JP2002246281A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるレチクル並びにウェハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハのダイシングの際に導電層の飛散が抑
制される半導体装置の製造方法とそれに用いられるレチ
クルを提供する。 【解決手段】 所定のレチクルを用いて、順次露光光を
ネガレジストに照射（ショット）する。ネガレジストで
は、露光光が照射された領域がレジストパターンとして
残される。ウェハ外周領域Ｐでは露光光はネガレジスト
に照射されない。その後、現像処理を施すことによりネ
ガレジストパターンを形成し、これをマスクとして第１
導電層にエッチングを施すことにより第１金属配線層１
１ａを形成する。ウェハ外周領域Ｐではレジストパター
ンは形成されていないため、第１導電層は残らないこと
になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法およびそれに用いられるレチクル並びにウェハに関
し、特に、アセンブリにおけるダイシングの際に導電層
の切り屑が飛散することのない半導体装置の製造方法
と、その製造方法の露光工程に用いられるレチクルと、
そのような製造方法によってパターニングが施されたウ
ェハとに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】写真製版技術を用いてウェハにパターン
を形成する従来の方法について説明する。写真製版で
は、所定のパターンをレジストに転写するためにレチク
ルが用いられる。図２９に示すように、レチクル１２０
には、製品チップを形成するための複数のチップパター
ン領域１２１が形成されている。

【０００３】また、複数のチップパターン領域１２１を
区切るためのダイシングラインパターン領域１２２が形
成されている。さらに、レチクル１２０の外縁に沿って
外周ダイシングラインパターン領域１２３、１２４が形
成されている。

【０００４】ダイシングラインパターン領域１２２に
は、たとえばアライメントを合わせるためのマークや電
気的特性をテストするためのＴＥＧ（Test Element Gro
up）が配置される。これらのダイシングラインパターン
領域１２２および外周ダイシングラインパターン領域１
２３、１２４により、ウェハには複数の製品チップをそ
れぞれ切り離すために必要なダイシングライン領域がパ
ターニングされる。

【０００５】ウェハにおけるダイシングライン領域の幅
は、ダイシングに用いられるカッタ刃の幅やダイシング
の際のカッタ刃の位置等のばらつきを考慮すると、最低
でも数十μｍ（たとえば６０μｍ程度）の幅が必要とさ
れる。

【０００６】ところで、外周ダイシングラインパターン
領域１２３、１２４の幅には、ウェハ面内におけるダイ
シングライン領域の占める割合（占有率）を小さくする
ために大きく２種類の幅が設定されている。この場合、
隣合う二辺の外縁に位置する外周ダイシングラインパタ
ーン領域１２３ａ、１２３ｂの幅は、他の隣合う二辺の
外縁に位置する外周ダイシングラインパターン領域１２
４ａ、１２３ｂの幅よりも短く設定されている。たとえ
ば、外周ダイシングラインパターン領域１２３ａの幅は
数μｍである。

【０００７】次に、このようなレチクル１２０を用いた
写真製版における露光工程について説明する。レチクル
１２０は露光装置に装着され、露光光がレチクル１２０
を介してウェハ上に形成されたレジストに順次照射（シ
ョット）される。

【０００８】１回のショットにより、ウェハ上にはレチ
クル１２０に対応したパターンが転写される。これによ
り、図３０に示すように、レチクル１２０における外周
ダイシングラインパターン領域１２３ａの部分は、幅Ｘ
ｃを有するダイシングライン領域２２３ａとなる。外周
ダイシングラインパターン領域１２３ｂの部分は、幅Ｙ
ｃを有するダイシングライン領域２２３ｂとなる。外周
ダイシングラインパターン領域１２４ａの部分は、幅Ｙ
ａを有するダイシングライン領域２２４ａとなる。外周
ダイシングラインパターン領域１２４ｂの部分は、幅Ｘ
ａを有するダイシングライン領域２２４ｂとなる。ダイ
シングラインパターン領域１２２ａの部分は、幅Ｘｂを
有するダイシングライン領域２２２ａとなる。ダイシン
グラインパターン領域１２２ｂの部分は、幅Ｙｂを有す
るダイシングライン領域２２２ｂとなる。

【０００９】次に、図３０に示すように、一のショット
におけるダイシングライン領域２２３ａの外縁に対し
て、レチクル１２０の外周ダイシングラインパターン領
域１２４ｂに対応するダイシングライン領域２２４ｂの
外縁が略一致する位置において次のショットが行われ
る。

【００１０】このとき、特に、一のショットにより形成
されるダイシングライン領域２２３ａの幅と次のショッ
トにより形成されるダイシングライン領域２２４ｂの幅
とを合わせた幅が幅Ｘｂに略等しくなるように、レチク
ル１２０における外周ダイシングパターン領域の幅が設
定されている。

【００１１】次のショットとさらに次のショットにおい
ても同様の位置関係のもとで露光される。なお、図３０
では、Ｘ方向だけを示しているがＹ方向についても同様
の位置関係のもとで露光が行われる。また、一のショッ
トによりチップ形成領域が部分的にしか形成されないウ
ェハの外周領域は露光処理が施されない。

【００１２】このようにしてウェハ上に順次露光光を照
射（ショット）することで、図３１に示すように、ウェ
ハ１０１にはチップ形成領域１０２とダイシングライン
領域とが形成される。従来の露光工程は上記のように行
われていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たレチクル１２０を用いた露光方法では以下に示すよう
な問題があった。ウェハ上にチップパターンを転写する
際、図３０に示すように、一のショットにおけるダイシ
ングラインパターン領域２２３ａの外縁に対して、レチ
クル１２０の外周ダイシングラインパターン領域１２４
ｂに対応するダイシングライン領域２２４ｂの外縁が略
一致する位置関係のもとで次のショットが行われる。

【００１４】このため、たとえば図３１に示されたＸ方
向の最後のチップ形成領域１０２ａとウェハ外周領域Ｐ
との間には、外周ダイシングラインパターン領域１２３
ａのみに対応する領域が転写されることになる。Ｙ方向
の最後のチップ形成領域１０２ｂについても同様であ
る。

【００１５】また、上述したように、ウェハ外周領域Ｐ
はチップ形成領域の全体を形成することができないた
め、ウェハ外周領域Ｐには露光処理が施されずにパター
ニングされないレジストが残されることになる。

【００１６】このような露光処理に基づいて所定のエッ
チング処理を施すと、図３２に示すように、チップ形成
領域Ｃ（１０２ａ）とウェハ外周領域Ｐとの間には、外
周ダイシングラインパターン領域１２３ａのみに対応し
たダイシングライン領域Ｄ（２２３ａ）が形成される。

【００１７】そして、ウェハ外周領域Ｐでは各工程にお
いて形成された膜が、パターニングが施されずにそのま
まの状態で残される。

【００１８】上述したように、一般にダイシングライン
領域の幅としては数十μｍの幅が必要とされる。ところ
が、図３２に示すように、最外周に位置するチップパタ
ーン領域Ｃ（１０２ａ）とウェハ外周領域Ｐとの間に形
成されるダイシングライン領域Ｄ（２２３ａ）の幅は数
μｍ程度である。

【００１９】ダイシングライン領域Ｄはダイシングのた
めに必要とされる十分な幅を有して形成されていない。
このため、実際のアセンブリ工程におけるダイシングに
おいては、矢印１１６に示すように、実質的にウェハ外
周領域Ｐをダイシングすることになる。

【００２０】一方、ウェハ外周領域Ｐでは、各工程にお
いて形成された膜がそのまま残っている。これらの膜の
中には、配線を形成するためのアルミニウムなどの導電
性膜１１１、１１３が含まれている。このため、このウ
ェハ外周領域Ｐをダイシングすると導電性膜１１１、１
１３もダイシングすることになり、導電性膜１１１、１
１３の切り屑が発生することになる。

【００２１】導電性膜１１１、１１３の切り屑が含まれ
た状態でアセンブリ工程においてワイヤボンディングが
行われると、飛散した導電性膜１１１、１１３の切り屑
によりワイヤ同士が電気的に短絡してしまうことがあっ
た。このため、良品のチップが不良のチップとなってし
まい、製品の歩留まりを下げる要因となっていた。

【００２２】また、ダイシングのカッターの刃を傷め、
カッターの寿命を短くする原因となっていた。

【００２３】このような問題に対して、ウェハ外周領域
も含めてウェハの全面にパターンを転写するという手法
も考えられる。ところで、ウェハには、図３１に示すよ
うに、ウェハを識別するためのウェハ認識用印字１０３
が印されている。このウェハ認識用印字１０３１はレー
ザブローによりウェハの表面に凹凸を設けることで形成
される。

【００２４】このため、ウェハの全面にパターンを転写
しようとすると、ウェハ認識用印字１０３の部分にもパ
ターンが形成されることになって、たとえば、半導体製
造装置にウェハをソートする場合や、ウェハテスト（Ｗ
Ｔ）やアセンブリ工程等においてウェハ認識用印字１０
３を読み取ることができなくてウェハを識別することが
できなくなる不具合が生じた。

【００２５】また、ウェハの全面にパターンが形成され
ると、特にウェハ外周領域に形成されるパターンが容易
に剥がれやすく、剥がれたパターンがウェハ上に付着す
るなどして歩留まりの低下を引き起こす要因となってい
た。

【００２６】また、露光装置（ステッパ装置）のブライ
ンド機能を用いて、レチクルにおけるダイシングライン
パターンの領域を覆うことで、この領域に対するパター
ンをウェハ上に形成させない手法も考えられる。

【００２７】ところが、この場合には、ウェハにおける
ショットの位置によりブラインドの位置を調整する必要
が生じて、スループットが低下することになった。

【００２８】このように、上述した問題に対していずれ
も有効な解決手法はなかった。また、ウェハに形成され
たチップ形成領域同士をダイシングにより切断する際に
も、ダイシング領域に形成された導電性のアライメント
マークなどのマーク類の切り屑が飛散してワイヤ同士が
電気的に短絡することがあった。

【００２９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、１つの目的はウェハのダイシングの際
に導電性膜の飛散が抑制される半導体装置の製造方法を
提供することである。他の目的は、そのような半導体装
置の製造方法に用いられるレチクルを提供することであ
る。さらに他の目的は、そのような半導体装置の製造方
法によって得られるウェハを提供することである。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本発明の一つの局面にお
ける半導体装置の製造方法は、半導体基板としてのウェ
ハ上に導電層を形成する工程とレジスト塗布工程と露光
工程と現像工程と導電領域を形成する工程とを有してい
る。レジスト塗布工程では導電層上にレジストが塗布さ
れる。露光工程では、ウェハにおいて半導体チップをそ
れぞれ形成するための複数のチップ形成領域に位置する
レジストに対して、所定のレチクルを介して露光光が順
次照射される。現像工程では、露光工程の後レジストに
現像処理を行うことにより、導電層をパターニングする
ためのレジストパターンが形成される。導電領域は、レ
ジストパターンをマスクとして導電層にエッチングを施
すことにより形成される。露光工程は、複数のチップ形
成領域のうち最外周に位置するチップ形成領域よりも外
側の領域において設けられるダイシングにより切断され
る領域に対してレジストが残らないように所定の処理を
施す工程を備えている。

【００３１】この製造方法によれば、露光工程におい
て、最外周に位置するチップ形成領域よりも外側の領域
において設けられるダイシングにより切断される領域に
対してレジストが残らないように所定の処理が施され
る。これにより、導電層にエッチングを施すことで導電
領域を形成する際にダイシングにより切断される領域で
は導電層が除去される。その結果、ダイシングにより切
断される領域をダイシングする際に導電層の切り屑が飛
散することはなくなり、アセンブリ工程におけるワイヤ
ボンディングの際にワイヤ同士が電気的に短絡すること
を抑制することができる。

【００３２】好ましくは、レジスト塗布工程ではレジス
トとしてネガレジストが用いられ、露光工程における所
定の処理として、最外周に位置するチップ形成領域より
も外側の領域には露光光は照射されない。

【００３３】これにより、最外周に位置するチップ形成
領域よりも外側の領域では導電層は残らなくなる。その
結果、ダイシングにより切断される領域をダイシングす
る際に導電層の切り屑が飛散することを確実に防止する
ことができる。

【００３４】また好ましくは、露光工程における所定の
処理として、複数のチップ形成領域に位置するレジスト
に露光光が順次照射された後に、最外周に位置するチッ
プ形成領域とその最外周に位置するチップ形成領域の外
側の領域との境界に沿って露光光のスポットが照射され
る。

【００３５】これにより、ダイシングにより切断される
領域にはレジストパターンが形成されずに導電層が除去
される。その結果、ダイシングにより切断される領域を
ダイシングする際に導電層の切り屑が飛散することを防
止することができる。

【００３６】さらに好ましくは、露光工程における所定
の処理として、最外周に位置するチップ形成領域よりも
外側の領域に対してはパターンの形成されていないダミ
ーのレチクルを用いて露光が行われる。

【００３７】これにより、最外周に位置するチップ形成
領域よりも外側の領域では導電層は残らなくなる。その
結果、ダイシングにより切断される領域をダイシングす
る際に導電層の切り屑が飛散することを確実に防止する
ことができる。

【００３８】好ましくは、露光工程における所定の処理
として、ダイシングにより切断されるべき領域を確保す
るために必要とされるパターン幅を有する外周ダイシン
グラインパターン領域が外縁に沿って形成されたレチク
ルを所定のレチクルとして用い、そのレチクルを用いて
順次露光する際に、一の露光と、その一の露光の次に行
われる露光において外周ダイシングラインパターン領域
が少なくとも部分的に平面的に重なり合う位置にて露光
される。

【００３９】これにより、複数のチップ形成領域を所定
の間隔を隔てて配置することができるとともに、最外周
に位置するチップ形成領域よりも外側の領域において設
けられるダイシングにより切断される領域に外周ダイシ
ングラインパターン領域に対応する領域が形成される。
この対応する領域では導電層はエッチングにより除去さ
れ、しかも、この対応する領域がダイシングにより切断
されるべき領域を確保するために必要とされる幅を有す
ることで、ダイシングにより切断される領域としてこの
対応する領域をダイシングする際に導電層の切り屑が飛
散することはない。

【００４０】また好ましくは、露光工程では、レチクル
において外周ダイシングラインパターン領域は実質的に
同じ幅を有して形成され、一の露光と、その一の露光の
次に行われる露光において外周ダイシングラインパター
ン領域が平面的に略完全に重なり合う位置にて露光され
る。

【００４１】この場合には、外周ダイシングラインパタ
ーン領域に対応する領域としてより幅の広い領域を確保
することができ、ダイシングにより切断される領域とし
てこの対応する領域をダイシングする際に導電層の切り
屑が飛散することをより確実防止することができる。

【００４２】さらに好ましくは、その外周ダイシングラ
インパターン領域では実質的なパターンは形成されてい
ない。

【００４３】これにより、たとえば導電層からなるアラ
イメントマークなどのマーク類のパターンも形成されな
いので、ダイシングの際にそのようなパターンの切り屑
が飛散するようなことはなくなる。

【００４４】本発明の他の局面におけるレチクルは写真
製版に用いられるレチクルであって、外縁に沿って形成
され、１回の露光によりダイシングにより切断される領
域を確保するために必要とされるパターン幅が得られる
外周ダイシングラインパターン領域を備えている。

【００４５】このレチクルは、本発明の半導体装置の製
造方法に用いられるレチクルである。この構造によれ
ば、上述したように、ダイシングにより切断される領域
には導電層は残らないので、ダイシングする際に導電層
の切り屑が飛散することはなくなる。

【００４６】好ましくは、半導体装置を形成するための
複数のチップパターン領域を備え、複数のチップパター
ン領域は互いにダイシングラインパターン領域によって
区切られ、ダイシングラインパターン領域の幅と外周ダ
イシングラインパターン領域の幅とは実質的に同じ幅で
ある。

【００４７】これにより、上述したように、ダイシング
により切断される領域の幅が広がって、ダイシングする
際に導電層の切り屑が飛散するのをより確実に防止する
ことができる。

【００４８】本発明のさらに他の局面におけるウェハの
第１のものは、半導体装置を形成するための複数のチッ
プ形成領域とダイシングにより切断される領域とを備え
ている。複数のチップ形成領域はウェハ表面に形成さ
れ、ダイシングライン領域によって互いに区切られてい
る。ダイシングにより切断される領域は、複数のチップ
形成領域のうち最外周に位置するチップ形成領域よりも
外側の領域において形成されている。そして、少なくと
もそのダイシングにより切断される領域には実質的な導
電領域は設けられておらず実質的に絶縁層のみが位置し
ている。

【００４９】このウェハは、本発明の半導体装置の製造
方法によって得られるウェハである。この構造によれ
ば、ダイシングにより切断される領域には実質的な導電
領域は設けられていない。その結果、この領域をダイシ
ングする際に導電領域の切り屑が飛散することはなく、
ワイヤボンディングの際にワイヤ同士が電気的に短絡す
るのを防止することができる。

【００５０】好ましくは、最外周に位置するチップ形成
領域よりも外側の領域には実質的に絶縁層のみが位置し
ている。

【００５１】これにより、ダイシングにより切断される
領域をダイシングする際に導電領域の切り屑が飛散する
のを確実に防止することができる。

【００５２】本発明のさらに他の局面におけるウェハの
第２のものは、半導体装置を形成するための複数のチッ
プ形成領域と複数のパッド電極と導電領域とを備えてい
る。半導体装置を形成するための複数のチップ形成領域
はウェハ表面に形成され、ダイシングライン領域によっ
て互いに区切られている。複数のパッド電極はチップ形
成領域に形成され、所定の間隔を隔てて配置されてい
る。導電領域はダイシングライン領域に形成されてい
る。そして、その導電領域の大きさは所定の間隔よりも
小さい。

【００５３】この構造によれば、複数のチップ形成領域
間に設けられたダイシングライン領域をダイシングする
際に、そのダイシングライン領域に設けられた導電領域
の切り屑が飛散することになるが、その導電領域の大き
さがパッド電極間の間隔よりも短いことで、その切り屑
によって隣合うパッド電極にボンディングされるワイヤ
同士が電気的に短絡されることを防止することができ
る。

【００５４】

【発明の実施の形態】実施の形態１ 本発明に実施の形態１に係る半導体装置の製造方法と、
その製造方法によって得られるウェハについて説明す
る。この方法では、金属配線層の写真製版においてネガ
レジストを用いる。ここで説明する各工程の断面構造
は、図６に示す断面線Ｖ−Ｖに対応する断面構造を示
す。

【００５５】まず、図１に示すように、シリコン基板
（ウェハ）１上に、たとえばＣＶＤ法により層間絶縁膜
１０を形成する。その層間絶縁膜１０にシリコン基板１
の表面を露出するコンタクトホール１０ａを形成する。
そのコンタクトホール１０ａにプラグ１４を形成する。
層間絶縁膜１０上に、たとえばスパッタ法によりアルミ
ニウムなどの第１導電層１１を形成する。その第１導電
層１１上にレジストとしてネガレジスト１７を塗布形成
する。

【００５６】次に、図２に示すように、第１導電層１１
をパターニングするための所定のレチクル２０を用い
て、順次露光光をネガレジスト１７に照射（ショット）
する。ネガレジスト１７では、露光光が照射された領域
がレジストパターンとして残される。

【００５７】チップ形成領域が部分的にしか確保できな
いウェハ外周領域Ｐでは写真製版処理は行われない。す
なわち、ウェハ外周領域Ｐでは露光光はネガレジスト１
７に照射されない。なお、レチクルとシリコン基板１と
の間には、特に示されていないが露光装置のレンズ（光
学系）が配設されている。

【００５８】その後、図３に示すように、現像処理を施
すことによりネガレジストパターン１７ａを形成する。
そのレジストパターン１７ａをマスクとして第１導電層
１１に異方性エッチングを施すことにより、第１金属配
線層１１ａを形成する。このとき、ウェハ外周領域Ｐで
はレジストパターンは形成されていないため、第１導電
層１１にエッチングが施されて第１導電層１１は残らな
いことになる。

【００５９】次に、図４に示すように、第１金属配線層
１１ａを覆うように層間絶縁膜１０上にさらに層間絶縁
膜１２を形成する。その層間絶縁膜１２に第１金属配線
層１１ａの表面を露出するコンタクトホール１２ａを形
成する。そのコンタクトホール１２ａにプラグ１５を形
成する。層間絶縁膜１２上に、たとえばスパッタ法によ
りアルミニウムなどの第２導電層１３を形成する。

【００６０】その第２導電層１３についても、第１導電
層１１の場合と同様に、ネガレジストを用いて写真製版
処理を施すことにより、図５に示すように、第２金属配
線層１３ａを形成する。この工程においても、ネガレジ
ストを用いることで、ウェハ外周領域Ｐではエッチング
が施されて第２導電層１３は残らないことになる。この
ようにして、図６に示すように、ウェハ１にチップ形成
領域２とダイシング領域とが形成される。

【００６１】なお、図６に示すように、ウェハ１には結
晶軸の方向を示すためのノッチ１ａが設けられている。
また、ウェハ１にはウェハを識別するためのウェハ認識
用印字３が印されている。

【００６２】上述した製造方法によれば、たとえばレチ
クル２０として図２９に示すような従来のレチクル１２
０を用いた場合のように、図６に示すＸ方向の最後のチ
ップ形成領域２ａと外周領域Ｐとの間に形成されるレチ
クル１２０の外周ダイシングラインパターン領域１２３
ａに対応する領域Ｄ１の幅がダイシングには十分な幅を
有さず、実質的にウェハ外周領域Ｐをダイシングしなけ
ればならないような場合であっても、ダイシングにより
切断される領域には第１および第２導電層１１、１３は
残されていないため、ダイシングの際に第１および第２
導電層１１、１３の切り屑が飛散することはない。

【００６３】このことについて、もう少し詳しく説明す
る。上述したように、チップ形成領域２ａより外側のウ
ェハ外周領域Ｐでは露光光が照射されないため、ネガレ
ジストを用いることでウェハ外周領域Ｐにはネガレジス
トが残らないことになる。このため、図５に示すよう
に、ウェハ外周領域Ｐではエッチングが施されて第１導
電層１１または第２導電層１３は残らないことになる。
なお、図６に示すＹ方向の最後のチップ形成領域２ｂと
外周領域Ｐについても同様である。

【００６４】これにより、ダイシングにより切断される
領域として矢印１６に示すようにウェハ外周領域Ｐもダ
イシングしなければならない場合であっても、外周領域
Ｐには第１導電層１１および第２導電層１３が残ってい
ないので、ダイシングの際に第１導電層１１および第２
導電層１３の切り屑が飛散することはない。

【００６５】その結果、アセンブリ工程におけるワイヤ
ボンディングの際に、飛散した第１および第２金属配線
層１１、１３の切り屑によりワイヤ同士が電気的に短絡
して動作不良を起したり、不良チップが発生するのを防
止することができる。

【００６６】実施の形態２ 実施の形態２では、露光工程においてダイシングライン
に対応する領域を二重露光する方法を含む半導体装置の
製造方法の一例について説明する。まず、この方法に用
いられるレチクルについて説明する。図７に示すよう
に、レチクル２０には、複数のチップパターン領域１８
が設けられ、ダイシングラインパターン領域２１ａ、２
１ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂによって区切ら
れている。

【００６７】これらのダイシングラインパターン領域の
うち、レチクル２０の最外周に位置する外周ダイシング
ラインパターン領域２３ａの幅はＲＸｄに、外周ダイシ
ングラインパターン領域２３ｂの幅はＲＹｄに、外周ダ
イシングラインパターン領域２４ａの幅はＲＹａに、外
周ダイシングラインパターン領域２４ｂの幅はＲＸａに
それぞれ設定されている。

【００６８】また、チップパターン領域１８間に位置す
るダイシングラインパターン領域２１ａの幅はＲＸｂ
に、ダイシングラインパターン領域２１ｂの幅はＲＹｂ
にそれぞれ設定されている。

【００６９】特に、このレチクル２０においては、ダイ
シングラインパターン領域２１ａ、２１ｂを含め、外周
ダイシングラインパターン領域２３ａ、２３ｂ、２４
ａ、２４ｂの幅も、ウェハに転写した際に形成される領
域の幅がダイシングに十分な幅（数十μｍ以上、たとえ
ば６０μｍ程度）を有するように設定されている。

【００７０】さらに、このレチクル２０では、上記各幅
について以下の関係が成り立つように設定されている。

【００７１】 ＲＸｂ＜ＲＸａ＋ＲＸｄ、ＲＸｂ≧ＲＸａ、ＲＸｄ ＲＹｂ＜ＲＹａ＋ＲＹｄ、ＲＹｂ≧ＲＹａ、ＲＹｄ 次に、このレチクル２０を用いた半導体装置の製造方法
について説明する。まず図８に示すように、シリコン基
板１上に層間絶縁膜２５を形成する。その層間絶縁膜２
５上に、たとえばスパッタ法により配線層を形成するた
めの導電層２６を形成する。その導電層２６上にポジ型
のレジスト２７を塗布形成する。

【００７２】次に、露光装置に装着されたレチクル２０
を介してウェハ上に形成されたレジスト２７に露光光を
順次照射（ショット）する。このとき、図９に示すよう
に、一のショットとその次のショット（たとえばＸ方
向）において、次のショットにおけるレチクル２０の外
周ダイシングラインパターン領域２４ｂが、一のショッ
トにおけるレチクル２０の外周ダイシングラインパター
ン領域２３ａの一部に平面的に重なる所定の位置関係の
もとで露光が順次行われる。

【００７３】具体的には、まず、一のショットにおい
て、レチクル２０に形成された幅ＲＸｄを有する外周ダ
イシングラインパターン領域２３ａによって、ウェハに
は幅Ｘｄを有する領域が形成（転写）される。

【００７４】次のショットにおいて、レチクル２０に形
成された幅ＲＸａを有する外周ダイシングラインパター
ン領域２４ａによって、ウェハには幅Ｘａを有する領域
が形成（転写）される。

【００７５】また、レチクル２０に形成された幅ＲＸｂ
を有するダイシングラインパターン領域２１ａによっ
て、ウェハには幅Ｘｂを有する領域が形成（転写）され
る（図示せず）。

【００７６】このとき、ウェハ（シリコン基板１）に対
するレチクル２０の相対的な位置関係として、一のショ
ットにおいてレチクル２０に形成されたチップパターン
領域１８ａによりウェハに形成（転写）されるチップ形
成領域と、次のショットにおいてレチクル２０に形成さ
れたチップパターン領域１８ｂによりウェハに形成（転
写）されるチップ形成領域との間隔が、レチクル２０に
形成されたダイシングラインパターン領域２１ａにより
ウェハに形成（転写）される領域の幅Ｘｂと実質的に同
じになる位置関係のもとで露光光が照射される。

【００７７】一方、外周ダイシングラインパターン領域
２３ａの幅ＲＸｄと外周ダイシングラインパターン領域
２４ａの幅ＲＸａとを合わせた長さは、上記式に示すよ
うに、ダイシングラインパターン領域２１ａの幅ＲＸｂ
よりも長い。このため、上記位置関係を得るには、図９
に示すように、外周ダイシングラインパターン領域２４
ｂが外周ダイシングラインパターン領域２３ａの一部に
平面的に重なる位置関係に設定する必要がある。この説
明ではＸ方向について行ったが、Ｙ方向についても同様
である。

【００７８】このようなウェハに対するレチクルの位置
関係のもとで、露光光がウェハに形成されたレジストに
順次照射されて、図１０に示すように、ウェハにはチッ
プ形成領域２とダイシングライン領域とが形成される。
図１０に示す領域２２は、一のショットと次のショット
とにおいてそれぞれ露光光を照射する際に、外周ダイシ
ングラインパターン領域の一部が平面的に重なる位置関
係のもとで照射することで露光光が２回照射（２重露
光）された領域を示す。

【００７９】露光光が照射された部分は、ポジ型レジス
ト２７のためレジストは残らないことになる。したがっ
て、現像処理により、図１１に示すように、幅Ｘｂを有
する領域Ｄに対応する部分のレジストが除去されてレジ
ストパターン２７ａが形成される。そのレジストパター
ン２７ａをマスクとして導電層２６にエッチングを施す
ことにより、配線層２６ａを形成する。その後、レジス
トパターン２７ａを除去する。

【００８０】次に、図１２に示すように、配線層２６ａ
を覆うように、たとえばＣＶＤ法により層間絶縁膜２８
を形成する。このようにして半導体装置が形成される。

【００８１】上述した半導体装置の製造方法では、ま
ず、一のショットにおいてチップパターン領域１８ａに
よりウェハに形成されるチップ形成領域と、次のショッ
トにおいてチップパターン領域１８ｂによりウェハに形
成されるチップ形成領域との間隔が、ダイシングライン
パターン領域２１ａによりウェハに形成される領域の幅
Ｘｂと実質的に同じになる位置関係のもとで露光光が照
射される。

【００８２】これにより、図１２に示すように、一のシ
ョットにおいてチップパターン領域１８ａによりウェハ
に形成されるチップ形成領域と、次のショットにおいて
チップパターン領域１８ｂによりウェハに形成されるチ
ップ形成領域との間の領域Ｄには導電層２６は残らな
い。したがって、両チップ形成領域をダイシングする際
に導電層２６の切り屑が飛散することはない。

【００８３】そして、上述したように、図７に示された
レチクル２０に形成される外周ダイシングラインパター
ン領域２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂのそれぞれの幅
ＲＸｄ、ＲＹｄ、ＲＹａ、ＲＸａは、ウェハに外周ダイ
シングラインパターン領域を転写した際に形成（パター
ニング）される領域の幅がダイシングに十分な幅（数十
μｍ以上）を有するように設定されている。

【００８４】これにより、たとえば、図６に示される最
外周に位置するＸ方向の最後のチップ形成領域２ａとウ
ェハ外周領域Ｐとの間には、図１３に示すように、外周
ダイシングラインパターン領域２３ａに対応する領域Ｄ
１が形成（パターニング）されることになる。

【００８５】そして、チップ形成領域２ａよりも外側の
領域に設けられるダイシングにより切断される領域には
領域Ｄ１が位置することになる。この領域Ｄ１はダイシ
ングに十分な幅（数十μｍ以上）を有しており、しかも
この領域Ｄ１には導電層は残されていない。したがっ
て、ダイシングにより切断される領域をダイシングする
際に導電層の切り屑が飛散することはない。

【００８６】以上の結果、ワイヤボンディングの際に、
飛散した導電層の切り屑によりワイヤ同士が電気的に短
絡して動作不良を起したり、不良チップが発生するのを
防止することができる。

【００８７】なお、上述した製造方法では、図１０に示
すように二重露光される領域２２が存在するが、この領
域には、パターンとして比較的寸法サイズの大きなパタ
ーンを配置させておくことで、二重露光に伴うパターン
形成の不具合を回避することができる。

【００８８】実施の形態３ 実施の形態３では、露光工程においてダイシングライン
に対応する領域を二重露光する方法を含む半導体装置の
製造方法の他の例について説明する。まず、この方法に
用いられるレチクルについて説明する。

【００８９】図１４に示すように、レチクル３０には、
複数のチップパターン領域１８が設けられ、ダイシング
ラインパターン領域３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ、
３３ａ、３３ｂによって区切られている。そして、Ｘ方
向に延びるダイシングラインパターン領域の幅はすべて
一定の幅に設定され、Ｙ方向に延びるダイシングライン
パターン領域の幅もすべて一定の幅に設定されている。

【００９０】具体的には、ダイシングラインパターン領
域のうち、レチクル３０の最外周に位置する外周ダイシ
ングラインパターン領域３１ａの幅、外周ダイシングラ
インパターン領域３２ｂの幅およびチップパターン領域
１８間に位置するダイシングラインパターン領域３３ａ
の幅はそれぞれ幅ＲＸｂに設定されている。

【００９１】外周ダイシングラインパターン領域３１ｂ
の幅、外周ダイシングラインパターン領域３２ａの幅お
よびチップパターン領域１８間に位置するダイシングラ
インパターン領域３３ｂの幅はそれぞれ幅ＲＹｂに設定
されている。

【００９２】各幅ＲＹｂ、ＲＸｂはウェハに転写した際
に形成される領域の幅がダイシングに十分な幅（数十μ
ｍ以上、たとえば６０μｍ程度）を有するように設定さ
れている。

【００９３】また、外周ダイシングラインパターン領域
３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂには、アライメントマ
ークなどのマーク類やＴＥＧ等の実質的なパターンは配
置されていない。

【００９４】次に、このレチクル３０を用いた半導体装
置の製造方法について説明する。まず図１５に示すよう
に、シリコン基板１上に層間絶縁膜２５を形成する。そ
の層間絶縁膜２５上に、たとえばスパッタ法により配線
層を形成するための導電層２６を形成する。その導電層
２６上にポジ型のレジスト２７を塗布形成する。

【００９５】次に、露光装置に装着されたレチクル３０
を介してウェハ上に形成されたレジスト２７に露光光を
順次照射（ショット）する。このとき、図１６に示すよ
うに、一のショットとその次のショット（たとえばＸ方
向）において、次のショットにおけるレチクル３０の外
周ダイシングラインパターン領域３２ｂが、一のショッ
トにおけるレチクル３０の外周ダイシングラインパター
ン領域３１ａの全体に平面的に重なる所定の位置関係の
もとで露光が順次行われる。

【００９６】具体的には、まず、一のショットにおい
て、レチクル３０に形成された幅ＲＸｂを有する外周ダ
イシングラインパターン領域３１ａによって、ウェハに
は幅Ｘｂを有する領域が形成（転写）される。

【００９７】次のショットにおいて、レチクル３０に形
成された幅ＲＸｂを有する外周ダイシングラインパター
ン領域３２ｂによって、ウェハには幅Ｘｂを有する領域
が形成（転写）される。

【００９８】また、レチクル３０に形成された幅ＲＸｂ
を有するダイシングラインパターン領域３３ａによっ
て、ウェハには幅Ｘｂを有する領域が形成（転写）され
る（図示せず）。

【００９９】このとき、ウェハ（シリコン基板１）に対
するレチクル２０の相対的な位置関係として、一のショ
ットにおいてレチクル３０に形成されたチップパターン
領域１８ａによりウェハに形成されるチップ形成領域
と、次のショットにおいてレチクル３０に形成されたチ
ップパターン領域１８ｂによりウェハに形成されるチッ
プ形成領域との間隔が、レチクル２０に形成されたダイ
シングラインパターン領域３３ａによりウェハに形成さ
れるダイシングライン領域の幅Ｘｂと実質的に同じにな
る位置関係のもとで露光光が照射される。

【０１００】一方、外周ダイシングラインパターン領域
３１ａの幅および外周ダイシングラインパターン領域３
２ｂの幅はともに幅ＲＸｂであり、ダイシングラインパ
ターン領域３３ａの幅ＲＸｂと実質的に同じである。し
たがって、上記位置関係を得るには、図１６に示すよう
に、外周ダイシングラインパターン領域３２ｂが外周ダ
イシングラインパターン領域３１ａの全体に平面的に重
なる位置関係に設定する必要がある。この説明ではＸ方
向について行ったが、Ｙ方向についても同様である。

【０１０１】このようにして、露光光がウェハに形成さ
れたレジストに順次照射されて、図１７に示すように、
ウェハにはチップ形成領域２とダイシングライン領域と
が形成される。図１７に示す領域２２は、一のショット
と次のショットとにおいてそれぞれ露光光を照射する際
に、外周ダイシングラインパターン領域の全体が平面的
に重なる位置関係のもとで照射することで露光光が２回
照射（２重露光）された領域を示す。

【０１０２】露光光が照射された部分は、ポジ型レジス
ト２７のためレジストは残らないことになる。したがっ
て、現像処理により、図１８に示すように、幅Ｘｂを有
する領域Ｄに対応する部分のレジストが除去されてレジ
ストパターン２７ａが形成される。そのレジストパター
ン２７ａをマスクとして導電層２６にエッチングを施す
ことにより、配線層２６ａを形成する。その後、レジス
トパターン２７ａを除去する。

【０１０３】次に、図１９に示すように、配線層２６ａ
を覆うように、たとえばＣＶＤ法により層間絶縁膜２８
を形成する。このようにして半導体装置が形成される。

【０１０４】上述した半導体装置の製造方法では、図１
６および図１９に示すように、一のショットにおいてチ
ップパターン領域１８ａによりウェハに形成されるチッ
プ形成領域と、次のショットにおいてチップパターン領
域１８ｂによりウェハに形成されるチップ形成領域との
間の領域Ｄには導電層２６は残らない。したがって、両
チップ形成領域をダイシングする際に導電層２６の切り
屑が飛散することはない。

【０１０５】そして、上述したように、図１４に示され
たレチクル３０に形成されたＸ方向に延びるダイシング
ラインパターン領域の幅はすべて一定の幅ＲＹｂに設定
され、Ｙ方向に延びるダイシングラインパターン領域の
幅もすべて一定の幅ＲＸｂに設定されている。そして、
これらの幅ＲＸｂ、ＲＹｂは、ウェハにダイシングライ
ンパターン領域を転写した際に形成（パターニング）さ
れる領域の幅がダイシングに十分な幅（数十μｍ以上）
を有するように設定されている。

【０１０６】これにより、たとえば、図６に示される最
外周に位置するＸ方向の最後のチップ形成領域とウェハ
外周領域Ｐとの間には、図２０に示すように、外周ダイ
シングラインパターン領域３１ａに対応する領域Ｄ１が
形成（パターニング）されることになる。

【０１０７】そして、チップ形成領域２ａよりも外側の
領域に設けられるダイシングにより切断される領域には
領域Ｄ１が位置することになる。この領域Ｄ１はダイシ
ングに十分な幅（数十μｍ以上）を有しており、しかも
この領域Ｄ１には導電層は残されていない。したがっ
て、ダイシングにより切断される領域をダイシングする
際に導電層の切り屑が飛散することはない。

【０１０８】以上の結果、ワイヤボンディングの際に、
飛散した導電層の切り屑によりワイヤ同士が電気的に短
絡して動作不良を起したり、不良チップが発生するのを
防止することができる。

【０１０９】また、外周ダイシングラインパターン領域
３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂには、アライメントマ
ークなどのマーク類やＴＥＧ等は配置されていないの
で、この部分が二重露光されることに伴う不具合は生じ
ない。

【０１１０】実施の形態４ 実施の形態４では、露光工程において、チップ形成領域
とウェハ外周領域との間の領域に露光光のスポット光を
照射する。

【０１１１】まず、実施の形態２において説明した図８
に示す工程の後、たとえば従来のレチクルを用いて、ウ
ェハに順次露光光を照射する。その後、露光装置の光源
のスポット光をウェハに照射できるように、露光装置に
設けられたレンズ等の光学系を調整する。そして、図２
１に示すように、最外周に位置するチップ形成領域２と
そのチップ形成領域２よりも外側に位置するウェハ外周
領域Ｐとの境界部分に沿ってスポット光を照射して、ダ
イシングにより切断される領域３５となる部分を露光す
る。

【０１１２】スポット光のサイズとしては、ダイシング
により切断される領域３５の幅がダイシングに十分な幅
を有するようなサイズに設定されることが必要である。
露光光のスポット光が照射された部分は、ポジ型レジス
ト２７のためレジストは残らないことになる。

【０１１３】これにより、現像処理により、図２２に示
すように、ダイシングにより切断される領域３５に対応
する部分のレジストが除去されてレジストパターン２７
ａが形成される。そのレジストパターン２７ａをマスク
として導電層２６にエッチングを施すことにより、配線
層２６ａを形成する。その後、レジストパターン２７ａ
を除去する。

【０１１４】次に、図２３に示すように、配線層２６ａ
を覆うように、たとえばＣＶＤ法により層間絶縁膜２８
を形成する。このようにして半導体装置が形成される。
なお、図２２および図２３は、図２１に示す断面線ＸＸ
ＩＩ−ＸＸＩＩに対応する断面構造を工程ごとに示すも
のである。

【０１１５】上述した半導体装置の製造方法では、最外
周に位置するチップ形成領域２とウェハ外周領域Ｐとの
境界部分に沿って照射されるスポット光により、ダイシ
ングにより切断される領域３５となる部分が露光され
る。しかも、スポット光のサイズとしては、ダイシング
により切断される領域３５の幅がダイシングに十分な幅
を有するようなサイズに設定されている。

【０１１６】これにより、図２１に示すように、ウェハ
にはダイシングに十分な幅を有する領域３５が形成され
る。しかもダイシングにより切断される領域３５には導
電層２６は残されていない。これによりこの領域３５を
ダイシングする際に導電層２６の切り屑が飛散すること
はない。

【０１１７】その結果、ワイヤボンディングの際に、飛
散した導電層の切り屑によりワイヤ同士が電気的に短絡
して動作不良を起したり、不良チップが発生するのを防
止することができる。

【０１１８】実施の形態５ 実施の形態５では、ウェハ外周領域に対して専用のレチ
クルを適用した半導体装置の製造方法について説明す
る。

【０１１９】まず、実施の形態２において説明した図８
に示す工程の後、図２４に示すように、レチクル４０と
して、たとえば従来のレチクル、あるいは実施の形態２
または３において説明したレチクルを用いて、ウェハに
順次露光光を照射する。

【０１２０】次に、レチクル４０と同サイズのダミーレ
チクル４１を露光装置に装着する。そして、図２４およ
び図２５に示すように、ダミーレチクル４１を介して、
ウェハ外周領域Ｐに露光光を照射する。なお、図２５は
ウェハに形成されたチップ形成領域２に対する、ダミー
レチクル４１による転写領域（ダミーショット）４の相
対的な位置関係を示す。

【０１２１】ダミーレチクル４１には特にパターンは形
成されていない。このため、ウェハ外周領域Ｐに位置す
るレジスト２７の全域に露光光が照射されることにな
る。露光光が照射された部分は、ポジ型レジスト２７の
ためレジストは残らないことになる。

【０１２２】これにより、現像処理により、図２６に示
すように、レチクル４０の外周ダイシングラインパター
ン領域に対応する領域Ｄ１およびウェハ外周領域Ｐに対
応する部分のレジストが除去されてレジストパターン２
７ａが形成される。そのレジストパターン２７ａをマス
クとして導電層２６にエッチングを施すことにより、配
線層２６ａを形成する。その後、レジストパターン２７
ａを除去する。

【０１２３】次に、図２７に示すように、配線層２６ａ
を覆うように、たとえばＣＶＤ法により層間絶縁膜２８
を形成する。このようにして半導体装置が形成される。
なお、図２４、２６、２７は、図２５に示す断面線ＸＸ
ＩＶ−ＸＸＩＶに対応する断面構造を工程ごとに示すも
のである。

【０１２４】上述した半導体装置の製造方法によれば、
ウェハ外周領域に対して、パターンの形成されていない
ダミーレチクルを用いて転写することにより、最外周に
位置するチップ形成領域２よりも外側の領域（領域Ｄ１
およびウェハ外周領域Ｐ）では導電層２６が残らないこ
とになる。

【０１２５】これにより、最外周に位置するチップ形成
領域２よりも外側の領域において設けられるダイシング
により切断される領域には導電層２６は残されていな
い。したがって、ダイシングにより切断される領域をダ
イシングする際に導電層２６の切り屑が飛散することは
ない。

【０１２６】その結果、ワイヤボンディングの際に、飛
散した導電層の切り屑によりワイヤ同士が電気的に短絡
して動作不良を起したり、不良チップが発生するのを防
止することができる。

【０１２７】実施の形態６ 実施の形態６では、たとえばアライメントマークなどの
マーク類のようにダイシングライン領域に配置されるパ
ターンのサイズが制限された半導体装置について説明す
る。

【０１２８】図２８は、ウェハに形成されたチップ形成
領域２の一つを示した図である。図２８に示すように、
チップ形成領域２にはチップから信号を取出すために、
たとえばアルミニウムからなるパッド電極４５が複数配
設されている。そして、隣合うパッド電極４５に間隔Ｗ
に対して、ダイシングライン領域Ｄに形成されるアライ
メントマークやＴＥＧ類などのパターン４６の大きさは
間隔Ｗよりも小さく設定されている。

【０１２９】アセンブリ工程では、ダイシングライン領
域Ｄをダイシングすることでウェハに形成された各チッ
プ形成領域２が切り離される。一般的に、ダイシングラ
イン領域Ｄをダイシングする際にダイシングライン領域
Ｄに配設されたアライメントマーク等のパターン４６も
ダイシングされて切り屑が飛散する。このようなパター
ン４６は導電性材料から形成されるため、ワイヤボンデ
ィング工程においてパッド電極４５にワイヤをボンディ
ングする際にワイヤ同士が飛散した導電性材料の切り屑
によって電気的に短絡することがある。

【０１３０】この半導体装置では、パターン４６が隣接
するパターン４６間の間隔Ｗよりも小さくなるように形
成されている。これにより、ダイシングの際にパターン
４６の切り屑が飛散しても、その切り屑の大きさは間隔
Ｗよりも小さい。その結果、隣合うパッド電極４５にそ
れぞれボンディングされたワイヤ同士が切り屑によって
電気的に短絡することはなく、動作不良や不良チップの
発生を防止することができる。

【０１３１】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって、制限的なものではないと考えられるべき
である。本発明は上記の説明ではなくて特許請求の範囲
によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範
囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【０１３２】

【発明の効果】本発明の一つの局面における半導体装置
の製造方法によれば、露光工程において、最外周に位置
するチップ形成領域よりも外側の領域において設けられ
るダイシングにより切断される領域に対してレジストが
残らないように所定の処理が施される。これにより、導
電層にエッチングを施すことで導電領域を形成する際に
ダイシングにより切断される領域では導電層が除去され
る。その結果、ダイシングにより切断される領域をダイ
シングする際に導電層の切り屑が飛散することはなくな
り、アセンブリ工程におけるワイヤボンディングの際に
ワイヤ同士が電気的に短絡することを抑制することがで
きる。

【０１３３】好ましくは、レジスト塗布工程ではレジス
トとしてネガレジストが用いられ、露光工程における所
定の処理として、最外周に位置するチップ形成領域より
も外側の領域には露光光は照射されないことにより、最
外周に位置するチップ形成領域よりも外側の領域では導
電層は残らなくなる。その結果、ダイシングにより切断
される領域をダイシングする際に導電層の切り屑が飛散
することを確実に防止することができる。

【０１３４】また好ましくは、露光工程における所定の
処理として、複数のチップ形成領域に位置するレジスト
に露光光が順次照射された後に、最外周に位置するチッ
プ形成領域とその最外周に位置するチップ形成領域の外
側の領域との境界に沿って露光光のスポットが照射され
ることにより、ダイシングにより切断される領域にはレ
ジストパターンが形成されずに導電層が除去される。そ
の結果、ダイシングにより切断される領域をダイシング
する際に導電層の切り屑が飛散することを防止すること
ができる。

【０１３５】さらに好ましくは、露光工程における所定
の処理として、最外周に位置するチップ形成領域よりも
外側の領域に対してはパターンの形成されていないダミ
ーのレチクルを用いて露光が行われることにより、最外
周に位置するチップ形成領域よりも外側の領域では導電
層は残らなくなる。その結果、ダイシングにより切断さ
れる領域をダイシングする際に導電層の切り屑が飛散す
ることを確実に防止することができる。

【０１３６】好ましくは、露光工程における所定の処理
として、ダイシングにより切断されるべき領域を確保す
るために必要とされるパターン幅を有する外周ダイシン
グラインパターン領域が外縁に沿って形成されたレチク
ルを所定のレチクルとして用い、そのレチクルを用いて
順次露光する際に、一の露光と、その一の露光の次に行
われる露光において外周ダイシングラインパターン領域
が少なくとも部分的に平面的に重なり合う位置にて露光
されることにより、複数のチップ形成領域を所定の間隔
を隔てて配置することができるとともに、最外周に位置
するチップ形成領域よりも外側の領域において設けられ
るダイシングにより切断される領域に外周ダイシングラ
インパターン領域に対応する領域が形成される。この対
応する領域では導電層はエッチングにより除去され、し
かも、この対応する領域がダイシングにより切断される
べき領域を確保するために必要とされる幅を有すること
で、ダイシングにより切断される領域としてこの対応す
る領域をダイシングする際に導電層の切り屑が飛散する
ことはない。

【０１３７】また好ましくは、露光工程では、レチクル
において外周ダイシングラインパターン領域は実質的に
同じ幅を有して形成され、一の露光と、その一の露光の
次に行われる露光において外周ダイシングラインパター
ン領域が平面的に略完全に重なり合う位置にて露光され
ることで、この場合には、外周ダイシングラインパター
ン領域に対応する領域としてより幅の広い領域を確保す
ることができ、ダイシングにより切断される領域として
この対応する領域をダイシングする際に導電層の切り屑
が飛散することをより確実防止することができる。

【０１３８】さらに好ましくは、その外周ダイシングラ
インパターン領域では実質的なパターンは形成されてい
ないことにより、たとえば導電層からなるアライメント
マークなどのマーク類のパターンも形成されないので、
ダイシングの際にそのようなパターンの切り屑が飛散す
るようなことはなくなる。

【０１３９】本発明の他の局面におけるレチクルは、本
発明の半導体装置の製造方法に用いられるレチクルであ
る。この構造によれば、上述したように、ダイシングに
より切断される領域には導電層は残らないので、ダイシ
ングする際に導電層の切り屑が飛散することはなくな
る。

【０１４０】好ましくは、半導体装置を形成するための
複数のチップパターン領域を備え、複数のチップパター
ン領域は互いにダイシングラインパターン領域によって
区切られ、ダイシングラインパターン領域の幅と外周ダ
イシングラインパターン領域の幅とは実質的に同じ幅で
あることにより、上述したように、ダイシングにより切
断される領域の幅が広がって、ダイシングする際に導電
層の切り屑が飛散するのをより確実に防止することがで
きる。

【０１４１】本発明のさらに他の局面におけるウェハの
第１のものは、本発明の半導体装置の製造方法によって
得られるウェハである。この構造によれば、ダイシング
により切断される領域には実質的な導電領域は設けられ
ていない。その結果、この領域をダイシングする際に導
電領域の切り屑が飛散することはなく、ワイヤボンディ
ングの際にワイヤ同士が電気的に短絡するのを防止する
ことができる。

【０１４２】好ましくは、最外周に位置するチップ形成
領域よりも外側の領域には実質的に絶縁層のみが位置し
ていることにより、ダイシングにより切断される領域を
ダイシングする際に導電領域の切り屑が飛散するのを確
実に防止することができる。

【０１４３】本発明のさらに他の局面におけるウェハの
第２のものによれば、複数のチップ形成領域間に設けら
れたダイシングライン領域をダイシングする際に、その
ダイシングライン領域に設けられた導電領域の切り屑が
飛散することになるが、その導電領域の大きさがパッド
電極間の間隔よりも短いことで、その切り屑によって隣
合うパッド電極にボンディングされるワイヤ同士が電気
的に短絡されることを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法の一工程を示す、図６に示された断面線Ｖ−Ｖに
おける断面図である。

【図２】 同実施の形態において、図１に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。

【図３】 同実施の形態において、図２に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。

【図４】 同実施の形態において、図３に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。

【図５】 同実施の形態において、図４に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。

【図６】 同実施の形態において、ウェハに形成される
チップ形成領域とダイシングライン領域を示す平面図で
ある。

【図７】 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製
造方法に用いられるレチクルの一平面図である。

【図８】 同実施の形態において、半導体装置の製造方
法の一工程を示す断面図である。

【図９】 同実施の形態において、図８に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。

【図１０】 同実施の形態において、ウェハに形成され
るチップ形成領域とダイシングライン領域を示す平面図
である。

【図１１】 同実施の形態において、図９に示す工程の
後に行われる工程を示す断面図である。

【図１２】 同実施の形態において、図１１に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図１３】 同実施の形態において、図６に示す断面線
Ｖ−Ｖに対応する断面図である。

【図１４】 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の
製造方法に用いられるレチクルの一平面図である。

【図１５】 同実施の形態において、半導体装置の製造
方法の一工程を示す断面図である。

【図１６】 同実施の形態において、図１５に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図１７】 同実施の形態において、ウェハに形成され
るチップ形成領域とダイシングライン領域を示す平面図
である。

【図１８】 同実施の形態において、図１６に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図１９】 同実施の形態において、図１８に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図２０】 同実施の形態において、図６に示す断面線
Ｖ−Ｖに対応する断面図である。

【図２１】 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の
製造方法によって形成されるウェハに形成されるチップ
形成領域とダイシングライン領域を示す平面図である。

【図２２】 同実施の形態において、半導体装置の製造
方法の一工程を示す、図２１に示された断面線ＸＸＩＩ
−ＸＸＩＩにおける断面図である。

【図２３】 同実施の形態において、図２２に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図２４】 本発明の実施の形態５に係る半導体装置の
製造方法の一工程を示す、図２５に示す断面線ＸＸＩＶ
−ＸＸＩＶにおける断面図である。

【図２５】 同実施の形態において、チップ形成領域と
ダミーレチクルによるパターンとの位置関係を示す平面
図である。

【図２６】 同実施の形態において、図２４に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図２７】 同実施の形態において、図２６に示す工程
の後に行われる工程を示す断面図である。

【図２８】 本発明の実施の形態６に係るウェハに形成
されたチップ形成領域およびダイシングライン領域を示
す一平面図である。

【図２９】 従来のレチクルを示す一平面図である。

【図３０】 図２９に示すレチクルを用いた半導体装置
の製造方法の一工程を示す平面図である。

【図３１】 図３０に示す工程の後に行われる工程を示
すウェハの平面図である。

【図３２】 図３１に示す断面線ＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩ
Ｉにおける断面図である。

【符号の説明】

１ シリコン基板（ウェハ）、１ａ ノッチ、２ チッ
プ形成領域、３ ウェハ認識用印字、４ ダミーショッ
ト、１０、１２、２５、２８ 層間絶縁膜、１１ 第１
導電層、１１ａ 第１金属配線層、１３ 第２導電層、
１３ａ 第２金属配線層、１４、１５ プラグ、１７
ネガレジスト、１７ａ レジストパターン、１８ チッ
プパターン領域、２０、３０、４０ レチクル、２３
ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ 外周ダイシングラインパ
ターン領域、２１ａ、２１ｂ ダイシングラインパター
ン領域、２２ 領域（二重露光領域）、３１ａ、３１
ｂ、３２ａ、３２ｂ 外周ダイシングラインパターン領
域、３３ａ、３３ｂ ダイシングラインパターン領域、
２６ 導電層、２６ａ 金属配線層、２７ レジスト、
３５ ダイシングライン領域、４１ ダミーレチクル、
４５ パッド電極。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板としてのウェハ上に導電層を
   形成する工程と、 前記導電層上にレジストを塗布するレジスト塗布工程
   と、 前記ウェハにおいて半導体チップをそれぞれ形成するた
   めの複数のチップ形成領域に位置する前記レジストに対
   して、所定のレチクルを介して露光光を順次照射する露
   光工程と、 前記露光工程の後前記レジストに現像処理を行うことに
   より、前記導電層をパターニングするためのレジストパ
   ターンを形成する現像工程と、 前記レジストパターンをマスクとして、前記導電層にエ
   ッチングを施すことにより導電領域を形成する工程とを
   有し、 前記露光工程は、前記複数のチップ形成領域のうち最外
   周に位置するチップ形成領域よりも外側の領域において
   設けられるダイシングにより切断される領域に対して前
   記レジストが残らないように所定の処理を施す工程を備
   えた、半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記レジスト塗布工程では、前記レジス
   トとしてネガレジストが用いられ、 前記露光工程における前記所定の処理として、前記最外
   周に位置するチップ形成領域よりも外側の領域には露光
   光は照射されない、請求項１記載の半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記露光工程における前記所定の処理と
   して、前記複数のチップ形成領域に位置する前記レジス
   トに前記露光光が順次照射された後に、前記最外周に位
   置するチップ形成領域と前記最外周に位置するチップ形
   成領域の外側の領域との境界に沿って前記露光光のスポ
   ットが照射される、請求項１記載の半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記露光工程における前記所定の処理と
   して、前記最外周に位置するチップ形成領域よりも外側
   の領域に対してはパターンの形成されていないダミーの
   レチクルを用いて露光が行われる、請求項１記載の半導
   体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記露光工程における前記所定の処理と
   して、 前記ダイシングにより切断されるべき領域を確保するた
   めに必要とされるパターン幅を有する外周ダイシングラ
   インパターン領域が外縁に沿って形成されたレチクルを
   前記所定のレチクルとして用い、 前記レチクルを用いて順次露光する際に、一の露光と、
   その一の露光の次に行われる露光において前記外周ダイ
   シングラインパターン領域が少なくとも部分的に平面的
   に重なり合う位置にて露光される、請求項１記載の半導
   体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記露光工程では、 前記レチクルにおいて、前記外周ダイシングラインパタ
   ーン領域は実質的に同じ幅を有して形成され、 一の露光と、その一の露光の次に行われる露光において
   前記外周ダイシングラインパターン領域が平面的に略完
   全に重なり合う位置にて露光される、請求項５記載の半
   導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記外周ダイシングラインパターン領域
   では実質的なパターンは形成されていない、請求項６記
   載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 写真製版に用いられるレチクルであっ
   て、 外縁に沿って形成され、１回の露光によりダイシングに
   より切断される領域を確保するために必要とされるパタ
   ーン幅が得られる外周ダイシングラインパターン領域を
   備えた、レチクル。
9. 【請求項９】 半導体装置を形成するための複数のチッ
   プパターン領域を備え、 前記複数のチップパターン領域は互いにダイシングライ
   ンパターン領域によって区切られ、 前記ダイシングラインパターン領域の幅と前記外周ダイ
   シングラインパターン領域の幅とは実質的に同じ幅であ
   る、請求項８記載のレチクル。
10. 【請求項１０】 ウェハ表面に形成され、ダイシングラ
    イン領域によって互いに区切られた半導体装置を形成す
    るための複数のチップ形成領域と、 前記複数のチップ形成領域のうち最外周に位置するチッ
    プ形成領域よりも外側の領域において形成されたダイシ
    ングにより切断される領域とを備え、 少なくとも前記ダイシングにより切断される領域には実
    質的な導電領域は設けられておらず実質的に絶縁層のみ
    が位置する、ウェハ。
11. 【請求項１１】 前記最外周に位置するチップ形成領域
    よりも外側の領域には実質的に前記絶縁層のみが位置す
    る、請求項１０記載のウェハ。
12. 【請求項１２】 ウェハ表面に形成され、ダイシングラ
    イン領域によって互いに区切られた半導体装置を形成す
    るための複数のチップ形成領域と、 前記チップ形成領域に形成され、所定の間隔を隔てて配
    置された複数のパッド電極と、 前記ダイシングライン領域に形成された導電領域とを備
    え、 前記導電領域の大きさは前記所定の間隔よりも小さい、
    ウェハ。