JP2012134520A5 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012134520A5
JP2012134520A5 JP2012029531A JP2012029531A JP2012134520A5 JP 2012134520 A5 JP2012134520 A5 JP 2012134520A5 JP 2012029531 A JP2012029531 A JP 2012029531A JP 2012029531 A JP2012029531 A JP 2012029531A JP 2012134520 A5 JP2012134520 A5 JP 2012134520A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
layer
region
transistor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2012029531A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012134520A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012029531A priority Critical patent/JP2012134520A/ja
Priority claimed from JP2012029531A external-priority patent/JP2012134520A/ja
Publication of JP2012134520A publication Critical patent/JP2012134520A/ja
Publication of JP2012134520A5 publication Critical patent/JP2012134520A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (3)

  1. 基板上の第1の導電層と、
    前記第1の導電層上方の第1の絶縁層と、
    前記第1の絶縁層上方の酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上方の第2の導電層と、
    前記酸化物半導体層上方の第3の導電層と、
    前記第1の絶縁層上方の第4の導電層と、
    前記第4の導電層上方の第2の絶縁層と、
    前記第2の絶縁層上方の第5の導電層と、を有し、
    前記第1の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
    前記酸化物半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
    前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極又は前記トランジスタのドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
    前記第3の導電層は、前記トランジスタのソース電極又は前記トランジスタのドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
    前記第4の導電層は、容量素子の第1の電極として機能する領域を有し、
    前記第4の導電層は、透光性を有し、
    前記第5の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
    前記第5の導電層は、前記容量素子の第2の電極として機能する領域を有し、
    前記第5の導電層は、前記第4の導電層と重なる領域を有し、
    前記第5の導電層は、透光性を有し、
    前記第5の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  2. 請求項1において、
    前記第4の導電層又は前記第5の導電層の一方は、前記第4の導電層又は前記第5の導電層の他方と同じ材料を有することを特徴とする表示装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記第4の導電層は、前記第2の導電層と重ならない領域を有することを特徴とする表示装置。
JP2012029531A 2009-07-17 2012-02-14 半導体装置 Withdrawn JP2012134520A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012029531A JP2012134520A (ja) 2009-07-17 2012-02-14 半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009169597 2009-07-17
JP2009169597 2009-07-17
JP2012029531A JP2012134520A (ja) 2009-07-17 2012-02-14 半導体装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010159299A Division JP4932020B2 (ja) 2009-07-17 2010-07-14 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015024824A Division JP6017601B2 (ja) 2009-07-17 2015-02-11 表示装置の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012134520A JP2012134520A (ja) 2012-07-12
JP2012134520A5 true JP2012134520A5 (ja) 2013-08-15

Family

ID=43449285

Family Applications (14)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010159299A Active JP4932020B2 (ja) 2009-07-17 2010-07-14 半導体装置
JP2012029531A Withdrawn JP2012134520A (ja) 2009-07-17 2012-02-14 半導体装置
JP2012029544A Withdrawn JP2012138590A (ja) 2009-07-17 2012-02-14 半導体装置の作製方法
JP2015024824A Active JP6017601B2 (ja) 2009-07-17 2015-02-11 表示装置の作製方法
JP2016189449A Active JP6378728B2 (ja) 2009-07-17 2016-09-28 半導体装置の作製方法
JP2018140811A Active JP6666392B2 (ja) 2009-07-17 2018-07-27 表示装置
JP2019131984A Active JP6586542B1 (ja) 2009-07-17 2019-07-17 表示装置
JP2019163543A Active JP6619907B1 (ja) 2009-07-17 2019-09-09 表示装置
JP2019206886A Withdrawn JP2020038992A (ja) 2009-07-17 2019-11-15 表示装置
JP2020027052A Active JP6943997B2 (ja) 2009-07-17 2020-02-20 表示装置
JP2021146594A Active JP7150958B2 (ja) 2009-07-17 2021-09-09 半導体装置の作製方法
JP2022154786A Active JP7408748B2 (ja) 2009-07-17 2022-09-28 半導体装置の作製方法
JP2023214393A Active JP7656687B2 (ja) 2009-07-17 2023-12-20 表示装置
JP2025048102A Active JP7815512B2 (ja) 2009-07-17 2025-03-24 半導体装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010159299A Active JP4932020B2 (ja) 2009-07-17 2010-07-14 半導体装置

Family Applications After (12)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012029544A Withdrawn JP2012138590A (ja) 2009-07-17 2012-02-14 半導体装置の作製方法
JP2015024824A Active JP6017601B2 (ja) 2009-07-17 2015-02-11 表示装置の作製方法
JP2016189449A Active JP6378728B2 (ja) 2009-07-17 2016-09-28 半導体装置の作製方法
JP2018140811A Active JP6666392B2 (ja) 2009-07-17 2018-07-27 表示装置
JP2019131984A Active JP6586542B1 (ja) 2009-07-17 2019-07-17 表示装置
JP2019163543A Active JP6619907B1 (ja) 2009-07-17 2019-09-09 表示装置
JP2019206886A Withdrawn JP2020038992A (ja) 2009-07-17 2019-11-15 表示装置
JP2020027052A Active JP6943997B2 (ja) 2009-07-17 2020-02-20 表示装置
JP2021146594A Active JP7150958B2 (ja) 2009-07-17 2021-09-09 半導体装置の作製方法
JP2022154786A Active JP7408748B2 (ja) 2009-07-17 2022-09-28 半導体装置の作製方法
JP2023214393A Active JP7656687B2 (ja) 2009-07-17 2023-12-20 表示装置
JP2025048102A Active JP7815512B2 (ja) 2009-07-17 2025-03-24 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8378343B2 (ja)
JP (14) JP4932020B2 (ja)
KR (1) KR101739154B1 (ja)
TW (1) TWI566377B (ja)
WO (1) WO2011007675A1 (ja)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8673856B2 (en) * 2006-11-04 2014-03-18 Anygen Co., Ltd. Omega conotoxins
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101870460B1 (ko) * 2009-07-18 2018-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
EP2457256B1 (en) 2009-07-18 2020-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102057299B1 (ko) 2009-07-31 2019-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
TWI559501B (zh) 2009-08-07 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR20250030527A (ko) 2009-09-04 2025-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011043164A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101693816B1 (ko) 2009-10-09 2017-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 시프트 레지스터, 표시 장치, 및 그 구동 방법
WO2011046003A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130130879A (ko) * 2009-10-21 2013-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR101876470B1 (ko) * 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055668A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103400857B (zh) 2009-11-27 2016-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和及其制造方法
KR101623961B1 (ko) * 2009-12-02 2016-05-26 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
KR101343293B1 (ko) * 2010-04-30 2013-12-18 샤프 가부시키가이샤 회로 기판 및 표시 장치
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5685989B2 (ja) * 2011-02-28 2015-03-18 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
TWI521612B (zh) * 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI500161B (zh) * 2011-06-02 2015-09-11 友達光電股份有限公司 混合式薄膜電晶體及其製造方法以及顯示面板
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6076038B2 (ja) * 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8658444B2 (en) 2012-05-16 2014-02-25 International Business Machines Corporation Semiconductor active matrix on buried insulator
US20140014948A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
KR20250154556A (ko) 2012-07-20 2025-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP2014041344A (ja) * 2012-07-27 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法
JP2014199899A (ja) * 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8937307B2 (en) * 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
ITVI20120243A1 (it) 2012-09-27 2014-03-28 Marianna Benetti Generatore termoelettrico perfezionato
CN203085533U (zh) * 2012-10-26 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
WO2014085971A1 (zh) * 2012-12-04 2014-06-12 深圳市柔宇科技有限公司 一种金属氧化物tft器件及制造方法
TWI611566B (zh) * 2013-02-25 2018-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 顯示裝置和電子裝置
US9312392B2 (en) * 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP6383616B2 (ja) * 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102207563B1 (ko) * 2013-10-29 2021-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
US20150155313A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI595296B (zh) 2014-09-23 2017-08-11 元太科技工業股份有限公司 顯示器
US9640228B2 (en) * 2014-12-12 2017-05-02 Globalfoundries Inc. CMOS device with reading circuit
DE112016001033T5 (de) 2015-03-03 2017-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben oder Anzeigevorrichtung mit derselben
CN104752489A (zh) * 2015-04-10 2015-07-01 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置及用于制备阵列基板的方法
JP6887243B2 (ja) * 2015-12-11 2021-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ
KR102465559B1 (ko) * 2015-12-28 2022-11-11 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
KR102378976B1 (ko) 2016-05-18 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
KR102403389B1 (ko) * 2016-09-12 2022-06-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11637009B2 (en) 2016-10-07 2023-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cleaning method of glass substrate, manufacturing method of semiconductor device, and glass substrate
KR20180071538A (ko) 2016-12-20 2018-06-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
TWI643168B (zh) * 2017-10-27 2018-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 顯示器設備及應用該顯示器設備的門板顯示系統
JP7022592B2 (ja) * 2018-01-11 2022-02-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7083736B2 (ja) * 2018-10-26 2022-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI736316B (zh) * 2020-01-09 2021-08-11 致伸科技股份有限公司 光源模組以及具有光源模組的電子裝置
CN111312726B (zh) * 2020-02-26 2023-07-21 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN114256272B (zh) * 2020-09-25 2025-05-13 京东方科技集团股份有限公司 背板
CN114256271B (zh) * 2020-09-25 2025-05-30 京东方科技集团股份有限公司 背板
JP7623864B2 (ja) 2021-03-22 2025-01-29 武漢天馬微電子有限公司 薄膜トランジスタ基板
CN113744641B (zh) * 2021-08-19 2023-04-18 惠州华星光电显示有限公司 一种显示装置
CN117878060B (zh) * 2024-03-11 2024-05-28 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体结构及其制造方法

Family Cites Families (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2776083B2 (ja) * 1991-08-23 1998-07-16 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP2661594B2 (ja) * 1995-05-25 1997-10-08 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO1997006554A2 (en) * 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US7102772B1 (en) * 1999-05-25 2006-09-05 Silverbrook Research Pty Ltd Method and system for delivery of a facsimile
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4963140B2 (ja) * 2000-03-02 2012-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2002033481A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 薄膜半導体装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
WO2002063693A1 (en) * 2001-02-08 2002-08-15 Hitachi, Ltd. Carbon nanotube electronic device and electron source
JP3997731B2 (ja) * 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2002368229A (ja) * 2001-04-04 2002-12-20 Canon Inc 半導体装置、及びその製造方法、並びに放射線検出装置
JP2003029293A (ja) 2001-07-13 2003-01-29 Minolta Co Ltd 積層型表示装置及びその製造方法
JP2003069028A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) * 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP2003179233A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) * 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) * 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) * 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4483235B2 (ja) * 2003-09-01 2010-06-16 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
KR20070116888A (ko) * 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
KR101061856B1 (ko) * 2004-11-03 2011-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
CA2585063C (en) * 2004-11-10 2013-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
EP2453481B1 (en) * 2004-11-10 2017-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide
BRPI0517560B8 (pt) * 2004-11-10 2018-12-11 Canon Kk transistor de efeito de campo
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) * 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5117667B2 (ja) 2005-02-28 2013-01-16 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル
US20060197092A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
KR101133766B1 (ko) * 2005-03-29 2012-04-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) * 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
KR100729043B1 (ko) * 2005-09-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
JP4753373B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP5078246B2 (ja) * 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
JP2007134482A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、並びに、それを使用した薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタディスプレイ
KR20090115222A (ko) * 2005-11-15 2009-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
US7745798B2 (en) * 2005-11-15 2010-06-29 Fujifilm Corporation Dual-phosphor flat panel radiation detector
JP5129473B2 (ja) 2005-11-15 2013-01-30 富士フイルム株式会社 放射線検出器
JP2007142324A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Kyocera Corp 薄膜トランジスタおよび画像表示装置
JP4904789B2 (ja) 2005-11-30 2012-03-28 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ
KR100732849B1 (ko) * 2005-12-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
KR101226974B1 (ko) * 2006-05-03 2013-01-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP4277874B2 (ja) * 2006-05-23 2009-06-10 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置の製造方法
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP2008129314A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置およびその製造方法
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
JP5305630B2 (ja) * 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
JP2008165029A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US7947981B2 (en) * 2007-01-30 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101410926B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
WO2008105347A1 (en) * 2007-02-20 2008-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
JP2008235871A (ja) 2007-02-20 2008-10-02 Canon Inc 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
JP5196870B2 (ja) * 2007-05-23 2013-05-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
US8436349B2 (en) * 2007-02-20 2013-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
CN101632179B (zh) * 2007-04-06 2012-05-30 夏普株式会社 半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件
WO2008126879A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and production method thereof
JP5197058B2 (ja) * 2007-04-09 2013-05-15 キヤノン株式会社 発光装置とその作製方法
US7795613B2 (en) * 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) * 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
KR101365411B1 (ko) * 2007-04-25 2014-02-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법과 액정표시장치의 제조 방법
JP5261979B2 (ja) * 2007-05-16 2013-08-14 凸版印刷株式会社 画像表示装置
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5406449B2 (ja) * 2007-05-30 2014-02-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
TWI464510B (zh) * 2007-07-20 2014-12-11 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
TWI456663B (zh) * 2007-07-20 2014-10-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置之製造方法
JPWO2009028453A1 (ja) * 2007-08-31 2010-12-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜トランジスタ
TWI453915B (zh) * 2007-09-10 2014-09-21 Idemitsu Kosan Co Thin film transistor
JP2009099847A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Canon Inc 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置
US8187956B2 (en) * 2007-12-03 2012-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film
JP5377940B2 (ja) 2007-12-03 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
JP5215158B2 (ja) * 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5540517B2 (ja) 2008-02-22 2014-07-02 凸版印刷株式会社 画像表示装置
CN101533120B (zh) * 2008-03-14 2011-07-27 旭丽电子(广州)有限公司 一种显示装置
JP2009265271A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Nippon Shokubai Co Ltd 電気光学表示装置
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR20100023151A (ko) * 2008-08-21 2010-03-04 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
TWI474408B (zh) * 2008-12-26 2015-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2011001822A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101422362B1 (ko) * 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012134520A5 (ja) 表示装置
JP2012138590A5 (ja) 表示装置
JP2011151383A5 (ja)
JP2015128163A5 (ja)
JP2012009839A5 (ja) 半導体装置
JP2014199404A5 (ja)
JP2013016831A5 (ja)
JP2011155255A5 (ja) 半導体装置
JP2015179822A5 (ja) 半導体装置
JP2014150273A5 (ja) 半導体装置
JP2013190804A5 (ja)
JP2013077838A5 (ja)
JP2015073101A5 (ja) 半導体装置
JP2014130345A5 (ja)
JP2013138191A5 (ja)
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置
JP2013190824A5 (ja) El表示装置
JP2014241404A5 (ja)
JP2015046580A5 (ja)
JP2015165329A5 (ja) 表示装置の作製方法、及び表示装置
JP2013153169A5 (ja)
JP2014241403A5 (ja)
JP2013231986A5 (ja) 表示装置
JP2016034040A5 (ja) 表示装置
JP2013047808A5 (ja) 表示装置