JPH0835069A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH0835069A JPH0835069A JP17108194A JP17108194A JPH0835069A JP H0835069 A JPH0835069 A JP H0835069A JP 17108194 A JP17108194 A JP 17108194A JP 17108194 A JP17108194 A JP 17108194A JP H0835069 A JPH0835069 A JP H0835069A
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- Japan
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- roll
- film
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- magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 幅広いダイヤモンドライクカーボン膜を幅方
向に均一で効率良く成膜できる装置を提供することであ
る。 【構成】 マイクロ波ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により成
膜が行われる装置であって、走行手段と、この走行手段
によって走行させられる長尺体を案内する磁石製のロー
ルと、このロールに沿って設けられた断面が円弧状の電
極板と、この電極板に接続された電源と、前記ロールと
断面円弧状電極板との間の空間にガスを供給するガス供
給手段とを具備する成膜装置。
向に均一で効率良く成膜できる装置を提供することであ
る。 【構成】 マイクロ波ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により成
膜が行われる装置であって、走行手段と、この走行手段
によって走行させられる長尺体を案内する磁石製のロー
ルと、このロールに沿って設けられた断面が円弧状の電
極板と、この電極板に接続された電源と、前記ロールと
断面円弧状電極板との間の空間にガスを供給するガス供
給手段とを具備する成膜装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば幅広な金属磁性
膜上にダイヤモンドライクカーボン膜を効率良く成膜す
ることが出来る成膜装置に関するものである。
膜上にダイヤモンドライクカーボン膜を効率良く成膜す
ることが出来る成膜装置に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性膜を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜は潤滑性に劣るこ
とから、金属磁性膜を保護する為の保護膜を表面に設け
ることが提案されている。例えば、ダイヤモンドライク
カーボン膜もこれらの提案の一つである。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性膜を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜は潤滑性に劣るこ
とから、金属磁性膜を保護する為の保護膜を表面に設け
ることが提案されている。例えば、ダイヤモンドライク
カーボン膜もこれらの提案の一つである。
【０００４】このダイヤモンドライクカーボン膜を表面
に設ける手段としては各種のものが有り、その一つとし
てＣＶＤ手段が有る。すなわち、図２に示す如く、金属
磁性膜が支持体上に設けられた磁気記録媒体１を真空容
器２内に配設された供給側ロール３ａから冷却キャンロ
ール４を経て巻取側ロール３ｂに走行させ、そして円筒
形のプラズマガン５を作動させ、冷却キャンロール４に
添接されている磁気記録媒体１の金属磁性膜に対して炭
化水素ガスのプラズマを吹き付けると、金属磁性膜の表
面にダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。尚、
図２中、６はマイクロ波電源、７はバイアス電源、８は
ガス導入管である。
に設ける手段としては各種のものが有り、その一つとし
てＣＶＤ手段が有る。すなわち、図２に示す如く、金属
磁性膜が支持体上に設けられた磁気記録媒体１を真空容
器２内に配設された供給側ロール３ａから冷却キャンロ
ール４を経て巻取側ロール３ｂに走行させ、そして円筒
形のプラズマガン５を作動させ、冷却キャンロール４に
添接されている磁気記録媒体１の金属磁性膜に対して炭
化水素ガスのプラズマを吹き付けると、金属磁性膜の表
面にダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。尚、
図２中、６はマイクロ波電源、７はバイアス電源、８は
ガス導入管である。
【０００５】ところで、このような装置でダイヤモンド
ライクカーボン膜を成膜するに際して、次のような問題
点の有ることが判って来た。すなわち、実験室段階にあ
っては、成膜しようとするダイヤモンドライクカーボン
膜に幅広いことが要求されていなかった為、問題はなか
った。しかしながら、これを工業的な段階に移すと、成
膜しようとするダイヤモンドライクカーボン膜に幅広い
ことが必要であった。つまり、磁気テープ原反などは幅
が数ｍにわたる場合もあり、このような場合には成膜し
ようとするダイヤモンドライクカーボン膜も幅が数ｍに
わたることになる。そして、このような場合において、
これまでのものでは幅方向に均一で効率良くダイヤモン
ドライクカーボン膜を成膜できなかったのである。
ライクカーボン膜を成膜するに際して、次のような問題
点の有ることが判って来た。すなわち、実験室段階にあ
っては、成膜しようとするダイヤモンドライクカーボン
膜に幅広いことが要求されていなかった為、問題はなか
った。しかしながら、これを工業的な段階に移すと、成
膜しようとするダイヤモンドライクカーボン膜に幅広い
ことが必要であった。つまり、磁気テープ原反などは幅
が数ｍにわたる場合もあり、このような場合には成膜し
ようとするダイヤモンドライクカーボン膜も幅が数ｍに
わたることになる。そして、このような場合において、
これまでのものでは幅方向に均一で効率良くダイヤモン
ドライクカーボン膜を成膜できなかったのである。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、幅広いダイヤモンドラ
イクカーボン膜を幅方向に均一で効率良く成膜できる装
置を提供することである。この本発明の目的は、マイク
ロ波ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により成膜が行われる装置
であって、走行手段と、この走行手段によって走行させ
られる長尺体を案内する磁石製のロールと、このロール
に沿って設けられた断面が円弧状の電極板と、この電極
板に接続された電源と、前記ロールと断面円弧状電極板
との間の空間にガスを供給するガス供給手段とを具備す
ることを特徴とする成膜装置によって達成される。
イクカーボン膜を幅方向に均一で効率良く成膜できる装
置を提供することである。この本発明の目的は、マイク
ロ波ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により成膜が行われる装置
であって、走行手段と、この走行手段によって走行させ
られる長尺体を案内する磁石製のロールと、このロール
に沿って設けられた断面が円弧状の電極板と、この電極
板に接続された電源と、前記ロールと断面円弧状電極板
との間の空間にガスを供給するガス供給手段とを具備す
ることを特徴とする成膜装置によって達成される。
【０００７】すなわち、マイクロ波ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置における長尺体を案内する冷却キャンロールをマ
グネットで構成すると共に、このマグネット製冷却キャ
ンロールに対向して断面円弧状電極板を配設したなら
ば、冷却キャンロールと断面円弧状電極板との間におい
てロール面に垂直方向に作用する電場と、この電場に対
して垂直方向に作用するマグネット製冷却キャンロール
からの磁場との協同作用によるプラズマ空間（冷却キャ
ンロールと断面円弧状電極板との間の空間）においてＥ
ＣＲ共鳴点が冷却キャンロールに対して同心円筒状に分
布するようになる。従って、冷却キャンロールの幅方向
において全面に均一で効率良くダイヤモンドライクカー
ボン膜を成膜できるようになる。又、成膜速度も速いも
のとなる。すなわち、全幅にわたる領域を一度に成膜で
きるから、プラズマガンを幅方向に走査する必要がな
く、従って長尺体の走行速度を上げることが出来、成膜
速度が速いものとなる。
Ｄ装置における長尺体を案内する冷却キャンロールをマ
グネットで構成すると共に、このマグネット製冷却キャ
ンロールに対向して断面円弧状電極板を配設したなら
ば、冷却キャンロールと断面円弧状電極板との間におい
てロール面に垂直方向に作用する電場と、この電場に対
して垂直方向に作用するマグネット製冷却キャンロール
からの磁場との協同作用によるプラズマ空間（冷却キャ
ンロールと断面円弧状電極板との間の空間）においてＥ
ＣＲ共鳴点が冷却キャンロールに対して同心円筒状に分
布するようになる。従って、冷却キャンロールの幅方向
において全面に均一で効率良くダイヤモンドライクカー
ボン膜を成膜できるようになる。又、成膜速度も速いも
のとなる。すなわち、全幅にわたる領域を一度に成膜で
きるから、プラズマガンを幅方向に走査する必要がな
く、従って長尺体の走行速度を上げることが出来、成膜
速度が速いものとなる。
【０００８】ロール（冷却キャンロール）は磁石、特に
永久磁石で構成される。このロールは、直径が約１０〜
３００ｃｍ、長さが数ｍ以内、例えば約５ｃｍ〜１ｍの
円柱状をしたものであり、ロールの表面から１０ｃｍ離
れた位置における磁場が、例えば約８７５Ｇとなるよう
な磁石で構成される。断面円弧状電極板とロール（ロー
ルに添接されている長尺体）との間には電場が形成され
る訳であるが、この電場は強度が約１００〜１００００
Ｖ／ｍとなるよう電極板に電源（マイクロ波電源）が接
続されている。
永久磁石で構成される。このロールは、直径が約１０〜
３００ｃｍ、長さが数ｍ以内、例えば約５ｃｍ〜１ｍの
円柱状をしたものであり、ロールの表面から１０ｃｍ離
れた位置における磁場が、例えば約８７５Ｇとなるよう
な磁石で構成される。断面円弧状電極板とロール（ロー
ルに添接されている長尺体）との間には電場が形成され
る訳であるが、この電場は強度が約１００〜１００００
Ｖ／ｍとなるよう電極板に電源（マイクロ波電源）が接
続されている。
【０００９】尚、電源の一方の端子は断面円弧状電極板
に接続されており、他方の端子はロールに添接されてい
る長尺体（長尺体表面に設けられた金属薄膜）に接続さ
れる。つまり、長尺体表面に設けられた金属薄膜に当接
し、長尺体を案内する案内ローラに電源の他方の端子が
接続されている。これにより、断面円弧状電極板と長尺
体との間には電場が形成される。
に接続されており、他方の端子はロールに添接されてい
る長尺体（長尺体表面に設けられた金属薄膜）に接続さ
れる。つまり、長尺体表面に設けられた金属薄膜に当接
し、長尺体を案内する案内ローラに電源の他方の端子が
接続されている。これにより、断面円弧状電極板と長尺
体との間には電場が形成される。
【００１０】上記ロールや断面円弧状電極板は、勿論、
真空槽内に配置されている。そして、成膜が行われる真
空雰囲気は真空度が約１０〜１０-4Ｔｏｒｒ程度となる
よう真空ポンプで排気が行われる。断面円弧状電極板と
ロールとの間の空間には、成膜原料となるガスが供給さ
れなければならない。このガスを供給するノズルは、一
つであっても良いが、断面円弧状電極板とロールとの間
の空間に均一に供給されるように複数のノズルが配置さ
れることが好ましい。
真空槽内に配置されている。そして、成膜が行われる真
空雰囲気は真空度が約１０〜１０-4Ｔｏｒｒ程度となる
よう真空ポンプで排気が行われる。断面円弧状電極板と
ロールとの間の空間には、成膜原料となるガスが供給さ
れなければならない。このガスを供給するノズルは、一
つであっても良いが、断面円弧状電極板とロールとの間
の空間に均一に供給されるように複数のノズルが配置さ
れることが好ましい。
【００１１】ガス供給ノズルから供給されるガスとして
は各種のものを用いることが出来る。形成される膜がダ
イヤモンドライクカーボン膜であれば、炭化水素、特に
ベンゼンやシクロヘキサンなどの環状炭化水素、あるい
はピリジンのようなＮ元素を含む環状炭化水素を用いる
ことが出来る。本発明の装置が磁気記録媒体に適用され
る場合には、長尺状の支持体は非磁性のものである。例
えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、
ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セル
ロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材
料が用いられる。尚、支持体面上には磁性膜の密着性を
向上させる為のアンダーコート層が設けられている。す
なわち、表面の粗さを適度に粗すことにより乾式メッキ
により構成される磁性膜の密着性を向上させ、さらに磁
気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性を
改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さ
が０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによって
アンダーコート層が構成されている。このアンダーコー
ト層の上に、例えば斜め蒸着手段によって金属薄膜型の
磁性膜（記録膜）が設けられる。例えば、１０-4〜１０
-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗
加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発さ
せ、金属磁性粒子を支持体面上に堆積（蒸着）させるこ
とにより、金属磁性膜が形成される。金属磁性膜の材料
として、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有
させたもの等が用いられる。尚、金属磁性膜の形成は、
上記した蒸着法による他、直流スパッタ法、交流スパッ
タ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ
法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法などの各種の手段を採用できる。
は各種のものを用いることが出来る。形成される膜がダ
イヤモンドライクカーボン膜であれば、炭化水素、特に
ベンゼンやシクロヘキサンなどの環状炭化水素、あるい
はピリジンのようなＮ元素を含む環状炭化水素を用いる
ことが出来る。本発明の装置が磁気記録媒体に適用され
る場合には、長尺状の支持体は非磁性のものである。例
えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、
ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セル
ロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材
料が用いられる。尚、支持体面上には磁性膜の密着性を
向上させる為のアンダーコート層が設けられている。す
なわち、表面の粗さを適度に粗すことにより乾式メッキ
により構成される磁性膜の密着性を向上させ、さらに磁
気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性を
改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さ
が０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによって
アンダーコート層が構成されている。このアンダーコー
ト層の上に、例えば斜め蒸着手段によって金属薄膜型の
磁性膜（記録膜）が設けられる。例えば、１０-4〜１０
-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗
加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発さ
せ、金属磁性粒子を支持体面上に堆積（蒸着）させるこ
とにより、金属磁性膜が形成される。金属磁性膜の材料
として、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有
させたもの等が用いられる。尚、金属磁性膜の形成は、
上記した蒸着法による他、直流スパッタ法、交流スパッ
タ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ
法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法などの各種の手段を採用できる。
【００１２】そして、上記のように構成させた金属薄膜
型の磁性膜が設けられた磁気記録媒体を、金属薄膜型の
磁性膜と反対側の面がロールに添接されるように装填
し、走行させ、そして原料ガスを供給すると共に電源を
オンにすると、断面円弧状電極板とロールとの間の空間
にプラズマが形成され、金属薄膜型の磁性膜上にダイヤ
モンドライクカーボン膜が均一に形成されるようにな
る。
型の磁性膜が設けられた磁気記録媒体を、金属薄膜型の
磁性膜と反対側の面がロールに添接されるように装填
し、走行させ、そして原料ガスを供給すると共に電源を
オンにすると、断面円弧状電極板とロールとの間の空間
にプラズマが形成され、金属薄膜型の磁性膜上にダイヤ
モンドライクカーボン膜が均一に形成されるようにな
る。
【００１３】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明になる成膜装置の要部を示す
概略図である。尚、以下においては、この成膜装置が金
属薄膜型の磁性膜面上にダイヤモンドライクカーボン膜
を形成する為に用いられた場合を挙げて説明する。同図
中、１１は、通常の斜め蒸着装置を用いて厚さ１０μｍ
で幅１５５ｍｍのＰＥＴフィルム１１にＣｏ粒子を堆積
させ、２０００Å厚さのＣｏ磁性膜が設けられた磁気記
録媒体の原反である。そして、この原反１１が、図示し
ない供給側ロールから巻取側ロールに冷却キャンロール
１２を経て走行するようになっている。
概略図である。尚、以下においては、この成膜装置が金
属薄膜型の磁性膜面上にダイヤモンドライクカーボン膜
を形成する為に用いられた場合を挙げて説明する。同図
中、１１は、通常の斜め蒸着装置を用いて厚さ１０μｍ
で幅１５５ｍｍのＰＥＴフィルム１１にＣｏ粒子を堆積
させ、２０００Å厚さのＣｏ磁性膜が設けられた磁気記
録媒体の原反である。そして、この原反１１が、図示し
ない供給側ロールから巻取側ロールに冷却キャンロール
１２を経て走行するようになっている。
【００１５】この冷却キャンロール１２は、直径４０ｃ
ｍ、長さ２０ｃｍの円柱状に構成されたものであり、そ
して永久磁石で作製されたものである。尚、磁極は冷却
キャンロール１２の両端部にあり、従って磁力線は冷却
キャンロール１２の円柱状側面に沿った方向にある。
尚、冷却キャンロール１２から１０ｃｍ離れた位置Ｐ点
における磁場強度は８７５Ｇである。
ｍ、長さ２０ｃｍの円柱状に構成されたものであり、そ
して永久磁石で作製されたものである。尚、磁極は冷却
キャンロール１２の両端部にあり、従って磁力線は冷却
キャンロール１２の円柱状側面に沿った方向にある。
尚、冷却キャンロール１２から１０ｃｍ離れた位置Ｐ点
における磁場強度は８７５Ｇである。
【００１６】冷却キャンロール１２の前段階の位置に金
属製の案内ローラ１３が配設されている。そして、この
案内ローラ１３に原反１１表面の磁性膜表面が当接する
よう原反１１が掛けられている。従って、図１からも判
る通り、原反１１表面の磁性膜は冷却キャンロール１２
に当接していない。１４は直径が８０ｃｍの半円筒形状
をした電極板であり、２．４５ＧＨｚの高周波電源１５
の一方の端子に接続されている。尚、高周波電源１５の
他方の端子は案内ローラ１３に接続されている。
属製の案内ローラ１３が配設されている。そして、この
案内ローラ１３に原反１１表面の磁性膜表面が当接する
よう原反１１が掛けられている。従って、図１からも判
る通り、原反１１表面の磁性膜は冷却キャンロール１２
に当接していない。１４は直径が８０ｃｍの半円筒形状
をした電極板であり、２．４５ＧＨｚの高周波電源１５
の一方の端子に接続されている。尚、高周波電源１５の
他方の端子は案内ローラ１３に接続されている。
【００１７】上記のように構成させた装置において、原
反１１を５０ｍ／ｍｉｎの速度で走行させた。そして、
真空度が０．１Ｔｏｒｒのものとし、ベンゼンを５０ｓ
ｃｃｍ、二酸化炭素を５０ｓｃｃｍ、アルゴンを５０ｓ
ｃｃｍ、水素を１０００ｓｃｃｍの割合で冷却キャンロ
ール１２と電極板１４との間の空間に供給し、原反１１
表面の磁性膜表面にダイヤモンドライクカーボン膜を１
００Å厚さ設けた。
反１１を５０ｍ／ｍｉｎの速度で走行させた。そして、
真空度が０．１Ｔｏｒｒのものとし、ベンゼンを５０ｓ
ｃｃｍ、二酸化炭素を５０ｓｃｃｍ、アルゴンを５０ｓ
ｃｃｍ、水素を１０００ｓｃｃｍの割合で冷却キャンロ
ール１２と電極板１４との間の空間に供給し、原反１１
表面の磁性膜表面にダイヤモンドライクカーボン膜を１
００Å厚さ設けた。
【００１８】これに対して、従来のプラズマガンを用い
たＣＶＤ装置で上記実施例の原反表面の磁性膜上に１０
０Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜を成膜しようと
した場合には、原反の走行速度を１ｍ／ｍｉｎと大幅に
落とさなければならず、成膜効率が大幅に劣るものであ
った。すなわち、本発明になるものは、幅方向に広いも
のであっても成膜速度を低下させないものであり、生産
性が極めて高いものである。
たＣＶＤ装置で上記実施例の原反表面の磁性膜上に１０
０Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜を成膜しようと
した場合には、原反の走行速度を１ｍ／ｍｉｎと大幅に
落とさなければならず、成膜効率が大幅に劣るものであ
った。すなわち、本発明になるものは、幅方向に広いも
のであっても成膜速度を低下させないものであり、生産
性が極めて高いものである。
【００１９】
【効果】本発明によれば、幅方向に広いものであっても
高い効率で成膜できる。
高い効率で成膜できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になる成膜装置の概略図
【図２】従来の成膜装置の概略図
１１ 磁気記録媒体原反 １２ 永久磁石製冷却キャンロール １３ 金属製案内ローラ １４ 半円筒形状電極板 １５ 高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によ
り成膜が行われる装置であって、走行手段と、この走行
手段によって走行させられる長尺体を案内する磁石製の
ロールと、このロールに沿って設けられた断面が円弧状
の電極板と、この電極板に接続された電源と、前記ロー
ルと断面円弧状電極板との間の空間にガスを供給するガ
ス供給手段とを具備することを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17108194A JPH0835069A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17108194A JPH0835069A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0835069A true JPH0835069A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15916662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17108194A Pending JPH0835069A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0835069A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2458776A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-07 | Qinetiq Ltd | Chemical vapour deposition process |
| EP2365117A1 (en) * | 2005-07-28 | 2011-09-14 | Nanocomp Technologies, Inc. | Apparatus and method for formation and collection of nanofibrous non-woven sheet |
| US8847074B2 (en) | 2008-05-07 | 2014-09-30 | Nanocomp Technologies | Carbon nanotube-based coaxial electrical cables and wiring harness |
| US9061913B2 (en) | 2007-06-15 | 2015-06-23 | Nanocomp Technologies, Inc. | Injector apparatus and methods for production of nanostructures |
| US9198232B2 (en) | 2008-05-07 | 2015-11-24 | Nanocomp Technologies, Inc. | Nanostructure-based heating devices and methods of use |
| US9718691B2 (en) | 2013-06-17 | 2017-08-01 | Nanocomp Technologies, Inc. | Exfoliating-dispersing agents for nanotubes, bundles and fibers |
| US10581082B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-03-03 | Nanocomp Technologies, Inc. | Systems and methods for making structures defined by CNT pulp networks |
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-
1994
- 1994-07-22 JP JP17108194A patent/JPH0835069A/ja active Pending
Cited By (13)
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