JP2000305111A

JP2000305111A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2000305111A
Application number: JP11748699A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Matsushima; 康浩松島
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-04-26
Filing date: 1999-04-26
Publication date: 2000-11-02
Anticipated expiration: 2019-04-26
Also published as: JP3488130B2

Abstract

(57)【要約】【課題】シリコン窒化膜は透過率が低いためこれを液
晶表示装置に用いた場合には液晶表示装置の透過率が低
くなる。【解決手段】付加容量を形成するための複数の付加容
量共通配線と、複数のゲートバス配線と、複数のソース
バス配線と、該ゲートバス配線と該ソースバス配線との
交点に形成された複数の薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタの上部に形成された層間絶縁膜と、該層間絶
縁膜の上部に形成された画素電極と、を基板上に備えた
液晶表示装置であって、前記層間絶縁膜はシリコン窒化
膜からなり、該シリコン窒化膜は、画素電極形成領域の
一部又は全部が除去されるとともに、付加容量を形成す
るための絶縁膜となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するものであり、特に透過率を向上させた液晶表示装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の一例として、周辺駆動回
路を基板上に形成した液晶表示装置の平面模式図を図８
に示す。

【０００３】図８に示すように、ガラス基板または石英
基板３１上にゲート駆動回路３２、ソース駆動回路３
３、及びＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）アレイ部３４が形成されている。ゲート駆動回
路３２は、シフトレジスタ３２ａ及びバッファ３２ｂか
ら構成される。ソース駆動回路３３は、少なくともシフ
トレジスタ３３ａと、バッファ３３ｂと、ビデオライン
３８のサンプリングを行うアナログスイッチ３９とから
構成される。ＴＦＴアレイ部３４には、ゲート駆動回路
３２から延びる多数の平行するゲートバス配線４２が配
されている。ソース駆動回路３３からは多数のソースバ
ス配線４１がゲートバス配線４２に直交して配設されて
いる。また、ゲートバス配線４２に平行して付加容量共
通配線４３が配設されている。そして、２本のゲートバ
ス配線４２、ソースバス配線４１、及び付加容量共通配
線４３に囲まれた矩形の領域には、ＴＦＴ３５、画素３
６、及び付加容量３７が設けられている。

【０００４】ＴＦＴ３５のゲート電極は、ゲートバス配
線４２に接続され、ソース電極はソースバス配線４１に
接続されている。ＴＦＴ３５のドレイン電極に接続され
た画素電極と対向基板上の対向電極との間に液晶が封入
され、画素３６が構成されている。また、付加容量共通
配線４３は対向電極と同じ電位の電極に接続されてい
る。

【０００５】次に、図９に従来例における画素のレイア
ウトパターンを示し、図９のＡ−Ａにおける断面構造を
図１０に示す。以下、これら図９及び図１０を用いてさ
らに従来の液晶表示装置の一例について説明する。

【０００６】図９及び図１０に示すように、まず、絶縁
基板１０上に活性層となる多結晶シリコン薄膜１１を４
０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成する。次に、スパッタリ
ングもしくはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜１３を８
０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで形成する。次に、多結晶シ
リコン薄膜１１において、後に付加容量を形成する付加
容量部（図９斜線部分）にＰ⁺を１×１０¹⁵（ｃｍ^-2）
の濃度でイオン注入を行う。これは、イオン注入をゲー
ト電極及び付加容量共通電極形成後に行うと電極がある
ために電極下方にイオンが注入されないためである。

【０００７】次に、ゲート電極１６及び付加容量上部電
極１４を金属もしくは低抵抗の多結晶シリコンを用いて
所定の形状にパターニングを行う。次に、この薄膜トラ
ンジスタの導電型を決定するために、ゲート電極１６の
上方からＰ⁺を１×１０¹⁵（ｃｍ^-2）の濃度でイオン注
入を行い、ゲート電極１６の下部にチャンネル１２を形
成する。次に、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜
を用いて、第１の層間絶縁膜１５を全面に形成後、コン
タクトホール１８及び１９の形成を行う。次に、ソース
バス配線４１及びドレイン電極２１をＡｌなどの低抵抗
の金属を用いて形成する。このドレイン電極２１は付加
容量の下部電極となる。

【０００８】次に、Ｐ−ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜
を用いて第２の層間絶縁膜２４を全面に形成後、アニー
ルを行ってシリコン窒化膜中に含まれる水素によるトラ
ンジスタの水素化処理を行う。

【０００９】次に、コンタクトホール２３の形成を行
い、次いでＩＴＯ（インジウムすず酸化物、以下ＩＴＯ
とする）などの透明導電膜を用いて画素電極２５の形成
を行う。なお、このときのドレイン電極２１にＡｌを使
用した場合には、電極２１と画素電極２５とのオーミッ
クコンタクトをとるために、Ｔｉ、Ｔｉｗ、Ｍｏ、Ｍｏ
Ｓｉ等からなるバリアメタルが形成される。また、画素
ＴＦＴのオフ電流を低減するために、画素ＴＦＴの構造
を、活性層におけるゲート電極近傍にソースドレインと
同一導電型の低濃度不純物領域もしくはノンドープ領域
を設けた構造としてもよい。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来例
の液晶表示装置においては、層間絶縁膜として、また、
ＴＦＴの移動度向上のための手段として、シリコン窒化
膜がしばしば用いられてきた。しかしながら、このシリ
コン窒化膜はシリコン酸化膜に比べて透過率が低いとい
う問題を有していた。特に、水素化処理を行うためのＰ
−ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜は透過率が低いため、
これを液晶表示装置に用いる場合には液晶表示装置の透
過率が低くなるという問題点を有していた。これは、シ
リコン窒化膜をゲート絶縁膜に用いた場合には、シリコ
ン窒化膜が通常数十ｎｍと薄膜であるために大きな問題
とはならなかったものの、シリコン窒化膜を層間絶縁膜
として用いた場合には大きな問題となってしまう。

【００１１】さらに、１画素のピッチが３０μｍ以下の
高精細の液晶表示装置においては、開口率を大型パネル
のように大きくすることができないことから、透過率を
高くすることが困難となっている。

【００１２】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、透
過率の高い液晶表示装置を実現することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、付加容量を形成するための複数の付加容量共通配線
と、複数のゲートバス配線と、複数のソースバス配線
と、該ゲートバス配線と該ソースバス配線との交点に形
成された複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジス
タ上部に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上部に
形成された画素電極と、を基板上に備えた液晶表示装置
であって、前記層間絶縁膜はシリコン窒化膜からなり、
該シリコン窒化膜は、前記画素電極形成領域の一部又は
全部が除去されているとともに、付加容量を形成するた
めの絶縁膜となることを特徴としている。

【００１４】本発明の液晶表示装置は、付加容量を形成
するための複数の付加容量共通配線と、複数のゲートバ
ス配線と、複数のソースバス配線と、該ゲートバス配線
と該ソースバス配線との交点に形成された複数の薄膜ト
ランジスタと、該薄膜トランジスタ上部に形成された層
間絶縁膜と、該層間絶縁膜上部に形成された画素電極
と、を基板上に備えた液晶表示装置であって、前記層間
絶縁膜はシリコン窒化膜からなり、該シリコン窒化膜
は、前記画素電極形成領域の一部又は全部が除去されて
いるとともに、前記ゲートバス配線およびソースバス配
線が交差する部分に形成されていることを特徴としてい
る。

【００１５】本発明の液晶表示装置は、付加容量を形成
するための複数の付加容量共通配線と、複数のゲートバ
ス配線と、複数のソースバス配線と、該ゲートバス配線
と該ソースバス配線との交点に形成された複数の薄膜ト
ランジスタと、該薄膜トランジスタ上部に形成された層
間絶縁膜と、該層間絶縁膜上部に形成された画素電極
と、を基板上に備えた液晶表示装置であって、前記層間
絶縁膜はシリコン窒化膜からなり、該シリコン窒化膜
は、前記画素電極形成領域の一部又は全部が除去されて
いるとともに、前記ソースバス配線の段差緩和部となる
ことを特徴としている。

【００１６】なお、このとき、前記基板上には駆動回路
用トランジスタを構成した駆動回路が一体に形成されて
おり、前記層間絶縁膜は該駆動回路用トランジスタの上
部に形成されていてもよい。

【００１７】また、このときの前記層間絶縁膜は前記薄
膜トランジスタの上部が除去されていてもよい。

【００１８】さらに、前記複数のゲートバス配線は前記
付加容量共通配線を兼ねてもよい。

【００１９】以下、本発明の作用について説明する。

【００２０】本発明の請求項１に記載の液晶表示装置に
よれば、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜が、画素電
極形成領域の一部又は全部を除去されているとともに、
付加容量を形成するための絶縁膜となっているため、液
晶表示装置の透過率を向上させることが可能になってお
り、また、同時にそのシリコン窒化膜により付加容量の
形成を行っているので、付加容量を形成するための新た
な工程を行う必要もなくなる。

【００２１】本発明の請求項２に記載の液晶表示装置に
よれば、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜が、画素電
極形成領域の一部又は全部を除去されているとともに、
前記ゲートバス配線およびソースバス配線が交差する部
分に形成されているため、液晶表示装置の透過率を向上
させることが可能になっており、また、同時にそのシリ
コン窒化膜により新たな工程を行うことなく配線容量を
低減することが可能になっている。

【００２２】本発明の請求項３に記載の液晶表示装置に
よれば、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜が、画素電
極形成領域の一部又は全部を除去されているとともに、
前記ソースバス配線の段差緩和部となっているため、液
晶表示装置の透過率を向上させることが可能になってお
り、また、同時にそのシリコン窒化膜により新たな工程
を行うことなく配線の段差を緩和することが可能になっ
ている。

【００２３】本発明の請求項４に記載の液晶表示装置に
よれば、前記基板上に駆動回路用トランジスタを構成し
た駆動回路が一体に形成されており、前記層間絶縁膜は
該駆動回路用トランジスタの上部に形成されているの
で、層間絶縁膜が駆動回路用トランジスタの保護膜とな
り、このシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜によって、
駆動回路用トランジスタの水素化を行って高移動度と
し、高い周波数で駆動回路を動作させることが可能にな
っている。

【００２４】本発明の請求項５に記載の液晶表示装置に
よれば、前記層間絶縁膜は前記薄膜トランジスタの上部
が除去されているので、画素用ＴＦＴの水素化は行われ
ず、画素用ＴＦＴの水素化が行われた場合には光照射さ
れた場合にＴＦＴがオフのときのリーク電流が増大し、
液晶表示装置の表示品位が悪化するという問題が生じる
ことがなくなる。

【００２５】本発明の請求項６に記載の液晶表示装置に
よれば、前記複数のゲートバス配線が前記付加容量共通
配線を兼ねているので、液晶表示装置の透過率をさらに
向上させることが可能になっている。

【００２６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は、本発明
の実施の形態１における画素１個分のレイアウトを示す
平面図であり、図２（Ａ）〜（Ｅ）は、図１におけるプ
ロセスを示すＡ−Ａ断面図である。また、図３には、本
実施の形態１におけるドライバー一体型液晶表示装置の
概略図を示す。

【００２７】本実施の形態１におけるドライバー一体型
液晶表示装置によれば、図３に示すように、基板１１０
上に表示部１５０とゲート駆動回路１５２とソース駆動
回路１５４とが形成される。

【００２８】以下、図１から図３に従って、本実施の形
態１を説明する。

【００２９】まず、図２（Ａ）に示すように、絶縁基板
１１０上に活性層となる多結晶シリコン薄膜１１１を４
０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成した。次に、スパッタリ
ングもしくはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜１１３を
８０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで形成した。

【００３０】次に、ゲート電極１１６を金属もしくは低
抵抗の多結晶シリコンを用いて所定の形状にパターニン
グを行った。次に、この薄膜トランジスタの導電型を決
定するために、ゲート電極１１６上方からＰ⁺を１×１
０¹⁵（ｃｍ^-2）の濃度でイオン注入を行い、ゲート電極
１１６下部にチャンネル１１２を形成した。

【００３１】次に、図２（Ｂ）に示すように、シリコン
酸化膜を用いて、第１の層間絶縁膜１１５を全面に形成
後、コンタクトホール１１８及び１１９の形成を行っ
た。

【００３２】次に、図２（Ｃ）に示すように、ソースバ
ス配線１４１及びドレイン電極１２１をＡｌなどの低抵
抗の金属を用いて形成した。また、ドレイン電極１２１
は延在させて付加容量の下部電極とする。

【００３３】次に、Ｐ−ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜
１２４を全面に形成後、本実施の形態１においては、図
１および図３に示すように、ドライバ用ＴＦＴとドレイ
ン電極１２１の上部を除いてシリコン窒化膜１２４のエ
ッチングを行い、シリコン窒化膜１２４を除去した。こ
れにより、図１および図３の斜線部のみにシリコン窒化
膜が形成されることとなる。

【００３４】次に、アニールを行ってシリコン窒化膜１
２４中に含まれる水素によるドライバ用ＴＦＴの水素化
処理を行った。この水素化処理によってドライバ用ＴＦ
Ｔが高移動度となり、高い周波数でドライバを動作させ
ることができる。このとき画素用のＴＦＴ上部のシリコ
ン窒化膜１２４は除去されており画素用ＴＦＴの水素化
は行われない。画素用ＴＦＴが水素化を行われた場合に
は光照射された場合にＴＦＴがオフのときのリーク電流
が増大し、液晶表示装置の表示品位が悪化するという問
題があったが本実施の形態１ではこの問題が生じない。

【００３５】次に、図２（Ｄ）に示すように、付加容量
上部電極１３０をドレイン電極１２１とオーバーラップ
させて形成した。これにより、２つの電極とシリコン窒
化膜によって付加容量が形成される。このように、水素
化処理を行うためのシリコン窒化膜を付加容量のための
絶縁膜として使用することにより、新たに付加容量用の
絶縁膜を形成する必要がない。このとき、付加容量を形
成する絶縁膜をシリコン酸化膜等の絶縁膜との積層膜と
してもよい。

【００３６】次に、図２（Ｅ）に示すように、基板上に
平坦化膜の役割を持つアクリル樹脂による絶縁膜１３２
を全面に形成した。そして、コンタクトホール１２３の
形成を行い、次いでＩＴＯ（インジウムすず酸化物、以
下ＩＴＯとする）などの透明導電膜を用いて画素電極１
２５の形成を行った。なお、電極１２１にＡｌを使用し
た場合には、電極１２１と画素電極１２５とのオーミッ
クコンタクトをとるために、電極間にＴｉ、Ｔｉｗ、Ｍ
ｏ、ＭｏＳｉ等からなるバリアメタルが形成される。

【００３７】ここで、光を透過する画素電極１２５の下
部領域ではシリコン窒化膜１２４が除去されており、こ
れにより、画素電極１２５を透過する光の透過率を向上
させることができる。なお、本実施の形態１において
は、ドレイン電極１２１上部にシリコン窒化膜１２４を
形成し、これを付加容量のための絶縁膜としたが、ゲー
ト電極とソースバスライン間にシリコン窒化膜を形成
し、このシリコン窒化膜によって水素化を行うと同時に
これを付加容量のための絶縁膜としてもよい。

【００３８】（実施の形態２）図４は、本発明の実施の
形態２における画素１個分のレイアウトを示す平面図で
あり、図５は、図４におけるＡ−Ａ断面図である。

【００３９】以下、図４および図５に従って、本実施の
形態２を説明する。

【００４０】まず、図４および図５に示すように、絶縁
基板１１０上に活性層となる多結晶シリコン薄膜１１１
を４０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成した。次に、スパッ
タリングもしくはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜１１
３を８０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで形成した。

【００４１】次に、ゲート電極１１６を金属もしくは低
抵抗の多結晶シリコンを用いて所定の形状にパターニン
グを行った。このとき、同時に付加容量下部電極となる
付加容量共通配線１１４をゲート電極１１６と同材料に
てゲートバス配線と平行に形成した。次に、この薄膜ト
ランジスタの導電型を決定するために、ゲート電極１１
６上方からＰ⁺を１×１０¹⁵（ｃｍ^-2）の濃度でイオン
注入を行い、ゲート電極１１６下部にチャンネル１１２
を形成した。

【００４２】次に、シリコン酸化膜を用いて、第１の層
間絶縁膜１１５を全面に形成した。その後、本実施の形
態２においては、Ｐ−ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜１
２４を全面に形成後、ゲートバス配線とソースバス配線
との交差部分、付加容量共通配線とソースバス配線との
交差部分、付加容量下部電極の上部領域にシリコン窒化
膜１２４（斜線部）を形成した。なお、上述した実施の
形態１と同様に、ドライバー上部である図３の斜線部に
もシリコン窒化膜１２４が形成される。

【００４３】このように、配線の交差部にシリコン窒化
膜１２４を形成しているので、絶縁膜のピンホールによ
る配線同士の短絡を防止することができる。また、配線
の容量を低減し、配線に入力された信号の伝播遅延を防
止することもできる。

【００４４】次に、アニールを行ってシリコン窒化膜１
２４中に含まれる水素によるドライバ用ＴＦＴの水素化
処理を行った。この水素化処理によってドライバ用ＴＦ
Ｔが高移動度となり、高い周波数でドライバを動作させ
ることができる。このとき画素用のＴＦＴ上部のシリコ
ン窒化膜１２４は除去されており画素用ＴＦＴの水素化
は行われない。画素用ＴＦＴが水素化を行われた場合に
は光照射された場合にＴＦＴがオフのときのリーク電流
が増大し、液晶表示装置の表示品位が悪化するという問
題があったが本実施の形態２ではこの問題が生じない。

【００４５】次に、コンタクトホール１１８及び１１９
の形成を行った。そして、ソースバス配線１４１及びド
レイン電極１２１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形
成した。なお、ドレイン電極１２１は付加容量下部電極
１１４の上部に延在させて付加容量の上部電極とした。

【００４６】次に、基板上に平坦化膜の役割を持つアク
リル樹脂による絶縁膜１３２を全面に形成した。そし
て、コンタクトホール１２３の形成を行い、次いでＩＴ
Ｏ（インジウムすず酸化物、以下ＩＴＯとする）などの
透明導電膜を用いて画素電極１２５の形成を行った。な
お、電極１２１にＡｌを使用した場合には、電極１２１
と画素電極１２５とのオーミックコンタクトをとるため
に、電極間にＴｉ、Ｔｉｗ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ等からなる
バリアメタルが形成される。

【００４７】ここで、光を透過する画素電極１２５の下
部領域ではシリコン窒化膜１２４が除去されており、こ
れにより、画素電極１２５を透過する光の透過率を向上
させることができる。

【００４８】（実施の形態３）図６は、本発明の実施の
形態３における画素１個分のレイアウトを示す平面図で
あり、図７は、図６におけるＡ−Ａ断面図である。

【００４９】以下、図６および図７に従って、本実施の
形態３を説明する。

【００５０】まず、図６および図７に示すように、絶縁
基板１１０上に活性層となる多結晶シリコン薄膜１１１
を４０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成した。次に、スパッ
タリングもしくはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜１１
３を８０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで形成した。

【００５１】次に、ゲート電極１１６を金属もしくは低
抵抗の多結晶シリコンを用いて所定の形状にパターニン
グを行った。このとき、同時に付加容量下部電極となる
付加容量共通配線１１４をゲート電極１１６と同材料に
てゲートバス配線と平行に形成した。次に、この薄膜ト
ランジスタの導電型を決定するために、ゲート電極１１
６上方からＰ⁺を１×１０¹⁵（ｃｍ^-2）の濃度でイオン
注入を行い、ゲート電極１１６下部にチャンネル１１２
を形成した。

【００５２】次に、シリコン酸化膜を用いて、第１の層
間絶縁膜１１５を全面に形成後、コンタクトホール１１
８及び１１９の形成を行った。

【００５３】次に、ソースバス配線１４１及びドレイン
電極１２１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成し
た。また、ドレイン電極１２１は付加容量下部電極１１
４の上部に延在させて付加容量の上部電極とする。

【００５４】その後、本実施の形態３においては、Ｐ−
ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜１２４を全面に６００ｎ
ｍの膜厚で形成後、表示部のシリコン窒化膜１２４のエ
ッチングを行い、表示部におけるソースバス配線及びド
レイン電極の段差緩和部となるサイドウォール１２４
（斜線部）を形成した。このサイドウォール１２４は、
６００ｎｍ分のシリコン窒化膜１２４のエッチングを行
うことで容易に形成することができる。このとき、ドラ
イバー上部にはシリコン窒化膜１２４は残しておく。こ
のように、配線にサイドウォールを形成しているので、
配線の段差を低減することができ、後に形成される画素
電極等のパターンの段切れを防止することができる。

【００５５】次に、アニールを行ってシリコン窒化膜１
２４中に含まれる水素によるドライバ用ＴＦＴの水素化
処理を行った。この水素化処理によってドライバ用ＴＦ
Ｔが高移動度となり、高い周波数でドライバを動作させ
ることができる。このとき画素用のＴＦＴ上部のシリコ
ン窒化膜１２４は除去されており画素用ＴＦＴの水素化
は行われない。画素用ＴＦＴが水素化を行われた場合に
は光照射された場合にＴＦＴがオフのときのリーク電流
が増大し、液晶表示装置の表示品位が悪化するという問
題があったが本実施の形態３ではこの問題が生じない。

【００５６】次に、基板上にシリコン酸化膜１３３を全
面に形成した。配線にサイドウォールが形成されている
ので、有機材料を使用する必要はなく、第１の層間絶縁
膜に使用したシリコン酸化膜等の透過率のよい無機材料
を使用することができる。従って、有機材料に含まれる
不純物がトランジスタの特性に影響を与える虞れがなく
なる。

【００５７】次に、コンタクトホール１２３の形成を行
い、次いでＩＴＯ（インジウムすず酸化物、以下ＩＴＯ
とする）などの透明導電膜を用いて画素電極１２５の形
成を行った。なお、電極１２１にＡｌを使用した場合に
は、電極１２１と画素電極１２５とのオーミックコンタ
クトをとるために、電極間にＴｉ、Ｔｉｗ、Ｍｏ、Ｍｏ
Ｓｉ等からなるバリアメタルが形成される。

【００５８】ここで、光を透過する画素電極１２５の下
部領域ではシリコン窒化膜１２４が除去されており、こ
れにより、画素電極１２５を透過する光の透過率を向上
させることができる。なお、上述した実施の形態におい
ては、付加容量共通配線を形成することによって、この
付加容量共通配線および画素電極と同電位の電極との間
で付加容量を形成しているが、付加容量の形成方法とし
てはこれらに限定されるものではなく、ゲートバス配線
を付加容量共通配線と兼ねさせて、ゲートバス配線およ
び画素電極と同電位の電極との間で付加容量を形成する
ことも可能である。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば、水素化処理等に用いる
シリコン窒化膜を層間絶縁膜に用いた場合であっても、
透過率を向上させた液晶表示装置を実現することができ
る。また、同時にそのシリコン窒化膜により、付加容量
の形成、配線容量の低減、配線の段差の緩和ができるの
で、これらを行うために新たな工程が発生することもな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における実施の形態１による画素の平面
図である。

【図２】本発明にける実施の形態１による画素の断面図
である。

【図３】本発明におけるドライバー一体型液晶表示装置
である。

【図４】本発明における実施の形態２による画素の平面
図である。

【図５】本発明における実施の形態２による画素の断面
図である。

【図６】本発明における実施の形態３による画素の平面
図である。

【図７】本発明における実施の形態３による画素の断面
図である。

【図８】ドライバーを一体に形成した液晶表示装置の構
成を示す図である。

【図９】従来例における画素の平面図である。

【図１０】従来例における画素の断面図である。

【符号の説明】

１１０絶縁基板１１１多結晶シリコン薄膜１１２チャンネル部１１３第１のゲート絶縁膜１１４付加容量上部電極１１５第２のゲート絶縁膜１１６ゲート電極１１７第１の層間絶縁膜１１８、１１９、１２３コンタクトホール１２０ソースバス配線１２１ドレイン電極１２４第２の層間絶縁膜１２５画素電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】付加容量を形成するための複数の付加容
量共通配線と、複数のゲートバス配線と、複数のソース
バス配線と、該ゲートバス配線と該ソースバス配線との
交点に形成された複数の薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタ上部に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁
膜上部に形成された画素電極と、を基板上に備えた液晶
表示装置であって、前記層間絶縁膜はシリコン窒化膜からなり、該シリコン
窒化膜は、前記画素電極形成領域の一部又は全部が除去
されているとともに、付加容量を形成するための絶縁膜
となることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】付加容量を形成するための複数の付加容
量共通配線と、複数のゲートバス配線と、複数のソース
バス配線と、該ゲートバス配線と該ソースバス配線との
交点に形成された複数の薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタ上部に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁
膜上部に形成された画素電極と、を基板上に備えた液晶
表示装置であって、前記層間絶縁膜はシリコン窒化膜からなり、該シリコン
窒化膜は、前記画素電極形成領域の一部又は全部が除去
されているとともに、前記ゲートバス配線およびソース
バス配線が交差する部分に形成されていることを特徴と
する液晶表示装置。
【請求項３】付加容量を形成するための複数の付加容
量共通配線と、複数のゲートバス配線と、複数のソース
バス配線と、該ゲートバス配線と該ソースバス配線との
交点に形成された複数の薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタ上部に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁
膜上部に形成された画素電極と、を基板上に備えた液晶
表示装置であって、前記層間絶縁膜はシリコン窒化膜からなり、該シリコン
窒化膜は、前記画素電極形成領域の一部又は全部が除去
されているとともに、前記ソースバス配線の段差緩和部
となることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】前記基板上には駆動回路用トランジスタ
を構成した駆動回路が一体に形成されており、前記層間
絶縁膜は該駆動回路用トランジスタの上部に形成されて
いることを特徴とする請求項１乃至３に記載の液晶表示
装置。
【請求項５】前記層間絶縁膜は前記薄膜トランジスタ
の上部が除去されていることを特徴とする請求項４に記
載の液晶表示装置。
【請求項６】前記複数のゲートバス配線は前記付加容
量共通配線を兼ねることを特徴とする請求項１乃至５に
記載の液晶表示装置。