JP2003113478A - 無電解酸化亜鉛めっき浴 - Google Patents
無電解酸化亜鉛めっき浴Info
- Publication number
- JP2003113478A JP2003113478A JP2001312128A JP2001312128A JP2003113478A JP 2003113478 A JP2003113478 A JP 2003113478A JP 2001312128 A JP2001312128 A JP 2001312128A JP 2001312128 A JP2001312128 A JP 2001312128A JP 2003113478 A JP2003113478 A JP 2003113478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- plating bath
- hydroxyethyl
- zinc oxide
- hydroxymethyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 66
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 33
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- IHPYMWDTONKSCO-UHFFFAOYSA-N 2,2'-piperazine-1,4-diylbisethanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCN1CCN(CCS(O)(=O)=O)CC1 IHPYMWDTONKSCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BWZVCCNYKMEVEX-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-Trimethylpyridine Chemical compound CC1=CC(C)=NC(C)=C1 BWZVCCNYKMEVEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SEQKRHFRPICQDD-UHFFFAOYSA-N N-tris(hydroxymethyl)methylglycine Chemical compound OCC(CO)(CO)[NH2+]CC([O-])=O SEQKRHFRPICQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AJTVSSFTXWNIRG-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanesulfonic acid Chemical compound OCC[NH+](CCO)CCS([O-])(=O)=O AJTVSSFTXWNIRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DVLFYONBTKHTER-UHFFFAOYSA-N 3-(N-morpholino)propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCN1CCOCC1 DVLFYONBTKHTER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XCBLFURAFHFFJF-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2-hydroxyethyl)azaniumyl]-2-hydroxypropane-1-sulfonate Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)CS(O)(=O)=O XCBLFURAFHFFJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OWXMKDGYPWMGEB-UHFFFAOYSA-N HEPPS Chemical compound OCCN1CCN(CCCS(O)(=O)=O)CC1 OWXMKDGYPWMGEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DBXNUXBLKRLWFA-UHFFFAOYSA-N N-(2-acetamido)-2-aminoethanesulfonic acid Chemical compound NC(=O)CNCCS(O)(=O)=O DBXNUXBLKRLWFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JOCBASBOOFNAJA-UHFFFAOYSA-N N-tris(hydroxymethyl)methyl-2-aminoethanesulfonic acid Chemical compound OCC(CO)(CO)NCCS(O)(=O)=O JOCBASBOOFNAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OWMVSZAMULFTJU-UHFFFAOYSA-N bis-tris Chemical compound OCCN(CCO)C(CO)(CO)CO OWMVSZAMULFTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SXGZJKUKBWWHRA-UHFFFAOYSA-N 2-(N-morpholiniumyl)ethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)CC[NH+]1CCOCC1 SXGZJKUKBWWHRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GQAZERYGHYLFQJ-UHFFFAOYSA-N 2-acetamido-2-(carboxymethylamino)acetic acid Chemical compound CC(=O)NC(C(O)=O)NCC(O)=O GQAZERYGHYLFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UXFQFBNBSPQBJW-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(N)(C)CO UXFQFBNBSPQBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims description 3
- HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(O)CS(O)(=O)=O HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NUFBIAUZAMHTSP-UHFFFAOYSA-N 3-(n-morpholino)-2-hydroxypropanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 NUFBIAUZAMHTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RZQXOGQSPBYUKH-UHFFFAOYSA-N 3-[[1,3-dihydroxy-2-(hydroxymethyl)propan-2-yl]azaniumyl]-2-hydroxypropane-1-sulfonate Chemical compound OCC(CO)(CO)NCC(O)CS(O)(=O)=O RZQXOGQSPBYUKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FTOAOBMCPZCFFF-UHFFFAOYSA-N 5,5-diethylbarbituric acid Chemical compound CCC1(CC)C(=O)NC(=O)NC1=O FTOAOBMCPZCFFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GIZQLVPDAOBAFN-UHFFFAOYSA-N HEPPSO Chemical compound OCCN1CCN(CC(O)CS(O)(=O)=O)CC1 GIZQLVPDAOBAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YNLCVAQJIKOXER-UHFFFAOYSA-N N-[tris(hydroxymethyl)methyl]-3-aminopropanesulfonic acid Chemical compound OCC(CO)(CO)NCCCS(O)(=O)=O YNLCVAQJIKOXER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960002319 barbital Drugs 0.000 claims description 3
- 150000004683 dihydrates Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004682 monohydrates Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 abstract description 9
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4,6-dichloropyrimidine-5-carbaldehyde Chemical group NC1=NC(Cl)=C(C=O)C(Cl)=N1 GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 abstract 1
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- LVQFQZZGTZFUNF-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-[4-(2-hydroxy-3-sulfonatopropyl)piperazine-1,4-diium-1-yl]propane-1-sulfonate Chemical compound OS(=O)(=O)CC(O)CN1CCN(CC(O)CS(O)(=O)=O)CC1 LVQFQZZGTZFUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007990 PIPES buffer Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- VEWFZHAHZPVQES-UHFFFAOYSA-N boron;n,n-diethylethanamine Chemical compound [B].CCN(CC)CC VEWFZHAHZPVQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QZTKDVCDBIDYMD-UHFFFAOYSA-N 2,2'-[(2-amino-2-oxoethyl)imino]diacetic acid Chemical compound NC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O QZTKDVCDBIDYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTJJCXOPPWNFG-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]propane-1-sulfonic acid;hydrate Chemical compound O.OCCN1CCN(CC(O)CS(O)(=O)=O)CC1 NRTJJCXOPPWNFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007991 ACES buffer Substances 0.000 description 1
- 108700016232 Arg(2)-Sar(4)- dermorphin (1-4) Proteins 0.000 description 1
- 239000007993 MOPS buffer Substances 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N N,N-Diethylethanamine Substances CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UZMAPBJVXOGOFT-UHFFFAOYSA-N Syringetin Natural products COC1=C(O)C(OC)=CC(C2=C(C(=O)C3=C(O)C=C(O)C=C3O2)O)=C1 UZMAPBJVXOGOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007997 Tricine buffer Substances 0.000 description 1
- 208000034953 Twin anemia-polycythemia sequence Diseases 0.000 description 1
- CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L Zinc lactate Chemical compound [Zn+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- WVMHLYQJPRXKLC-UHFFFAOYSA-N borane;n,n-dimethylmethanamine Chemical compound B.CN(C)C WVMHLYQJPRXKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KCFYHBSOLOXZIF-UHFFFAOYSA-N dihydrochrysin Natural products COC1=C(O)C(OC)=CC(C2OC3=CC(O)=CC(O)=C3C(=O)C2)=C1 KCFYHBSOLOXZIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N nitrate group Chemical group [N+](=O)([O-])[O-] NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 nitrate ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 229960000314 zinc acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229960001939 zinc chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000011576 zinc lactate Substances 0.000 description 1
- 229940050168 zinc lactate Drugs 0.000 description 1
- 235000000193 zinc lactate Nutrition 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 水溶性亜鉛塩とアミンボラン系還元剤と
を主成分とするpH6.0〜6.8の無電解酸化亜鉛め
っき浴において、pH安定化剤として、2−アミノ−2
−ヒドロキシメチル−1,3−プロパンジオール等の化
合物を添加することを特徴とする無電解酸化亜鉛めっき
浴。 【効果】 本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、pH管
理が容易であり、まためっき進行中におけるめっき浴の
白濁、生成物の生成を可及的に防止することができる。
を主成分とするpH6.0〜6.8の無電解酸化亜鉛め
っき浴において、pH安定化剤として、2−アミノ−2
−ヒドロキシメチル−1,3−プロパンジオール等の化
合物を添加することを特徴とする無電解酸化亜鉛めっき
浴。 【効果】 本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、pH管
理が容易であり、まためっき進行中におけるめっき浴の
白濁、生成物の生成を可及的に防止することができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解酸化亜鉛め
っき浴に関する。 【0002】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、酸化亜鉛皮膜を無電解めっきにより形成するめっき
浴として、硝酸亜鉛等の水溶性亜鉛塩とジメチルアミン
ボラン(DMAB)を還元剤として含み、pHを6.0
〜6.8に調整した無電解酸化亜鉛めっき浴が知られて
いる。 【0003】しかし、無電解酸化亜鉛めっき浴は、めっ
き処理において、pHを±0.1の幅で管理すること
が、めっき浴の安定化、めっき皮膜特性の安定化の点で
好ましいが、適正pH管理幅が中性領域でしかも狭いこ
とから、適正pH管理が面倒であった。また、めっきが
進行するにつれてpHが上昇するため、適正pH管理幅
を超えて分解が開始してしまい、めっき浴中に結晶が生
成したり、沈殿物が発生したりし、60分程度で使用で
きなくなる上、めっき皮膜中に当該結晶や沈殿物が共析
し、めっき皮膜特性が悪くなっていた。 【0004】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
pH管理が容易で、まためっき進行中におけるめっき浴
の白濁、沈澱物の生成が可及的に防止された無電解酸化
亜鉛めっき浴を提供することを目的とする。 【0005】 【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、無電解酸化亜鉛めっき浴に下記A群から選ばれる化
合物をpH安定化剤として添加することにより、無電解
酸化亜鉛めっき浴がpH6.0〜6.8の範囲において
安定化され、pHコントロールを±0.1の範囲で容易
に行うことができると共に、めっき進行中にみだりにめ
っき浴の白濁が生じ、沈澱物が生成することが防止され
ることを知見し、本発明をなすに至った。 【0006】即ち、本発明は、水溶性亜鉛塩とアミンボ
ラン系還元剤とを主成分とするpH6.0〜6.8の無
電解酸化亜鉛めっき浴において、pH安定化剤として、
下記A群から選ばれる1種又は2種以上の化合物を添加
することを特徴とする無電解酸化亜鉛めっき浴を提供す
る。 [A群]2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−
プロパンジオール、2−アミノ−2−メチル−1,3−
プロパンジオール、2,4,6−トリメチルピリジン、
ジエチルバルビツール酸ナトリウム、2−(N−モルホ
リノ)エタンスルホン酸、ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)イミノトリス(ヒドロキシメチル)メタン、N−2
(アセトアミド)イミノ二酢酸、ピペラジン−N,N’
−ビス(2−エタンスルホン酸)、N−(2−アセトア
ミド)−2−アミノエタンスルホン酸、2−ヒドロキシ
−3−モルホリノプロパンスルホン酸、N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン
酸、3−(N−モルホリノ)プロパンスルホン酸、N−
トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタン
スルホン酸、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン
−N’−2−エタンスルホン酸、3−[N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)アミノ]−2−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、3−[N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルアミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン
酸、ピペラジン−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−3−
プロパンスルホン酸(2水和物))、2−ヒドロキシ−
3−[4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニ
ル]プロパンスルホン酸(1水和物)、4−(2−ヒド
ロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホン酸、
N−トリス(ヒドロキシメチル)メチルグリシン、N,
N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン、N−トリ
ス(ヒドロキシメチル)メチル−3−アミノプロパンス
ルホン酸。 【0007】以下、本発明につき更に詳しく説明する。 【0008】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、亜鉛
源として水溶性亜鉛源、還元剤としてアミンボラン系還
元剤を使用する。 【0009】ここで、水溶性亜鉛塩としては、硝酸亜
鉛、硫酸亜鉛、塩化亜鉛、酢酸亜鉛、乳酸亜鉛等が用い
られ、0.01〜0.5モル/L、特に0.05〜0.
2モル/Lの量で使用することが好ましい。なお、めっ
き浴には、硝酸イオンが含まれることが好ましく、この
ため硝酸亜鉛以外の亜鉛塩を用いた場合は、硝酸カリウ
ム、硝酸ナトリウム等の硝酸根を0.01〜0.5モル
/L程度添加することが好ましい。 【0010】一方、アミンボラン系還元剤としては、ジ
メチルアミンボラン(DMAB)、トリメチルアミンボ
ラン(TMAB)、トリエチルアミンボラン(TEA
B)等が挙げられ、0.001〜0.1モル/Lの量で
使用することが好ましい。 【0011】本発明は、上記成分に加えて、下記A群か
ら選ばれる1種又は2種以上の化合物をpH安定化剤と
して添加する。 [A群]2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−
プロパンジオール(略称Tris)、2−アミノ−2−
メチル−1,3−プロパンジオール、2,4,6−トリ
メチルピリジン、ジエチルバルビツール酸ナトリウム、
2−(N−モルホリノ)エタンスルホン酸(略称ME
S)、ビス(2−ヒドロキシエチル)イミノトリス(ヒ
ドロキシメチル)メタン(略称Bis−Tris)、N
−2(アセトアミド)イミノ二酢酸(略称ADA)、ピ
ペラジン−N,N’−ビス(2−エタンスルホン酸)
(略称PIPES)、N−(2−アセトアミド)−2−
アミノエタンスルホン酸(略称ACES)、2−ヒドロ
キシ−3−モルホリノプロパンスルホン酸(略称MOP
SO)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−2−
アミノエタンスルホン酸(略称BES)、3−(N−モ
ルホリノ)プロパンスルホン酸(略称MOPS)、N−
トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタン
スルホン酸(略称TES)、N−(2−ヒドロキシエチ
ル)ピペラジン−N’−2−エタンスルホン酸(略称H
EPES)、3−[N,N−ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)アミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(略
称DIPSO)、3−[N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルアミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン
酸(略称TAPSO)、ピペラジン−1,4−ビス(2
−ヒドロキシ−3−プロパンスルホン酸(2水和物))
(略称POPSO)、2−ヒドロキシ−3−[4−(2
−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル]プロパンス
ルホン酸(1水和物)(略称HEPPSO)、4−(2
−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホ
ン酸(略称EPPS)、N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルグリシン(略称Tricine)、N,N−
ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(略称Bici
ne)、N−トリス(ヒドロキシメチル)メチル−3−
アミノプロパンスルホン酸(略称TAPS)。 【0012】上記pH安定化剤の添加量は0.001〜
0.4モル/L、特に0.005〜0.1モル/Lとす
ることが好ましい。 【0013】上記pH安定化剤濃度が、上記範囲0.0
01〜0.4モル/Lよりも低くなると、pHの安定化
作用が十分に発揮できず、上記範囲よりも高くなると、
酸化亜鉛が析出しなくなる場合が生じる。 【0014】さらに、上記pH安定化剤はアミンボラン
系還元剤濃度に対して、モル濃度比[還元剤濃度]/
[pH安定化剤濃度]を0.25〜125とすることが
好ましい。このモル濃度比範囲よりも小さくなると、酸
化亜鉛が析出しなくなるおそれがあり、大きくなると、
pHの安定化作用が十分に発揮できずめっき浴に沈殿が
生成するおそれがある。 【0015】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、pH
6.0〜6.8に調整される。この場合、pH調整剤と
しては、硝酸、硫酸、塩酸、酢酸、乳酸等の酸や、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリを使用し得
る。 【0016】ここで、酸化亜鉛めっき浴の特徴として
は、次のようなことが挙げられる。 酸化亜鉛めっき浴に添加される基本成分の内、水溶
性亜鉛塩(硝酸亜鉛など)はpHを下げる方向に、還元
剤(DMABなど)はpHを上げる方向に作用する。 酸化亜鉛めっき浴のpHは、pH6.0〜6.8の
中性領域内とする必要があり、めっき浴中の亜鉛イオン
濃度に応じて、上記範囲の中で適正なpH(以下、適正
pHという。)が決まる。 めっき処理において、上記適正pHは±0.1(以
下、適正pH管理幅という。)とすることが好ましい。 特に、適正pH管理幅から高くなっている場合、め
っき浴中に、酸化亜鉛の結晶が浮遊したり、白色の沈殿
物が生成し、これら生成物が核となりめっき浴の分解が
促進されたり、めっき皮膜中に共析して導電性や透明性
などのめっき皮膜特性が悪くなる。 めっき処理が進行するにつれて、pHは徐々に高く
なる傾向がある。 【0017】これに対し、上記pH安定化剤を添加する
ことにより、以下の効果を得ることができる。 i.建浴時のpH調整が容易にできる。 ii.長時間連続使用しても、pHを±0.1に保つこ
とができ、析出速度を一定化でき、まためっき浴が分解
してめっき浴中に酸化亜鉛の結晶が生成したり、白色沈
殿物が発生することを抑制でき、導電性や透明性などの
めっき皮膜特性を安定化できる。 iii.当該pH安定化剤は、亜鉛イオンとの錯化合物
を形成しないため、めっきが析出しなくなることもな
い。また、亜鉛との化合物も形成せず、沈殿物が生成せ
ず、めっき皮膜特性を安定化できる。 【0018】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、特に
透明導電膜用ZnO、電磁波シールド用ZnO、光触媒
用ZnO、紫外線吸収用ZnOの目的に使用されるが、
これに制限されるものではない。被めっき物の材質はガ
ラス、セラミック、PETなどのプラスチック等とする
ことができ、これらの材質に応じた公知の前処理を行っ
た後、本発明のめっき浴に浸漬する。例えば、被めっき
物が非導電材料の場合、センシタイジング−アクチベー
ティング法、キャタライジング−アクセレレーティング
法等により表面に金属パラジウムの触媒核を付着した
後、めっき浴に浸漬するものである。 【0019】この場合、めっき温度は40〜90℃、特
に70〜80℃とすることが好ましく、めっき時間は所
望する膜厚に応じて適宜選定される。なお、本発明のめ
っき浴のめっき速度は、通常、75℃において0.2〜
0.4μm/hである。 【0020】 【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。 【0021】[実施例1〜12、比較例1〜3]公知の方
法で脱脂、表面調整、触媒付与したコーニングガラス基
板(コーニング社製)を、下記酸化亜鉛めっき浴に浸漬
して、DMABの補給を行わずに80℃でめっき処理を
行った。60分処理した後のめっき浴の状態(目視によ
り観察)及びpH、並びに得られた酸化亜鉛皮膜特性に
ついての結果を併せて表1に示す。酸化亜鉛めっき浴 硝酸亜鉛 表1に示す量。 DMAB 表1に示す量。 添加剤 表1に示す量。 硝酸(60%) pHがZnイオン濃度によって決め
られたpHになる量 【0022】 【表1】 【0023】優:透過率85%以上・無色、良:透過率
85%未満〜70%以上・無色、不可:透過率70%未
満・白色 ※ADA、PIPES、POPSOはあらかじめ0.1
モル/L水酸化ナトリウム溶液に溶解させたものを用い
た。 【0024】 【発明の効果】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、p
H管理が容易であり、まためっき進行中におけるめっき
浴の白濁、生成物の生成を可及的に防止することができ
る。
っき浴に関する。 【0002】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、酸化亜鉛皮膜を無電解めっきにより形成するめっき
浴として、硝酸亜鉛等の水溶性亜鉛塩とジメチルアミン
ボラン(DMAB)を還元剤として含み、pHを6.0
〜6.8に調整した無電解酸化亜鉛めっき浴が知られて
いる。 【0003】しかし、無電解酸化亜鉛めっき浴は、めっ
き処理において、pHを±0.1の幅で管理すること
が、めっき浴の安定化、めっき皮膜特性の安定化の点で
好ましいが、適正pH管理幅が中性領域でしかも狭いこ
とから、適正pH管理が面倒であった。また、めっきが
進行するにつれてpHが上昇するため、適正pH管理幅
を超えて分解が開始してしまい、めっき浴中に結晶が生
成したり、沈殿物が発生したりし、60分程度で使用で
きなくなる上、めっき皮膜中に当該結晶や沈殿物が共析
し、めっき皮膜特性が悪くなっていた。 【0004】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
pH管理が容易で、まためっき進行中におけるめっき浴
の白濁、沈澱物の生成が可及的に防止された無電解酸化
亜鉛めっき浴を提供することを目的とする。 【0005】 【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、無電解酸化亜鉛めっき浴に下記A群から選ばれる化
合物をpH安定化剤として添加することにより、無電解
酸化亜鉛めっき浴がpH6.0〜6.8の範囲において
安定化され、pHコントロールを±0.1の範囲で容易
に行うことができると共に、めっき進行中にみだりにめ
っき浴の白濁が生じ、沈澱物が生成することが防止され
ることを知見し、本発明をなすに至った。 【0006】即ち、本発明は、水溶性亜鉛塩とアミンボ
ラン系還元剤とを主成分とするpH6.0〜6.8の無
電解酸化亜鉛めっき浴において、pH安定化剤として、
下記A群から選ばれる1種又は2種以上の化合物を添加
することを特徴とする無電解酸化亜鉛めっき浴を提供す
る。 [A群]2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−
プロパンジオール、2−アミノ−2−メチル−1,3−
プロパンジオール、2,4,6−トリメチルピリジン、
ジエチルバルビツール酸ナトリウム、2−(N−モルホ
リノ)エタンスルホン酸、ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)イミノトリス(ヒドロキシメチル)メタン、N−2
(アセトアミド)イミノ二酢酸、ピペラジン−N,N’
−ビス(2−エタンスルホン酸)、N−(2−アセトア
ミド)−2−アミノエタンスルホン酸、2−ヒドロキシ
−3−モルホリノプロパンスルホン酸、N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン
酸、3−(N−モルホリノ)プロパンスルホン酸、N−
トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタン
スルホン酸、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン
−N’−2−エタンスルホン酸、3−[N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)アミノ]−2−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、3−[N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルアミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン
酸、ピペラジン−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−3−
プロパンスルホン酸(2水和物))、2−ヒドロキシ−
3−[4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニ
ル]プロパンスルホン酸(1水和物)、4−(2−ヒド
ロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホン酸、
N−トリス(ヒドロキシメチル)メチルグリシン、N,
N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン、N−トリ
ス(ヒドロキシメチル)メチル−3−アミノプロパンス
ルホン酸。 【0007】以下、本発明につき更に詳しく説明する。 【0008】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、亜鉛
源として水溶性亜鉛源、還元剤としてアミンボラン系還
元剤を使用する。 【0009】ここで、水溶性亜鉛塩としては、硝酸亜
鉛、硫酸亜鉛、塩化亜鉛、酢酸亜鉛、乳酸亜鉛等が用い
られ、0.01〜0.5モル/L、特に0.05〜0.
2モル/Lの量で使用することが好ましい。なお、めっ
き浴には、硝酸イオンが含まれることが好ましく、この
ため硝酸亜鉛以外の亜鉛塩を用いた場合は、硝酸カリウ
ム、硝酸ナトリウム等の硝酸根を0.01〜0.5モル
/L程度添加することが好ましい。 【0010】一方、アミンボラン系還元剤としては、ジ
メチルアミンボラン(DMAB)、トリメチルアミンボ
ラン(TMAB)、トリエチルアミンボラン(TEA
B)等が挙げられ、0.001〜0.1モル/Lの量で
使用することが好ましい。 【0011】本発明は、上記成分に加えて、下記A群か
ら選ばれる1種又は2種以上の化合物をpH安定化剤と
して添加する。 [A群]2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−
プロパンジオール(略称Tris)、2−アミノ−2−
メチル−1,3−プロパンジオール、2,4,6−トリ
メチルピリジン、ジエチルバルビツール酸ナトリウム、
2−(N−モルホリノ)エタンスルホン酸(略称ME
S)、ビス(2−ヒドロキシエチル)イミノトリス(ヒ
ドロキシメチル)メタン(略称Bis−Tris)、N
−2(アセトアミド)イミノ二酢酸(略称ADA)、ピ
ペラジン−N,N’−ビス(2−エタンスルホン酸)
(略称PIPES)、N−(2−アセトアミド)−2−
アミノエタンスルホン酸(略称ACES)、2−ヒドロ
キシ−3−モルホリノプロパンスルホン酸(略称MOP
SO)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−2−
アミノエタンスルホン酸(略称BES)、3−(N−モ
ルホリノ)プロパンスルホン酸(略称MOPS)、N−
トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタン
スルホン酸(略称TES)、N−(2−ヒドロキシエチ
ル)ピペラジン−N’−2−エタンスルホン酸(略称H
EPES)、3−[N,N−ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)アミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(略
称DIPSO)、3−[N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルアミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン
酸(略称TAPSO)、ピペラジン−1,4−ビス(2
−ヒドロキシ−3−プロパンスルホン酸(2水和物))
(略称POPSO)、2−ヒドロキシ−3−[4−(2
−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル]プロパンス
ルホン酸(1水和物)(略称HEPPSO)、4−(2
−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホ
ン酸(略称EPPS)、N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルグリシン(略称Tricine)、N,N−
ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(略称Bici
ne)、N−トリス(ヒドロキシメチル)メチル−3−
アミノプロパンスルホン酸(略称TAPS)。 【0012】上記pH安定化剤の添加量は0.001〜
0.4モル/L、特に0.005〜0.1モル/Lとす
ることが好ましい。 【0013】上記pH安定化剤濃度が、上記範囲0.0
01〜0.4モル/Lよりも低くなると、pHの安定化
作用が十分に発揮できず、上記範囲よりも高くなると、
酸化亜鉛が析出しなくなる場合が生じる。 【0014】さらに、上記pH安定化剤はアミンボラン
系還元剤濃度に対して、モル濃度比[還元剤濃度]/
[pH安定化剤濃度]を0.25〜125とすることが
好ましい。このモル濃度比範囲よりも小さくなると、酸
化亜鉛が析出しなくなるおそれがあり、大きくなると、
pHの安定化作用が十分に発揮できずめっき浴に沈殿が
生成するおそれがある。 【0015】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、pH
6.0〜6.8に調整される。この場合、pH調整剤と
しては、硝酸、硫酸、塩酸、酢酸、乳酸等の酸や、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリを使用し得
る。 【0016】ここで、酸化亜鉛めっき浴の特徴として
は、次のようなことが挙げられる。 酸化亜鉛めっき浴に添加される基本成分の内、水溶
性亜鉛塩(硝酸亜鉛など)はpHを下げる方向に、還元
剤(DMABなど)はpHを上げる方向に作用する。 酸化亜鉛めっき浴のpHは、pH6.0〜6.8の
中性領域内とする必要があり、めっき浴中の亜鉛イオン
濃度に応じて、上記範囲の中で適正なpH(以下、適正
pHという。)が決まる。 めっき処理において、上記適正pHは±0.1(以
下、適正pH管理幅という。)とすることが好ましい。 特に、適正pH管理幅から高くなっている場合、め
っき浴中に、酸化亜鉛の結晶が浮遊したり、白色の沈殿
物が生成し、これら生成物が核となりめっき浴の分解が
促進されたり、めっき皮膜中に共析して導電性や透明性
などのめっき皮膜特性が悪くなる。 めっき処理が進行するにつれて、pHは徐々に高く
なる傾向がある。 【0017】これに対し、上記pH安定化剤を添加する
ことにより、以下の効果を得ることができる。 i.建浴時のpH調整が容易にできる。 ii.長時間連続使用しても、pHを±0.1に保つこ
とができ、析出速度を一定化でき、まためっき浴が分解
してめっき浴中に酸化亜鉛の結晶が生成したり、白色沈
殿物が発生することを抑制でき、導電性や透明性などの
めっき皮膜特性を安定化できる。 iii.当該pH安定化剤は、亜鉛イオンとの錯化合物
を形成しないため、めっきが析出しなくなることもな
い。また、亜鉛との化合物も形成せず、沈殿物が生成せ
ず、めっき皮膜特性を安定化できる。 【0018】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、特に
透明導電膜用ZnO、電磁波シールド用ZnO、光触媒
用ZnO、紫外線吸収用ZnOの目的に使用されるが、
これに制限されるものではない。被めっき物の材質はガ
ラス、セラミック、PETなどのプラスチック等とする
ことができ、これらの材質に応じた公知の前処理を行っ
た後、本発明のめっき浴に浸漬する。例えば、被めっき
物が非導電材料の場合、センシタイジング−アクチベー
ティング法、キャタライジング−アクセレレーティング
法等により表面に金属パラジウムの触媒核を付着した
後、めっき浴に浸漬するものである。 【0019】この場合、めっき温度は40〜90℃、特
に70〜80℃とすることが好ましく、めっき時間は所
望する膜厚に応じて適宜選定される。なお、本発明のめ
っき浴のめっき速度は、通常、75℃において0.2〜
0.4μm/hである。 【0020】 【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。 【0021】[実施例1〜12、比較例1〜3]公知の方
法で脱脂、表面調整、触媒付与したコーニングガラス基
板(コーニング社製)を、下記酸化亜鉛めっき浴に浸漬
して、DMABの補給を行わずに80℃でめっき処理を
行った。60分処理した後のめっき浴の状態(目視によ
り観察)及びpH、並びに得られた酸化亜鉛皮膜特性に
ついての結果を併せて表1に示す。酸化亜鉛めっき浴 硝酸亜鉛 表1に示す量。 DMAB 表1に示す量。 添加剤 表1に示す量。 硝酸(60%) pHがZnイオン濃度によって決め
られたpHになる量 【0022】 【表1】 【0023】優:透過率85%以上・無色、良:透過率
85%未満〜70%以上・無色、不可:透過率70%未
満・白色 ※ADA、PIPES、POPSOはあらかじめ0.1
モル/L水酸化ナトリウム溶液に溶解させたものを用い
た。 【0024】 【発明の効果】本発明の無電解酸化亜鉛めっき浴は、p
H管理が容易であり、まためっき進行中におけるめっき
浴の白濁、生成物の生成を可及的に防止することができ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 村上 透
大阪府枚方市出口1丁目5番1号 上村工
業株式会社中央研究所内
Fターム(参考) 4K022 AA03 AA04 AA13 AA16 BA15
BA25 BA31 BA33 DA01 DB01
DB03 DB04 DB07 DB08
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 水溶性亜鉛塩とアミンボラン系還元剤と
を主成分とするpH6.0〜6.8の無電解酸化亜鉛め
っき浴において、pH安定化剤として、下記A群から選
ばれる1種又は2種以上の化合物を添加することを特徴
とする無電解酸化亜鉛めっき浴。 [A群]2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−
プロパンジオール、2−アミノ−2−メチル−1,3−
プロパンジオール、2,4,6−トリメチルピリジン、
ジエチルバルビツール酸ナトリウム、2−(N−モルホ
リノ)エタンスルホン酸、ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)イミノトリス(ヒドロキシメチル)メタン、N−2
(アセトアミド)イミノ二酢酸、ピペラジン−N,N’
−ビス(2−エタンスルホン酸)、N−(2−アセトア
ミド)−2−アミノエタンスルホン酸、2−ヒドロキシ
−3−モルホリノプロパンスルホン酸、N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン
酸、3−(N−モルホリノ)プロパンスルホン酸、N−
トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタン
スルホン酸、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン
−N’−2−エタンスルホン酸、3−[N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)アミノ]−2−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、3−[N−トリス(ヒドロキシメチ
ル)メチルアミノ]−2−ヒドロキシプロパンスルホン
酸、ピペラジン−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−3−
プロパンスルホン酸(2水和物))、2−ヒドロキシ−
3−[4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニ
ル]プロパンスルホン酸(1水和物)、4−(2−ヒド
ロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホン酸、
N−トリス(ヒドロキシメチル)メチルグリシン、N,
N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン、N−トリ
ス(ヒドロキシメチル)メチル−3−アミノプロパンス
ルホン酸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312128A JP2003113478A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 無電解酸化亜鉛めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312128A JP2003113478A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 無電解酸化亜鉛めっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003113478A true JP2003113478A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19130834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312128A Pending JP2003113478A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 無電解酸化亜鉛めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003113478A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006161156A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2010255010A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解金めっき浴 |
| US20120156387A1 (en) * | 2009-07-03 | 2012-06-21 | Enthone Inc. | Beta-amino acid comprising electrolyte and method for the deposition of a metal layer |
| CN109880252A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-06-14 | 重庆太岳新材料科技有限公司 | 一种用于含氯聚合物的热稳定剂 |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312128A patent/JP2003113478A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006161156A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2010255010A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解金めっき浴 |
| US20120156387A1 (en) * | 2009-07-03 | 2012-06-21 | Enthone Inc. | Beta-amino acid comprising electrolyte and method for the deposition of a metal layer |
| JP2013508538A (ja) * | 2009-07-03 | 2013-03-07 | エンソン インコーポレイテッド | β−アミノ酸含有電解質および金属層の堆積方法 |
| US8962070B2 (en) * | 2009-07-03 | 2015-02-24 | Enthone Inc. | Method for the deposition of a metal layer comprising a beta-amino acid |
| US9249513B2 (en) | 2009-07-03 | 2016-02-02 | Enthone Inc. | Beta-amino acid comprising plating formulation |
| CN109880252A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-06-14 | 重庆太岳新材料科技有限公司 | 一种用于含氯聚合物的热稳定剂 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4091518B2 (ja) | 金属の無電解析出法 | |
| KR101712960B1 (ko) | 구리 이온(i) 기반의 백색 청동용 시안화물이 없는 전기 도금조 | |
| JPH05295556A (ja) | 無電解メッキ液及びそれを使用するメッキ方法 | |
| JP5377831B2 (ja) | ダマシン銅配線用シード層形成方法、及びこの方法を用いてダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー | |
| JPS5818430B2 (ja) | 無電解メツキ浴およびメツキ方法 | |
| CN110446801B (zh) | 用于在至少一个基底上沉积铬或铬合金层的受控方法 | |
| FR2672306A1 (fr) | Solutions perfectionnees de zincate pour le traitement de l'aluminium et des alliages d'aluminium. | |
| KR20000053456A (ko) | 무전해 복합 도금액 및 무전해 복합 도금방법 | |
| US20050031895A1 (en) | Electroless displacement gold plating solution and additive for use in preparing plating solution | |
| JP2015158012A (ja) | シアン化物非含有酸性つや消し銀電気めっき組成物および方法 | |
| JP2004190075A (ja) | 無電解金めっき液 | |
| CN1425799A (zh) | 用于无电电镀溶液的稳定剂及该稳定剂的使用方法 | |
| JP2003113478A (ja) | 無電解酸化亜鉛めっき浴 | |
| JP2007314876A (ja) | 無電解ニッケルめっき液 | |
| JP2004060017A (ja) | 無電解酸化亜鉛めっき方法 | |
| JP2002514686A (ja) | ニッケル/ホウ素含有塗料 | |
| JPH0565661A (ja) | 無電解ニツケルめつき皮膜の製造法 | |
| JP4901039B2 (ja) | 置換ビスマスメッキ浴 | |
| JP5299994B2 (ja) | 銅−亜鉛合金電気めっき浴および銅−亜鉛合金めっき付きスチールコード用ワイヤ | |
| JP2006083446A (ja) | 無電解パラジウム−銀合金めっき液 | |
| JP2013199687A (ja) | 無電解ニッケルめっき液用添加剤、無電解ニッケルめっき液及び無電解ニッケルめっき方法 | |
| JP3146065B2 (ja) | 高硬度無電解ニッケル−ホウ素メッキ液及びそれを使用するメッキ方法 | |
| JPS6141774A (ja) | 水性・無電解ニツケル改良浴及び方法 | |
| JP2003193284A (ja) | 電気ニッケルめっき液 | |
| JPH09256187A (ja) | 半光沢銀めっき用の光沢度調整剤 |