JP2003149407A

JP2003149407A - 反射防止フィルム

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Publication number: JP2003149407A
Application number: JP2002249599A
Authority: JP
Inventors: Osamu Sakakura; 治坂倉; Tatsuji Nakajima; 達司中嶋
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2001-08-28
Filing date: 2002-08-28
Publication date: 2003-05-21
Anticipated expiration: 2022-08-28
Also published as: JP3751922B2

Abstract

(57)【要約】【課題】積層体を有する反射防止フィルムにおいて、
積層体を構成する各薄層の耐湿熱性がよく、従って各薄
層の屈折率が安定していることから光学特性に優れ、さ
らに形成速度が速く、各薄層の密着性にも優れた反射防
止フィルムを提供することを主目的とする。【解決手段】基材と、基材上に位置するハードコー
ト層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層
されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおい
て、当該積層体を、プラズマＣＶＤ法により形成される
薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成され
る薄層とを積層することにより形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反射防止フィルムに
関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイ、プラズマディスプレ
イ、ＣＲＴなどのコンピューター、ワープロ、テレビ、
表示板等に使用される各種ディスプレイや、計器等の表
示体、バックミラー、ゴーグル、窓ガラスなどには、ガ
ラスやプラスチックなどの透明な基板が使用されてい
る。そして、それらの透明な基板を通して、文字や図形
その他の情報を読み取るため、透明な基板の表面で光が
反射するとそれらの情報が読み取り難くなるという欠点
がある。

【０００３】現在では、上記欠点を解決するために、基
材と、ハードコート層と、互いに屈折率の異なる複数の
薄層を積層することにより形成される積層体と、からな
る反射防止フィルムを用い、当該反射防止フィルムを前
記透明な基板表面に貼ることにより光の反射を防止する
ことが行われている。

【０００４】このような反射防止フィルムにおける積層
体の形成方法としては、従来からスパッタリング法また
は蒸着法により形成する方法が知られている。

【０００５】しかしながら、スパッタリング法により積
層体を形成した場合においては、層形成の精度において
は良好であるが、その形成速度が非常に遅いため生産性
が悪いという問題があった。また、蒸着法により積層体
を形成した場合においては、層形成の速度においては問
題ないが、その形成精度が悪く、したがって歩留まりが
悪く、これは反射防止フィルムのコスト高にもつながり
問題があった。

【０００６】上記の問題を解決するために、現在におい
ては、積層体をプラズマＣＶＤ法により形成する方法が
開発されている。プラズマＣＶＤ法により積層体を形成
することにより、スパッタリング法等により形成するの
に比べ、飛躍的に形成速度を高めることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マＣＶＤ法により積層体を形成した場合においては、以
下のような問題が新たに生じる。

【０００８】まず第１の問題点としては、積層体を形成
するそれぞれの薄層同士の密着性がスパッタリング法や
蒸着法を用いて形成した場合に比べて悪くなる。

【０００９】また第２の問題点としては、積層体を形成
する薄層のうちで、高屈折率層として機能する酸化チタ
ン層をプラズマＣＶＤ法により形成した場合には、当該
酸化チタン層は、耐湿熱性が悪く、屈折率も安定しない
場合がある。

【００１０】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、積層体を有する反射防止フィルムにおいて、積層
体を構成する各薄層の耐湿熱性がよく、従って各薄層の
屈折率が安定していることから光学特性に優れ、さらに
形成速度が速く、各薄層の密着性にも優れた反射防止フ
ィルムを提供することを主目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハー
ドコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積
層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層
体は、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層と、スパ
ッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積
層することにより形成されていることに特徴を有する。

【００１２】本発明の反射防止フィルムによれば、本発
明の反射防止フィルムを構成する積層体は、プラズマＣ
ＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法また
は蒸着法により形成される薄層とを積層することにより
形成されているので、積層体を形成する薄層の全てをス
パッタリング法、または蒸着法で形成するのに比べて、
生産性を向上することができ、一方、プラズマＣＶＤ法
により全ての薄層を形成するのに比べて、各薄層の耐湿
熱性を向上することができるとともに、各薄層間の密着
性を向上せしめることができる。

【００１３】また、請求項２に記載の発明は、前記積層
体を形成する薄層のうち、プラズマＣＶＤ法により形成
される薄層が低屈折率層または中屈折率層であり、スパ
ッタリング法または蒸着法により形成される薄層が高屈
折率層であることに特徴を有する。

【００１４】本発明の反射防止フィルムによれば、積層
体を形成する薄層のうち、プラズマＣＶＤ法により形成
される薄層が低屈折率層または中屈折率層であり、スパ
ッタリング法または蒸着法により形成される薄層が高屈
折率層であるので、プラズマＣＶＤ法により形成しても
特に問題を生じない（つまり、耐湿熱性に問題を生じる
ことがない）低屈折率層または中屈折率層は、プラズマ
ＣＶＤ法で形成することで形成速度を速くすることがで
き、一方、プラズマＣＶＤ法によって形成した場合に、
耐湿熱性が悪いため屈折率が安定しない場合がある高屈
折率層のみは、スパッタリング法または蒸着法で形成す
ることで、高屈折率層の屈折率を安定化することができ
る。

【００１５】さらに、請求項３に記載の発明は、請求項
２に記載の発明において、前記プラズマＣＶＤ法により
形成される低屈折率層が、屈折率が１．４０〜１．４６
（λ＝５５０ｎｍ）であり、かつ、２８００〜３０００
ｃｍ^-1でのＣ−Ｈ伸縮振動による赤外線吸収、及び１２
００〜１４００ｃｍ^-1でのＳｉ−ＣＨ₃伸縮振動による
赤外線吸収が、それぞれ０．１ｃｍ^-1以下のシリカ層で
あることに特徴を有する。

【００１６】この発明によれば、積層体の低屈折率層と
して用いるシリカ層の屈折率が１．４０〜１．４６（λ
＝５５０ｎｍ）であるので、当該シリカ層は密着性に優
れ、かつ形成速度も早い。また、当該シリカ層は光学特
性に優れ、効率よく光の反射を防止することができると
ともに、反射防止フィルムの積層体における低屈折率層
として用いることができる。さらに、２８００〜３００
０ｃｍ^-1でのＣ−Ｈ伸縮振動による赤外線吸収、及び１
２００〜１４００ｃｍ^-1でのＳｉ−ＣＨ₃伸縮振動によ
る赤外線吸収がそれぞれ０．１ｃｍ^-1以下、つまり検出
感度以下であることから、シリカ層中に有機成分がほと
んど含有されていないことが明らかであり、その結果、
プラズマＣＶＤ法により形成されたシリカ層でありなが
ら耐薬品性に優れていると考えられる。低屈折率層は、
積層体の最表面層として用いる場合が多いため、反射防
止フィルム製造後にアルカリ処理などを行った場合に、
アルカリ溶液に溶解する場合があったが、本発明によれ
ば、上記手一区設立層としてのシリカ層は耐薬品性に優
れているため溶解することはない。

【００１７】さらに、請求項４に記載の発明は、請求項
２又は請求項３に記載の発明において、前記積層体の層
構成が、ハードコート層側から、プラズマＣＶＤ法によ
り形成される中屈折率層、スパッタリング法または蒸着
法により形成される高屈折率層、プラズマＣＶＤ法によ
り形成される低屈折率層、であることに特徴を有する。

【００１８】本発明の反射防止フィルムによれば、前記
積層体の層構成が、ハードコート層側から、プラズマＣ
ＶＤ法により形成される中屈折率層、スパッタリング法
または蒸着法により形成される高屈折率層、プラズマＣ
ＶＤ法により形成される低屈折率層であるので、当該層
構成により効率的に反射を防止することができるととも
に、低屈折率層と中屈折率層をプラズマＣＶＤ法により
形成し、高屈折率層をスパッタリング法または蒸着法に
より形成しているので、前記請求項１及び請求項２に記
載する発明と同様の効果をも奏することができる。

【００１９】また、請求項５に記載の発明は、請求項２
又は請求項３に記載の発明において、前記積層体の層構
成が、ハードコート層側から、スパッタリング法または
蒸着法により形成される高屈折率層、プラズマＣＶＤ法
により形成される低屈折率層、スパッタリング法または
蒸着法により形成される高屈折率層、プラズマＣＶＤ法
により形成される低屈折率層、であることに特徴を有す
る。

【００２０】本発明の反射防止フィルムによれば、前記
積層体の層構成が、ハードコート層側から、スパッタリ
ング法または蒸着法により形成される高屈折率層、プラ
ズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層、スパッタリ
ング法または蒸着法により形成される高屈折率層、プラ
ズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層であるので、
当該層構成により効率的に反射を防止することができる
とともに、低屈折率層をプラズマＣＶＤ法により形成
し、高屈折率層をスパッタリング法または蒸着法により
形成しているので、前記請求項１及び請求項２に記載す
る発明と同様の効果をも奏することができる。

【００２１】請求項６に記載の発明は、請求項２乃至請
求項６のいずれか一の請求項に記載の発明において、前
記プラズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層または
中屈折率層が酸化シリコン層であり、スパッタリング法
または蒸着法により形成される高屈折率層が酸化チタン
層、又は高抵抗を示すＩＴＯ層であることに特徴を有す
る。

【００２２】本発明の反射防止フィルムによれば、ま
ず、前記プラズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層
または中屈折率層が酸化シリコン層であるので、低屈折
率層または中屈折率層に適した屈折率を有する薄層を形
成することが可能である。また、スパッタリング法また
は蒸着法により形成される高屈折率層が酸化チタン層、
又は高抵抗を示すＩＴＯ層であるので、高屈折率層に適
した屈折率層を有する薄層を形成することが可能であ
り、かつ、ＩＴＯ層を高屈折率層として用いた場合にお
いても、当該ＩＴＯ層は高抵抗であるため、当該ＩＴＯ
層の上に低屈折率層をプラズマＣＶＤ法で形成すること
が可能である。

【００２３】

【実施の形態】以下に、本発明の反射防止フィルムにつ
いて図面を用いて具体的に説明する。

【００２４】図１は、本発明の反射防止フィルムの概略
断面図である。

【００２５】図１に示すように、本発明の反射防止フィ
ルム１は、基材２と、基材２上に位置するハードコート
層３と、ハードコート層３上に位置し、複数の薄層（５
〜７）が積層されてなる積層体４とから形成されてい
る。そして、前記積層体４は、プラズマＣＶＤ法により
形成される薄層（５、７）と、スパッタリング法または
蒸着法で形成される薄層（６）から形成されていること
に特徴を有している。

【００２６】このように、積層体４を形成する薄層の全
てをプラズマＣＶＤ法のみ、またはスパッタリング法や
蒸着法のみで形成するのではなく、形成する薄層に応じ
て、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、または蒸着
法を使い分けることにより、プラズマＣＶＤ法の利点
（薄層の形成速度が早い）と、スパッタリング法や蒸着
法の利点（薄層同士の密着性がよく、高屈折率層を形成
した場合であっても、当該層が耐湿熱性を有し、屈折率
が安定する）の両方を組み合わせることができ、反射防
止機能に優れた反射防止フィルムとすることができる。

【００２７】以下に、本発明の反射防止フィルム１を構
成する基材２、ハードコート層３、積層体４を構成する
それぞれの薄層（低屈折率層７、中屈折率層５、高屈折
率層６）、および積層体４の構造についてそれぞれ説明
する。［１］基材まず、基材２について説明する。本発明の反射防止フィ
ルム１において、基材２は、反射防止フィルム１の土台
となる部分である。基材２は、可視光域で透明な高分子
フィルムであれば特に限定されるものではない。前記高
分子フィルムとしては、例えば、トリアセチルセルロー
スフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、アセテー
トブチレートセルロースフィルム、ポリエーテルサルホ
ンフィルム、ポリアクリル系フィルム、ポリウレタン系
フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネイトフ
ィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィル
ム、トリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトン
フィルム、アクリロニトリルフィルム、メタクリロニト
リルフィルム等が挙げられる。さらには、無色のフィル
ムがより好ましく使用できる。中でも、一軸または二軸
延伸ポリエステルフィルムが透明性、耐熱性に優れてい
ることから好適に用いられ、特にポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。また、光学異方
性のない点でトリアセチルセルロースも好適に用いられ
る。高分子フィルムの厚みは、通常は６μm〜１８８μm
程度のものが好適に用いられる。［２］ハードコート層次に、ハードコート層３について説明する。本発明の反
射防止フィルム１において、ハードコート層３は、反射
防止フィルム１に強度を持たせることを目的として形成
される層である。

【００２８】当該発明における反射防止フィルム１にお
けるハードコート層３を形成するための材料としては、
前記基材２と同様に可視光域で透明な材料であって、反
射防止フィルム１に強度をもたせることができるもので
あることが必要であり、その強度としては、ＪＩＳＫ５
４００で示す鉛筆高度試験でＨ以上の高度を示すことが
好ましい。

【００２９】具体的には、熱硬化型樹脂及び／又は電離
放射線型樹脂（これらを総称して本発明では反応硬化型
樹脂と称することがある。）を用いることが好ましく、
さらに具体的には、アクリレート系の官能基をもつも
の、例えば、比較的低分子量のポリエステル、ポリエー
テル、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、
アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエ
ン、ポリチオールポリエン系樹脂、多価アルコール等の
多官能化合物の（メタ）アクリレート（以下本明細書で
は、アクリレートとメタクリレートとを（メタ）アクリ
レートと記載する。）等のオリゴマー又はプレポリマー
及び反応性の希釈剤であるエチル（メタ）アクリレー
ト、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、
ビニルトルエン、Ｎ−ビニルピロリドン等の単官能モノ
マー、並びに多官能モノマー、例えば、トリメチロール
プロパントリ（メタ）アクリレート、へキサンジオール
（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）
アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）ア
クリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリ
レート等を比較的多量に含むものが使用される。

【００３０】更に、上記の電離放射線硬化型樹脂を紫外
線硬化型樹脂として使用するときは、これらの中に光重
合開始剤として、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフ
ェノン類、ミヒラーベンゾイルベンゾエート、α−アミ
ロキシムエステル、チオキサントン類や、光増感剤とし
てｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブ
チルホスフィン等を混合して使用することが好ましい。

【００３１】上記の電離放射線硬化型樹脂には、一般式
ＲｍＳｉ（ＯＲ′）ｎで表される反応性有機ケイ素化合
物（式中のＲ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアルキル基を表
し、ｍ＋ｎ＝４であり、そしてｍ及びｎはそれぞれ整数
である。）を含ませることもできる。このようなケイ素
化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブト
キシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラペンタエトキシシ
ラン、テトラペンタ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テト
ラペンタ−ｎ−プロポキシシラン、テトラペンタ−ｎ−
ブトキシシラン、テトラペンタ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、テトラペンタ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチ
ルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、ジメチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラ
ン、ジメチルプロポキシシラン、ジメチルブトキシシラ
ン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラ
ン、へキシルトリメトキシシラン等が挙げられる。

【００３２】このようなハードコート層３の層厚は、通
常１〜３０μｍの範囲内であり、その製造方法は、通常
のコーティング方法を用いることも可能であり、特に限
定されるものではない。［３］積層体本発明の反射防止フィルム１における積層体４は、光学
特性がそれぞれ異なる薄層が積層されることにより形成
されており、各薄層の光学特性（特に屈折率）や層構成
により積層体４全体として効果的に反射を防止するよう
に構成されているものである。

【００３３】通常、積層体４を構成する薄層は、その屈
折率により、低屈折率層、中屈折率層、および高屈折率
層に大別される。ここで、本発明において低屈折率層、
中屈折率層、および高屈折率層とは、積層体４を構成す
る薄層をそれぞれの屈折率により各薄層を相対的に比較
した場合において、それぞれの薄層を区別するための名
称であり、比較的屈折率の高い層を高屈折率層、比較的
屈折率の低い層を低屈折率層とし、前記高屈折率層と低
屈折率層の中間の屈折率を有する層を中屈折率層として
いる。一般的には、屈折率が１．８０以上を高屈折率
層、１．５５以上１．８０未満を中屈折率層、１．５５
未満を低屈折率層とする場合が多く、従って本発明にお
いても、屈折率が１．８０以上を高屈折率層、１．５５
以上１．８０未満を中屈折率層、１．５５未満を低屈折
率層とする。

【００３４】以下に、各薄層について具体的に説明す
る。

【００３５】（３−１）低屈折率層本発明の反射防止フィルム１において、低屈折率層
（７）とは、積層体３を形成する薄層の中の１つであ
り、その屈折率は、１．５５未満（λ＝５５０ｎｍ）の
薄層である。このように、比較的屈折率の低い層を積層
体４中の薄層として用いることにより、積層体４全体と
して効率よく反射を防止することができる。本発明の反
射防止フィルム１においては、当該低屈折率層（７）が
積層体４中に占める位置について、特に限定するもので
はないが、通常低屈折率層（７）は、図１に示すように
積層体４の最外層（ハードコート層３の反対側）に用い
ることが好ましい。

【００３６】本発明において、低屈折率層（７）として
用いることが可能な薄層としては、透明性を有し、その
屈折率が１．５５未満（λ＝５５０ｎｍ）である薄層で
あれば特に限定されるものではないが、本発明において
は、プラズマＣＶＤ法によって形成することができる薄
層であることが特に好ましい。

【００３７】このような低屈折率層（７）としては、具
体的には、酸化シリコン層、フッ化マグネシウム層、酸
フッ化ケイ素層、等を挙げることができ、この中でも特
に酸化シリコン層を低屈折率層として用いることが好ま
しい。

【００３８】酸化シリコン層は、その屈折率を１．５５
未満（λ＝５５０ｎｍ）とすることが比較的容易であ
り、また、プラズマＣＶＤ法により形成しても、耐湿熱
性に優れ、屈折率の安定した薄層を得ることができ、さ
らに、プラズマＣＶＤ法は薄層の形成速度が速いからで
ある。なお、当該酸化シリコン層の組成は、単純にＳｉ
Ｏｘである必要はなく、炭素を含有する酸化シリコン層
（ＳｉＯｘＣｙ）であっても良い。このように、酸化シ
リコン層に炭素を含有することにより、酸化シリコン層
の屈折率を所望の屈折率とすることがさらに容易にでき
るからである。

【００３９】このような低屈折率層の層厚は、特に限定
されないが、１０〜１０００ｎｍであることが好まし
く、特に、５０〜１５０ｎｍの範囲内が好ましい。上記
範囲より層厚が薄い場合には、反射防止効果を奏しない
場合があり、また上記範囲より層厚が厚い場合には、層
全体が脆くなってしまい成形性に欠ける場合があるから
である。

【００４０】ここで、本発明の反射防止フィルム１にお
ける低屈折率層（７）を形成する際に用いられるプラズ
マＣＶＤ法について具体的に説明する。

【００４１】本発明においてプラズマＣＶＤ法とは、所
定のガスが導入された反応室内でプラズマ生成すること
により原子または分子ラジカル種が生成されて固体表面
に付着し、多くの場合、表面反応によってさらに揮発性
分子を放出して固体表面に取り込まれる現象を利用した
成層方法である。プラズマＣＶＤ法を用いて本発明の反
射防止フィルムを形成することにより、複数の層を一括
して効率よく形成することができる。また、当該プラズ
マＣＶＤ法には、プラズマを発生するために用いる電力
の印加方法の違いにより、容量結合型プラズマＣＶＤ法
と、誘導結合型のプラズマＣＶＤ法の２種類があるが、
本発明においてはどちらのプラズマＣＶＤ法を用いるこ
とも可能である。

【００４２】ここで、本発明においては上記のようなプ
ラズマＣＶＤ法の中でも、図２に示すようなプラズマＣ
ＶＤ装置を用いることが特に好ましい。当該プラズマＣ
ＶＤ装置により本発明の反射防止フィルムを連続的に製
造でき、かつ基材となる高分子フィルムの温度制御も正
確に行うことができるからである。

【００４３】図２に示すプラズマＣＶＤ装置２０は、容
量結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、ウエッブ状の高
分子フィルム２１は基材巻き出し部２２より巻きだされ
て、真空容器２３中の反応室（ａ，ｂ，ｃ）に導入され
る。そして、当該反応室内の成層用ドラム２４上で所定
の層が形成され、基材巻き取り部２６により巻き取られ
る。

【００４４】当該プラズマＣＶＤ装置２０は、複数（３
つ）の反応室を有している点に特徴を有し、夫々の反応
室（ａ，ｂ，ｃ）は隔離壁２５で隔離されることで形成
されている。ここで、以下の説明の便宜上、当該３つの
反応室を右側から反応室ａ、反応室ｂ、反応室ｃとす
る。そして、各反応室には、夫々電極板ａ１、ｂ１、ｃ
１及び原料ガス導入口ａ２、ｂ２、ｃ２が設置されてい
る。各反応室（ａ，ｂ，ｃ）は、成層用ドラム２４の外
周に沿って設置されている。これは、反射防止積層体が
形成される高分子フィルムは、成層用ドラム２４と同期
しながら反応室内に挿入され、かつ成層用ドラム上にお
いて反射防止積層体を形成するものであることから、こ
のように配置することにより連続して各層を積層するこ
とができるからである。

【００４５】上述したようなプラズマＣＶＤ装置によれ
ば、各反応室へ導入する原料ガスを変化させることによ
り、夫々の反応室内で独立して層を形成することが可能
である。

【００４６】本発明において、上述のようなプラズマＣ
ＶＤ装置（例えば反応室ａ）を用いて低屈折率層（７）
としての酸化シリコン層を形成する場合、原料ガスとし
ては有機シリコーンを用いることが好ましく、具体的に
は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラ
メチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、メチルトリメトキ
シシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルシラン、ジメチルシラ
ン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラ
ン、フェニルシラン、テトラメトキシシラン、オクタメ
チルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテト
ラシロキサン、テトラエトキシシラン等を用いることが
できる。

【００４７】また、本発明においては、上述のようなプ
ラズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層の中でも特
に、屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５０ｎｍ）で
あり、かつ、２８００〜３０００ｃｍ^-1でのＣ−Ｈ伸縮
振動による赤外線吸収、及び１２００〜１４００ｃｍ^-1
でのＳｉ−ＣＨ₃伸縮振動による赤外線吸収が、それぞ
れ０．１ｃｍ^-1以下のシリカ層を低屈折率層として用い
ることが好ましい。

【００４８】反射防止フィルムにおいて、前記積層体中
の低屈折率層の屈折率は小さいほどよく、屈折率が当該
範囲内であれば、低屈折率層として好適だからである。

【００４９】また、前記シリカ層は、２８００〜３００
０ｃｍ^-1でのＣ−Ｈ伸縮振動による赤外線吸収、及び１
２００〜１４００ｃｍ^-1でのＳｉ−ＣＨ₃伸縮振動によ
る赤外線吸収が０．１ｃｍ^-1以下である、つまり検出感
度以下であることに特徴を有している。

【００５０】２８００〜３０００ｃｍ^-1でのＣ−Ｈ伸縮
振動による赤外線吸収、及び１２００〜１４００ｃｍ^-1
でのＳｉ−ＣＨ₃伸縮振動による赤外線吸収が０．１ｃ
ｍ^-1以下であるということは、シリカ層中に、Ｃ−Ｈ結
合やＳｉ−ＣＨ３結合がほとんど存在していないことを
意味している。つまり、本発明のシリカ層中には、炭素
化合物（有機物）が含有されていないと考えられ、した
がって耐薬品性に優れていると考えられる。

【００５１】ここで上記赤外線の吸収は、公知のＩＲス
ペクトル透過法により測定したものであり、各ストレッ
チング振動の赤外線吸収における∫（α／ｆ）ｄｆの値
を算出したものである（α：吸収係数、ｆ：周波数）。

【００５２】（３−２）中屈折率層次に中屈折率層について説明する。

【００５３】本発明の反射防止フィルム１において、中
屈折率層（５）とは、積層体３を形成する薄層の中の１
つであり、その屈折率は、１．５５以上１．８０未満の
薄層である。このような屈折率を有する中屈折率層
（５）は反射防止機能を高めるために用いられる薄層で
あり、積層体４中に必ずしも必要な薄層ではない。そし
て、当該中屈折率層を設ける位置についても特に限定さ
れず、積層体４全体として反射防止機能が向上するよう
な位置であればいかなる位置に設けることも可能であ
る。しかしながら、前記低屈折率層（７）と高屈折率層
（６）とは互いに接触している方が効率よく光の反射を
防止することができるため（図１参照）、当該中屈折率
層（５）は低屈折率層と高屈折率層との間以外の部分、
例えば図１に示すように高屈折率層の下に設けるのが好
ましい。

【００５４】本発明において、中屈折率層（５）として
用いることが可能な薄層としては、可視光域で透明性を
有し、その屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ＝５
５０ｎｍ）である薄層であれば特に限定されるものでは
ないが、本発明においては、前記の低屈折率層と同様
に、プラズマＣＶＤ法によって形成することができる薄
層であることが特に好ましい。

【００５５】このような中屈折率層（５）としては、例
えば、炭素含有酸化シリコン層や、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮ、
ＳｉＯＮや、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ₂の微粒子を酸
化シリコン層に分散したもの等が好適に用いられる。酸
化シリコン層に前記の微粒子を混合することにより、そ
の屈折率を１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎ
ｍ）とすることが比較的容易であり、また、酸化シリコ
ン層は、プラズマＣＶＤ法により形成しても、耐湿熱性
に優れ、屈折率の安定した薄層を得ることができるから
である。プラズマＣＶＤ法は薄層の形成速度が速いた
め、反射防止フィルム製造の歩留まりを向上することが
できる。

【００５６】このような中屈折率層の層厚は特に限定さ
れないが、５〜３００ｎｍであることが好ましく、１０
〜１５０ｎｍが特に好ましい。層の厚さが５ｎｍより薄
いと、反射防止効果をほとんど期待できないからであ
り、逆に層の厚さが３００ｎｍより厚いと、層の応力に
よる基材変形や層剥れが発生する場合があるからであ
る。

【００５７】ここで、本発明の反射防止フィルム１にお
ける中屈折率層（５）を形成する際に用いられるプラズ
マＣＶＤ法については、前記低屈折率層（７）の場合と
同様であるため説明は省略する。なお、図２に示すプラ
ズマＣＶＤ装置を用いた場合には、当該中屈折率層
（５）を形成するのに、例えば反応室ｂを使用すること
で、一つのプラズマＣＶＤ装置で、光学特性の異なる
（屈折率の異なる）薄層を形成することができる。

【００５８】（３−３）高屈折率層次に、高屈折率層について説明する。

【００５９】本発明の反射防止フィルム１において、高
屈折率層（６）とは、積層体３を形成する薄層の中の１
つであり、その屈折率が１．８０以上（λ＝５５０ｎ
ｍ）の薄層である。前述した低屈折率層と合わせて、屈
折率が１．８０以上（λ＝５５０ｎｍ）の薄層を積層体
４中に設けることにより、それぞれの屈折率の違いによ
り光の反射を効率よく防止することができる。本発明の
反射防止フィルム１においては、当該高屈折率層（６）
が積層体４中に占める位置について、特に限定するもの
ではないが、前述したとおり、低屈折率層（７）と高屈
折率層（６）とは互いに接触している方が効率よく光の
反射を防止することができるため、低屈折率層の下に設
けるのが好ましい。

【００６０】本発明において、高屈折率層（６）として
用いることが可能な薄層としては、可視光域で透明性を
有し、その屈折率を１．８０以上（λ＝５５０ｎｍ）で
ある薄層であれば特に限定されるものではないが、本発
明においては、スパッタリング法または蒸着法において
形成されている薄層であることが特に好ましい。このよ
うに、高屈折率層（６）をスパッタリング法または蒸着
法において形成することにより、プラズマＣＶＤ法によ
り形成する場合と比べ、その形成速度は劣るが、耐湿熱
性に優れ、従って屈折率が安定しており、さらに他の薄
層との密着性にも優れた高屈折率層とすることができる
からである。

【００６１】このような高屈折率層（７）としては、具
体的には、酸化チタン層、ＩＴＯ（インジウム／スズ酸
化物）層、Ｙ₂Ｏ₃層、Ｉｎ₂Ｏ₃層、Ｓｉ₃Ｎ₄層、ＳｎＯ
₂層、ＺｒＯ₂層、ＨｆＯ₂層、Ｓｂ₂Ｏ₃層、Ｔａ₂Ｏ
₅層、ＺｎＯ層、ＷＯ₃層、等を挙げることができ、この
中でも特に酸化チタン層または高抵抗を示すＩＴＯ層を
高屈折率層として用いることが好ましい。

【００６２】従来から酸化チタン層は、反射防止フィル
ムにおける積層体の高屈折率層として用いられている
が、酸化チタン層を、上述した低屈折率層や中屈折率層
と同様にプラズマＣＶＤ法により形成した場合には、形
成された酸化チタン層は耐湿熱性が良くないため、空気
中の湿気等により屈折率が変化してしまうといった問題
が生じていたが、本発明によれば、高屈折率層としての
酸化チタン層をスパッタリング法または蒸着法において
形成するため、このような問題が生じることがない。ま
た、スパッタリング法や蒸着法において形成することに
より、他の薄層（低屈折率層や中屈折率層）またはハー
ドコート層との密着性も向上することができる。

【００６３】また、ＩＴＯ層は通常伝導性を有している
ため、スパッタリング法や蒸着法で形成したＩＴＯ層の
上にはプラズマＣＶＤ法により薄層を形成することが困
難であるが、本発明において高屈折率層として用いられ
るＩＴＯ層は、高抵抗を示すＩＴＯ層なので、この上に
プラズマＣＶＤ法で薄層を形成することが可能である。
このように、本発明で高屈折率層として用いられるＩＴ
Ｏ層が高抵抗を示すのは、スパッタリング法や蒸着法に
より当該ＩＴＯ層を形成する際に、酸素過剰な条件で形
成することで当該ＩＴＯ層の酸素充填率を高くしている
からである。ここで、本発明において「高抵抗」とは、
そのシート抵抗が１×１０⁴〜１×１０¹ ⁴Ω／ｓｑであ
ることを言う。

【００６４】このような高屈折率層の層厚は、特に限定
されるものではないが、５〜３００ｎｍであることが好
ましく、１０〜１５０ｎｍが特に好ましい。層の厚さが
５ｎｍより薄いと、反射防止効果をほとんど期待できな
いからであり、逆に層の厚さが３００ｎｍより厚いと、
層の応力による基材変形や層剥れが発生する場合がある
からである。

【００６５】ここで、本発明の反射防止フィルム１にお
ける高屈折率層（６）を形成する際に用いられるスパッ
タリング法、および蒸着法について具体的に説明する。

【００６６】本発明においてスパッタリング法とは、高
エネルギーの粒子をターゲットと呼ばれる薄層の母材と
なる固体にたたきつけ、その母材の構成原子を固体表面
から放出させることにより、当該放出された原子を基板
上に堆積させて薄層を形成する方法である。通常はアル
ゴンなどの不活性ガスのグロー放電によってできた陽イ
オンを陰極降下電圧で加速して負にバイアスされたター
ゲットに衝突させることで、その表面から原子をはじき
飛ばして薄層を堆積する方法が一般的である。

【００６７】本発明の反射防止フィルム１における高屈
折率層（６）を形成する際に用いられるスパッタリング
法については、従来から用いられているスパッタリング
法の全てを用いることができ、具体的には、イオンビー
ムスパッタリング法、高周波スパッタリング法、直流ス
パッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、マグネトロ
ンスパッタリング法、反応性スパッタリング法、等の方
法を用いることができ、特に限定されるものではない。

【００６８】図３は、前記種々のスパッタリング法のう
ち、直流スパッタリング法を行うための直流スパッタリ
ング装置の概略図である。本発明においては、このよう
な装置を用いて、高屈折率層を形成することが可能であ
る。

【００６９】図３に示す直流スパッタリング装置３０に
おいては、基材としてのウエッブ状の高分子フィルム３
１は基材巻き出し部３２より巻きだされて、反応室３３
に導入される。そして、当該反応室３３内の成層用ドラ
ム３４上で所定の層が形成され、基材巻き取り部３６に
より巻き取られる。

【００７０】当該直流スパッタリング装置３０における
反応室３３内には、成層用ドラム３４に対抗してターゲ
ット３５が設置されており、成層用ドラム３４は陽極、
ターゲット３５は陰極となっている。そして、反応室３
３内を真空状態（１０^-3Ｐａ程度）とし、その後アルゴ
ンなどの不活性ガスや酸素ガスを１〜１０Ｐａ入れる。
成層用ドラム３４とターゲット３５との間に直流高電圧
を加えることにより、正イオンが陰極（ターゲット３
５）に衝突し、これによりターゲットがはじき飛ばされ
て成層用ドラム３４上の高分子樹脂に堆積する。

【００７１】本発明において、スパッタリング法を用い
て高屈折率層（６）としての酸化チタン層を形成する場
合、そのターゲットとしては、Ｔｉ、Ｔｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ
₂、ＴｉＯを用いるのが好ましい。また、高屈折率層
（６）としてのＩＴＯ層を形成する場合、ターゲットと
しては、ＩＴＯまたはインジウム／スズ合金を用いるの
が好ましい。

【００７２】また、本発明において蒸着法とは、主に、
１０^-6〜１０^-11Ｔｏｒｒの真空中において固体を過熱
蒸発させ、この蒸気を一定の温度に保持した基板上に冷
却凝縮させることにより薄層を形成する方法である。本
発明においては、従来から用いられている蒸着法の全て
を用いることができ、特に限定されることはない。当該
蒸着法において、高屈折率層（６）としての酸化チタン
層を形成する場合、その原料としては、Ｔｉ、Ｔｉ
₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＴｉＯを用いるのが好ましい。また、
高屈折率層（６）としてのＩＴＯ層を形成する場合、そ
の原料としてはとしては、ＩＴＯまたはインジウム／ス
ズ合金を用いるのが好ましい。

【００７３】このように、本発明の反射防止フィルム１
においては、積層体４を構成する各薄層をプラズマＣＶ
Ｄ法やスパッタリング法のみで形成するのではなく、各
薄層に応じて、具体的には、低屈折率層と中屈折率層に
おいては、薄層の形成速度が速いプラズマＣＶＤ法を用
い、高屈折率層においては、耐湿熱性に優れ、屈折率が
安定した薄層を形成することが可能なスパッタリング法
や蒸着法を用いることにより、反射防止フィルムの製造
に際し、その歩留まりもよく、かつ反射防止機能に優れ
た反射防止フィルムを提供することが可能となる。

【００７４】（３−４）層構成次に、本発明の反射防止フィルム１における積層体４の
層構成について図面を用いて具体的に説明する。

【００７５】本発明の反射防止フィルム１においては、
その積層体４の層構成について特に限定するものではな
く、その層構成中にプラズマＣＶＤ法により形成された
薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成され
た薄層とが含まれており、積層体全体として反射防止機
能を奏することが可能であればよい。

【００７６】しかしながら、積層体４としては、図１に
示すように、ハードコート層３側から、プラズマＣＶＤ
法により形成された中屈折率層５、スパッタリング法ま
たは蒸着法により形成された高屈折率層６、プラズマＣ
ＶＤ法により形成された低屈折率層７の順で積層されて
いることが好ましい。このように積層することにより、
それぞれの薄層の屈折率の違いから効果的に光の反射を
防止することができるとともに、高屈折率層６はスパッ
タリング法または蒸着法により形成されているため、耐
湿熱性に優れているとともに、当該高屈折率層６の下層
である中屈折率層５や、上層である低屈折率層７との密
着性もよいからである。

【００７７】また、図４に示すような積層体４’も本発
明の反射防止フィルムとしては好ましい。図４に示すよ
うに、ハードコート層３側から、スパッタリング法また
は蒸着法により形成された高屈折率層６’とプラズマＣ
ＶＤ法により形成された低屈折率層７’とを交互に２回
積層することにより、反射防止効果を向上することがで
きるからである。

【００７８】なお、本発明は、上述してきた反射防止フ
ィルム及びその製造方法に限定されるものではない。上
記実施の形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲
に記載された技術的範囲と実質的に同一な構成を有し、
同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであって
も本発明の技術的範囲に包含される。

【００７９】

【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する。（実施例１）図３に示すスパッタリング装置を使用し、
基材のプラスチックフィルムである厚さ７５μmのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にＩＴＯ
層を形成した。本実施例における連続成層時の基材の高
分子フィルムの送り速度は、０．１ｍ／ｍｉｎとした。
その他の条件は以下の通りである。＜成層条件＞印加電力１．０ｋＷ酸素ガス流量２７ｓｃｃｍ成層用ドラム表面温度（成層温度）３０℃ 前記ガス流量単位ｓｃｃｍは、ｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｍｐｅｒｍｉｎｕｔｅのことである。

【００８０】以上の条件でポリエチレンテレフタレート
フィルム上に形成したＩＴＯ層の測定結果を以下に示
す。

【００８１】＜ＩＴＯ層測定結果＞層厚５５ｎｍ成層速度５．５ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ屈折率（λ＝５５０ｎｍ）２．０シート抵抗１０¹¹Ω／ｓｑ＜ＩＴＯ層測定に使用した装置＞層厚測定：エリプソメーター（型番：ＵＶＩＳＥＬＴＭ、メーカー：ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ）シート抵抗測定：ＭＣＰ−ＨＴ４５０（メーカー：三菱化学株式会社）屈折率測定：エリプソメーター（型番：ＵＶＩＳＥＬＴＭ、メーカー：ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ）以上に示したＩＴＯ層の形成結果のごとく、成層温度３
０℃において、屈折率２．０の均質かつ絶縁性の高い酸
化チタン層が、成層速度５．５ｎｍ・ｍ／ｍｉｎで、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に形成できた。ま
た、このＩＴＯ層はエリプソメーターによる測定結果か
ら、λ＝５５０ｎｍでの消衰係数が０．００３であり透
明性の高い薄層であった。加えて、ＩＴＯ層形成後の、
ポリエチレンテレフタレートフィルムは、わずかな伸
び、変形も無く良好な状態であった。（実施例２）図３
に示すスパッタリング装置を使用し、基材のプラスチッ
クフィルムである厚さ７５μmのポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルム上にＩＴＯ層を形成した。本
実施例における連続成層時の基材の高分子フィルムの送
り速度は、０．１ｍ／ｍｉｎとした。その他の条件は以
下の通りである。＜成層条件＞印加電力１．０ｋＷ酸素ガス流量９０ｓｃｃｍ成層用ドラム表面温度（成層温度）３０℃ 以上の条件でポリエチレンテレフタレートフィルム上に
形成したＩＴＯ層の測定結果を以下に示す。

【００８２】＜ＩＴＯ層測定結果＞層厚１４ｎｍ成層速度１．４ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ屈折率（λ＝５５０ｎｍ）２．０シート抵抗１０¹¹Ω／ｓｑ以上＜ＩＴＯ層測定に使用した装置＞層厚測定：エリプソメーター（型番：ＵＶＩＳＥＬＴＭ、メーカー：ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ）シート抵抗測定：ＭＣＰ−ＨＴ４５０（メーカー：三菱化学株式会社）屈折率測定：エリプソメーター（型番：ＵＶＩＳＥＬＴＭ、メーカー：ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ）以上に示したＩＴＯ層の形成結果のごとく、成層温度３
０℃において、屈折率２．０の均質かつ絶縁性の高い酸
化チタン層が、成層速度１．４ｎｍ・ｍ／ｍｉｎで、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に形成できた。ま
た、このＩＴＯ層はエリプソメーターによる測定結果か
ら、λ＝５５０ｎｍでの消衰係数が０．００３であり透
明性の高い薄層であった。加えて、ＩＴＯ層形成後の、
ポリエチレンテレフタレートフィルムは、わずかな伸
び、変形も無く良好な状態であった。

【００８３】以上の実施例１、２から、基材上にスパッ
タリング法を用いて反射防止フィルムにおける積層体に
適した薄層（ＩＴＯ層）を形成することが可能であるこ
とが明らかとなった。（実施例３）図１に示すような、基材としての高分子フ
ィルム２上にハードコート層３、プラズマＣＶＤ法によ
り形成した中屈折率層５、スパッタリング法により形成
した高屈折率層６、プラズマＣＶＤ法により形成した低
屈折率層７、からなる積層体４を形成し、反射防止フィ
ルムを作成した。各層の形成条件を以下に記す。＜高分子フィルム（２）＞トリアセチルセルロース厚さ８０μｍ＜ハードコート層（３）＞紫外線硬化型樹脂ＰＥＴ−Ｄ３１（大日精化工業
(株)）塗工により形成紫外線硬化条件４８０ｍＪ厚さ６μｍ＜中屈折率層（５）＞炭素含有酸化シリコン層を図２に
示すプラズマＣＶＤ装置により形成した。＜高屈折率層（６）＞前記実施例１と同様のＩＴＯ層を
同一条件で形成した。＜低屈折率層（７）＞酸化シリコン層を図２に示すプラ
ズマＣＶＤ装置により作成した。

【００８４】上記条件で形成した反射防止フィルムは、
高分子フィルムのわずかな伸び、変形も無く、良好な状
態であった。上記条件で作成した反射防止フィルムの反
射分光特性を図５に示す。図５より、人間が感知し易い
５５０ｎｍ近傍での反射率が低く、反射防止効果が良好
であった。このときの視感度反射率は、０．３％と良好
な値を示した。

【００８５】分光反射率は、以下の装置で測定した。分光反射率測定：分光光度計（型番：ＵＶ−３１００Ｐ
Ｃ、メーカー：島津製作所）なお、上記の実施例おいて形成された積層膜の膜厚は、
各層の光学特性を考慮して視感度反射率が最小になるよ
うに設定した。例えば、実施例２に示す中屈折率層、高
屈折率層及び低屈折率層においては、これを形成する各
装置を用いてそれぞれの薄層を形成する際にフィルム送
り速度の調整により所望の膜厚を得ている。

【００８６】

【発明の効果】本発明の反射防止フィルムによれば、本
発明の反射防止フィルムを構成する積層体は、プラズマ
ＣＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法ま
たは蒸着法により形成される薄層とを積層することによ
り形成されているので、積層体を形成する薄層の全てを
スパッタリング法や蒸着法で形成するのに比べて、形成
速度を早くすることができ、一方、プラズマＣＶＤ法に
より全ての薄層を形成するのに比べて、各薄層間の密着
性を向上せしめることができる。

【００８７】さらに、積層体を形成する薄層のうち、プ
ラズマＣＶＤ法により形成される薄層を低屈折率層また
は中屈折率層とし、スパッタリング法または蒸着法によ
り形成される薄層を高屈折率層とすることにより、プラ
ズマＣＶＤ法により形成しても特に問題を生じない（耐
湿熱性に問題を生じることがない）低屈折率層または中
屈折率層は、プラズマＣＶＤ法で形成することで形成速
度を速くすることができ、一方、プラズマＣＶＤ法によ
って形成した場合に、耐湿熱性が悪いため屈折率が安定
しない場合がある高屈折率層のみは、スパッタリング法
または蒸着法で形成することで、高屈折率層の屈折率を
安定化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の反射防止フィルムの一例を示す概略断
面図である。

【図２】プラズマＣＶＤ装置の概略図である。

【図３】スパッタリング装置の概略図である。

【図４】本発明の反射防止フィルムの一例を示す概略断
面図である。

【図５】実施例３の反射防止フィルムの反射分光特性を
示す図である。

【符号の説明】

１、１’…反射防止フィルム２、２’…基材３、３’…ハードコート層４、４’…積層体５…中屈折率層６、６’…高屈折率層７、７’…低屈折率層２０…プラズマＣＶＤ装置３０…直流スパッタリング装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2K009 AA02 AA15 BB11 CC03 CC24 DD04 4F100 AA20C AA21D AA33D AT00A BA04 BA07 BA10A BA10D CC00B EH66D EJ61C GB07 GB41 JK06 JK12B JL00 JM02C JM02D JN06 JN18C JN18D YY00C

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてな
る積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体は、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層
と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄
層とを積層することにより形成されていることを特徴と
する反射防止フィルム。
【請求項２】前記積層体を形成する薄層のうち、プラ
ズマＣＶＤ法により形成される薄層が低屈折率層または
中屈折率層であり、スパッタリング法または蒸着法によ
り形成される薄層が高屈折率層であることを特徴とする
請求項１に記載の反射防止フィルム。
【請求項３】前記プラズマＣＶＤ法により形成される
低屈折率層が、屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５
０ｎｍ）であり、かつ、２８００〜３０００ｃｍ^-1での
Ｃ−Ｈ伸縮振動による赤外線吸収、及び１２００〜１４
００ｃｍ^-1でのＳｉ−ＣＨ₃伸縮振動による赤外線吸収
が、それぞれ０．１ｃｍ^-1以下のシリカ層を特徴とする
請求項２に記載の反射防止フィルム。
【請求項４】前記積層体の層構成が、ハードコート層
側から、プラズマＣＶＤ法により形成される中屈折率層、スパッタリング法または蒸着法により形成される高屈折
率層、プラズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層、であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の
反射防止フィルム。
【請求項５】前記積層体の層構成が、ハードコート層
側から、スパッタリング法または蒸着法により形成される高屈折
率層、プラズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層、スパッタリング法または蒸着法により形成される高屈折
率層、プラズマＣＶＤ法により形成される低屈折率層、であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の
反射防止フィルム。
【請求項６】前記プラズマＣＶＤ法により形成される
低屈折率層または中屈折率層が酸化シリコン層であり、
スパッタリング法または蒸着法により形成される高屈折
率層が、酸化チタン層または高抵抗を示すＩＴＯ層であ
ることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか一
の請求項に記載の反射防止フィルム。