JP2000299326A - 高密度半導体用接着剤 - Google Patents

高密度半導体用接着剤

Info

Publication number
JP2000299326A
JP2000299326A JP2000008421A JP2000008421A JP2000299326A JP 2000299326 A JP2000299326 A JP 2000299326A JP 2000008421 A JP2000008421 A JP 2000008421A JP 2000008421 A JP2000008421 A JP 2000008421A JP 2000299326 A JP2000299326 A JP 2000299326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
silica
semiconductor device
ultrafine
spherical fine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000008421A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4386521B2 (ja
Inventor
Shigeru Koshibe
茂 越部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHIIMA DENSHI KK
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
SHIIMA DENSHI KK
Toagosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHIIMA DENSHI KK, Toagosei Co Ltd filed Critical SHIIMA DENSHI KK
Priority to JP2000008421A priority Critical patent/JP4386521B2/ja
Publication of JP2000299326A publication Critical patent/JP2000299326A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4386521B2 publication Critical patent/JP4386521B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】接着性、保存性、安定性及び作業性に優れると
ともに、半導体装置の組立時及び使用時に半導体装置に
生じる熱応力を緩和することができる、高信頼性の高密
度半導体装置を低コストで製造するための接着剤を提供
する。 【解決手段】表面に水酸基を有する球状細粒シリカ、及
び超微粒シリカを最適な量・比率で含有する柔軟で強靭
な半導体用接着剤において、最適な粒径を有する役割の
異なる2種のシリカを固形接着成分及び粘性調整成分と
して適量含有する。2種のシリカは表面に水酸基を有す
る平均粒径2〜8μmの球状細粒品、及び平均粒径2〜
80nmの超微粒品である。2種シリカの合計含有率は
5〜70重量%であり、球状細粒シリカの含有量は超微
粒シリカの含有量より多い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、高密度半導体用の
接着剤に関するものである。ここでいう接着剤とは、半
導体装置を組み立てるに際し、半導体チップ、放熱板、
回路基板等を取り付けるため異種素材を接着するととも
に衝撃緩衝の役目をするものである。
【0002】
【従来の技術】情報及び通信分野に於ける技術の急速な
進歩に呼応して、電子機器の性能向上、小型化、軽量化
及び低コスト化が強く求められている。これらの要望を
満たすため、電子機器の心臓部である半導体装置の高密
度化が必須のものとなっている。半導体装置の高密度化
は、例えば、半導体ベアチップを基板に直接取り付ける
フリップチップ・ボンディング加工法、更には、電極を
面状に配置したBGA(ボール・グリッド・アレイ)加
工法やCSP(チップ・サイズ・パッケージ)加工法等
の技術によりその実現が図られている。
【0003】半導体装置の高密度化に当たって、接着剤
を使用して半導体チップ、放熱板、回路基板等を取り付
ける技術が進歩している。この技術は、異種素材同士を
接着するとともに半導体装置の熱応力による衝撃を緩和
する役目もするものである。半導体装置を接着剤を用い
て組み立てるに際しては、半導体を精密に基板等に接着
させる必要がある。このため接着剤には品質の均一性及
び安定性が求められる。従来の接着剤は液状接着成分を
主に構成されているので、部分的に組成変動を生じ高精
度接着用途には不向きであった。接着力がバラツク、不
均一に滲み出すといった問題を生じていた。また、半導
体装置の組立に当たっては、異種素材を接着しなければ
ならず、従来の接着剤では接着力が不足するという問題
がある。
【0004】半導体装置には組立時及び使用時に熱がか
かり、これが半導体に熱応力を生じさせ、この応力を緩
和しなければならないという問題がある。熱がかかった
場合、半導体チップ自身の熱膨張は小さく、接着剤の熱
膨張が大きいので、接着剤は膨張しようとし、半導体が
その膨張を抑えようとするので応力が発生し、それが半
導体装置の故障原因になり、最悪の場合半導体装置自身
の破壊の原因にもなる。
【0005】従来の接着剤は、熱膨張を小さくするため
に充填剤としてシリカが使用されるが、多量に添加する
と柔軟性や強度の低下を招く。また、粒径の大きな異方
性充填剤は、局部応力を発生するという問題がある。さ
らに、接着補強剤として超微粒子異方性シリカを用いる
ことも知られているが、添加により粘度が上昇し流動性
を失って加工性が悪くなるという問題がある。このた
め、液状の接着成分を添加する方法が採用されている
が、滲み出しや接着力の不均一性という問題を抱えてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高密度化す
る半導体装置を、低コストで組立可能とする半導体用接
着剤を提供するものである。この接着剤は、寸法精度、
保存性及び接着力に優れ、かつ、半導体装置の組立時及
び使用時にかかる熱によって半導体装置に生じる熱応力
を緩和することのできるものである。即ち、表面に水酸
基を有する球状細粒シリカ、及び超微粒シリカを、固形
接着成分及び粘性調整成分として適切な量及び比率で使
用することにより柔軟性・均一性・安定性及び加工性に
優れる高強度の接着剤を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、表面
に水酸基を有する平均粒径2〜8μmの球状細粒シリ
カ、及び平均粒径が2〜80nmの超微粒シリカを含有
する半導体用接着剤である。請求項2の発明は、球状細
粒シリカ及び微粒シリカの合計含有率が、5〜70重量
%であることを特徴とする請求項1に記載の半導体用接
着剤である。請求項3の発明は球状細粒シリカの含有量
が超微粒シリカの含有量より多いことを特徴とする請求
項1又は請求項2に記載の半導体用接着剤である。
【0008】請求項4は球状細粒シリカが、その粒径分
布がCV値で60%以下であることを特徴とする請求項
1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体用接着剤
である。請求項5は球状細粒シリカの水酸基の量が、該
シリカに対し0.01〜1.0mmol/gであること
を特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記
載の半導体用接着剤である。
【0009】請求項6の発明は、ベースとなる接着剤が
柔軟性接着剤、シリコーン系・柔軟エポキシ系・エラス
トマー系の柔軟性接着剤より選択される少なくとも1種
であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれ
か1項に記載の半導体用接着剤である。
【0010】本発明は、表面に水酸基を有する球状細粒
シリカ、及び超微粒シリカを最適な量・比率で含有する
柔軟で強靭な半導体用接着剤を提供するものである。最
適な粒径を有する役割の異なる2種のシリカを固形接着
成分及び粘性調整成分として適量含有する接着剤は、柔
軟性・保存性・加工性・接着性に優れたものである。そ
して、本発明の接着剤を用いて組み立てた半導体装置
は、熱応力の緩和に優れ、高密度化が可能で、信頼性が
高く、製造コストも低いものである。
【0011】本発明は、表面に水酸基を有する球状細粒
シリカを使用する。水酸基はベース樹脂と物理的・化学
的結合を形成し強度や信頼性面で効果を発揮する。従来
の球状細粒シリカは水酸基をほとんど持たないため、樹
脂の滲み出し、強度及び信頼性の低下といった問題を生
じる。
【0012】超微粒シリカは、特に表面に水酸基等の官
能基を有する必要はない。表面積即ちベース接着剤との
接触面積が大きいため、相溶性や反応性の官能基がなく
ても強度低下といった問題を生じない。但し、市販品は
表面に水酸基又はアルコキシ基を有するものがほとんど
であり、ベース樹脂との馴染みは良い。
【0013】本発明は複数種のシリカを使用する。接着
剤に無機系粒子を添加した場合、一般に、接着剤の粘度
が高くなり接着加工性が極端に悪くなる。この点、球状
の粒子を使用すると、粘度の上昇を抑え充填性を高める
ことができ、超微粒子を使用することにより接着剤のチ
キソ性を高め滲み出しを防止することができる。即ち、
球状細粒シリカと超微粒シリカをバランスよく添加する
ことが重要である。また、シリカの含有量が多すぎる
と、接着剤の粘度上昇により加工性が低下する等の問題
がある。よって、球状細粒シリカ及び微粒シリカの含有
量は5〜70重量%が好ましく、球状細粒シリカの含有
量が超微粒シリカの含有量より多いことが好ましい。さ
らに、他のシリカ又は及び他種の充填剤を接着剤特性に
悪影響を与えない範囲で使用しても良い。
【0014】シリカの粒径が大きいと、接着剤の加工性
が損なわれ、また、局部的に応力が集中するという問題
がある。このような観点から、球状細粒シリカとしては
平均粒径は2〜8μm、CV値が60%以下が好まし
い。ここでCV値というのは、下記式から求められるも
のである。 CV値(%)=(D1−D2)÷2Dp×100 上式中D2は累計16重量%のときの粒径、D1は累計8
4重量%のときの粒径、Dpは平均粒径、即ち、累計5
0重量%のときの粒径を表す。
【0015】更に、本発明に使用する球状細粒シリカ
は、その表面に有する水酸基の量が該球状シリカに対し
0.01〜1.0mmol/gであることが好ましい。
水酸基の量が多過ぎると、チキソ性が増し加工性を低下
させたり、空気中の水分を吸着し半導体装置の信頼性を
低下させるという問題を生じる。ちなみに、水酸基の最
少被覆面積を1770平方メートル/g及び球状シリカ
(平均粒径5μm)の理論比表面積を0.5平方メート
ル/gとすると、球状シリカの表面を全て水酸基で被覆
するのに必要な量は1.6mmol/gとなる。
【0016】水酸基量の下限値は、水酸基の測定精度及
び従来の球状シリカの測定値より定めた。水酸基が少な
い場合には含有量が極めて小さくなり測定精度の問題が
大きくなるためである。ちなみに、シリカ粒子に水酸基
が1000個存在する場合、平均粒径が2μmでは水酸
基量は1.7×10E−6mmol/gになる。又、2
000℃程度で熔射した理論上は水酸基をほとんど有し
ないとされている従来の球状シリカの水酸基量を測定し
た結果は、現在の測定精度である0.01mmol/g
より小さい数値(検出限界以下)を示した。
【0017】本発明に使用する接着剤は通常の接着剤を
使用することができるが、応力の緩和に有効に作用する
ことから柔軟性接着剤を使用するのが好ましい。具体的
には、シリコーン系接着剤・エポキシ系柔軟接着剤・エ
ラストマー系接着剤から選択される少なくとも1種の接
着剤が好ましい。そして、各柔軟性接着剤は、エポキシ
基・カルビノール基・水酸基・アミノ基・アルコキシ基
・ビニル基等の接着性官能基のうち少なくとも1種を骨
格に持つことが好ましい。
【0018】シリコーン系接着剤としては、ビニル基含
有型ポリシロキサンを好ましく使用することができる。
該ポリシロキサンは各種添加剤を加えることができ、硬
化剤や触媒類の存在下硬化しゴム弾性を有するシリコー
ンゴムとなる。このゴム弾性により半導体装置の組立時
又は使用時に発生する熱応力を緩和することができる。
硬化剤や触媒類はシリコーンメーカーのカタログ等に記
載の通りである。
【0019】エポキシ樹脂は一般的に硬化後は柔軟性を
持たない硬質なものが多い。本発明では柔軟性を有する
エポキシ樹脂及び硬化剤を使用するのが好ましく、具体
的には炭化水素変性・エラストマー変性・ゴム変性・シ
リコーン変性等の変性樹脂を用いる。これらの樹脂に、
各種添加剤を加えた硬化物は弾性を持ち応力を緩和する
ことができる。
【0020】次に、エラストマー系接着剤としては、ス
チレン系・オレフィン系・ポリエステル系・ポリアミド
系・ウレタン系等のものである。ビニル基・エポキシ基
・水酸基・アルコキシ基・アクリル基・イソシアネート
基等の反応性官能基を有するものが使用される。
【0021】本発明の接着剤には悪影響を与えない範囲
で他の接着成分を添加しても良い。エポキシ基・水酸基
・アミノ基・アルコキシ基等の官能基を有する化合物が
使用できる。
【0022】従来の接着剤は、液状接着成分や超微粒シ
リカを多量に用いるため、接着精度が悪い、加工性が悪
い、接着力がバラツク、不均一に滲み出す、歩留まりが
悪いといった問題を有している。
【0023】本発明の接着剤は、ペースト状又は固形状
で使用でき、テープ状等に加工することもできる。テー
プ状にした場合も、安定した高い接着力を保持すること
ができる。
【0024】本発明の接着剤は、接着すべき素材間に該
接着剤をつけて硬化させるものである。即ち、接着剤本
体が未硬化の状態で、半導体チップ等を貼付硬化させ半
導体装置を組立てるものである。その際、表面に水酸基
を有する球状細粒シリカと超微粒シリカを固形接着成分
及び粘性調整成分として用いることにより、接着効果を
一層大きく安定なものにすることができる。
【0025】本発明者は、既に表面に水酸基を有する球
状セラミックの効果を特願平10−330463にて発
表している。本発明は、さらに大きさの異なる複数のシ
リカを併用することにより、抜群に優れた効果があるこ
とを見い出したものである。
【0026】図1は、BGAに本発明の接着剤を適用し
たものである。半導体チップ25は、接着剤26を介し
て基板28に取り付けられている。29は半田ボールで
ある。半導体チップ25が接着剤26を介して基板28
に取り付けられており、これら全体がフレーム30で囲
まれている。外部へは配線27により接続されている。
接着剤26は、半導体チップ25を基板28に接着させ
るとともに、半導体装置に加わる熱応力を緩和する機能
をもつ。
【0027】図2は、ワイヤーボンディング方式への適
用例である。半導体チップ47は、接着剤43を介して
基板44に取り付けられている。42は半田ボールであ
り、46は封止材料である。外部へは配線45で接続さ
れている。接着剤43は、半導体チップ47を基板44
に接着させるとともに、半導体装置にかかる熱応力を緩
和する機能をもつ。
【0028】以下、本発明を検討例にて具体的に説明す
る。ここで、部は全て重量部である。
【実施例1】表面に水酸基を有する(高活性と称する)
球状細粒シリカA45部、超微粒シリカ(DM−10、
トクヤマ)5部、シクロペンタジエン変性エポキシ樹脂
(XD−1000、日本化薬)80部、キシレン変性フ
ェノール樹脂(XL−225、三井化学)20部及び触
媒(TPP−K、北興化学工業)1部を混合し3本ロー
ルにて5分間混練し接着剤を製造した。この接着剤を模
擬BGAにおいて、FPC(フレキシブル・プリント・
サーキット)上に厚み150μmでスクリーン印刷し、
半導体チップを装着した。その後180℃で5分間加熱
した。この接着層の厚み精度は±10μm以下で、樹脂
の滲み出しもなく基板との実装は全く問題なかった。
又、この模擬BGAの吸湿半田テストを行ったところ、
クラックやポップコーン等の不良発生は認められなかっ
た。更に、耐湿性テストを実施したところ回路の電流漏
れや断線等の不良は発生しなかった。
【0029】本実施例で使用した球状細粒シリカAは特
開平10−287415に準じて製造(焼成温度950
℃)したもので、平均粒径は3.8μm、CV値56
%、水酸基含有量0.2mmol/gである。又、超微
粒シリカDM−10は、平均粒径10nmのメトキシ変
性品である。
【0030】試験方法は、以下の通りである。 吸湿半田テスト:温度125℃・湿度100%の条件下
にて24時間放置した後、赤外線炉で260℃・10秒
で3回加熱する。 耐湿性テスト :半田吸湿テストを施したものを、温度
125℃・湿度100%で1000時間放置する。
【0031】水酸基量の測定 :検体にシリカゲルを内
部標準物質として添加し、FT−IR拡散反射法により
3740cm−1の吸収を測定し水酸基量を算出する。
尚、検体とトリメチルシランを反応させ、シランの消費
量より水酸基量を算出する方法では測定精度は0.1m
mol/gであった。今後、高精度の測定方法を検討す
ることにより、水酸基量の最適範囲はより明確になると
考えれる。
【0032】
【実施例2】ビニル基含有型ポリシロキサン(TSE2
60−3U、東芝シリコーン)95部、テルペン系重合
体(YS−125、ヤスハラケミカル)5部、高活性球
状細粒シリカB24部及び超微粒シリカ(#200、日
本アエロジル)1部、触媒(TC−8、東芝シリコー
ン)0.5部を使用し実施例1同様に接着剤を製造し
た。印刷では優れた加工性を示し滲み出し等の問題もな
かった。又、実施例1同様に吸湿半田テスト及び耐湿性
テストを実施したところ不良は発生しなかった。
【0033】高活性球状細粒シリカBは、珪酸ナトリウ
ムの水溶液を乳化させ酸添加により球状化し、これを濾
過乾燥した後、700℃で焼成したものである。平均粒
径は6.2μm、CV値は27%、水酸基量は0.8m
mol/gであった。又、超微粒シリカは平均粒径が1
5nmで水酸基を有するものである。
【0034】
【実施例3】高活性球状細粒シリカC185部及び超微
粒シリカ(L−90、CABOT)15部、熱可塑系エ
ラストマー(D−1117、シェルジャパン)95部及
び液状合成ゴム(B−1000、日本曹達)5部、ベン
ゾイルパーオキサイド0.5部を2本ロールにて5分間
混練し、固形接着剤を得た。次にFPC上に加熱圧縮成
形により150μmの接着剤層を加工した後、吸湿半田
テスト及び耐湿テストを実施した。厚み精度は良く、模
擬BGAのテストでも不良発生はなかった。
【0035】高活性球状細粒シリカCは市販品(TSS
−4、龍森)をフツ酸で洗い表面に水酸基を生成させた
ものである。平均粒径は2.8μm、CV値32%、水
酸基量0.15mmol/gであった。超微粒シリカは
平均粒径8nmで水酸基を有するものである。
【0036】
【実施例4】高活性球状細粒シリカA47部、超微粒シ
リカ(MIBK−ST、日産化学工業)10部、シリコ
ーン変性エポキシ樹脂(SIN−620、大日本インキ
化学工業)90部及びポリブタジエングリコール(G−
1000、日本曹達)10部を、真空加熱ニーダ中で混
合加熱し超微粒シリカを分散させていた溶媒を除去し
た。その後、当該混合物に触媒(TPP−K、北興化学
工業)1部を混合し3本ロールにて5分間混練し接着剤
を製造した。実施例1同様に印刷加工及び吸湿半田・耐
湿性テストを行ったが全く問題はなかった。
【0037】超微粒シリカは平均粒径15nmのコロイ
ダルシリカの30重量%溶液である。本シリカは表面に
水酸基を有するもので、分散溶媒はメチルイソブチルケ
トン(MIBK)である。
【0038】
【比較例1】実施例1で高活性球状細粒シリカAの代わ
りに、熔射法で製造された不活性シリカの空気分級品
(TSS−4、龍森)、即ち、表面に水酸基をほとんど
持たない平均粒径3.8μm、CV値51%の球状細粒
シリカを用いて同様に処理した。得られた接着剤はスク
リーン印刷時に樹脂分が滲み出し、印刷加工時に15%
が不良となった。良品を実施例1同様に吸湿半田テスト
したところ40%にクラックが発生した。不良が多いの
で次の耐湿性テストは中止した。球状細粒シリカが表面
に水酸基を持たないため、ベース樹脂との相溶性が悪く
分離現象を起こしたものと思われる。即ち、ベース樹脂
との接着強度が低いため界面破壊を起こしたと考えられ
る。尚、本シリカの水酸基測定結果は検出限界以下の数
値を示した。
【0039】
【比較例2】実施例1で超微粒シリカを添加せずに、同
様に接着剤を製造した。この接着剤は、印刷時に滲み出
し不良4%、厚み精度不良1%を発生した。良品で吸湿
半田テスト及び耐湿性テストを行ったところ不良率は
0.1%以下で問題はなかった。即ち、超微粒シリカを
添加しないと、加工時の歩留まりが悪くなりコストが高
くなる。
【0040】
【比較例3】実施例3にて、高活性球状細粒シリカCを
285部として接着剤を製造した。この接着剤はシリカ
含有量が約75重量%と多く流動性が悪く、圧縮成形時
に7%の未充填不良を発生した。
【0041】
【比較例4】実施例2にて、高活性球状細粒シリカBの
代わりに、熔射法で製造された不活性球状シリカ(FB
−6S、電気化学工業)、平均粒径6μmでCV値が8
3%、を用いて接着剤を製造した。この接着剤は印刷時
に滲み出しで20%、厚み精度で10%の不良を発生し
た。粒径の大きなシリカは加工性に大きな悪影響を及ぼ
す。尚、本シリカの水酸基量は検出限界以下であった。
【0042】
【比較例5】実施例3にて、高活性球状細粒シリカAの
代わりに、同製法で焼成温度を450℃に低下させた水
酸基が1.2mmol/gのシリカを用いて接着剤を製
造した。この接着剤は成形時に未充填不良を10%発生
した。又、良品は吸湿率が0.3重量%と実施例3の
0.2重量%の1.5倍であった。水酸基が多いと樹脂
との相溶性や反応性が高くなりすぎ、流動性の低下やゲ
ル化を招く。又、水分を吸収するため耐湿性の低下が危
惧される。
【0043】
【比較例6】実施例1に於いて、2種のシリカ50部に
代えて、シランカップリング剤(A−186、日本ユニ
カー)5部を使用して、実施例1と同様に処理した。こ
の接着剤は、印刷時に不均一な滲み出不良45%、厚み
精度不良25%を発生した。数少ない良品を吸湿半田テ
スト及び耐湿性テストにて評価したところ、部分剥離や
部分腐食によりテスト品の86%が不良となった。シラ
ンカップリング剤のような液状の接着性成分を主体に接
着剤を設計すると、接着力及び品質がバラツクといった
重大な問題を発生することが明らかである。
【0044】
【発明の効果】本発明は、超小型、かつ高性能な半導体
装置を低コストで加工するための接着剤を提供するもの
である。即ち、半導体チップ、放熱板等と回路基板等を
接着させるための高密度半導体用接着剤である。さら
に、本接着剤は。半導体装置の組立時及び使用時に半導
体装置に生ずる熱応力を緩和することができ、本発明に
よって製造した半導体装置は、その作動が安定した信頼
性の高いものである。
【0045】また、本接着剤は、保存性に優れており、
安定性に優れており、作業性に優れたものとなってい
る。さらに、本接着剤は、接着力に優れており、必要な
部品を互いに強力に接着するものである。このため、で
きあがった半導体装置は構造的に強靭堅固なものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の一例を示す図である。
【図2】本発明をワイヤーボンディングに適用した例で
ある。
【符号の説明】 25、47 半導体チップ 28、41、44 基板 29、42 半田ボール 26、43 接着剤 46 封止樹脂 27、45 配線 30 フレーム

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に水酸基を有する平均粒径が2〜8μ
    mの球状細粒シリカ、及び平均粒径が2〜80nmの超
    微粒シリカを含有する半導体用接着剤。
  2. 【請求項2】球状細粒シリカ及び超微粒シリカの合計含
    有量が5〜70重量%であることを特徴とする請求項1
    に記載の半導体用接着剤。
  3. 【請求項3】球状細粒シリカの含有量が超微粒シリカの
    含有量より多いことを特徴とする請求項1又は請求項2
    に記載の半導体用接着剤。
  4. 【請求項4】球状細粒シリカが、その粒径分布がCV値
    で60%以下であることを特徴とする請求項1から請求
    項3のいずれか1項に記載の半導体用接着剤。
  5. 【請求項5】球状細粒シリカの水酸基量が、該シリカに
    対して0.01〜1.0mmol/gであることを特徴
    とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半
    導体用接着剤。
  6. 【請求項6】ベースとなる接着剤が、シリコーン系接着
    剤・柔軟エポキシ系接着剤・エラストマー系接着剤から
    選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求
    項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体用接着
    剤。
JP2000008421A 1999-02-12 2000-01-18 高密度半導体用接着剤 Expired - Fee Related JP4386521B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000008421A JP4386521B2 (ja) 1999-02-12 2000-01-18 高密度半導体用接着剤

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-33722 1999-02-12
JP3372299 1999-02-12
JP2000008421A JP4386521B2 (ja) 1999-02-12 2000-01-18 高密度半導体用接着剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000299326A true JP2000299326A (ja) 2000-10-24
JP4386521B2 JP4386521B2 (ja) 2009-12-16

Family

ID=26372467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000008421A Expired - Fee Related JP4386521B2 (ja) 1999-02-12 2000-01-18 高密度半導体用接着剤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4386521B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004065519A1 (de) * 2003-01-21 2004-08-05 Röhm GmbH & Co. KG Matter polymerisationsklebstoff
JP2008274044A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Fujitsu Ltd 粘着材料、これを用いたタッチパネル型入力装置およびその製造方法
JP2008300862A (ja) * 2008-07-25 2008-12-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルムおよび半導体装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004065519A1 (de) * 2003-01-21 2004-08-05 Röhm GmbH & Co. KG Matter polymerisationsklebstoff
RU2277563C2 (ru) * 2003-01-21 2006-06-10 Рем Гмбх Унд Ко. Кг Матовое полимерное клеящее вещество
RU2277563C9 (ru) * 2003-01-21 2007-10-10 Рем Гмбх Унд Ко. Кг Матовое полимерное клеящее вещество
CN100355855C (zh) * 2003-01-21 2007-12-19 罗姆两合公司 无光聚合粘合剂
US7790797B2 (en) 2003-01-21 2010-09-07 Evonik Rohm Gmbh Matt polymerization glue
US7790792B2 (en) 2003-01-21 2010-09-07 Evonik Rohm Gmbh Matt polymerization glue
JP2008274044A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Fujitsu Ltd 粘着材料、これを用いたタッチパネル型入力装置およびその製造方法
JP2008300862A (ja) * 2008-07-25 2008-12-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルムおよび半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4386521B2 (ja) 2009-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4238124B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、接着性エポキシ樹脂シート、導電接続ペースト、導電接続シート及び電子部品接合体
JP3941262B2 (ja) 熱硬化性樹脂材料およびその製造方法
JP2008274300A (ja) 硬化性樹脂組成物
US6794038B2 (en) Latent hardener, manufacturing method for latent hardener, and adhesive
JP4449325B2 (ja) 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
JP3999840B2 (ja) 封止用樹脂シート
KR100989535B1 (ko) 접착재료
JP2000297263A (ja) 高密度半導体用の接着剤
JP4876317B2 (ja) 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置
JP2001019745A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US20040109943A1 (en) Latent hardener, manufacturing method for latent hardener, and adhesive
JP2000299326A (ja) 高密度半導体用接着剤
JP4446552B2 (ja) 超高密度半導体用の接着剤
JP2001131517A (ja) 熱硬化性接着材料とその製造方法及び用途
JP2001207031A (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP4249824B2 (ja) 半導体用接着剤
JP2005191069A (ja) 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP3214266B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3922618B2 (ja) 半導体素子及び半導体装置並びに半導体実装構造
JP2001164231A (ja) 半導体用高純度接着剤
JP2000036506A (ja) 半導体装置の製法
JP2002309221A (ja) 半導体用の高純度接着剤
KR101036353B1 (ko) 스크린 프린팅이 가능한 반도체 패키징용 접착 페이스트
JP2001294843A (ja) 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置
JP2001164230A (ja) シリコーン系接着剤

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060901

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090908

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090929

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees