くなっている。このため、蒸着材料を微小孔の底面に確
実に到達させるようにするには、蒸着材料を垂直方向に
入射させる際の入射角δ2をできるだけ小さくする必要
があり、基板１１０上で少なくとも入射角δ2が０°以
上１０°以下の範囲に収まるようにしなければならな
い。
くなっている。このため、蒸着材料を微小孔の底面に確
実に到達させるようにするには、蒸着材料を垂直方向に
入射させる際の入射角δ2をできるだけ小さくする必要
があり、基板１１０上で少なくとも入射角δ2が０°以
上１０°以下の範囲に収まるようにしなければならな
い。
【００１０】従来では基板１１０と蒸発源１１４との間
の距離１５０を大きくとることで、入射角δ2を小さく
していたが、ＦＥＤに用いられる基板は大きいので、基
板端部においても入射角δ2を小さくしようとすると、
蒸発源１１４と基板１１０との距離１５０は非常に大き
くなる。
の距離１５０を大きくとることで、入射角δ2を小さく
していたが、ＦＥＤに用いられる基板は大きいので、基
板端部においても入射角δ2を小さくしようとすると、
蒸発源１１４と基板１１０との距離１５０は非常に大き
くなる。
【００１１】一般に、蒸発源と基板との間の距離が大き
くなると、成膜速度は小さくなる。この場合に蒸着材料
を斜め方向から入射させると、垂直方向から入射させた
場合に比して成膜速度がさらに小さくなる。従って、成
膜に要する時間が長くなってしまい、蒸着装置の生産性
が低下してしまうという問題が生じていた。
くなると、成膜速度は小さくなる。この場合に蒸着材料
を斜め方向から入射させると、垂直方向から入射させた
場合に比して成膜速度がさらに小さくなる。従って、成
膜に要する時間が長くなってしまい、蒸着装置の生産性
が低下してしまうという問題が生じていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、垂直入射蒸着と斜め入射蒸着の両方をすること
ができ、かつ基板表面への成膜速度を大きくすることが
できる技術を提供することにある。
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、垂直入射蒸着と斜め入射蒸着の両方をすること
ができ、かつ基板表面への成膜速度を大きくすることが
できる技術を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、成膜装置であって、真空槽
と、前記真空槽内に設けられ、揺動可能に構成された基
板ホルダーと、前記基板ホルダーに対し、所定距離に配
置された第１の成膜源と、前記基板ホルダーに対し、前
記第１の成膜源よりも遠い位置に配置された第２の成膜
源とを有することを特徴とする。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の成膜装置であって、前記第１の成膜
源は、前記第２の成膜源から前記基板ホルダーに向けて
飛行する成膜物質を遮らない位置に配置されたことを特
徴とする。請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項
２記載の成膜装置であって、前記第２の成膜源は、前記
真空槽内の下方に配置され、前記基板ホルダーは、前記
第２の成膜源の上方に配置され、少なくとも前記第２の
成膜源に対して水平な状態と、前記第１の成膜源に対し
て傾いた状態との両方をとることができるように構成さ
れている。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項
３記載の成膜装置であって、前記第１、第２の成膜源内
には第１、第２の金属材料がそれぞれ配置され、前記第
１、第２の金属材料を加熱し、前記真空槽内に前記第
１、第２の金属材料からなる蒸気を放出できるように構
成されたことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、成膜装置であって、真空槽
と、前記真空槽内に設けられ、揺動可能に構成された基
板ホルダーと、前記基板ホルダーに対し、所定距離に配
置された第１の成膜源と、前記基板ホルダーに対し、前
記第１の成膜源よりも遠い位置に配置された第２の成膜
源とを有することを特徴とする。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の成膜装置であって、前記第１の成膜
源は、前記第２の成膜源から前記基板ホルダーに向けて
飛行する成膜物質を遮らない位置に配置されたことを特
徴とする。請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項
２記載の成膜装置であって、前記第２の成膜源は、前記
真空槽内の下方に配置され、前記基板ホルダーは、前記
第２の成膜源の上方に配置され、少なくとも前記第２の
成膜源に対して水平な状態と、前記第１の成膜源に対し
て傾いた状態との両方をとることができるように構成さ
れている。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項
３記載の成膜装置であって、前記第１、第２の成膜源内
には第１、第２の金属材料がそれぞれ配置され、前記第
１、第２の金属材料を加熱し、前記真空槽内に前記第
１、第２の金属材料からなる蒸気を放出できるように構
成されたことを特徴とする。
【００１４】本発明の成膜装置によれば、第１、第２の
成膜源が、加熱されることで第１、第２の金属材料の蒸
気を真空槽内に放出する蒸発源である場合には、基板ホ
ルダーを傾けた状態にして、第１の成膜源から第１の金
属材料の蒸気を放出することにより、基板表面に斜め方
向から第１の金属材料を入射させることができる。
成膜源が、加熱されることで第１、第２の金属材料の蒸
気を真空槽内に放出する蒸発源である場合には、基板ホ
ルダーを傾けた状態にして、第１の成膜源から第１の金
属材料の蒸気を放出することにより、基板表面に斜め方
向から第１の金属材料を入射させることができる。
【００１５】他方、基板ホルダーを水平な状態にして、
第２の成膜源から第２の金属材料の蒸気を放出すること
により、基板表面に対する蒸着材料の入射角ができるだ
け小さくするようにして、ほぼ垂直に蒸着材料を入射さ
せることができる。
第２の成膜源から第２の金属材料の蒸気を放出すること
により、基板表面に対する蒸着材料の入射角ができるだ
け小さくするようにして、ほぼ垂直に蒸着材料を入射さ
せることができる。
【００１６】一般に、蒸発源と基板との間の距離が小さ
くなると、成膜速度は大きくなる。第１の成膜源は、第
２の成膜源より基板ホルダーに近い位置に配置されてい
るので、第１、第２の成膜源のそれぞれから、基板表面
に垂直方向に第１、第２の金属材料を入射させると、第
１の成膜源による成膜速度は、第２の成膜源による成膜
速度よりも大きくなる。
くなると、成膜速度は大きくなる。第１の成膜源は、第
２の成膜源より基板ホルダーに近い位置に配置されてい
るので、第１、第２の成膜源のそれぞれから、基板表面
に垂直方向に第１、第２の金属材料を入射させると、第
１の成膜源による成膜速度は、第２の成膜源による成膜
速度よりも大きくなる。
【００１７】このように、垂直方向で入射させる場合で
は、第１の成膜源の成膜速度は、第２の成膜源の成膜速
度よりも大きい。斜め方向に入射する際の成膜速度は垂
直方向に入射する際の成膜速度より小さくなるものの、
第２の成膜源を用いて垂直方向から蒸着材料を入射させ
た場合の成膜速度に比して、大きくなることはあっても
小さくなることはない。
は、第１の成膜源の成膜速度は、第２の成膜源の成膜速
度よりも大きい。斜め方向に入射する際の成膜速度は垂
直方向に入射する際の成膜速度より小さくなるものの、
第２の成膜源を用いて垂直方向から蒸着材料を入射させ
た場合の成膜速度に比して、大きくなることはあっても
小さくなることはない。
【００１８】従って、斜め方向に蒸着材料を入射させる
場合の成膜速度が、垂直方向に入射させる場合の成膜速
度よりも小さくなっていた従来と異なり、成膜に要する
時間を短縮でき、蒸着装置の生産性を向上させることが
できる。
場合の成膜速度が、垂直方向に入射させる場合の成膜速
度よりも小さくなっていた従来と異なり、成膜に要する
時間を短縮でき、蒸着装置の生産性を向上させることが
できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１の符号１に、本発明の実
施形態の真空蒸着装置を示す。真空蒸着装置１は真空槽
２と、第１、第２の蒸発源３1、３2と、基板ホルダー４
とを有している。
施形態について説明する。図１の符号１に、本発明の実
施形態の真空蒸着装置を示す。真空蒸着装置１は真空槽
２と、第１、第２の蒸発源３1、３2と、基板ホルダー４
とを有している。
【００２０】第２の蒸発源３2は真空槽２の内部底面に
配置され、第２の蒸発源３2の上方には板状の基板ホル
ダー４が配置されている。基板ホルダー４は、真空槽２
の側壁から水平に突出し、所定角度回転可能な軸(図示
せず)に取り付られており、軸が所定角度回転すること
で、水平な状態と、第２の蒸発源３2に対して傾いた状
態とのいずれか一方をとることができるようにされてい
る。また、基板ホルダー４は、その法線方向の中心軸線
６０を中心にして、回転できるようにされている。
配置され、第２の蒸発源３2の上方には板状の基板ホル
ダー４が配置されている。基板ホルダー４は、真空槽２
の側壁から水平に突出し、所定角度回転可能な軸(図示
せず)に取り付られており、軸が所定角度回転すること
で、水平な状態と、第２の蒸発源３2に対して傾いた状
態とのいずれか一方をとることができるようにされてい
る。また、基板ホルダー４は、その法線方向の中心軸線
６０を中心にして、回転できるようにされている。
【００２１】基板ホルダー４の斜め下方には、第１の蒸
着源３1が配置されている。第１の蒸着源３1と基板ホル
ダー４との距離５1は、第２の蒸着源３2と基板ホルダー
４との距離５2に比して小さくなるようにされており、
第１の蒸着源３1は第２の蒸発源３2より基板ホルダー４
に近い位置に配置されている。ここでは、第１の蒸着源
３1と基板ホルダー４との距離５1は、第２の蒸着源３2
と基板ホルダー４との距離５2の半分以下にされている
ものとする。
着源３1が配置されている。第１の蒸着源３1と基板ホル
ダー４との距離５1は、第２の蒸着源３2と基板ホルダー
４との距離５2に比して小さくなるようにされており、
第１の蒸着源３1は第２の蒸発源３2より基板ホルダー４
に近い位置に配置されている。ここでは、第１の蒸着源
３1と基板ホルダー４との距離５1は、第２の蒸着源３2
と基板ホルダー４との距離５2の半分以下にされている
ものとする。
【００２２】第１、第２の蒸着源３1、３2には、それぞ
れ第１、第２の金属材料(Ａｌ、Ｍｏ)が配置されてお
り、図示しない電子銃から電子ビームを各第１、第２の
金属材料へ照射すると、第１、第２の金属材料が加熱さ
れて蒸発し、その蒸気が真空槽２内に放出させることが
できるようにされている。
れ第１、第２の金属材料(Ａｌ、Ｍｏ)が配置されてお
り、図示しない電子銃から電子ビームを各第１、第２の
金属材料へ照射すると、第１、第２の金属材料が加熱さ
れて蒸発し、その蒸気が真空槽２内に放出させることが
できるようにされている。
【００２３】上述の真空蒸着装置１を用いて、ＦＥＤに
用いられる電極基板を製造するには、図３(ａ)に示すよ
うに、予めガラスからなる基板１０の表面に、Ｎｂを蒸
着で成膜後、フォトリソの手段で図示しないカソード導
体にパターン化し、その表面にアモルファスシリコン層
２２と、SiO2層と、図示しないＮｂ層とを順次積層した
後に、フォトリソの手段でSiO2層とＮｂ層に複数の微小
孔３０を形成し、ゲート電極２３を形成する。微小孔３
０の底面には、アモルファスシリコン層２２が露出した
状態になっている。
用いられる電極基板を製造するには、図３(ａ)に示すよ
うに、予めガラスからなる基板１０の表面に、Ｎｂを蒸
着で成膜後、フォトリソの手段で図示しないカソード導
体にパターン化し、その表面にアモルファスシリコン層
２２と、SiO2層と、図示しないＮｂ層とを順次積層した
後に、フォトリソの手段でSiO2層とＮｂ層に複数の微小
孔３０を形成し、ゲート電極２３を形成する。微小孔３
０の底面には、アモルファスシリコン層２２が露出した
状態になっている。
【００２４】真空蒸着装置１では、まず、予め不図示の
真空排気系で真空槽２内を真空状態にし、基板ホルダー
４を水平な状態にしておく。この状態で、上述の基板１
０を真空状態を維持しながら真空槽２内に運び入れ、図
２(ａ)に示すように基板ホルダー４に保持させる。
真空排気系で真空槽２内を真空状態にし、基板ホルダー
４を水平な状態にしておく。この状態で、上述の基板１
０を真空状態を維持しながら真空槽２内に運び入れ、図
２(ａ)に示すように基板ホルダー４に保持させる。
【００２５】その後、軸を所定角度回転させ、基板１０
を第１の蒸発源３1と第２の蒸発源３2に対して所定角度
傾ける。次いで、基板ホルダー４の法線方向の中心軸線
６０を中心にして、基板１０を回転させながら、基板ホ
ルダー４に近い第１の蒸発源３1に電子ビームを照射
し、第１の金属材料を蒸発させると、第１の金属材料の
蒸気は、図２(ｂ)に示すように基板表面に対して入射角
δ1で入射する。この入射角δ1は大きく、第１の金属材
料は基板表面に対して斜め方向から入射されることにな
る。ここでは入射角δ1が７５°程度であるものとす
る。このため第１の金属材料は、ゲート電極２３の表面
には到達するが、微小孔３０の底部には到達できないの
で、ゲート電極２３の表面にのみ第１の金属材料が蒸着
され、第１の金属膜２４が成膜される。ゲート電極２３
の表面に第１の金属膜２４が所定膜厚に形成されたら、
電子ビームの照射を終了させる。
を第１の蒸発源３1と第２の蒸発源３2に対して所定角度
傾ける。次いで、基板ホルダー４の法線方向の中心軸線
６０を中心にして、基板１０を回転させながら、基板ホ
ルダー４に近い第１の蒸発源３1に電子ビームを照射
し、第１の金属材料を蒸発させると、第１の金属材料の
蒸気は、図２(ｂ)に示すように基板表面に対して入射角
δ1で入射する。この入射角δ1は大きく、第１の金属材
料は基板表面に対して斜め方向から入射されることにな
る。ここでは入射角δ1が７５°程度であるものとす
る。このため第１の金属材料は、ゲート電極２３の表面
には到達するが、微小孔３０の底部には到達できないの
で、ゲート電極２３の表面にのみ第１の金属材料が蒸着
され、第１の金属膜２４が成膜される。ゲート電極２３
の表面に第１の金属膜２４が所定膜厚に形成されたら、
電子ビームの照射を終了させる。
【００２６】次いで、軸を所定角度回転させ、基板１０
を水平状態にさせる。この状態で、基板ホルダー４から
遠い第２の蒸発源３2に電子ビームを照射すると、第２
の蒸発源３2から第２の金属材料が蒸発する。蒸発した
第２の金属材料は、図２(ｃ)に示すように基板表面に対
し入射角δ2で入射される。
を水平状態にさせる。この状態で、基板ホルダー４から
遠い第２の蒸発源３2に電子ビームを照射すると、第２
の蒸発源３2から第２の金属材料が蒸発する。蒸発した
第２の金属材料は、図２(ｃ)に示すように基板表面に対
し入射角δ2で入射される。
【００２７】この入射角δ2は小さく、第２の金属材料
は、ほぼ垂直に基板１０の表面に入射される。ここでは
入射角δ2は１０°程度であるものとする。第２の金属
材料は基板表面にほぼ垂直に入射されるので、第１の金
属膜２４の表面に到達するだけでなく、微小孔３０内に
入り、微小孔３０の底面から露出するアモルファスシリ
コン層２２にも到達し、図３(ｃ)に示すようにアモルフ
ァスシリコン層２２の表面には第２の金属材料からなる
コーン状のエミッタ(以下でエミッタコーンと称する。)
２５1が形成されるとともに、第１の金属膜２４の上に
は第２の金属膜２５2が形成される。
は、ほぼ垂直に基板１０の表面に入射される。ここでは
入射角δ2は１０°程度であるものとする。第２の金属
材料は基板表面にほぼ垂直に入射されるので、第１の金
属膜２４の表面に到達するだけでなく、微小孔３０内に
入り、微小孔３０の底面から露出するアモルファスシリ
コン層２２にも到達し、図３(ｃ)に示すようにアモルフ
ァスシリコン層２２の表面には第２の金属材料からなる
コーン状のエミッタ(以下でエミッタコーンと称する。)
２５1が形成されるとともに、第１の金属膜２４の上に
は第２の金属膜２５2が形成される。
【００２８】エミッタコーン２５1及び第２の金属膜２
５2が所定膜厚に成膜されたら、電子ビームの照射を終
了させ、真空雰囲気を維持したまま、基板１０を取り出
す。そして、真空槽２から他の装置へ運ぶ。他の装置で
エッチング処理がなされると、前記第１の金属膜２４が
溶けて、ＦＥＤに用いられるカソード電極基板が完成す
る。
５2が所定膜厚に成膜されたら、電子ビームの照射を終
了させ、真空雰囲気を維持したまま、基板１０を取り出
す。そして、真空槽２から他の装置へ運ぶ。他の装置で
エッチング処理がなされると、前記第１の金属膜２４が
溶けて、ＦＥＤに用いられるカソード電極基板が完成す
る。
【００２９】一般に、基板表面に斜め方向から蒸着材料
が入射されるときの成膜速度は、垂直方向から蒸着材料
が入射される場合の成膜速度に比して小さくなる。他
方、蒸発源と基板との間の距離が小さくなると、成膜速
度は大きくなることも知られている。このとき成膜速度
は基板と蒸発源との間の距離の逆数の二乗に比例して大
きくなる。
が入射されるときの成膜速度は、垂直方向から蒸着材料
が入射される場合の成膜速度に比して小さくなる。他
方、蒸発源と基板との間の距離が小さくなると、成膜速
度は大きくなることも知られている。このとき成膜速度
は基板と蒸発源との間の距離の逆数の二乗に比例して大
きくなる。
【００３０】上述したように、第１の成膜源３1は、蒸
着材料を基板表面に斜め方向に入射させており、このと
きの成膜速度は、蒸着材料を基板表面に垂直方向に入射
させる場合に比して小さくなる。
着材料を基板表面に斜め方向に入射させており、このと
きの成膜速度は、蒸着材料を基板表面に垂直方向に入射
させる場合に比して小さくなる。
【００３１】しかし、基板１０と第１の蒸発源３1との
間の距離５1は、第２の蒸着源３2と基板ホルダー４との
距離５2よりも小さいので、第１の成膜源３1による成膜
速度は、その分第２の成膜源３2による成膜速度よりも
大きくなる。ここでは、基板１０と第１の蒸発源３1と
の間の距離５1は、第２の蒸着源３2と基板ホルダー４と
の距離５2の半分以下になっているので、第１の成膜源
３1による成膜速度は、第２の成膜源３2による成膜速度
の４倍以上になる。従って、第１の成膜源３1を用いて
蒸着材料を基板表面に斜め方向に入射させる際の成膜速
度は、第２の成膜源３2を用いて垂直方向から蒸着材料
を入射させた場合の成膜速度に比して大きくなることは
あっても、小さくなることはない。
間の距離５1は、第２の蒸着源３2と基板ホルダー４との
距離５2よりも小さいので、第１の成膜源３1による成膜
速度は、その分第２の成膜源３2による成膜速度よりも
大きくなる。ここでは、基板１０と第１の蒸発源３1と
の間の距離５1は、第２の蒸着源３2と基板ホルダー４と
の距離５2の半分以下になっているので、第１の成膜源
３1による成膜速度は、第２の成膜源３2による成膜速度
の４倍以上になる。従って、第１の成膜源３1を用いて
蒸着材料を基板表面に斜め方向に入射させる際の成膜速
度は、第２の成膜源３2を用いて垂直方向から蒸着材料
を入射させた場合の成膜速度に比して大きくなることは
あっても、小さくなることはない。
【００３２】従って、斜め方向に蒸着材料を入射させる
場合の成膜速度が、垂直方向に入射させる場合の成膜速
度よりもさらに小さくなっていた従来と異なり、成膜に
要する時間が短くなるので、蒸着装置の生産性を向上さ
せることができる。
場合の成膜速度が、垂直方向に入射させる場合の成膜速
度よりもさらに小さくなっていた従来と異なり、成膜に
要する時間が短くなるので、蒸着装置の生産性を向上さ
せることができる。
【００３３】なお、本実施形態では成膜装置を真空蒸着
装置として説明したが本発明はこれに限らず、例えば第
１、第２の成膜源をスパッタリングターゲットとして、
スパッタリング装置を構成してもよい。
装置として説明したが本発明はこれに限らず、例えば第
１、第２の成膜源をスパッタリングターゲットとして、
スパッタリング装置を構成してもよい。
【００３４】また、ＦＥＤに用いる電極基板の製造につ
いて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、蒸着材料を基板表面の垂直方向と斜め方向のいずれ
にも入射させることができる装置であればよい。
いて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、蒸着材料を基板表面の垂直方向と斜め方向のいずれ
にも入射させることができる装置であればよい。
【００３５】さらに、本実施形態では第１の金属材料を
Ａｌとし、第２の金属材料をＭｏとしているが、本発明
の第１、第２の金属材料はこれに限られるものではな
い。さらにまた、第１、第２の成膜源３1、３2に異なる
金属材料を配置して、異なる材料の第１、第２の金属膜
２４、２５を成膜しているが、本発明はこれに限らず、
第１、第２の成膜源３1、３2に同一の金属材料を配置し
て、同じ材料からなる第１、第２の金属膜２４、２５を
成膜してもよい。
Ａｌとし、第２の金属材料をＭｏとしているが、本発明
の第１、第２の金属材料はこれに限られるものではな
い。さらにまた、第１、第２の成膜源３1、３2に異なる
金属材料を配置して、異なる材料の第１、第２の金属膜
２４、２５を成膜しているが、本発明はこれに限らず、
第１、第２の成膜源３1、３2に同一の金属材料を配置し
て、同じ材料からなる第１、第２の金属膜２４、２５を
成膜してもよい。
【００３６】
【発明の効果】成膜に要する時間を短縮して、成膜装置
の生産性を向上させることができる。
の生産性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態の真空蒸着装置を説明する
断面図
断面図
【図２】(ａ)：本発明の一実施形態の真空蒸着装置の動
作を説明する第１の断面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の真空蒸着装置の動作を説明
する第２の断面図 (ｃ)：本発明の一実施形態の真空蒸着装置の動作を説明
する第３の断面図
作を説明する第１の断面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の真空蒸着装置の動作を説明
する第２の断面図 (ｃ)：本発明の一実施形態の真空蒸着装置の動作を説明
する第３の断面図
【図３】(ａ)：本発明の一実施形態の蒸着工程を説明す
る第１の断面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の蒸着工程を説明する第２の
断面図 (ｃ)：本発明の一実施形態の蒸着工程を説明する第３の
断面図
る第１の断面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の蒸着工程を説明する第２の
断面図 (ｃ)：本発明の一実施形態の蒸着工程を説明する第３の
断面図
【図４】従来の真空蒸着装置を説明する断面図
【図５】(ａ)：従来の他の真空蒸着装置を説明する第１
の断面図 (ｂ)：従来の他の真空蒸着装置を説明する第２の断面図
の断面図 (ｂ)：従来の他の真空蒸着装置を説明する第２の断面図
【符号の説明】 １……成膜装置 ２……真空槽 ３1……第１の蒸発源
３2……第２の蒸発源 ４……基板ホルダー ５1
……基板と第１の蒸発源との距離 ５2……基板と第
２の蒸発源との距離 ６０……基板ホルダーの法線方向
の中心軸線 δ 1……第１の金属材料の基板表面への
入射角 δ2……第２の金属材料の基板表面への入射
角
３2……第２の蒸発源 ４……基板ホルダー ５1
……基板と第１の蒸発源との距離 ５2……基板と第
２の蒸発源との距離 ６０……基板ホルダーの法線方向
の中心軸線 δ 1……第１の金属材料の基板表面への
入射角 δ2……第２の金属材料の基板表面への入射
角
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 秀行 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 兼重 敏男 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 渡辺 照男 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 西村 則雄 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BD00 BD01 CA01 CA15 DB14 JA01
Claims (4)
- 【請求項１】真空槽と、 前記真空槽内に設けられ、揺動可能に構成された基板ホ
ルダーと、 前記基板ホルダーに対し、所定距離に配置された第１の
成膜源と、 前記基板ホルダーに対し、前記第１の成膜源よりも遠い
位置に配置された第２の成膜源とを有することを特徴と
する成膜装置。 - 【請求項２】前記第１の成膜源は、前記第２の成膜源か
ら前記基板ホルダーに向けて飛行する成膜物質を遮らな
い位置に配置されたことを特徴とする請求項１記載の成
膜装置。 - 【請求項３】前記第２の成膜源は、前記真空槽内の下方
に配置され、 前記基板ホルダーは、前記第２の成膜源の上方に配置さ
れ、少なくとも前記第２の成膜源に対して水平な状態
と、前記第１の成膜源に対して傾いた状態との両方をと
ることができるように構成された請求項１又は請求項２
記載の成膜装置。 - 【請求項４】前記第１、第２の成膜源内には第１、第２
の金属材料がそれぞれ配置され、前記第１、第２の金属
材料を加熱し、前記真空槽内に前記第１、第２の金属材
料からなる蒸気を放出できるように構成されたことを特
徴とする請求項１乃至請求項３記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10249299A JP3979745B2 (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 成膜装置、薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10249299A JP3979745B2 (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 成膜装置、薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000297360A true JP2000297360A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3979745B2 JP3979745B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=14328931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10249299A Expired - Lifetime JP3979745B2 (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 成膜装置、薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3979745B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009114502A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
| CN103112169A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-22 | 宁波绿海电子材料有限公司 | 一种电磁炉电容器金属化膜的制备方法 |
| CN104004996A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-08-27 | 京浜光学制品（常熟）有限公司 | 一种低温af镀膜用蒸发装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5616265B2 (ja) | 2011-03-25 | 2014-10-29 | Hoya株式会社 | 薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP10249299A patent/JP3979745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009114502A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
| CN103112169A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-22 | 宁波绿海电子材料有限公司 | 一种电磁炉电容器金属化膜的制备方法 |
| CN103112169B (zh) * | 2013-01-28 | 2015-09-23 | 宁波绿海电子材料有限公司 | 一种电磁炉电容器金属化膜的制备方法 |
| CN104004996A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-08-27 | 京浜光学制品（常熟）有限公司 | 一种低温af镀膜用蒸发装置 |
| CN104004996B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-01-13 | 京浜光学制品（常熟）有限公司 | 一种低温af镀膜用蒸发装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3979745B2 (ja) | 2007-09-19 |
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