JP2000502467A - ポジ型フォトレジスト用の混合溶剤系 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 少なくとも一種の水不溶性で水性アルカリ可溶性の膜形成性ノボラック樹脂；少なくとも一種の o-ジアゾナフトキノン系感光化剤；及びプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと 3-メチル-3-メトキシブタノールとを含むフォトレジスト溶剤混合物の混合物からなる、フォトレジストとして使用するのに適したポジ型感光性組成物、及びこのような組成物を製造する方法。

Description

【発明の詳細な説明】 ポジ型フォトレジスト用の混合溶剤系 発明の背景 本発明は、放射線感応性のポジ型フォトレジスト組成物、特に膜形成性ノボラ ック樹脂とジアゾナフトキノン系感光化剤とを含むこのような組成物に関する。 米国特許第 3,666,473 号、同第 4,115,128 号及び同第 4,173,470 号に記載さ れるようなポジ型フォトレジスト組成物を製造する方法は従来技術において周知 である。これらの組成物は、感光性材料、通常、置換されたジアゾナフトキノン 化合物と一緒にアルカリ可溶性フェノール-ホルムアルデヒドノボラック樹脂を 含む。これらの樹脂及び感光化剤は有機溶剤または溶剤混合物中に溶解され、そ して所望とされる各々の用途に適した基体に薄膜またはコーティングとして塗布 される。 これらのフォトレジスト組成物の水不溶性の膜形成性ノボラック樹脂成分はア ルカリ性水性溶液中には溶解するが、ジアゾナフトキノン系感光化剤はこの樹脂 の溶解速度抑制剤として働く。しかし、塗布された基体の選択された領域を化学 線で露光すると、この感光化剤は、放射線によって誘発され構造転移を起こし、 そして膜の露光された領域は、露光されていない領域に比べてより可溶性になる 。この溶解速度の差異により、基体をアルカリ性現像溶液中に浸漬した時に、フ ォトレジスト膜の露光された領域が溶解され、一方、非露光領域はほどんど影響 を受けず、それによって基体上にポジ型レリーフパターンが形成されることとな る。 多くの場合において、露光され現像された基体は、基体エッチング溶液または ガスプラズマによる処理に付される。フォトレジスト膜が、基体の被覆された領 域をエッチング剤から保護するため、エッチング剤は基体の被覆されていない領 域（ポジ型フォトレジストの場合には化学線を照射した領域に相当する領域）の みを腐蝕できる。このようにして、現像処理の前に、被覆された基体上に選択的 な露光パターンを形成するために使用したマスク、ステンシル、テンプレートな どのパターンに相当するエッチングパターンを基体上に形成することができる。 上記方法によって形成された基体上のフォトレジストのレリーフパターンは、 様々な用途に、例えば小型化・集積された電子部品の製造に使用されるような露 光用マスクまたはパターン用などとして有用である。工業的な実施に重要なフォ トレジスト組成物の性質は、例えば、フォトレジストのフォトスピード、現像コ ントラスト、フォトレジスト解像度及び基体に対するフォトレジストの粘着性で ある。 速いフォトスピードは、特に露光を複数回行うことが必要な用途、例えば工程 を繰返して行うことによる多重パターンの形成において、あるいは強度の弱い光 を使用するような用途、例えば光を一連のレンズに及び単色フィルターに通すこ とによる投影露光技術において重要である。それゆえ、高いフォトスピードは、 基体上にマスクまたは一連の回路パターンを形成するために何回か多重露光を行 わなければならないような方法で使用するフォトレジスト組成物に特に重要であ る。これらの最適な条件には、例えば、各々の現像モードにおける一定の現像温 度及び時間、及び初期厚の約 10％を超えずにできるだけ非露光フォトレジスト 膜の厚さの損失を低く抑えながら、フォトレジストの露光された領域の完全な現 像を達成するために選択される現像剤系が包含される。 現像コントラストとは、現像の際の露光領域における膜損失の率と、非露光領 域における膜損失の率とを比較した値である。通常、露光されたフォトレジスト により被覆されている基体の現像処理は、露光された領域の膜が実質的に完全に 溶解除去されるまで続けられる。それゆえ、現像コントラストは、露光された膜 領域が完全に除去された時の非露光領域における膜の損失の率を測定するのみで 決定できる。 フォトレジスト解像度は、露光に使用されたマスクの最小の等幅に間隔を置い て並んだ線の対及びその間のスペースを、露光され現像されたスペースにおいて 高度に鋭い像縁をもって再現するフォトレジスト系の能力を言う。多くの工業的 な用途、特に小型化された電子部品の製造において、フォトレジストは、非常に 小さい線及びスペース幅（１ミクロン（マイクロメーター）以下のオーダー）を 高い程度で解像することが求められている。 １ミクロン（マイクロメーター）以下の非常に小さな寸法を再現するフォトレ ジストの能力は、シリコンチップ及びこれの類似の部品上に大規模な集積回路を 作製する際に極めて重要である。このようなチップ上での回路密度は、フォトリ ソグラフィー技術を使用する際には、フォトレジストの解像能力を向上させるこ とによってしか高めることはできない。この目的で、ネガ型フォトレジスト、つ まりフォトレジスト膜の露光された領域が不溶性になり、露光されていない領域 が現像剤によって溶解除去されるタイプのレジストが、半導体工業において広く 使用されてきたが、ポジ型フォトレジストの方が本質的により高い解像力を持つ ため、ネガ型フォトレジストの代替物として使用されている。 小型化・集積された回路部品の製造においてこれまでのポジ型フォトレジスト を使用する際の問題は、通常このポジ型フォトレジストは、それらのネガ型のタ イプのものよりもフォトスピードが遅いことである。ポジ型フォトレジスト組成 物のフォトスピードを向上させるために従来様々な試みが行われてきた。例えば 、米国特許第 3,666,473 号では、二種類のフェノールホルムアルデヒドノボラ ック樹脂の混合物を典型的な感光剤と共に使用している。この際、これらのノボ ラック樹脂は、特定の pH のアルカリ性溶液に対するそれらの溶解性及びそれら の曇り点によって定義されている。米国特許第 4,115,128 号では、速いフォト スピードを得るために、有機酸環状無水物からなる第三成分をフェノール樹脂及 びナフトキノンジアジド感光化剤に添加している。発明の要約 本発明は、フォトレジスト浸蝕速度(erosion rate)、プラズマエッチング速度 及びコントラストを維持または向上させながらも、実質的にフォトスピードが向 上された改善されたポジ型フォトレジストを製造する方法を提供する。予期でき ないことに、ノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン等の感光化剤を、プロピレ ングリコールアルキルエーテルアセテート（好ましくはプロピレングリコールメ チルエーテルアセテート−PGMEA）と3-メトキシ-3-メチルブタノール(MMB)から なるフォトレジスト溶剤混合物と配合した場合に、このような改善されたフォト レジストが調製できることが見出された。米国特許第 4,550,069 号、同第5,066 ,561 号及び同第 5,143,814 号は、プロピレングリコールアルキルエーテルアセ テートを単独で使用することに関する。一方、特開平 4-009064 号及び同第4-00 9852 号は、ポジ型フォトレジストの溶剤として MMB を単独で使用することを教 示している。本発明によれば、これらの二つの溶剤を組み合わせた時に特異 な相乗作用があることを見出された。この相乗作用とは、つまり、この混合溶剤 系は、この混合系を用いて調合されたフォトレジストに、これらの溶剤を単独で 用いた場合には見られない高まった感光性を与えるということである。 本発明は、フォトレジストとして使用するのに適したポジ型感光性組成物に関 し、これは、少なくとも一種の水不溶性で水性アルカリ可溶性の膜形成性ノボラ ック樹脂; 少なくとも一種のオルト-ジアゾナフトキノン系感光化剤; 及びプロ ピレングリコールアルキルエーテルアセテート（好ましくはプロピレングリコー ルメチルエーテルアセテート）と 3-メチル-3-メトキシブタノールとを含むフォ トレジスト溶剤混合物の混合物からなる。本発明は更に、シリコンウェハー等の 適当な基体及び上記ポジ型感光性組成物からなる感光性要素にも関する。加えて 、本発明は、少なくとも一種の水不溶性で水性アルカリ可溶性の膜形成性ノボラ ック樹脂；少なくとも一種のオルト-ジアゾナフトキノン系感光化剤；及びプロ ピレングリコールエーテルアルキルエーテルアセテートと 3-メチル-3-メトキシ ブタノールとを含むフォトレジスト溶剤混合物の混合物を調製することからなる 、フォトレジストとして使用するのに適した高まったフォトスピードを有するポ ジ型組成物の製造方法に関する。好ましい態様の詳細な説明 感光性組成物の調製に使用することができる、膜形成性の水不溶性でアルカリ 可溶性のノボラック樹脂の製造は従来技術において周知である。これらの製造の 手順は、“Chemistry and App1ication of Phenolic Resins”（フェノール樹脂 の化学とその応用），Knop A．and Scheib，W.；Springer Verlag，N.Y.,1979年 ,第４章に記載されている。この文献の記載内容は、本明細書の一部として参照 する。パラビニルフェノール類及びポリビニルフェノール類は米国特許第3,869, 292 号及び米国特許第 4,439,516 号に記載されている。これらの刊行物も、本 明細書の一部として参照する。同様に、o-ジアゾナフトキノン類の使用も、“Li ght Sensitive Systems”（感光性システム）,Kosar,J.；John Wiley & Sons,N. Y.,1965 年，第7.4章に示されるように、当業者には周知である。この文献もま た、本明細書の一部として参照する。本発明の一つの構成要素であるこれら の感光化剤は、好ましくは、置換されたジアゾナフトキノン系感光化剤であり、 これはポジ型フォトレジスト組成物において従来から使用されている。このよう 感光化性化合物は、例えば、米国特許第 2,797,213 号、同第 3,106,465 号、同 第3,148,983 号、同第 3,130,047 号、同第 3,201,329 号、同第 3,785,825 号 及び同第 3,802,885 号に記載されている。有用な感光化剤には、これに限定さ れるわけではないが、例えばヒドロキシベンゾフェノン類等のフェノール性化合 物をナフトキノン-(1,2)-ジアジド-5-スルホニルクロライドまたはナフトキノン -(1,2)-ジアジド-4-スルホニルクロライド類とを縮合させることによって得られ るスルホン酸エステルが包含される。 好ましい態様においては、当該フォトレジスト組成物の固体部分、つまり樹脂 及びジアゾナフトキノンは、好ましくは、樹脂が 15％〜約 99％そしてジアゾナ フトキノンが約１％〜約 85％の範囲である。樹脂のより好ましい範囲は、固体 フォトレジスト成分の約 50〜約 90 重量％、最も好ましくは約 65〜約 85 重量 ％程度であろう。ジアゾナフトキノンのより好ましい範囲は、フォトレジスト中 の固体の約 10〜50 重量％、最も好ましくは約 15〜約 35 重量％程度であろう 。フォトレジスト組成物の調製の際には、樹脂とジアゾナフトキノンを、プロピ レングリコールアルキルエーテルアセテート、好ましくはプロピレングリコール メチルエーテルアセテート(PGMEA)と 3-メチル-3-メトキシブタノール(MMB)との 溶剤混合物と、この溶剤混合物が、全フォトレジスト組成物の約 40〜約 90 重 量％の量で存在するように混合する。より好ましい範囲は、全フォトレジスト組 成物の約 60〜約 83 重量％、最も好ましくは約 65〜約 70 重量％である。更に 、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート：MMB 混合物の溶剤比の好 ましい範囲は、約 90％／10％〜約 10％／90％である。より好ましい溶剤比範囲 は、約 70％／30％〜約 30％／70％であり、最も好ましくは約 60％／40％〜約 40％／60％の溶剤混合物である。 着色剤、染料、アンチストライエーション剤、可塑剤、接着促進剤、塗布助剤 、増速剤及び界面活性剤等の添加物を、ノボラック樹脂、感光化剤及び溶剤系を 含む溶液に、これを基体に塗布する前に添加してもよい。 本発明のフォトレジスト組成物と一緒に使用することができる染料添加物の例 としては、これに限定されることはないが、ノボラックと感光化剤との合計重量 を基準として1〜10重量％濃度のメチルバイオレット2B(C.I.No.42535)、クリス タルバイオレット(C.I.42555)、マラカイトグリーン(C.I.No.42000)、ビクトリ アブルーＢ(C.I.No.045)及びニュートラルレッド(C.I.No.50040)が包含される。 染料添加物は、基体表面から出る光の後方散乱の阻止によって、高まった解像度 を与えることを助ける。 アンチストライエーション剤は、ノボラックと感光化剤との合計重量を基準と して、５重量％濃度まで使用することができる。 使用し得る可塑剤には、例えば、ノボラックと感光化剤との合計重量を基準と して1〜10重量％濃度の燐酸トリ-(ベータ−クロロエチル)-エステル、ステアリ ン酸、ジカンフル、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フェノキシ樹脂またはア ルキル樹脂が包含される。可塑剤添加物は、該材料の塗り特性を改善しそして滑 らかでそして均一な厚さの膜を基体に適用することを可能にする。 使用し得る粘着促進剤としては、例えば、ノボラック樹脂と感光化剤との合計 重量を基準として４重量％濃度までの、ベータ-(3,4-エポキシ-シクロヘキシル) -エチルトリメトキシシランまたはガンマ-アミノプロピルトリエトキシシランが 包含される。 使用し得る増速剤としては、例えば、ノボラックと感光化剤との合計重量を基 準として20重量％濃度までのピクリン酸、ニコチン酸またはニトロケイ皮酸が包 含される。これらの増速剤は、露光された領域及び非露光の領域の両方において フォトレジスト膜の溶解性を増大させる傾向があるので、これらは、たとえコン トラストの程度が多少犠牲にされようとも、現像速度が最も考慮すべきことであ るような用途において使用される；つまりフォトレジスト膜の露光領域は現像剤 によってより早く溶解される一方で、この増速剤は、非露光領域からのより多量 のフォトレジストの損失をも同時に引き起こす。 追加的なフォトレジスト溶剤を、本発明によるフォトレジスト溶剤混合物に添 加してもよいが、これはフォトレジスト溶剤の50重量％未満のみを構成する。こ のような追加的な溶剤には、キシレン、ブチルアセテート及びCellosolve8アセ テートが包含される。好ましくは、本発明の溶剤混合物中にはこのような追加的 な溶剤は使用しない。 使用し得る非イオン性界面活性剤としては、例えば、ノボラックと感光化剤と の合計重量を基準として10重量％濃度までの、ノニルフェノキシポリ(エチレン オキシ)エタノール、オクチルフェノキシ（エチレンオキシ）エタノール及びジ ノニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールが包含される。 調製したフォトレジスト溶液は、フォトレジストの分野において使用される全 ての慣用の方法、例えば浸漬塗布法、噴霧塗布法、遠心除滴(whirling)塗布法及 び回転塗布法によって基体に適用できる。例えば回転塗布法の場合には、利用さ れる回転装置の種類及び回転プロセスに許される時間量の下に、所望の厚さの膜 を与えるために、フォトレジスト溶液をその固形物含有率に関して調節すること ができる。適当な基体としては、ケイ素、アルミニウム、またはポリマー性樹脂 、二酸化ケイ素、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシ リコン、セラミック及びアルミニウム/銅混合物が包含される。 上記手順によって製造されるフォトレジスト膜は特に、マイクロプロセッサー 及び他の小型化された集積回路部品等の製造に使用されるような熱成長ケイ素/ 二酸化ケイ素-塗布ウェハーに使用するのに適している。アルミニウム/酸化アル ミニウムウェハーも同様に使用できる。基体は、様々なポリマー、例えばポリエ ステルからなることもできる。 フォトレジスト組成物を基体上に塗布した後、この基体は約20℃〜110℃に加 熱される。この温度処理は、蒸発させることによってフォトレジスト中の残留溶 剤の濃度を減らし制御するように選択され、感光化剤を熱分解させることは実質 的にない。一般的に、溶剤濃度はできるだけ低くすることが望まれるので、この 温度処理は実質的な量の溶剤が蒸発されそしてフォトレジスト組成物の薄膜が、 1ミクロン（マイクロメーター）オーダーの厚さで基体上に残るまで行われる。 この処理は通常約20゜〜約110℃の範囲の温度で行われる。一つの好ましい態様 では、その温度は約50゜〜約110℃である。より好ましい範囲は約80゜〜約110℃ である。この処理は、溶剤除去の変化の速度が比較的取るに足らなくなるまで行 われる。温度と時間の選択は、ユーザーによって所望とされるフォトレジスト特 性、並びに使用する装置及び工業的に所望とされる塗布時間に依存する。ホット プレート処理に工業的に許容される処理時間は約３分間まで、より好ましくは約 １分間までである。一つの例では、90℃での30秒の処理が有用である。熱対流炉 においては、15分間乃至１時間またはそれ以上の間、蒸発処理を行ってもよい。 得られた膜はベトベトせず、また、乾燥した塗膜が、これの重量を基準として約 １〜30％、好ましくは５〜20％、最も好ましくは８〜12％の量で残留溶剤を含む ことは本発明の意図する範囲内である。次いで、被覆された基体を、当業者には 周知の方法で、化学線、特に紫外線により、適当なネガ、ポジ型マスク、ステン シル、テンプレート等を使用することによって形成されるあらゆる所望の露光パ ターンで露光することができる。 次いで、露光されたフォトレジストで被覆されている基体を、水性アルカリ性 現像溶液中に十分に浸漬する。好ましくは、この溶液は例えば窒素噴出攪拌法に よって攪拌する。適当な現像剤としては、非限定的に、アルカリ金属水酸化物、 アンモニウム水酸化物またはテトラメチルアンモニウム水酸化物を含む水溶液が 包含される。しかし、当業者に公知のあらゆる他の適当な現像剤も使用できる。 基体は、全てまたは実質的に全てのフォトレジスト膜が露光された領域から除去 されるまで現像剤中に入れておく。 現像溶液から被覆されたウェハーを取出した後、膜の粘着性、及びエッチング 溶液及び他の物質に対する感光性耐薬品性(chemical photoresistance)を高める ために、現像後熱処理(post-development heat treatment)またはベーキングを 行ってもよい。現像後熱処理は、膜の軟化点以下での膜及び基体のオーブンベー キングからなり得る。この露光後ベーキングまたは熱処理は、約95℃〜約160℃ 、好ましくは95℃〜150℃、より好ましくは112℃〜120℃の温度で行うことがで きる。この熱処理は、ホットプレートシステムを用いて、約10秒〜樹脂を架橋さ せるのに必要な時間まで行ってもよい。通常これは、10秒〜90秒、より好ましく は約30秒〜約90秒、最も好ましくは15〜45秒行う。90秒よりも長い時間行うこと もできるが、これによって何か付加的な利益が得られることは通常ない。熱対流 炉によるベーキングにはより長い時間が必要となる。選択される時間は、組成物 成分の選択及び使用した基体に依存する。工業的用途、特にケイ素/二酸化ケイ 素タイプの基体上でマイクロ回路ユニットを製造する際には、現像した基体を、 緩 衝されたフッ化水素酸／塩基エッチング溶液またはガスプラズマで処理すること ができる。本発明のフォトレジスト組成物は、酸／塩基エッチング溶液及びガス プラズマに対して感光性耐性(photoresistance)がありそして基体の非露光フォ トレジスト膜領域に効果的な保護を与える。 以下特定の実施例は、本発明の組成物を製造及び使用する方法の詳細な例示を 与えるものである。しかし、これらの実施例は決して本発明の範囲を限定または 減縮しようとするものではなく、本発明を実施するのに排他的に使用するべき条 件、パラメーターまたは値を与えるものと解釈すべきではない。特に断りがない 限りは、全てのパーセント及び部はそれぞれ重量パーセント及び重量部である。 実施例１ 標準的なフォトレジスト組成物を以下のように調製した： ノボラック樹脂^* 20.1％ 光活性化合物^** 4.3％ 塗布助剤^*** 0.4％ 溶剤（プロピレングリコールメチルエーテルアセ 75.2 ％ テート） 100.00％^* このノボラック樹脂は、p-クレゾール：m-クレゾールの 70:30 混合物を、ホ ルムアルデヒド約 0.75 部に対し全クレゾール１部のモル比でホルムアルデヒド と縮合させて得られたフェノールホルムアルデヒドコポリマーである。この得ら れたポリマーは約 25,000〜35,000 のMw（重量平均分子量）範囲を有する。^** この光活性成分（ジアゾナフトキノン）は、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフ ェノンと、2,1,5-ジアゾナフトキノンスルホニルクロライドとの、この置換され たベンゾフェノンのエステル化度を約 45％とするような縮合によって形成され たスルホネートエステルである。^*** この塗布助剤は、Monsanto により供給される有標材料の、エチルアクリレ ートと2-エチルヘキシルアクリレートとのコポリマーである。実施例２ 第二のフォトレジストを、実施例１に記載のものと同一の成分、但し本発明に よる溶剤組成物を用いて以下のように調製した： 実施例１のノボラック樹脂 20.1％ 実施例１の光活性化合物 4.3％ 実施例１の塗布助剤 0.4％ プロピレングリコールメチルエーテルアセテート 37.6％ (PGMEA) 3-メチル-3-メトキシブタノール(MMB) 37.6 ％ 100.00％ 感光性（フォトスピード）の評価 実施例１及び２のフォトレジストを、このフォトレジストに理想的な 1.5 ミ クロン（マイクロメーター）の公称厚さ(nominal thickness)でシリコンウェハ 線ステッパで露光し、この際、110℃で 60 秒間ソフトベーク、及び 110℃で 60 チルアンモニウムヒドロオキシド現像剤）で噴霧現像法により 52 秒間、現像し た。 これらの像形成されたサンプルの写真を、高解像度の走査型電子顕微鏡(SEM) を用いて撮り、そしてこの写真から臨界寸法を測定した。これらのサンプルの両 セットについて、理想的なドーズ・ツウー・プリント(Dose toPrint; DTP)を測 定することができた。同じ膜厚において、これらの両サンプルは、像形成された 領域において同程度の膜損失量を示し、またこれらの両フォトレジストは 0.5 ミクロン（マイクロメーター）までの線を解像できた。しかし、PGMEA と MMB との混合溶剤系を用いて調製したフォトレジストは、PGMEA だけを用いて調製し たフォトレジストと比較して、15〜16％早いフォトスピードを示した。リソグラフィーデータ 対照サンプル（実施例１）を用いた場合は等幅の線及びスペースを解像するた めには、250 ミリジュール/cm²の光エネルギーが必要であったのに対し、PGMEA とMMB との混合物を用いて調製した試験材料は215ミリジュール/cm²しか必要と しなかった。それゆえ、この試験材料は、対照材料よりも約 16％早く露光でき た。露光寛容度、コントラストなどの他の特性については、これらのサンプルは 実質的に同程度であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カーンナ・ダインシュ・エヌ アメリカ合衆国、ニュージャージー州、 08822 フレミングトン、サットン・ファ ーム・ロード、７ (72)発明者 オービン・ダニエル・ピー アメリカ合衆国、コネチカット州 06384 バランタウン、コングドン・ロード、 202 (72)発明者 ディクジット・サニット・エス アメリカ合衆国、ニュージャージー州 08822 フレミングトン、カッパー・ペニ ー・ロード、50

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．少なくとも一種の水不溶性で水性アルカリ可溶性の膜形成性のノボラック樹 脂； 少なくとも一種の o-ジアゾナフトキノン系感光化剤； 及びプロピレング リコールアルキルエーテルアセテートと 3-メチル-3-メトキシブタノールとを含 むフォトレジスト溶剤混合物の混合物から本質的になる、フォトレジストとして 使用するのに適した感光性ポジ型感光性組成物。 ２．プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート成分が、プロピレングリ コールメチルエーテルアセテートである請求の範囲第１項の組成物。 ３．着色剤、アンチストライエーション剤、可塑剤、粘着促進剤、増速剤、溶剤 及び界面活性剤からなる群から選択される一種またはそれ以上の添加物を更に含 む請求の範囲第１項の組成物。 ４．3-メチル-3-メトキシブタノール溶剤が、溶剤混合物の約 10〜約 90 重量％ の量で存在し、その残りが、3-メチル-3-メトキシブタノールとプロピレングリ コールアルキルエーテルアセテートの合計が使用した溶剤の 100％を構成するよ うな量のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートからなる請求の範囲 第１項の組成物。 ５．ノボラック樹脂が、該組成物の重量を基準として約５％〜約 40％の量で存 在する請求の範囲第１項の組成物。 ６．ジアゾナフトキノンが、該組成物の固体部分の重量を基準として約５％〜約 35％の量で存在する請求の範囲第１項の組成物。 ７．ジアゾナフトキノン成分が、ヒドロキシまたはポリヒドロキシアリール化合 物、アリールアミン類あるいはポリアミン類とジアゾスルホニルクロライドとの 反応生成物から選択される一種またはそれ以上の化合物からなる請求の範囲第１ 項の組成物。 ８．感光化剤が、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン-(1,2)- ジアジド-5-スルホニルクロライドとの、エステル化度約 45％の縮合生成物であ る請求の範囲第１項の組成物。 ９．基体、及びこの基体に付着した請求の範囲第１項の組成物からなる感光性要 素。 10．基体が、ケイ素、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、ドープし た二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック及びア ルミニウム／銅混合物からなる群から選択された一種またはそれ以上の成分から なる請求の範囲第９項の要素。 11．少なくとも一種の水不溶性で水性アルカリ可溶性の膜形成性ノボラック樹脂 ；少なくとも一種のオルト-ジアゾナフトキノン系感光化剤；及びプロピレング リコールアルキルエーテルアセテートと 3-メチル-3-メトキシブタノールとを含 むフォトレジスト溶剤混合物の混合物を形成させることからなる、フォトレジス トとして使用するのに適したポジ型感光性組成物の製造方法。 12．プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート成分が、プロピレングリ コールメチルエーテルアセテートである請求の範囲第 11 項の方法。 13．着色剤、アンチストライエーション剤、可塑剤、粘着促進剤、増速剤、溶剤 及び界面活性剤からなる群から選択される一種またはそれ以上の添加物を更に含 む請求の範囲第 11 項の方法。 14．3-メチル-3-メトキシブタノール溶剤が、溶剤混合物の約 10〜約 90 重量％ の量で存在し、その残りが、3-メチル-3-メトキシブタノールとプロピレングリ コールアルキルエーテルアセテートの合計が使用した溶剤の 100％を構成するよ うな量のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートからなる請求の範囲 第 11 項の方法。 15．ノボラック樹脂が、該組成物の重量を基準として約５％〜約 40％の量で存 在する請求の範囲第 11 項の方法。 16．ジアゾナフトキノンが、該組成物の固体部分の重量を基準として約５％〜約 35％の量で存在する請求の範囲第 11 項の方法。 17．ジアゾナフトキノン成分が、ヒドロキシまたはポリヒドロキシアリール化合 物、アリールアミン類またはポリアミン類とジアゾスルホニルクロライドとの反 応生成物から選択される一種またはそれ以上の化合物からなる請求の範囲第11項 の方法。 18．感光化剤が、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン-(1,2)- ジアジド-5-スルホニルクロライドとの、エステル化度約 45％の縮合生成物であ る請求の範囲第 11 項の方法。