JP2003174177A - 太陽電池 - Google Patents
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高い変換効率を示す太陽電池を得ることを課題
とする。 【解決手段】支持体１１上に透明電極膜１２を介してア
モルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型又はｎ
ｉｐ型構造の複数のセル１３，１４を1つ又は多段に積
層し、更に前記セル１４上に酸化物層１５を介して形成
された反射用金属膜１６を形成した太陽電池において、
前記反射用金属膜１６の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍ
の入射光に対する反射率は８０％以上であることを特徴
とする太陽電池。
とする。 【解決手段】支持体１１上に透明電極膜１２を介してア
モルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型又はｎ
ｉｐ型構造の複数のセル１３，１４を1つ又は多段に積
層し、更に前記セル１４上に酸化物層１５を介して形成
された反射用金属膜１６を形成した太陽電池において、
前記反射用金属膜１６の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍ
の入射光に対する反射率は８０％以上であることを特徴
とする太陽電池。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｉｎ型又はｎｉ
ｐ型構造の複数のセルを1つ又は多段に積層した太陽電
池に関する。
ｐ型構造の複数のセルを1つ又は多段に積層した太陽電
池に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜型シリコン太陽電池として
は、例えば図２に示すものが知られている。図中の付番
１は、厚みが約１ｍｍのガラス基板を示す。この基板１
上には、膜厚０．１〜１．０μｍの透明導電膜２を介し
て第１のセル３、第２のセル４、膜厚０．０１〜１．０
μｍの酸化物膜５及び膜厚０．３〜０．６μｍの金属電
極膜６が順次形成されている。ここで、第１のセル３
は、ｐ型のアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）発電膜３ａ
と、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜３ｂと、ｎ型のａ−Ｓｉ発電
膜３ｃとから構成されている。また、第２のセル４は、
ｐ型の非晶質Ｓｉ発電膜４ａと、ｉ型の非晶質Ｓｉ発電
膜４ｂと、ｎ型の非晶質Ｓｉ発電膜４ｃとから構成され
ている。ここで、前記各発電膜の膜厚は０．００５〜
０．５μｍである。なお、発電膜として微結晶シリコン
を用いた場合の膜厚は、０．００５〜５．０μｍであ
る。
は、例えば図２に示すものが知られている。図中の付番
１は、厚みが約１ｍｍのガラス基板を示す。この基板１
上には、膜厚０．１〜１．０μｍの透明導電膜２を介し
て第１のセル３、第２のセル４、膜厚０．０１〜１．０
μｍの酸化物膜５及び膜厚０．３〜０．６μｍの金属電
極膜６が順次形成されている。ここで、第１のセル３
は、ｐ型のアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）発電膜３ａ
と、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜３ｂと、ｎ型のａ−Ｓｉ発電
膜３ｃとから構成されている。また、第２のセル４は、
ｐ型の非晶質Ｓｉ発電膜４ａと、ｉ型の非晶質Ｓｉ発電
膜４ｂと、ｎ型の非晶質Ｓｉ発電膜４ｃとから構成され
ている。ここで、前記各発電膜の膜厚は０．００５〜
０．５μｍである。なお、発電膜として微結晶シリコン
を用いた場合の膜厚は、０．００５〜５．０μｍであ
る。
【０００３】こうした構成の太陽電池において、太陽光
はガラス基板１側から入射して透明電極膜２を透過して
各発電膜に入射する。太陽光は、発電膜３ａに吸収され
て、透明導電膜２と非晶質Ｓｉ発電膜４ａとの間に起電
力が発生し、電力を外部に取り出すことができる。とこ
ろで、こうした太陽電池において、電池の発電効率を向
上させるために、例えば前記発電膜３ａ〜３ｃをａ−Ｓ
ｉ、前記発電膜４ａ〜４ｃを結晶質Ｓｉで構成するよう
に、前記発電膜３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｃを夫々光吸収帯
域の異なる材質とすることで入射光を有効に利用するこ
とが広く行われており、タンデム型太陽電池と呼ばれて
いる。
はガラス基板１側から入射して透明電極膜２を透過して
各発電膜に入射する。太陽光は、発電膜３ａに吸収され
て、透明導電膜２と非晶質Ｓｉ発電膜４ａとの間に起電
力が発生し、電力を外部に取り出すことができる。とこ
ろで、こうした太陽電池において、電池の発電効率を向
上させるために、例えば前記発電膜３ａ〜３ｃをａ−Ｓ
ｉ、前記発電膜４ａ〜４ｃを結晶質Ｓｉで構成するよう
に、前記発電膜３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｃを夫々光吸収帯
域の異なる材質とすることで入射光を有効に利用するこ
とが広く行われており、タンデム型太陽電池と呼ばれて
いる。
【０００４】しかし、従来のタンデム型太陽電池では、
十分な発電効率が得られないという課題があった。
十分な発電効率が得られないという課題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情を考
慮してなされたもので、反射用金属膜の波長６００ｎｍ
〜１２００ｎｍの入射光に対する反射率は８０％以上と
することにより、高い変換効率を有する太陽電池を提供
することを目的とする。
慮してなされたもので、反射用金属膜の波長６００ｎｍ
〜１２００ｎｍの入射光に対する反射率は８０％以上と
することにより、高い変換効率を有する太陽電池を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持体上に透
明電極膜を介してアモルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉより
なるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造の複数のセルを1つ又は
多段に積層し、更に前記セル上に酸化物層を介して形成
された反射用金属膜を形成した太陽電池において、前記
反射用金属膜の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍの入射光
に対する反射率は８０％以上であることを特徴とする太
陽電池である。
明電極膜を介してアモルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉより
なるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造の複数のセルを1つ又は
多段に積層し、更に前記セル上に酸化物層を介して形成
された反射用金属膜を形成した太陽電池において、前記
反射用金属膜の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍの入射光
に対する反射率は８０％以上であることを特徴とする太
陽電池である。
【０００７】本発明において、前記反射用金属膜は、ベ
ース圧力が４×１０-４Ｐａ以下の減圧雰囲気下で形成
されることが好ましい。この理由は、ベース圧力が４×
１０ -４Ｐａを超えると、膜形成時に生じた脱ガス（真
空容器壁面からの吸着気体分子がはなれたもの）が反射
用金属膜に入り、反射用金属膜の反射率を下げ、燃料電
池の変換効率を低下させるからである。
ース圧力が４×１０-４Ｐａ以下の減圧雰囲気下で形成
されることが好ましい。この理由は、ベース圧力が４×
１０ -４Ｐａを超えると、膜形成時に生じた脱ガス（真
空容器壁面からの吸着気体分子がはなれたもの）が反射
用金属膜に入り、反射用金属膜の反射率を下げ、燃料電
池の変換効率を低下させるからである。
【０００８】また、前記反射用金属膜の膜厚は０．２〜
２μｍであることが好ましい。この理由は、膜厚が０．
２μｍ未満の場合、支持体側から入射した光が反射用金
属膜側から通り抜けるおそれがあり、膜厚が２μｍを超
えるとコスト高となるからである。更に、前記反射用金
属膜の材質としては、例えばＡｇ、Ｃｕ等の金属が挙げ
られる。これらの金属は真空蒸着法、スパッタ法等によ
り形成することができる。
２μｍであることが好ましい。この理由は、膜厚が０．
２μｍ未満の場合、支持体側から入射した光が反射用金
属膜側から通り抜けるおそれがあり、膜厚が２μｍを超
えるとコスト高となるからである。更に、前記反射用金
属膜の材質としては、例えばＡｇ、Ｃｕ等の金属が挙げ
られる。これらの金属は真空蒸着法、スパッタ法等によ
り形成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の各実施例に係る
タンデム型太陽電池について説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の付番１１は、厚み
が約１ｍｍのガラス基板（支持体）を示す。この基板１
１上には、ＳｎＯ２等からなる膜厚０．６〜１．０μｍ
の透明電極膜１２を介して第１のセル１３が形成されて
いる。ここで、第１のセル１３は、ｐ型のａ−Ｓｉ発電
膜１３ａと、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜１３ｂと、ｎ型のａ
−Ｓｉ発電膜１３ｃとから構成されている。ここで、前
記各発電膜の膜厚は０．００５〜０．５μｍである。
タンデム型太陽電池について説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の付番１１は、厚み
が約１ｍｍのガラス基板（支持体）を示す。この基板１
１上には、ＳｎＯ２等からなる膜厚０．６〜１．０μｍ
の透明電極膜１２を介して第１のセル１３が形成されて
いる。ここで、第１のセル１３は、ｐ型のａ−Ｓｉ発電
膜１３ａと、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜１３ｂと、ｎ型のａ
−Ｓｉ発電膜１３ｃとから構成されている。ここで、前
記各発電膜の膜厚は０．００５〜０．５μｍである。
【００１０】前記第１のセル１３上には、第２のセル１
４、膜厚０．０１〜１．０μｍのＺｎＯからなる酸化物
層１５及び膜厚０．０２〜２μｍのＡｇからなる金属電
極膜１６が順次形成されている。ここで、第２のセル１
４は、ｐ型の結晶質Ｓｉ発電膜１４ａと、ｉ型の結晶質
Ｓｉ発電膜１４ｂと、ｎ型の結晶質Ｓｉ発電膜１４ｃと
から構成されている。前記各発電膜の膜厚は０．００５
〜０．５μｍである。また、前記金属電極膜１６は、ベ
ース圧力４×１０−４Ｐａ以下の条件で真空蒸着法によ
り形成した。また、金属電極膜１６の波長６００ｎｍ〜
１２００ｎｍの入射光に対する反射率は８０％以上であ
る。
４、膜厚０．０１〜１．０μｍのＺｎＯからなる酸化物
層１５及び膜厚０．０２〜２μｍのＡｇからなる金属電
極膜１６が順次形成されている。ここで、第２のセル１
４は、ｐ型の結晶質Ｓｉ発電膜１４ａと、ｉ型の結晶質
Ｓｉ発電膜１４ｂと、ｎ型の結晶質Ｓｉ発電膜１４ｃと
から構成されている。前記各発電膜の膜厚は０．００５
〜０．５μｍである。また、前記金属電極膜１６は、ベ
ース圧力４×１０−４Ｐａ以下の条件で真空蒸着法によ
り形成した。また、金属電極膜１６の波長６００ｎｍ〜
１２００ｎｍの入射光に対する反射率は８０％以上であ
る。
【００１１】上記実施例１に係るタンデム型太陽電池
は、ガラス基板１１上に透明電極膜１２を介してアモル
ファスＳｉよりなるｐｉｎ型構造の第１のセル１３、結
晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型構造の第２のセル１４を多段
に積層し、更に前記セル１４上に酸化物層１５を介して
金属電極膜１６を形成し、かつ金属電極層１６の波長６
００ｎｍ〜１２００ｎｍの入射光に対する反射率は８０
％以上である構成となっている。従って、実施例１によ
れば、ベース圧力１×１０−３Ｐａ以下の条件で真空蒸
着法によりＡｇからなる金属電極膜を形成した従来と比
べ、変換効率が高い太陽電池を得ることができる。
は、ガラス基板１１上に透明電極膜１２を介してアモル
ファスＳｉよりなるｐｉｎ型構造の第１のセル１３、結
晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型構造の第２のセル１４を多段
に積層し、更に前記セル１４上に酸化物層１５を介して
金属電極膜１６を形成し、かつ金属電極層１６の波長６
００ｎｍ〜１２００ｎｍの入射光に対する反射率は８０
％以上である構成となっている。従って、実施例１によ
れば、ベース圧力１×１０−３Ｐａ以下の条件で真空蒸
着法によりＡｇからなる金属電極膜を形成した従来と比
べ、変換効率が高い太陽電池を得ることができる。
【００１２】下記表１は、上記実施例１に係るサンプル
Ｎｏ１〜８及び比較例１において、ベース圧力を種々変
えて真空蒸着法により金属電極膜を形成した場合の例を
示す。サンプルＮｏ１〜８の太陽電池及び比較例に係る
太陽電池について、変換効率を求めたところ、サンプル
Ｎｏ１〜８の場合の方が比較例１に比べて高い変換効率
が得られることが確認できた。また、サンプルＮｏ１〜
８及び比較例１において、入射光波長を変えて金属電極
膜の反射率を求めたところ、下記表２に示すようにサン
プルＮｏ１〜８においては金属電極膜の反射率は全て８
０％以上であることが確認できた。なお、反射率の評価
は、ソーダガラス基板上に金属薄膜を蒸着して計測し
た。
Ｎｏ１〜８及び比較例１において、ベース圧力を種々変
えて真空蒸着法により金属電極膜を形成した場合の例を
示す。サンプルＮｏ１〜８の太陽電池及び比較例に係る
太陽電池について、変換効率を求めたところ、サンプル
Ｎｏ１〜８の場合の方が比較例１に比べて高い変換効率
が得られることが確認できた。また、サンプルＮｏ１〜
８及び比較例１において、入射光波長を変えて金属電極
膜の反射率を求めたところ、下記表２に示すようにサン
プルＮｏ１〜８においては金属電極膜の反射率は全て８
０％以上であることが確認できた。なお、反射率の評価
は、ソーダガラス基板上に金属薄膜を蒸着して計測し
た。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】図３は、金属電極膜の厚みが０．５μｍの
場合のサンプルＮｏ２〜６及び比較例１におけるベース
圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロットした
特性図を示す。図４は、ベース圧力が２×１０−４Ｐａ
の場合のサンプルＮｏ１，５，７，８及び比較例１にお
ける金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格化変換効率との関
係をプロットした特性図を示す。
場合のサンプルＮｏ２〜６及び比較例１におけるベース
圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロットした
特性図を示す。図４は、ベース圧力が２×１０−４Ｐａ
の場合のサンプルＮｏ１，５，７，８及び比較例１にお
ける金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格化変換効率との関
係をプロットした特性図を示す。
【００１６】（実施例２）本実施例２は、実施例１と比
べ、金属電極膜１６をベース圧力４×１０−４Ｐａ以下
の減圧雰囲気下でスパッタ法によりＡｇを堆積する点を
特徴とし、他は実施例１と同様な構成となっている。
べ、金属電極膜１６をベース圧力４×１０−４Ｐａ以下
の減圧雰囲気下でスパッタ法によりＡｇを堆積する点を
特徴とし、他は実施例１と同様な構成となっている。
【００１７】下記表３は、上記実施例２に係るサンプル
Ｎｏ９〜１６及び比較例２において、ベース圧力を種々
変えてスパッタ法により金属電極膜を形成した場合の例
を示す。サンプルＮｏ９〜１６の太陽電池及び比較例に
係る太陽電池について、変換効率を求めたところ、サン
プルＮｏ９〜１６の場合の方が比較例２に比べて高い変
換効率が得られることが確認できた。また、サンプルＮ
ｏ９〜１６及び比較例２において、入射光波長を変えて
金属電極膜の反射率を求めたところ、下記表４に示すよ
うにサンプルＮｏ９〜１６においては金属電極膜の反射
率は全て８０％以上であることが確認できた。なお、反
射率の評価は、ソーダガラス基板上に金属薄膜を蒸着し
て計測した。
Ｎｏ９〜１６及び比較例２において、ベース圧力を種々
変えてスパッタ法により金属電極膜を形成した場合の例
を示す。サンプルＮｏ９〜１６の太陽電池及び比較例に
係る太陽電池について、変換効率を求めたところ、サン
プルＮｏ９〜１６の場合の方が比較例２に比べて高い変
換効率が得られることが確認できた。また、サンプルＮ
ｏ９〜１６及び比較例２において、入射光波長を変えて
金属電極膜の反射率を求めたところ、下記表４に示すよ
うにサンプルＮｏ９〜１６においては金属電極膜の反射
率は全て８０％以上であることが確認できた。なお、反
射率の評価は、ソーダガラス基板上に金属薄膜を蒸着し
て計測した。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】図５は、金属電極膜の厚みが０．５μｍの
場合のサンプルＮｏ１０〜１４及び比較例２におけるベ
ース圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロット
した特性図を示す。図６は、ベース圧力が２×１０−４
Ｐａの場合のサンプルＮｏ９，１３，１５，１６及び比
較例２における金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格化変換
効率との関係をプロットした特性図を示す。実施例２に
よれば、実施例１と同様、高い変換効率が得られる。
場合のサンプルＮｏ１０〜１４及び比較例２におけるベ
ース圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロット
した特性図を示す。図６は、ベース圧力が２×１０−４
Ｐａの場合のサンプルＮｏ９，１３，１５，１６及び比
較例２における金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格化変換
効率との関係をプロットした特性図を示す。実施例２に
よれば、実施例１と同様、高い変換効率が得られる。
【００２１】（実施例３）本実施例３は、実施例１と比
べ、金属電極膜１６の材質をＣｕとする点を特徴とし、
他は実施例１と同様な構成となっている。
べ、金属電極膜１６の材質をＣｕとする点を特徴とし、
他は実施例１と同様な構成となっている。
【００２２】下記表５は、上記実施例３に係るサンプル
Ｎｏ１７〜２４及び比較例３において、ベース圧力を種
々変えて真空蒸着法により金属電極膜を形成した場合の
例を示す。サンプルＮｏ１７〜２４の太陽電池及び比較
例に係る太陽電池について、変換効率を求めたところ、
サンプルＮｏ１７〜２４の場合の方が比較例３に比べて
高い変換効率が得られることが確認できた。また、サン
プルＮｏ１７〜２４及び比較例３において、入射光波長
を変えて反射率を求めたところ、下記表６に示すように
サンプルＮｏ１７〜２４においてはＣｕからなる金属電
極膜の反射率は全て８０％以上であることが確認でき
た。なお、反射率の評価は、ソーダガラス基板上に金属
薄膜を蒸着して計測した。
Ｎｏ１７〜２４及び比較例３において、ベース圧力を種
々変えて真空蒸着法により金属電極膜を形成した場合の
例を示す。サンプルＮｏ１７〜２４の太陽電池及び比較
例に係る太陽電池について、変換効率を求めたところ、
サンプルＮｏ１７〜２４の場合の方が比較例３に比べて
高い変換効率が得られることが確認できた。また、サン
プルＮｏ１７〜２４及び比較例３において、入射光波長
を変えて反射率を求めたところ、下記表６に示すように
サンプルＮｏ１７〜２４においてはＣｕからなる金属電
極膜の反射率は全て８０％以上であることが確認でき
た。なお、反射率の評価は、ソーダガラス基板上に金属
薄膜を蒸着して計測した。
【００２３】
【表５】
【００２４】
【表６】
【００２５】図７は、金属電極膜の厚みが０．５μｍの
場合のサンプルＮｏ１８〜２２及び比較例３におけるベ
ース圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロット
した特性図を示す。図８は、ベース圧力が２×１０−４
Ｐａの場合のサンプルＮｏ１７，２１，２３，２４及び
比較例３における金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格化変
換効率との関係をプロットした特性図を示す。
場合のサンプルＮｏ１８〜２２及び比較例３におけるベ
ース圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロット
した特性図を示す。図８は、ベース圧力が２×１０−４
Ｐａの場合のサンプルＮｏ１７，２１，２３，２４及び
比較例３における金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格化変
換効率との関係をプロットした特性図を示す。
【００２６】実施例３によれば、実施例１と同様、高い
変換効率が得られる。
変換効率が得られる。
【００２７】（実施例４）本実施例４は、実施例１と比
べ、金属電極膜１６をベース圧力４×１０−４Ｐａ以下
の減圧雰囲気下でスパッタ法によりＣｕを堆積する点を
特徴とし、他は実施例１と同様な構成となっている。
べ、金属電極膜１６をベース圧力４×１０−４Ｐａ以下
の減圧雰囲気下でスパッタ法によりＣｕを堆積する点を
特徴とし、他は実施例１と同様な構成となっている。
【００２８】下記表７は、上記実施例４に係るサンプル
Ｎｏ２５〜３２及び比較例４において、ベース圧力を種
々変えてスパッタ法により金属電極膜を形成した場合の
例を示す。サンプルＮｏ２５〜３２の太陽電池及び比較
例に係る太陽電池について、変換効率を求めたところ、
サンプルＮｏ２５〜３２の場合の方が比較例４に比べて
高い変換効率が得られることが確認できた。また、サン
プルＮｏ２５〜３２及び比較例４において、入射光波長
を変えて金属電極膜の反射率を求めたところ、下記表８
に示すようにサンプルＮｏ２５〜３２においては金属電
極膜の反射率は全て８０％以上であることが確認でき
た。なお、反射率の評価は、ソーダガラス基板上に金属
薄膜を蒸着して計測した。
Ｎｏ２５〜３２及び比較例４において、ベース圧力を種
々変えてスパッタ法により金属電極膜を形成した場合の
例を示す。サンプルＮｏ２５〜３２の太陽電池及び比較
例に係る太陽電池について、変換効率を求めたところ、
サンプルＮｏ２５〜３２の場合の方が比較例４に比べて
高い変換効率が得られることが確認できた。また、サン
プルＮｏ２５〜３２及び比較例４において、入射光波長
を変えて金属電極膜の反射率を求めたところ、下記表８
に示すようにサンプルＮｏ２５〜３２においては金属電
極膜の反射率は全て８０％以上であることが確認でき
た。なお、反射率の評価は、ソーダガラス基板上に金属
薄膜を蒸着して計測した。
【００２９】
【表７】
【００３０】
【表８】
【００３１】図９は、金属電極膜の厚みが０．５μｍの
場合のサンプルＮｏ２６〜３０及び比較例３におけるベ
ース圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロット
した特性図を示す。図１０は、ベース圧力が２×１０
−４Ｐａの場合のサンプルＮｏ２５，２９，３１，３２
及び比較例４における金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格
化変換効率との関係をプロットした特性図を示す。実施
例４によれば、実施例１と同様、高い変換効率が得られ
る。
場合のサンプルＮｏ２６〜３０及び比較例３におけるベ
ース圧力（Ｐａ）と規格化変換効率との関係をプロット
した特性図を示す。図１０は、ベース圧力が２×１０
−４Ｐａの場合のサンプルＮｏ２５，２９，３１，３２
及び比較例４における金属電極膜の膜厚（μｍ）と規格
化変換効率との関係をプロットした特性図を示す。実施
例４によれば、実施例１と同様、高い変換効率が得られ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、反
射用金属膜の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍの入射光に
対する反射率は８０％以上とすることにより、高い変換
効率を有する太陽電池を提供できる。
射用金属膜の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍの入射光に
対する反射率は８０％以上とすることにより、高い変換
効率を有する太陽電池を提供できる。
【図１】本発明の実施例１に係るタンデム型太陽電池の
断面図。
断面図。
【図２】従来に係るタンデム型太陽電池の断面図。
【図３】実施例１及び比較例１に係るタンデム型太陽電
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図４】実施例１及び比較例１に係るタンデム型太陽電
池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の金
属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の金
属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図５】実施例２及び比較例２に係るタンデム型太陽電
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図６】実施例２及び比較例２に係るタンデム型太陽電
池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の金
属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の金
属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図７】実施例３及び比較例３に係るタンデム型太陽電
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図８】実施例３及び比較例３に係るタンデム型太陽電
池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の金
属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の金
属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図９】実施例４及び比較例４に係るタンデム型太陽電
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
池において、金属電極膜の膜厚が０．５μｍの場合のベ
ース圧力と規格化変換効率との関係を示す特性図。
【図１０】実施例４及び比較例４に係るタンデム型太陽
電池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の
金属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性
図。
電池において、ベース圧力が２×１０−４Ｐａの場合の
金属電極膜膜厚と規格化変換効率との関係を示す特性
図。
【符号の説明】
１１…ガラス基板（支持体）、
１２…透明導電層、
１３…第１のセル、
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…Ｓ
ｉ発電膜、 １４…第２のセル、 １５…酸化物層、 １６…金属電極層（反射用金属膜）。
ｉ発電膜、 １４…第２のセル、 １５…酸化物層、 １６…金属電極層（反射用金属膜）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山口 賢剛
長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号 三
菱重工業株式会社長崎研究所内
Ｆターム(参考） 5F051 AA03 AA05 DA04 DA17 FA03
FA06 FA15 FA23 GA03 GA06
HA03
Claims (3)
- 【請求項１】 支持体上に透明電極膜を介してアモルフ
ァスＳｉ又は結晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型
構造の複数のセルを1つ又は多段に積層し、更に前記セ
ル上に酸化物層を介して形成された反射用金属膜を形成
した太陽電池において、 前記反射用金属膜の波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍの入
射光に対する反射率は８０％以上であることを特徴とす
る太陽電池。 - 【請求項２】 前記反射用金属膜は、ベース圧力が４×
１０-４Ｐａ以下の減圧雰囲気下で形成されることを特
徴とする請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項３】 前記反射用金属膜の膜厚は０．２〜２μ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001371607A JP2003174177A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001371607A JP2003174177A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003174177A true JP2003174177A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19180628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001371607A Pending JP2003174177A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003174177A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120737A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換素子 |
| WO2009154137A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社アルバック | 太陽電池およびその製造方法 |
| WO2011004631A1 (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-12-05 JP JP2001371607A patent/JP2003174177A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120737A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換素子 |
| WO2009154137A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社アルバック | 太陽電池およびその製造方法 |
| JPWO2009154137A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2011-12-01 | 株式会社アルバック | 太陽電池およびその製造方法 |
| KR101153435B1 (ko) | 2008-06-17 | 2012-06-07 | 가부시키가이샤 아루박 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
| WO2011004631A1 (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041111 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050517 |