JP2000319376A

JP2000319376A - 光記録媒体用成形材料

Info

Publication number: JP2000319376A
Application number: JP11132834A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Kanekawa; 達也金川; Hidekazu Nakatani; 秀和中谷; Mitsuhiko Masumoto; 光彦増本; Noriaki Honda; 典昭本田
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1999-05-13
Filing date: 1999-05-13
Publication date: 2000-11-21

Abstract

(57)【要約】【課題】成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供する。【解決手段】一般式（Ａ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）プロパン及び３官能以上のフェノール性水酸
基を有する化合物と、炭酸エステル形成化合物とを反応
させてなる極限粘度が0.3 〜0.5 dl/gであるポリカーボ
ネートからなる光記録媒体用成形材料。【化１】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は、各々独立して、水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの
光記録媒体を製造するのに好適な成形性とともに複屈折
の低減されたポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材
料に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。

【０００３】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。

【０００４】これらの複屈折低減を目的とした様々なポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭６
０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策は十分とは言えなかっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた成形
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のビスフェ
ノール類及び３官能以上のフェノール性水酸基を有する
化合物より誘導された共重合ポリカーボネート樹脂に
は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた良質の光記
録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を完成す
るに至った。

【０００７】

【発明の実施の形態】即ち、本発明は、一般式（Ａ）、
2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン及び３官能
以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、炭酸エス
テル形成化合物とを反応させてなる極限粘度が0.3 〜0.
5 dl/gであることを特徴とするポリカーボネートからな
る光記録媒体用成形材料である。

【化２】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は、各々独立して、水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）

【０００８】また、本発明は、アルカリ水溶液と有機溶
媒存在下で、前記一般式（Ａ）、2,2-ビス（4-ヒドロキ
シフェニレン）プロパン及び３官能以上のフェノール性
水酸基を有する化合物に、ホスゲンを吹き込んだ後、第
４級アンモニウム塩を添加し重縮合反応を開始させ、次
に分子量調節剤となる一価フェノールを添加し、更に３
級アミン重合触媒を添加し、重縮合を促進せしめること
を特徴とする光記録媒体用成形材料の製造方法である。

【０００９】炭酸エステル形成性化合物としては、例え
ばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリ
ルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、
ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカー
ボネートなどのビスアリールカーボネートが挙げられ
る。これらの化合物は２種類以上併用して使用すること
も可能である。

【００１０】本発明の一般式（Ａ）で表される化合物と
しては、具体的には、9,9-ビス（4-ヒロドキシフェニ
ル）フルオレン、9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフ
ェニル) フルオレン、3,6-ジメチル−9,9-ビス（4-ヒロ
ドキシフェニル）フルオレン、9,9-（3-メトキシ−4-ヒ
ドロキシフェニル) フルオレン、9,9-ビス（3-エトキシ
−4-ヒドロキシフェニル) フルオレン、9,9-（3-エチル
−4-ヒドロキシフェニル) フルオレン、4,5-ジメチル−
9,9-ビス（4-ヒロドキシフェニル）フルオレン、9,9-
（3-フェニル−4-ヒドロキシフェニル) フルオレン、3,
6-ジメチル−9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニ
ル) フルオレン及び3,6-ジフェニル−9,9-ビス（4-ヒロ
ドキシフェニル）フルオレン等を挙げることができる。
特に、9,9-ビス（4-ヒロドキシフェニル）フルオレン及
び9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル) フルオ
レンが好ましい。

【００１１】本発明中の分岐化剤として作用する３官能
以上のフェノール性水酸基を有する化合物としては、フ
ロログルシン、2,4,4'-トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,4,4' −トリヒドロキシフジェニルエーテル、2,2-ビ
ス（2,4-ジヒドロキシフェニル）プロパン、2,2',4,4'-
テトラヒドロキシジフェニルメタン、2,4,4'−トリヒド
ロキシジフェニルメタン、2,4,6-トリス（4-ヒドロキシ
フェニル)-2,6-ジメチル−ヘプテン-3、2,4,6-トリス
（4-ヒドロキシフェニル)-4,6-ジメチル−ヘプタン-2、
2,6-ビス（2-ヒドロキシ−5-メチルベンジル)-4-メチル
フェノール、2,6-ビス（2-ヒドロキシ−5-イソプロピル
ベンジル)-4-イソプロピルフェノール、テトラキス（4-
ヒドロキシフェニル）メタン、α，α',α"-トリス（4-
ヒドロキシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼ
ン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-メチ
ルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、1,
1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-ト
リス（4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス
（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、1,1,1-トリス（2-
メチル−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス
（2-メチル−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-ト
リス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,
1-トリス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）エタン、
1,1,1-トリス（3,5-ジメチル−4-ヒドロキシフェニル）
メタン、1,1,1-トリス（3,5-ジメチル−4-ヒドロキシフ
ェニル）エタン、1,1,1-トリス（3-クロロ−4-ヒドロキ
シフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3-クロロ−4-ヒド
ロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス（3,5-ジクロロ
−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3,5-
ジクロロ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリ
ス（3-ブロモ−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-
トリス（3-ブロモ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,
1,1-トリス（3,5-ジブロモ−4-ヒドロキシフェニル）メ
タン、1,1,1-トリス（3,5-ジブロモ−4-ヒドロキシフェ
ニル）エタン、1,1,1-トリス（3-フルオロ−4-ヒドロキ
シフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3-フルオロ−4-ヒ
ドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス（3,5-ジフル
オロ−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス
（3,5-ジフルオロ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,
1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニルメタ
ン等が例示される。そのうち、1,1,1-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル）エタン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシ
フェニル）−1-メチルエチル］フェニル］エチリデン］
ビスフェノール、及び2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェ
ニル）−2,6-ジメチル−3-ヘプテンが反応性や取り扱い
の容易さから最も好ましい。

【００１２】さらに、分岐化剤となる３官能以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物は、前記一般式（Ａ）と
2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパンの合計量１
００モル部に対して、３官能以上のフェノール性水酸基
を有する化合物を0.2 〜3.0モル部添加することが好ま
しい。0.2 モル部未満では流動性改善効果が低く、3.0
モル部を越えると耐衝撃性が劣ってくる。また、前記一
般式（Ａ）の使用量は、重合性及び加工性の点から、前
記一般式（Ａ）と2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プ
ロパンの合計量に対して10〜90mol%が好ましく、20〜80
mol%が更に好ましい。

【００１３】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールＡからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えばビスフェノールとホスゲンとの
直接反応（ホスゲン法）、あるいはビスフェノールとビ
スアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステ
ル交換法）などの方法を採用することができる。

【００１４】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、一般式（Ａ）で表され
るフルオレン化合物、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル) プロパン及び３官能以上のフェノール性水酸基を有
する化合物を、ホスゲンと反応させる。この酸結合剤と
しては、例えば、ピリジンや、水酸化ナトリウム及び水
酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用い
られる。また、溶媒としては、例えば、塩化メチレン、
クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いら
れる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチ
ルアミンのような第三級アミン触媒および第四級アンモ
ニウム塩などの触媒が使用される。また、重合度調節に
は、フェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミル
フェノールなどのフェノール類等の一官能基化合物を分
子量調節剤として加える。更に、所望に応じ亜硫酸ナト
リウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤を小量
添加してもよい。反応は、通常０〜１５０℃、好ましく
は５〜４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は
反応温度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時
間、好ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、
反応系のpHを１０以上に保持することが望ましい。

【００１５】一方、後者のエステル交換法においては、
一般式（Ａ）で表されるフルオレン化合物、2,2-ビス
（4-ヒドロキシフェニル) プロパン及び３官能以上のフ
ェノール性水酸基を有する化合物を、ビスアリールカー
ボネートと混合し、減圧下で高温において反応させる。
この時、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル及び長鎖アルキルフェノールなどの一官能基化合物を
分子量調節剤として加えてもよい。反応は、通常１５０
〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範囲の温度
において行われ、また減圧度は最終的には１mmHg以下に
することが好ましく、エステル交換反応により生成した
該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類
を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度など
によって左右されるが、通常１〜６時間程度である。反
応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うこ
とが好ましく。また、所望に応じ、酸化防止剤を添加し
て反応を行ってもよい。

【００１６】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ａ）で表されるフルオレン化合物の反応性を考慮した
場合、ホスゲン法の方が好ましい。

【００１７】更に、本発明の分子量調節剤としては、特
に一価フェノール類が好ましく、具体的には、ブチルフ
ェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デ
カニルフェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタ
デカニルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長
鎖アルキル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチ
ル、ヒドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸
ノニル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息
香酸ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキ
ルエステル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェ
ノール、ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェ
ノール、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカ
ニルオキシフェノール、オクタデカニルオキシフェノー
ル等の長鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。

【００１８】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うため
第四級アンモニウム塩を少量添加することが好ましい。
具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライド、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチル
ベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイドなどが例示される。これらのうちトリメチル
ベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジル
アンモニウムクロライドが好ましい。この第四級アンモ
ニウム塩は、使用される全ビスフェノール類に対して、
一般に0.0005〜 5mol%使用されることが好ましい。第四
級アンモニウム塩の添加後、３〜１０分後に、トリエチ
ルアミンのような三級アミン及び分子量調節剤を添加し
て重合させることが好ましい。三級アミンの添加量は、
全ビスフェノール類に対して、0.01〜1.0mol% である。
また、分子量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に
対して、3 〜10mol%である。

【００１９】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.3 〜0.5 dl/gの範囲であることが好まし
い。

【００２０】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（280 ℃、160kgf/c
m²、ノズル径1mm ×10mm）測定で、15〜90×10^-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10^-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10^-2cc/secを超えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。

【００２１】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０⁴以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。

【００２２】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から、一般の光記録媒体用ポリカーボネートと
性能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可
能である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形
温度は、流動性の観点から280 〜360 ℃が好ましい。

【００２３】

【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例によってなんら限定さ
れるものではない。

【００２４】実施例１ 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液58リットルに、9,9-ビ
ス（4-ヒドロキシフェニル）フルオレン2.80kg（以下BP
FLと略称、8mol）、2,2-（4-ヒドロキシフェニル）プロ
パン7.31kg（以下BPA と略称、32mol)、1,1,1-トリス
（4-ヒドロキシフェニル）エタン122.4g（以下THPEと略
称、0.4mol）及びハイドロサルファイト10g を加え溶解
した。これにメチレンクロライド36リットルを加え、15℃に
保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン5kg を50分かけて吹き
込んだ。吹き込み終了後、トリエチルベンジルアンモニ
ウムクロライド5g(0.022mol)を加え５分間激しく撹拌し
て反応液を乳化させ、次にp-ターシャルブチルフェノー
ル570g（以下PTBPと略称、3.8mol）を加え、さらに20ml
のトリエチルアミン(0.14mol) を加え、約１時間撹拌し
重合させた。重合終了後、重合液を水相と有機相に分離
し、有機相をリン酸で中和し、洗液の導電率が10μＳ以
下になるまで水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得た。
得られた精製樹脂液を、強攪拌されている４５℃の温水
に樹脂液をゆっくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を
固形化した。固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合
体を得た。この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃
度0.5g／dlの溶液の温度20℃における極限粘度［η］は
0.35dl/gであった。得られた上記重合体を赤外線吸収ス
ペクトルより分析した結果、1770cm^-1付近の位置にカル
ボニル基による吸収、1240cm^-1付近の位置にエーテル結
合による吸収が認められ、カーボネート結合を有するこ
とが確認された。また、3650〜3200cm^-1の位置に水酸基
由来の吸収はほとんど認められなかった。このポリカー
ボネート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、い
ずれのモノマーも20ppm 以下であった。

【００２５】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μｍポリマーフ
ィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３００
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレッ
トを樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出
圧２９．４ＭＰａの条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放置後３０度斜
め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットについて流
れ値（Ｑ値）を測定し、成形流動性の目安とした。ま
た、ポリカーボネート粉末を用いて、50μｍ厚キャスト
フィルムを作成し、300 〜1100g の荷重をかけ、光弾性
感度を測定した。結果を表１に示した。

【００２６】実施例２ BPFLを6.99kg(20mol）に、BPA を4.57kg(20mol）に、 P
TBP を558g（3.72mol)に変更した以外は、実施例１と同
様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.37dl
/gで、赤外吸収スペクトル分析等よりこの重合体は重合
比以外は実施例１と同等のポリカーボネート重合体構造
を有することが認められた。結果を表１に示した。

【００２７】実施例３ BPFLを9.79kg(28mol）に、BPA を2.74kg(12mol）に、 P
TBP を546g（3.64mol)に変更した以外は実施例１と同様
に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.39dl/g
で、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は重合比以外
は実施例１と同等のポリカーボネート重合体構造を有す
ることが認められた。結果を表１に示した。

【００２８】実施例４ BPFLの代わりに9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン7.55kg（以下BCF と略称、20mol)を用
い、BPA を4.57kg(20mol）に、THPEを244.8g(0.8mol)
に、PTBPを618g(4.12mol) に変更した以外は、実施例１
と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.
39dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は重合
比以外は実施例１と同等のポリカーボネート重合体構造
を有することが認められた。結果を表１に示した。

【００２９】比較例１実施例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPA と略称）型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）
製Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１
と同様の試験を行った。結果を表１に示した。

【００３０】比較例２ BPFLを419g（1.2mol) に、BPA を8.86kg(38.8mol) に、
PTBPを558g(3.72mol)に変更した以外は、実施例１と同
様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.34dl
/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造
単位を有するポリカーボネート重合体と認められた。結
果を表１に示した。

【００３１】比較例３ BPA を用いず、BPFLのみ13.98kg(40mol)用い、PTBPを36
6g(2.44mol) に変更した以外は、実施例１と同様に行っ
た。ホスゲンとの反応性が悪く重合は進行せず物性評価
は出来なかった。

【００３２】

【表１】

【００３３】〔表１の説明〕複屈折：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長:632.8nm。光弾性：50μｍ厚のキャストフィルムに300 〜1100g の
荷重をかけ、エリプソメーター波長:632.8nmにて光弾性
感度を測定した。流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm²、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10^-2cc/sec） BPFL :9,9-ビス（4-ヒドロキシフェニル）フルオレン BCF :9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）フ
ルオレン BPA :2,2（4-ヒドロキシフェニル）プロパン THPE：1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）エタン BP成分(a):一般式（Ａ）の一般式（Ａ）とBPA の合計量
に対する割合(mol%)。 BP成分(b):BPA の一般式（Ａ）とBPA の合計量に対する
割合(mol%)。極限粘度：0.5g/100ccジクロロメタン樹脂溶液を20℃、
ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求めた。

【００３４】

【発明の効果】本発明より、優れた成形性、低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６Ｇ (72)発明者本田典昭大阪府豊中市神州町２丁目12番地三菱瓦斯化学株式会社大阪工場内Ｆターム(参考） 4J029 AB01 AD01 AE05 BB13A BC09 FC33 HC01 HC02 JC053 JC091 JD05 KB11 KB12 KB13 KB17 KB22 5D029 KA07 KC07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ａ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）プロパン及び３官能以上のフェノール性水酸
基を有する化合物と、炭酸エステル形成化合物とを反応
させてなる極限粘度が0.3 〜0.5 dl/gであることを特徴
とするポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材
料。【化１】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は、各々独立して、水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）
【請求項２】一般式（Ａ）と2,2-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）プロパンの合計量１００モル部に対して、３
官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物を0.2 〜
3.0 モル部添加してなる請求項１記載の光記録媒体用成
形材料。
【請求項３】３官能以上のフェノール性水酸基を有す
る化合物が、1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）エ
タン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-メ
チルエチル] フェニル] エチリデン] ビスフェノール、
及び2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェニル）−2,6-ジメ
チル−3-ヘプテンからなる群より選択された少なくとも
１種類である請求項１記載の光記録媒体用成形材料。
【請求項４】一般式（Ａ）が9,9-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）フルオレン及び／又は9,9-ビス（3-メチル−
4-ヒドロキシフェニル）フルオレンである請求項１記載
の光記録媒体用成形材料。
【請求項５】アルカリ水溶液と有機溶媒存在下で、一
般式（Ａ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニレン）プロ
パン及び３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合
物に、ホスゲンを吹き込んだ後、第４級アンモニウム塩
を添加し重縮合反応を開始させ、次に分子量調節剤とな
る一価フェノールを添加し、更に３級アミン重合触媒を
添加し、重縮合を促進せしめることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体用成形材料の製造方法。
【請求項６】分子量調節剤となる一価フェノールと３
級アミン重合触媒を同時に添加する請求項５記載の光記
録媒体用成形材料の製造方法。
【請求項７】第４級アンモニウム塩がトリエチルベン
ジルアンモニウムクロライド、トリメチルベンジルアン
モニウムクロライドである請求項５記載の光記録媒体用
成形材料の製造方法。