JP2003228995A - 被測定デバイスの不良解析方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 解析条件の設定を単純化させ多種類の不良項
目の検索について解析すること。 【解決手段】複数種の不良セル検索用パターンと、検索
エリアテーブルとが記憶されている２０３と、不良解析
用アプリケーションプログラムが格納されているＲＯＭ
２０１と、前記不良解析用アプリケーションプログラム
を実行することにより被測定デバイス３０の不良データ
を取り込み、解析用データ記憶部に格納すると共に、被
測定デバイスの不良解析時には、前記検索エリアテーブ
ルにおける各アドレスにおける不良セルのアドレスを、
前記不良データを参照して取得し、前記検索エリアテー
ブルで注目セルに対して指定された不良セル検索用パタ
ーンを前記検索エリアテーブル上において該注目セルを
基準にして重ねて被測定デバイスにおける故障パターン
が、前記指定された不良セル検索用パターンに一致する
か否かを不良項目毎に検査するＣＰＵ２００とを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリＩＣやロジ
ックＩＣ等の被測定デバイスの不良解析方法及び装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】メモリＩＣやロジックＩＣ等の被測定デ
バイスの集積回路試験装置（ＩＣテスタ）による測定結
果により不良データやパスデータを取得することができ
る。取得された不良データのパターンを解析することに
よってどのような原因により不良が発生したかを解析で
きる。

【０００３】従来の被測定デバイスの不良解析において
使用される、不良セル検索パターン（パターン１）と、
前記被測定デバイスの不良検索を行う検索エリアにおけ
る各セルのアドレスと各アドレスにより特定されるセル
において不良検索に使用される不良セル検索用パターン
との関係を示す検索エリアテーブルの一例を図９に示
す。パターン１において、ｔは検索する不良セル（不良
ビット）の位置を示し、fは不良条件となるセルの位置
を示している。

【０００４】従来の被測定デバイスの不良解析では、図
９に示すようにＩＣのフェイル情報（不良データ）を検
索するパターンは、パターン１の１種類とし、パターン
１を検索エリアテーブルの各注目セル（検索対象とする
不良セル）を基準にして検索エリアテーブルとパターン
１とを重ねて被測定デバイスにおける注目セルに隣り合
うセルが連続してフェイルしている場合に不良項目とし
て「隣接ビットフェイル」と認識していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近、
ＩＣの回路構成が複雑化されるにつれ、単純で連続した
隣接ビットの不良データ検索では被測定デバイスの不良
解析を十分に行うことができないという問題が有った。
このために被測定デバイスの不良の原因を細かく指定で
きず、ＩＣの種類や検索する不良項目に対応した不良解
析を行うことができなかった。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、複雑なビットの不良形状データを検索す
るために検索パターンの種類を多くし、かつ部品化する
ことにより、解析条件の設定を単純化させ多種類の不良
項目の検索について解析することができる被測定デバイ
スの不良解析方法及び装置を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、集積回路試験装置により
被測定デバイスの試験を行い、該試験により被測定デバ
イスの不良データを取得すると共に、前記被測定デバイ
スの不良セルの検索に使用する複数種の不良セル検索用
パターンと、前記被測定デバイスの不良検索を行う検索
エリアにおける各セルのアドレスと各アドレスにより特
定されるセルにおいて不良検索に使用される前記複数種
の不良セル検索用パターンのいずれかとの関係を示す検
索エリアテーブルとを前記被測定デバイスの不良項目毎
に作成し、前記被測定デバイスの不良解析時には、前記
検索エリアテーブルにおける各アドレスにおける不良セ
ルのアドレスを前記試験により取得した不良データを参
照して取得し、記憶すると共に、前記検索エリアテーブ
ルで注目セルに対して指定された不良セル検索用パター
ンを前記検索エリアテーブル上において該注目セルを基
準にして重ねて被測定デバイスにおける故障パターン
が、前記指定された不良セル検索用パターンに一致する
か否かを前記不良項目毎に検査することを特徴とする。

【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、前記不良セル検索用パ
ターン及び検索エリアテーブルを部品化して使用するこ
とを特徴とする。

【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、部品化された前記不良
セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを反転した
形式で使用することを特徴とする。

【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、部品化された前記不良
セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを垂直反転
した形式で使用することを特徴とする。

【００１１】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、部品化された前記不良
セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを垂直反転
後、水平反転した形式で使用することを特徴とする。

【００１２】また、請求項６に記載の発明は、集積回路
試験装置により被測定デバイスの試験を行うことにより
取得した被測定デバイスの不良データに基づいて不良項
目毎に作成された被測定デバイスの不良セルの検索に使
用する複数種の不良セル検索用パターンと、前記被測定
デバイスの不良検索を行う検索エリアにおける各セルの
アドレスと各アドレスにより特定されるセルにおいて不
良検索に使用される前記複数種の不良セル検索用パター
ンのいずれかとの関係を示す検索エリアテーブルとが記
憶されている第１の記憶手段と、被測定デバイスの不良
解析を行うための不良解析用アプリケーションプログラ
ムが格納されている第２の記憶手段と、前記第２の記憶
手段に格納されている前記不良解析用アプリケーション
プログラムを実行することにより前記被測定デバイスの
試験を行うことにより取得した被測定デバイスの不良デ
ータを取り込み、前記第１の記憶手段に格納すると共
に、前記被測定デバイスの不良解析時には、前記検索エ
リアテーブルにおける各アドレスにおける不良セルのア
ドレスを前記試験により取得した不良データを参照して
取得し、記憶すると共に、前記検索エリアテーブルで注
目セルに対して指定された不良セル検索用パターンを前
記検索エリアテーブル上において該注目セルを基準にし
て重ねて被測定デバイスにおける故障パターンが、前記
指定された不良セル検索用パターンに一致するか否かを
前記不良項目毎に検査する処理手段とを有することを特
徴とする。

【００１３】また、請求項７に記載の発明は、請求項６
に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前記
不良セル検索用パターン及び検索エリアテーブルは部品
化されて前記第１の記憶手段に記憶されており、前記処
理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記部品
化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテーブ
ルを使用して被測定デバイスを検査することを特徴とす
る。

【００１４】また、請求項８に記載の発明は、請求項６
に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前記
処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記部
品化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテー
ブルを反転した形式で使用して被測定デバイスを検査す
ることを特徴とする。

【００１５】また、請求項９に記載の発明は、請求項６
に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前記
処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記部
品化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテー
ブルを垂直反転した形式で使用して被測定デバイスを検
査することを特徴とする。

【００１６】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
６に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前
記処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記
部品化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテ
ーブルを垂直反転後、水平反転した形式で使用して被測
定デバイスを検査することを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面
を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態に係る被
測定デバイスの不良解析装置の構成を図１に示す。本発
明の実施形態に係る被測定デバイスの不良解析装置は、
集積回路試験装置により被測定デバイスの試験を行い、
該試験により被測定デバイスの不良データを取得すると
共に、前記被測定デバイスの不良セルの検索に使用する
複数種の不良セル検索用パターンと、前記被測定デバイ
スの不良検索を行う検索エリアにおける各セルのアドレ
スと各アドレスにより特定されるセルにおいて不良検索
に使用される前記複数種の不良セル検索用パターンのい
ずれかとの関係を示す検索エリアテーブルとを前記被測
定デバイスの不良項目毎に作成し、前記被測定デバイス
の不良解析時には、前記検索エリアテーブルにおける各
アドレスにおける不良セルのアドレスを前記試験により
取得した不良データを参照して取得し、記憶すると共
に、前記検索エリアテーブルで注目セルに対して指定さ
れた不良セル検索用パターンを前記検索エリアテーブル
上において該注目セルを基準にして重ねて被測定デバイ
スにおける故障パターンが、前記指定された不良セル検
索用パターンに一致するか否かを前記不良項目毎に検査
することを特徴とする被測定デバイスの不良解析方法を
実施するための装置である。

【００１８】図１において、本実施形態に係る被測定デ
バイスの不良解析装置２０は、ＣＰＵ２００と、ＲＯＭ
２０１と、ＲＡＭ２０２と、解析用データ記憶部２０３
と、入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース２０４と、各種デ
ータの入力、各種設定を行うための入力操作部２０５と
を有している。ＣＰＵ２００、ＲＯＭ２０１、ＲＡＭ２
０２、解析用データ記憶部２０３、入出力（Ｉ／Ｏ）イ
ンタフェース２０４及び入力操作部２０５は、相互にバ
ス２１０を介して接続されている。１０は集積回路試験
装置であり、集積回路試験装置１０は被測定デバイス３
０の試験を行うことにより取得した被測定デバイス３０
の故障データをフェイルメモリ１００に書き込むように
なっている。

【００１９】ＲＯＭ２０１には、被測定デバイス３０の
不良解析を行うための不良解析用アプリケーションプロ
グラムを含む各種プログラム及び固定データが格納され
ている。ＲＡＭ２０２は、ＣＰＵ２００が演算処理する
際に使用するワークエリア及びＣＰＵ２００により演算
処理されたデータを一時的に記憶するメモリエリアを有
している。

【００２０】解析用データ記憶部２０３には、集積回路
試験装置１０により被測定デバイス３０の試験を行うこ
とにより取得した被測定デバイス３０の不良データに基
づいて不良項目毎に作成された被測定デバイス３０の不
良セルの検索に使用する複数種の不良セル検索用パター
ンと、被測定デバイス３０の不良検索を行う検索エリア
における各セルのアドレスと各アドレスにより特定され
るセルにおいて不良検索に使用される複数種の不良セル
検索用パターンのいずれかとの関係を示す検索エリアテ
ーブルとが記憶されるようになっている。

【００２１】ＣＰＵ２００は、不良解析用アプリケーシ
ョンプログラムを実行することにより、集積回路試験装
置１０のフェイルメモリ１００に書き込まれた被測定デ
バイス３０の不良データを取り込み、解析用データ記憶
部２０３に格納するととともに、被測定デバイス３０の
不良解析時には、検索エリアテーブルにおける各アドレ
スにおける不良セルのアドレスを、上記不良データを参
照して取得し、記憶すると共に、上記検索エリアテーブ
ルで注目セルに対して指定された不良セル検索用パター
ンを上記検索エリアテーブル上において該注目セルを基
準にして重ねて被測定デバイス３０における故障パター
ンが、指定された不良セル検索用パターンに一致するか
否かを不良項目毎に検査する。

【００２２】ＣＰＵ２００は本発明の処理手段に、ＲＯ
Ｍ２０１は本発明の第２の記憶手段に、解析用データ記
憶部２０３は本発明の第１の記憶手段に相当する。ここ
で、被測定デバイス３０としてのメモリデバイスの隣接
ビット不良を検索するための３種類の不良セル検索用パ
ターンと、検索エリアテーブル例を図４に示す。ここ
で、「隣接ビット不良」とは被測定デバイス３０の不良
項目の１つであり、隣接するセルが不良であるものをい
う。

【００２３】検索する不良名が一つでも検索エリアテー
ブル上で検索するセルの位置によっ不良検索するパター
ンの形状が異なる。検索エリアテーブル（図４（Ａ））
の内部に書いてある番号は図４（Ｂ）に示す不良検索に
使用する検索パターンのパターン番号であり、不良セル
検索用パターン（図４（Ｂ））として３種類の異なるパ
ターン１〜３が使用される。

【００２４】パターン１〜３において、"ｔ"は検索する
不良ビット（不良セル）の位置を示し"ｆ"は不良条件と
なるビット（セル）の位置を示す。"＠"位置のフェイル
は、不良条件対象外となる。検索条件が一致したと判断
された場合、すなわち検索エリアテーブルで、注目セル
に対して指定された不良セル検索用パターンを検索エリ
アテーブル上において上記注目セルを基準にして重ねた
ときに不良セル検索用パターンと検索エリアテーブルと
が一致した場合には、不良項目が存在したことになり、
検索後の不良データは削除される。

【００２５】次に、本実施形態に係る被測定デバイスの
不良解析装置により被測定デバイスの不良検索を行う手
順について図２及び図３のフローチャートを参照して説
明する。まず、集積回路試験装置１０により被測定デバ
イス３０について試験を行い、この試験により取得した
被測定デバイス３０内のセルの不良データを被測定デバ
イス３０のアドレスに関連付けてフェイルメモリ１００
に格納する。この後に入力操作部２０５を操作すること
により、ＣＰＵ２００は、不良解析用アプリケーション
プログラムを実行して、集積回路試験装置１０のフェイ
ルメモリ１００に書き込まれた被測定デバイス３０の不
良データ（アドレスと対応付けられたデータ）を入出力
インタフェース２０４を介して取り込み、解析用データ
記憶部２０３に格納する（ステップ３００）。

【００２６】次に、ユーザは集積回路試験装置１０によ
る被測定デバイス３０の試験結果に基づいて被測定デバ
イス３０に適した各不良項目毎の不良セル検索パターン
及び検索エリアテーブルを作成し、解析用データ記憶部
２０３に格納する（ステップ３０１）。さらに、ユーザ
により被測定デバイス３０について入力操作部２０５に
より故障検索する際における複数の不良項目の検索順が
設定され（ステップ３０２）、検索エリアテーブル上で
の検索方向が設定される（ステップ３０３）。不良項目
としては、「隣接ビット不良」、「ワード線越え不良」
等がある。

【００２７】次いで、ユーザが入力操作部２０５を操作
して被測定デバイス３０の不良検索の開始を指示するこ
とによりＣＰＵ２００はＲＯＭ２０１に格納されている
不良解析用アプリケーションプログラムの実行を開始
し、被測定デバイス３０の不良検索が開始される（ステ
ップ３０４）。不良検索が開始されると、まず、解析用
データ記憶部２０３に格納されている被測定デバイス３
０の不良データの検索を行い（ステップ３０５）、不良
セル（フェイルとなったセル）のアドレスを取得する
（ステップ３０６）。

【００２８】次に検索エリアテーブルにおける不良セル
の該当アドレスにおいて指定されているパターン番号か
ら不良セル検索用パターンを取得し（ステップ３０
７）、注目セルにおいて、不良セル検索用パターンと一
致したか否かを判定する。すなわち、フェイルとなって
いる不良セル、例えば、図４において、検索エリアテー
ブルにおけるＸ＝１、Ｙ＝１のアドレスのセルの位置に
パターン３の不良セル検索用パターンの“ｔ”の位置を
合わせて検索エリアテーブルに不良セル検索用パターン
を重ねることにより検索エリアテーブルにおけるパター
ン３を重ねた“ｆ”の位置のすべてにフェイルとなって
いるセルが有るか否かにより注目セルにおいて不良セル
検索用パターンと一致したか否かを判定する（ステップ
３０８）。この場合は一致しないので、ステップ３０５
に処理が戻る。

【００２９】また、ステップ３０８で注目セルにおいて
不良セル検索用パターンと一致したと判定された場合に
は、そのパターンにおける“ｔ”、“ｆ”の位置に対応
して検索エリアテーブル上に位置する不良セルのアドレ
スを取得し、解析用データ記憶部２０３におけるそのア
ドレスにおけるセルの不良データを削除する。次いで、
検索エリアテーブルにおける全アドレスについて検索が
終了したか否かを判定し（ステップ３１０）、検索が終
了していない場合にはステップ３０５に処理が戻る。

【００３０】一方、ステップ３１０で検索エリアテーブ
ルにおける全アドレスについて検索が終了した判定した
場合には全不良項目について検索が終了したか否かを判
定する（ステップ３１１）。ステップ３１１で全不良項
目について検索が終了していないと判定した場合には、
処理はステップ３０５に戻り、既述したのと同様の処理
を実行する。また、ステップ３１１で全不良項目につい
て検索を終了したとは判定した場合には故障検索を終了
する。

【００３１】図５に実際の故障検索例を示す。図５
（Ａ）は検索エリアテーブルの内容を、図５（Ｂ）は不
良セル検索用パターンのうちパターン１（図４に示した
ものと同一である）の内容を示している。同図におい
て、検索エリアテーブル上でフェイルしているビット
（セルの位置）をＸ方向で検索するとＸが１、Ｙが１の
アドレスが検索される。この位置の故障検索は、図４の
例で説明したように、パターン３で行うが一致せず、検
索エリアテーブルにおける次のフェイル位置（アドレ
ス）を再度検索する。ここで、「フェイルしているセ
ル」（故障セル）とは、集積回路装置１０により試験時
に書き込まれたデータと読み出されたデータとが一致し
なかったセルをいうものとする。

【００３２】さて、再度検索した際に、検索エリアテー
ブルにおける次のフェイルビットにおいては、Ｘが２、
Ｙが２のアドレスが検索され、このアドレスで指定され
た不良セル検索用パターンであるパターン１とフェイル
形状が合致するため、検索していた不良項目が一つ存在
したことになる。

【００３３】検索エリアテーブルにおける各アドレスに
おいて故障検索に使用される不良セル検索用パターンは
被測定デバイス３０内部のセルの位置によって規則的に
変化している。図６に被測定デバイス３０内部における
各検索エリアにおける各セルの故障検索に使用する不良
セル検索用パターンのパターン番号を示した４種類の検
索エリアテーブルの組み合わせの例を、また図７に各検
索エリアに使用する不良セル検索用パターンの組み合わ
せの例を示す。

【００３４】被測定デバイス３０内部は例えば、４つの
検索エリア（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）に区分けされＡの検索エ
リアについて作成された検索エリアテーブルを基本とす
ると検索エリアＢに使用する検索エリアテーブルは、検
索エリアＡについて使用される検索エリアテーブルの内
容を水平反転した形式のテーブルが使用される。また、
検索エリアＡに対して検索エリアＣは、検索エリアＡに
ついて使用される検索エリアテーブルの内容を垂直反転
した形式のテーブルを、検索エリアＤについては、検索
エリアＡについて使用される検索エリアテーブルの内容
を垂直反転後、さらに水平反転した形式のテーブルが使
用される。

【００３５】また、従来の被測定デバイスの不良解析方
法（または不良解析装置）では、検索エリアが異なるご
とに検索パターンを設定しなければならず、検索エリア
Ａに一つの検索パターンが存在した場合は、検索エリア
Ｂ，Ｃ，Ｄ用に三種類の不良セル検索用パターンを作成
し、被測定デバイス３０の故障検索を行っていた。本発
明の実施形態では、検索エリアＢ，Ｃ，Ｄ用の検索パタ
ーンを作成せず、検索エリアＡ用の不良セル検索用パタ
ーンを部品化して、３種類の反転方向を指定することで
検索条件を指定可能としている。

【００３６】基本となる検索エリアテーブル及び不良セ
ル検索用パターンを部品化し、各検索エリアにおいて、
使用する検索エリアテーブル及び不良セル検索用パター
ンを、基本となる検索エリアテーブル及び不良セル検索
用パターンに対する反転情報の内容を指定することによ
り特定するテーブルの内容を図８に示す。同図に示すよ
うに、検索エリアテーブル及び不良セル検索用パターン
検索エリアＡ用に作成するだけで、他の検索エリア全て
について対応することが可能となる。

【００３７】本実施形態では、被測定デバイスの不良セ
ルの検索に使用する複数種の不良セル検索用パターン
と、前記被測定デバイスの不良検索を行う検索エリアに
おける各セルのアドレスと各アドレスにより特定される
セルにおいて不良検索に使用される前記複数種の不良セ
ル検索用パターンのいずれかとの関係を示す検索エリア
テーブルとを部品化し、その部品化されたデータと反転
情報を用いることで検索情報を単純化させ一定の方法で
検索するようにしている。したがって、本実施形態によ
れば、検索条件の組み合わせを大幅に削減することがで
きるため被測定デバイスについてミスの少ない不良解析
を行うことができ、また検索形状を任意に指定できるた
め細かな解析を行うことが可能となる。

【００３８】

【発明の効果】メモリデバイス等のＩＣ内部の不良解析
は、４０〜１００種類の不良検索をおこなう。図８の不
良パターン検索の場合、従来の検索条件であれば１２種
類の不良セル検索用パターンを記述しなければならない
が、本発明では、３種類と反転情報を条件として設定す
るだけで可能である。以上説明したように、本発明によ
れば、検索条件の組み合わせを大幅に削減することがで
きるため被測定デバイスについてミスの少ない不良解析
を行うことができ、また検索形状を任意に指定できるた
め細かな解析を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る被測定デバイスの不
良解析装置の構成を示すブロック図。

【図２】 図１に示した本発明の実施形態に係る被測定
デバイスの不良解析装置の処理内容を示すフローチャー
ト。

【図３】 図１に示した本発明の実施形態に係る被測定
デバイスの不良解析装置の処理内容を示すフローチャー
ト。

【図４】 被測定デバイスの不良検索を行う際に使用さ
れる検索エリアテーブルと不良セル検索用パターンの例
を示す説明図。

【図５】 実際の不良検索時に使用される検索エリアテ
ーブルと不良セル検索用パターンの一例を示す説明図。

【図６】 被測定デバイス内部の各検索エリアにおける
各セルの故障検索に使用する不良セル検索用パターンの
パターン番号を示した４種類の検索エリアテーブルの組
合せ例を示す説明図。

【図７】 各検索エリアに使用する不良セル検索用パタ
ーンの組み合わせの例を示す説明図。

【図８】 各検索エリアにおいて、使用する検索エリア
テーブル及び不良セル検索用パターンを、基本となる検
索エリアテーブル及び不良セル検索用パターンに対する
反転情報の内容を指定することにより特定するテーブル
の内容を示す説明図。

【図９】 従来の被測定デバイスの不良解析に使用され
る検索エリアテーブルと不良セル検索用パターンの例を
示す説明図。

【符号の説明】

１０…集積回路試験装置 ２０…被測定デバイスの不良解析装置 ３０…被測定デバイス １００…フェイルメモリ ２００…ＣＰＵ ２０１…ＲＯＭ ２０２…ＲＡＭ ２０３…解析用データ記憶部 ２０４…Ｉ／Ｏインタフェース ２０５…入力操作部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 集積回路試験装置により被測定デバイス
   の試験を行い、該試験により被測定デバイスの不良デー
   タを取得すると共に、前記被測定デバイスの不良セルの
   検索に使用する複数種の不良セル検索用パターンと、前
   記被測定デバイスの不良検索を行う検索エリアにおける
   各セルのアドレスと各アドレスにより特定されるセルに
   おいて不良検索に使用される前記複数種の不良セル検索
   用パターンのいずれかとの関係を示す検索エリアテーブ
   ルとを前記被測定デバイスの不良項目毎に作成し、 前記被測定デバイスの不良解析時には、前記検索エリア
   テーブルにおける各アドレスにおける不良セルのアドレ
   スを前記試験により取得した不良データを参照して取得
   し、記憶すると共に、前記検索エリアテーブルで注目セ
   ルに対して指定された不良セル検索用パターンを前記検
   索エリアテーブル上において該注目セルを基準にして重
   ねて被測定デバイスにおける故障パターンが、前記指定
   された不良セル検索用パターンに一致するか否かを前記
   不良項目毎に検査することを特徴とする被測定デバイス
   の不良解析方法。
2. 【請求項２】 前記被測定デバイスの不良解析時に、前
   記不良セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを部
   品化して使用することを特徴とする請求項１に記載の被
   測定デバイスの不良解析方法。
3. 【請求項３】 前記被測定デバイスの不良解析時に、部
   品化された前記不良セル検索用パターン及び検索エリア
   テーブルを反転した形式で使用することを特徴とする請
   求項１に記載の被測定デバイスの不良解析方法。
4. 【請求項４】 前記被測定デバイスの不良解析時に、部
   品化された前記不良セル検索用パターン及び検索エリア
   テーブルを垂直反転した形式で使用することを特徴とす
   る請求項１に記載の被測定デバイスの不良解析方法。
5. 【請求項５】 前記被測定デバイスの不良解析時に、部
   品化された前記不良セル検索用パターン及び検索エリア
   テーブルを垂直反転後、水平反転した形式で使用するこ
   とを特徴とする請求項１に記載の被測定デバイスの不良
   解析方法。
6. 【請求項６】 集積回路試験装置により被測定デバイス
   の試験を行うことにより取得した被測定デバイスの不良
   データに基づいて不良項目毎に作成された被測定デバイ
   スの不良セルの検索に使用する複数種の不良セル検索用
   パターンと、前記被測定デバイスの不良検索を行う検索
   エリアにおける各セルのアドレスと各アドレスにより特
   定されるセルにおいて不良検索に使用される前記複数種
   の不良セル検索用パターンのいずれかとの関係を示す検
   索エリアテーブルとが記憶されている第１の記憶手段
   と、 被測定デバイスの不良解析を行うための不良解析用アプ
   リケーションプログラムが格納されている第２の記憶手
   段と、 前記第２の記憶手段に格納されている前記不良解析用ア
   プリケーションプログラムを実行することにより前記被
   測定デバイスの試験を行うことにより取得した被測定デ
   バイスの不良データを取り込み、前記第１の記憶手段に
   格納するととともに、前記被測定デバイスの不良解析時
   には、前記検索エリアテーブルにおける各アドレスにお
   ける不良セルのアドレスを前記試験により取得した不良
   データを参照して取得し、記憶すると共に、前記検索エ
   リアテーブルで注目セルに対して指定された不良セル検
   索用パターンを前記検索エリアテーブル上において該注
   目セルを基準にして重ねて被測定デバイスにおける故障
   パターンが、前記指定された不良セル検索用パターンに
   一致するか否かを前記不良項目毎に検査する処理手段
   と、 を有することを特徴とする被測定デバイスの不良解析装
   置。
7. 【請求項７】 前記不良セル検索用パターン及び検索エ
   リアテーブルは部品化されて前記第１の記憶手段に記憶
   されており、 前記処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前
   記部品化された不良セル検索用パターン及び検索エリア
   テーブルを使用して被測定デバイスを検査することを特
   徴とする請求項６に記載の被測定デバイスの不良試験装
   置。
8. 【請求項８】 前記処理手段は、前記被測定デバイスの
   不良解析時に前記部品化された不良セル検索用パターン
   及び検索エリアテーブルを反転した形式で使用して被測
   定デバイスを検査することを特徴とする請求項６に記載
   の被測定デバイスの不良試験装置。
9. 【請求項９】 前記処理手段は、前記被測定デバイスの
   不良解析時に前記部品化された不良セル検索用パターン
   及び検索エリアテーブルを垂直反転した形式で使用して
   被測定デバイスを検査することを特徴とする請求項６に
   記載の被測定デバイスの不良試験装置。
10. 【請求項１０】 前記処理手段は、前記被測定デバイス
    の不良解析時に前記部品化された不良セル検索用パター
    ン及び検索エリアテーブルを垂直反転後、水平反転した
    形式で使用して被測定デバイスを検査することを特徴と
    する請求項６に記載の被測定デバイスの不良試験装置。