JPH09202964A - 真空蒸着装置およびこれを用いた磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に酸素の含有量によらず、優れた生産性に
て高品質な金属膜を成膜可能な真空蒸着装置を提供し、
また、この真空蒸着装置を用いて、低コストに、高品質
の磁気記録媒体を製造する方法をを提供する。 【解決手段】 真空蒸着装置において、ルツボ８の内部
が、金属材料の溶融液の液面近傍にて、金属材料が補給
される材料供給領域２１と電子線が照射される主溶融領
域２２とに仕切られ、材料供給領域２１には、この領域
内の液面近傍の溶融液を流入可能に設けられた貯留部２
５が接続される。そして、この真空蒸着装置を用い、材
料供給領域２１に、Ｃｏを主体とし、酸素を５０〜５０
００ｐｐｍ含有する金属磁性材料を補給して、主溶融領
域２２への浮遊物の流入を抑制しながら金属磁性薄膜の
成膜を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる真空蒸着
装置に関し、この真空蒸着装置を用いて金属磁性薄膜を
成膜する磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等
の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機結合剤中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥する
ことにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く使用
されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くできるた
め、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、
磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要が無い
ため、磁性材料の充填密度を高めることができることな
ど、数々の利点を有している。

【０００５】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。磁性層を斜めに蒸着するには、ル
ツボ内に金属磁性材料のインゴットを入れておき、これ
を電子銃から電子線を照射することにより蒸気化させ、
この蒸気の入射角度をシャッターやマスクにて規制しな
がら、連続的に走行する非磁性支持体に対して被着させ
ることが一般的に行われている。

【０００６】なお、蒸着を連続して行う場合には、ルツ
ボ内の金属磁性材料の消費に合わせて、金属磁性材料の
ペレット等を順次補給すればよい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な蒸着に用いられる金属磁性材料においては、Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｃｕ等の金属元素の含有量が、磁性層の磁気
特性に大きな影響を及ぼすことから厳重に管理する必要
がある。

【０００８】また、Ｏ₂ ，Ｃ，Ｎ等のガス成分の含有量
も、できるだけ低く抑えることが要求されている。金属
磁性材料にガス成分が含有されていると、溶融時に突沸
（スプラッシュ）が発生し、この飛沫が非磁性支持体に
まで達して、磁性層に微小な熱負けを生じさせ、当たり
不良やドロップアウトの原因となるからである。さら
に、Ｏ₂ の含有量が多い金属磁性材料を用いると、この
溶融液の表面が酸化物よりなる浮遊物にて被覆され、成
膜レートを低下させることにもなる。なお、所定の成膜
レートを得ようとすると、照射する電子線のパワーを大
きくする必要が生じ、電子線の安定性を欠いたり、電子
銃の寿命を縮めることとなる。

【０００９】しかしながら、通常市販されている金属磁
性材料は、磁気特性への影響を無視できるほど金属元素
の含有量が抑えられているものであっても、ガス成分の
含有量まで十分に低減されていない。このため、蒸着に
際してガス成分の含有量が低い、高品質の金属磁性材料
を用いたい場合には、予め再度精錬加工が必要であっ
た。即ち、ガス成分の含有量が低い金属磁性材料を準備
しようとすると、必然的にコストの増大につながる。

【００１０】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑
み、ガス成分、特に酸素の含有量によらず、優れた生産
性にて高品質な金属膜を成膜可能な真空蒸着装置を提供
することを目的とし、また、この真空蒸着装置を用い
て、低コストに、高品質の磁気記録媒体を製造する方法
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る真空蒸着装
置は、上述の目的を達成するものであり、成膜室内に、
少なくとも、支持体を走行させる円筒キャンと、該円筒
キャンの下方に配設されたルツボと、該ルツボ内に充填
された金属材料に電子線を照射する電子線照射手段とを
有する真空蒸着装置において、前記ルツボの内部が、金
属材料の溶融液の液面近傍にて、金属材料が補給される
材料供給領域と電子線が照射される主溶融領域とに仕切
られ、前記材料供給領域には、この領域内の液面近傍の
溶融液を流入可能に設けられた貯留部が接続されている
ものである。

【００１２】この真空蒸着装置のルツボにおいては、材
料供給領域と主溶融領域とが溶融液の液面近傍で仕切ら
れているため、材料供給領域に補給された金属材料が溶
融し、この溶融液に浮遊物が存在していても、主溶融領
域に浮遊物が流入しない。このため、主溶融領域では、
金属材料の溶融液の表面が浮遊物によって被覆されるこ
とがなく、蒸気化が安定して行える。また、このルツボ
を用いれば、材料供給領域から主溶融領域に金属材料が
固体のまま移動してくるのを妨げるため、これがスプラ
ッシュの原因となることもない。なお、ここで用いられ
るルツボは、円筒キャンの幅より長く形成されており、
主溶融領域は円筒キャンの周面に対向するように、材料
供給領域は、円筒キャンの周面に対向しないように配設
されることが前提である。

【００１３】さらに、このルツボにおいては、材料供給
領域に、この領域内の液面近傍の溶融液を流入可能に設
けられた貯留部が接続されているため、該貯留部に、溶
融液に浮遊する浮遊物を排出することができる。

【００１４】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、
真空蒸着装置の成膜室内で非磁性支持体を連続走行さ
せ、ルツボ内の金属磁性材料を電子線の照射によって加
熱蒸発させることにより、該非磁性支持体上の一主面に
金属磁性薄膜を成膜するに際し、前記ルツボの内部を、
金属磁性材料の溶融液の液面近傍にて、金属磁性材料が
補給される材料供給領域と電子線が照射される主溶融領
域とに仕切っておき、成膜中に、前記材料供給領域に、
Ｃｏを主体とし、酸素を５０〜５０００ｐｐｍ含有する
金属磁性材料を補給するものである。

【００１５】上述したように、材料供給領域と主溶融領
域とを溶融液の液面近傍で仕切っておけば、材料供給領
域における溶融液の浮遊物を主溶融領域に流入させずに
済み、主溶融領域では金属磁性材料の蒸気化を安定して
行える。また、スプラッシュを抑制することもできる。
このため、酸素を含有する金属磁性材料を使っても、電
子線のパワーを大きくすることなく、ドロップアウトの
少ない磁性層を形成することができ、低コストで、高品
質の磁気記録媒体を製造することが可能となる。

【００１６】また、材料供給領域に、この領域内の液面
近傍の溶融液を流入可能に設けられた貯留部を接続させ
ておけば、該溶融液に浮遊する浮遊物を排出しながら金
属磁性薄膜の成膜を行うことができる。

【００１７】金属磁性材料として酸素を５０〜５００ｐ
ｐｍ含有するものを用いる場合、上述したルツボの使用
のみでドロップアウトの少ない磁性層を形成でき、酸素
を５００〜５０００ｐｐｍ含有するものを用いる場合に
も、材料供給領域に還元剤としてＡｌまたはＴｉの少な
くともいずれかを供給することによって、ドロップアウ
トの少ない磁性層を得ることができる。なお、酸素の含
有量が５０ｐｐｍ未満の金属磁性材料は、コストが高く
なるために実用的でなく、酸素の含有量が５０００ｐｐ
ｍを越える金属磁性材料は、上述したような構成を有す
るルツボを用いても、また、ＡｌやＴｉといった還元剤
を供給しても、主溶融領域に浮遊物が流入してしまう。
酸素を５００〜５０００ｐｐｍ含有する金属磁性材料を
用いる場合、還元剤として供給されるＡｌ、Ｔｉは５０
〜５００ｐｐｍとされて好適である。少なすぎると、還
元剤としての効果が十分には現れず、多すぎると、金属
磁性薄膜の磁気特性に影響が現れてしまう。

【００１８】一方、金属磁性薄膜の成膜前に予めルツボ
内に充填しておく金属磁性材料としては、酸素の含有量
が５００ｐｐｍ以下であるものを用いて好適である。こ
れより酸素の含有量が高いものを用いると、溶融液に多
量の浮遊物が浮遊することとなり、ドロップアウトの原
因となったり、成膜レートの劣化の原因となったりす
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施の形
態について図面を参照しながら説明する。

【００２０】本発明を適用した真空蒸着装置の一例を図
１に示す。この真空蒸着装置においては、図示しない排
気口から排気されて内部が減圧可能となされた成膜室１
内に、図中ａ方向に定速回転する送りロール３と、図中
ｂ方向に定速回転する巻取りロール４とが設けられ、こ
れら送りロール３から巻取りロール４にテープ状の非磁
性支持体２が順次走行するようになされている。

【００２１】これら送りロール３から巻取りロール４に
向かって非磁性支持体２が走行する中途部には、上記各
ロール３，４の径よりも大径となされた円筒キャン５が
設けられている。この円筒キャン５は、上記非磁性支持
体２を図中側方に引き出すように設けられ、図中ｃ方向
に定速回転する構成とされる。

【００２２】なお、送りロール３、巻取りロール４およ
び円筒キャン５は、それぞれ非磁性支持体２の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなすものである。また、円筒キ
ャン５には、内部に図示しない冷却装置が設けられ、非
磁性支持体２の温度上昇による変形等を抑制し得るよう
になされている。

【００２３】したがって、この真空蒸着装置の成膜室１
内では、非磁性支持体２が、送りロール３から順次送り
出され、さらに上記円筒キャン５の周面を通過し、巻取
りロール４に巻取られるようになされている。

【００２４】また、成膜室１内には、円筒キャン５の下
方にルツボ８が設けられ、このルツボ８内に金属磁性材
料９が充填されている。さらに、このルツボ８には、図
示しないペレット供給手段からペレットが供給されるよ
うになされている。

【００２５】一方、成膜室１の上壁部には、上記ルツボ
８内に充填された金属磁性材料９を加熱蒸発させるため
の電子銃１０が取り付けられる。この電子銃１０は、当
該電子銃１０より放出される電子線Ｘが上記ルツボ８内
の金属磁性材料９に照射されるように配設される。そし
て、この電子銃１０によって蒸発した金属磁性材料９が
上記円筒キャン５の周面を定速走行する非磁性支持体２
上に磁性層として被着形成されるようになっている。

【００２６】また、円筒キャン５とルツボ８との間であ
って該冷却キャン５の近傍には、シャッタ１１が、上記
円筒キャン５の周面を定速走行する非磁性支持体２の所
定領域を覆う形で配設されている。このシャッタ１１に
より、蒸発した金属磁性材料９が非磁性支持体２に対し
て所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになる。

【００２７】さらに、成膜室１にはガス導入口１２が設
けられ、成膜室１内に所望のガスを所望の流量にて供給
できるようになされている。

【００２８】この真空蒸着装置においてはルツボ８の構
成に特徴があるため、図２および図３を用いて説明す
る。このルツボ８は、その長手方向の長さが円筒キャン
５の周面の幅よりも長く形成されており、図２の斜視
図、図２におけるＡ−Ａ’線断面図に示されるように、
その内部が、金属磁性材料９の溶融液の液面近傍にて、
材料供給領域２１と主溶融領域２２とに仕切板２３によ
って仕切られている。ここで、主溶融領域２２は電子線
Ｘが照射される領域であり、材料供給領域２１はペレッ
トが補給される領域である。なお、主溶融領域２２は、
円筒キャン５の周面に対向するように、材料供給領域２
１は、円筒キャン５の周面に対向しないように配設され
る。

【００２９】ここで、仕切板２３は略逆凸状となされ、
その基端部２３ｂがルツボ８の開口縁部に係止されると
ともに、その凸部２３ａがルツボ８の開口部８ａをその
深さ方向の中途部まで遮断するようになされている。こ
のため、材料供給領域２１と主溶融領域２２とは、上述
の仕切板２３の凸部２３ａの下方にて通じ、材料供給領
域２１へ供給されたペレットは、溶融されてはじめて上
述の凸部２３ａの下方を通過して主溶融領域２２へ供給
されることとなる。

【００３０】また、上述のルツボ８においては、材料供
給領域２１に溝部２４を介して接続可能となされた貯留
部２５が、円筒キャン５の周面に対向しない位置に設け
られている。ここで、溝部２４は、前述した仕切板２３
によって開口部８ａが遮断される深さより浅く形成され
ており、この溝部２４に関止部材２６を係合／離間させ
ることによって、材料供給領域２１と貯留部２５とを遮
断／接続可能としている。このため、貯留部２５には、
関止部材２６を溝部２４から離間させることにより、材
料供給領域２１内の液面近傍の溶融液を流入させること
ができる。

【００３１】ルツボ８が溶融液の液面近傍にて材料供給
領域２１と主溶融領域２２とに仕切られると、材料供給
領域に補給されたペレットの溶融液に浮遊物が存在して
いても、主溶融領域２２への浮遊物の流入を抑制でき
る。このため、主溶融領域２２では、溶融液の表面が浮
遊物によって被覆されることがなく、蒸気化が安定して
行える。また、このルツボ８を用いれば、ペレットが固
体のまま主溶融領域２２に移動してくることがないた
め、スプラッシュを抑制できる。

【００３２】さらに、材料供給領域２１に貯留部２５が
接続させることによって、該貯留部２５に溶融液に浮遊
する浮遊物を排出することができるため、主溶融領域２
２への浮遊物の流入を防止することができる。

【００３３】以上のような構成を有する真空蒸着装置に
よって、非磁性支持体２に金属磁性薄膜を成膜するに
は、排気口より成膜室１内の排気を行って所定の真空度
を保つ一方、金属磁性薄膜の磁気特性、耐久性、耐候性
の向上を目的として、ガス導入口１２より酸素ガスを所
定の流量にて導入する。そして、送りロール３、円筒キ
ャン５、巻取りロール４をそれぞれ所定の速度で回転さ
せ、非磁性支持体２を円筒キャン５の周面に走行させ
る。また、電子銃１０から放出される電子線Ｘによって
ルツボ８内の金属磁性材料９を加熱蒸発させ、シャッタ
１１により入射角度を規制しながら、走行する非磁性支
持体２に被着させればよい。

【００３４】なお、金属磁性材料９としては、成膜開始
前に予めルツボ８内に予め入れておいたインゴットを溶
融したものが用いられ、成膜によって消費された分がペ
レットとして補給される。以下、インゴットとして供給
される金属磁性材料９を「初期用材料」と称し、ペレッ
トとして供給される金属磁性材料９を「補給用材料」と
称す。

【００３５】ここで、金属磁性材料９としては、通常、
磁気記録媒体の磁性層を形成するために使用されるもの
であれば如何なるものであってもよいが、本発明に係る
磁気記録媒体の製造方法においては、Ｃｏを主体とする
ものを用いる。もちろん、磁気特性や耐錆性を考慮し
て、Ｎｉ、Ｃｒ等に代表される種々の元素が添加された
ものであってもよい。但し、初期用材料として酸素の含
有量が５００ｐｐｍ以下のものを用い、補給用材料とし
て酸素の含有量が５０〜５０００ｐｐｍのものを用い
る。なお、成膜される金属磁性薄膜は、単層膜であって
も多層膜であってもよい。

【００３６】ところで、上述のような金属磁性材料を被
着させる非磁性支持体としては、ポリエステル類、ポリ
オレフィン類、セルロース類、ビニル類、ポリイミド
類、ポリカーボネート類に代表されるような高分子材料
によって形成される高分子基板や、アルミニウム合金、
チタン合金からなる金属基板、アルミガラス等のセラミ
ックス基板、ガラス基板等が挙げられ、その形状も何等
限定されない。但し、本発明を適用して磁気テープを製
造する場合には、非磁性支持体として、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィ
ルム、アラミドフィルム等を用いて好適である。また、
これらのフィルムには、表面粗度を制御するためにフィ
ラーが内添されていてもよいし、表面に表面粗度を制御
するための層が形成されていてもよい。

【００３７】さらに、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、
あるいは、金属磁性薄膜が多層膜よりなる場合には、各
層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、下地
層または、中間層を設けてもよい。また、例えば、磁性
層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていて
もよい。

【００３８】また、金属磁性薄膜上には保護膜層が形成
されてもよく、この材料としては、通常の金属磁性薄膜
用の保護膜として一般に使用されるものであれば如何な
るものであってもよい。例示すれば、カーボンの他、Ｃ
ｒＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ₂ 、Ｓｉ₃ Ｏ₄ 、ＳｉＮ_x 、ＳｉＣ、ＳｉＮ_x −Ｓｉ
Ｏ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＴｉＯ₂ 、ＴｉＣ等があげられる。こ
れらの単層膜であってもよいし多層膜、あるいは複合膜
であってもよい。

【００３９】もちろん、本発明を適用して製造される磁
気記録媒体の構成はこれに限定されるものではなく、必
要に応じて非磁性支持体上に下塗層が形成されたり、非
磁性支持体における金属磁性薄膜が成膜された面とは反
対側の主面にバックコート層を設けたり、金属磁性薄膜
または保護膜表面に潤滑剤や防錆剤等よりなるトップコ
ート層を形成したりしてもよい。

【００４０】

【実施例】以下、実施の形態に示した真空蒸着装置の有
用性、金属磁性材料として使用可能な酸素含有量の範囲
等を確認するため、様々な条件で金属磁性薄膜の成膜を
行って磁気テープを製造した。

【００４１】実施例１〜６ 以下、実際に磁気テープを製造する工程を順を追って説
明する。

【００４２】先ず、厚さ１０μｍ、幅１５０ｍｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用意し、このフィル
ムの表面粗度を調整するために、アクリル酸エステルを
主成分とする水溶性ラテックスを塗布して下塗り層を形
成した。これによって、表面に１０００万個／ｍｍ₂ な
る突起密度が形成された。これを非磁性支持体２とす
る。

【００４３】そして、前述した実施の形態に示された真
空蒸着装置の成膜室１を１×１０^-3〜１０×１０^-3Ｐａ
なる真空度に保ちながら、該成膜室１内に酸素ガスを
３．０ｌ／ｍｉｎなる流量にて導入し、上記の非磁性支
持体２を２５ｍ／分なる速度にて、−３０℃に冷却され
た円筒キャン５の周面上を走行させた。

【００４４】この状態で、ルツボ８の主溶融領域２２に
電子線を照射することにより、インゴットを溶融させ、
得られた金属磁性材料９を蒸発させた。そして、この蒸
気を、入射角度が４５°〜９０°となるようにして非磁
性支持体２に被着させた。なお、電子銃１０の出力は、
非磁性支持体２を上述の速度で走行させた状態で２００
ｎｍの厚さの金属磁性薄膜を成膜できるように、最大３
００ｋＷの範囲で調整した。この成膜に際しては、ルツ
ボ８内の金属磁性材料９が消費されるため、順次、ルツ
ボ８の材料供給領域２１にペレットを補給した。このペ
レットは、主溶融領域２２から伝達してくる熱によって
溶融し、仕切板２３の下方から主溶融領域２２へ供給さ
れることとなる。

【００４５】また、成膜中、ルツボ８の材料供給領域２
１に浮遊物が観察されたときには、溝部２４から関止部
材２６を離間させて、材料供給領域２１と貯留部２５と
を接続させ、液面近傍の溶融液を貯留部２５へ流入させ
ることにより、浮遊物を貯留部２５へ排出した。

【００４６】ここで、インゴットとして供給する初期用
材料、ペレットとして補給する補給用材料としては、酸
素の含有量が互いに異なる材料ａ〜ｅを組み合わせて用
いた。材料ａ〜ｅの組成は表１に示されるとおりであ
る。

【００４７】

【表１】

【００４８】以上のようにして、それぞれ金属磁性薄膜
の成膜を行った後、非磁性支持体２の金属磁性薄膜形成
面とは反対側の面に、カーボンとウレタン系結合剤を主
体とするバックコート層を０．６μｍなる厚さに形成
し、金属磁性薄膜上には、パーフルオロポリエーテルよ
りなるトップコート層を形成した。そして、これを８ミ
リ幅に裁断して実施例１〜６の磁気テープを得た。

【００４９】ここで、各磁気テープの金属磁性薄膜の成
膜時に用いた初期用材料、補給用材料は、実施例１のサ
ンプルテープ：初期用材料＝材料ａ、補給用材料＝材料
ｂ 実施例２のサンプルテープ：初期用材料＝材料ａ、補給
用材料＝材料ｃ 実施例３のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｃ、補給
用材料＝材料ｂ 実施例４のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｃ、補給
用材料＝材料ｃ 実施例５のサンプルテープ：初期用材料＝材料ａ、補給
用材料＝材料ｄ 実施例６のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｃ、補給
用材料＝材料ｅ である。

【００５０】実施例７，８ 本実施例においては、補給用材料を供給するに際して、
還元剤を同時に供給した以外は実施例１〜６と同様にし
て金属磁性薄膜を成膜し、磁気テープを製造した。

【００５１】ここでは、金属磁性薄膜の成膜時に、初期
用材料として材料ａ、補給用材料として材料ｄを用い、
還元剤としてＴｉを６０ｐｐｍ供給して作製された磁気
テープを実施例７のサンプルテープとし、初期用材料と
して材料ｃ、補給用材料として材料ｅを用い、還元剤と
してＴｉを３００ｐｐｍ供給して作製された磁気テープ
を実施例８のサンプルテープとした。

【００５２】比較例１ 本比較例においては、補給用材料として、酸素含有量が
実施例７，８よりもさらに高い材料を用いた以外は実施
例７，８と同様にして金属磁性薄膜を成膜し、磁気テー
プを製造した。

【００５３】ここでは、金属磁性薄膜の成膜時に、初期
用材料として材料ａ、補給用材料として材料ｆを用いて
作製された磁気テープを比較例１のサンプルテープとし
た。なお、材料ｆの組成は表１に併せて示されるとおり
である。

【００５４】比較例２〜９ ここでは、ルツボとして、仕切板２３や貯留部２５を有
さず、単に直方体の開口部を有する従来型のルツボを用
いた以外は、実施例１〜実施例６と同様にして金属磁性
薄膜を成膜し、磁気テープを製造した。

【００５５】ここで、各磁気テープの金属磁性薄膜の成
膜時に用いた初期用材料、補給用材料は、比較例２のサ
ンプルテープ：初期用材料＝材料ａ、補給用材料＝材料
ａ 比較例３のサンプルテープ：初期用材料＝材料ａ、補給
用材料＝材料ｂ 比較例４のサンプルテープ：初期用材料＝材料ａ、補給
用材料＝材料ｄ 比較例５のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｃ、補給
用材料＝材料ａ 比較例６のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｃ、補給
用材料＝材料ｂ 比較例７のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｃ、補給
用材料＝材料ｄ 比較例８のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｄ 比較例９のサンプルテープ：初期用材料＝材料ｅ である。

【００５６】特性の評価 ここで、以上のようにして実施例１〜実施例８、比較例
１〜比較例９のサンプルテープの製造工程中、金属磁性
薄膜の成膜に際して、必要な成膜レートを達成するため
の電子銃１０の出力、スプラッシュの有無、ルツボ８の
主溶融領域２２での浮遊物の有無を観察し、また、製造
された各サンプルテープについてドロップアウトの測定
を行った。この結果を表２および表３に示す。

【００５７】

【表２】

【００５８】

【表３】

【００５９】なお、ドロップアウトの測定は、記録再生
装置（ソニー社製、商品名：ＥＶ−Ｓ９００）を改造し
たものを用いて、各サンプルテープを再生走行させ、ド
ロップアウトの発生回数をカウントすることによって行
った。なお、ここで、ドロップアウトとは、再生出力レ
ベルから−１６ｄＢ以上の出力劣化が１０μｓｅｃ以上
続いた状態とする。また、測定は１０分間行い、１分あ
たりの回数をカウントし、２０個以下の場合を○、２０
個〜５０個の場合を△、５０個以上の場合を×として評
価した。

【００６０】また、スプラッシュの有無、浮遊物の有無
は、金属磁性薄膜の成膜時に目視によって観察したもの
である。

【００６１】表２および表３より、先ず、実施例１〜６
と比較例２〜９とを比較する。比較例２〜９のように、
従来型のルツボを用いて金属磁性薄膜の成膜を行うと、
補給用材料の酸素含有量が高くなるほどスプラッシュが
増加し、また、浮遊物が増えるため必要な成膜レートを
達成するための電子銃１０の出力も大きくなり、さら
に、ドロップアウトも増大しているのがわかる。これに
対し、実施例１〜６のように、実施の形態に示したルツ
ボを用いた場合には、補給用材料として酸素含有量の高
いものを用いてもスプラッシュも少なく、浮遊物が少な
いため電子銃１０の出力も小さくて済み、また、ドロッ
プアウトも抑えられることがわかる。特に、比較例３と
実施例１、比較例４と実施例５のように、初期用材料お
よび補給用材料が同じであるもの同士を比較することに
より、上述の違いが顕著に分かる。

【００６２】但し、実施例５，６のように、補給用材料
として酸素含有量が５００ｐｐｍを越える材料ｄ，ｅを
用いた場合には、実施例１〜４に比して浮遊物が多くな
り、ドロップアウトが増大してしまう。これに対して、
補給用材料の酸素含有量が実施例５，６と同じであって
も、実施例７，８のように還元剤を供給した場合には、
浮遊物を少なくすることができ、ドロップアウトも低減
できる。これより、補給用材料として酸素含有量が５０
０ｐｐｍを越える材料を用いる場合には、還元剤を用い
ることが好ましいことがわかる。なお、比較例１のよう
に、還元剤を用いても酸素含有量が５０００ｐｐｍを越
える材料ｆを用いると、浮遊物を十分には低減させるこ
とができない。

【００６３】また、比較例２〜９内での比較を行うと、
初期用材料、補給用材料を問わず、酸素含有量が５００
ｐｐｍを越える材料を用いた場合に、電子銃１０の出力
を大きくする必要が生じ、ドロップアウトも増大するこ
とがわかる。比較例２〜９においては、従来型のルツボ
を用いているため、補給用材料から生ずる浮遊物が電子
線の照射領域に存在することとなる。即ち、電子線の照
射領域に存在する溶融液は酸素含有量が５００ｐｐｍ以
下の材料の溶融液であることが望まれる。これは、実施
の形態に示したルツボ８を用いる場合においても、初期
用材料としては、酸素含有量が５００ｐｐｍ以下の材料
を用いることが好ましいことを示している。

【００６４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る真空蒸着装置を用いると、補給用の金属材料か
ら浮遊物が生じても、優れた生産性にて高品質な金属膜
を成膜することができる。

【００６５】したがって、このような真空蒸着装置を磁
気記録媒体の製造に適用すると、金属磁性材料として酸
素がある程度含有されたものを使用しても高品質な金属
磁性薄膜を成膜できるようになるため、低コストに、高
品質の磁気記録媒体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空蒸着装置の一構成例を示す模
式図である。

【図２】本発明に係る真空蒸着装置におけるルツボの構
成を示す斜視図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’線における断面図である。

【符号の説明】

１ 成膜室 ２ 非磁性支持体 ５ 円筒キャン ８ ルツボ ９ 金属磁性材料 １０ 電子銃 ２１ 材料供給領域 ２２ 主溶融領域 ２３ 仕切板 ２４ 溝部 ２５ 貯留部 ２６ 関止部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 41/20 Ｈ０１Ｆ 41/20

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 成膜室内に、少なくとも、支持体を走行
   させる円筒キャンと、該円筒キャンの下方に配設された
   ルツボと、該ルツボ内に充填された金属材料に電子線を
   照射する電子線照射手段とを有する真空蒸着装置におい
   て、 前記ルツボの内部が、金属材料の溶融液の液面近傍に
   て、金属材料が補給される材料供給領域と電子線が照射
   される主溶融領域とに仕切られ、 前記材料供給領域には、この領域内の液面近傍の溶融液
   を流入可能に設けられた貯留部が接続されていることを
   特徴とする真空蒸着装置。
2. 【請求項２】 前記金属材料として、磁気記録媒体の磁
   性層を形成するための金属磁性材料が使用され、前記貯
   留部は、該金属磁性材料の溶融液に浮遊する浮遊物を排
   出するために使用されることを特徴とする請求項１記載
   の真空蒸着装置。
3. 【請求項３】 真空蒸着装置の成膜室内で非磁性支持体
   を連続走行させ、ルツボ内の金属磁性材料を電子線の照
   射によって加熱蒸発させることにより、該非磁性支持体
   上の一主面に金属磁性薄膜を成膜するに際し、 前記ルツボの内部を、金属磁性材料の溶融液の液面近傍
   にて、金属磁性材料が補給される材料供給領域と電子線
   が照射される主溶融領域とに仕切っておき、 成膜中に、前記材料供給領域に、Ｃｏを主体とし、酸素
   を５０〜５０００ｐｐｍ含有する金属磁性材料を補給す
   ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記材料供給領域に、この領域内の液面
   近傍の溶融液を流入可能に設けられた貯留部を接続させ
   ておき、該溶融液に浮遊する浮遊物を排出しながら金属
   磁性薄膜の成膜を行うことを特徴とする請求項３記載の
   磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記金属磁性材料として、酸素を５０〜
   ５００ｐｐｍ含有するものを用いることを特徴とする請
   求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記金属磁性材料として、酸素を５００
   〜５０００ｐｐｍ含有するものを用い、前記材料供給領
   域に、還元剤としてＡｌまたはＴｉの少なくともいずれ
   かを供給することを特徴とする請求項３記載の磁気記録
   媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記金属磁性薄膜の成膜前には、ルツボ
   内に、Ｃｏを主体とし、酸素の含有量が５００ｐｐｍ以
   下である金属磁性材料を充填しておくことを特徴とする
   請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。