JP2012164663A - 表示装置、発光モジュール及び電子機器 - Google Patents

表示装置、発光モジュール及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】発光素子を具備する表示装置において、色再現範囲を向上させる。
【解決手段】複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素子Ｒ１及びＲ２を具備する第１の画素２０１及び第２の画素２０２と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有する発光素子Ｇ１及びＧ２を具備する第３の画素２０３及び第４の画素２０４と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが０．３５以下の領域に座標を有する発光素子Ｂ１及びＢ２を具備する第５の画素２０５及び第６の画素２０６と、で構成されており、第１の画素に設けられた発光素子Ｒ１と第２の画素に設けられた発光素子Ｒ２、第３の画素に設けられた発光素子Ｇ１と第４の画素に設けられた発光素子Ｇ２、第５の画素に設けられた発光素子Ｂ１と第６の画素に設けられた発光素子Ｂ２は、互いに異なる発光スペクトルを有する構成とする。
【選択図】図２

Description

本発明は画素に発光素子や電気光学素子を具備する表示装置に関する。特に発光素子に
有機材料や蛍光材料や燐光材料を含む層を具備する表示装置に関する。
有機材料を含む層を一対の電極間に有し、当該電極間に電流を流すことで発光する発光
素子を用いた表示装置の開発が進められている。このような表示装置は薄型軽量化に有利
であり、自発光であるため視認性も良く、応答速度も速い。また、消費電力も潜在的には
非常に小さくできる可能性があり、次世代の表示装置として盛んに開発が進められ、一部
実用化もされている。
上記の構成の発光素子を用いた表示装置において、高画質、広色域化の向上が望まれて
いる。例えば、印刷業務における編集、芸術・映画等の作品の視聴、遠隔医療における実
物の色の正確な把握、等に正確な色の再現・表示が行える表示装置の開発が強く望まれて
いる。そこで人間の眼に視認される色域をよくするため、色純度、広色域化の向上等、構
造を最適化する研究がなされている（例えば、特許文献１を参照）。
特表２００１−０３９５５４号公報
しかしながら、人間の眼に視認される色域にはまだ余剰があり、まだ現状の表示装置で
の色再現範囲では不十分である。図３９は色に関する基準を国際的に管理している国際照
明委員会（ＣＩＥ）が定めたＣＩＥ−ＸＹ色度図である。図中の外周において、最右端付
近が赤色単色光の発光スペクトル７００ｎｍ、最上端付近が緑色単色光の発光スペクトル
５４６．１ｎｍ、最下端付近が青色単色光の発光スペクトル４３５．８ｎｍにあたる。こ
の色度図では、グラフ（可視領域）の外周が発光スペクトル上の単色光、内側が単色光を
組み合わせてできる混合色に相当するため、内側に進む程、鮮やかさ（彩度）が低下する
。加色混合により色を表現する場合、複数の基準色はＣＩＥ‐ＸＹ色度図で示される点が
形成する多角形で囲まれた部分の色のみを再現出来る。
ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、赤（Ｒ）は、色度図の右側付近の領域（図３９に
おいて色度図の周囲と点線３９０１で囲まれた領域）に座標を有する色を人間の眼が赤色
として感じることができる。また、緑（Ｇ）は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色
度図の上側付近の領域（図３９において色度図の周囲と点線３９０２で囲まれた領域）に
座標を有する色を人間の眼が緑色として感じることができる。青（Ｂ）は、ＣＩＥ−ＸＹ
色度図を表したときに、色度図の下側付近の領域（図３９において、色度図の周囲と点線
３９０３と点線３９０４とで囲まれた領域）に座標を有する色を人間の眼が青色として感
じることができる。具体的な例としては、ハイビジョン（高精細度テレビジョン放送；Ｈ
ＤＴＶ）規格の色度座標は、Ｒ（ｘ＝０．６７，ｙ＝０．３３）、Ｇ（ｘ＝０．２１，ｙ
＝０．７１）、Ｂ（ｘ＝０．１４，ｙ＝０．０８）が挙げられる（図３９における図中の
三角形３９０５）。
特許文献１に記載された方法によると色純度を高めることによって、図３９の矢印方向
に色再現範囲が拡大することができ、人間の眼に認識される色の鮮やかさは増加する。し
かしながら、人間の眼に認識することができる色域にはまだ余剰があり、これを充足する
ことで、色の再現範囲を広げることが課題となる。
そこで、本発明は発光素子を具備する表示装置において、上記課題を解決するものであ
り、色再現範囲を向上させ、人間の眼に視認される色域を広くするものである。
本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩＥ−ＸＹ
色度図で表したときに、ＣＩＥ−ＸＹ色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発
光素子を具備する第１の画素及び第２の画素と、ＣＩＥ−ＸＹ色度図のｙが０．５５以上
の領域に座標を有する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、ＣＩＥ−ＸＹ色
度図のｘが０．２０以下、ｙが０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第
５の画素及び第６の画素と、で構成されており、第１の画素に設けられた発光素子と第２
の画素に設けられた発光素子は互いに異なる発光スペクトルを有し、第３の画素に設けら
れた発光素子と第４の画素に設けられた発光素子は互いに異なる発光スペクトルを有し、
第５の画素に設けられた発光素子と第６の画素に設けられた発光素子は、互いに異なる発
光スペクトルを有する構成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、ＣＩＥ−ＸＹ色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を
有する発光素子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領
域に座標を有する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２
０以下、ｙが０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６
の画素と、で構成されており、第１の画素に設けられた発光素子と第２の画素に設けられ
た発光素子は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色で発光し、第３の画
素に設けられた発光素子と第４の画素に設けられた発光素子は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図にお
いて、互いに座標が異なる色で発光し、第５の画素に設けられた発光素子と第６の画素に
設けられた発光素子は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色で発光する
構成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素
子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有
する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが
０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、で
構成されており、第１の画素に設けられた発光素子と第２の画素に設けられた発光素子は
、異なる材料で構成されており、且つ互いに異なる発光スペクトルを有し、第３の画素に
設けられた発光素子と第４の画素に設けられた発光素子は、異なる材料で構成されており
、且つ互いに異なる発光スペクトルを有し、第５の画素に設けられた発光素子と第６の画
素に設けられた発光素子は、異なる材料で構成されており、且つ互いに異なる発光スペク
トルを有する構成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素
子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有
する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが
０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、で
構成されており、第１の画素に設けられた発光素子と第２の画素に設けられた発光素子は
、互いに膜厚が異なっており、且つ互いに異なる発光スペクトルを有し、第３の画素に設
けられた発光素子と第４の画素に設けられた発光素子は、互いに膜厚が異なっており、且
つ互いに異なる発光スペクトルを有し、第５の画素に設けられた発光素子と第６の画素に
設けられた発光素子は、互いに膜厚が異なっており、且つ互いに異なる発光スペクトルを
有する構成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素
子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有
する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが
０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、で
構成されており、第１の画素、第２の画素は、互いに透過特性が異なるカラーフィルター
を具備し、且つ互いに異なる発光スペクトルの光を透過し、第３の画素、第４の画素は、
互いに透過特性が異なるカラーフィルターを具備し、且つ互いに異なる発光スペクトルの
光を透過し、第５の画素、第６の画素は、互いに透過特性が異なるカラーフィルターを具
備し、且つ互いに異なる発光スペクトルの光を透過する構成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素
子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有
する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが
０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、で
構成されており、第１の画素に設けられた発光素子と第２の画素に設けられた発光素子は
、異なる材料で構成されており、且つＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる
色で発光し、第３の画素に設けられた発光素子と第４の画素に設けられた発光素子は、異
なる材料で構成されており、且つＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色で
発光し、第５の画素に設けられた発光素子と第６の画素に設けられた発光素子は、異なる
材料で構成されており、且つＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色で発光
する構成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素
子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有
する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが
０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、で
構成されており、第１の画素に設けられた発光素子と第２の画素に設けられた発光素子は
、互いに膜厚が異なっており、且つＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色
で発光し、第３の画素に設けられた発光素子と第４の画素に設けられた発光素子は、互い
に膜厚が異なっており、且つＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色で発光
し、第５の画素に設けられた発光素子と第６の画素に設けられた発光素子は、互いに膜厚
が異なっており、且つＣＩＥ−ＸＹ色度図において、互いに座標が異なる色で発光する構
成とする。
また別の本発明の表示装置の一は、複数の絵素を有する表示領域を有し、絵素は、ＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有する発光素
子を具備する第１の画素及び第２の画素と、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有
する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、色度図のｘが０．２０以下、ｙが
０．２５以下の領域に座標を有する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、で
構成されており、第１の画素、第２の画素は、互いに透過特性が異なるカラーフィルター
を具備し、且つ当該カラーフィルターを透過した光は、前記ＣＩＥ−ＸＹ色度図において
互いに座標が異なる色であり、第３の画素、第４の画素は、互いに透過特性が異なるカラ
ーフィルターを具備し、且つ当該カラーフィルターを透過した光は、前記ＣＩＥ−ＸＹ色
度図において互いに座標が異なる色であり、第５の画素、第６の画素は、互いに透過特性
が異なるカラーフィルターを具備し、且つ当該カラーフィルターを透過した光は、前記Ｃ
ＩＥ−ＸＹ色度図において互いに座標が異なる色である構成とする。
また、第１の画素が具備する発光素子、第２の画素が具備する発光素子のいずれかは、
ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以下の領域
に座標を有し、第３の画素が具備する発光素子、第４の画素が具備する発光素子のいずれ
かは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の
領域に座標を有し、第５の画素が具備する発光素子、第６の画素が具備する発光素子のい
ずれかは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２
以下の領域に座標を有する構成であってもよい。
また絵素は、白色を発光する発光素子を具備する構成であってもよい。
また第１の画素及び第２の画素、第３の画素及び第４の画素、並びに第５の画素及び第
６の画素は、互いに異なる面積の発光領域を具備する構成であってもよい。
また発光素子は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ）素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）
を用いることができる。
なお本明細書におけるＣＩＥ−ＸＹ色度図における領域とは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図におけ
る人間の目が認識することのできる可視光の光を表す領域のことを指すものとする。
なお、本明細書に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、
電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるもので
あればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トラ
ンジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショッ
トキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよ
いし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを
用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの
極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ
電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトラン
ジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等があ
る。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源
（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソ
ース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル
型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため
、スイッチとしての動作が容易であるからである。
なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよ
い。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型かＮチャネル型かのどちらかのスイッ
チが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば
、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させる
ことが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくする
ことが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレ
イン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御
する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合
は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配
線を少なくすることが出来る。
なお、本明細書において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と機能的に
接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本明細
書が開示する構成において、所定の接続関係以外のものも含むものとする。例えば、ある
部分とある部分との間に、電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチやトランジ
スタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が１個以上配置されていても
よい。また、機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータやＮＡＮＤ
回路やＮＯＲ回路など）や信号変換回路（ＤＡ変換回路やＡＤ変換回路やガンマ補正回路
など）や電位レベル変換回路（昇圧回路や降圧回路などの電源回路やＨ信号やＬ信号の電
位レベルを変えるレベルシフタ回路など）や電圧源や電流源や切り替え回路や増幅回路（
オペアンプや差動増幅回路やソースフォロワ回路やバッファ回路など、信号振幅や電流量
などを大きく出来る回路など）や信号生成回路や記憶回路や制御回路など）が間に１個以
上配置されていてもよい。あるいは、間に他の素子や他の回路を挟まずに、直接接続され
て、配置されていてもよい。
なお、素子や回路を間に介さずに接続されている場合のみを含む場合は、直接接続され
ている、と記載するものとする。また、電気的に接続されている、と記載する場合は、電
気的に接続されている場合（つまり、間に別の素子を挟んで接続されている場合）と機能
的に接続されている場合（つまり、間に別の回路を挟んで接続されている場合）と直接接
続されている場合（つまり、間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）と
を含むものとする。
なお、本明細書において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させること
が出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、例えば、
非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。これらにより、製造温度が高くなくても製造
できたり、低コストで製造できたり、大型基板上に製造できたり、透明基板上に製造でき
たり、トランジスタで光を透過させたりすることが出来る。また、半導体基板やＳＯＩ基
板などを用いて形成することが出来る。また、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジス
タ、バイポーラトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、バラツキの少
ないトランジスタを製造できたり、電流供給能力の高いトランジスタを製造できたり、サ
イズの小さいトランジスタを製造できたり、消費電力の少ない回路を構成したりすること
が出来る。また、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体
を有するトランジスタや、さらに、それらを薄膜化した薄膜トランジスタなどを適用する
ことが出来る。これらにより、製造温度が高くなくても製造できたり、室温で製造できた
り、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形
成したりすることが出来る。また、インクジェットや印刷法を用いて作成したトランジス
タなどを適用することが出来る。これらにより、室温で製造したり、真空度の低い状態で
製造したり、大型基板で製造したりすることができる。また、マスク（レチクル）を用い
なくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更するこ
とが出来る。また、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ、その他の
トランジスタを適用することができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトラ
ンジスタを形成することが出来る。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含
まれていてもよい。また、トランジスタが形成されている基板の種類は、様々なものを用
いることができ、特定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯ
Ｉ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板
、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などに形成するこ
とが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタ
を移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。配置された別の基板としては、
単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファ
ン基板、石材基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板
などを用いることができる。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタ
を形成したり、消費電力の小さいトランジスタを形成したり、壊れにくい装置にしたり、
耐熱性を持たせたりすることが出来る。
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マル
チゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数の
トランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより
、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領
域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があ
まり変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャネルの上下にゲート
電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造
にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくしたり、空乏層ができや
すくなってＳ値を小さくすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると
、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲ
ート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構
造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、複数の領域に分かれ
たチャネル領域が、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また
、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チ
ャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっている構造にすること
により、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる
。また、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域があってもよい。ＬＤ
Ｄ領域を設けることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信
頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ド
レイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
なお、本明細書におけるトランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板
上に形成させることができる。したがって、回路の全てが、ガラス基板上に形成されてい
てもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていて
もよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていて
もよい。回路の全てが同じ基板上に形成されていることにより、部品点数を減らしてコス
トを低減したり、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させたりすることができ
る。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されており、回路の別の一部が、別の基板
に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい
。例えば、回路の一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成し、回路の別の一部
は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で
接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続して
もよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点数を減
らしてコストを低減したり、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させたりする
ことができる。また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分は、消費電力が大きく
なってしまうので、そのような部分は同じ基板に形成しないようにすれば、消費電力の向
上を防ぐことができる。
なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも
三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有して
おり、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。こ
こで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、い
ずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本発明にお
いては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない
場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合が
ある。
なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を
有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子、第
２端子と表記する場合がある。
なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う）
とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域
やＬＤＤ領域などを形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部
分の導電膜のことを言う。ゲート配線とは、各画素のゲート電極の間を接続したり、ゲー
ト電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する
。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり
、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延
伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領
域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よ
って、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電
極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながって
いる領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル
領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなか
ったりする場合がある。しかし、製造工程などの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ
材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よって、そのよ
うな領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極
と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接
続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための
領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのト
ランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲー
ト電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、
ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続している部分の導電膜も、ゲート電極と
呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域
について、その一部分のことを言う。
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号線
等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、
Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半
導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわ
ゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含ま
れない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接
続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域
も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続
したり、ソース電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存
在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例え
ば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、そ
の領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる
。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い
。
また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電
極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオ
ーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材
料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このよ
うな領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすること
がない場合がある。しかし、製造工程などの関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料
で形成され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような
領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い。
また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続している部分の導電膜も、ソース電極と
呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続
されている領域について、その一部分のことを言う。
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
なお、本明細書において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）
を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般
でもよい。
また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のことを言う
。なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させ
る周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤ
ボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオ
ングラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（Ｆ
ＰＣ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子
やインダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光
学シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシート
や拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含ん
でいても良い。また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子などの自発光型
の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示
装置をいう。
なお、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子
を有したりすることが出来る。例えば、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置として
は、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電
子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミック
ディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコントラストが変化
する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬデ
ィスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレ
イ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた
表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレ
イ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある
。
なお、本明細書において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されてい
る、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に
直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが
挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、
層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合
と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に
直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記
載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のもの
が挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されて
いる、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直
接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが
形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場
合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととす
る。
本発明を用いることによって発光素子を用いた表示装置において、ＣＩＥ−ＸＹ色度図
上における色再現範囲が向上した表示装置を提供することができる。換言すれば、鮮やか
な色彩を表現できる表示装置を提供することができる。
本発明の表示装置の模式図。 本発明の表示装置の絵素の模式図。 本発明の表示装置の絵素の回路図。 本発明の表示装置の画素の回路図。 本発明の表示装置のタイミングチャート図。 本発明の表示装置の発光素子の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 発光素子の発光スペクトル図。 発光素子の発光スペクトル図。 発光素子の発光スペクトル図。 本発明の発光素子のＣＩＥ−ＸＹ色度図。 本発明の表示装置の発光素子の断面図。 発光素子の発光スペクトル図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の絵素の模式図。 本発明の表示装置の絵素の模式図。 本発明の表示装置の絵素の模式図。 本発明の表示装置の絵素の模式図。 本発明の表示装置の画素の回路図。 本発明の表示装置のタイミングチャート図。 本発明の表示装置のタイミングチャート図。 本発明の表示装置の画素の回路図。 本発明の表示装置の画素の回路図。 本発明の表示装置におけるトランジスタの動作について説明する図。 本発明の表示装置の絵素の回路図。 本発明の表示装置の画素の上面図。 本発明の表示装置の絵素の回路図。 本発明の表示装置の絵素の回路図。 本発明の表示装置の一形態図。 本発明の表示装置の一形態図。 本発明の表示装置の一形態図。 本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。 本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。 本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。 本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。 本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。 本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。 従来例について説明するためのＣＩＥ−ＸＹ色度図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の画素の回路図。 本発明の表示装置の発光素子の断面図。 本発明の表示装置の模式図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の模式図。 本発明の表示装置の断面図。 本発明の表示装置の画素の回路図。 本発明の表示装置の絵素の模式図。 本発明の表示装置の発光素子の断面図。 本発明の電子機器の利用法を示す図。 本発明の電子機器の利用法を示す図。 本発明の電子機器の利用法を示す図。 本発明の電子機器の利用法を示す図。 本発明の電子機器の利用法を示す図。 本発明の電子機器の利用法を示す図。
以下、本発明の実施の態様、実施例について、図面を参照して説明する。但し、本発明
は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱す
ることなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される
。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示
す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り
返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
（本実施形態の表示装置の構成）
図１に本発明の表示装置の構成の一例を、ブロック図で示す。１００は画素部であり、
複数の画素１０１がマトリクス状に配置されており、本構成はアクティブマトリクス方式
と呼ばれる。また１０２は信号線駆動回路、１０３は走査線駆動回路である。
なお図１では信号線駆動回路１０２と走査線駆動回路１０３が、画素部１００と同じ基
板上に形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。信号線駆動回路１０２と走
査線駆動回路１０３とが画素部１００と異なる基板上に形成され、ＦＰＣ（フレキシブル
プリント配線板）等のコネクターを介して、画素部１００と接続されていても良い。なお
、ＦＰＣを実装する方法は異方導電性材料もしくはメタルバンプを用いた接続方法または
ワイヤボンディング方式を採用することができる。また、図１では信号線駆動回路１０２
と走査線駆動回路１０３は１つずつ設けられているが、本発明はこの構成に限定されない
。信号線駆動回路１０２と走査線駆動回路１０３の数は設計者が任意に設定することがで
きる。
なお、本明細書においては、画素とは一つの画像を構成する色要素を具備するものであり
、発光素子及び発光素子を駆動する素子（例えばトランジスタで構成される回路）を含む
ものとする。また本明細書においては、絵素とは、一つの最小の画像を表示するための色
要素を構成する画素を具備するものであるとする。よって、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の
色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、絵素とはＲの色要素、Ｇの色要素、Ｂの
色要素を含む画素から構成されているものとする。また、絵素において、画素を複数有す
るものについては、第１の画素、第２の画素といった順に呼称するものとする。また、各
画素は、その面積の大きさが異なっていてもよい。
なお本明細書において接続とは、特に記載のない限り電気的な接続を意味する。逆に切
り離すとは、接続していないで電気的に分離している状態を意味する。
また図１では、画素部１００には信号線Ｓ１〜Ｓｎ、電源線Ｖ１〜Ｖｎ、走査線Ｇ１〜
Ｇｍが設けられている。なお信号線と電源線の数は必ずしも同じであるとは限らない。ま
たこれらの配線を必ず全て有していなくとも良く、これらの配線の他に、別の異なる配線
が設けられていても良い。
信号線駆動回路１０２は、入力されたビデオ信号を各信号線Ｓ１〜Ｓｎに供給すること
ができる回路であれば良い。具体的に本実施の形態では、一例として、信号線駆動回路１
０２は、シフトレジスタ１０２ａと、第１のラッチ回路１０２ｂ、第２のラッチ回路１０
２ｃとを有している。なお、本発明の表示装置の信号線駆動回路１０２は上述した構成に
限定されない。また、デジタルのビデオ信号（デジタルビデオ信号、映像信号ともいう）
に対応した信号線駆動回路であってもいいし、Ｄ／Ａ（デジタル−アナログ）変換回路を
用いてアナログのビデオ信号（アナログビデオ信号）出力する信号線駆動回路であっても
良い。また、表示装置の構成によっては、レベルシフタ回路、バッファ回路等を有する構
成であってもよい。
走査線駆動回路１０３には、画素部における画素を選択するため各走査線Ｇ１〜Ｇｍに
信号を入力できる回路であればよい。具体的に本実施の形態においては、走査線駆動回路
１０３は、シフトレジスタ回路を有している。また、表示装置の構成によっては、バッフ
ァ回路、レベルシフタ回路を有する構成であってもよい。また、ラッチ回路がなく、シフ
トレジスタとサンプリングスイッチとで構成されていてもよい。
また、信号線駆動回路１０２には、クロック信号（Ｓ＿ＣＬＫ）、クロック反転信号（
Ｓ＿ＣＬＫＢ）、スタートパルス信号（Ｓ＿ＳＰ）、デジタルビデオ信号（Ｄｉｇｉｔａ
ｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄａｔａ）、ラッチ信号（Ｌａｔｃｈ Ｓｉｇｎａｌ）などの信号が入
力される。そして、それらの信号にしたがって、各信号線Ｓ１〜Ｓｎへそれぞれ各列の画
素に応じたビデオ信号を出力する。なお、なお、アナログビデオ信号が入力されていても
よい。
また、走査線駆動回路１０３には、クロック信号（Ｇ＿ＣＬＫ）、クロック反転信号（
Ｇ＿ＣＬＫＢ）、スタートパルス信号（Ｇ＿ＳＰ）などの信号が入力される。そして、そ
れらの信号にしたがって、選択する画素行の走査線Ｇｉ（第１の走査線Ｇ１〜Ｇｍのうち
いずれか一）に画素を選択する信号を出力する。
よって、信号線Ｓ１〜Ｓｎに入力されたビデオ信号は、走査線駆動回路１０３から走査
線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に入力された信号によって選択された画素
行の各列の画素１０１に書き込まれる。そして、各走査線Ｇ１〜Ｇｍにより各画素行が選
択され、全ての画素に各画素に対応したビデオ信号が書き込まれる。そして、各画素は書
き込まれたビデオ信号を一定期間保持する。各画素は、ビデオ信号を一定期間保持するこ
とによって、点灯などの状態を維持することができる。
図１に示した発光素子を用いた表示装置は、アクティブマトリクス方式による駆動方式
について述べたがこれに限定されない。本発明においては単純マトリックス（パッシブ）
方式を採用してもよい。図１に示したアクティブマトリクス方式は各画素に数個のスイッ
チング用の薄膜トランジスタを有する制御回路を備え、各画素の制御回路により各画素の
発光非発光を制御する。一方、単純マトリクス方式の表示装置は複数個のカラム信号線と
、複数個のロウ信号線とが互いに交差する形で配置され、その交差部において発光素子が
挟まれている。よって、選択されたロウ信号線と、出力を行っているカラム信号線とに挟
まれた領域に電位差が生じ、電流が流れると発光素子が発光する。
図４６にパッシブ方式の表示装置の構成について示す。図４６は、カラム信号線駆動回
路４６０１、ロウ信号線駆動回路４６０２、画素部４６０３を備える。画素部４６０３は
カラム信号線Ｓ１〜Ｓｎ、ロウ信号線Ｖ１〜Ｖｎが設けられており、カラム信号線とロウ
信号線の間には複数の発光素子４６０４を有する。パッシブ方式を採用する場合、アクテ
ィブマトリクス方式を採用する場合に比べ、本発明の構成を簡略化することができ、この
点で好適である。
以上で述べたような表示装置の構成を、本発明では採用することができる。
（本実施形態の画素構成）
図２に、図１で示した本発明の画素部の構成について詳しい構成を示す。図２において
第１の画素２０１、第２の画素２０２、第３の画素２０３、第４の画素２０４、第５の画
素２０５、第６の画素２０６がそれぞれ、図１における画素１０１に対応する。また、第
１の画素〜第６の画素を併せて一つの最小の画像を表示する絵素２００とする。第１の画
素２０１、第２の画素２０２、第３の画素２０３、第４の画素２０４、第５の画素２０５
、第６の画素２０６にはそれぞれ、発光素子が設けられており、第１の画素には発光素子
Ｒ１、第２の画素には発光素子Ｒ２、第３の画素には発光素子Ｇ１、第４の画素には発光
素子Ｇ２、第５の画素には発光素子Ｂ１、第６の画素には発光素子Ｂ２がそれぞれ接続さ
れている。
ここで本明細書において第１の画素の発光素子Ｒ１及び第２の画素の発光素子Ｒ２は、
ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標を有するも
のとする。また、第３の画素の発光素子Ｇ１及び第４の画素の発光素子Ｇ２は、ＣＩＥ−
ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｙが０．５５以上の領域に座標を有するものとする
。また、第５の画素の発光素子Ｂ１及び第６の画素の発光素子Ｂ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度
図を表したときに、色度図のｘが０．２０以下、ｙが０．３５以下の領域に座標を有する
ものとする。また、より好ましくは、第１の画素の発光素子Ｒ１及び第２の画素の発光素
子Ｒ２のいずれかは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙ
が０．３５以下の領域に座標を有するものとする。またより好ましくは、第３の画素の発
光素子Ｇ１及び第４の画素の発光素子Ｇ２のいずれかは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したと
きに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域に座標を有するものとする。また
より好ましくは、第５の画素の発光素子Ｂ１及び第６の画素の発光素子Ｂ２のいずれかは
、ＣＩＥ−ＸＹ色度図を表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領
域に座標を有するものとする。
なお、本発明においては、発光素子Ｇ１とＧ２とのＣＩＥ−ＸＹ色度図の座標の差（ｘ
、ｙの座標の距離）の絶対値Ｇ１２は、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２とのＣＩＥ−ＸＹ色
度図の座標の差の絶対値Ｒ１２または発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とのＣＩＥ−ＸＹ色度
図の座標の差の絶対値Ｂ１２より大きいことが好ましい。Ｇ１２＞Ｒ１２、Ｇ１２＞Ｂ１
２を満たすことで、色再現範囲を向上させ、人間の眼に視認される色域を広くすることが
でき、好適である。
なお本明細書におけるＣＩＥ−ＸＹ色度図における領域とは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図におけ
る人間の目が認識することのできる可視光の光を表す領域のことを指すものとする。すな
わち図３９において示したＣＩＥ−ＸＹ色度図における太線で囲まれた内側の領域に対応
する。
また図３に、図２で示した本発明の絵素２００の回路構成を示す。図２に示す第１の画
素２０１、第２の画素２０２、第３の画素２０３、第４の画素２０４、第５の画素２０５
、第６の画素２０６は、信号線Ｓｉ（Ｓ１〜Ｓｎのうちの１つ）、走査線Ｇｉ（Ｇ１〜Ｇ
ｍのうちの１つ）及び電源線Ｖｉ（Ｖ１〜Ｖｎのうちの１つ）を有している。また第１の
画素２０１、第２の画素２０２、第３の画素２０３、第４の画素２０４、第５の画素２０
５、第６の画素２０６はそれぞれ、映像信号の入力を制御するスイッチング用の第１のト
ランジスタ３０１、映像信号によって発光素子の発光・非発光を決定する駆動用の第２の
トランジスタ３０２、発光素子３０３及び保持容量３０４を有している。保持容量３０４
は第２のトランジスタ３０２のゲートとソースの間の電圧（ゲート電圧）をより確実に保
持するために設けられているが、必ずしも設ける必要はない。なお、本明細書において電
圧とは、特に記載のない限りグラウンドとの電位差を意味する。また、発光素子３０３は
、図２におけるＲ１，Ｒ２，Ｇ１，Ｇ２，Ｂ１，Ｂ２の発光素子が対応し、それぞれは各
々を駆動するための回路が接続されている。図３に示す構成においては、同じ電源線Ｖｉ
で、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素
子Ｂ２に電流を供給する電源線を共通化する構成を取りうる。発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ
２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２においては色合いがほと
んど同じであるため、このように電源線を共通化することができ、その結果、表示装置に
配置する電源線の数を減らすことができるため好適である。図３においては、発光素子Ｒ
１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２にそれぞ
れに接続される電源線は、別々の配線として記載しているが同じ配線より分岐したもので
あってもよい。
なお、図３の示した構成とは別の構成を図５２に示す。図５２において図３と同一の機
能を有する構成については同一の符号を付す。図５２に示すように、発光素子Ｒ１と発光
素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とでそれぞれ異な
る第２の電源線Ｖｉ２に接続される構成であってもよい。発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、
発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とで電流を供給する電源線を
異ならせることによって、それぞれの発光素子について加える電圧を制御することができ
輝度を自由に変えることができるため好適である。
ここで図４に、図３における発光素子３０３が発光するときの駆動方法について説明す
る。図４において、発光素子４０４に接続している回路は、映像信号の入力を制御するス
イッチング用の第１のトランジスタ４０１と、映像信号によって前記発光素子の発光強度
を決定する駆動用の第２のトランジスタ４０２と、信号線４０５と、電源線４０６と、走
査線４０７とで構成されている。第１のトランジスタ４０１のゲートは、走査線４０７に
接続されている。第１のトランジスタ４０１の第１の端子と第２の端子（いずれか一方を
ソースとし、もう一方をドレインとする）は、一方は信号線４０５に、もう一方は第２の
トランジスタ４０２のゲートに接続されている。また第２のトランジスタ４０２の第１の
端子と第２の端子は、一方は電源線４０６に、もう一方は発光素子４０４が有する画素電
極に接続されている。発光素子４０４は陽極と陰極を有しており、本明細書では、陽極を
画素電極として用いる場合は陰極を対向電極と呼び、陰極を画素電極として用いる場合は
陽極を対向電極と呼ぶ。対向電極の電圧は一定の高さに保たれている場合が多い。また、
第１のトランジスタ４０１、第２のトランジスタ４０２はｎチャネル型トランジスタとｐ
チャネル型トランジスタのどちらでも良い。そして、陽極を画素電極として用い、陰極を
対向電極として用いる場合、第２のトランジスタ４０２はｐチャネル型トランジスタであ
るのが望ましい。逆に、陽極を対向電極として用い、陰極を画素電極として用いる場合、
第２のトランジスタ４０２はｎチャネル型トランジスタであるのが望ましい。
保持容量４０３が有する２つの電極の一方は、第２のトランジスタのゲートに接続され
ている。また保持容量４０３が有する２つの電極の他方は、電源線４０６に接続されてい
るがこれに限定されず、別の配線に接続されていてもよい。保持容量４０３は第２のトラ
ンジスタ４０２のゲートとソースの間の電圧（ゲート電圧）をより確実に維持するために
設けられているが、第２のトランジスタ４０２のゲート容量で代用することにより、必ず
しも設ける必要はない。
図４において、書き込み期間において走査線４０７が選択されると、走査線４０７にゲ
ートが接続されている第１のトランジスタ４０１がオンになる。そして、信号線４０５に
入力された映像信号が、第１のトランジスタ４０１を介して第２のトランジスタ４０２の
ゲートに入力されることによって電源線４０６から発光素子４０４へ電流が流れ、発光素
子４０４は発光をする。
なお、画素構成はこれに限定されない。トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正
する方式や、画素に信号電流を入力する方式など様々な画素構成を適用することが可能で
ある。
以上で述べたような画素構成を、本発明では採用することができる。
（本実施形態の動作方法）
図４に示した回路構成において、表示を行う際の動作タイミングについて、図５を用い
て説明する。表示装置においては、表示期間では繰り返し画面の書き換えと表示とを行っ
ている。この書き換え回数は、一般的には１秒間に６０回程度とすることで、視認者がち
らつき（フリッカ）を感じないとされている。ここで、画面の書き換え、表示の一連の動
作を１回行う期間、つまり図５中、５０１で示した期間を、１フレーム期間５０１と表記
する。本実施の形態においては、例として、デジタル時間階調方式で３ビットデジタル映
像信号を用いた場合を挙げて説明する。デジタル時間階調方式の場合、１フレーム期間５
０１を、さらに複数のサブフレーム期間に分割する。ここでは３ビットであるので、３つ
のサブフレーム期間に分割し、各期間で、各発光色における書き込み、表示を行う。
各サブフレーム期間は、アドレス（書き込み）期間Ｔａ＃（＃は自然数）と、サステイ
ン（発光）期間Ｔｓ＃を有する。図５においては、サステイン（発光）期間の長さを、Ｔ
ｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３＝４：２：１とし、各サステイン（発光）期間で、発光もしくは非
発光を制御することにより、２３＝８階調を表現する。つまり、サステイン（発光）期間
の長さを、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３＝２（ｎ−１）：２（ｎ−２）：・・・：２１：２０
というように、２のべき乗の比とする。例えば、Ｔｓ３のみが発光し、Ｔｓ１、Ｔｓ２に
おいては非発光である場合、すべてのサステイン（発光）期間のうち、約１４％の期間だ
け発光していることになる。すなわち、約１４％の輝度が表現出来る。Ｔｓ１とＴｓ２が
発光し、Ｔｓ３が非発光である場合には、すべてのサステイン（発光）期間のうち、約８
６％の期間だけ発光していることになる。すなわち、約８６％の輝度が表現出来る。
この動作によって、図３における発光素子３０３であるＲ１，Ｒ２，Ｇ１，Ｇ２，Ｂ１
，Ｂ２をそれぞれ駆動する。このように、図３の絵素２００における各々の画素に設けら
れた発光素子は、各々の発光素子に接続された回路によって独立に発光時間を制御され、
所望の表示色が得られる。ここで、表示色とは、一画素内に含まれる発光色がそれぞれ異
なる複数の発光素子から得られる発光が組み合わさり混合された色として、視覚的に認識
できる色のことをいう。
なお、駆動方法はこれに限定されない。第１のトランジスタのゲートにアナログ信号が
入力されて、それに応じて発光素子４０４の輝度をアナログ的に変化させてもよい。
以上で述べたような動作方法を、本発明では採用することができる。
（本発明の発光素子の構成）
次に、本発明の表示装置に適用可能な発光素子の例を図６に示す。
図６（ａ）の発光素子は、基板６０１の上に陽極６０２、正孔注入材料からなる正孔注入
層６０３、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層６０４、発光層６０５、電子輸送材
料からなる電子輸送層６０６、電子注入材料からなる電子注入層６０７、そして陰極６０
８を積層させた素子構造である。ここで、発光層６０５は、一種類の発光材料のみから形
成されることもあるが、２種類以上の材料から形成されてもよい。また本発明の発光素子
の構造は、この構造に限定されない。勿論、基板６０１と陽極６０２との間にはトランジ
スタより構成される発光素子を駆動するための回路や配線があってもよい。
また、図６（ａ）で示した各機能層を積層した積層構造の他、高分子化合物を用いた素
子、発光層に三重項励起状態から発光する三重項発光材料を利用した高効率素子など、バ
リエーションは多岐にわたる。発光素子は、ホールブロック層によってキャリヤの再結合
領域を制御し、発光領域を二つの領域にわけることによって得られる白色発光素子などに
も応用可能である。
図６（ａ）に示す本発明の素子作製方法は、まず、陽極６０２（ＩＴＯ：インジウム錫
酸化物）を有する基板６０１に正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料を順に蒸着する。
次に電子輸送材料、電子注入材料を蒸着し、最後に陰極６０８を蒸着で形成する。
なお、正孔注入層に換えて、正孔発生層を設けてもよい。なお、正孔発生層とは、正孔を
発生する層であり、正孔輸送性物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、正孔輸送性
物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによって形成することができる。こ
こで、正孔輸送性物質としては、正孔輸送層を形成するのに用いることのできる物質と同
様の物質を用いることができる。また、電子受容性を示す物質としては、モリブデン酸化
物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いること
ができる。
次に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料の材料に
好適な材料を以下に列挙する。
正孔注入材料としては、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰ
Ｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ
（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等が挙げられる。正孔
注入層として用いる材料のイオン化ポテンシャルが、正孔注入層に陽極として機能する電
極の反対側に接して形成されている機能層のイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さく
なるような物質を、正孔輸送性を有する物質の中から選択することによって、正孔注入層
を形成することができる。
正孔輸送材料として最も広く用いられている材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−
ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−
（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’
，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ
）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ト
リフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−
ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）
、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤ
ＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：Ｔ
ＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、
バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等が挙げられる。また、正孔輸送層は、以上
に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
電子輸送材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）
、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（
１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（
２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡ
ｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ
（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称
：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（
略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ビフェニリ
ル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，
４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ））、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅ
ｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼン
トリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、
４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾル−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）
等が挙げられる。また、電子輸送層は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせ
て形成した多層構造の層であってもよい。
電子注入材料としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物
、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物等の
無機物が挙げられる。また、無機物の他、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＡＺ
、ＢｚＯｓ等の電子輸送層を形成するのに用いることのできる物質も、これらの物質の中
から、電子輸送層の形成に用いる物質よりも電子親和力が大きい物質を選択することによ
って、電子注入層を形成する物質として用いることができる。つまり、電子注入層におけ
る電子親和力が電子輸送層における電子親和力よりも相対的に大きくなるような物質を、
電子輸送性を有する物質の中から選択することによって、電子注入層を形成することもで
きる。
発光材料を含む層である発光層としては、発光物質について特に限定はなく、発光効率
が良好で、所望の発光波長の発光をし得る物質を選択して用いればよい。例えば、赤色系
の発光を得たいときには、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，
１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：
ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テト
ラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−
ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル
ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフラン
テン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テト
ラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン等、６００ｎｍから６８０ｎｍに
発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また緑色系の
発光を得たいときは、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６
やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等、
５００ｎｍから５５０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いる
ことができる。また、青色系の発光を得たいときは、９，１０−ビス（２−ナフチル）−
ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９
，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）ア
ントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフ
ェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−
フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等、４２０ｎｍから５００ｎｍに
発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また、以上に
記載した蛍光を発光する物質の他、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光
を発光する物質を用いても構わない。
発光物質を分散状態にするために用いる物質（ホスト材料とも言われる。）について特
に限定はなく、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン骨格を有する化合物の他、４，４’−ビ
ス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−
カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）等のカルバゾール誘導体や、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−
（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等の金属錯体等を用いること
ができる。
また、図６（ｂ）に示すように図６（ａ）とは逆の順番に層を形成した発光素子を用いる
ことができる。つまり、基板６０１の上に陰極６０８、電子注入材料からなる電子注入層
６０７、その上に電子輸送材料からなる電子輸送層６０６、発光層６０５、正孔輸送材料
からなる正孔輸送層６０４、正孔注入材料からなる正孔注入層６０３、そして陽極６０２
を積層させた素子構造である。
また、発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよ
い。そして、基板上にＴＦＴ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出
す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の
面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の画素構成はどの射出構造
の発光素子にも適用することができる。
以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、本発明の発光素子を作製す
ることができる。
（本実施形態の表示装置における射出構造の構成）
次に、本発明の表示装置に適用可能な発光素子について、上面射出構造、下面射出構造、
及び両面射出構造の例を図７に示す。
上面射出構造の発光素子について図７（ａ）を用いて説明する。
基板７００上に駆動用ＴＦＴ７０１が形成され、駆動用ＴＦＴ７０１のソース電極に接し
て第１の電極７０２が形成され、その上に発光層７０３と第２の電極７０４が形成されて
いる。
また、第１の電極７０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極７０４は発光素子の
陰極である。つまり、第１の電極７０２と第２の電極７０４とで発光層７０３が挟まれて
いるところが発光素子となる。
また、ここで、陽極として機能する第１の電極７０２に用いる材料としては、仕事関数の
大きい材料を用いることが望ましい。例えば、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜
、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との
積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用
いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミッ
クコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。光を反射する金属膜を
用いることで光を透過させない陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材
料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃａ
Ｆ２、または窒化カルシウム）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムス
ズ酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用い
るのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透
過させることが可能な陰極を形成することができる。
こうして、図７（ａ）の矢印に示すように発光素子からの光を上面に取り出すことが可能
になる。
また、下面射出構造の発光素子について図７（ｂ）を用いて説明する。射出構造以外は図
７（ａ）と同じ構造の発光素子であるため同じ符号を用いて説明する。
ここで、陽極として機能する第１の電極７０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい
材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム
亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導
電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材
料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃａ
Ｆ２、または窒化カルシウム）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反
射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
こうして、図７（ｂ）の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが可能
になる。
両面射出構造の発光素子について図７（ｃ）を用いて説明する。射出構造以外は図７（ａ
）と同じ構造の発光素子であるため同じ符号を用いて説明する。
ここで、陽極として機能する第１の電極７０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい
材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム
亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導
電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材
料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃａ
Ｆ２、または窒化カルシウム）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムス
ズ酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を
用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
こうして、図７（ｃ）の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが可能
になる。
以上で述べたような射出構造を本発明の表示装置では採用することができる。
また、図７で述べた射出構造において、層間膜を増やした別の構成を取りうることもで
きる。
図５１に例として上面射出構造の発光素子を具備する構成について述べる。図５１にお
いて図７（ａ）と異なる点として、層間絶縁膜５１０１を一層設け、第１の電極と接続す
るための配線５１０２を設ける構成を採用する。層間絶縁膜５１０１に平坦性を有する膜
を採用することで、層間絶縁膜５１０１の上に設ける第１の電極などにおいて層間膜の段
差に起因する配線の断絶等を軽減することができ、好適である。
また、発光素子の下部に、ゲート電極と同一の材料よりなる第１の反射電極５１０３、ソ
ースドレイン電極と同一の材料よりなる第２の反射電極５１０４を設ける構成を採用する
とよい。上面射出構造においては、発光素子下部に射出する光が視認者側に射出されず、
光の取り出し効率が悪い。しかし、前記第１の反射電極５１０３、前記第２の反射電極５
１０４を設ける構成を採用することによって、より発光素子上面に光りを射出することが
でき好適である。
以上で述べたような射出構造を本発明の表示装置では採用することができる。
（本実施形態の表示装置における発光素子材料の構成）
次に、本発明の表示装置に適用可能な発光素子に適用する発光素子材料の具体的な例につ
いて説明する。
本発明の画素部の構成について、本発明の絵素は、第１の画素、第２の画素、第３の画
素、第４の画素、第５の画素、第６の画素を有することについて、図２において説明した
。また、第１〜６の画素にはそれぞれ、発光素子が設けられており、第１の画素には発光
素子Ｒ１、第２の画素には発光素子Ｒ２、第３の画素には発光素子Ｇ１、第４の画素には
発光素子Ｇ２、第５の画素には発光素子Ｂ１、第６の画素には発光素子Ｂ２がそれぞれ接
続されている。
そして本明細書における、本発明の第１の画素の発光素子Ｒ１及び第２の画素の発光素
子Ｒ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標
を有するものである。また、本発明の第３の画素の発光素子Ｇ１及び第４の画素の発光素
子Ｇ２は、は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｙが０．５５以上の領域に
座標を有するものである。また、本発明の第５の画素の発光素子Ｂ１及び第６の画素の発
光素子Ｂ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図を表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０
．２以下の領域に座標を有するものである。
なお、前記第１の画素が具備する発光素子、前記第２の画素が具備する発光素子のいず
れかは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以
下の領域に座標を有するものであること、前記第３の画素が具備する発光素子、前記第４
の画素が具備する発光素子のいずれかは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図の
ｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域に座標を有するものであること、前記第５の画素
が具備する発光素子、前記第６の画素が具備する発光素子のいずれかは、ＣＩＥ−ＸＹ色
度図で表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領域に座標を有する
ものであることを満たす構成とすることはより好適である。第１の画素に設けられた発光
素子と第２の画素に設けられた発光素子、第３の画素に設けられた発光素子と第４の画素
に設けられた発光素子、及び第５の画素に設けられた発光素子と第６の画素に設けられた
発光素子を、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときにその色座標を異なる領域に配置すること
によって、ＣＩＥ−ＸＹ色度図上における色再現範囲がさらに向上した表示装置を得るこ
とができる。
本発明の第１の画素、第２の画素に用いる発光素子Ｒ１、発光素子Ｒ２の具体的な例に
ついて説明する。
第１の画素に設けられている発光素子Ｒ１の具体的な素子構造について述べる。まずＩ
ＴＯ（１１０ｎｍ）上に、正孔注入層としてＣｕＰｃを２０ｎｍ、次いで正孔輸送層とし
てＮＰＢを３０ｎｍ、次いで発光層として、ホスト材料である２，３−ビス（４−ジフェ
ニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）と（アセチルアセトナト）ビス
［２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（略称：Ｉｒ（ｂ
ｔｐ）２（ａｃａｃ））とを共蒸着した層を３０ｎｍ、次いで電子輸送層としてＢＡｌｑ
を１０ｎｍ、さらにＡｌｑを２０ｎｍ、次いで電子注入層としてフッ化カルシウムを２ｎ
ｍ、最後に陰極としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して作製した。なお、発光層におけるＴＰＡ
ＱｎとＩｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）との割合は、Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）が８ｗ
ｔ％となるように調節した。
また、第２の画素に設けられている発光素子Ｒ２の具体的な素子構造について述べる。
まずＩＴＯ（１１０ｎｍ）上に、正孔注入層としてＣｕＰｃを２０ｎｍ、次いで正孔輸送
層としてＮＰＢを３０ｎｍ、次いで発光層として、ホスト材料であるＴＰＡＱｎとルブレ
ンを共蒸着した層を３０ｎｍ、次いで電子輸送層としてＢＡｌｑを１０ｎｍ、さらにＡｌ
ｑを２０ｎｍ、次いで電子注入層としてフッ化カルシウムを２ｎｍ、最後に陰極としてＡ
ｌを１５０ｎｍ成膜して作製した。なお、発光層におけるＴＰＡＱｎとルブレンとの割合
はルブレンが１０ｗｔ％となるように調整した。
上記作製された発光素子Ｒ１についての発光スペクトル８０１、発光素子Ｒ２について
発光スペクトル８０２について図８に示す。図８の発光スペクトルは発光素子に２５ｍＡ
／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルである。図８において、Ｒ１の発
光スペクトル８０１の低波長側にシフトした位置にＲ２の発光スペクトル８０２が存在す
る。このとき、発光素子Ｒ１のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色度座標は、（ｘ， ｙ）＝
（０．６８， ０．３２）である。また、発光素子Ｒ２のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色
度座標は、（ｘ， ｙ）＝（０．４７， ０．５２）となる。
次に本発明の第３の画素、第４の画素に用いる発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２の具体的な
例について説明する。
第３の画素に設けられている発光素子Ｇ１の具体的な素子構造について述べる。ＩＴＯ
（１１０ｎｍ）上に、正孔注入層としてＤＮＴＰＤを５０ｎｍ、次いで正孔輸送層として
ＮＰＢを１０ｎｍ、次いで発光層として、ホスト材料であるＡｌｑとクマリン６とを共蒸
着した層を３７．５ｎｍ、次いで電子輸送層としてＡｌｑを３７．５ｎｍ、次いで電子注
入層としてフッ化カルシウムを２ｎｍ、最後に陰極としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して作製
した。なお、発光層におけるＡｌｑとクマリン６との割合は、クマリン６が０．３ｗｔ％
となるように調節した。
また、第４の画素に設けられている発光素子Ｇ２の具体的な素子構造について述べる。
ＩＴＯ（１１０ｎｍ）上に、正孔注入層としてＤＮＴＰＤを５０ｎｍ、次いで正孔輸送層
としてＮＰＢを１０ｎｍ、次いで発光層として、ホスト材料であるＡｌｑとＤＭＱｄとを
共蒸着した層を３７．５ｎｍ、次いで電子輸送層としてＡｌｑを３７．５ｎｍ、次いで電
子注入層としてフッ化カルシウムを２ｎｍ、最後に陰極としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して
作製した。なお、発光層におけるＡｌｑとＤＭＱｄとの割合は、ＤＭＱｄが０．３ｗｔ％
となるように調節した。
上記作製された発光素子Ｇ１についての発光スペクトル９０１、発光素子Ｇ２について
発光スペクトル９０２について図９に示す。図９の発光スペクトルは発光素子に２５ｍＡ
／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルである。図９において、Ｇ１の発
光スペクトル９０１の高波長側にシフトした位置にＧ２の発光スペクトル９０２が存在す
る。このとき、発光素子Ｇ１のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色度座標は、（ｘ， ｙ）＝
（０．２８， ０．６３）である。また、発光素子Ｇ２のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色
度座標は、（ｘ， ｙ）＝（０．４３， ０．５６）となる。
次に本発明の第５の画素、第６の画素に用いる発光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２の具体的な
例について説明する。
第５の画素に設けられている発光素子Ｂ１の具体的な素子構造について述べる。ＩＴＯ
（１１０ｎｍ）上に、正孔注入層としてＤＮＴＰＤを３０ｎｍ、次いで正孔輸送層として
ＮＰＢを３０ｎｍ、次いで発光層としてｔ−ＢｕＤＮＡを４０ｎｍ、次いで電子輸送層と
してＡｌｑを２０ｎｍ、次いで電子注入層としてフッ化カルシウムを２ｎｍ、最後に陰極
としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して作製した。
また、第６の画素に設けられている発光素子Ｂ２の具体的な素子構造について述べる。
ＩＴＯ（１１０ｎｍ）上に、正孔注入層としてＤＮＴＰＤを３０ｎｍ、次いで正孔輸送層
としてＮＰＢを３０ｎｍ、次いで発光層としてｔ−ＢｕＤＮＡとＴＰＡＱｎとを共蒸着し
た層を４０ｎｍ、次いで電子輸送層としてＡｌｑを２０ｎｍ、次いで電子注入層としてフ
ッ化カルシウムを２ｎｍ、最後に陰極としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して作製した。なお、
発光層におけるｔ−ＢｕＤＮＡとＴＰＡＱｎとの割合は、ＴＰＡＱｎが５ｗｔ％となるよ
うに調整した。
上記作製された発光素子Ｂ１についての発光スペクトル１００１、発光素子Ｂ２につい
て発光スペクトル１００２について図１０に示す。図１０の発光スペクトルは発光素子に
２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルである。図１０において
、Ｂ１の発光スペクトル１００１の高波長側にシフトした位置にＢ２の発光スペクトル１
００２が存在する。このとき、発光素子Ｂ１のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色度座標は、
（ｘ， ｙ）＝（０．１５， ０．１１）である。また、発光素子Ｂ２のＣＩＥ−ＸＹ色
度図における色度座標は、（ｘ， ｙ）＝（０．１８， ０．３２）となる。
図１１にＣＩＥ−ＸＹ色度図を示し、上記作製した発光素子Ｒ１、発光素子Ｒ２、発光
素子Ｇ１、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２の各色度座標をプロットした図を
示す。図１１において、発光素子Ｒ１、発光素子Ｇ１、発光素子Ｂ１の色度座標について
点を結んだ領域をＲＧＢ１とし、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ２の色度座標
について点を結んだ領域をＲＧＢ２とする。色の３原色であるＲＧＢについて異なる色合
いの発光素子を具備することによって、図１１に示すＲＧＢ６で囲まれた領域の各色の色
合いを表現することができ、ＣＩＥ−ＸＹ色度図上における色再現範囲が向上した表示装
置を提供することができる。
なお、各発光素子において、色純度を高めるため、発光素子の発光領域と反射電極（光を
反射する電極）との光学的距離をＬ、目的とする波長をλとするとＬ＝（２ｍ−１）λ／
４（但しｍは１以上の自然数）を満たすようにするいわゆる微小共振器構造（マイクロキ
ャビティ構造）を採用してもよい。なお、光学的距離は「実際の距離×波長λにおける屈
折率」で算出される。
なお、発光素子Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２の色度座標のいずれかは、発光素子Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１
の色度座標を結んで形成された領域以外の場所に存在すればよい。これは発光素子Ｒ２、
Ｇ２、Ｂ２の全てが発光素子Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１の色度座標を結んで形成された領域の中に
存在すると、図１１におけるＲＧＢ１とＲＧＢ２の色再現範囲が重複するためである。
以上、本発明の表示装置は、上述の発光素子の材料を各画素において採用することがで
きる。なお、上記列挙した発光素子の材料は一部に過ぎず、本発明と同様の色度座標を取
りうる発光素子であれば、何でもよい。
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に
組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態においては上記実施の形態で述べた本発明の表示装置における発光素子の
構成とは別の構成について述べる。
本発明の画素部の構成について、本発明の絵素は、第１の画素、第２の画素、第３の画
素、第４の画素、第５の画素、第６の画素を有することについて、図２において説明した
。また、第１〜６の画素にはそれぞれ、発光素子が設けられており、第１の画素には発光
素子Ｒ１、第２の画素には発光素子Ｒ２、第３の画素には発光素子Ｇ１、第４の画素には
発光素子Ｇ２、第５の画素には発光素子Ｂ１、第６の画素には発光素子Ｂ２がそれぞれ接
続されている。
そして本明細書における、本発明の第１の画素の発光素子Ｒ１及び第２の画素の発光素
子Ｒ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標
を有するものとする。また、本発明の第３の画素の発光素子Ｇ１及び第４の画素の発光素
子Ｇ２は、は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｙが０．５５以上の領域に
座標を有するものとする。また、本発明の第５の画素の発光素子Ｂ１及び第６の画素の発
光素子Ｂ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図を表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０
．２以下の領域に座標を有するものである。
本実施の形態においては、第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ２、
第３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素に設
けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２において、それぞれの発光素子の膜厚を異ならせることで発
光スペクトルを異ならせる。その結果、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図の座
標を第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ２、第３の画素、第４の画素
に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素に設けられた発光素子Ｂ１、
Ｂ２で異ならせる。以下、その具体例について述べる。
本実施の形態においては、第３の画素、第４の画素に用いる発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ
２について、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに色度図の座標を異ならせるための具体的
な例について説明する。
第３の画素に設けられている発光素子Ｇ１の具体的な構造について述べる。まず、ＩＴ
Ｏ（１１０ｎｍ）上に、ホール注入層としてＣｕＰｃを２０ｎｍ、次いでホール輸送層と
してＮＰＢを４０ｎｍ、次いで発光層として、ホスト材料であるＡｌｑと緑色発光材料で
あるクマリン６とを共蒸着した層を４０ｎｍ、次いで電子注入層としてＡｌｑとＬｉとを
共蒸着した層を３０ｎｍ、最後に陰極としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して作製した。なお、
発光層におけるＡｌｑとクマリン６との割合は、クマリン６が０．３ｗｔ％となるように
調節した。また、電子注入層におけるＡｌｑとＬｉとの割合は、Ｌｉが１ｗｔ％となるよ
うに調整した。
図１２（ａ）に第３の画素に設けられる発光素子Ｇ１の積層構造について示す。基板１
２１１の上にトランジスタ１２１２を介して陽極１２１３、正孔注入材料からなる正孔注
入層１２０１Ａ、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層１２０２Ａ、発光層１２０３
Ａ、電子輸送材料からなる電子輸送層１２０４Ａ、電子注入材料からなる電子注入層１２
０５Ａ、そして陰極１２１４を積層させた素子構造である。なお図１２（ａ）の右図にお
ける積層構造は、図１２（ａ）における発光素子部の拡大した断面図である。
また第４の画素に設けられている発光素子Ｇ２の具体的な素子構造について述べる。ま
ず、ＩＴＯ（１１０ｎｍ）上に、ホール注入層としてＣｕＰｃを２０ｎｍ、次いでホール
輸送層としてＮＰＢを４０ｎｍ、次いで発光層として、ホスト材料であるＡｌｑと緑色発
光材料であるクマリン６とを共蒸着した層を４０ｎｍ、次いで電子注入層としてＡｌｑと
Ｌｉとを共蒸着した層を３０ｎｍ、次いでＮＰＢとモリブデン酸化物（ＶＩ）との共蒸着
層を１８０ｎｍ、最後に陰極としてＡｌを１５０ｎｍ成膜して作製した。なお、発光層に
おけるＡｌｑとクマリン６との割合は、クマリン６が０．３ｗｔ％となるように調節した
。また、電子注入層におけるＡｌｑとＬｉとの割合は、Ｌｉが１ｗｔ％となるように調整
した。なお、ＮＰＢとモリブデン酸化物（ＶＩ）との割合は、モリブデン酸化物が２０ｗ
ｔ％となるように調整した。
図１２（ｂ）に第４の画素に設けられる発光素子Ｇ２の積層構造について示す。基板１
２１１の上にトランジスタ１２１２を介して陽極１２１３、正孔注入材料からなる正孔注
入層１２０１Ｂ、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層１２０２Ｂ、発光層１２０３
Ｂ、電子輸送材料からなる電子輸送層１２０４Ｂ、電子注入材料からなる電子注入層１２
０５Ｂ、ＮＰＢとモリブデン酸化物（ＶＩ）との共蒸着層１２０６、そして陰極１２１４
を積層させた素子構造である。なお図１２（ｂ）の右図における積層構造は、図１２（ｂ
）における発光素子部の拡大した断面図である。
また、上記図１２（ａ）の如く積層形成された発光素子Ｇ１についての発光スペクトル
１３０１、上記図１２（ｂ）の如く積層形成された発光素子Ｇ２について発光スペクトル
１３０２について図１３に示す。図１３の発光スペクトルは発光素子に２５ｍＡ／ｃｍ２
の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルである。図１３において、Ｇ１の発光スペ
クトル１３０１の低波長側にシフトした位置にＧ２の発光スペクトル１３０２が存在する
。このとき、発光素子Ｇ１のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色度座標は、（ｘ， ｙ）＝（
０．３０， ０．６４）である。また、発光素子Ｇ２のＣＩＥ−ＸＹ色度図における色度
座標は、（ｘ， ｙ）＝（０．２１， ０．６９）となる。
また、同様に第１の画素に設けられた発光素子Ｒ１と第２の画素に設けられた発光素子
Ｒ２、第５の画素に設けられた発光素子Ｂ１と第６の画素に設けられた発光素子Ｂ２にお
いて、それぞれ異なる膜厚を有する発光素子を具備することで、異なる発光スペクトルを
有する発光素子を得ることができる。換言すれば第１の画素に設けられた発光素子Ｒ１と
第２の画素に設けられた発光素子Ｒ２、第５の画素に設けられた発光素子Ｂ１と第６の画
素に設けられた発光素子Ｂ２において、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する
発光素子を得ることができる。
本実施の形態に例示した如く、発光素子の膜厚を発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子
Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とで異なる膜厚とすることによって異なるＣＩ
Ｅ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発光素子を得ることができる。勿論異なる発光素子
の材料を用いて、なおかつ発光素子の膜厚を変えることで異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の
色度座標を有する発光素子を得てもよい。
また、発光素子の膜厚を異ならせること（厚膜化）で発光スペクトルを異ならせることは
、共蒸着層を形成することで達成することに特に限定されず、例えば図４５、図５４にお
いて示すように、正孔注入層１２０１、正孔輸送層１２０２、発光層１２０３、電子輸送
層１２０４、または電子注入層１２０５を厚膜化することで達成してもよい。例えば図４
５（ａ）に示すように、正孔注入層１２０１を厚膜化して、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２
、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とで異なる膜厚としてもよい。また
、図４５（ｂ）に示すように、正孔輸送層１２０２を厚膜化して、発光素子Ｒ１と発光素
子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とで異なる膜厚としてもよい
。また、図４５（ｃ）に示すように、発光層１２０３を厚膜化して、発光素子Ｒ１と発光
素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とで異なる膜厚としてもよ
い。また、図５４（ａ）に示すように、電子輸送層１２０４を厚膜化して、発光素子Ｒ１
と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とで異なる膜厚とし
てもよい。また、図５４（ｂ）に示すように、電子注入層を厚膜化して、発光素子Ｒ１と
発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とで異なる膜厚として
もよい。勿論、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、または電子注入層のいず
れか複数を厚膜化して発光スペクトルを異ならせ、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座
標を有する発光素子を得てもよい。
なお、本実施の形態においては、厚膜化の達成のために金属酸化物を含む共蒸着層を用い
た。金属酸化物を共蒸着層に用いることによって、膜厚化による駆動電圧の上昇を防止で
き、好適である。
なお、本発明における本実施の形態は、発光素子の発光領域と反射電極（光を反射する電
極）との光学的距離Ｌ、目的とする波長をλとするとＬ＝（２ｍ−１）λ／４（但しｍは
１以上の自然数）を満たすようにするいわゆる微小共振器構造（マイクロキャビティ構造
）とは異なる。なお、光学的距離は「実際の距離×波長λにおける屈折率」で算出される
ものである。本発明の本実施の形態において発光素子の光学的距離は、発光素子Ｒ１と発
光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２の発光スペクト
ルが異なりさえすれば、どのように設計してもよい。例えば、発光素子の膜厚を、発光素
子Ｒ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２の順
に薄く設計してもよいし、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、
発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２の順に薄く設定してもよい。
なお、本実施の形態において、発光素子の厚膜化を行うことで、発光素子の第１の電極
（陽極）と発光素子の第２の電極（陰極）との距離Ｄは、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、
発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１とＢ２とでそれぞれ異なる。本明細書におい
て、発光素子の第１の電極（陽極）と発光素子の第２の電極（陰極）との距離Ｄは、それ
ぞれの電極における発光層側の端面（本実施の形態においては、第１の電極側では正孔注
入層との境界、第２の電極側では電子注入層との境界）間の距離とする。
以上、本発明の表示装置は、上述の発光素子の材料を各画素において採用することがで
きる。なお、上記列挙した発光素子の材料は一部に過ぎず、本発明と同様の色度座標を取
りうる発光素子であれば、何でもよい。
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に
組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態３）
本実施の形態においては上記実施の形態で述べた本発明の表示装置における発光素子の
構成とは別の構成について述べる。
本発明の画素部の構成について、本発明の絵素は、第１の画素、第２の画素、第３の画
素、第４の画素、第５の画素、第６の画素を有することについて、図２において説明した
。また、第１〜６の画素にはそれぞれ、発光素子が設けられており、第１の画素には発光
素子Ｒ１、第２の画素には発光素子Ｒ２、第３の画素には発光素子Ｇ１、第４の画素には
発光素子Ｇ２、第５の画素には発光素子Ｂ１、第６の画素には発光素子Ｂ２がそれぞれ接
続されている。
そして本明細書における、本発明の第１の画素の発光素子Ｒ１及び第２の画素の発光素
子Ｒ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｘが０．５０以上の領域に座標
を有するものである。また、本発明の第３の画素の発光素子Ｇ１及び第４の画素の発光素
子Ｇ２は、は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図のｙが０．５５以上の領域に
座標を有するものである。また、本発明の第５の画素の発光素子Ｂ１及び第６の画素の発
光素子Ｂ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図を表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０
．２以下の領域に座標を有するものである。
本実施の形態においては、第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ２、
第３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素に設
けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２において、発光スペクトルをＲ１とＲ２、Ｇ１とＧ２、Ｂ１
とＢ２とで概略等しくし、それぞれの発光素子からの光の透過部にカラーフィルターを設
ける構成とすることによって発光スペクトルを異ならせる。その結果、ＣＩＥ−ＸＹ色度
図で表したときに、色度図の座標を第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、
Ｒ２、第３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画
素に設けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２で異ならせる。以下、その具体例について述べる。
本実施の形態においては、表示装置の構成について絵素部の断面構造を用いて説明する
。
図１４は本実施の形態における表示装置の絵素の断面図の一部である。図１４（Ａ）に
示した本発明の表示装置は基板１４００、下地絶縁膜１４０１、半導体層１４０２、ゲー
ト絶縁膜１４０３、ゲート電極１４０４、層間絶縁膜１４０５、接続部１４０６、発光素
子の第１の電極１４０７、隔壁１４０８、発光層１４０９、発光素子の第２の電極１４１
０、カラーフィルター（Ｒ１）１４１１、カラーフィルター（Ｒ２）１４１２、カラーフ
ィルター（Ｇ１）１４１３、カラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ
１）１４１５、カラーフィルター（Ｂ２）１４１６、対向基板１４１７の構成を含む。
発光素子は、発光素子の第１の電極１４０７と第２の電極１４１０とに発光層１４０９
が挟まれている部分に形成される。発光素子は第１の電極１４０７と電気的に接触する接
続部１４０６を介して半導体層１４０２、ゲート絶縁膜１４０３、ゲート電極１４０４よ
りなる薄膜トランジスタに接続され、発光の制御がなされる。また、本実施の形態におい
て、第１の電極１４０７は反射率の高い材料により形成された反射電極とし、第２の電極
１４１０は透光性を有する導電材料により形成された透明電極とし、第２の電極１４１０
の方向から光を射出する構成となっている。
なお、図１４（Ａ）における薄膜トランジスタは、左から順に発光素子Ｒ１、発光素子
Ｇ１、発光素子Ｂ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ２を駆動するものとする
。なお各画素におけるカラーフィルターを設けない場合の発光素子の発光スペクトルは、
Ｒ１とＲ２、Ｇ１とＧ２、Ｂ１とＢ２とで概略等しいものであるとする。なお、図１４（
Ａ）で表す矢印は、左から順に発光素子Ｒ１、発光素子Ｇ１、発光素子Ｂ１、発光素子Ｒ
２、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ２からのカラーフィルターを介した発光を模式的に表した
ものである。
本実施の形態において、第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ２、第
３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素に設け
られた発光素子Ｂ１、Ｂ２のそれぞれについて、光が射出される側にはカラーフィルター
（Ｒ１）１４１１、カラーフィルター（Ｒ２）１４１２、カラーフィルター（Ｇ１）１４
１３、カラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ１）１４１５、カラー
フィルター（Ｂ２）１４１６が設けられている。本実施の形態においては、カラーフィル
ター（Ｒ１）１４１１とカラーフィルター（Ｒ２）１４１２、カラーフィルター（Ｇ１）
１４１３とカラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ１）１４１５とカ
ラーフィルター（Ｂ２）１４１６との光の透過特性を異ならせることによって、発光素子
Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とで射
出される光の発光スペクトルを異ならせることによって、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の
色度座標を有する発光素子を得ることができる。
なお、カラーフィルターは顔料分散法、印刷法、電着法、染色法のいずれの方法で作製
されたものであってもよい。また、第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、
Ｒ２、第３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画
素に設けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２のそれぞれには、同じ発光スペクトルを有する発光素
子、例えば白色光を射出する発光スペクトルを具備する発光素子であってもよい。同一の
発光素子を具備することによって、発光素子作成のプロセスを簡略化することができ、好
適である。
また、図１４（Ｂ）は本実施の形態における表示装置の絵素の断面図の一部である。な
お、図１４（Ｂ）に示した本発明の表示装置の各構成は図１４（Ａ）に準ずる。
図１４（Ａ）との違いは、発光素子Ｒ１、発光素子Ｇ１、発光素子Ｂ１から射出される
光について、カラーフィルターを介しない点である。このとき各画素におけるカラーフィ
ルターを設けない場合の発光素子の発光スペクトルは、Ｒ１とＲ２、Ｇ１とＧ２、Ｂ１と
Ｂ２とで概略等しいものであるとする。図１４（Ｂ）においては、発光素子Ｒ２、発光素
子Ｇ２、発光素子Ｂ２から射出される光の発光スペクトルをカラーフィルター（Ｒ２）１
４１２、カラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ２）１４１６の透過
特性によって異ならせる。その結果、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光
素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とで射出される光の発光スペクトルを異ならせる
ことによって、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発光素子を得ることがで
きる。
なお、同一色の発光素子を全面に配置し、透過特性のそれぞれ異なるカラーフィルタを
介して、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発
光素子Ｂ２とで射出される光の発光スペクトルを異ならせることによって、異なるＣＩＥ
−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発光素子を得ることを達成してもよい。例えば、同一
色の発光素子としては白色の発光素子を配し、図１４（Ａ）のように、第１の画素〜第６
の画素の上部にカラーフィルタを配すればよい。
また、図１５（Ａ）は図１４（Ａ）と異なる構成を有する本発明の表示装置を表す図で
ある。なお、図１５（Ａ）に示した本発明の表示装置の各構成は図１４（Ａ）に準ずる。
図１５（Ａ）では、発光素子の第１の電極１４０７側に発光素子が光を射出する構成のボ
トムエミッション型の表示装置の例を示した。図１５（Ｂ）では第１の電極１４０７側か
ら発光を取り出す為、第１の電極１４０７は透光性を有する導電材料で形成し、第２の電
極１４１０を反射電極として反射率の高い導電材料を用いて作製する。
本実施の形態において、第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ２、第
３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素に設け
られた発光素子Ｂ１、Ｂ２のそれぞれについて、光が射出される側にはカラーフィルター
（Ｒ１）１４１１、カラーフィルター（Ｒ２）１４１２、カラーフィルター（Ｇ１）１４
１３、カラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ１）１４１５、カラー
フィルター（Ｂ２）１４１６が設けられている。本実施の形態においては、カラーフィル
ター（Ｒ１）１４１１とカラーフィルター（Ｒ２）１４１２、カラーフィルター（Ｇ１）
１４１３とカラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ１）１４１５とカ
ラーフィルター（Ｂ２）１４１６との光の透過特性を異ならせることによって、発光素子
Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とで射
出される光の発光スペクトルを異ならせることによって、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の
色度座標を有する発光素子を得ることができる。
なお、カラーフィルターは顔料分散法、印刷法、電着法、染色法のいずれの方法で作製
されたものであってもよい。また、第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、
Ｒ２、第３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画
素に設けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２のそれぞれには、同じ発光スペクトルを有する発光素
子、例えば白色光を射出する発光スペクトルを具備する発光素子であってもよい。同一の
発光素子を具備することによって、発光素子作成のプロセスを簡略化することができ、好
適である。
また、図１５（Ｂ）は本実施の形態における表示装置の絵素の断面図の一部である。な
お、図１５（Ｂ）に示した本発明の表示装置の各構成は図１５（Ａ）に準ずる。
図１５（Ａ）との違いは、発光素子Ｒ１、発光素子Ｇ１、発光素子Ｂ１から射出される
光について、カラーフィルターを介しない点である。このとき各画素におけるカラーフィ
ルターを設けない場合の発光素子の発光スペクトルは、Ｒ１とＲ２、Ｇ１とＧ２、Ｂ１と
Ｂ２で概略等しいものであるとする。図１５（Ｂ）においては、発光素子Ｒ２、発光素子
Ｇ２、発光素子Ｂ２から射出される光の発光スペクトルをカラーフィルター（Ｒ２）１４
１２、カラーフィルター（Ｇ２）１４１４、カラーフィルター（Ｂ２）１４１６の透過特
性によって異ならせる。その結果、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素
子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とで射出される光の発光スペクトルを異ならせるこ
とによって、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発光素子を得ることができ
る。
なお、同一色の発光素子を全面に配置し、当該発光素子に重畳的に透過特性のそれぞれ
異なるカラーフィルターを設け、当該カラーフィルターを介して射出される発光素子Ｒ１
と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２の発光スペ
クトルを異ならせることによって、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発光
素子を得ることを達成してもよい。例えば、同一色の発光素子としては白色の発光素子を
配し、図１５（Ａ）のように、第１の画素〜第６の画素の上部にカラーフィルターを配す
ればよい。
また、図１５（Ｃ）は本実施の形態における表示装置の絵素の断面図の一部である。な
お、図１５（Ｃ）に示した本発明の表示装置の各構成は図１４（Ａ）に準ずる。
図１５（Ａ）、（Ｂ）との違いは、カラーフィルター（Ｒ１）１４１１、カラーフィル
ター（Ｒ２）１４１２、カラーフィルター（Ｇ１）１４１３、カラーフィルター（Ｇ２）
１４１４、カラーフィルター（Ｂ１）１４１５、カラーフィルター（Ｂ２）１４１６につ
いて、位置を発光素子とトランジスタの間に配置された第１の電極１４０７の下に配置し
た点にある。プロセスが簡便になり容易である。その結果、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２
、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ２とで射出される光の発光ス
ペクトルを異ならせることによって、異なるＣＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発
光素子を得ることができる。
また、波長が短い単色光の発光素子を配置し、色変換層を通して必要な色に変換する方
法を用いて、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１
と発光素子Ｂ２とで射出される光の発光スペクトルを異ならせることによって、異なるＣ
ＩＥ−ＸＹ色度図上の色度座標を有する発光素子を得ることを達成してもよい。図４０（
Ａ）に示した本発明の表示装置は基板４０００、下地絶縁膜４００１、半導体層４００２
、ゲート絶縁膜４００３、ゲート電極４００４、層間絶縁膜４００５、接続部４００６、
発光素子の第１の電極４００７、隔壁４００８、発光層４００９Ａ及び発光層４００９Ｂ
、発光素子の第２の電極４０１０、色変換層（Ｒ１）４０１１、色変換層（Ｇ１）４０１
２、色変換層（Ｒ２）４０１３、色変換層（Ｇ２）４０１４、対向基板４０１５の構成を
含む。
例えば、波長が短い単色光の発光層４００９Ａ、発光層４００９Ｂとしては発光スペクト
ルの異なる青色の発光素子Ｂ１、Ｂ２を配し、図４０（Ａ）のように上面発光（トップエ
ミッション）の場合は、第１の画素、第２の画素、第４の画素、第５の画素の上部に色変
換層を配すればよい。また、ボトムエミッションを採用する場合には、波長が短い単色光
の発光層４００９Ａ、４００９Ｂとしては発光スペクトルの異なる青色の発光素子Ｂ１、
Ｂ２を配し、図４０（Ｂ）のように第１の画素、第２の画素、第４の画素、第５の画素の
下部に色変換層を配置すればよい。
なお、波長が短い単色光の発光素子として発光スペクトルの異なる青色の発光素子Ｂ１
、Ｂ２を配置する場合には、図４１の発光層４１０９Ａ及び発光層４１０９Ｂのように青
色の発光素子Ｂ１とＢ２の発光素子の膜厚を異ならせ、発光スペクトルを異ならせてもよ
い。例えば、図４１（Ａ）のように上面発光（トップエミッション）の場合は、波長が短
い単色光の発光素子として発光スペクトルの異なる青色の発光層４１０９Ａ、発光層４１
０９Ｂを配し、第１の画素、第２の画素、第４の画素、第５の画素の上部に色変換層を配
すればよい。また、ボトムエミッションを採用する場合には、図４１（Ｂ）のように青色
の発光素子の発光層４１０９Ａ、発光層４１０９Ｂの如く配し、第１の画素、第２の画素
、第４の画素、第５の画素の下部に色変換層を配置すればよい。なお、図４１に示した本
発明の表示装置の各構成は図４０に準ずる。
色変換層を通して必要な色に変換する色変換法に関しては、発光素子から発する発光色
が１色であるため、発光層の塗り分けが必要ないことが大きなメリットであるといえる。
また、カラーフィルタ法と比較して、色変換法は色変換層により光の吸収、励起、発光の
経過を用いて所望の発光を得るため好適である。
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に
組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態４）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた一絵素内における画素の配置が図２
に示したものとは別の構成について述べる。
なお、本発明の画素部の構成について、本発明の絵素は、第１の画素、第２の画素、第
３の画素、第４の画素、第５の画素、第６の画素を有することについて、図２において説
明した。また、第１〜６の画素にはそれぞれ、発光素子が設けられており、第１の画素に
は発光素子Ｒ１、第２の画素には発光素子Ｒ２、第３の画素には発光素子Ｇ１、第４の画
素には発光素子Ｇ２、第５の画素には発光素子Ｂ１、第６の画素には発光素子Ｂ２がそれ
ぞれ接続されている。
本実施の形態における表示装置の画素の配置は、図１６に示すように、絵素１６００の
中に、第１の画素１６０１、第２の画素１６０２、第３の画素１６０３、第４の画素１６
０４、第５の画素１６０５、第６の画素１６０６を有し、各画素がストライプ状に配置さ
れている。
なお、図１６では、各々の第１の画素１６０１〜第６の画素１６０６は列方向に並んで
配置されているが、配置の仕方について特に限定はなく、例えば行方向に並べて配置され
ていても良いし、また、例えば発光素子Ｒ１を具備する第１の画素１６０１と発光素子Ｇ
２を具備する第５の画素１６０５が隣接するように配置されていても構わない。また各画
素の形状についても、図１６に示すような長方形に限らず、例えば正方形やその他の多角
形あるいは曲率を有する形状であっても構わない。
なお、第１の画素１６０１〜第６の画素１６０６間の幅は、同じ間隔に配置してもよい
し、異なる間隔に配置してもよい。
また、図５３（Ａ）では、絵素１６００において、第１の画素１６０１、第２の画素１
６０２、第３の画素１６０３を並べて配置し、第４の画素１６０４、第５の画素１６０５
、第６の画素１６０６を次行に並べて配し、第１の画素１６０１、第２の画素１６０２、
第３の画素１６０３と第４の画素１６０４、第５の画素１６０５、第６の画素１６０６を
一画素分ずらして配置させてもよい。本実施の形態では、行方向に一画素分ずらして配置
したが、特に一画素に限定されない。例えば図５３（Ｂ）に示すように半画素分ずらして
配置させてもよい。このように画素を行毎にずらして配置するような構成を取ることで、
特に自然の動画の表示において、なめらかな表示を行うことが可能となる。
なお、発光素子Ｒ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１、発
光素子Ｂ２において、それぞれの発光効率は、各々の発光色を呈する発光素子ごとに発光
効率が異なる。このため、所望の輝度の発光を得るために必要な電流は、発光効率の低い
発光素子の方が相対的に多くなる。さらに、人間の眼では発光波長ごとに感度が異なり、
一般に、赤や青の発光波長よりも緑の発光波長に対する感度が高い。従って、人間の眼に
対し、緑と同等の感度となるように青や赤を発光させるためには、青や赤の輝度を緑の輝
度よりも相対的に高くする必要がある。しかし、発光素子の輝度を高くするために発光素
子に多くの電流を流すことは、発光素子の劣化を促進し、また表示装置の消費電力の増加
を招く。また、発光素子の劣化に起因して発光波長がシフトすると、表示装置の色再現性
が低下し画質が低下することもある。
そのため、あらかじめ、発光素子Ｒ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２、発
光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２とで発光素子の面積の大きさを異ならせる構成としてもよい。
例えば、発光素子Ｒ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２の面積を２倍にし、
発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２の面積をそのままにする構成としてもよい。このような構成
を取ることで、発光素子間の劣化のばらつきを平均化することもできるため、好適である
。
また図１６に示した構成とは別に、図１７に示す表示装置の画素の配置は絵素１７００の
中に、第１の画素１７０１、第２の画素１７０２、第３の画素１７０３、第４の画素１７
０４、第５の画素１７０５、第６の画素１７０６を有し、第１の画素と第２の画素と第３
の画素、第４の画素と第５の画素と第６の画素とがそれぞれデルタ配置して配置されてい
る。
図１７では第１の画素１７０１と第４の画素１７０４、第２の画素１７０２と第５の画素
１７０５、第３の画素１７０３と第６の画素１７０６とで面積を異ならせる構成としたが
、これに限定されない。第１の画素１７０１と第４の画素１７０４、第２の画素１７０２
と第５の画素１７０５、第３の画素１７０３と第６の画素１７０６を同じ面積にしてもよ
いし、第１の画素１７０１〜第６の画素１７０６で全て異なる面積を有する構成としても
よい。また、絵素の取り方においても特に限定されず、絵素１７１０で画像を形成する構
成であってもよい。
また、例えば発光素子Ｒ１を具備する第１の画素１７０１と発光素子Ｂ１を具備する第
３の画素１７０３が隣接するように配置されていても構わない。また各画素の形状につい
ても、図１７に示すような長方形に限らず、例えば正方形やその他の多角形あるいは曲率
を有する形状であっても構わない。なお、第１の画素１７０１〜第６の画素１７０６間の
幅は、同じ間隔に配置してもよいし、異なる間隔に配置してもよい。
また、本発明の表示装置において、第１の画素〜第６の画素に限らず、図１８に示すよ
うに第１の画素１８０１、第２の画素１８０２、第３の画素１８０３、第４の画素１８０
４、第５の画素１８０５、第６の画素１８０６、第７の画素１８０７、第８の画素１８０
８、第９の画素１８０９とする構成としてもよい。なお、第７の画素１８０７は発光素子
Ｒ３を具備し、第８の画素１８０８は発光素子Ｇ３を具備し、第９の画素１８０９は発光
素子Ｂ３を具備する構成とする。
図１８では第１の画素１８０１と第４の画素１８０４と第７の画素１８０７、第２の画素
１８０２と第５の画素１８０５と第８の画素１８０８、第３の画素１８０３と第６の画素
１８０６と第９の画素１８０９とで面積を異ならせる構成としたが、これに限定されない
。第１の画素１８０１と第４の画素１８０４と第７の画素１８０７、第２の画素１８０２
と第５の画素１８０５と第８の画素１８０８、第３の画素１８０３と第６の画素１８０６
と第９の画素１８０９を同じ面積にしてもよいし、第１の画素１８０１〜第９の画素１８
０９で全て異なる面積を有する構成としてもよい。
また、本発明の表示装置において、第１の画素〜第６の画素に限らず、図１９（Ａ）に
示すように第１の画素１９０１、第２の画素１９０２、第３の画素１９０３を並べて配置
し、第４の画素１９０４、第５の画素１９０５、第６の画素１９０６、第７の画素１９０
７とする構成としてもよい。なお、第７の画素は白色の発光素子Ｗを具備する構成とする
。
なお、第７の画素の発光素子Ｗは、ＣＩＥ−ＸＹ色度図を表したときに、色度図のｘが
０．３０以上、且つ０．４０以下、ｙが０．３０以上、且つ０．４０以下の領域に座標を
有するものとする。また、より好ましくは、第７の画素の発光素子Ｗは、ＣＩＥ−ＸＹ色
度図で表したときに、色度図のｘが０．３０以上、且つ０．３５以下、ｙが０．３０以上
、且つ０．３５以下の領域に座標を有するものとする。
図１９（Ａ）では第１の画素１９０１と第４の画素１９０４、第２の画素１９０２と第５
の画素１９０５、第３の画素１９０３と第６の画素１９０６とで面積を同じにする構成と
したが、これに限定されない。第１の画素１９０１と第４の画素１９０４、第２の画素１
９０２と第５の画素１９０５、第３の画素１９０３と第６の画素１９０６を異なる面積に
してもよいし、第１の画素１９０１〜第６の画素１９０６で全て異なる面積を有する構成
としてもよい。
また図１９（Ａ）とは別の構成について図１９（Ｂ）に示す。図１９（Ａ）との違いは
、第１の画素１９０１、第２の画素１９０２、第３の画素１９０３、第４の画素１９０４
、第５の画素１９０５、第６の画素１９０６、第７の画素１９０７の配置の違いである。
勿論、各画素の配置についても特にこれに限定されない。また各画素の形状についても、
図１９に示すような長方形に限らず、例えば正方形やその他の多角形あるいは曲率を有す
る形状であっても構わない。
なお、第７の画素に白色光を発光する発光素子Ｗを具備することによって、発光素子Ｒ１
、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２の混色で白
色を表示するのに対し、発光素子Ｗだけの発光で表示ができるため、消費電力を低減でき
るため好適である。また、中間色を表示する際に、白色を交えて加法混色することにより
、より消費電力の低減が見込めるため好適である。
なお、本発明の表示装置においては、絵素において、第７の画素に白色光を発光する発
光素子Ｗ１を具備し、第８の画素に白色光を発光する発光素子Ｗ２を具備する構成として
もよい。上述の発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ
１と発光素子Ｂ２と同様に、発光素子Ｗ１と発光素子Ｗ２とで発光スペクトルを異ならせ
る。その結果、より鮮やかな色彩を表示し、且つ消費電力が低減した表示装置を提供する
ことが可能となる。
なお、第７の画素の発光素子Ｗ１及び第８の画素の発光素子Ｗ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度
図を表したときに、色度図のｘが０．３０以上、且つ０．４０以下、ｙが０．３０以上、
且つ０．４０以下の領域に座標を有するものとする。また、より好ましくは、第７の画素
の発光素子Ｗ１及び第８の画素の発光素子Ｗ２は、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、
色度図のｘが０．３０以上、且つ０．３５以下、ｙが０．３０以上、且つ０．３５以下の
領域に座標を有するものとする。
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に
組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた画素の構成、動作方法が図４、図５
に示したものとは別の構成について述べる。
図４、図５に示す画素構成、動作方法によると、アドレス（書き込み）期間とサステイ
ン（発光）期間とが完全に分離されているため、サステイン（発光）期間の長さを自由に
設定出来るといったメリットがあるが、アドレス（書き込み）期間において、ある行で書
き込みが行われている間、他の行では書き込みも発光も行われていない。つまり、全体と
してデューティー比が低くなってしまう。
そこで、アドレス（書き込み）期間とサステイン（発光）期間とを分離しない動作につ
いて説明する。
上記動作を達成するための画素構成を図２０に示す。図２０に示す画素構成は、映像信
号の入力を制御するスイッチング用の第１のトランジスタ２００１（スイッチングトラン
ジスタともいう）、映像信号によって発光素子の発光・非発光を決定する駆動用の第２の
トランジスタ２００２（駆動トランジスタともいう）、第２のトランジスタのゲートとソ
ースの間の電圧を消去するための第３のトランジスタ２００３（消去トランジスタともい
う）、発光素子２００４、保持容量２００５、信号線２００６、第１の走査線２００７、
第２の走査線２００８、電源線２００９、及び対向電極２０１０を有している。保持容量
２００５は第１のトランジスタ２００１及び第２のトランジスタ２００２のゲートとソー
スの間の電圧（ゲート電圧）をより確実に保持するために設けられているが、必ずしも設
ける必要はない。なお、本明細書において電圧とは、特に記載のない限りグラウンドとの
電位差を意味する。また、発光素子２００４は、図２のおけるＲ１，Ｒ２，Ｇ１，Ｇ２，
Ｂ１，Ｂ２の発光素子が対応する。
第１の走査線２００７を用いて、第１のトランジスタ２００１を制御する。第１のトラ
ンジスタ２００１がオンすると、信号線２００６から、保持容量２００５にビデオ信号が
入力される。すると、ビデオ信号に応じて、第２のトランジスタ２００２がオンオフし、
電源線２００９から発光素子２００４を通って、対向電極２０１０へ電流が流れる。
信号を消去したい場合は、第２の走査線２００８を選択して、第３のトランジスタ２０
０３をオン状態にして、第２のトランジスタ２００２がオフ状態になるようにする。する
と、電源線２００９から発光素子２００４を通って、対向電極２０１０へ電流が流れない
ようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御でき
るようになる。
次に、画素の信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートを図２１に示す。本
実施の形態においては、例として、図５と同様にデジタル時間階調方式で３ビットデジタ
ル映像信号を用いた場合を挙げて説明する。デジタル時間階調方式の場合、１フレーム期
間２１０１を、さらに複数のサブフレーム期間に分割する。ここでは３ビットであるので
、３つのサブフレーム期間に分割し、各期間で、各発光色における書き込み、表示を行う
。
図２１において、各サブフレーム期間は、アドレス（書き込み）期間Ｔａ＃（＃は自然
数）と、サステイン（発光）期間Ｔｓ＃を有する。図２１中、１フレーム期間２１０１を
分割した各サブフレーム期間において、アドレス（書き込み）期間とサステイン（発光）
期間とが分離していない様子がわかる。つまり、ｉ行目での書き込みが完了すると、ｉ行
目では直ちに発光が始まる。その後、ｉ＋１行目での書き込みが行われている時には、す
でにｉ行目はサステイン（発光）期間に入っていることになる。このようなタイミングと
することにより、デューティー比を高くすることが出来る。
ただし、図２１のようなタイミングの場合、アドレス（書き込み）期間よりもサステイ
ン（発光）期間が短くなると、あるサブフレーム期間におけるアドレス（書き込み）期間
と、次のサブフレーム期間におけるアドレス（書き込み）期間とが重複する期間が生じて
しまう。そこで、図２０に示したように、第３のトランジスタを用いて、サステイン（発
光）期間が終了する時点から、次のアドレス（書き込み）期間が開始されるまでの間、強
制的に消去期間Ｔｒ３を設けている。この消去期間により、異なるサブフレーム期間にお
けるアドレス（書き込み）期間同士が重複するのを回避出来る。具体的には、第３のトラ
ンジスタを制御するための、第２の走査線駆動回路を用い、消去用の選択パルスを出力し
て、１行目から順に、所望のタイミングで第３のトランジスタをＯＮさせる。なお、この
第２の走査線駆動回路は、通常の書き込みを行う第１の走査線駆動回路と同じ構成で良い
。よって、消去用信号の書き込みを行う期間（以後、リセット期間と表記する）Ｔｅ３は
、アドレス（書き込み）期間と長さが等しい。
なお、ここでは階調表示ビット数とサブフレーム数が等しい場合を例としたが、さらに
多くの期間に分割されていても良い。また、サステイン（発光）期間の長さの比も、必ず
しも２のべき乗としなくても、階調表現は可能である。このように図２０に示した画素構
成を採用することにより、各行において、点灯期間の長さを容易に制御できるようになる
。
図２０のような画素構成を取ることで、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内
に複数のサブフレームを配置することが可能となる。また、消去動作を行う場合は、消去
用のデータをビデオ信号と同様に取得する必要がないため、ソースドライバの駆動周波数
も低減出来る。
また、図４、図２０の画素構成において、フィールドシーケンシャル方式を用いてもよ
い。図２２（Ａ）には、図４の画素構成において、２２０１で示される１フレーム期間を
、２２０２〜２２０７で示される６つの期間に分割し、各期間で、各発光色における書き
込み、表示を行う。また、図２２（Ｂ）には図２０の画素構成において、２２０１で示さ
れる１フレーム期間を、２２０２〜２２０７で示される６つの期間に分割し、各期間で、
各発光色における書き込み、表示を行う。
なお、図２２（Ａ）（Ｂ）においては、例として３ビットデジタル映像信号を用いた場
合を挙げて説明する。デジタル時間階調方式の場合、フレーム期間２２０１を、さらに複
数のサブフレーム期間に分割する。ここでは３ビットであるので、３つのサブフレーム期
間に分割している。
なお、図２２（Ａ）（Ｂ）においては、Ｒ１，Ｒ２，Ｇ１，Ｇ２，Ｂ１，Ｂ２の発光素
子に対応する第１の期間２２０２、第２の期間２２０３、第３の期間２２０４、第４の期
間２２０５、第５の期間２２０６、第６の期間２２０７で示される６つの期間のうち１つ
の期間、例えば第１の期間２２０２の期間について説明する。
なお、第１の期間２２０２においては、各サブフレーム期間で、アドレス（書き込み）
期間Ｔａ１＃（＃は自然数）と、サステイン（発光）期間Ｔｓ１＃を有する。また、第２
の期間については、アドレス（書き込み）期間Ｔａ２＃（＃は自然数）と、サステイン（
発光）期間Ｔｓ２＃、とし、以下第３の期間〜第６の期間も同様の表記をする。
図２２（Ａ）においては、サステイン（発光）期間の長さを、Ｔｓ１１：Ｔｓ１２：Ｔ
ｓ１３＝４：２：１とし、各サステイン（発光）期間で、発光もしくは非発光を制御する
ことにより、２３＝８階調を表現する。つまり、サステイン（発光）期間の長さを、Ｔｓ
１１：Ｔｓ１２：Ｔｓ１３＝２（ｎ−１）：２（ｎ−２）：・・・：２１：２０というよ
うに、２のべき乗の比とする。例えば、Ｔｓ１３のみが発光し、Ｔｓ１１、Ｔｓ１２にお
いては非発光である場合、すべてのサステイン（発光）期間のうち、約１４％の期間だけ
発光していることになる。すなわち、約１４％の輝度が表現出来る。Ｔｓ１１とＴｓ１２
が発光し、Ｔｓ１３が非発光である場合には、すべてのサステイン（発光）期間のうち、
約８６％の期間だけ発光していることになる。すなわち、約８６％の輝度が表現出来る。
この動作を図２１に示すように、第１〜第６の発光色、つまり図２における発光素子Ｒ
１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１、発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１、発光素子Ｂ２において
繰り返すことによって、視認者は残像効果によって多色表現を視認することができる。
図２０では、第３のトランジスタ２００３を用いていたが、別の方法を用いることも出
来る。なぜなら、強制的に非点灯期間をつくればよいので、発光素子２００４に電流が供
給されないようにすればよいからである。よって、電源線２００９から発光素子２００４
を通って、対向電極２０１０へ電流が流れる経路のいずれかに、スイッチを配置して、そ
のスイッチのオンオフを制御して、非点灯期間を作ればよい。あるいは、第２のトランジ
スタ２００２のゲート・ソース間電圧を制御して、第２のトランジスタが強制的にオフに
なるようにすればよい。
第２のトランジスタを強制的にオフにする場合の画素構成の例を図２３に示す。図２０
と異なる点は、消去ダイオード２３０１が第２のトランジスタ２００２のゲートと第２の
走査線２００８との間に接続されている。
信号を消去したい場合は、第２の走査線２００８を選択（ここでは、高い電位にする）
して、消去ダイオード２３０１がオンして、第２の走査線２００８から第２のトランジス
タ２００２のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、第２のトランジスタ２００２
がオフ状態になる。すると、電源線２００９から、発光素子２００４を通って、対向電極
２０１０には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点
灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
信号を保持しておきたい場合は、第２の走査線２００８を非選択（ここでは、低い電位
にする）しておく。すると、消去ダイオード２３０１がオフするので、第２のトランジス
タ２００２のゲート電位は保持される。
なお、消去ダイオード２３０１は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型
ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでも
よいし、ツェナー型ダイオードでもよい。
また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲートとドレインを接続）して、用い
ても良い。その場合の回路図を図２４に示す。消去ダイオード２３０１として、ダイオー
ド接続したトランジスタ２４０１を用いている。ここでは、Ｎチャネル型を用いているが
、これに限定されない。Ｐチャネル型を用いても良い。
なお、本実施の形態において示したタイミングチャートや画素構成や駆動方法は、一例で
あり、これに限定されない。様々なタイミングチャートや画素構成や駆動方法に適用する
ことが可能である。
次に、デジタル階調法の場合における、駆動トランジスタの動作領域について述べる。な
お図２５はトランジスタの動作について、横軸にトランジスタのゲートとソース間にかか
る電圧をとり、縦軸にトランジスタのソースとドレインを流れる電流をとった際の特性図
である。
例えば、飽和領域で動作させる場合は、発光素子の電圧電流特性が劣化しても、そこを流
れる電流値が変化しない、という利点がある。そのため、表示装置は焼き付きの影響を受
けにくい。ただし、駆動トランジスタの電流特性がばらつくと、そこを流れる電流もばら
ついてしまう。そのため、表示ムラを生じてしまう場合がある。
それに対して、線形領域で動作させると、駆動トランジスタの電流特性がばらついても、
そこを流れる電流値は影響を受けにくい。そのため、表示ムラが生じにくい。また、駆動
トランジスタのゲート・ソース間電圧（の絶対値）が大きくなりすぎないことにより、消
費電力も小さくできる。
さらに、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧（の絶対値）を大きくすると、駆動ト
ランジスタの電流特性がばらついても、そこを流れる電流値は影響をほとんど受けなくな
る。ただし、発光素子の電圧電流特性が劣化すると、そこを流れる電流値が変化してしま
う場合がある。そのため、表示装置は焼き付きの影響を受けやすくなる。
このように、駆動トランジスタを飽和領域で動作させると、発光素子の特性が変化して
も、電流値が変化しない。よって、その場合、駆動トランジスタは、電流源として動作し
ていると見なせる。したがって、このような駆動を定電流駆動と呼ぶことにする。
また、駆動トランジスタを線形領域で動作させると、駆動トランジスタの電流特性がば
らついても、電流値が変化しない。よって、その場合、駆動トランジスタは、スイッチと
して動作していると見なせる。よって、発光素子には、電源線の電圧がそのまま加わって
いるように見なせる。したがって、このような駆動を定電圧駆動と呼ぶことにする。
本発明は定電流駆動、定電圧駆動のいずれも採用することが可能である。したがって、
定電流駆動、定電圧駆動のどちらを採用するかは、発光素子、トランジスタのばらつきを
考慮して適宜変更すればよい。
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に
組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態６）
本実施の形態において、本発明における各画素と各配線のレイアウトの他の構成について
説明する。
図４に示した回路図について、そのレイアウト図を図２６に示す。なお、回路図やレイ
アウト図は、図４や図２６に限定されない。
スイッチングトランジスタ２６０１Ａ、２６０１Ｂ、駆動トランジスタ２６０２Ａ、２
６０２Ｂ，発光素子Ｒ１、Ｒ２の電極が配置されている。スイッチングトランジスタ２６
０１Ａ、２６０１Ｂのソースとドレインは各々、信号線２６０４と、駆動トランジスタ２
６０２Ａか２６０２Ｂのゲートとに接続されている。スイッチングトランジスタ２６０１
Ａのゲートは、走査線２６０５Ａに接続され、スイッチングトランジスタ２６０１Ｂのゲ
ートは、走査線２６０５Ｂに接続されている。駆動トランジスタ２６０２Ａ、２６０２Ｂ
のソースとドレインは各々、電源線２６０６と、発光素子Ｒ１、Ｒ２の電極とに接続され
ている。保持容量は（図示せず）、駆動トランジスタ２６０２Ａか２６０２Ｂのゲートと
、電源線２６０６との間に接続されているが、必ずしも設ける必要はない。
なお、信号線２６０４は、駆動トランジスタ２６０２Ａ、２６０２Ｂに対応して複数設
ける構成であってもよい。
信号線２６０４、電源線２６０６は、第２配線によって形成され、走査線２６０５Ａ、
２６０５Ｂは、第１配線によって形成されている。
図２７に図２６に対応する画素構成の上面図について示す。図２７の各構成に付される符
号は、図２６に準ずる。
図２７において、トップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、第１配
線、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、
第１配線、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。ま
た、図２７においては、保持容量２７０１Ａ、２７０１Ｂが電源線と第１配線の間に設け
られている。
なお、スイッチングトランジスタ２６０１Ａ、２６０１Ｂのチャネル形成領域が、各々２
つ形成されるダブルゲート構造について説明したが、チャネル形成領域が一つ形成される
シングルゲート構造または三つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。あるいは
、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有する
デュアルゲート型やその他の構造としてもよい。
図２７において、同じ絵素にある発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２の距離をＤ１とすると、
発光素子Ｒ１と他の行の絵素にある発光素子Ｒ２との距離をＤ２とする。本実施の形態に
おける図２７の形態によると、Ｄ１＜Ｄ２とする構成となり、同じ絵素内にある発光素子
Ｒ１と発光素子Ｒ２の距離を近くすることができる。本発明においては、図２７のように
列方向（図２６における縦方向）に並べて配し、発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２との間に走
査線を配しない構成とすることで発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２の色の混色がより視認した
やすくなるため好適である。勿論発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子
Ｂ２も同様の構成とすることで、色の混色が視認しやすくなりより好適である。また、発
光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２を行方向（図２６における横方向）に並べて配する場合には、
電源線を発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２の間に配しないことによって、発光素子Ｒ１と発光
素子Ｒ２がより隣接した位置に配することとなり、好適である。
図２６の画素において、走査線２６０５Ｂを他の行の画素の走査線２６０５Ａで代用す
ることができる。つまり、その場合には、図２６に示す表示装置の走査線２６０５Ｂを省
略することができる。一例として、図２６の画素の走査線２６０５Ｂを省略し、隣の行の
画素の走査線２６０５Ａで代用した場合の構成を図２８に示す。
図２６、図２８に示した表示装置の構成は一例であって本発明はこれに限定されない。
例えば、電源線は信号線と平行に配置されていなくてもよく、走査線に平行に配置されて
いてもいいし、電源線のそれぞれが格子状に配置されていてもいい。つまり、図２９に示
すように、図２６の画素における電源線を走査線と平行に配置してもよい。
上述のように、本発明の表示装置の画素周辺における配線の構成は多岐にわたり、本明
細書に列挙した構成に特に限定されないものであることを付記する。
なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由
に組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施例で示した画素構成を有する表示パネルの構成について図３
０（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
なお、図３０（ａ）は、表示パネルを示す上面図、図３０（ｂ）は図３０（ａ）をＡ−Ａ
’で切断した断面図である。表示パネルは、点線で示された信号線駆動回路３００１、画
素部３００２、第１の走査線駆動回路３００３、第２の走査線駆動回路３００６を有する
。また、封止基板３００４、シール材３００５を有し、シール材３００５で囲まれた内側
は、空間３００７になっている。
なお、配線３００８は第１の走査線駆動回路３００３、第２の走査線駆動回路３００６
及び信号線駆動回路３００１に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端
子となるＦＰＣ３００９（フレキシブルプリントサーキット）からビデオ信号、クロック
信号、スタート信号等を受け取る。ＦＰＣ３００９と表示パネルとの接続部上にはＩＣチ
ップ３０１９（メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ）がＣＯＧ（
Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等で実装されている。なお、ここではＦＰＣしか図示され
ていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
本明細書における表示装置とは、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷ
Ｂが取り付けられた状態をも含むものとする。また、ＩＣチップなどが実装されたものを
含むものとする。
次に、断面構造について図３０（ｂ）を用いて説明する。基板３０１０上には画素部３
００２とその周辺駆動回路（第１の走査線駆動回路３００３、第２の走査線駆動回路３０
０６及び信号線駆動回路３００１）が形成されているが、ここでは、信号線駆動回路３０
０１と、画素部３００２が示されている。
なお、信号線駆動回路３００１はＮチャネル型ＴＦＴ３０２０やＮチャネル型ＴＦＴ３
０２１のように単極性のトランジスタで構成されている。なお、画素構成として単極性の
トランジスタで画素を構成する場合には、周辺駆動回路をＮチャネル型トランジスタで構
成することにより単極性表示パネルを作製することができる。もちろん、単極性のトラン
ジスタだけでなくＰチャネル型トランジスタも用いてＣＭＯＳ回路を形成しても良い。ま
た、本実施の形態では、同一基板上に画素部と周辺駆動回路を形成した表示パネルを示す
が、必ずしもその必要はなく、周辺駆動回路の全部若しくは一部をＩＣチップなどに形成
し、ＣＯＧなどで実装しても良い。その場合には駆動回路は単極性にする必要がなくＰチ
ャネル型トランジスタを組み合わせて用いることができる。
また、画素部３００２はＴＦＴ３０１１と、ＴＦＴ３０１２とを有している。なお、Ｔ
ＦＴ３０１２のソース電極は第１の電極３０１３（画素電極）と接続されている。また、
第１の電極３０１３の端部を覆って絶縁物３０１４が形成されている。ここでは、ポジ型
の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物３０１４の上端部または下端部に曲
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物３０１４の材料としてポジ型の
感光性アクリルを用いた場合、絶縁物３０１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３
μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物３０１４として、光によっ
てエッチャントに不溶解性となるネガ型フォトレジスト、或いは光によってエッチャント
に溶解性となるポジ型フォトレジストのいずれも使用することができる。
第１の電極３０１３上には、発光層３０１６、および第２の電極３０１７（対向電極）
がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極３０１３に用いる材
料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウ
ムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タン
グステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分と
する膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層
構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好
なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
また、発光層３０１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によっ
て形成される。発光層３０１６には、元素周期表第４族金属錯体をその一部に用いること
とし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても
高分子系材料であっても良い。また、発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を
単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施の形態においては、有機化合物からなる
膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項材料を用
いることも可能である。
さらに、発光層３０１６上に形成される第２の電極３０１７に用いる材料としては、仕
事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ
、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いればよい。なお、発光層３０１６
で生じた光が第２の電極３０１７を透過させる場合には、第２の電極３０１７（陰極）と
して、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）
、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積
層を用いるのが良い。
さらにシール材３００５で封止基板３００４を基板３０１０と貼り合わせることにより
、基板３０１０、封止基板３００４、およびシール材３００５で囲まれた空間３００７に
発光素子３０１８が備えられた構造になっている。なお、空間３００７には、不活性気体
（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３００５で充填される構成も含む
ものとする。
なお、シール材３００５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３０
０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー
、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、本発明の画素構成を有する表示パネルを得ることができる。なお、
上述した構成は一例であって本発明の表示パネルの構成はこれに限定されない。
図３０に示すように、信号線駆動回路３００１、画素部３００２、第１の走査線駆動回路
３００３及び第２の走査線駆動回路３００６を同一基板上に形成することで、表示装置の
低コスト化が図れる。また、この場合において、信号線駆動回路３００１、画素部３００
２、第１の走査線駆動回路３００３及び第２の走査線駆動回路３００６に用いられるトラ
ンジスタを単極性とすることで作製工程の簡略化が図れるためさらなる低コスト化が図れ
る。
なお、表示パネルの構成としては、図３０（ａ）に示したように信号線駆動回路３００１
、画素部３００２、第１の走査線駆動回路３００３及び第２の走査線駆動回路３００６を
同一基板上に形成した構成に限られず、信号線駆動回路３００１に相当する図３１に示す
信号線駆動回路３１０１をＩＣチップ上に形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構
成としても良い。なお、図３１（ａ）の基板３１００、画素部３１０２、第１の走査線駆
動回路３１０３、第２の走査線駆動回路３１０４、ＦＰＣ３１０５、ＩＣチップ３１０６
、ＩＣチップ３１０７、封止基板３１０８、シール材３１０９は図３０（ａ）の基板３０
１０、画素部３００２、第１の走査線駆動回路３００３、第２の走査線駆動回路３００６
、ＦＰＣ３００９、ＩＣチップ３０１９、封止基板３００４、シール材３００５に相当す
る。
つまり、高速動作が要求される信号線駆動回路のみを、ＣＭＯＳ等を用いてＩＣチップに
形成し、低消費電力化を図る。また、ＩＣチップはシリコンウエハ等の半導体チップとす
ることで、より高速動作且つ低消費電力化を図れる。
そして、第１の走査線駆動回路３１０３や第２の走査線駆動回路３１０４を画素部３１０
２と同一の基板にすることで、低コスト化が図れる。そして、この第２の走査線駆動回路
３１０３、第２の走査線駆動回路３１０４及び画素部３１０２は単極性のトランジスタで
構成することでさらなる低コスト化が図れる。画素部３１０２の有する画素の構成として
は実施の形態１、２、３及び４で示した画素を適用することができる。
こうして、高精細な表示装置の低コスト化が図れる。また、ＦＰＣ３１０５と基板３１０
０との接続部において機能回路（メモリやバッファ）が形成されたＩＣチップを実装する
ことで基板面積を有効利用することができる。
また、図３０（ａ）の信号線駆動回路３００１、第１の走査線駆動回路３００３及び第２
の走査線駆動回路３００６に相当する図３１（ｂ）の信号線駆動回路３１１１、第１の走
査線駆動回路３１１４及び第２の走査線駆動回路３１１３をＩＣチップ上に形成して、Ｃ
ＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。この場合には高精細な表示装置をより
低消費電力にすることが可能である。よって、より消費電力が少ない表示装置とするため
には、画素部に用いられるトランジスタの半導体層にはポリシリコンを用いることが望ま
しい。なお、図３１（ｂ）の基板３１１０、画素部３１１２、ＦＰＣ３１１５、ＩＣチッ
プ３１１６、ＩＣチップ３１１７、封止基板３１１８、シール材３１１９は図３０（ａ）
の基板３０１０、画素部３００２、ＦＰＣ３００９、ＩＣチップ３０１９、封止基板３０
０４、シール材３００５に相当する。
また、画素部３１１２のトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることに
より低コスト化を図ることができる。さらに、大型の表示パネルを作製することも可能と
なる。
また、画素の行方向及び列方向に第２の走査線駆動回路、第１の走査線駆動回路及び信号
線駆動回路を設けなくても良い。例えば、図３２（ａ）に示すようにＩＣチップ上に形成
された周辺駆動回路３２０１が図３１（ｂ）に示す、第１の走査線駆動回路３１１４、第
２の走査線駆動回路３１１３及び信号線駆動回路３１１１の機能を有するようにしても良
い。なお、図３２（ａ）の基板３２００、画素部３２０２、ＦＰＣ３２０４、ＩＣチップ
３２０５、ＩＣチップ３２０６、封止基板３２０７、シール材３２０８は図３０（ａ）の
基板３０１０、画素部３００２、ＦＰＣ３００９、ＩＣチップ３０１９、封止基板３００
４、シール材３００５に相当する。
なお、図３２（ａ）の表示装置の配線の接続を説明する模式図を図３２（ｂ）に示す。表
示装置は、基板３２１０、周辺駆動回路３２１１、画素部３２１２、ＦＰＣ３２１３、Ｆ
ＰＣ３２１４を有する。ＦＰＣ３２１３より周辺駆動回路３２１１に外部からの信号及び
電源電位が入力される。そして、周辺駆動回路３２１１からの出力は、画素部３２１２の
有する画素に接続された行方向及び列方向の配線に入力される。
上述のように、本発明の表示装置における表示パネルの構成は多岐にわたり、本明細書
に列挙した構成に特に限定されないものであることを付記する。
なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由
に組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態８）
本実施の形態において、本発明における各画素とトランジスタの断面構造について、他の
構成を説明する。
図４４に本実施の形態における回路図の一例を示す。なお、回路図は、図４４に限定さ
れない。図４４に列挙した回路図は、Ｎ型のトランジスタを用いて構成された回路図であ
る。Ｎ型のトランジスタで画素を構成する回路を構成することで、プロセスが簡易で、大
面積の基板に対応することができる表示装置を提供することができる。以下、その具体例
について述べる。
図４４（Ａ）に、回路の構成を示す。画素には、第１のトランジスタ４４０１、第２の
トランジスタ４４０２、発光素子４４０６が配置されており、ビデオ信号が入力される信
号線４４０３と第２のトランジスタ４４０２のゲートとは、第１のトランジスタ４４０１
を介して接続されている。第１のトランジスタ４４０１のゲートには、走査線４４０７が
接続されている。第１電源供給線４４０４と第２電源供給線４４０５との間は、第２のト
ランジスタ４４０２と発光素子４４０６とが接続されている。そして、第１電源供給線４
４０４から第２電源供給線４４０５の方に電流が流れる。発光素子４４０６は、そこを流
れる電流の大きさに応じて発光する。
なお、第２のトランジスタ４４０２のゲートに入力されるビデオ信号を保持するために
、保持容量が配置されていてもよい。その場合、第２のトランジスタ４４０２のゲートと
第２のトランジスタ４４０２のドレインとの間に、保持容量を配置してもよいし、第２の
トランジスタ４４０２のゲートと第２のトランジスタ４４０２のソースとの間に、保持容
量を配置してもよい。あるいは、第２のトランジスタ４４０２のゲートと別の配線（専用
の配線や、前行の画素の走査線など）との間に、保持容量を配置してもよい。あるいは、
第２のトランジスタ４４０２のゲート容量により、保持容量を配置しないことも可能であ
る。なお、第２のトランジスタ４４０２や第１のトランジスタ４４０１は、Ｎチャネル型
であるとする。
また図４４（Ｂ）に、本実施の形態の別の回路の構成を示す。画素には、第１のトランジ
スタ６００１、第２のトランジスタ６００２、第３のトランジスタ６００９（保持トラン
ジスタともいう）、保持容量６０１０、発光素子６００６が配置されており、ビデオ信号
が入力される信号線６００３と第２のトランジスタ６００２のソースとは、第１のトラン
ジスタ６００１を介して接続されている。第１のトランジスタ６００１のゲートには、走
査線６００７が接続されている。第１電源供給線６００４と第２電源供給線６００５との
間には、第２のトランジスタ６００２と発光素子６００６とが接続されている。そして、
第１電源供給線６００４から第２電源供給線６００５の方に電流が流れる。発光素子６０
０６は、そこを流れる電流の大きさに応じて発光する。第２のトランジスタ６００２のゲ
ート・ソース間には、保持容量６０１０が配置され、第２のトランジスタ６００２のゲー
ト・ドレイン間には、第３のトランジスタ６００９が接続されている。第３のトランジス
タ６００９のゲートには、走査線６００７が接続されている。
信号線駆動回路には、電流源回路６００８が配置されている。電流源回路６００８は、
ビデオ信号に応じた大きさの電流を画素へ供給する。そして、走査線６００７が選択され
て、ソース信号線６００３に供給されたビデオ信号は、第２のトランジスタ６００２に入
力される。このとき、第１電源供給線６００４の電位を変化させているため、第１電源供
給線６００４と第２電源供給線６００５の電位の関係から、発光素子６００６には電流が
流れない。そして、ビデオ信号の大きさに応じて、必要な大きさの第２のトランジスタ６
００２のゲート・ソース間電圧が保持容量６０１０に保持される。その後、走査線６００
７が非選択状態になり、保持容量６０１０に蓄積された電荷は保持される。よって、第２
のトランジスタ６００２のドレイン電位やソース電位が変化しても、第２のトランジスタ
６００２のゲート・ソース間電圧は変化しない。そして、第１電源供給線６００４の電位
が元に戻り、第２のトランジスタ６００２には、ビデオ信号に応じた大きさの電流が流れ
、発光素子６００６にも流れていく。
また図４４（Ｃ）に、本実施の形態の別の回路の構成を示す。画素には、第１のトラン
ジスタ７００１、第２のトランジスタ７００２、第３のトランジスタ７００９、保持容量
７０１０、発光素子７００６が配置されており、ビデオ信号が入力される信号線７００３
と第２のトランジスタ７００２のゲートとは、第１のトランジスタ７００１を介して接続
されている。第１のトランジスタ７００１のゲートには、第１の走査線７００７が接続さ
れている。第１電源供給線７００４と第２電源供給線７００５との間には、第２のトラン
ジスタ７００２と発光素子７００６とが接続されている。そして、第１電源供給線７００
４から第２電源供給線７００５の方に電流が流れる。発光素子７００６は、そこを流れる
電流の大きさに応じて発光する。第２のトランジスタ７００２のゲート・ソース間には、
保持容量７０１０が配置され、第２のトランジスタ７００２のゲート・ドレイン間には、
第３のトランジスタ７００９が接続されている。第３のトランジスタ７００９のゲートに
は、第２の走査線７０１６が接続されている。
図４４（Ｃ）に示す回路構成において、第２の走査線７０１６より入力される信号に応
じて、第３のトランジスタ７００９をＯＮする。そして、第２のトランジスタ７００２の
しきい値電圧分の第２のトランジスタ７００２のゲート・ソース間電圧が保持容量７０１
０に保持される。そのため、各駆動電圧のしきい値電圧のばらつきを予め補正することが
できる。なお、第２電源供給線７００５について一瞬だけ電位を高くすることによって予
め保持容量７０１０にしきい値電圧より高い電圧を保持しておいてもよい。
そして、信号線７００３に供給されたビデオ信号は、第２のトランジスタ７００２のゲ
ートに入力される。そして、ビデオ信号の大きさに応じて、第２のトランジスタ７００２
に電流が流れ、発光素子７００６にも流れていく。
なお、図４４（Ａ）〜（Ｃ）において、第２のトランジスタは、飽和領域でのみ動作さ
せてもよいし、飽和領域と線形領域とで動作させてもよいし、線形領域のみで動作させて
もよい。
線形領域のみで動作させる場合は、第２のトランジスタは、概ねスイッチとして動作す
る。そのため、第２のトランジスタの劣化や温度などによる特性の変動の影響がスイッチ
ング動作に出にくい。線形領域のみで動作させる場合は、発光素子７００６に電流が流れ
るかどうかをデジタル的に制御することが多い。その場合、多階調化をはかるため、時間
階調方式や面積階調方式などを組み合わせることで対応すればよい。
次に、図４４で示した回路構成におけるトランジスタの半導体層にアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合について説明する。図４２にはトップゲートのトラン
ジスタ、図４３及び図４９にはボトムゲートのトランジスタの場合について示す。
アモルファスシリコンを半導体層に用いた順スタガ構造のトランジスタの断面を図４２（
ａ）に示す。図４２（ａ）に示すように、基板７６０１上に下地膜７６０２が形成されて
いる。さらに下地膜７６０２上に画素電極７６０３が形成されている。また、画素電極７
６０３と同層に同じ材料からなる第１の電極７６０４が形成されている。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜７６０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、
酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
また、下地膜７６０２上に配線７６０５及び配線７６０６が形成され、画素電極７６０３
の端部が配線７６０５で覆われている。配線７６０５及び配線７６０６の上部にＮ型の導
電型を有するＮ型半導体層７６０７及びＮ型半導体層７６０８が形成されている。また、
配線７６０５と配線７６０６の間であって、下地膜７６０２上に半導体層７６０９が形成
されている。そして、半導体層７６０９の一部はＮ型半導体層７６０７及びＮ型半導体層
７６０８上にまで延長されている。なお、この半導体層７６０９はアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成
されている。また、半導体層７６０９上にゲート絶縁膜７６１０が形成されている。また
、ゲート絶縁膜７６１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜７６１１が第１の電極７６０４
上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜７６１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜な
どが用いられる。
また、ゲート絶縁膜７６１０上に、ゲート電極７６１２が形成されている。また、ゲー
ト電極７６１２と同層に同じ材料でなる第２の電極７６１３が第１の電極７６０４上に絶
縁膜７６１１を介して形成されている。第１の電極７６０４及び第２の電極７６１３で絶
縁膜７６１１を挟むことにより保持容量７６１９が形成されている。また、画素電極７６
０３の端部、駆動トランジスタ７６１８及び保持容量７６１９を覆い、層間絶縁物７６１
４が形成されている。
層間絶縁物７６１４及びその開口部に位置する画素電極７６０３上に発光層７６１５及び
対向電極７６１６が形成され、画素電極７６０３と対向電極７６１６とで発光層７６１５
が挟まれた領域では発光素子７６１７が形成されている。
また、図４２（ａ）に示す第１の電極７６０４を図４２（ｂ）に示すように第１の電極７
６２０で形成してもよい。第１の電極７６２０は配線７６０５及び７６０６と同層の同一
材料で形成されている。
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用い
た表示パネルの部分断面を図４３に示す。
基板７７０１上に下地膜７７０２が形成されている。さらに下地膜７７０２上にゲート
電極７７０３が形成されている。また、ゲート電極７７０３と同層に同じ材料からなる第
１の電極７７０４が形成されている。ゲート電極７７０３の材料にはリンが添加された多
結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物で
あるシリサイドでもよい。
また、ゲート電極７７０３及び第１の電極７７０４を覆うようにゲート絶縁膜７７０５が
形成されている。ゲート絶縁膜７７０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
また、ゲート絶縁膜７７０５上に、半導体層７７０６が形成されている。また、半導体
層７７０６と同層に同じ材料からなる半導体層７７０７が形成されている。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜７７０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、
酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
半導体層７７０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層７７０８、７７０９が形成さ
れ、半導体層７７０７上にはＮ型半導体層７７１０が形成されている。
Ｎ型半導体層７７０８、７７０９、７７１０上にはそれぞれ配線７７１１、７７１２、７
７１３が形成され、Ｎ型半導体層７７１０上には配線７７１１及び７７１２と同層の同一
材料からなる導電層７７１３が形成されている。
半導体層７７０７、Ｎ型半導体層７７１０及び導電層７７１３からなる第２の電極が構成
される。なお、この第２の電極と第１の電極７７０４でゲート絶縁膜７７０５を挟み込ん
だ構造の保持容量７７２０が形成されている。
また、配線７７１１の一方の端部は延在し、その延在した配線７７１１上部に接して画素
電極７７１４が形成されている。
また、画素電極７７１４の端部、駆動トランジスタ７７１９及び保持容量７７２０を覆う
ように絶縁物７７１５が形成されている。
画素電極７７１４及び絶縁物７７１５上には発光層７７１６及び対向電極７７１７が形成
され、画素電極７７１４と対向電極７７１７とで発光層７７１６が挟まれた領域では発光
素子７７１８が形成されている。
保持容量の第２の電極の一部となる半導体層７７０７及びＮ型半導体層７７１０は設けな
くても良い。つまり第２の電極は導電層７７１３とし、第１の電極７７０４と導電層７７
１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の保持容量としてもよい。
なお、図４３（ａ）において、配線７７１１を形成する前に画素電極７７１４を形成する
ことで、図４３（ｂ）に示すような、画素電極７７１４と同層で同じ材料からなる第２の
電極７７２１と第１の電極７７０４でゲート絶縁膜７７０５が挟まれた構造の保持容量７
７２０を形成することができる。
なお、図４３では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、
もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの
場合について、図４９（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
図４９（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４３（ａ）に示したチャネル
エッチ構造の駆動トランジスタ７７１９の半導体層７７０６のチャネルが形成される領域
上にエッチングのマスクとなる絶縁物７８０１が設けられている点が異なり、他の共通し
ているところは共通の符号を用いている。
また、同様に、図４９（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４３（ｂ）に
示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ７７１９の半導体層７７０６のチャネルが
形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物７８０２が設けられている点が異な
り、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレ
イン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。
例えば、図４４に示す画素構成を用いることで非晶質半導体膜を適用することが可能であ
る。
なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由
に組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明に適用することができるパッシブ型の表示パネルの構成につい
て説明する。
図４７（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図４７（Ａ）中の鎖
線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図４７（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図
４７（Ｃ）である。
基板２１１０上には、ストライプ状に複数の第１の電極２１１３が等間隔で配置されて
いる。また、第１の電極２１１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁２１１４
が設けられ、開口部を有する隔壁２１１４は遮光性を有する材料（黒色顔料やカーボンブ
ラックを分散させてなる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリ
アミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例
えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。例えば、開口部を有する隔壁
２１１４として、富士フィルムオーリン社製ＣＯＬＯＲ ＭＯＳＡＩＣ ＣＫ（商品名）
のような材料を用いる。開口部を有する隔壁２１１４はブラックマトリクス（ＢＭ）とし
て機能させている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域２１２１となる。
開口部を有する隔壁２１１４上に、第１の電極２１１３と交差する互いに平行な複数の逆
テーパ状の隔壁２１２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁２１２２はフォトリソグラフィ
法に従い、未露光部分がパターンとして残るポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部が
より多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する
。この逆テーパ状の隔壁２１２２も上述した遮光性を有する材料で形成し、さらにコント
ラストの向上を図ってもよい。
また、平行な複数の逆テーパ状の隔壁２１２２を形成した直後における斜視図を図４８
に示す。なお、図４７と同一の部分には同一の符号を用いている。
逆テーパ状の隔壁２１２２の高さは、有機化合物を含む膜及び導電膜の膜厚より大きく
設定する。図４８に示す構成を有する第１の基板に対して有機化合物を含む膜と、導電膜
とを積層形成すると、図４７に示すように電気的に独立した複数の領域に分離され、発光
層と、第２の電極２１１６とが形成される。第２の電極２１１６は、第１の電極２１１３
と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の
隔壁２１２２上にも有機化合物を含む膜及び導電膜が形成されるが、発光層２１１５Ｒ、
発光層２１１５Ｇ、発光層２１１５Ｂ及び第２の電極２１１６とは分断されている。
なお、本実施の形態において、本発明における第１の発光素子Ｒ１は発光層２１１５Ｒ
、本発明における第３の発光素子Ｇ１は発光層２１１５Ｇ、本発明における第５の発光素
子Ｂ１は発光層２１１５Ｂに対応する。なお、本実施の形態において、本発明における第
２の発光素子Ｒ２は図４７（Ａ）における発光層２１１５Ｒの下の領域、本発明における
第４の発光素子Ｇ２は図４７（Ａ）における発光層２１１５Ｇの下の領域、本発明におけ
る第６の発光素子Ｂ２は図４７（Ａ）における発光層２１１５Ｂの下の領域に対応する。
発光素子Ｒ１と発光素子Ｒ２、発光素子Ｇ１と発光素子Ｇ２、発光素子Ｂ１と発光素子Ｂ
２との発光スペクトルを異ならせる手段に関しては、発光素子の材料を異ならせて形成し
てもよいし、膜厚を異ならせて形成してもよいし、もしくは透過特性の異なるカラーフィ
ルタや色変換層を用いることで、達成すればよい。本実施の形態では、発光層２１１５Ｒ
、発光層２１１５Ｇ、発光層２１１５Ｂについて説明し、すべての画素についての説明に
ついては略す。
ここでは、発光層２１１５Ｒ、発光層２１１５Ｇ、発光層２１１５Ｂを選択的に形成し
、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を
示している。発光層２１１５Ｒ、発光層２１１５Ｇ、発光層２１１５Ｂはそれぞれ互いに
平行なストライプパターンで形成されている。
また、発光素子の封止は、シール材を用いて第２の基板を貼り合わせることによって行
う。必要があれば、第２の電極２１１６を覆う保護膜を形成してもよい。なお、第２の基
板としては、水分に対するバリア性の高い基板が好ましい。また、必要であれば、シール
材で囲まれた領域に乾燥剤を配置してもよい。
また、封止を行った後、ＦＰＣなどを実装した発光モジュールの上面図を図５０に示す
。
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けら
れたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩ
Ｃ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
第１の基板５００１と第２の基板５０１０とが対向するようにシール材５０１１で貼り付
けられている。シール材５０１１としては光硬化樹脂を用いれば良く、脱ガスが少なく、
吸湿性の低い材料が好ましい。また、シール材５０１１は基板間隔を一定に保つため、フ
ィラー（棒状またはファイバー状のスペーサ）や球状のスペーサを添加したものであって
も良い。なお、第２の基板５０１０としては第１の基板５００１と熱膨張係数が同一の材
料が好ましく、ガラス（石英ガラスを含む）もしくはプラスチックを用いることができる
。
図５０に示すように画像表示を行う画素部は、カラム信号線群とロウ信号線群が互いに直
交するように交差している。
図４７における第１の電極２１１３が図５０のカラム信号線５００２に相当し、図４７
における第２の電極２１１６がロウ信号線５００３に相当し、図４７における逆テーパ状
の隔壁２１２２が隔壁５００４に相当する。カラム信号線５００２とロウ信号線５００３
の間には発光層が挟まれており、交差部５００５が画素１つ分となる。
なお、ロウ信号線５００３は配線端で接続配線５００８と電気的に接続され、接続配線
５００８が入力端子５００７を介してＦＰＣ５００９ｂに接続される。また、カラム信号
線５００２は入力端子５００６を介してＦＰＣ５００９ａに接続される。
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板
（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また
、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を
拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また偏光板、又は
円偏光板に加熱処理を施すアンチリフレクション処理を施してもよい。その後さらに、外
部衝撃から保護するためハードコート処理を施すとよい。ただし、偏光板、又は円偏光板
を用いると、偏光板、又は円偏光板により光の取り出し効率が低下してしまう。また、偏
光板、又は円偏光板自体のコストが高く、且つ、劣化しやすい。
本実施の形態においては、発光素子が設けられている基板側の画素間にブラックマトリ
クス（ＢＭ）となる黒色の隔壁（バンク、または障壁とも呼ばれる）を設け、発光素子か
らの迷光を吸収、または遮蔽することによって表示のコントラストを向上させることがで
きる。
なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由
に組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１０）
本実施の形態において、本発明における発光素子の他の構成について説明する。
上記実施の形態に述べた発光素子は、主に有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌ
ｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子について述べたが、これに限定されない。
例えば、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ；デジタル
マイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ；プラ
ズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ；
フィールドエミッションディスプレイ）、ＦＥＤの一種であるＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−
ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳
動表示装置（電子ペーパー）、圧電セラミックディスプレイであってもよい。
上記列挙した発光素子のうち、光が透過することで色が認識できる素子については、実
施の形態３で述べたようにカラーフィルタを介して表示を行えばよい。そして第１の画素
の発光素子Ｒ１と第２の画素の発光素子Ｒ２、第３の画素の発光素子Ｇ１と第４の画素の
発光素子Ｇ２、第５の画素の発光素子Ｂ１と第６の画素の発光素子Ｂ２について発光スペ
クトルを異ならせる。その結果、ＣＩＥ−ＸＹ色度図で表したときに、色度図の座標を第
１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ２、第３の画素、第４の画素に設け
られた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素に設けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２で
異ならせればよい。
また、上記列挙した発光素子にうち、自発光型の素子については蛍光体等で色変換し表
示を行えばよい。そして第１の画素の発光素子Ｒ１と第２の画素の発光素子Ｒ２、第３の
画素の発光素子Ｇ１と第４の画素の発光素子Ｇ２、第５の画素の発光素子Ｂ１と第６の画
素の発光素子Ｂ２について発光スペクトルを異ならせる。その結果、ＣＩＥ−ＸＹ色度図
で表したときに、色度図の座標を第１の画素、第２の画素に設けられた発光素子Ｒ１、Ｒ
２、第３の画素、第４の画素に設けられた発光素子Ｇ１、Ｇ２、第５の画素、第６の画素
に設けられた発光素子Ｂ１、Ｂ２で異ならせればよい。
なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由
に組み合わせて実施することが可能である。
本発明の表示装置は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示
部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体
的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し
、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
図３８（Ａ）はディスプレイであり、筐体３８１０１、支持台３８１０２、表示部３８１
０３等を含む。本発明の画素構成を有する表示装置を表示部３８１０３に用いることがで
きる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広
告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明の表示装置を表示部３８１
０３に用いたディスプレイは、鮮やかな色彩を表現することができる。
近年、ディスプレイの高付加価値化のニーズが強くなっている。よって、いかに製造コス
トの削減を図り、なおかつ鮮やかな色彩を表現できるかが課題となる。
例えば、図２などの画素構成を表示パネルの画素部に用いることで、鮮やかな色彩を表現
できる表示パネルを提供することができる。
また、図３０（ａ）に示すように画素部と周辺の駆動回路を同一基板上に形成することに
より、製造コストが削減された表示パネルを形成することができる。
また、画素部を構成する回路のトランジスタの半導体層に非晶質半導体（例えばアモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ））を用いることで、工程を簡略化し、さらなるコストダウ
ンが図れる。この場合には図３１（ｂ）や図３２（ａ）に示したように、画素部の周辺の
駆動回路をＩＣチップ上に形成し、ＣＯＧ等で表示パネルに実装すると良い。このように
、非晶質半導体を用いることでディスプレイの大型化が容易になる。
図３８（Ｂ）はカメラであり、本体３８２０１、表示部３８２０２、受像部３８２０３、
操作キー３８２０４、外部接続ポート３８２０５、シャッター３８２０６等を含む。
近年、デジタルカメラなどの高性能化に伴い、生産競争は激化している。そして、いかに
高性能なものを低価格に抑えるかが重要となる。本発明の表示装置を表示部３８２０２に
用いたデジタルカメラは、鮮やかな色彩を表現することができる。
例えば、図３１（ａ）に示すように、動作速度の高い信号線駆動回路はＩＣチップ上に形
成し、比較的動作速度の低い走査線駆動回路を画素部と共に単極性のトランジスタで構成
される回路で同一基板上に形成することで、高性能化を実現し、低コスト化を図ることが
できる。また、画素部と、画素部と共に一体形成する走査線駆動回路に用いられるトラン
ジスタの半導体層に非晶質半導体、例えばアモルファスシリコンを適用することでさらな
る低コスト化が図れる。
図３８（Ｃ）はコンピュータであり、本体３８３０１、筐体３８３０２、表示部３８３
０３、キーボード３８３０４、外部接続ポート３８３０５、ポインティングデバイス３８
３０６等を含む。本発明の表示装置を表示部３８３０３に用いたコンピュータは、鮮やか
な色彩を表現することができる。
図３８（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体３８４０１、表示部３８４０２、ス
イッチ３８４０３、操作キー３８４０４、赤外線ポート３８４０５等を含む。本発明の表
示装置を表示部３８４０２に用いたモバイルコンピュータは、鮮やかな色彩を表現するこ
とができる。
図３８（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体３８５０１、筐体３８５０２、表示部Ａ３８５０３、表示部Ｂ３８５０４、記
録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部３８５０５、操作キー３８５０６、スピーカー部３８５０
７等を含む。表示部Ａ３８５０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ３８５０４は主
として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置を表示部Ａ３８５０３や表示
部Ｂ３８５０４に用いた画像再生装置は、鮮やかな色彩を表現することができる。
図３８（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体３８６０１、表示部３８６０２、
イヤホン３８６０３、支持部３８６０４等を含む。本発明の表示装置を表示部３８６０２
に用いたゴーグル型ディスプレイは、鮮やかな色彩を表現することができる。
図３８（Ｇ）は携帯型遊技機であり、筐体３８７０１、表示部３８７０２、スピーカー
部３８７０３、操作キー３８７０４、記憶媒体挿入部３８７０５等を含む。本発明の表示
装置を表示部３８７０２に用いた携帯型遊技機は、鮮やかな色彩を表現することができる
。
図３８（Ｈ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、本体３８８０１、表示部３
８８０２、操作キー３８８０３、スピーカー３８８０４、シャッター３８８０５、受像部
３８８０６、アンテナ３８８０７等を含む。本発明の表示装置を表示部３８８０２に用い
たテレビ受像機能付きデジタルカメラは、鮮やかな色彩を表現することができる。
このように多機能化したテレビ受像機能付きデジタルカメラはテレビの視聴等に使用頻度
が高まる一方で、一回の充電により長時間使用できることが要求される。
例えば、図３１（ｂ）や図３２（ａ）に示すように周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し
、ＣＭＯＳ等を用いることにより低消費電力化を図ることが可能である。
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由に組
み合わせて実施することが可能である。
本実施例において、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する携帯電話の構成
例について図３７を用いて説明する。
表示パネル３７０１はハウジング３７３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジング３７
３０は表示パネル３７０１のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる
。表示パネル３７０１を固定したハウジング３７３０はプリント基板３７３１に嵌入され
モジュールとして組み立てられる。
表示パネル３７０１はＦＰＣ３７１３を介してプリント基板３７３１に接続される。プ
リント基板３７３１には、スピーカー３７３２、マイクロフォン３７３３、送受信回路３
７３４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路３７３５が形成されている。こ
のようなモジュールと、入力手段３７３６、バッテリー３７３７を組み合わせ、筐体３７
３９に収納する。表示パネル３７０１の画素部は筐体３７３９に形成された開口窓から視
認できように配置する。
表示パネル３７０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波
数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の
駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップを
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネル３７０１に実装しても良い。あるい
は、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を
用いてガラス基板と接続してもよい。このような構成とすることで、表示装置の低消費電
力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携
帯電話機の低コスト化を図ることができる。
また、画素部には上記実施例で示した表示装置を適宜適用することができる。
例えば、消費電力の低減を図るため、図３１（ｂ）や図３２（ａ）に示すように、基板
上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、その
ＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネルに実装しても良い
。
また、本実施例に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのよう
な構成の携帯電話に限られず様々な構成の携帯電話に適用することができる。そして、本
発明の表示装置を具備することによって、鮮やかな色彩を表現することができる。
本実施例においては、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する電子機器、特
にＥＬモジュールを具備するテレビ受像器の構成例について説明する。
図３３は表示パネル３３０１と、回路基板３３１１を組み合わせたＥＬモジュールを示
している。表示パネル３３０１は画素部３３０２、走査線駆動回路３３０３及び信号線駆
動回路３３０４を有している。回路基板３３１１には、例えば、コントロール回路３３１
２や信号分割回路３３１３などが形成されている。表示パネル３３０１と回路基板３３１
１は接続配線３３１４によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることがで
きる。
表示パネル３３０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数
の低い駆動回路）を同一基板上にＴＦＴを用いて形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆
動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル３３０１に実装するとよい。ある
いは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板
を用いて表示パネル３３０１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画
素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は
図３０（ａ）に一例を示してある。
また、画素部には上記実施の形態で示した表示装置を適宜適用することができる。
例えば、消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全
ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）等で表示パネルに実装してもよい。
このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図３４は、Ｅ
Ｌテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ３４０１は映像信号と音
声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路３４０２と、そこから出力される信号
を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路３４０３と、その映像
信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路３４１２により処理される
。コントロール回路３４１２は、走査線駆動回路３４１０側と信号線駆動回路３４０４側
にそれぞれ信号を出力する。デジタル駆動する場合には、コントロール回路３４１２と信
号線駆動回路３４０４の間に信号分割回路３４１３を設け、入力デジタル信号をｍ個に分
割して信号線駆動回路３４０４に供給し、表示パネル３４１１に出力する構成としても良
い。
チューナ３４０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路３４０５に送ら
れ、その出力は音声信号処理回路３４０６を経てスピーカー３４０７に供給される。制御
回路３４０８は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部３４０９から受け、チュ
ーナ３４０１や音声信号処理回路３４０６に信号を送出する。
また、図３４とは別の形態のＥＬモジュールを組み込んだテレビ受像器について図３５
（Ａ）に示す。図３５（Ａ）において、表示画面３５０２はＥＬモジュールで形成される
。また、筐体３５０１には、スピーカー３５０３、操作スイッチ３５０４などが適宜備え
られている。
また図３５（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を
示す。筐体３５１２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで
表示部３５１３やスピーカー部３５１７を駆動させる。バッテリーは充電器３５１０で繰
り返し充電が可能となっている。また、充電器３５１０は映像信号を送受信することが可
能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。筐体３５１２
は操作キー３５１６によって制御する。また、図３５（Ｂ）に示す装置は、操作キー３５
１６を操作することによって、筐体３５１２から充電器３５１０に信号を送ることも可能
であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー３５１６を操作すること
によって、筐体３５１２から充電器３５１０に信号を送り、さらに充電器３５１０が送信
できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能で
あり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明は表示部３５１３に適用することができる。
図３６（Ａ）は表示パネル３６０１とプリント配線基板３６０２を組み合わせたモジュ
ールを示している。表示パネル３６０１は、複数の画素が設けられた画素部３６０３と、
第１の走査線駆動回路３６０４、第２の走査線駆動回路３６０５と、選択された画素にビ
デオ信号を供給する信号線駆動回路３６０６を備えている。
プリント配線基板３６０２には、コントローラ３６０７、中央処理装置３６０８（ＣＰ
Ｕ）、メモリ３６０９、電源回路３６１０、音声処理回路３６１１及び送受信回路３６１
２などが備えられている。プリント配線基板３６０２と表示パネル３６０１は、フレキシ
ブル配線基板３６１３（ＦＰＣ）により接続されている。フレキシブル配線基板３６１３
には、保持容量、バッファ回路などを設け、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の
立ち上がりが鈍ったりすることを防ぐ構成としても良い。また、コントローラ３６０７、
音声処理回路３６１１、メモリ３６０９、ＣＰＵ３６０８、電源回路３６１０などは、Ｃ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル３６０１に実装することも
できる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板３６０２の規模を縮小することができる。
プリント配線基板３６０２に備えられたＩ／Ｆ部３６１４（インターフェイス）を介し
て、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行うため
のアンテナ用ポート３６１５が、プリント配線基板３６０２に設けられている。
図３６（Ｂ）は、図３６（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュー
ルは、メモリ３６０９としてＶＲＡＭ３６１６、ＤＲＡＭ３６１７、フラッシュメモリ３
６１８などが含まれている。ＶＲＡＭ３６１６にはパネルに表示する画像のデータが、Ｄ
ＲＡＭ３６１７には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリ３６１８には各種
プログラムが記憶されている。
電源回路３６１０は、表示パネル３６０１、コントローラ３６０７、ＣＰＵ３６０８、
音声処理回路３６１１、メモリ３６０９、送受信回路３６１２を動作させる電力を供給す
る。またパネルの仕様によっては、電源回路３６１０に電流源が備えられている場合もあ
る。
ＣＰＵ３６０８は、制御信号生成回路３６２０、デコーダ３６２１、レジスタ３６２２
、演算回路３６２３、ＲＡＭ３６２４、ＣＰＵ３６０８用のインターフェイス３６１９な
どを有している。インターフェイス３６１９を介してＣＰＵ３６０８に入力された各種信
号は、一旦レジスタ３６２２に保持された後、演算回路３６２３、デコーダ３６２１など
に入力される。演算回路３６２３では、入力された信号に基づき演算を行い、各種命令を
送る場所を指定する。一方デコーダ３６２１に入力された信号はデコードされ、制御信号
生成回路３６２０に入力される。制御信号生成回路３６２０は入力された信号に基づき、
各種命令を含む信号を生成し、演算回路３６２３において指定された場所、具体的にはメ
モリ３６０９、送受信回路３６１２、音声処理回路３６１１、コントローラ３６０７など
に送る。
メモリ３６０９、送受信回路３６１２、音声処理回路３６１１、コントローラ３６０７
は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
入力手段３６２５から入力された信号は、Ｉ／Ｆ部３６１４を介してプリント配線基板
３６０２に実装されたＣＰＵ３６０８に送られる。制御信号生成回路３６２０は、ポイン
ティングデバイスやキーボードなどの入力手段３６２５から送られてきた信号に従い、Ｖ
ＲＡＭ３６１６に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ
３６０７に送付する。
コントローラ３６０７は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ３６０８から送られてきた画
像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル３６０１に供給する。またコントロ
ーラ３６０７は、電源回路３６１０から入力された電源電圧やＣＰＵ３６０８から入力さ
れた各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電
圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル３６０１に供給する。
送受信回路３６１２では、アンテナ３６２８において電波として送受信される信号が処
理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ
Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌ
ｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路３６１２において
送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ３６０８からの命令に従って、音
声処理回路３６１１に送られる。
ＣＰＵ３６０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路３６
１１において音声信号に復調され、スピーカー３６２７に送られる。またマイク３６２６
から送られてきた音声信号は、音声処理回路３６１１において変調され、ＣＰＵ３６０８
からの命令に従って、送受信回路３６１２に送られる。
コントローラ３６０７、ＣＰＵ３６０８、電源回路３６１０、音声処理回路３６１１、
メモリ３６０９を、本実施例のパッケージとして実装することができる。
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ
、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の
表示媒体として様々な用途に適用することができる。そして、本発明の表示装置を具備す
ることによって、鮮やかな色彩を表現することができる。
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由に組
み合わせて実施することが可能である。
本実施例については、本発明の表示装置を表示部に用いた表示パネルを用いた応用例につ
いて、応用形態を図示し説明する。本発明の表示装置を表示部に用いた表示パネルは、移
動体や建造物等と一体に設けられた構成をとることもできる。
本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体を
その一例として、図５５に示す。図５５（ａ）は、表示装置一体型の移動体の例として電
車車両本体９７０１におけるドアのガラス戸のガラスに表示パネル９７０２を用いた例に
ついて示す。図５５（ａ）に示す本発明の表示装置を表示部に有する表示パネル９７０２
は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えが容易である。そのため、
電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替え、より効果的
な広告効果が期待できる。
なお、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルは、図５５（ａ）で示した電車車両
本体におけるドアのガラスにのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を
異ならせることにより、ありとあらゆる場所に適用可能である。図５５（ｂ）にその一例
について説明する。
図５５（ｂ）は、電車車両本体における車内の様子について図示したものである。図５５
（ｂ）において、図５５（ａ）で示したドアのガラス戸の表示パネル９７０２の他に、ガ
ラス窓に設けられた表示パネル９７０３、及び天井より吊り下げられた表示パネル９７０
４を示す。本発明の表示装置を表示部に有する表示パネル９７０３は、自発光型の表示素
子を具備するため、混雑時には広告用の画像を表示し、混雑時以外には表示を行わないこ
とで、電車からの外観をも見ることもできる。また、本発明の表示装置を表示部に有する
表示パネル９７０４はフィルム状の基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設
けることで表示パネル自体を湾曲させ、自発光型の表示素子を駆動し、表示を行うことも
可能である。
また、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた表示装置一体型の移動体の
応用例について、別の応用形態を図５６にて説明する。
本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体を
その一例として、図５６に示す。図５６は、表示装置一体型の移動体の例として自動車の
車体９９０１に一体に取り付けられた表示パネル９９０２の例について示す。図５６に示
す本発明の表示装置を表示部に有する表示パネル９９０２は、自動車の車体と一体に取り
付けられており、車体の動作や車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示したり
、自動車の目的地までのナビゲーション機能をも有する。
なお、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルは、図５６で示した車体のフロント
部にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、
ガラス窓、ドアなどありとあらゆる場所に適用可能である。
また、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた表示装置一体型の移動体の
応用例について、別の応用形態を図５７にて説明する。
本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体を
その一例として、図５７に示す。図５７（ａ）は、表示装置一体型の移動体の例として飛
行機車体１０１０１内の客席天井部に一体に取り付けられた表示パネル１０１０２の例に
ついて示す。図５７（ａ）に示す本発明の表示装置を表示部に有する表示パネル１０１０
２は、飛行機車体１０１０１とヒンジ部１０１０３を介して一体に取り付けられており、
ヒンジ部１０１０３の伸縮により乗客は表示パネル１０１０２の視聴が可能になる。表示
パネル１０１０２は乗客が操作することで情報を表示したり、広告や娯楽手段として利用
できる機能を有する。また、図５７（ｂ）に示すように、ヒンジ部１０１０３を折り曲げ
て飛行機車体１０１０１に格納することにより、離着陸時の安全に配慮することができる
。なお、緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させることで、飛行機車体１０１０１の誘
導灯としても利用可能である。
なお、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルは、図５７で示した飛行機車体１０
１０１の天井部にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせる
ことにより、座席やドアなどありとあらゆる場所に適用可能である。例えば座席前の座席
後方に表示パネルを設け、操作・視聴を行う構成であってもよい。
なお、本実施例において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機車体につい
て例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電
車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、多岐に渡る。本発明の表示装置を有する表示
パネルを適用することにより、表示パネルの小型化、低消費電力化を達成し、且つ動作が
良好である表示媒体を具備する移動体を提供することができる。また特に、外部からの信
号により、移動体内における複数の表示パネルの表示を一斉に切り替えることが容易であ
るため、不特定多数の顧客を対象といた広告表示盤、また緊急災害時の情報表示板として
も極めて有用であるといえる。
また、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた応用例について、建造物に
用いた応用形態を図５８にて用いて説明する。
図５８は本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルとして、フィルム状の基板に有機
トランジスタなどのスイッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動することにより
表示パネル自身を湾曲させて表示可能な表示パネルとし、その応用例について説明する。
図５８においては、建造物として電柱等の屋外に設けられた柱状体の有する曲面に表示パ
ネルを具備し、ここでは柱状体として電柱９８０１に表示パネル９８０２を具備する構成
について示す。
図５８に示す表示パネル９８０２は、電柱の高さの真ん中あたりに位置させ、人間の視点
より高い位置に設ける。そして移動体９８０３から表示パネルを視認することにより、表
示パネル９８０２における画像を認識することができる。電柱のように屋外で繰り返し林
立し、林立した電柱に設けた表示パネル９８０２において同じ映像を表示させることによ
り、視認者は情報表示、広告表示を視認することができる。図５８において電柱９８０１
に設けられた表示パネル９８０２は、外部からの信号より同じ画像を表示させることが容
易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が期待できる。また、本発明の表
示パネルには、表示素子として自発光型の表示素子を設けるため、夜間であっても、視認
性の高い表示媒体として有用であるといえる。
また、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた応用例について、図５８と
は別の建造物の応用形態を図５９にて説明する。
本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルの応用例として、図５９に示す。図５９は
、表示装置一体型の例としてユニットバス１０００１内の側壁に一体に取り付けられた表
示パネル１０００２の例について示す。図５９に示す本発明の表示装置を表示部に有する
表示パネル１０００２は、ユニットバス１０００１と一体に取り付けられており、入浴者
は表示パネル１０００２の視聴が可能になる。表示パネル１０００２は入浴者が操作する
ことで情報を表示したり、広告や娯楽手段として利用できる機能を有する。
なお、本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルは、図５９で示したユニットバス１
０００１の側壁にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせる
ことにより、鏡面の一部や浴槽自体と一体にするなどありとあらゆる場所に適用可能であ
る。
また図６０に建造物内に大型の表示部を有するテレビジョン装置を設けた例について示す
。図６０は、筐体８０１０、表示部８０１１、操作部であるリモコン装置８０１２、スピ
ーカー部８０１３等を含む。本発明の表示装置を表示部に有する表示パネルは、表示部８
０１１の作製に適用される。図６０のテレビジョン装置は、壁かけ型として建物と一体と
なっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。
なお、本実施例において、建造物として電柱、ユニットバス、建造物内部等を例としたが
、本実施例はこれに限定されず、表示パネルを備えることのできる建造物であれば何でも
よい。本発明の表示装置を表示パネルに備えることで、色鮮やかな色彩を表現できる表示
媒体を具備する建造物を提供することができる。
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施形態及び実施例のいかなる記載とも自由に組み
合わせて実施することができる。また、本実施例中のいかなる記載も自由に組み合わせて
実施することができる。
Ｒ１ 発光素子
Ｒ２ 発光素子
Ｒ３ 発光素子
Ｇ１ 発光素子
Ｇ２ 発光素子
Ｇ３ 発光素子
Ｂ１ 発光素子
Ｂ２ 発光素子
Ｂ３ 発光素子
Ｗ 発光素子
Ｗ１ 発光素子
Ｗ２ 発光素子
１００ 画素部
１０１ 画素
１０２ 信号線駆動回路
１０２ａ シフトレジスタ
１０２ｂ 第１のラッチ回路
１０２ｃ 第２のラッチ回路
１０３ 走査線駆動回路
２００ 絵素
２０１ 第１の画素
２０２ 第２の画素
２０３ 第３の画素
２０４ 第４の画素
２０５ 第５の画素
２０６ 第６の画素
３０１ 第１のトランジスタ
３０２ 第２のトランジスタ
３０３ 発光素子
３０４ 保持容量
４０１ 第１のトランジスタ
４０２ 第２のトランジスタ
４０３ 保持容量
４０４ 発光素子
４０５ 信号線
４０６ 電源線
４０７ 走査線
５０１ フレーム期間
６０１ 基板
６０２ 陽極
６０３ 正孔注入層
６０４ 正孔輸送層
６０５ 発光層
６０６ 電子輸送層
６０７ 電子注入層
６０８ 陰極
７００ 基板
７０１ 駆動用ＴＦＴ
７０２ 第１の電極
７０３ 発光層
７０４ 第２の電極
８０１ 発光スペクトル
８０２ 発光スペクトル
９０１ 発光スペクトル
９０２ 発光スペクトル
１００１ 発光スペクトル
１００２ 発光スペクトル
１２０１Ａ 正孔注入層
１２０１Ｂ 正孔注入層
１２０２Ａ 正孔輸送層
１２０２Ｂ 正孔輸送層
１２０３Ａ 発光層
１２０３Ｂ 発光層
１２０４Ａ 電子輸送層
１２０４Ｂ 電子輸送層
１２０５Ａ 電子注入層
１２０５Ｂ 電子注入層
１２０１ 正孔注入層
１２０２ 正孔輸送層
１２０３ 発光層
１２０４ 電子輸送層
１２０５ 電子注入層
１２０６ 共蒸着層
１２１１ 基板
１２１２ トランジスタ
１２１３ 陽極
１２１４ 陰極
１３０１ 発光スペクトル
１３０２ 発光スペクトル
１４００ 基板
１４０１ 下地絶縁膜
１４０２ 半導体層
１４０３ ゲート絶縁膜
１４０４ ゲート電極
１４０５ 層間絶縁膜
１４０６ 接続部
１４０７ 第１の電極
１４０８ 隔壁
１４０９ 発光層
１４１０ 第２の電極
１４１１ カラーフィルター（Ｒ１）
１４１２ カラーフィルター（Ｒ２）
１４１３ カラーフィルター（Ｇ１）
１４１４ カラーフィルター（Ｇ２）
１４１５ カラーフィルター（Ｂ１）
１４１６ カラーフィルター（Ｂ２）
１４１７ 対向基板
１６００ 絵素
１６０１ 第１の画素
１６０２ 第２の画素
１６０３ 第３の画素
１６０４ 第４の画素
１６０５ 第５の画素
１６０６ 第６の画素
１７００ 絵素
１７０１ 第１の画素
１７０２ 第２の画素
１７０３ 第３の画素
１７０４ 第４の画素
１７０５ 第５の画素
１７０６ 第６の画素
１７１０ 絵素
１８００ 絵素
１８０１ 第１の画素
１８０２ 第２の画素
１８０３ 第３の画素
１８０４ 第４の画素
１８０５ 第５の画素
１８０６ 第６の画素
１８０７ 第７の画素
１８０８ 第８の画素
１８０９ 第９の画素
１９００ 絵素
１９０１ 第１の画素
１９０２ 第２の画素
１９０３ 第３の画素
１９０４ 第４の画素
１９０５ 第５の画素
１９０６ 第６の画素
１９０７ 第７の画素
２００１ 第１のトランジスタ
２００２ 第２のトランジスタ
２００３ 第３のトランジスタ
２００４ 発光素子
２００５ 保持容量
２００６ 信号線
２００７ 第１の走査線
２００８ 第２の走査線
２００９ 電源線
２０１０ 対向電極
２１０１ フレーム期間
２１１０ 基板
２１１３ 第１の電極
２１１４ 隔壁
２１１５Ｂ 発光層
２１１５Ｇ 発光層
２１１５Ｒ 発光層
２１１６ 第２の電極
２１２１ 発光領域
２１２２ 隔壁
２２０１ フレーム期間
２２０２ 期間
２２０３ 期間
２２０４ 期間
２２０５ 期間
２２０６ 期間
２２０７ 期間
２３０１ 消去ダイオード
２３０２ 走査線
２３０３ データ線
２３０４ 隔壁
２３０６ 入力端子
２３０７ 入力端子
２３０８ 接続配線
２３０９ａ ＦＰＣ
２３０９ｂ ＦＰＣ
２３１０ 基板
２３１１ シール材
２４０１ トランジスタ
２６０１Ａ スイッチングトランジスタ
２６０１Ｂ スイッチングトランジスタ
２６０２Ａ 駆動トランジスタ
２６０２Ｂ 駆動トランジスタ
２６０４ 信号線
２６０５Ａ 走査線
２６０５Ｂ 走査線
２６０６ 電源線
２７０１Ａ 保持容量
２７０１Ｂ 保持容量
３００１ 信号線駆動回路
３００２ 画素部
３００３ 走査線駆動回路
３００４ 封止基板
３００５ シール材
３００６ 走査線駆動回路
３００７ 空間
３００８ 配線
３００９ ＦＰＣ
３０１０ 基板
３０１１ ＴＦＴ
３０１２ ＴＦＴ
３０１３ 第１の電極
３０１４ 絶縁物
３０１６ 発光層
３０１７ 第２の電極
３０１８ 発光素子
３０１９ ＩＣチップ
３０２０ Ｎチャネル型ＴＦＴ
３０２１ Ｎチャネル型ＴＦＴ
３１００ 基板
３１０１ 信号線駆動回路
３１０２ 画素部
３１０３ 走査線駆動回路
３１０４ 走査線駆動回路
３１０５ ＦＰＣ
３１０６ ＩＣチップ
３１０７ ＩＣチップ
３１０８ 封止基板
３１０９ シール材
３１１０ 基板
３１１１ 信号線駆動回路
３１１２ 画素部
３１１３ 走査線駆動回路
３１１４ 走査線駆動回路
３１１５ ＦＰＣ
３１１６ ＩＣチップ
３１１７ ＩＣチップ
３１１８ 封止基板
３１１９ シール材
３２００ 基板
３２０１ 周辺駆動回路
３２０２ 画素部
３２０４ ＦＰＣ
３２０５ ＩＣチップ
３２０６ ＩＣチップ
３２０７ 封止基板
３２０８ シール材
３２１０ 基板
３２１１ 周辺駆動回路
３２１２ 画素部
３２１３ ＦＰＣ
３２１４ ＦＰＣ
３３０１ 表示パネル
３３０２ 画素部
３３０３ 走査線駆動回路
３３０４ 信号線駆動回路
３３１１ 回路基板
３３１２ コントロール回路
３３１３ 信号分割回路
３３１４ 接続配線
３４０１ チューナ
３４０２ 映像信号増幅回路
３４０３ 映像信号処理回路
３４０４ 信号線駆動回路
３４０５ 音声信号増幅回路
３４０６ 音声信号処理回路
３４０７ スピーカー
３４０８ 制御回路
３４０９ 入力部
３４１０ 走査線駆動回路
３４１１ 表示パネル
３４１２ コントロール回路
３４１３ 信号分割回路
３５０１ 筐体
３５０２ 表示画面
３５０３ スピーカー
３５０４ 操作スイッチ
３５１０ 充電器
３５１２ 筐体
３５１３ 表示部
３５１６ 操作キー
３５１７ スピーカー部
３６０１ 表示パネル
３６０２ プリント配線基板
３６０３ 画素部
３６０４ 走査線駆動回路
３６０５ 走査線駆動回路
３６０６ 信号線駆動回路
３６０７ コントローラ
３６０８ ＣＰＵ
３６０９ メモリ
３６１０ 電源回路
３６１１ 音声処理回路
３６１２ 送受信回路
３６１３ フレキシブル配線基板
３６１４ Ｉ／Ｆ部
３６１５ アンテナ用ポート
３６１６ ＶＲＡＭ
３６１７ ＤＲＡＭ
３６１８ フラッシュメモリ
３６１９ インターフェイス
３６２０ 制御信号生成回路
３６２１ デコーダ
３６２２ レジスタ
３６２３ 演算回路
３６２４ ＲＡＭ
３６２５ 入力手段
３６２６ マイク
３６２７ スピーカー
３６２８ アンテナ
３７０１ 表示パネル
３７１３ ＦＰＣ
３７３０ ハウジング
３７３１ プリント基板
３７３２ スピーカー
３７３３ マイクロフォン
３７３４ 送受信回路
３７３５ 信号処理回路
３７３６ 入力手段
３７３７ バッテリー
３７３９ 筐体
３７４０ アンテナ
３９０１ 点線
３９０２ 点線
３９０３ 点線
３９０４ 点線
３９０５ 三角形
４０００ 基板
４００１ 下地絶縁膜
４００２ 半導体層
４００３ ゲート絶縁膜
４００４ ゲート電極
４００５ 層間絶縁膜
４００６ 接続部
４００７ 第１の電極
４００８ 隔壁
４００９Ａ 発光層
４００９Ｂ 発光層
４０１０ 第２の電極
４０１１ 色変換層（Ｒ１）
４０１２ 色変換層（Ｇ１）
４０１３ 色変換層（Ｒ２）
４０１４ 色変換層（Ｇ２）
４０１５ 対向基板
４１０９Ａ 発光層
４１０９Ｂ 発光層
４４０１ 第１のトランジスタ
４４０２ 第２のトランジスタ
４４０３ 信号線
４４０４ 第１電源供給線
４４０５ 第２電源供給線
４４０６ 発光素子
４４０７ 走査線
４６０１ カラム信号線駆動回路
４６０２ ロウ信号線駆動回路
４６０３ 画素部
４６０４ 発光素子
５００１ 第１の基板
５００２ カラム信号線
５００３ ロウ信号線
５００４ 隔壁
５００５ 交差部
５００６ 入力端子
５００７ 入力端子
５００８ 接続配線
５００９ａ ＦＰＣ
５００９ｂ ＦＰＣ
５０１０ 第２の基板
５０１１ シール材
５１０１ 層間絶縁膜
５１０２ 配線
５１０３ 反射電極
５１０４ 反射電極
６００１ 第１のトランジスタ
６００２ 第２のトランジスタ
６００３ 信号線
６００４ 第１電源供給線
６００５ 第２電源供給線
６００６ 発光素子
６００７ 走査線
６００８ 電流源回路
６００９ 第３のトランジスタ
６０１０ 保持容量
７００１ 第１のトランジスタ
７００２ 第２のトランジスタ
７００３ 信号線
７００４ 第１電源供給線
７００５ 第２電源供給線
７００６ 発光素子
７００７ 第１の走査線
７００９ 第３のトランジスタ
７０１０ 保持容量
７０１６ 第２の走査線
７６０１ 基板
７６０２ 下地膜
７６０３ 画素電極
７６０４ 第１の電極
７６０５ 配線
７６０６ 配線
７６０７ Ｎ型半導体層
７６０８ Ｎ型半導体層
７６０９ 半導体層
７６１０ ゲート絶縁膜
７６１１ 絶縁膜
７６１２ ゲート電極
７６１３ 第２の電極
７６１４ 層間絶縁物
７６１５ 発光層
７６１６ 対向電極
７６１７ 発光素子
７６１８ 駆動トランジスタ
７６１９ 保持容量
７６２０ 第１の電極
７７０１ 基板
７７０２ 下地膜
７７０３ ゲート電極
７７０４ 第１の電極
７７０５ ゲート絶縁膜
７７０６ 半導体層
７７０７ 半導体層
７７０８ Ｎ型半導体層
７７０９ Ｎ型半導体層
７７１０ Ｎ型半導体層
７７１１ 配線
７７１２ 配線
７７１３ 導電層
７７１４ 画素電極
７７１５ 絶縁物
７７１６ 発光層
７７１７ 対向電極
７７１８ 発光素子
７７１９ 駆動トランジスタ
７７２０ 保持容量
７７２１ 第２の電極
７８０１ 絶縁物
７８０２ 絶縁物
８０１０ 筐体
８０１１ 表示部
８０１２ リモコン装置
８０１３ スピーカー部
９７０１ 電車車両本体
９７０２ 表示パネル
９７０３ 表示パネル
９７０４ 表示パネル
９８０１ 電柱
９８０２ 表示パネル
９８０３ 移動体
９９０１ 車体
９９０２ 表示パネル
１０００１ ユニットバス
１０００２ 表示パネル
１０１０１ 飛行機車体
１０１０２ 表示パネル
１０１０３ ヒンジ部
３８１０１ 筐体
３８１０２ 支持台
３８１０３ 表示部
３８２０１ 本体
３８２０２ 表示部
３８２０３ 受像部
３８２０４ 操作キー
３８２０５ 外部接続ポート
３８２０６ シャッター
３８３０１ 本体
３８３０２ 筐体
３８３０３ 表示部
３８３０４ キーボード
３８３０５ 外部接続ポート
３８３０６ ポインティングデバイス
３８４０１ 本体
３８４０２ 表示部
３８４０３ スイッチ
３８４０４ 操作キー
３８４０５ 赤外線ポート
３８５０１ 本体
３８５０２ 筐体
３８５０３ 表示部Ａ
３８５０４ 表示部Ｂ
３８５０５ 部
３８５０６ 操作キー
３８５０７ スピーカー部
３８６０１ 本体
３８６０２ 表示部
３８６０３ イヤホン
３８６０４ 支持部
３８７０１ 筐体
３８７０２ 表示部
３８７０３ スピーカー部
３８７０４ 操作キー
３８７０５ 記憶媒体挿入部
３８８０１ 本体
３８８０２ 表示部
３８８０３ 操作キー
３８８０４ スピーカー
３８８０５ シャッター
３８８０６ 受像部
３８８０７ アンテナ

Claims (10)

  1. 赤色で発光する発光素子を具備する第１の画素及び第２の画素と、
    緑色で発光する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、
    青色で発光する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、を有し、
    前記第１の画素が具備する発光素子と前記第２の画素が具備する発光素子は、材料及び膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なり、
    前記第３の画素が具備する発光素子と前記第４の画素が具備する発光素子は、材料及び膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なり、
    前記第５の画素が具備する発光素子と前記第６の画素が具備する発光素子は、材料及び膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なることを特徴とする表示装置。
  2. 赤色で発光する発光素子を具備する第１の画素及び第２の画素と、
    緑色で発光する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、
    青色で発光する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、を有し、
    前記第１の画素が具備する発光素子と前記第２の画素が具備する発光素子は、材料が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なり、
    前記第３の画素が具備する発光素子と前記第４の画素が具備する発光素子は、材料が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なり、
    前記第５の画素が具備する発光素子と前記第６の画素が具備する発光素子は、材料が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なることを特徴とする表示装置。
  3. 赤色で発光する発光素子を具備する第１の画素及び第２の画素と、
    緑色で発光する発光素子を具備する第３の画素及び第４の画素と、
    青色で発光する発光素子を具備する第５の画素及び第６の画素と、を有し、
    前記第１の画素が具備する発光素子と前記第２の画素が具備する発光素子は、膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なり、
    前記第３の画素が具備する発光素子と前記第４の画素が具備する発光素子は、膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なり、
    前記第５の画素が具備する発光素子と前記第６の画素が具備する発光素子は、膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    白色で発光する発光素子を具備する第７の画素及び第８の画素を有し、
    前記第７の画素が具備する発光素子と前記第８の画素が具備する発光素子は、材料及び膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    白色で発光する発光素子を具備する第７の画素及び第８の画素を有し、
    前記第７の画素が具備する発光素子と前記第８の画素が具備する発光素子は、材料が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なることを特徴とする表示装置。
  6. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    白色で発光する発光素子を具備する第７の画素及び第８の画素を有し、
    前記第７の画素が具備する発光素子と前記第８の画素が具備する発光素子は、膜厚が互いに異なり、且つ発光スペクトルが互いに異なることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
    第１乃至第４の配線と、第１乃至第４のトランジスタと、を有し、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と接続され、
    前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の画素が具備する発光素子と接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の画素が具備する発光素子と接続され、
    前記第１の画素が具備する発光素子は、前記第２の画素が具備する発光素子と接続されていることを特徴とする表示装置。
  8. 請求項７において、
    前記第２の配線は、隣接する画素の走査線と同一の配線であることを特徴とする表示装置。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする発光モジュール。
  10. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
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