JP2000331335A - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微粒子を効果的に除去でき、ドロプアウトが
少なく、スチル特性を向上させた、信頼性に優れた磁気
記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造装置を提供する
こと。 【解決手段】 キャンロール７と巻取りロール３との間
のフィルム６（テープ原反）が巻かれる前のフィルム６
走行系のＤＬＣ膜形成面側に、除去装置１２を設置す
る。除去装置１２としてはプラズマ電極及びイオンガン
の内の少なくとも１つである。また、フィルム６走行系
のＤＬＣ膜形成面側と反対面側に、除去装置１３として
振動板を設置する。
少なく、スチル特性を向上させた、信頼性に優れた磁気
記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造装置を提供する
こと。 【解決手段】 キャンロール７と巻取りロール３との間
のフィルム６（テープ原反）が巻かれる前のフィルム６
走行系のＤＬＣ膜形成面側に、除去装置１２を設置す
る。除去装置１２としてはプラズマ電極及びイオンガン
の内の少なくとも１つである。また、フィルム６走行系
のＤＬＣ膜形成面側と反対面側に、除去装置１３として
振動板を設置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造装置に関する。そして、この発明は、ドロップアウト
が少なく、スチル特性を向上させることができ、信頼性
に優れた磁気記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造装
置を提供することを目的としている。
造装置に関する。そして、この発明は、ドロップアウト
が少なく、スチル特性を向上させることができ、信頼性
に優れた磁気記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造装
置を提供することを目的としている。
【０００２】
【従来の技術】磁気テ−プの記録密度は近年急速に高密
度化が図られている。この過程で、磁気テ−プは高抗磁
力、高磁束密度を有する酸化鉄テープ、メタルテ−プ、
及び薄膜テ−プへと高性能なものに移行している。この
磁気テ−プの応用として、ＶＴＲ分野では今後、デジタ
ル化、高精細化を達成するために、特に薄膜テ−プが注
目されている。
度化が図られている。この過程で、磁気テ−プは高抗磁
力、高磁束密度を有する酸化鉄テープ、メタルテ−プ、
及び薄膜テ−プへと高性能なものに移行している。この
磁気テ−プの応用として、ＶＴＲ分野では今後、デジタ
ル化、高精細化を達成するために、特に薄膜テ−プが注
目されている。
【０００３】この薄膜テ−プとしては磁性膜が斜方蒸着
法により形成された、いわゆる蒸着テープが実用化され
ている。これは、具体的には真空中でピアス型電子銃を
用いて、電子ビームをルツボ中のＣｏ，ＣｏＮｉなどの
磁性材料に照射して、これらの材料を溶融、蒸発させ、
酸素を導入しながら、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ
（ポリイミド）、ＰＡ（アラミド）などのベースフィル
ム（非磁性基板）上にＣｏＯ、ＣｏＮｉＯよりなる薄膜
が形成される。
法により形成された、いわゆる蒸着テープが実用化され
ている。これは、具体的には真空中でピアス型電子銃を
用いて、電子ビームをルツボ中のＣｏ，ＣｏＮｉなどの
磁性材料に照射して、これらの材料を溶融、蒸発させ、
酸素を導入しながら、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ
（ポリイミド）、ＰＡ（アラミド）などのベースフィル
ム（非磁性基板）上にＣｏＯ、ＣｏＮｉＯよりなる薄膜
が形成される。
【０００４】次に、磁気テープの耐久性、耐蝕性を向上
させるために磁性膜の上に保護膜が形成される。保護膜
としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が多く
利用されている。これは硬度が大きく、摩擦係数が低い
ため記録再生時のヘッドとの摺動時における耐摩耗性に
効果を発揮する。また、ＤＬＣ膜は１００オングストロ
ーム程度の薄い膜でも緻密で、磁性膜表面にムラなく均
一に成膜することができるため、磁気記録媒体の出力低
下の一原因となるスペーシングロスを低減できる。また
磁性膜単独では酸化しやすいため、ＤＬＣ保護膜により
酸化を防止し、耐蝕性を向上させることができる。耐摩
耗性、耐蝕性は保護膜の上に形成するフッ素系潤滑剤と
の相互作用により更に向上する。
させるために磁性膜の上に保護膜が形成される。保護膜
としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が多く
利用されている。これは硬度が大きく、摩擦係数が低い
ため記録再生時のヘッドとの摺動時における耐摩耗性に
効果を発揮する。また、ＤＬＣ膜は１００オングストロ
ーム程度の薄い膜でも緻密で、磁性膜表面にムラなく均
一に成膜することができるため、磁気記録媒体の出力低
下の一原因となるスペーシングロスを低減できる。また
磁性膜単独では酸化しやすいため、ＤＬＣ保護膜により
酸化を防止し、耐蝕性を向上させることができる。耐摩
耗性、耐蝕性は保護膜の上に形成するフッ素系潤滑剤と
の相互作用により更に向上する。
【０００５】ＤＬＣ膜は一般的にスパッタ法、ＣＶＤ法
などにより形成される。一般的な保護膜成膜装置を図２
に示す。真空槽１内に、巻出しロール２、巻取りロール
３、ガイドロール４、５及び冷却キャンロール７が配置
されており、これらのロール間に磁性膜が形成されたフ
ィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロー
ル３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロ
ール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム
６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィル
ム６の熱変形等を防止している。
などにより形成される。一般的な保護膜成膜装置を図２
に示す。真空槽１内に、巻出しロール２、巻取りロール
３、ガイドロール４、５及び冷却キャンロール７が配置
されており、これらのロール間に磁性膜が形成されたフ
ィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロー
ル３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロ
ール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム
６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィル
ム６の熱変形等を防止している。
【０００６】スパッタ法では、カーボンターゲット８は
スパッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電
源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。
ＡＣ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット８と
の間に整合器１０を設置する。１１はガス導入口で、Ar
ガスを導入してプラズマを形成し、カーボンターゲット
８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形成する。この
際に、Ｎ2、Ｈ2などの添加ガスを導入して、膜質を改善
する方法も考案されている。
スパッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電
源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。
ＡＣ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット８と
の間に整合器１０を設置する。１１はガス導入口で、Ar
ガスを導入してプラズマを形成し、カーボンターゲット
８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形成する。この
際に、Ｎ2、Ｈ2などの添加ガスを導入して、膜質を改善
する方法も考案されている。
【０００７】また、ＣＶＤ法では、図２のカーボンター
ゲット８がプラズマ発生用電極に相当する。プラズマ発
生用電極８はプラズマ用電源９に接続されている。この
プラズマ用電源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの
重畳である。ＡＣ，ＲＦ電源を用いる場合は電源９と電
極８間に整合器１０を設置する。
ゲット８がプラズマ発生用電極に相当する。プラズマ発
生用電極８はプラズマ用電源９に接続されている。この
プラズマ用電源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの
重畳である。ＡＣ，ＲＦ電源を用いる場合は電源９と電
極８間に整合器１０を設置する。
【０００８】ガス導入口１１より、メタン、アセチレ
ン、エチレン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどのＣ
Ｈ系のガスを導入し、電極にＤＣ、ＡＣ、ＲＦ電圧を印
加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネル
ギーにより一度分解し、カーボンを基板上で再結合させ
ることによりＤＬＣ膜を形成する。この際に、Ｎ2、Ｈ2
などの添加ガスを導入して、膜質を改善する方法も考案
されている。
ン、エチレン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどのＣ
Ｈ系のガスを導入し、電極にＤＣ、ＡＣ、ＲＦ電圧を印
加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネル
ギーにより一度分解し、カーボンを基板上で再結合させ
ることによりＤＬＣ膜を形成する。この際に、Ｎ2、Ｈ2
などの添加ガスを導入して、膜質を改善する方法も考案
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タ法では、成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への０．
１μｍ〜１ｍｍ程度の微粒子の付着が目立つてくる。こ
れは、磁性膜上にＤＬＣ膜が形成される際に、磁性面以
外に付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）が剥離し、
細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、これが磁
性面に付着しものや、スパッターの異常放電時にカーボ
ンターゲット面に局所的に大電流が流れ、ターゲットを
破損した際に生じたカーボン微粒子が磁性面に付着した
ものである。
タ法では、成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への０．
１μｍ〜１ｍｍ程度の微粒子の付着が目立つてくる。こ
れは、磁性膜上にＤＬＣ膜が形成される際に、磁性面以
外に付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）が剥離し、
細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、これが磁
性面に付着しものや、スパッターの異常放電時にカーボ
ンターゲット面に局所的に大電流が流れ、ターゲットを
破損した際に生じたカーボン微粒子が磁性面に付着した
ものである。
【００１０】ＣＶＤ法の場合もスパッター法と同様に、
成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への微粒子の付着が
目立ってくる。これはスパッタ法と同様に磁性面以外に
付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）やＣＨ系高分子
が剥離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊してお
り、これが磁性面に付着しものや、ＣＶＤの異常放電時
に局所的に大電流が流れ、導入ガスの分解、反応が正常
に進行せず、ＤＬＣ膜ではなく、グラファイなどの中間
体微粒子やCH系高分子の微粒子が生成し、これが磁性面
に付着したものである。さらには、異常放電により電極
等に付着したカーボン膜が剥離してカーボン粒子が発生
し、磁性面に付着したものなどである。以下これらの微
粒子を総称してカーボンダストと呼ぶ。
成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への微粒子の付着が
目立ってくる。これはスパッタ法と同様に磁性面以外に
付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）やＣＨ系高分子
が剥離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊してお
り、これが磁性面に付着しものや、ＣＶＤの異常放電時
に局所的に大電流が流れ、導入ガスの分解、反応が正常
に進行せず、ＤＬＣ膜ではなく、グラファイなどの中間
体微粒子やCH系高分子の微粒子が生成し、これが磁性面
に付着したものである。さらには、異常放電により電極
等に付着したカーボン膜が剥離してカーボン粒子が発生
し、磁性面に付着したものなどである。以下これらの微
粒子を総称してカーボンダストと呼ぶ。
【００１１】磁性膜、ＤＬＣ膜が形成されたフィルム６
のＤＬＣ膜表面にカーボンダストが付着した状態でフィ
ルム６（テープ原反）が巻き取りロール３に巻かれる
と、カーボンダストがテープ原反間に挟まれ、ＤＬＣ面
の表面に凹凸が形成される。これにより磁気テープの表
面粗さが粗くなると、磁気ヘッドとこの磁気テープのス
ペーシングが大きくなり、記録再生時の出力が低下す
る。さらには、磁気ヘッドとの摺動によりＤＬＣ膜や磁
性膜は剥離しやすくなり、剥離物のヘッドへの付着によ
りスペーシングが増加して、出力が低下したり、スチル
特性が劣化する。またドロップアウトも増加する。
のＤＬＣ膜表面にカーボンダストが付着した状態でフィ
ルム６（テープ原反）が巻き取りロール３に巻かれる
と、カーボンダストがテープ原反間に挟まれ、ＤＬＣ面
の表面に凹凸が形成される。これにより磁気テープの表
面粗さが粗くなると、磁気ヘッドとこの磁気テープのス
ペーシングが大きくなり、記録再生時の出力が低下す
る。さらには、磁気ヘッドとの摺動によりＤＬＣ膜や磁
性膜は剥離しやすくなり、剥離物のヘッドへの付着によ
りスペーシングが増加して、出力が低下したり、スチル
特性が劣化する。またドロップアウトも増加する。
【００１２】また、磁気テープ表面に付着しているカー
ボンダスト自身も磁気ヘッドとの摺動時に剥離し、上記
問題を引き起こすおそれがある。このため、ＤＬＣ膜を
形成したテープ原反を巻き取る前に、カーボンダストを
除去する必要がある。
ボンダスト自身も磁気ヘッドとの摺動時に剥離し、上記
問題を引き起こすおそれがある。このため、ＤＬＣ膜を
形成したテープ原反を巻き取る前に、カーボンダストを
除去する必要がある。
【００１３】この発明は、微粒子を効果的に除去でき、
ドロプアウトが少なく、スチル特性を向上させることが
でき、信頼性に優れた磁気記録媒体が得られる磁気記録
媒体の製造装置を提供することを目的としている。
ドロプアウトが少なく、スチル特性を向上させることが
でき、信頼性に優れた磁気記録媒体が得られる磁気記録
媒体の製造装置を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明は、 （１）強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を一定方
向に走行させつつキャンロールに巻き回して、スパッタ
法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属薄膜上
に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取る磁気
記録媒体の製造装置において、前記キャンロールと前記
巻取りロールとの間の前記非磁性基板走行経路近傍で前
記保護膜側の位置に、微粒子除去装置としてプラズマ電
極及びイオンガンの内の少なくとも１つを設置したこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造装置。 （２）強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を一定方
向に走行させつつキャンロールに巻き回して、スパッタ
法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属薄膜上
に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取る磁気
記録媒体の製造装置において、前記キャンロールと前記
巻取りロールとの間の前記非磁性基板走行経路近傍で前
記保護膜とは反対側の位置に、微粒子除去装置として振
動板を設置したことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。 （３）上記（１）記載の磁気記録媒体の製造装置におい
て、微粒子除去時にアルゴンガスと共に酸素及び水素の
内の少なくとも一方のガスを導入する微粒子除去用ガス
導入口を設けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。の各装置を提供するものである。
するために本発明は、 （１）強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を一定方
向に走行させつつキャンロールに巻き回して、スパッタ
法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属薄膜上
に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取る磁気
記録媒体の製造装置において、前記キャンロールと前記
巻取りロールとの間の前記非磁性基板走行経路近傍で前
記保護膜側の位置に、微粒子除去装置としてプラズマ電
極及びイオンガンの内の少なくとも１つを設置したこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造装置。 （２）強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を一定方
向に走行させつつキャンロールに巻き回して、スパッタ
法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属薄膜上
に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取る磁気
記録媒体の製造装置において、前記キャンロールと前記
巻取りロールとの間の前記非磁性基板走行経路近傍で前
記保護膜とは反対側の位置に、微粒子除去装置として振
動板を設置したことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。 （３）上記（１）記載の磁気記録媒体の製造装置におい
て、微粒子除去時にアルゴンガスと共に酸素及び水素の
内の少なくとも一方のガスを導入する微粒子除去用ガス
導入口を設けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。の各装置を提供するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】上記の問題点を解消すべく種々検
討を重ねた結果、形成されたＤＬＣ膜表面に微粒子（カ
ーボンダスト）が付着したテープ原反が巻き取りロール
３に巻かれる前に、プラズマ、イオンビーム及び振動板
の内の少なくとも１つにより微粒子を除去することによ
り、良好な結果が得られることを見い出した。
討を重ねた結果、形成されたＤＬＣ膜表面に微粒子（カ
ーボンダスト）が付着したテープ原反が巻き取りロール
３に巻かれる前に、プラズマ、イオンビーム及び振動板
の内の少なくとも１つにより微粒子を除去することによ
り、良好な結果が得られることを見い出した。
【００１６】図１のように、キャンロール７と巻取りロ
ール３との間のフィルム６（テープ原反）が巻かれる前
のフィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側に第１の除去装
置１２を、ＤＬＣ膜形成面側とは反対側の面側に第２の
除去装置１３を設置する。第１の除去装置１２としては
プラズマ電極及びイオンガンの内の少なくとも１つであ
る。第２の除去装置１３としては振動板である。除去装
置１２，１３は必ずしも両方設ける必要はなく、どちら
か一方のみを設けてもよい。
ール３との間のフィルム６（テープ原反）が巻かれる前
のフィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側に第１の除去装
置１２を、ＤＬＣ膜形成面側とは反対側の面側に第２の
除去装置１３を設置する。第１の除去装置１２としては
プラズマ電極及びイオンガンの内の少なくとも１つであ
る。第２の除去装置１３としては振動板である。除去装
置１２，１３は必ずしも両方設ける必要はなく、どちら
か一方のみを設けてもよい。
【００１７】カーボンダストはプラズマエネルギー、イ
オンビームエネルギー、振動エネルギーにより除去され
る。また、除去装置１２の動作時には、フィルム６の静
電気がイオンにより中和されるため、カーボンダストの
ＤＬＣ膜表面への付着力が弱まり、除去効果が高まる。
この結果、ＤＬＣ膜表面はカーボンダストがない状態と
なり、テープ原反が巻かれる。
オンビームエネルギー、振動エネルギーにより除去され
る。また、除去装置１２の動作時には、フィルム６の静
電気がイオンにより中和されるため、カーボンダストの
ＤＬＣ膜表面への付着力が弱まり、除去効果が高まる。
この結果、ＤＬＣ膜表面はカーボンダストがない状態と
なり、テープ原反が巻かれる。
【００１８】除去装置１２（プラズマ電極、イオンガ
ン）と除去装置１３（振動板）とはそれぞれ単独で用い
てもよいが、これらを組み合わせて設置しても効果が向
上する。特に、除去装置１２とフィルム６をはさんで対
抗する位置に除去装置１３を設置して、フィルム６の両
面に同時に除去動作を行うことは効果的である。また、
除去装置１２をＤＬＣ膜形成面側だけでなくフィルム６
の両側に設置することにより、除去効果が向上する。
（振動板による除去装置１３の設置はＤＬＣ膜形成面側
とは反対側の面側のみである。）
ン）と除去装置１３（振動板）とはそれぞれ単独で用い
てもよいが、これらを組み合わせて設置しても効果が向
上する。特に、除去装置１２とフィルム６をはさんで対
抗する位置に除去装置１３を設置して、フィルム６の両
面に同時に除去動作を行うことは効果的である。また、
除去装置１２をＤＬＣ膜形成面側だけでなくフィルム６
の両側に設置することにより、除去効果が向上する。
（振動板による除去装置１３の設置はＤＬＣ膜形成面側
とは反対側の面側のみである。）
【００１９】さらに、除去装置１２の除去動作時にプラ
ズマ生成用としてアルゴン以外に酸素、水素を導入し
て、カーボンダストを酸化または還元することにより、
カーボンダストのＤＬＣ膜表面への付着強度を低減で
き、カーボンダストの除去効果をより一層向上させるこ
とができる。
ズマ生成用としてアルゴン以外に酸素、水素を導入し
て、カーボンダストを酸化または還元することにより、
カーボンダストのＤＬＣ膜表面への付着強度を低減で
き、カーボンダストの除去効果をより一層向上させるこ
とができる。
【００２０】以下に示す実施例により、本発明を具体的
に説明する。 ＜実施例１＞図１に示すスパッター法による装置では、
真空槽４１内に、巻出しロール２、巻取りロール３、ガ
イドロール４，５及び冷却キャンロール７が配置されて
おり、これらのロール間に磁性膜が形成されたフィルム
６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロール３に
至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロール７
の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム６の磁
性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィルム６の
熱変形等を防止している。
に説明する。 ＜実施例１＞図１に示すスパッター法による装置では、
真空槽４１内に、巻出しロール２、巻取りロール３、ガ
イドロール４，５及び冷却キャンロール７が配置されて
おり、これらのロール間に磁性膜が形成されたフィルム
６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロール３に
至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロール７
の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム６の磁
性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィルム６の
熱変形等を防止している。
【００２１】カーボンターゲット２１，２２，２３はス
パッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電源
９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。Ａ
Ｃ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット２１，
２２，２３との間に整合器１０を設置する。１１はガス
導入口で、Arガスを導入してプラズマを形成し、カーボ
ンターゲット８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形
成する。
パッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電源
９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。Ａ
Ｃ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット２１，
２２，２３との間に整合器１０を設置する。１１はガス
導入口で、Arガスを導入してプラズマを形成し、カーボ
ンターゲット８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形
成する。
【００２２】図１のように、直径１０００ｍｍの冷却キ
ャンロール７を用いて、２００mmＸ５００mmの大きさの
カーボンターゲット２１、２２，２３を３カ所に設置し
て、スパッタ法によりＤＬＣ膜を形成した。ＤＬＣ膜を
形成するにはＡｒガスを導入して、ガス圧力を２mmTorr
として、６．４μｍPETフィルム上に、予め０．２μｍ
ＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走行させてＤＬＣ膜１
００オングストロームをＣｏＯ磁性膜の上に形成した。
ャンロール７を用いて、２００mmＸ５００mmの大きさの
カーボンターゲット２１、２２，２３を３カ所に設置し
て、スパッタ法によりＤＬＣ膜を形成した。ＤＬＣ膜を
形成するにはＡｒガスを導入して、ガス圧力を２mmTorr
として、６．４μｍPETフィルム上に、予め０．２μｍ
ＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走行させてＤＬＣ膜１
００オングストロームをＣｏＯ磁性膜の上に形成した。
【００２３】成膜後にフィルム６（テープ原反）が巻き
取りロール３に巻き取られる前に（キャンロール７と巻
取りロール３との間のフィルム６走行系のＤＬＣ膜形成
面側に）除去装置１２としてプラズマ電極１２を設置
し、クリーニングガス導入口１５からＡｒガスを導入し
て、ガス圧力１０mmTorrで、プラズマ放電を発生させ、
カーボンダストを除去した。（実施例１では除去装置１
３は未設置）
取りロール３に巻き取られる前に（キャンロール７と巻
取りロール３との間のフィルム６走行系のＤＬＣ膜形成
面側に）除去装置１２としてプラズマ電極１２を設置
し、クリーニングガス導入口１５からＡｒガスを導入し
て、ガス圧力１０mmTorrで、プラズマ放電を発生させ、
カーボンダストを除去した。（実施例１では除去装置１
３は未設置）
【００２４】磁性膜を形成していないベースフィルムの
裏面にバックコート層を形成し、ＤＬＣ面にフッ素系潤
滑膜を２ｎｍ形成した後、１／４インチ幅にスリットし
磁気テープを作成した。
裏面にバックコート層を形成し、ＤＬＣ面にフッ素系潤
滑膜を２ｎｍ形成した後、１／４インチ幅にスリットし
磁気テープを作成した。
【００２５】この後、磁気テープのドロップアウト、信
頼性の評価を行った。ドロップアウトは出力が３ｄＢ低
下し、その継続時間が２μｓｅｃ以上の１秒当たりのド
ロップアウト数により評価した。信頼性は出力が３ｄＢ
低下するまでのスチル耐久時間により評価した。
頼性の評価を行った。ドロップアウトは出力が３ｄＢ低
下し、その継続時間が２μｓｅｃ以上の１秒当たりのド
ロップアウト数により評価した。信頼性は出力が３ｄＢ
低下するまでのスチル耐久時間により評価した。
【００２６】＜実施例２＞プラズマ電極１２をイオンガ
ンに変え、イオンガン中のＡｒガス圧力を５mmTorrとし
た以外は実施例１と同様な条件でテープを作成し、評価
を行った。
ンに変え、イオンガン中のＡｒガス圧力を５mmTorrとし
た以外は実施例１と同様な条件でテープを作成し、評価
を行った。
【００２７】＜実施例３＞プラズマ電極１２を用いず
に、フィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側とは反対側の
面側に除去装置１３として振動板１３をフィルム６に接
触する状態で設置した以外は実施例１と同様な条件でテ
ープを作成し、評価を行った。振動板１３は周波数５０
ｋＨｚ、振幅１０μｍで振動させた。
に、フィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側とは反対側の
面側に除去装置１３として振動板１３をフィルム６に接
触する状態で設置した以外は実施例１と同様な条件でテ
ープを作成し、評価を行った。振動板１３は周波数５０
ｋＨｚ、振幅１０μｍで振動させた。
【００２８】＜実施例４＞プラズマ電極１２と共に実施
例３と同様の振動板１３を設置した以外は実施例１と同
一条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１３の
振動条件は実施例３と同一である。
例３と同様の振動板１３を設置した以外は実施例１と同
一条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１３の
振動条件は実施例３と同一である。
【００２９】＜実施例５＞イオンガン１２と共に実施例
３と同様の振動板１３を設置した以外は実施例２と同一
条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１３の振
動条件は実施例３と同一である。
３と同様の振動板１３を設置した以外は実施例２と同一
条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１３の振
動条件は実施例３と同一である。
【００３０】＜実施例６＞実施例１で、プラズマ電極１
２にクリーニングガス導入口１５からArと共に酸素を１
０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生させ
た以外は同様に行った。
２にクリーニングガス導入口１５からArと共に酸素を１
０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生させ
た以外は同様に行った。
【００３１】＜実施例７＞実施例１で、プラズマ電極１
２にクリーニングガス導入口１５からArと共に水素を１
０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生させ
た以外は同様に行った。
２にクリーニングガス導入口１５からArと共に水素を１
０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生させ
た以外は同様に行った。
【００３２】＜実施例８＞…プラズマＣＶＤ法によりＤ
ＬＣ膜を形成する例 図1のように、直径1000mmの冷却キャンロール７を用い
て、２００mmＸ５００mmの大きさのプラズマ発生電極２
１、２２，２３を３カ所の成膜ゾーンに設置し、整合器
１０、ＡＣ電源９に接続した。
ＬＣ膜を形成する例 図1のように、直径1000mmの冷却キャンロール７を用い
て、２００mmＸ５００mmの大きさのプラズマ発生電極２
１、２２，２３を３カ所の成膜ゾーンに設置し、整合器
１０、ＡＣ電源９に接続した。
【００３３】ＤＬＣ膜を形成するプラズマ発生電極２
１、２２，２３にエチレンガスを導入し、ガス圧力を50
mmTorrとして、６．４μｍPETフィルム上に、予め０．
２μｍＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走行させてＣＶ
Ｄ法によりＤＬＣ膜を１００オングストローム形成し
た。
１、２２，２３にエチレンガスを導入し、ガス圧力を50
mmTorrとして、６．４μｍPETフィルム上に、予め０．
２μｍＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走行させてＣＶ
Ｄ法によりＤＬＣ膜を１００オングストローム形成し
た。
【００３４】成膜後にテープ原反が巻き取りロール３に
巻き取られる前にプラズマ電極１２を設置し、クリーニ
ングガス導入口１５からＡｒガスを導入して、ガス圧力
を１０mmTorrで、プラズマ放電を発生させて、カーボン
ダストを除去した。
巻き取られる前にプラズマ電極１２を設置し、クリーニ
ングガス導入口１５からＡｒガスを導入して、ガス圧力
を１０mmTorrで、プラズマ放電を発生させて、カーボン
ダストを除去した。
【００３５】実施例１と同様に磁性膜を形成していない
ベースフィルムの裏面にバックコート層を形成し、面に
フッ素系潤滑膜を２ｎｍ形成した後、１／４インチ幅に
スリットしテープを作成し、評価した。
ベースフィルムの裏面にバックコート層を形成し、面に
フッ素系潤滑膜を２ｎｍ形成した後、１／４インチ幅に
スリットしテープを作成し、評価した。
【００３６】＜実施例９＞プラズマ電極１２をイオンガ
ンに変え、イオンガン中のＡｒガス圧力を５mmTorrとし
た以外は実施例８と同様な条件でテープを作成し、評価
を行った。
ンに変え、イオンガン中のＡｒガス圧力を５mmTorrとし
た以外は実施例８と同様な条件でテープを作成し、評価
を行った。
【００３７】＜実施例１０＞プラズマ電極１２を用いず
に、フィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側とは反対側の
面側に除去装置１３として振動板１３をフィルム６に接
触する状態で設置した以外は実施例８と同様な条件でテ
ープを作成し、評価を行った。振動板１３は周波数５０
ｋＨｚ、振幅１０μｍで振動させた。
に、フィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側とは反対側の
面側に除去装置１３として振動板１３をフィルム６に接
触する状態で設置した以外は実施例８と同様な条件でテ
ープを作成し、評価を行った。振動板１３は周波数５０
ｋＨｚ、振幅１０μｍで振動させた。
【００３８】＜実施例１１＞プラズマ電極１２と共に実
施例１０と同様の振動板１３を設置した以外は実施例８
と同様な条件でテープを作成し、評価を行った。振動板
１３の振動条件は実施例１０と同一である。
施例１０と同様の振動板１３を設置した以外は実施例８
と同様な条件でテープを作成し、評価を行った。振動板
１３の振動条件は実施例１０と同一である。
【００３９】＜実施例１２＞イオンガン１２と共に実施
例１０と同様の振動板１３を設置した以外は実施例９と
同様な条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１
３の振動条件は実施例１０と同一である。
例１０と同様の振動板１３を設置した以外は実施例９と
同様な条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１
３の振動条件は実施例１０と同一である。
【００４０】＜実施例１３＞実施例８で、プラズマ電極
１２にクリーニングガス導入口１５からArと共に酸素を
１０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生さ
せた以外は同様に行った。
１２にクリーニングガス導入口１５からArと共に酸素を
１０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生さ
せた以外は同様に行った。
【００４１】＜実施例１４＞実施例８で、プラズマ電極
１２にクリーニングガス導入口１５からArと共に水素を
１０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生さ
せた以外は同様に行った。 ＜実施例１５＞実施例９で、イオンガン１２にクリーニ
ングガス導入口１５からArと共に酸素を１０％添加し、
イオンガン中のガス圧を５mmTorrとしてイオンビームを
発生させた以外は同様に行った。 ＜実施例１６＞実施例９で、イオンガン１２にクリーニ
ングガス導入口１５からArと共に水素を１０％添加し、
イオンガン中のガス圧を５mmTorrとしてイオンビームを
発生させた以外は同様に行った。
１２にクリーニングガス導入口１５からArと共に水素を
１０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生さ
せた以外は同様に行った。 ＜実施例１５＞実施例９で、イオンガン１２にクリーニ
ングガス導入口１５からArと共に酸素を１０％添加し、
イオンガン中のガス圧を５mmTorrとしてイオンビームを
発生させた以外は同様に行った。 ＜実施例１６＞実施例９で、イオンガン１２にクリーニ
ングガス導入口１５からArと共に水素を１０％添加し、
イオンガン中のガス圧を５mmTorrとしてイオンビームを
発生させた以外は同様に行った。
【００４２】＜比較例１＞プラズマ電極１２を設置しな
い以外は実施例１と同様にしてテープを作成し、評価し
た。
い以外は実施例１と同様にしてテープを作成し、評価し
た。
【００４３】＜比較例２＞イオンガン１２を設置しない
以外は実施例８と同様にしてテープを作成し、評価し
た。
以外は実施例８と同様にしてテープを作成し、評価し
た。
【００４４】 表１ ＤＬＣ成膜法 除去装置 ドロップアウト数 スチル 耐久時間 実施例１ Ｓ Ｐ １０個／ｓｅｃ ８０分 実施例２ Ｓ Ｉ ７ １００ 実施例３ Ｓ Ｕ １５ ６０ 実施例４ Ｓ Ｐ＋Ｕ ６ １２０ 実施例５ Ｓ Ｉ＋Ｕ ３ ＞１５０ 実施例６ Ｓ Ｐ ７ １００ 実施例７ Ｓ Ｐ ５ １２０ 実施例８ Ｃ Ｐ ７ ９０ 実施例９ Ｃ Ｉ ５ １２０ 実施例１０ Ｃ Ｕ １０ ７０ 実施例１１ Ｃ Ｐ＋Ｕ ４ １３０ 実施例１２ Ｃ Ｉ＋Ｕ ２ ＞１５０ 実施例１３ Ｃ Ｐ ５ １１０ 実施例１４ Ｃ Ｐ ３ １４０ 実施例１５ Ｃ Ｉ ３ １４０ 実施例１６ Ｃ Ｉ ２ ＞１５０ 比較例１ Ｓ なし ２５ ３０ 比較例２ Ｃ なし ２１ ４０ 但し、Ｓ：スパッタ法、Ｃ：ＣＶＤ法 Ｐ：プラズマ電極、Ｉ：イオンガン、Ｕ：振動板
【００４５】実施例１〜１４、比較例１，２の評価結果
を上記表１に示す。実施例１〜１４は、スパッタ法また
はＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成した後、巻取りロール
３の前段に設けられたプラズマ電極、イオンガン、振動
板から発生するプラズマエネルギー、イオンビームエネ
ルギー、振動エネルギーにより、ＤＬＣ膜が成膜される
過程でフィルム６表面に付着したカーボンダストを除去
する。よって、本製造装置は、ＤＬＣ表面のカーボンダ
ストが少なくなった状態で、フィルム６が巻き取られる
ので、ドロプアウトが少なく、スチル特性が向上し、信
頼性に優れた磁気テープを作成することができる。ま
た、カーボンダスト除去ゾーンにプラズマ生成用及びイ
オンビーム生成用のアルゴン以外に酸素、水素を導入す
ることによりクリーニング効果を向上させることができ
る。さらに、実施例４，５，１１，１２の結果より、プ
ラズマ電極、イオンガン、振動板の組み合わせにより効
果が向上する場合もあることが分かる。
を上記表１に示す。実施例１〜１４は、スパッタ法また
はＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成した後、巻取りロール
３の前段に設けられたプラズマ電極、イオンガン、振動
板から発生するプラズマエネルギー、イオンビームエネ
ルギー、振動エネルギーにより、ＤＬＣ膜が成膜される
過程でフィルム６表面に付着したカーボンダストを除去
する。よって、本製造装置は、ＤＬＣ表面のカーボンダ
ストが少なくなった状態で、フィルム６が巻き取られる
ので、ドロプアウトが少なく、スチル特性が向上し、信
頼性に優れた磁気テープを作成することができる。ま
た、カーボンダスト除去ゾーンにプラズマ生成用及びイ
オンビーム生成用のアルゴン以外に酸素、水素を導入す
ることによりクリーニング効果を向上させることができ
る。さらに、実施例４，５，１１，１２の結果より、プ
ラズマ電極、イオンガン、振動板の組み合わせにより効
果が向上する場合もあることが分かる。
【００４６】
【発明の効果】以上の通り、本発明の磁気記録媒体の製
造装置によれば、ＤＬＣ膜成膜後のロール状態での非磁
性基板表面にカーボンダスト等の微粒子が少ないため、
ドロプアウトが少なく、スチル特性を向上させた、信頼
性に優れた磁気記録媒体を作成することができる。
造装置によれば、ＤＬＣ膜成膜後のロール状態での非磁
性基板表面にカーボンダスト等の微粒子が少ないため、
ドロプアウトが少なく、スチル特性を向上させた、信頼
性に優れた磁気記録媒体を作成することができる。
【図１】一実施例を示す図である。
【図２】従来例を示す図である。
【符号の説明】 ２ 巻出しロール ３ 巻取りロール ４，５ ガイドロール ６ 磁性膜が形成されたフィルム ７ 冷却キャンロール １２ プラズマ電極（またはイオンガン） １３ 振動板 ２１〜２３ カーボンターゲット（プラズマ発生電極）
Claims (3)
- 【請求項１】強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を
一定方向に走行させつつキャンロールに巻き回して、ス
パッタ法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属
薄膜上に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取
る磁気記録媒体の製造装置において、 前記キャンロールと前記巻取りロールとの間の前記非磁
性基板走行経路近傍で前記保護膜側の位置に、微粒子除
去装置としてプラズマ電極及びイオンガンの内の少なく
とも１つを設置したことを特徴とする磁気記録媒体の製
造装置。 - 【請求項２】強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を
一定方向に走行させつつキャンロールに巻き回して、ス
パッタ法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属
薄膜上に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取
る磁気記録媒体の製造装置において、 前記キャンロールと前記巻取りロールとの間の前記非磁
性基板走行経路近傍で前記保護膜とは反対側の位置に、
微粒子除去装置として振動板を設置したことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項３】請求項１記載の磁気記録媒体の製造装置に
おいて、 微粒子除去時にアルゴンガスと共に酸素及び水素の内の
少なくとも一方のガスを導入する微粒子除去用ガス導入
口を設けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141268A JP2000331335A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141268A JP2000331335A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331335A true JP2000331335A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15287952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11141268A Pending JP2000331335A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010055680A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体用保護膜の形成方法、該方法で形成された保護膜および該保護膜を備えた磁気記録媒体 |
| JP2014231628A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺樹脂フィルムの表面処理装置及び表面処理方法、並びに該表面処理装置を備えたロールツーロール成膜装置 |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11141268A patent/JP2000331335A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010055680A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体用保護膜の形成方法、該方法で形成された保護膜および該保護膜を備えた磁気記録媒体 |
| JP2014231628A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺樹脂フィルムの表面処理装置及び表面処理方法、並びに該表面処理装置を備えたロールツーロール成膜装置 |
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