JP2000323384A - 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロット間の切替え時間を短縮する。
【解決手段】 露光すべき基板のロットに対応するジョ
ブまたは原板に従い露光処理を行う際に、処理している
ロットの最後の基板における最後のショットの露光が終
了してから（Ｓ１０１）最後の基板を搬出するまで（Ｓ
１１１）の間に、ジョブまたは原板を、次に処理すべき
ロットに対応するジョブまたは原板に切り替える（Ｓ１
０７、Ｓ１０９）。
ブまたは原板に従い露光処理を行う際に、処理している
ロットの最後の基板における最後のショットの露光が終
了してから（Ｓ１０１）最後の基板を搬出するまで（Ｓ
１１１）の間に、ジョブまたは原板を、次に処理すべき
ロットに対応するジョブまたは原板に切り替える（Ｓ１
０７、Ｓ１０９）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ
等の半導体デバイスを製造するための半導体製造装置お
よび半導体製造方法ならびにこれらに使用できる露光装
置に関する。
等の半導体デバイスを製造するための半導体製造装置お
よび半導体製造方法ならびにこれらに使用できる露光装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リソグラフィ工程で使用される
複数台の半導体露光装置は、半導体デバイスの製造動作
におけるロットの処理を迅速、かつ効率良く行なうた
め、各露光装置側のコンピュータの上位の関係にあるホ
ストコンピュータまたはパソコンによって統括制御され
ている。そしてこれらのホストコンピュータやパソコン
は、通常、あるロットの処理を行なう場合、その処理の
ために必要なジョブを動作パラメータが格納されている
データベースから選択してから露光処理の開始を指示す
る。
複数台の半導体露光装置は、半導体デバイスの製造動作
におけるロットの処理を迅速、かつ効率良く行なうた
め、各露光装置側のコンピュータの上位の関係にあるホ
ストコンピュータまたはパソコンによって統括制御され
ている。そしてこれらのホストコンピュータやパソコン
は、通常、あるロットの処理を行なう場合、その処理の
ために必要なジョブを動作パラメータが格納されている
データベースから選択してから露光処理の開始を指示す
る。
【０００３】すなわち、半導体デバイスの製造動作の自
動化に伴い、半導体工場の各露光装置毎に稼働率を高
め、クリーンルーム内の無人化を図るため、各露光装置
の前後の工程である塗布・現像装置とのインライン化を
図り、ホストコンピュータまたはパソコンによって統括
制御する傾向にある。そして通常、１キャリア（２５枚
のウエハ）＝１ロットとして処理される場合が多く、少
量多品種の製品であればロット毎に使用するジョブまた
は使用するレチクルが異なるのが通例である。
動化に伴い、半導体工場の各露光装置毎に稼働率を高
め、クリーンルーム内の無人化を図るため、各露光装置
の前後の工程である塗布・現像装置とのインライン化を
図り、ホストコンピュータまたはパソコンによって統括
制御する傾向にある。そして通常、１キャリア（２５枚
のウエハ）＝１ロットとして処理される場合が多く、少
量多品種の製品であればロット毎に使用するジョブまた
は使用するレチクルが異なるのが通例である。
【０００４】このような状況下において、半導体デバイ
スの製造動作の自動化を図り、各露光装置毎の稼働率を
上げ、かつ効率良く作業するためには、ロットとロット
の間の切替え処理を迅速に行なわなければならない。従
来、このロット間の切替え処理においては、前のロット
が終了し、最終ウエハを搬出してから、次ロットで使用
するジョブおよびレチクルへ切り替えるようにしてい
る。この切替えは、データベースから選択したジョブを
ロードして露光装置本体へ転送し、かつ次ロットで使用
するレチクルをレチクルステージヘ搬入することにより
行なう。
スの製造動作の自動化を図り、各露光装置毎の稼働率を
上げ、かつ効率良く作業するためには、ロットとロット
の間の切替え処理を迅速に行なわなければならない。従
来、このロット間の切替え処理においては、前のロット
が終了し、最終ウエハを搬出してから、次ロットで使用
するジョブおよびレチクルへ切り替えるようにしてい
る。この切替えは、データベースから選択したジョブを
ロードして露光装置本体へ転送し、かつ次ロットで使用
するレチクルをレチクルステージヘ搬入することにより
行なう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例によれば、次のような問題がある。すなわち、前ロ
ットのジョブと次ロットのジョブが異なる場合、前ロッ
トの最終ウエハの搬出が完了し、露光装置がロット待ち
状態にならなければ、次ロットのジョブおよびレチクル
に切り替えることができない。このため、ロットとロッ
トとの間での時間が、露光装置の実質稼働率を下げ、ロ
ットとロットとの切替え時に無駄な時間を費やしてい
る。
来例によれば、次のような問題がある。すなわち、前ロ
ットのジョブと次ロットのジョブが異なる場合、前ロッ
トの最終ウエハの搬出が完了し、露光装置がロット待ち
状態にならなければ、次ロットのジョブおよびレチクル
に切り替えることができない。このため、ロットとロッ
トとの間での時間が、露光装置の実質稼働率を下げ、ロ
ットとロットとの切替え時に無駄な時間を費やしてい
る。
【０００６】本発明は、上記従来例における問題点に鑑
みてなされたもので、露光装置、半導体製造装置および
半導体製造方法において、異なるジョブや原板を使用す
るロットを連続して処理する場合におけるロット間の切
替え時間を短縮し、露光装置の実質稼働率を向上させる
ことを目的とする。
みてなされたもので、露光装置、半導体製造装置および
半導体製造方法において、異なるジョブや原板を使用す
るロットを連続して処理する場合におけるロット間の切
替え時間を短縮し、露光装置の実質稼働率を向上させる
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の露光装置は、露光すべき基板のロットに対応す
るジョブまたは原板に従い露光処理を行なう露光装置で
あって、処理しているロットの最後の基板における最後
のショットの露光が終了してから前記最後の基板を搬出
するまでの間に、前記ジョブまたは原板を、次に処理す
べきロットに対応するジョブまたは原板に切り替える切
替え手段を具備することを特徴とする。
本発明の露光装置は、露光すべき基板のロットに対応す
るジョブまたは原板に従い露光処理を行なう露光装置で
あって、処理しているロットの最後の基板における最後
のショットの露光が終了してから前記最後の基板を搬出
するまでの間に、前記ジョブまたは原板を、次に処理す
べきロットに対応するジョブまたは原板に切り替える切
替え手段を具備することを特徴とする。
【０００８】また、本発明の半導体製造装置は、このよ
うな露光装置を具備することを特徴とする。
うな露光装置を具備することを特徴とする。
【０００９】また、本発明の半導体製造方法は、露光す
べき基板のロットに対応するジョブまたは原板に基づき
制御手段により露光装置を制御して露光処理を行なうこ
とにより半導体デバイスを製造する半導体製造方法であ
って、前記制御手段により、処理しているロットの最後
の基板における最後のショットの露光が終了してから前
記最後の基板を搬出するまでの間に、前記ジョブまたは
原板を、次に処理すべきロットに対応するジョブまたは
原板に切り替えることを特徴とする。
べき基板のロットに対応するジョブまたは原板に基づき
制御手段により露光装置を制御して露光処理を行なうこ
とにより半導体デバイスを製造する半導体製造方法であ
って、前記制御手段により、処理しているロットの最後
の基板における最後のショットの露光が終了してから前
記最後の基板を搬出するまでの間に、前記ジョブまたは
原板を、次に処理すべきロットに対応するジョブまたは
原板に切り替えることを特徴とする。
【００１０】これら本発明の構成において、異なるジョ
ブや原板を使用するロットを連続して処理する場合は、
処理しているロットの最後の基板における最後のショッ
トの露光が終了すると、その最終基板の搬出完了を待た
ずに次ロットで使用するジョブまたは原板への切替えが
行なわれる。このため、従来は最後の基板を搬出した後
でなければジョブや原板の切替えが行なわれなかったの
に比べ、最終基板の露光完了から搬出完了までの時間が
短縮されることになる。
ブや原板を使用するロットを連続して処理する場合は、
処理しているロットの最後の基板における最後のショッ
トの露光が終了すると、その最終基板の搬出完了を待た
ずに次ロットで使用するジョブまたは原板への切替えが
行なわれる。このため、従来は最後の基板を搬出した後
でなければジョブや原板の切替えが行なわれなかったの
に比べ、最終基板の露光完了から搬出完了までの時間が
短縮されることになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、基板としてのウエハの搬出は、露光装置が塗布お
よび現像機にインライン接続されている場合は、現像機
に対して行なわれ、露光装置がスタンドアロンで使用さ
れている場合は所定のキャリアに対して行なわれる。ま
た、ジョブまたは原板としてのレチクルの切替えは、露
光装置が有するコンソールまたは露光装置に接続された
ホストコンピュータもしくはパソコンからの指示に従っ
て行なわれる。また、次に処理すべきロットのジョブへ
の切替えは、そのジョブを制御手段がロードすることに
よって行なわれる。
ては、基板としてのウエハの搬出は、露光装置が塗布お
よび現像機にインライン接続されている場合は、現像機
に対して行なわれ、露光装置がスタンドアロンで使用さ
れている場合は所定のキャリアに対して行なわれる。ま
た、ジョブまたは原板としてのレチクルの切替えは、露
光装置が有するコンソールまたは露光装置に接続された
ホストコンピュータもしくはパソコンからの指示に従っ
て行なわれる。また、次に処理すべきロットのジョブへ
の切替えは、そのジョブを制御手段がロードすることに
よって行なわれる。
【００１２】切替え手段もしくは制御手段は、前ロット
の最終ウエハの搬出完了を待たずに次ロットで使用する
ジョブおよびレチクルを切り替えるために、前ロットの
最終ウエハの処理終了を判断し、最終ウエハの処理終了
後、最終ウエハの搬出動作と並行して次ロットで使用す
るジョブをロードし、次ロットで使用するレチクルをレ
チクルステージヘ搬入する。これにより、異なるジョブ
およびレチクルを使用するロットを連続して処理する場
合はロット間の切替え時に無駄な時間を費やすことがな
くなり、露光装置の実質稼働率が向上することになる。
の最終ウエハの搬出完了を待たずに次ロットで使用する
ジョブおよびレチクルを切り替えるために、前ロットの
最終ウエハの処理終了を判断し、最終ウエハの処理終了
後、最終ウエハの搬出動作と並行して次ロットで使用す
るジョブをロードし、次ロットで使用するレチクルをレ
チクルステージヘ搬入する。これにより、異なるジョブ
およびレチクルを使用するロットを連続して処理する場
合はロット間の切替え時に無駄な時間を費やすことがな
くなり、露光装置の実質稼働率が向上することになる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の制御を行なうＣＰＵを有
するＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置における所定の
情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２、装置
本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表示
するモニタＴＶ１０５、装置に対し所定の入力を行なう
ための操作パネル１０３、ＥＷＳ用キーボード１０４等
を含むコンソール部を備えている。図中、１０７はＯＮ
−ＯＦＦスイッチ、１０８は非常停止スイッチ、１０９
は各種スイッチ、マウス等、１１０はＬＡＮ通信ケーブ
ル、１１１はコンソール機能からの発熱の排気ダクト、
そして１１２はチャンバの排気装置である。半導体露光
装置本体はチャンバ１０１の内部に設置される。ＥＷＳ
用ディスプレイ１０２は、ＥＬ、プラズマ、液晶等の薄
型フラットタイプのものであり、チャンバ１０１前面に
納められ、ＬＡＮケーブル１１０によりＥＷＳ本体１０
６と接続される。操作パネル１０３、キーボード１０
４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ１０１前面に設置
し、チャンバ１０１前面から従来と同様のコンソール操
作が行なえるようにしてある。
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の制御を行なうＣＰＵを有
するＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置における所定の
情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置１０２、装置
本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表示
するモニタＴＶ１０５、装置に対し所定の入力を行なう
ための操作パネル１０３、ＥＷＳ用キーボード１０４等
を含むコンソール部を備えている。図中、１０７はＯＮ
−ＯＦＦスイッチ、１０８は非常停止スイッチ、１０９
は各種スイッチ、マウス等、１１０はＬＡＮ通信ケーブ
ル、１１１はコンソール機能からの発熱の排気ダクト、
そして１１２はチャンバの排気装置である。半導体露光
装置本体はチャンバ１０１の内部に設置される。ＥＷＳ
用ディスプレイ１０２は、ＥＬ、プラズマ、液晶等の薄
型フラットタイプのものであり、チャンバ１０１前面に
納められ、ＬＡＮケーブル１１０によりＥＷＳ本体１０
６と接続される。操作パネル１０３、キーボード１０
４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ１０１前面に設置
し、チャンバ１０１前面から従来と同様のコンソール操
作が行なえるようにしてある。
【００１４】図２は、図１の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。
【００１５】レチクル２０２の上側にはレチクルの位置
ずれ量を検出するためのレチクル光学系２８１が配置さ
れる。ウエハステージ２０９の上方に、投影レンズ２０
６に隣接してオフアクシス顕微鏡２８２が配置されてい
る。オフアクシス顕微鏡２８２は内部の基準マークとウ
エハ２０３上のアライメントマークとの相対位置検出を
行なうのが主たる役割である。また、これらステッパ本
体に隣接して周辺装置であるレチクルライブラリ２２０
やウエハキャリアエレベータ２３０が配置され、必要な
レチクルやウエハはレチクル搬送装置２２１およびウエ
ハ搬送装置２３１によって本体に搬送される。なお、レ
チクルがレチクル搬送装置２２１によって、レチクルラ
イブラリ２２０または本体に搬送される際、レチクルカ
セットバーコードリーダ２２２によりレチクルカセット
上のバーコードを読み込む。
ずれ量を検出するためのレチクル光学系２８１が配置さ
れる。ウエハステージ２０９の上方に、投影レンズ２０
６に隣接してオフアクシス顕微鏡２８２が配置されてい
る。オフアクシス顕微鏡２８２は内部の基準マークとウ
エハ２０３上のアライメントマークとの相対位置検出を
行なうのが主たる役割である。また、これらステッパ本
体に隣接して周辺装置であるレチクルライブラリ２２０
やウエハキャリアエレベータ２３０が配置され、必要な
レチクルやウエハはレチクル搬送装置２２１およびウエ
ハ搬送装置２３１によって本体に搬送される。なお、レ
チクルがレチクル搬送装置２２１によって、レチクルラ
イブラリ２２０または本体に搬送される際、レチクルカ
セットバーコードリーダ２２２によりレチクルカセット
上のバーコードを読み込む。
【００１６】チャンバ１０１は、上に空気の温度調節を
行なう空調装置２１０および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また
装置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調気室２１０内にある冷
却器２１５および再熱ヒータ２１６により温度調節され
た空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介して
ブース２１４内に供給される。このブース２１４に供給
された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０に
取り込まれ、チャンバ１０１内を循環する。通常、この
チャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス２１４内を常時陽圧に保つために、循環空気量の約１
割のブース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられ
た外気導入口ｏａより送風機を介して導入している。こ
のようにしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温
度を一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にし
ている。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却や
レーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気
口ｅａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源
装置２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用
の排気ファンを介して工場設備に強制排気されている。
また、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィ
ルタｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリ
ターン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
行なう空調装置２１０および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また
装置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調気室２１０内にある冷
却器２１５および再熱ヒータ２１６により温度調節され
た空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介して
ブース２１４内に供給される。このブース２１４に供給
された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０に
取り込まれ、チャンバ１０１内を循環する。通常、この
チャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス２１４内を常時陽圧に保つために、循環空気量の約１
割のブース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられ
た外気導入口ｏａより送風機を介して導入している。こ
のようにしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温
度を一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にし
ている。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却や
レーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気
口ｅａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源
装置２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用
の排気ファンを介して工場設備に強制排気されている。
また、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィ
ルタｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリ
ターン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
【００１７】図３は、図１の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は前記ディスプレイ１０２、キーボード１０４等を有す
るコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２１にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行なうためのものである。３３１はコン
ソールＣＰＵ、３３２はパラメータ等を記憶する外部メ
モリである。
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は前記ディスプレイ１０２、キーボード１０４等を有す
るコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２１にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行なうためのものである。３３１はコン
ソールＣＰＵ、３３２はパラメータ等を記憶する外部メ
モリである。
【００１８】次に、この装置における最終ウエハ搬出前
のジョブ切替えおよびレチクル搬入処理を図４を参照し
ながら説明する。オペレータにより、ディスプレイ（お
よびタッチパネル）１０２上のスタートボタン（不図
示）を押すか、あるいはホストコンピュータまたはパソ
コンからのスタート指令によりロット処理が開始された
後、そのロット処理の最終ウエハの最終ショットの露光
が終了すると（ステップＳ１０１）、ステップＳ１０３
へ進み、ウエハステージ２０９上からのそのロット（前
ロット）における最終ウエハの搬出開始を指示し、搬出
完了を待たずにステップＳ１０５へ進む。なお、ステッ
プＳ１０３では、ホストコンピュータまたはパソコンに
対して、最終ウエハの搬出を開始した旨を報告しても良
い。ステップＳ１０５では、次ロットの有無を確認し、
次ロットが有る場合はステップＳ１０７へ進み、次ロッ
トが無い場合は前ロットの最終ウエハの搬出完了（ステ
ップＳ１１１）を待ってから装置をアイドル状態（新ロ
ット待ち）とする。
のジョブ切替えおよびレチクル搬入処理を図４を参照し
ながら説明する。オペレータにより、ディスプレイ（お
よびタッチパネル）１０２上のスタートボタン（不図
示）を押すか、あるいはホストコンピュータまたはパソ
コンからのスタート指令によりロット処理が開始された
後、そのロット処理の最終ウエハの最終ショットの露光
が終了すると（ステップＳ１０１）、ステップＳ１０３
へ進み、ウエハステージ２０９上からのそのロット（前
ロット）における最終ウエハの搬出開始を指示し、搬出
完了を待たずにステップＳ１０５へ進む。なお、ステッ
プＳ１０３では、ホストコンピュータまたはパソコンに
対して、最終ウエハの搬出を開始した旨を報告しても良
い。ステップＳ１０５では、次ロットの有無を確認し、
次ロットが有る場合はステップＳ１０７へ進み、次ロッ
トが無い場合は前ロットの最終ウエハの搬出完了（ステ
ップＳ１１１）を待ってから装置をアイドル状態（新ロ
ット待ち）とする。
【００１９】ステップＳ１０７では、最終ウエハの搬出
動作を行なっている最中に、次ロットで使用するジョブ
を外部メモリ３３２からロードして、本体ＣＰＵ３２１
へ転送する。このジョブのロードを行なう処理は、通常
は露光装置のコンソールが自動的に行なうが、ホストコ
ンピュータまたはパソコンからの指令により開始するよ
うにしてもよい。なお、ステップＳ１０７におけるジョ
ブロード処理は、前ロット最終ウエハの露光動作が完了
するまでの間に事前に準備しておくことができる。この
ジョブロードを事前に準備しておく動作に関しては、例
えば特開平５−５５１０３号公報等に詳しく説明されて
いる。
動作を行なっている最中に、次ロットで使用するジョブ
を外部メモリ３３２からロードして、本体ＣＰＵ３２１
へ転送する。このジョブのロードを行なう処理は、通常
は露光装置のコンソールが自動的に行なうが、ホストコ
ンピュータまたはパソコンからの指令により開始するよ
うにしてもよい。なお、ステップＳ１０７におけるジョ
ブロード処理は、前ロット最終ウエハの露光動作が完了
するまでの間に事前に準備しておくことができる。この
ジョブロードを事前に準備しておく動作に関しては、例
えば特開平５−５５１０３号公報等に詳しく説明されて
いる。
【００２０】次に、ステップＳ１０９において、最終ウ
エハの搬出動作と並行して次ロットで使用するレチクル
を露光装置のレチクルステージ２０７に搬入する。な
お、このレチクル搬入動作は、使用するレチクルを事前
にレチクル待機位置（不図示）にまで搬送し、準備して
おくことができる。この準備動作に関しても、例えば特
開平５−５５１０３号公報等に詳しく説明されている。
エハの搬出動作と並行して次ロットで使用するレチクル
を露光装置のレチクルステージ２０７に搬入する。な
お、このレチクル搬入動作は、使用するレチクルを事前
にレチクル待機位置（不図示）にまで搬送し、準備して
おくことができる。この準備動作に関しても、例えば特
開平５−５５１０３号公報等に詳しく説明されている。
【００２１】次に、ステップＳ１１１において最終ウエ
ハの搬出動作の完了を待つ。搬出動作の完了とは、露光
装置が塗布・現像機とインライン接続されている場合
は、現像機に最終ウエハを渡し終えることをいい、露光
装置がスタンドアロンの場合は、ウエハキャリア２０３
に最終ウエハを収納し、同キャリアが取り外し可能な状
態となることをいう。なお、ステップＳ１１１において
搬出動作の完了と判定されたときに、ホストコンピュー
タまたはパソコンに対して、最終ウエハ搬出の完了を報
告してもよい。
ハの搬出動作の完了を待つ。搬出動作の完了とは、露光
装置が塗布・現像機とインライン接続されている場合
は、現像機に最終ウエハを渡し終えることをいい、露光
装置がスタンドアロンの場合は、ウエハキャリア２０３
に最終ウエハを収納し、同キャリアが取り外し可能な状
態となることをいう。なお、ステップＳ１１１において
搬出動作の完了と判定されたときに、ホストコンピュー
タまたはパソコンに対して、最終ウエハ搬出の完了を報
告してもよい。
【００２２】最終ウエハの搬出動作が完了すると、ステ
ップＳ１１３において、次ロットの先頭ウエハを搬入し
てウエハステージ２０９上に乗せ、さらにステップＳ１
１５において、アライメント動作ならびに露光動作を行
ない、次ロットの処理を開始する。なお、ステップＳ１
１３における先頭ウエハの搬入動作は、露光装置が塗布
・現像機とインライン接続されている場合は、前ロット
最終ウエハの露光動作を完了するまでの間に、事前に行
なっておくことができる。この先頭ウエハの事前の搬入
動作に関しては、例えば特開平１０−９８０８６号公報
等に詳しく説明されている。
ップＳ１１３において、次ロットの先頭ウエハを搬入し
てウエハステージ２０９上に乗せ、さらにステップＳ１
１５において、アライメント動作ならびに露光動作を行
ない、次ロットの処理を開始する。なお、ステップＳ１
１３における先頭ウエハの搬入動作は、露光装置が塗布
・現像機とインライン接続されている場合は、前ロット
最終ウエハの露光動作を完了するまでの間に、事前に行
なっておくことができる。この先頭ウエハの事前の搬入
動作に関しては、例えば特開平１０−９８０８６号公報
等に詳しく説明されている。
【００２３】次に、ステップＳ１１７において１枚のウ
エハの露光動作が終了すると、ステップＳ１１９へ進
み、処理したウエハがロットの最終ウエハか否かを判定
する。処理したウエハが最終ウエハ（ロット処理終了）
であれば、ステップＳ１０１へ戻り、露光装置は前ロッ
ト終了状態となる。一方、処理したウエハが最終ウエハ
でない場合はステップＳ１２１へ進み、次ウエハの搬入
を待つ。その後、次ウエハが搬入されるとステップＳ１
１５へ戻り、アライメント動作ならびに露光動作を行な
う。その後、ロットの最終ウエハになるまで、同様の処
理を繰り返す。
エハの露光動作が終了すると、ステップＳ１１９へ進
み、処理したウエハがロットの最終ウエハか否かを判定
する。処理したウエハが最終ウエハ（ロット処理終了）
であれば、ステップＳ１０１へ戻り、露光装置は前ロッ
ト終了状態となる。一方、処理したウエハが最終ウエハ
でない場合はステップＳ１２１へ進み、次ウエハの搬入
を待つ。その後、次ウエハが搬入されるとステップＳ１
１５へ戻り、アライメント動作ならびに露光動作を行な
う。その後、ロットの最終ウエハになるまで、同様の処
理を繰り返す。
【００２４】以上のように、本実施例によれば、前ロッ
トの最終ウエハの搬出完了を待たずに、次ロットで使用
するジョブおよびレチクルを切り替えるようにしたた
め、ロットとロットとの切替え時に無駄な時間を費やす
ことがなくなる。
トの最終ウエハの搬出完了を待たずに、次ロットで使用
するジョブおよびレチクルを切り替えるようにしたた
め、ロットとロットとの切替え時に無駄な時間を費やす
ことがなくなる。
【００２５】＜デバイス製造方法の実施例＞次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回
路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステッ
プ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では
シリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ
５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回
路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステッ
プ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では
シリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ
５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。
【００２６】図６は上記ウエハプロセス（ステップ４）
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００２７】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
異なるジョブや原板を使用するロットを連続して処理す
る場合に、ロット間におけるジョブまたは原板の切替え
時間を短縮することができる。したがって、露光装置の
実質稼働率を向上することが可能となる。
異なるジョブや原板を使用するロットを連続して処理す
る場合に、ロット間におけるジョブまたは原板の切替え
時間を短縮することができる。したがって、露光装置の
実質稼働率を向上することが可能となる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。
観を示す斜視図である。
【図２】 図１の装置の内部構造を示す図である。
【図３】 図１の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。
である。
【図４】 図１の装置における最終ウエハ搬出前のジョ
ブ切替えおよびレチクル搬入の処理を示すフローチャー
トである。
ブ切替えおよびレチクル搬入の処理を示すフローチャー
トである。
【図５】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図６】 図５中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
１０１：温調チャンバ、１０２：ＥＷＳ用ディスプレイ
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ、マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハキャリア、２０
４：光源装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レン
ズ、２０７：レチクルステージ、２０９：ウエハステー
ジ、２８１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕
微鏡、２１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、
２１４：ブース、２１７：送風機、ｇ：エアフィルタ、
ｃｆ：化学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リ
ターン口、３２１：本体ＣＰＵ、３２２：ウエハステー
ジ駆動装置、３２３：アライメント検出系、３２４：レ
チクルステージ駆動装置、３２５：照明系、３２６：シ
ャッタ駆動装置、３２７：フォーカス検出系、３２８：
Ｚ駆動装置、３２９：搬送系、３３０：コンソール、３
３１：コンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ。
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ、マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハキャリア、２０
４：光源装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レン
ズ、２０７：レチクルステージ、２０９：ウエハステー
ジ、２８１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕
微鏡、２１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、
２１４：ブース、２１７：送風機、ｇ：エアフィルタ、
ｃｆ：化学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リ
ターン口、３２１：本体ＣＰＵ、３２２：ウエハステー
ジ駆動装置、３２３：アライメント検出系、３２４：レ
チクルステージ駆動装置、３２５：照明系、３２６：シ
ャッタ駆動装置、３２７：フォーカス検出系、３２８：
Ｚ駆動装置、３２９：搬送系、３３０：コンソール、３
３１：コンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ。
Claims (12)
- 【請求項１】 露光すべき基板のロットに対応するジョ
ブに従い露光処理を行なう露光装置において、処理して
いるロットの最後の基板における最後のショットの露光
が終了してから前記最後の基板を搬出するまでの間に、
前記ジョブを、次に処理すべきロットに対応するジョブ
に切り替える切替え手段を具備することを特徴とする露
光装置。 - 【請求項２】 露光すべき基板のロットに対応する原板
のパターンによる露光処理を行なう露光装置において、
処理しているロットの最後の基板における最後のショッ
トの露光が終了してから前記最後の基板を搬出するまで
の間に、前記原板を、次に処理すべきロットに対応する
原板に切り替える切替え手段を具備することを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の切替えを行なう切替え
手段を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。 - 【請求項４】 前記基板の搬出は、インライン接続され
ている現像機への搬出、または所定のキャリアヘの搬出
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記切替え手段は、装置が有するコンソ
ールまたは装置に接続されたホストコンピュータもしく
はパソコンからの指示に従って前記切替えを行なうもの
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に
記載の露光装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの露光装置を具
備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 露光すべき基板のロットに対応するジョ
ブに基づき、制御手段により露光装置を制御して露光処
理を行なうことにより半導体デバイスを製造する半導体
製造方法において、前記制御手段により、処理している
ロットの最後の基板における最後のショットの露光が終
了してから前記最後の基板を搬出するまでの間に、前記
ジョブを、次に処理すべきロットに対応するジョブに切
り替えることを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項８】 露光すべき基板のロットに対応する原板
のパターンを用い、制御手段により露光装置を制御して
露光処理を行なうことにより半導体デバイスを製造する
半導体製造方法において、前記制御手段により、処理し
ているロットの最後の基板における最後のショットの露
光が終了してから前記最後の基板を搬出するまでの間
に、前記原板を、次に処理すべきロットに対応する原板
に切り替えることを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の原板の切替えを行なう
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板の搬出は、前記露光装置にイ
ンライン接続されている現像機への搬出、または所定の
キャリアヘの搬出であることを特徴とする請求項７〜９
のいずれか１項に記載の半導体製造方法。 - 【請求項１１】 前記切替えを、前記露光装置が有する
コンソールまたは前記露光装置に接続されたホストコン
ピュータもしくはパソコンからの指示に従って行なうこ
とを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の
半導体製造方法。 - 【請求項１２】 前記次に処理すべきロットのジョブへ
の切替えは、そのジョブを前記制御手段がロードするこ
とによって行なうことを特徴とする請求項７に記載の半
導体製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12833899A JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| US09/563,322 US6445441B1 (en) | 1999-05-10 | 2000-05-03 | Exposure apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12833899A JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323384A true JP2000323384A (ja) | 2000-11-24 |
| JP2000323384A5 JP2000323384A5 (ja) | 2006-06-22 |
| JP4365934B2 JP4365934B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=14982337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12833899A Expired - Fee Related JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6445441B1 (ja) |
| JP (1) | JP4365934B2 (ja) |
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| JP2015023146A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、物品の製造方法 |
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| US6690993B2 (en) * | 2000-10-12 | 2004-02-10 | R. Foulke Development Company, Llc | Reticle storage system |
| JP2002252161A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体製造システム |
| JP3788296B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2006-06-21 | 株式会社ダイフク | クリーンルーム用の物品保管設備 |
| JP4126189B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2008-07-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査条件設定プログラム、検査装置および検査システム |
| JP2004158510A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Canon Inc | デバイス製造装置 |
| SG139733A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| KR101476087B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR100856579B1 (ko) * | 2007-01-18 | 2008-09-04 | 홍운식 | 웨이퍼의 노광 에너지 정보를 축적하는 시스템에 의해 누적된 웨이퍼의 노광 에너지 정보를 이용한 노광용 마스크의 관리방법 |
| US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| JP6745673B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体システム |
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| JP2869826B2 (ja) | 1991-08-28 | 1999-03-10 | キヤノン株式会社 | 半導体製造方法 |
| JP3412193B2 (ja) * | 1993-06-29 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| JP2994553B2 (ja) * | 1994-04-08 | 1999-12-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3892493B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理システム |
| JPH1055944A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Toshiba Corp | パターン転写装置 |
| JPH1098086A (ja) | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Canon Inc | 半導体製造装置および露光制御方法 |
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-
1999
- 1999-05-10 JP JP12833899A patent/JP4365934B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-03 US US09/563,322 patent/US6445441B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4365934B2 (ja) | 2009-11-18 |
| US6445441B1 (en) | 2002-09-03 |
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