JP2011237405A - ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニット - Google Patents

ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニット Download PDF

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Abstract

【課題】高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、検査工程中のピンミスを減少させることができるディスプレー検査用プローブブロック及びプローブユニットを提供する。
【解決手段】ディスプレーパネル検査用プローブブロック220は、傾斜突出部224を含むプローブブロック本体部222と、傾斜突出部224の下側面に結合され、傾斜突出部224の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して該電極に信号を印加するプローブフィルム100と、傾斜突出部224の上側面に結合され、突出して延長されたプローブフィルム100の上部面と接触してプローブフィルム100を支持する第1のプレート242とを含む。
【選択図】図5

Description

本発明は、ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニットに関するものである。
LCD(Liquid Crystal Display)生産工程は、ディスプレーパネルを作るセル(cell)工程と、ドライバー(driver)、バックライト(back light)、導光板及び偏光板をセル工程で生産されたディスプレーパネルと組立てて完成品を作り出すモジュール(module)組み立て工程とに大別される。
ここで、ディスプレーパネルは、ソース電極及びゲート電極がそれぞれ形成されている面を基板上に対向して配置した画像表示装置であって、基板間に液晶物質を入れ込んだ後、両電極に電圧を印加して電場を発生させ、この発生された電場によって液晶分子を動かして光の透過率を変化させることで画像を表現する。
この時、ディスプレー検査用プローブユニット(以下、「プローブユニット」という。)は、セル工程で生産されたディスプレーパネルに対する検査を行うことで、製造工程で発生し得る欠陥の有無を確認する。
例えば、プローブユニットは、TFT(Thin Film Transistor)、TN(Twisted Nematic)、STN(Super Twisted Nematic)、CSTN(Color Super Twisted Nematic)、DSTN(Double Super Twisted Nematic)、有機EL(Electro Luminescence)などのディスプレーパネルの電極(またはパッド)にテスト用電気信号を印加して、該当ディスプレーパネルがピクセルエラー(pixel error)を起こさず正常に作動するか否かを検査する。
図1は、ディスプレーパネルを検査するための従来のプローブユニットの全体構成図である。
図1に示すように、プローブユニット10は、ディスプレーパネル20に位置して各セルの異常有無を検査する。この時、プローブユニット10は、電気信号をディスプレーパネル20の電極に印加し、それによる出力信号を受けて検査システムに伝達する。
このような過程を通じて、製造工程で発生し得るディスプレーパネル20の点欠陥、線欠陥、染み欠陥などの欠陥有無を検査する。
図2は、従来のプローブユニットの斜視図である。
図2に示すように、上述のプローブユニット10は、一般的にプローブブロック12、PCB部16、及びヘッドブロック14を含む。
プローブブロック12は、ディスプレーパネル20の電極にプローブを接触させ、電気信号を印加し、それによる出力信号を検出して検査工程を行う。ここで、プローブブロック12は、TCP(Taped Carrier Package)ブロック(図示せず)と一体に形成されることができ、このようなTCPブロックは、PCB部16から受信した電気信号をプローブブロック12に伝達する。
ヘッドブロック14は、プローブブロック12のプローブが適当な物理的圧力でディスプレーパネル20の電極と接触するように、プローブブロック12を上下に移動させたり、一定の位置に固定させる。
PCB部16は、ディスプレーパネル20の各セルの検査のための電気信号を生成し、フィルム18を媒介にしてプローブブロック12に伝達する。
一方、最近は、高画質のディスプレーパネルが持続的に増加しつつあり、それによって高密度のディスプレーパネルを検査するためのプローブを具備したプローブブロックの必要性が大きくなっている。
しかし、上述の従来のプローブブロックに構成されたプローブの径は、少なくとも300マイクロメートル程度であるため、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを検査するのに限界があった。特に、プローブを加工する技術的な限界によって均一かつ正確に配列されたプローブを具備した高密度のプローブブロックを作るのは困難であった。
また、従来のプローブブロックに構成されたプローブの場合、プローブの先端部がディスプレーパネルに接触する時にプローブに摩耗が生じて、ディスプレーパネルに対する検査が正確に行われなかったり、適時にプローブを交換しなければならないという不便があった。そして、プローブの個別的な上下運動により、ピンミス(pin miss)が発生することもあった。
本発明の一実施例は、フォトリソグラフィ(photolithography)法を用いてプローブ部を高密度でかつ均一に一括して形成することにより、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、また、プローブ部の流動性がないため検査工程中のピンミスを減少させることができる、ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニットを提供することを目的としている。
また、本発明の一実施例は、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにコンタクト位置が変更されるように、複数個のコンタクトバンプをそれぞれの信号ラインに従ってプローブ部に一括して形成することにより、摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を持続的に行うことができる、ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニットを提供することを目的としている。
また、本発明の一実施例は、互いに違う長さを有する複数個の信号ライン部を交互に一定間隔毎に配列することにより、高電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる、ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニットを提供することを目的としている。
また、本発明の一実施例は、プローブフィルムを付着した第2のプレートの上端に接触する第1のプレートを具備することにより、プローブフィルムのコンタクトバンプを適当な物理的圧力で効果的にディスプレーパネルの電極に接触させることができる、ディスプレーパネル検査用プローブブロック及びプローブユニットを提供することを目的としている。
上述の技術的課題を解決するための技術的手段として、本発明の第1の側面によるディスプレーパネル検査用プローブブロックは、傾斜突出部を含むプローブブロック本体部と、傾斜突出部の下側面に結合され、傾斜突出部の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して該電極に信号を印加するプローブフィルムと、傾斜突出部の上側面に結合され、突出して延長されたプローブフィルムの上部面と接触してプローブフィルムを支持する第1のプレートとを含む。
本発明の第2の側面によるディスプレーパネル検査用プローブユニットは、傾斜突出部を含むプローブブロック本体部、傾斜突出部の下側面に結合され、傾斜突出部の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して該電極に信号を印加するプローブフィルム、及び傾斜突出部の上側面に結合され、突出して延長されたプローブフィルムの上部面と接触してプローブフィルムを支持する第1のプレートを含むプローブブロックと、プローブブロックの上部に結合され、プローブフィルムとディスプレーパネルの電極が接触するようにプローブブロックを上下に移動させるヘッドブロックと、プローブブロックの下部に着脱可能に結合された圧着ブロックとを含む。
前述の本発明の課題解決手段によれば、フォトリソグラフィ法を用いて、プローブ部が高密度でかつ均一に一括して形成されるので、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、また、プローブ部の流動性がないため検査工程中のピンミスを減少させることができる。
また、前述の本発明の課題解決手段によれば、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにコンタクト位置が変更されるように、複数個のコンタクトバンプがそれぞれの信号ラインに従ってプローブ部に一括して形成されるので、摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を持続的に行うことができる。
また、前述の本発明の課題解決手段によれば、互いに違う長さを有する複数個の信号ライン部が交互に一定間隔毎に配列されるので、高電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる。
また、前述の本発明の課題解決手段によれば、プローブフィルムを付着した第2のプレートの上端に接触する第1のプレートを具備しているので、プローブフィルムのコンタクトバンプを適当な物理的圧力で効果的にディスプレーパネルの電極に接触させることができる。
従来のディスプレーパネルを検査するためのプローブユニットの全体構成図である。 従来のプローブユニットの斜視図である。 本発明の一実施例によるプローブユニットを示す図である。 プローブブロックの先端部を示す図である。 プローブブロックの先端部を示す図である。 プローブブロックの先端部を示す図である。 図3のプローブユニットの分解斜視図である。 本発明の一実施例によるプローブフィルムの斜視図である。 図6のプローブフィルムの平面図である。 本発明の一実施例による一定のパターンに形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプを例示した図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の全体フロー図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の詳細フロー図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。 図11a〜図11kの工程で形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成された複数個のコンタクトバンプを示す図である。
以下では、添付した図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者が容易に実施することができるように本発明の実施例を詳しく説明する。但し、本発明は、様々な相異した形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されない。また、図面で本発明を明確に説明するための説明と関係ない部分は省略し、明細書全体に亘って類似している部分に対しては同様の図面符号を付けた。
明細書全体で、ある部分が他の部分と「連結」されている場合、これは「直接的に連結」されている場合だけではなく、その中間に他の素子を置いて「電気的に連結」されている場合も含む。また、ある部分がどの構成要素を「含む」場合、これは特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
図3は、本発明の一実施例によるプローブユニットを示す図である。図4a〜図4cは、プローブブロックの先端部を示す。そして、図5は、図3のプローブユニットの分解斜視図である。
図3〜図5に示すように、本発明のプローブユニット200は、ヘッドブロック210、プローブブロック220、及び圧着ブロック230を含む。
ヘッドブロック210は、プローブブロック220の上部に結合されてプローブブロック220のプローブ部が適当な物理的圧力でディスプレーパネルの電極と接触するようにプローブブロック220を上下に移動及び固定させる。
プローブブロック220は、傾斜突出部224を含むプローブブロック本体部222と、傾斜突出部224の下側面に結合され、傾斜突出部224の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して信号を印加するプローブフィルム100と、傾斜突出部224の上側面に結合され、突出して延長されたプローブフィルム100の上部面と接触してプローブフィルム100を支持する第1のプレート242とを含む。ここで、プローブブロック220は、第1のプレート242の上部面に結合され、第1のプレート242を固定して支持する固定ブロック250をさらに含むことができる。
より具体的には、図4aに示すように、プローブブロック220の先端部Aは、傾斜突出部224の下側面に結合される第2のプレート241と、第2のプレート241の下側面に結合され、ディスプレーパネルの電極に接触されて信号を印加するプローブフィルム100と、傾斜突出部224の上側面に結合され、第2のプレート241の上部面と接触して第2のプレートの先端部241−1を支持する第1のプレート242と、を含むことができる。この時、第1のプレート242の先端部242−1は、第2のプレート241の先端部241−1に傾いた角度で接触することができる。
そして、図4bに示すように、他の実施例において、プローブブロック220の先端部A’は、傾斜突出部224の下側面とプローブフィルム100との間に上述の第2のプレート241が介在せず、プローブフィルム100が傾斜突出部224の下側面に結合されて傾斜突出部224の先端から突出して延長され、第1のプレート242の先端部242−2が突出して延長されたプローブフィルム100の上部面に並んで接触するように延長された形態で構成されることができる。
また、図4cに示すように、他の実施例において、プローブブロック220の先端部A”は、第2のプレート241と第1のプレート242が一体に形成され、第2のプレート241の下側面にプローブフィルム100が結合した形態で構成されることもできる。
圧着ブロック230は、プローブブロック220の下部に着脱可能に結合される。圧着ブロック230は、プローブブロック220の下部に形成された窪み部に収容される圧着ブロック本体部231と、本体部231の一側に突出して形成される結合突出部232と、圧着ブロック本体部231の下部から結合突出部232の回りに延長され、結合突出部232の上部面でプローブフィルム100側に圧着して接続された連結フィルム233と、を含む。
ここで、連結フィルム233は、ディスプレーパネルを検査する駆動IC(Drive Integrated Circuit)(図示せず)を実装したものである。このような駆動ICは、ディスプレーパネルの各電極に電気的信号を印加すると共に、出力を検出することでディスプレーパネルの不良有無に対する検査工程を行う。連結フィルム233は、チップオンフィルム(Chip On Film)に具現されることができる。
以下、図6及び図7を通じて、上述のプローブフィルム100についてより具体的に説明する。
図6は、本発明の一実施例によるプローブフィルムの斜視図である。図7は、図6のプローブフィルムの平面図である。
図6及び図7に示すように、ディスプレーパネル検査用プローブブロックに装着されるプローブフィルム100は、信号ライン部151及び前記信号ライン部151から突出して形成され、ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触されるコンタクトバンプ152をそれぞれ含む複数個のプローブ部150の上部面にフィルム170が接合された形態である。
ここで、プローブ部150は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものである。
そして、プローブ部150のコンタクトバンプ152は、ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触する部分である。ここで、コンタクトバンプ152は、先端部153の幅(a’)が他の部分の幅より広く形成され、高さ(b’)が縦方向に減少するような非対称の菱形であることができる。すなわち、コンタクトバンプ152は縦方向の線(c’)と先端部153の幅方向の線(a’)が交差する点の高さ(b’)が一番大きく、縦方向に行くほど高さが減少する形であることができる。
そして、プローブ部150の信号ライン部151は、ディスプレーパネルに接触したコンタクトバンプ152を通じて電気信号をディスプレーパネルに印加し、それによる出力信号を検査システムに伝達する。このようなコンタクトバンプ152と信号ライン部151は、後述する図8の形態に配列されることができる。
図8は、本発明の一実施例による一定パターンに形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプを示す図である。
図8に示すように、コンタクトバンプ152は、互いに違う長さを持った複数個の信号ライン部151a、151bに複数個突出して形成されることができる。ここで、信号ライン部151a、151bは、第1の長さに形成された第1の信号ライン部151aと、前記第1の信号ライン部151aより後退され、第1の信号ライン部151aより短い第2の長さに形成された第2の信号ライン部151bと、を含み、第1の信号ライン部151aと第2の信号ライン部151bは交互に配列されることができる。
ここで、同じ長さの信号ライン部には同信号が伝達され、第1の長さに形成された信号ライン部151aと第2の長さに形成された信号ライン部151bとの電圧差が20V〜40Vであることができる。このように、それぞれの信号ライン部151a、151bが交互に一定間隔で配列されることで、その電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる。
そして、コンタクトバンプ152が信号ライン部に複数個突出して形成されているため、摩耗したコンタクトバンプを交換する必要なく、次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を効果的に行うことができる。
より具体的には、コンタクトバンプ152は、上述の非対称の菱形に形成され、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにスムーズにコンタクトの位置が変更されることができ、それによって摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程が持続的に行われる。
また、上述のプローブ部150は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものであって、コンタクトバンプ及び信号ライン部が流動せず、均一かつ正確に配列されているため、ディスプレーパネルに対する検査を行う時にピンミスを減少させることができる。以下、図9を通じてプローブブロック用プローブフィルムの製造方法についてより具体的に説明する。
図9は、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の全体フロー図である。
図9に示すように、本発明のプローブブロック用プローブフィルムを製造するために、先ず信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部150をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成する(ステップS1001)。このステップS1001は後述するステップS1101〜S1108に対応している。
次に、プローブ部150の上部面をフィルム部と接合する(ステップS1002)。このステップS1002は、後述するステップS1109〜S1110に対応している。
そして、前記基板を除去する(ステップS1003)。このステップS1003は、後述するステップS1111に対応している。
上述の図9のプローブフィルムの製造方法のより具体的な工程及び詳細な製造順序に関しては、以下、図10及び図11a〜図11kを通じて後述する。
図10は、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の詳細フロー図である。そして、図11a〜図11kは、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。
図11aに示すように、シリコーン(Si)基板110(以下、「基板」という。)上に形成された第1のフォトレジスト層120をパターニングして、一定の幅(c’)のパターンを形成する(ステップS1101)。ここで、該当幅(c’)はコンタクトバンプ152の長さに対応するように形成されることができる。より具体的には、予め定義されたマスク層を用いて紫外線露光装置などによって露光し、露光されたフォトレジスト層に現象工程を行ってマスクのパターンにより第1のフォトレジスト層120をパターニングすることができる。
次に、図11bに示すように、第1のフォトレジスト層120をマスクにし、基板110をエッチングしてコンタクトバンプ領域122を形成する(S1102)。より具体的には、DRIE(Deep silicon Reactive Ion Etching)工程を用いて第1のフォトレジスト層120をマスクにし、予め設定された深さで基板110をエッチングしてコンタクトバンプ領域122を形成することができる。
ここでDRIE工程は、例えば、ポリマー蒸着段階、ポリマーエッチング段階及びシリコーンエッチング段階順に行われることができる。そして、前記設定された深さは、コンタクトバンプ152の非対称の菱形に応じてその程度が異なることがある。すなわち縦方向の線(c’)と先端部の幅方向の線(a’)が交差する点が一番深くエッチングされる。これについては上述の図6及び図7を参照してほしい。
次に、図11cに示すように、コンタクトバンプ領域122を形成して露出した基板110の上部面と第1のフォトレジスト層120の上部面にシード層130を形成する(ステップS1103)。ここで、Ti(例えば、50nm)及びCu(例えば、100nm)シード金属をスパッタリングしてシード層130を形成することができる。より詳しくは、Tiをスパッタリングした後、Cuをスパッタリングする工程でシード層130を形成することができる。
次に、図11dに示すように、シード層130の上部に第2のフォトレジスト層140をパターニングし、信号ライン部領域142を形成する(ステップS1104)。ここで、第2のフォトレジスト層140は信号ライン部領域142が形成されるように予め定義されたマスク層を用いて紫外線露光装置などによって露光し、露光されたフォトレジスト層に現象工程を行いマスクのパターンによってパターニングされることができる。
次に、図11eに示すように、前記コンタクトバンプ領域122と信号ライン部領域142を導電性物質144で満たす(ステップS1105)。ここで、Ni、NiCo、NiFe及びNiWのうち、少なくとも一つの金属をメッキする工程でこのステップS1105が行われる。
次に、図11fに示すように、導電性物質144で満たされた領域122、142の上部面を平坦化してプローブ部150を形成する(ステップS1106)。ここで、導電性物質144で満たされた領域122、142の上部面を化学的機械的研磨(CMP、Chemical Mechanical Polishing)工程で平坦化することができる。この時、プローブ部150の一端部151は信号ライン部に用いられ、一端部151から突出して形成された他端部152はコンタクトバンプに用いられる。
次に、図11gに示すように、上述の第2のフォトレジスト層140を除去する(ステップS1107)。ここで、アッシング(ashing)工程、湿式除去工程、及びO2プラズマ方法のうち、何れか一つで第2のフォトレジスト層140を除去することができる。
また、図11hに示すように、第2のフォトレジスト層140が除去されて露出したシード層131を除去する(ステップS1108)。ここで、乾式エッチングまたは湿式エッチング工程を通じて該当シード層131が除去されることができる。
次に、図11iに示すように、プローブ部150の上部面に接着剤160を塗布する(ステップS1109)。この時、エポキシスプレディング(epoxy spreading)を行って接着剤160を塗布することができ、工程方法に応じて第1のフォトレジスト層120の上部面にも一括して接着剤160を塗布することができる。
次に、図11jに示すように、接着剤160にフィルム部170を接合する(ステップS1110)。
また、図11kに示すように、基板110を除去してプローブフィルムの製作を完了する(ステップS1111)。ここで、第1のフォトレジスト層120を共に除去することができる。この時、基板110及び第1のフォトレジスト層120を湿式エッチング工程で除去することができる。湿式エッチング工程はシリコーンをエッチングさせ得る条件のアルカリ溶液であるKOH溶液またはTMAH(tetramethyl ammonium hydroxide)溶液を使って行われることができる。そして、例えば、44wt%のKOH(potassium hydroxide)溶液を使って65℃の温度で湿式エッチングが行われることができる。また、湿式エッチング工程に使われるKOH溶液にイソプロフィルアルコールが添加されることができる。
これと違って、DRIEなどの乾式エッチング工程により、基板110及び第1のフォトレジスト層120が除去されることもできる。
この実施例では、基板110上に第1のフォトレジスト層120を形成及びパターニングした後、これをマスクにして基板110をエッチングすることで、コンタクトバンプ領域を形成したが、これとは違って、基板110上に複数個のフォトレジスト層を積み上げた後、基板110をエッチングせずに複数個のフォトレジスト層のみをエッチングすることで、コンタクトバンプ領域を形成することもできる。
このように硬い基板110をエッチングしないで、コンタクトバンプ領域を形成することで、工程の単純化及び製造原価の節減を図ることができる。
図12は、前記図11a〜図11kの工程で形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成された複数個のコンタクトバンプを示す図である。
図12に示すように、上述の図11a〜図11kの工程で、信号ライン部151及び前記信号ライン部151から突出して形成された複数個のコンタクトバンプ152が一括して形成されることができる。この時、一つのコンタクトバンプ152が信号ライン部151から突出して形成されることもできる。
一方、前述の本発明の説明は例示のためのものであり、本発明が属する技術分野の通常の知識を持った者は、本発明の技術的思想や必須的特徴を変更しなくても、他の具体的な形態に容易に変形することができる。よって、前述した実施例はすべての面において例示的なものであり、限定的なものではないことを理解するべきである。例えば、単一型に説明されている各構成要素は分散して実施されることもでき、これと同様に、分散したものと説明されている構成要素も結合した形態で実施されることができる。
また、本発明の範囲は、前記詳細な説明ではなく特許請求の範囲により表されるはずであり、特許請求の範囲の意味及び範囲、またその均等概念から導出される全ての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈するべきである。
100 プローブフィルム
150 プローブ部
151 信号ライン部
152 コンタクトバンプ
170 フィルム部
200 プローブユニット
210 ヘッドブロック
220 プローブブロック
230 圧着ブロック
241 第2のプレート
242 第1のプレート
250 固定ブロック

Claims (20)

  1. ディスプレーパネル検査用プローブブロックにおいて、
    傾斜突出部を含むプローブブロック本体部と、
    前記傾斜突出部の下側面に結合され、前記傾斜突出部の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して前記電極に信号を印加するプローブフィルムと、
    前記傾斜突出部の上側面に結合され、突出して延長された前記プローブフィルムの上部面と接触して、前記プローブフィルムを支持する第1のプレートと、
    を含むことを特徴とするプローブブロック。
  2. 前記傾斜突出部の下側面と前記プローブフィルムとの間に介在された第2のプレートをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のプローブブロック。
  3. 前記第2のプレートと前記第1のプレートは、一体に形成されたものであることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック。
  4. 前記第1のプレートの先端部は、前記第2のプレートの先端部に傾いた角度で接触していることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック。
  5. 前記第1のプレートの上部面に結合され、前記第1のプレートを固定して支持する固定ブロックをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のプローブブロック。
  6. 前記プローブフィルムは、
    信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成され、前記ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触するコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部と、
    前記プローブ部の上部面に接合されたフィルム部と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載のプローブブロック。
  7. 前記プローブ部は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものであることを特徴とする請求項6に記載のプローブブロック。
  8. 前記信号ライン部は、第1の長さに形成された第1の信号ライン部と、前記第1の信号ライン部より短い第2の長さに形成された第2の信号ライン部と、を含み、
    前記第1の信号ライン部及び第2の信号ライン部が交互に配列されていることを特徴とする請求項6に記載のプローブブロック。
  9. 前記コンタクトバンプは、先端部の幅が他の部分の幅より広く、高さが縦方向に減少する形状であることを特徴とする請求項6に記載のプローブブロック。
  10. ディスプレーパネルを検査するためのプローブユニットにおいて、
    傾斜突出部を含むプローブブロック本体部、前記傾斜突出部の下側面に結合され、前記傾斜突出部の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して前記電極に信号を印加するプローブフィルム、及び前記傾斜突出部の上側面に結合され、突出して延長された前記プローブフィルムの上部面と接触して、前記プローブフィルムを支持する第1のプレートを含むプローブブロックと、
    前記プローブブロックの上部に結合され、前記プローブフィルムと前記ディスプレーパネルの電極が接触するように前記プローブブロックを上下に移動させるヘッドブロックと、
    前記プローブブロックの下部に着脱可能に結合された圧着ブロックと、
    を含むことを特徴とするプローブユニット。
  11. 前記圧着ブロックは、
    前記プローブブロックの下部に形成された窪み部に収容された圧着ブロック本体部と、
    前記圧着ブロック本体部の一側に突出して形成された結合突出部と、
    前記圧着ブロック本体部の下部から前記結合突出部の回りに延長され、前記結合突出部の上部面において前記プローブフィルム側に圧着して接続された連結フィルムと、
    を含むことを特徴とする請求項10に記載のプローブユニット。
  12. 前記連結フィルムは、前記ディスプレーパネルを検査する駆動ICが実装されていることを特徴とする請求項11に記載のプローブユニット。
  13. 前記傾斜突出部の下側面と前記プローブフィルムとの間に介在された第2のプレートをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のプローブユニット。
  14. 前記第2のプレートと前記第1のプレートは、一体に形成されたものであることを特徴とする請求項13に記載のプローブユニット。
  15. 前記第1のプレートの先端部は、前記第2のプレートの先端部に傾いた角度で接触していることを特徴とする請求項13に記載のプローブユニット。
  16. 前記プローブブロックは、前記第1のプレートの上部面に結合され、前記第1のプレートを固定して支持する固定ブロックをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のプローブユニット。
  17. 前記プローブフィルムは、
    信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成され、前記ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触されるコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部と、
    前記プローブ部の上部面に接合されたフィルム部と、
    を含むことを特徴とする請求項10に記載のプローブユニット。
  18. 前記プローブ部は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものであることを特徴とする請求項17に記載のプローブユニット。
  19. 前記信号ライン部は、第1の長さに形成された第1の信号ライン部と、前記第1の信号ライン部より短い第2の長さに形成された第2の信号ライン部を含み、
    前記第1の信号ライン部及び第2の信号ライン部が交互に配列されていることを特徴とする請求項17に記載のプローブユニット。
  20. 前記コンタクトバンプは、先端部の幅が他の部分の幅より広く、高さが縦方向に減少する形状であることを特徴とする請求項17に記載のプローブユニット。
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