JP2000328233A - 蒸着方法 - Google Patents

蒸着方法

Info

Publication number
JP2000328233A
JP2000328233A JP11144513A JP14451399A JP2000328233A JP 2000328233 A JP2000328233 A JP 2000328233A JP 11144513 A JP11144513 A JP 11144513A JP 14451399 A JP14451399 A JP 14451399A JP 2000328233 A JP2000328233 A JP 2000328233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
induction heating
frequency induction
evaporation source
crucible
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11144513A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Nakada
純司 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP11144513A priority Critical patent/JP2000328233A/ja
Publication of JP2000328233A publication Critical patent/JP2000328233A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波誘導加熱により、経済的にかつ効率的
に、蒸着材料を蒸発させ、基材の表面に付着させて、蒸
着材料の薄層を基材の表面に形成させることのできる蒸
着方法を提供すること。 【解決手段】 蒸発源容器(12)内に収容された蒸着
材料(10)を、高周波誘導加熱して蒸発させ、基材
(4)の表面に付着させて、蒸着材料の薄層を前記基材
の表面に形成させる蒸着方法において、前記蒸発源容器
が無機粒子の焼結体から形成され、気孔率が14%乃至
25%の範囲にある蒸着方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着方法に関する
ものであり、さらに詳細には、高周波誘導加熱により、
経済的かつ効率的に、蒸着材料を蒸発させ、基材の表面
に付着させて、蒸着材料の薄層を基材の表面に形成させ
ることのできる蒸着方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子ビームにより、磁性材料などの蒸着
材料を加熱して、蒸発させ、基材の表面に付着させて、
蒸着材料の薄層を基材の表面に形成させると、耐熱性の
比較的低い蒸発源容器を用いても、蒸着が可能であるた
め、蒸着材料を蒸発させ、基材の表面に付着させる方法
としては、電子ビームにより蒸着材料を加熱する方法が
一般に用いられてきた。
【0003】一方、磁性材料の蒸着においては、蒸発し
た蒸着材料のうち、基材に付着しなかった蒸着材料を、
蒸発源容器の上方に配置された回収板に付着させ、再融
解して、リサイクルし、蒸着効率を向上させようとする
場合がある。このとき、電子ビームにより蒸着材料を加
熱する蒸着方法では、電子ビームを蒸発源容器の上方か
ら蒸発源容器内の蒸着材料に照射する必要があるので、
電子ビームが通過する経路を、蒸発源容器の上方に確保
することが必要不可欠となる。このため、蒸発源の上方
に配置される回収する回収板の面積を十分大きくするこ
とができず、蒸着材料を十分に回収することが困難とな
り、蒸着効率を低下させるという問題があった。
【0004】そこで、電子ビームにより蒸着材料を加熱
する方法に代えて、高周波誘導により蒸着材料を加熱す
る方法が提案されている。この高周波誘導加熱を用いる
方法によれば、回収板の面積を十分大きくして、蒸着材
料の回収を図ることが可能になり、この点からは、蒸着
効率を向上させることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高周波
誘導加熱により、蒸着材料を加熱する方法を用いる場合
には、短期間のうちに、蒸発源容器にクラックが生じや
すく、蒸発源容器を、しばしば、交換する必要があり、
不経済で、効率的でないという問題があった。
【0006】したがって、本発明は、高周波誘導加熱に
より、経済的にかつ効率的に、蒸着材料を蒸発させ、基
材の表面に付着させて、蒸着材料の薄層を基材の表面に
形成させることのできる蒸着方法を提供することを目的
とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、本発明のか
かる目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、無機
粒子の焼結体により形成され、気孔率が14%乃至25
%の範囲にある蒸発源容器を用いることにより、前記目
的が達成されることを見い出した。
【0008】蒸発源容器の気孔率が14%より小さくて
も、25%より大きくても、短期間の使用で、蒸発源容
器にクラックが生じやすいことが認められており、蒸発
源容器の気孔率が14%乃至25%の範囲にあることが
必要である。蒸発源容器の気孔率は、蒸発源容器の成形
時における圧力を調整することによって、変化させるこ
とができる。蒸発源容器を成形する際の圧力条件として
は、たとえば、3.0kgf/cm2ないし10.0kgf/cm2
設定することができる。
【0009】本発明において、熱膨張率が、0.8×1
-5/Kないし1.4×10-5/Kの範囲内にある蒸発
源容器を用いることが好ましい。蒸発源容器の熱膨張率
が、0.8×10-5/Kより小さくても、1.4×10
-5/Kより大きくても、短期間の使用で、蒸発源容器に
クラックが生じやすく、好ましくない。
【0010】蒸発源容器を形成する無機粒子の焼結体を
構成する粒子の寸法もクラックの発生と関係し、クラッ
ク発生防止という観点では、粒径3.0μm以上且つ1
00.0μm以下の無機粒子の割合を高くすることがが
好ましい。蒸発源容器を形成する無機粒子の焼結体が、
3.0μm以上かつ100.0μmの粒径の無機粒子を
含んでいない又はこのような粒径の粒子の割合が低い場
合には、短期間の使用で、蒸発源容器にクラックが生じ
やすく、好ましくない。蒸発源容器を形成する無機粒子
の粒径は、無機粒子の選別時において、粒度調整するこ
とにより、容易に調整することができる。
【0011】蒸発源容器を形成する無機粒子の焼結体
が、20重量%以上の300μmないし3000μmの
粒径の無機粒子も含んでいることが、とくに好ましい。
蒸発源容器を形成する無機粒子の焼結体に含まれる30
0μmないし3000μmの粒径の無機粒子の含有量
が、20重量%未満であると、20重量%以上の300
μmないし3000μmの粒径の無機粒子を含んでいる
場合に比して、蒸発源容器にクラックが生じやすくなる
ことが認められている。蒸発源容器を形成する無機粒子
の粒径は、無機粒子の選別時において、粒度調整するこ
とにより、容易に調整することができる。
【0012】また、蒸発源容器を形成する無機粒子の焼
結体は、粒径が3.0ないし10μm、10ないし30
μm、および、30ないし100μmのいずれの粒子を
も含むことが好ましい。
【0013】本発明において、蒸発源容器を形成する無
機粒子の例としては、Mg0、ZrO2、Al2O3、CaO、Y2O3、Th
O3、BN、BeO、CaO安定化ZrO2、Y2O3安定化ZrO2が使用可
能であり、これらの中でも、Y2O3により安定化されたZr
O2が、高周波誘導加熱手段によって、長時間にわたり、
加熱しても、蒸発源容器にクラックが生じることがな
く、とくに好ましい。
【0014】本発明において、蒸発源容器と高周波誘導
加熱手段との間に、充填材が充填されていることが好ま
しい。本発明において使用される充填材は、溶融点1800
℃以上の耐火物セラミックであり、たとえば、MgO、ZrO
2、Al2O3、CaO、Y2O3、ThO2 、BN、BeO、CaO安定化Zr
O2、Y2O3安定化ZrO2、B4C、SiC、SiO2、ZrB2、TiB2、Ta
B2、TiN、ZrN、TaN、TiC、ZrC、HfC、NbC、VC、WC、Ta
C、MoSiO2、LaCrO3、UO2 などのセラミックスや炭素もし
くは炭素化合物またはこれらの混合材料などが挙げら
れ、これらの中でも、MgO、ZrO2、Al2O3、CaO、Y2O3
主成分として、90%以上含むセラミックスや、SiO2
ZrO2、SiO2とAl2O3、ZrO2とAl2O3の混合材料が、好まし
く使用することができる。本発明において、充填材の主
成分が、蒸発源容器の材質と同一であると、さらに好ま
しい。
【0015】本発明において、充填材としては、最大粒
径3.0mm以下のパウダー状のものが好ましく、とく
に、最大粒径3.0mm以下の MgO、ZrO2、Al2O3が好ま
しい。磁性材料として、CoおよびCoを主成分とする合金
を用いた場合には、最大粒径が2.0mm以下のZrO2パウ
ダー(化学成分: ZrO2;88.0%ないし99.9%、CaO;0.0
%ないし5.0%、Al2O3、SiO2、Fe2O3及びTiO2の各成分;
0.0% ないし2.0%)を充填材として用いることが、さら
に好ましい。
【0016】本発明において、充填材は、溶融した磁性
材料が、蒸発源容器から漏れ出た場合に、漏れ出た磁性
材料が、高周波誘導加熱手段に向かって、流れることを
阻止して、高周波誘導加熱手段と接触することを防止す
ることができればよく、充填材からなる層の厚みはとく
に限定されないが、通常は、10mmないし20mmに設定
される。
【0017】本発明において、蒸発源容器は、底部と側
壁を有していればよく、その形状はとくに限定されるも
のではない。たとえば、横断面形状としては、円形、楕
円形、長円形、正方形、長方形、その他の形状のいずれ
も選択することができ、縦断面形状としては、正方形、
長方形、台形、その他の形状のいずれも選択することが
できる。蒸発源容器の側壁上端部の肉厚および側壁下端
部の肉厚は、通常、30mm以下であり、好ましくは、1
0mm以下である。また、蒸発源容器の底部と側壁の間の
部分の曲率半径は、通常、50mm以下であり、好ましく
は20mm以下である。蒸発源容器の底部と側壁の間の接
合部の肉厚は、通常、50mm以下であり、好ましくは3
0mm以下である。
【0018】本発明は、磁性材料を、高周波誘導加熱し
て蒸発させ、基材である非磁性支持体の表面に付着させ
て、磁性材料の薄層を非磁性支持体の表面に形成し、磁
気記録媒体を製造するのに、好ましく使用することがで
きる。
【0019】本発明を、磁気記録媒体の製造に使用する
場合、使用される磁性材料は、とくに限定されるもので
はなく、たとえば、Fe、Co、Ni、CoNi、FeCo、FeCu、Fe
Cr、CoCr、CoAu、CoPt、CoW 、NiCr、CoV 、MnBi、MnB
i、MnAl、CoFeCr、CoNiCr、CoRh、CoNiPt、CoNiFe、CoN
iFeB 、FeCoNiCr、CiNiZnなどの強磁性金属や強磁性合
金が好ましく使用し得る。
【0020】本発明を、磁気記録媒体の製造に使用する
場合、非磁性支持体上に形成される磁性層は、単層膜で
あっても、多層膜であってもよい。また、非磁性支持体
と磁性層の間、あるいは、多層膜の場合には、各膜の間
に、付着力向上、抗磁力の制御などのために、下地層あ
るいは中間層を設けてもよい。さらに、磁性層の表面に
保護層を形成してもよい。保護層としては、例えば、ア
モルファス状カーボン層、SiO2層、Si3N4層、SiNX層、S
iNX−SiO2層、SiC層、TiO2層、TiC層、TiN層などを使
用することができる。保護層は、単層膜であっても、多
層膜であってもよい。また、磁性層や保護層を形成した
後、必要に応じて、バックコート層を形成してもよい。
バックコート層は、カーボンブラックを主成分とし、炭
酸カルシウム、酸化鉄、アルミナ、チタニアなどの含む
非磁性粉末と、ニトロセルロースなどのセルロース誘導
体、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポ
リ塩化ビニルやこれらの共重合体またはこれらを混合し
たものに、イソシアネート系硬化剤を加えた樹脂とを溶
解、分散したものを、磁性層の表面に、たとえば、0.
4ないし0.8μmの厚みに塗布することにより、形成
することができる。
【0021】本発明を、磁気記録媒体の製造に使用する
場合、磁性層の表面に、さらに、潤滑剤層や防錆剤層な
どを形成してもよい。潤滑剤としては、たとえば、モン
テフルオス株式会社製のFOMBLIN Z-DOL 、AM2001、デュ
ポン株式会社製のKRYTOX143AZ、157FSL、ダイキン工業
株式会社製のデムナムSYなどのパーフルオロポリエーテ
ル系潤滑剤、ステアリン酸などの脂肪酸、ステアリルア
ルコールなどのアルコール、脂肪酸エステル、脂肪酸ア
ミドなどのアルキル系潤滑剤、これらアルキル系潤滑剤
の一部または全部の水素原子をフッ素原子で置換したフ
ッ素化アルキル系潤滑剤、リン酸アルキルエステル、チ
オ亜リン酸、フォスフィンなどのリン酸系潤滑剤または
これらの混合物を使用するのが好ましい。リン酸系潤滑
剤と、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤やフッ素化ア
ルキル系潤滑剤などを混合して使用すると、より好まし
い。防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズチア
ゾール、テトラザイデン環誘導体、チオウラシル環誘導
体などを使用するのが好ましくい。
【0022】本発明において、高周波誘導加熱手段とし
て、高周波誘導加熱コイルが用いられるのが好ましい。
高周波誘導加熱コイルは、銅製のパイプによって形成さ
れている。高周波誘導加熱コイルのサイズは、限定され
るものではないが、たとえば、内径6.0mmないし1
6.0mmの銅製のパイプが使用される。高周波誘導加熱
コイルの表面は、耐熱性、絶縁性セラミックスによっ
て、コーティングされているのが好ましい。コーティン
グ材料は、とくに限定されるものではないが、溶融点16
00℃以上、絶縁耐力 500(AC V/100μm)以上の溶射コー
ティングが形成されることが好ましい。コーティング材
料としては、たとえば、MgO、ZrO2、Al2O3、CaO、Si
O2、Cr2O3、Fe2O3などを使用するのが好ましい。高周波
誘導加熱コイルの表面が、充填材の主成分と同一の材料
により、コーティングされていると、さらに好ましい。
【0023】本発明を、磁気記録媒体の製造に使用する
場合に、磁性材料として、CoまたはCoを主成分とする合
金を用い、充填材として、ZrO2のパウダーを用いたとき
には、ZrO2を主成分とする材料によって、高周波誘導加
熱コイルの表面を溶射コーティングすると好ましい。こ
のように、高周波誘導加熱コイルの表面を、電気的絶縁
性を有する材料によって、溶射コーティングすることに
より、蒸発源容器に、サーマルショックあるいは機械的
応力によって、クラックが生じ、溶融した磁性材料が漏
れ出て、充填材の層内に流れ込み、高周波誘導加熱コイ
ルの近傍に達した場合にも、高周波誘導加熱コイルが短
絡したり、地絡したりするのを防止することが可能にな
る。
【0024】本発明において、高周波誘導加熱コイルの
表面を、電気的絶縁性を有する材料によって、溶射コー
ティングする代わりに、たとえば、マイカやグラスウー
ルなどの耐熱性、絶縁性を有するテープを、高周波誘導
加熱コイルの表面に巻きつけまたは貼りつけ、あるい
は、高周波誘導加熱コイルの全体を、セラミックセメン
トなどによって固めることにより、高周波誘導加熱コイ
ルの短絡や地絡を防止することもできる。
【0025】本発明を、磁気記録媒体の製造に使用する
場合、基材である非磁性支持体としては、非磁性材料で
あれば、とくに限定されないが、たとえば、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポ
リエステル、ポリプロピレンなどのポリオレフィン、三
酢酸セルロースや二酢酸セルロースなどのセルロース誘
導体、ポリ塩化ビニルなどのビニル系樹脂、ポリアミ
ド、、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリフェニレン
サルファイドなどのプラスチックをフイルム状に加工し
たものを使用するのが好ましい。非磁性支持体の厚み
は、好ましくは、3ないし100μmである。
【0026】非磁性支持体の表面には、必要に応じて、
下塗層を設けることができる。下塗層を設ける場合に
は、バインダーにフィラーを溶解して、非磁性支持体に
塗布する。バインダーとしては、メチルセルロースなど
のセルロース類、ポリエチレンテレフタレートなどの飽
和ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリアミド、ポリア
クリレートなどが好ましく使用できる。また、フィラー
としては、シリカ、チタニア、アルミナ、炭酸カルシウ
ムなどが好ましく使用できる。下塗層は、高さ5ないし
30nm、密度500万ないし1億個/mm2の突起を有
していることが好ましい。
【0027】さらに、非磁性支持体の表面に、グロー放
電処理、イオン照射処理、熱処理、CVD処理、薬品処
理などの前処理を施してもよい。非磁性支持体の搬送速
度は、形成すべき磁性層の厚みなどにより異なり、とく
に限定されないが、通常は、10ないし100m/分程
度に設定される。
【0028】蒸発源容器に収容する磁性材料の形状は、
蒸発源容器に収容された際に、蒸発源容器の底面以外に
接することがない形状であることが好ましい。磁性材料
が、蒸発源容器の側面に接した状態で、加熱され、溶融
されると、磁性材料の熱膨張によって、蒸発源容器の壁
面にクラックを生じさせるおそれがあり、好ましくな
い。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【0030】図1は、本発明の好ましい実施態様にかか
る磁気記録媒体の製造装置の略正面図である。 図1に
おいて、磁気記録媒体の製造装置1は、真空槽2の内部
に、冷却ドラム3を備えており、冷却ドラム3の周囲に
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レートなどのポリエステルフイルム、ポリプロピレンな
どのポリオレフィンフイルム、三酢酸セルロースや二酢
酸セルロースなどのセルロース誘導体フイルム、ポリ塩
化ビニルなどのビニル系樹脂フイルム、ポリアミドフイ
ルム、、ポリカーボネートフイルム、ポリイミドフイル
ム、ポリフェニレンサルファイドフイルムなどのプラス
チックフイルムからなる非磁性支持体4が巻回されてい
る。冷却ドラム3は、矢印Zの方向に回転され、非磁性
支持体4を、送り出し軸5から、巻き取り軸6へ搬送す
るように構成されている。
【0031】冷却ドラム3の内部には、冷却水その他の
冷媒が循環されており、その表面温度が、所定の温度、
たとえば、−35℃ないし+25℃に設定されている。
【0032】真空槽2は、仕切り板7によって、送り出
し軸5および巻き取り軸6を備え、非磁性支持体4の送
り出しおよび巻き取りをおこなう巻き取り室8と、非磁
性支持体4に、磁性材料を蒸着する蒸着室9とに分割さ
れている。巻き取り室8および蒸着室9には、独立した
排気系(図示せず)を備えており、それぞれの真空度が
独立して調整可能に構成されている。
【0033】非磁性支持体4に、グロー放電処理、イオ
ン照射処理、熱処理、CVD処理、薬品処理などの表面
処理を施す場合には、巻き取り室8内の送り出し軸5の
近傍に、表面処理を行う装置が配置される。
【0034】蒸着室9には、冷却ドラム3の下方に、磁
性材料10を収容する蒸発源11が設けられている。蒸
発源11は、磁性材料を加熱する高周波誘導加熱コイル
13を備え、高周波誘導加熱コイル13の内部には、冷
却水が循環されている。
【0035】図2は、蒸発源11の略縦断面図である。
【0036】図2に示されるように、蒸発源11は、耐
火物からなり、磁性材料10を保持するルツボ12を備
えており、その外側には、充填材14を介して、高周波
誘導加熱コイル13が配置されている。
【0037】ルツボ12は、Y2O3によって安定化された
ZrO2からなる無機粒子の焼結体により形成されており、
その気孔率が14%ないし25%の範囲で、その熱膨張
率が0.8×10-5/K乃至1.4×10-5/Kの範囲
内にあるものが使用されている。また、無機粒子の焼結
体は、少なくとも3.0μmないし100.0μmの粒
径の無機粒子を含むとともに、300μmないし300
0μmの粒径の無機粒子を20重量%以上含んでいる。
【0038】高周波誘導加熱コイル13には、高周波電
源15から高周波電力が供給され、また、内部に冷却水
が循環される高周波電力供給用フィーダー16が設けら
れている。
【0039】ルツボ12は、耐熱性、溶融される磁性材
料との反応安定性、機械的強度、耐熱衝撃性が高い材料
によって形成されており、たとえば、MgO 、ZrO2、Al2
O3、CaO、Y2O3、ThO2、BN、BeO、CaO安定化ZrO2、Y2O3
安定化ZrO2などのセラミックスや炭素もしくは炭素化合
物またはこれらの混合材料などにより形成されている。
【0040】充填材14は、溶融点1800℃以上の耐火物
セラミックからなり、たとえば、MgO、ZrO2、Al2O3、Ca
O、Y2O3、ThO2、BN、BeO、CaO安定化ZrO2、Y2O3安定化Z
rO2 、B4C、SiC、SiO2、ZrB2、TiB2、TaB2、TiN、ZrN、T
aN、TiC、ZrC、HfC、NbC、VC、WC、TaC、MoSiO2、LaCrO
3、UO2などのセラミックスや炭素もしくは炭素化合物ま
たはこれらの混合材料からなっている。充填材14の主
成分が、ルツボ12の主成分と同一であると好ましい。
【0041】高周波誘導加熱コイル13は、たとえば、
内径6.0mmないし16.0mmの銅製のパイプによって
形成されている。高周波誘導加熱コイル13の表面は、
たとえば、MgO、ZrO2、Al2O3、CaO、SiO2、Cr2O3、Fe2O
3などの耐熱性、絶縁性セラミックスによって、コーテ
ィングされている。磁性材料10として、CoまたはCoを
主成分とする合金を用い、充填材14として、ZrO2のパ
ウダーを用いた場合には、ZrO2を主成分とする材料によ
って、高周波誘導加熱コイル13の表面を溶射コーティ
ングすると好ましい。このように、高周波誘導加熱コイ
ル13の表面が、電気的絶縁性を有する材料によって、
溶射コーティングされているため、ルツボ12に、サー
マルショックあるいは機械的応力により、クラックが生
じ、溶融した磁性材料10が漏れ出て、充填材14の層
内に流れ込み、高周波誘導加熱コイル13の近傍に達し
た場合にも、高周波誘導加熱コイル13が短絡したり、
地絡したりするのを防止することが可能になる。図2に
示されているように、高周波誘導加熱コイル13は、ル
ツボ12に対応した形状を有している。
【0042】本実施態様においては、高周波電源15と
しては、周波数200kHz、出力20kWの電源が用
いられている。
【0043】蒸着室9内の蒸発源11の直上には、蒸発
源11から蒸発した磁性粒子の飛散方向を規制する蒸気
拡散防止手段17が設けられている。蒸気拡散防止手段
17は、筒形をなし、ルツボ12とほぼ連続して略鉛直
に延びる壁面17aと、上下端部に、開口部17bを有
し、蒸発源11から蒸発した磁性粒子の流路を形成して
いる。その横断面形状としては、円形、楕円形、長円
形、正方形、長方形、その他の形状のいずれをも選択す
ることができ、また、その縦断面形状としては、正方
形、長方形、台形、その他の形状のいずれをも選択する
ことができる。
【0044】蒸気拡散防止手段17の外周部には、抵抗
加熱ヒーター、高周波誘導加熱コイルなどの加熱源を備
えた加熱手段(図示せず)、あるいは、その内部に、冷
却水や液体窒素、液体ヘリウム、エチレングリコールな
どの冷媒が循環され、Fe、Cu、Al、Ni、Ti、Mg、Znおよ
びこれらの合金やステンレス鋼などによって形成された
冷却手段(図示せず)が設けられており、その内壁面に
おいて、蒸発した磁性粒子を、再蒸発あるいは凝集可能
に構成されている。
【0045】蒸気拡散防止手段17の開口部17bは、
ルツボ12内の溶融した磁性材料表面の中心から蒸発し
た磁性粒子が、所定範囲の角度で、非磁性支持体4の表
面に衝突するように、その形状が定められている。
【0046】冷却ドラム3から所定の距離を隔てて、上
流側マスク18および下流側マスク19が設けられてい
る。上流側マスク18および下流側マスク19の内部に
は、冷却水あるいは冷媒が循環されている。蒸発源11
により蒸発され、蒸気拡散防止手段17の開口部17b
を通過した磁性粒子は、上流側マスク18および下流側
マスク19により形成された開口部20を通って、図1
において、斜め下方から、非磁性支持体4の表面に供給
される。蒸着により形成された磁性層の磁気特性、とく
に抗磁力および角型比は、磁性材料10の蒸気の非磁性
支持体4の表面への入射角度によって決定されることが
知られており、したがって、上流側マスク18および下
流側マスク19は、上流側マスク18により、許容され
る最大入射角が規定され、下流側マスク19によって、
許容される最小入射角が規定されるように、配置されて
いる。
【0047】下流側マスク19の上流側端部近傍には、
耐久性に優れ、磁気特性や電磁変換特性が良好な磁気記
録媒体が得るために、酸化性ガスあるいは酸化性ガスと
他のガスとの混合ガスを、非磁性支持体4に向けて噴射
するガス噴射手段21が設けられている。ガスの噴射
量、噴射角度、ガス噴射手段21の数などは、蒸着され
る磁性材料10の種類や非磁性支持体4の搬送速度など
に基づき、決定される。酸化性ガスとしては、酸素やオ
ゾンが挙げられ、混合ガスとしては、酸素やオゾンを主
成分とし、He、Ar、Kr、Xe、N2 、H2 、H
2 Oなどのガスが混合されたガスが挙げられる。
【0048】図示されてはいないが、蒸気拡散防止手段
17と上流側マスク18および下流側マスク19との間
には、非定常状態にある間に蒸発源11から蒸発した磁
性材料10が、非磁性支持体4に付着するのを防止する
開閉可能なシャッタ装置が設けられている。
【0049】以上のように構成された本発明の実施態様
にかかる磁気記録媒体の製造装置においては、以下のよ
うにして、非磁性支持体4の表面上に、磁性層が形成さ
れ、磁気記録媒体が製造される。
【0050】蒸着室9および巻き取り室8内が、独立し
た排気系(図示せず)により、排気され、たとえば、
5.0×10-5ないし4.0×10-4Torrの減圧状態に
保持される。
【0051】次いで、高周波電源15を用いて、高周波
誘導加熱コイル13に電力を供給して、ルツボ12内の
磁性材料10を加熱し、蒸発させる。蒸発した磁性材料
10の粒子は、蒸発源11から上方に向かって、飛散
し、その一部は、蒸気拡散防止手段17の壁面17aに
付着して、凝縮するが、蒸気拡散防止手段17の外周部
に設けられた加熱手段(図示せず)あるいは冷却手段
(図示せず)により、壁面17aの表面温度が凝縮した
磁性粒子が再溶解する温度に調整されているため、蒸気
拡散防止手段17の壁面17aに付着して、凝縮した磁
性粒子は、液滴となって、壁面17aに沿い、ルツボ1
2内に回収される。
【0052】蒸気拡散防止手段17の壁面17aに付着
しなかった磁性粒子は、蒸気拡散防止手段16の開口部
17bを通過して、さらに、上方に向かって、飛散し、
上流側マスク18と下流側マスク19の間に形成された
開口部20を通って、最大入射角と最小入射角の間の角
度で、非磁性支持体4に衝突し、蒸着される。ガス噴射
手段21から、酸化性ガスあるいは酸化性ガスと他のガ
スとの混合ガスが、非磁性支持体4に向けて噴射されて
いるので、磁性粒子の一部が酸化されて、強磁性金属薄
膜が形成される。
【0053】
【実施例】以下、本発明の効果をより明瞭なものとする
ため、実施例を掲げる。 実施例1 図2に示される蒸発源11を用いて、高周波誘導加熱コ
イル13に電流を供給して、Co100からなる磁性材料1
0を加熱し、Co100を収容したルツボ12のクラックの
発生状況および溶融したCo100の差し込み状況を調べ
た。ルツボ12を、以下の材料を用いて、熱膨張率が
1.10×10-5/Kとなるように、外径90mm、内径
80mm、高さ100mm、内部深さ92mmのカップ状に形
成し、その気孔率のみを変化させた。
【0054】材料:Y2O3によって安定化されたZrO2 化学成分:90.3重量%のZrO2、9.2重量%のY2O3
を含む。
【0055】粒径:0.5μmないし3000μm 30重量%の300μmないし3000μmの粒子を含
む。
【0056】高周波誘導加熱コイル13としては、内部
に冷却水が循環する直径12mmの銅製のパイプを用い、
ルツボ12の外周に沿って、6回転させ、内径が125
mm、高さが100mmとなるように配置した。発振周波数
10KHz 、出力50KWの高周波電源15を、真空槽2の
外部に設置し、内部に冷却水が循環される高周波電力供
給用フィーダー16を介して、高周波誘導加熱コイル1
3に接続した。
【0057】ルツボ12と高周波誘導加熱コイル13と
の間に充填される充填材14としては、粒度を調整し
て、最大粒径2.0mmとしたZrO2パウダー(化学セブ
ン(重量%):ZrO2;94.3%、CaO;4.2%)を
用いた。
【0058】Co100を収容した蒸発源11を真空槽2内
に置き、真空槽2をポンプを用いて排気し、5.0×1
-5Torrに保持し、高周波電源14を用いて、高周波誘
導加熱コイル13に、30KWの一定電力を60分間にわ
たり供給し、ルツボ12内のCo100を蒸発させた。その
後、供給電力をゼロとして、30分間にわたって放置し
た。このステップを5回にわたって、繰り返し、蒸発源
容器11を分解して、ルツボ12のクラックの発生状況
および溶融したCo100の差し込み状況を観察した。
【0059】実験結果は、表1に示されている。
【0060】実施例において、評価は、以下のとおりと
した。
【0061】S:目視において、まったくクラックが認
められず、溶融したCo100が差し込んだ形跡も認められ
なかった。 A:1ないし2本の幅0.5mm以下の細いクラックは認
められたが、溶融したCo100が差し込んだ形跡は認めら
れなかった。 B:3本以下の幅0.5mm以下の細いクラックが認めら
れ、溶融したCo100の差し込みも認められたが、溶融し
たCo100の差し込みはルツボ12の厚み方向の途中で止
まっていた。 C:1ないし2本の幅0.5mmを越えるクラックが認め
られたか、あるいは、溶融したCo100の差し込みが、ル
ツボ12の全厚み方向に認められた。 D:3本以上の幅0.5mmを越えるクラックが認めら
れ、溶融したCo100が差し込み、ルツボ12から流出し
ていた。 E:Co100を蒸発させる際に、ルツボ12にクラックが
生じ、ルツボ12が破壊したため、実験を中止した。
【0062】表1より、ルツボ12の気孔率の平均値
が、14.6%ないし24.2%の範囲にあるサンプル
#4、#5、#6は、ルツボ12にクラックが生ずるこ
とも、また、溶融したCo100が差し込むこともないこと
が判明した。 実施例2 気孔率の平均値が18.6%のルツボ12を用い、ルツ
ボ12の熱膨張率を変化させた点を除いて、実施例1と
まったく同様にして、実験をおこない、評価した。評価
結果は、表2に示されている。
【0063】表2より、熱膨張率が0.85×10-5
Kないし1.38×10-5/Kの範囲にあるサンプル#
12、#13、#14および#15は、ルツボ12にク
ラックが生じても、幅0.5mm以下の細いクラックが3
本以下であり、また、溶融したCo100の差し込みも認め
られても、溶融したCo100の差し込みはルツボ12の厚
み方向の途中で止まっており、実用的に使用可能である
ことが判明した。 実施例3 ルツボ12を形成するY2O3によって安定化されたZrO2
粒径分布を変化させ、気孔率の平均値が18.6%のル
ツボ12を用いた点を除いて、実施例1とまったく同様
にして、実験をおこない、評価した。評価結果は、表
3、表4に示されている。表3、表4において、粒径分
布の単位はμmであり、表中の数値は、Y2 O3によって安
定化されたZrO2の重量%である。
【0064】表3、表4より、少なくとも3.0μm以
上、100.0μm未満の粒径のY2 O3によって安定化さ
れたZrO2を含み、粒径分布の広いY2O3によって安定化さ
れたZrO2を用いて、形成されたサンプル#24、#2
6、#27、#28、#30および#31は、ルツボ1
2に、3本以下の幅0.5mm以下の細いクラックが認め
られ、溶融したCo100の差し込みも認められたが、溶融
したCo100の差し込みは、ルツボ12の厚み方向の途中
で止まっており、実用的に使用可能であることが判明し
た。 実施例4 ルツボ12を形成するY2O3によって安定化されたZrO2
粒径分布を変化させ、気孔率の平均値が18.6%のル
ツボ12を用いた点を除いて、実施例1とまったく同様
にして、実験をおこない、評価した。評価結果は、表5
ないし表8に示されている。表4ないし表8において、
粒径分布の単位はμmであり、表中の数値は、Y2O3によ
って安定化されたZrO2の重量%である。
【0065】表4ないし表8から、300μmないし3
000μmの粒径のY2O3によって安定化されたZrO2を2
0重量%以上含んでいるサンプル#47ないし#55
は、ルツボ12にクラックが生ずることも、また、溶融
したCo100が差し込むこともなく、また、300μmな
いし3000μmの粒径のY2O3によって安定化されたZr
O2を10重量%以上含んでいるサンプル#44、#45
および#46は、1〜2本の幅0.5mm以下の細いクラ
ックは認められたが、溶融したCo100 が差し込んだ形跡
は認められず、好ましいことが判明した。 実施例5 蒸発源11、ルツボ12、充填材14、高周波誘導加熱
コイル13、高周波電源15および高周波電力供給用フ
ィーダー16として、実施例1とまったく同一のものを
用い、高周波電源15から、高周波誘導加熱コイル13
に、10KWの一定電力を48時間にわたり供給し、ルツ
ボ12を連続的に加熱した。ここに、ルツボ12内に、
磁性材料10を収容しなかった。その結果、48時間に
わたる連続加熱にもかかわらず、ルツボ12には、クラ
ックの発生は認められなかった。他方、ルツボ12のみ
を、CaO で安定化されたZrO2(94.2重量%のZrO2
4.4重量%CaOを含む。)により形成し、同様にし
て、連続的に加熱をおこなったところ、ルツボ12は、
24時間以内に割れてしまい、実験を継続することがで
きなかった。
【0066】本発明は、以上の実施態様および実施例に
限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明
の範囲内で、種々の変更が可能であり、それらも本発明
の範囲内に包含されるものであることは言うまでもな
い。
【0067】たとえば、前記実施態様および実施例にお
いては、磁性材料10を非磁性支持体4の表面に付着さ
せて、磁性層を形成する場合につき、説明を加えたが、
本発明は、かかる磁気記録媒体の製造だけでなく、広
く、種々の蒸着材料を、高周波誘導加熱して蒸発させ、
基材の表面に付着させて、蒸着材料の薄層を基材の表面
に形成させる場合に適用することができる。
【0068】さらに、前記実施態様においては、単一の
蒸発源11が用いられているが、非磁性支持体4の幅が
広い場合には、複数の蒸発源11を非磁性支持体4の幅
方向に配置してもよい。複数の蒸発源11を設ける場合
には、複数組のルツボ12、充填材14、高周波誘導加
熱コイル13、高周波電源15、高周波電力供給用フィ
ーダー16を設けても、ルツボ12、高周波誘導加熱コ
イル13、高周波電源15、高周波電力供給用フィーダ
ー16のみを、複数組設け、充填材14を、各蒸発源1
1に共通に使用するようにしても、ルツボ12のみを、
複数設け、その他は各蒸発源11に共通に使用するよう
にしてもよい。
【0069】また、前記実施態様においては、下流側マ
スク19の上流側端部近傍に、ガス噴射手段21を設け
ているが、ガス噴射手段21を設ける位置は、下流側マ
スク19の上流側端部近傍に限定されるものではなく、
ガス噴射手段21は、上流側マスク18の下流側端部近
傍、下流側マスク19の上流側端部近傍および上流側マ
スク18と下流側マスク19の間のいずれかに少なくと
も一つ配置されていればよい。
【0070】さらに、前記実施態様においては、冷却ド
ラム3が用いられているが、これは円筒状のものに限定
されるものではなく、たとえば、蒸発源12に対して、
斜面を形成するエンドレスベルト状のものでもよい。
【0071】
【発明の効果】本発明によれば、高周波誘導加熱によ
り、経済的かつ効率的に、蒸着材料を蒸発させ、基材の
表面に付着させて、蒸着材料の薄層を基材の表面に形成
させることのできる蒸着方法を提供することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の好ましい実施態様にかかる磁
気記録媒体の製造装置の略正面図である。
【図2】図2は、蒸発源の略縦断面図である。
【符号の説明】
1 磁気記録媒体の製造装置 2 真空槽 3 冷却ドラム 4 非磁性支持体 5 送り出し軸 6 巻き取り軸 7 仕切り板 8 巻き取り室 9 蒸着室 10 磁性材料 11 蒸発源 12 ルツボ 13 高周波誘導加熱コイル 14 充填材 15 高周波電源 16 高周波電力供給用フィーダー 17 蒸気拡散防止手段 17a 蒸気拡散防止手段の壁面 17b 蒸気拡散防止手段の開口部 18 上流側マスク 19 下流側マスク 20 開口部 21 ガス噴射手段

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 蒸発源容器内に収容された蒸着材料を、
    高周波誘導加熱して蒸発させ、基材の表面に付着させ
    て、蒸着材料の薄層を前記基材の表面に形成させる蒸着
    方法において、前記蒸発源容器が無機粒子の焼結体から
    形成され、気孔率が14%乃至25%の範囲にあること
    を特徴とする蒸着方法。
  2. 【請求項2】 前記蒸発源容器の熱膨張率が0.8×1
    -5/K乃至1.4×10-5/Kの範囲内にあることを
    特徴とする請求項1に記載の蒸着方法。
  3. 【請求項3】 前記無機粒子が、Y2O3によって安定化さ
    れたZrO2からなることを特徴とする請求項1または2に
    記載の蒸着方法。
JP11144513A 1999-05-25 1999-05-25 蒸着方法 Pending JP2000328233A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11144513A JP2000328233A (ja) 1999-05-25 1999-05-25 蒸着方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11144513A JP2000328233A (ja) 1999-05-25 1999-05-25 蒸着方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000328233A true JP2000328233A (ja) 2000-11-28

Family

ID=15364109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11144513A Pending JP2000328233A (ja) 1999-05-25 1999-05-25 蒸着方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000328233A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009057903A1 (de) * 2009-12-11 2011-06-16 Calyxo Gmbh Hochtemperaturgasverdampfungsvorrichtung und Verfahren zur Hochtemperaturgasverdampfung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009057903A1 (de) * 2009-12-11 2011-06-16 Calyxo Gmbh Hochtemperaturgasverdampfungsvorrichtung und Verfahren zur Hochtemperaturgasverdampfung
DE102009057903B4 (de) * 2009-12-11 2013-05-02 Calyxo Gmbh Hochtemperaturgasverdampfungsvorrichtung und Verfahren zur Hochtemperaturgasverdampfung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003129229A (ja) 金属酸化物膜つきフィルムの製造方法および製造装置
KR102789447B1 (ko) 기판, 특히 초전도 테이프 전도체를 코팅하기 위한 장치, 방법 및 시스템 그리고 코팅된 초전도 테이프 전도체
CA1162113A (en) Process for producing magnetic recording medium
JP2000339679A (ja) 磁気記録媒体の製造装置および方法
JP3516286B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法および装置
JPH10154327A (ja) 磁気記録媒体の製造装置
JPH10112027A (ja) 磁気記録媒体の製造装置
JPH10154325A (ja) 磁気記録媒体の製造装置
JP2000311339A (ja) 磁気記録媒体の製造装置
JPH10154326A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH11172417A (ja) 真空成膜装置
JPH08212545A (ja) 磁気記録媒体の保護層及び潤滑層形成方法及び装置
JP2520083B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH10154324A (ja) 磁気記録媒体の製造装置
JP4341323B2 (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JPH09198644A (ja) 磁気記録媒体
JPH0841628A (ja) 金属膜体の製造装置
JPH10124870A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH11158610A (ja) 真空成膜装置
JPH08102066A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP2000030964A (ja) 磁気記録媒体の製造装置及び製造方法
JPH09198643A (ja) 磁気記録媒体
JPH09204634A (ja) 磁気記録媒体
JPH10162356A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置
JPH09202964A (ja) 真空蒸着装置およびこれを用いた磁気記録媒体の製造方法