JP2000357771A - 高周波多層回路部品 - Google Patents
高周波多層回路部品Info
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Abstract
路を構成している、高周波多層回路部品において、能動
素子へ供給される直流電源に、高周波回路に起因する交
流ノイズ成分が混じると、能動素子のバイアス電圧が変
動し、動作の安定性が損なわれる。 【解決手段】 能動素子24への直流電源を供給するた
めの電源供給ライン25と高周波回路L3,L4,C3
に含まれる高周波ホットライン34とを、互いに別の層
に沿って設け、かつ、電源供給ライン25を層間に挟む
ように、グラウンド層39,40を設け、電源供給ライ
ン25に容量性を持たせる。
Description
部品に関するもので、特に、たとえばダイオード、トラ
ンジスタ、IC等の能動素子が組み込まれるとともに、
高周波回路を構成している、高周波多層回路部品に関す
るものである。
路部品として、たとえばダイオード、トランジスタ、I
C等の能動素子が組み込まれるとともに、コンデンサ、
インダクタおよび抵抗などのための複数の回路要素が複
数の層に分布して設けられる複合部品であって、これら
複数の回路要素の少なくとも一部をもって高周波回路を
構成しているものがある。このような高周波多層回路部
品にあっては、能動素子への直流電源を供給するための
電源供給ラインと高周波回路に含まれる高周波ホットラ
インとを備えているとともに、グラウンド層を備えてい
る。
ける所定の断面上での電源供給ラインと高周波ホットラ
インとグラウンド層との位置関係の典型的な例が概略的
に図解されている。
部品の多くは、そのコンパクト化を図る等の目的のた
め、電源供給ライン1と高周波ホットライン2とを同一
層に沿って設けながら、これら電源供給ライン1および
高周波ホットライン2を層間に挟むように、グラウンド
層3および4を位置させている。
示したような構造においては、電源供給ライン1と高周
波ホットライン2との間に、グラウンド電位に強制する
導体が存在しないため、電源供給ライン1と高周波ホッ
トライン2との間で互いに影響を及ぼしやすい状態とな
っている。
素子(図示せず。)に供給される直流電源に対して、高
周波ホットライン2を流れる高周波信号に起因する交流
ノイズ成分が混じると、能動素子のバイアス電圧が変動
し、能動素子の動作の安定性が損なわれることがある。
また、電源供給ライン1が高周波ホットライン2に比較
的近接していることによって、電源供給ライン1を流れ
る交流ノイズ成分が高周波ホットライン2に悪影響を及
ぼすこともある。
な問題を解決し得る、高周波多層回路部品を提供しよう
とすることである。
組み込まれるとともに、複数の回路要素が複数の層に分
布して設けられ、これら複数の回路要素の少なくとも一
部をもって高周波回路を構成している、高周波多層回路
部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を
解決するため、能動素子への直流電源を供給するための
電源供給ラインと高周波回路に含まれる高周波ホットラ
インとが、互いに別の層に沿って設けられ、かつ、電源
供給ラインと高周波ホットラインとの間には、電源供給
ラインに容量性を持たせるためのグラウンド層が位置し
ていることを特徴としている。
ラインを層間に挟むように、2つのグラウンド層が形成
される。
が電源供給ラインを挟む状態で形成されるとき、電源供
給ラインを高周波信号が通過しないように、2つのグラ
ウンド層間の間隔を狭くして、高周波信号に関して不整
合な状態が電源供給ラインにおいて作り出されるように
されることが好ましい。
よる高周波多層回路部品11の一部を図解的に示す斜視
図である。
を構成する、たとえばセラミックからなる3つの絶縁層
12、13および14が互いに分離されて示されてい
る。
位置する絶縁層13上には、電源供給ライン15が設け
られ、この電源供給ライン15を層間に挟むように、グ
ラウンド層16および17が絶縁層12および14上に
それぞれ形成されている。
に上の絶縁層および/または絶縁層14よりさらに下の
絶縁層に沿って、高周波回路を構成するための複数の回
路要素が設けられ、この高周波回路に含まれる高周波ホ
ットラインが、これら図示しない上および/または下の
絶縁層に沿って設けられる。また、ダイオード、トラン
ジスタ、IC等の能動素子についても、図示した絶縁層
12〜14以外の絶縁層に関連して組み込まれる。
ル18を通って、絶縁層12より上に位置する回路要素
または能動素子に電気的に接続され、また、電源供給ラ
イン15の他方端は、ビアホール19を通って、絶縁層
14より下に位置する回路要素または能動素子に電気的
に接続される。
高周波ホットラインとが互いに別の層に沿って設けられ
る構造が与えられ、電源供給ライン15と高周波ホット
ラインとの間には、グラウンド層16および/または1
7が位置する状態が実現されている。また、電源供給ラ
イン15に近接して、グラウンド層16および17が位
置している。
イン15を設けたとき、図2に示すような等価回路が電
源供給ライン15に関連して構成される。
接してグラウンド層16および17を設けることによ
り、電源供給ライン15とグラウンド層16および17
との間に容量成分20が形成され、電源供給ライン15
に容量性を持たせることができる。したがって、電源供
給ライン15を通って供給される直流電源に交流ノイズ
成分が混ざっても、この交流ノイズ成分は、矢印21で
示すように、容量成分20を通してグラウンド層16お
よび17へと逃がされるため、電源供給ライン15を流
れる交流ノイズ成分を低減することができる。
間の間隔を狭くして、電源供給ライン15において高周
波信号に関して不整合な状態を作り出すことにより、電
源供給ライン15を高周波信号が通過しないようにする
と、交流ノイズ成分の抑制に対してより効果的である。
るようにすれば、この電源供給ライン15における直流
抵抗を低く抑えることができるので、電源供給ライン1
5での電圧降下を抑制することができる。このことを可
能にするため、電源供給ライン15は、たとえば200
μm 以上の幅とされる。
周波多層回路部品11aの一部を図解的に示す斜視図で
ある。図3は、図1に相当する図であって、図3におい
て、図1に示す要素に相当する要素には同様の参照符号
を付し、重複する説明は省略する。
おいては、電源供給ライン15の一方端および他方端
は、ともに絶縁層12に設けられたビアホール18およ
び19を通して、絶縁層12より上に位置する回路要素
および/または能動素子に電気的に接続される。
ホットラインが位置されない場合には、グラウンド層1
7が省略されてもよい。
かるように、電源供給ラインの高周波多層回路部品内で
の引き回し態様は、必要に応じて、種々に変更されるこ
とができる。
品によって構成されることができる複合部品のより具体
的な回路の一例を示している。図4に示した複合部品2
3は、たとえば携帯電話における受信系の回路を構成す
るものである。
い受信アンテナによって受信された信号を増幅するため
の低雑音増幅器LNA1およびLNA2と、低雑音増幅
器LNA1およびLNA2によって増幅された受信信号
のうち所定の周波数以上の信号のみを通過させるハイパ
スフィルタHPF1およびHPF2と、ハイパスフィル
タHPF1およびHPF2からの出力を処理するミクサ
M1およびM2とを備えている。ここで、増幅器LNA
1およびLNA2ならびにミクサM1およびM2は、I
C24によって構成される。
IC24、より特定的には、増幅器LNA1およびLN
A2に対して直流電源を供給するため、外部端子Vcc
を備えるとともに、この複合部品23には、外部端子V
ccから増幅器LNA1およびLNA2へと至る電源供
給ライン25が設けられる。この電源供給ライン25に
関連して、インダクタL1およびL2、抵抗器R1およ
びR2ならびにコンデンサC1およびC2が挿入されて
いる。
3は、図5に示すような高周波多層回路部品31によっ
て実現されることができる。図5は、高周波多層回路部
品31を断面図で示すものである。なお、図5には、高
周波多層回路部品31の特定の断面が示されているにす
ぎないため、図4に示した回路要素のすべてが図示され
ているわけではない。
の下面側には、キャビティ32が設けられ、ここに前述
したIC24が収容される。このキャビティ32は、蓋
33によって閉じられる。
方の部分には、前述した一方のハイパスフィルタHPF
1を構成するインダクタL3およびL4ならびにコンデ
ンサC3が図示されている。このようなインダクタL3
およびL4ならびにコンデンサC3を与える導体が高周
波ホットライン34を構成している。
面上には、前述した外部端子Vccが設けられる。前述
した電源供給ライン25は、外部端子VccからIC2
4へと導かれるが、そこに挿入されるインダクタL1お
よびL2、抵抗器R1およびR2ならびにコンデンサC
1およびC2は、それぞれ、ディスクリートな部品とし
て、高周波多層回路部品31の上面に搭載される。これ
ら搭載される部品のうち、図5には、インダクタL1お
よび抵抗器R1のみが図示されている。
た部分について説明すると、電源供給ライン25は、外
部端子Vccとの接続部から特定の層に沿って延びた
後、ビアホール接続部35を通って高周波多層回路部品
31の上面に導かれる。この上面において、電源供給ラ
イン25は、インダクタL1および抵抗器R1等と接続
された後、ビアホール接続部36を通って、高周波多層
回路部品31の内部へ再び導かれ、特定の層に沿って延
びた後、ビアホール接続部37を通ってIC24に接続
される。
は、グラウンド層38、39および40が設けられる。
これらグラウンド層38〜40のうち、グラウンド層3
9は、電源供給ライン25と高周波ホットライン34と
の間に位置しており、また、グラウンド層39および4
0は、電源供給ライン25を層間に挟むように位置して
いる。
は、電源供給ライン25に容量性を持たせるように作用
しており、これによって、電源供給ライン25を通って
供給される直流電源に混じる交流ノイズ成分を抑制して
いる。
ン25と高周波ホットライン34との間での不所望な干
渉を避けるように作用し、それによって、電源供給ライ
ン25が高周波ホットライン34に近接して位置してい
ても、電源供給ライン25を流れるノイズ成分が高周波
ホットライン34ないしはインダクタL3およびL4な
らびにコンデンサC3等に悪影響を及ぼすことを防止し
ている。
して説明したが、この発明の範囲内において、その他、
種々の変形が可能である。
素子への直流電源を供給するための電源供給ラインと高
周波回路に含まれる高周波ホットラインとが、互いに別
の層に沿って設けられ、かつ、電源供給ラインと高周波
ホットラインとの間には、電源供給ラインに容量性を持
たせるためのグラウンド層が位置しているので、電源供
給ラインと高周波ホットラインとが互いに悪影響を及ぼ
し合うことを防止できるとともに、電源供給ラインを通
して供給される直流電源に交流ノイズ成分が混じること
があっても、この交流ノイズ成分を抑制することがで
き、そのため、能動素子のバイアス電圧が変動して動作
の安定性が損なわれることを有利に防止することができ
る。
電源供給ラインを層間に挟むように形成されていると、
上述したような効果が一層確実に奏されることができ
る。
層間に挟む状態で2つのグラウンド層が形成されている
とき、電源供給ラインを高周波信号が通過しないよう
に、2つのグラウンド層間の間隔を狭くして、高周波信
号に関して不整合な状態を電源供給ラインにおいて作り
出すようにすれば、電源供給ラインを流れる交流ノイズ
成分の抑制効果がより一層高められる。
品11の一部を図解的に示す斜視図である。
ノイズ成分の抑制作用を説明するための回路図である。
部品11aの一部を図解的に示す斜視図である。
成されることができる複合部品のより具体的な回路の一
例を示す図である。
層回路部品31を示す断面図である。
路部品における所定の断面上での電源供給ライン1と高
周波ホットライン2とグラウンド層3および4との位置
関係の典型的な例を概略的に示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 能動素子が組み込まれるとともに、複数
の回路要素が複数の層に分布して設けられ、前記複数の
回路要素の少なくとも一部をもって高周波回路を構成し
ている、高周波多層回路部品であって、 前記能動素子への直流電源を供給するための電源供給ラ
インと前記高周波回路に含まれる高周波ホットラインと
が、互いに別の層に沿って設けられ、かつ、 前記電源供給ラインと前記高周波ホットラインとの間に
は、前記電源供給ラインに容量性を持たせるためのグラ
ウンド層が位置していることを特徴とする、高周波多層
回路部品。 - 【請求項2】 前記電源供給ラインを層間に挟むよう
に、2つの前記グラウンド層が形成されている、請求項
1に記載の高周波多層回路部品。 - 【請求項3】 前記電源供給ラインを高周波信号が通過
しないように、2つの前記グラウンド層間の間隔を狭く
して、高周波信号に関して不整合な状態が前記電源供給
ラインにおいて作り出されている、請求項2に記載の高
周波多層回路部品。
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