JP2012169385A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents

炭化珪素半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012169385A
JP2012169385A JP2011027996A JP2011027996A JP2012169385A JP 2012169385 A JP2012169385 A JP 2012169385A JP 2011027996 A JP2011027996 A JP 2011027996A JP 2011027996 A JP2011027996 A JP 2011027996A JP 2012169385 A JP2012169385 A JP 2012169385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trench
layer
type
region
deep layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011027996A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Matsuki
英夫 松木
Kensaku Yamamoto
建策 山本
Masato Noborio
正人 登尾
Masahiro Suzuki
巨裕 鈴木
Hideshi Takatani
秀史 高谷
Masahiro Sugimoto
雅裕 杉本
Jun Morimoto
淳 森本
Shigemasa Soejima
成雅 副島
Takeshi Ishikawa
剛 石川
Yukihiko Watanabe
行彦 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, Toyota Motor Corp, Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Denso Corp
Priority to JP2011027996A priority Critical patent/JP2012169385A/ja
Priority to PCT/JP2012/000767 priority patent/WO2012108165A1/fr
Publication of JP2012169385A publication Critical patent/JP2012169385A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/64—Double-diffused metal-oxide semiconductor [DMOS] FETs
    • H10D30/66—Vertical DMOS [VDMOS] FETs
    • H10D30/668—Vertical DMOS [VDMOS] FETs having trench gate electrodes, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/441—Vertical IGBTs
    • H10D12/461—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions
    • H10D12/481—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions having gate structures on slanted surfaces, on vertical surfaces, or in grooves, e.g. trench gate IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/028—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of double-diffused metal oxide semiconductor [DMOS] FETs
    • H10D30/0291—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of double-diffused metal oxide semiconductor [DMOS] FETs of vertical DMOS [VDMOS] FETs
    • H10D30/0297—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of double-diffused metal oxide semiconductor [DMOS] FETs of vertical DMOS [VDMOS] FETs using recessing of the gate electrodes, e.g. to form trench gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/01—Manufacture or treatment
    • H10D62/051—Forming charge compensation regions, e.g. superjunctions
    • H10D62/052—Forming charge compensation regions, e.g. superjunctions by forming stacked epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/393—Body regions of DMOS transistors or IGBTs 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
    • H10D62/8325—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/01—Manufacture or treatment
    • H10D12/031—Manufacture or treatment of IGBTs
    • H10D12/032—Manufacture or treatment of IGBTs of vertical IGBTs
    • H10D12/038—Manufacture or treatment of IGBTs of vertical IGBTs having a recessed gate, e.g. trench-gate IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H10D62/103—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices
    • H10D62/105—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices by having particular doping profiles, shapes or arrangements of PN junctions; by having supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] 
    • H10D62/109—Reduced surface field [RESURF] PN junction structures
    • H10D62/111—Multiple RESURF structures, e.g. double RESURF or 3D-RESURF structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/149—Source or drain regions of field-effect devices
    • H10D62/151—Source or drain regions of field-effect devices of IGFETs 
    • H10D62/156—Drain regions of DMOS transistors
    • H10D62/157—Impurity concentrations or distributions

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
JP2011027996A 2011-02-11 2011-02-11 炭化珪素半導体装置 Withdrawn JP2012169385A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011027996A JP2012169385A (ja) 2011-02-11 2011-02-11 炭化珪素半導体装置
PCT/JP2012/000767 WO2012108165A1 (fr) 2011-02-11 2012-02-06 Dispositif semi-conducteur au carbure de silicium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011027996A JP2012169385A (ja) 2011-02-11 2011-02-11 炭化珪素半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012169385A true JP2012169385A (ja) 2012-09-06

Family

ID=45774297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011027996A Withdrawn JP2012169385A (ja) 2011-02-11 2011-02-11 炭化珪素半導体装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2012169385A (fr)
WO (1) WO2012108165A1 (fr)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014115253A1 (fr) * 2013-01-23 2014-07-31 株式会社日立製作所 Dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium et son procédé de fabrication
JP2014225599A (ja) * 2013-05-17 2014-12-04 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2015012009A1 (fr) * 2013-07-26 2015-01-29 住友電気工業株式会社 Dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium et procédé permettant de fabriquer ce dernier
JP2015026723A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2015201617A (ja) * 2014-03-31 2015-11-12 サンケン電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9425307B2 (en) 2014-09-12 2016-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017028250A (ja) * 2015-07-16 2017-02-02 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2017043606A1 (fr) * 2015-09-09 2017-03-16 住友電気工業株式会社 Dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium
WO2017064949A1 (fr) * 2015-10-16 2017-04-20 富士電機株式会社 Dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur
JP2017092368A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2016129068A1 (ja) * 2015-02-12 2017-06-22 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法、電力変換装置、３相モータシステム、自動車並びに鉄道車両
JP2018182313A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ ｄＶ／ｄｔ可制御性を有するＩＧＢＴ
JP2018195782A (ja) * 2017-05-22 2018-12-06 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
JP2019016775A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
WO2019054517A1 (fr) * 2017-09-18 2019-03-21 株式会社デンソー Dispositif à semi-conducteurs et son procédé de fabrication
JP2020017641A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
JP2020109808A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
JP2020109793A (ja) * 2019-01-04 2020-07-16 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
JP2020109810A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
JP2020109809A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
JP2020109792A (ja) * 2019-01-04 2020-07-16 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
JP2020127022A (ja) * 2016-09-16 2020-08-20 株式会社東芝 半導体装置
US10763354B2 (en) 2018-07-26 2020-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator
JP2021072360A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 株式会社デンソー 半導体装置
DE112020006240T5 (de) 2019-12-20 2022-10-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung
JPWO2022244749A1 (fr) * 2021-05-18 2022-11-24
US12408397B2 (en) 2022-03-24 2025-09-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102335490B1 (ko) * 2017-12-14 2021-12-03 현대자동차 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN110212020A (zh) * 2019-05-29 2019-09-06 西安电子科技大学 一种碳化硅单侧深l形基区结构的mosfet器件及其制备方法
EP4483421A1 (fr) * 2022-04-04 2025-01-01 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Cellule élémentaire pour un dispositif à semi-conducteur à grille en tranchée, dispositif à semi-conducteur à grille en tranchée et procédé de production d'une telle cellule élémentaire
JP2024031338A (ja) * 2022-08-26 2024-03-07 ソニーグループ株式会社 半導体装置
CN117558761B (zh) * 2024-01-10 2024-04-05 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件及其制造方法
EP4704517A1 (fr) * 2024-08-29 2026-03-04 Infineon Technologies Austria AG Dispositif de transistor à semi-conducteur comprenant une structure de tranchée

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200441A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体装置とその製造方法
US20080017897A1 (en) * 2006-01-30 2008-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing same
DE102007044209A1 (de) * 2007-09-17 2009-03-19 Infineon Technologies Austria Ag Kompensationsbauelement mit versetzt angeordneten Kompensationszonen
EP2091083A3 (fr) 2008-02-13 2009-10-14 Denso Corporation Dispositif semi-conducteur de carbure de silicium comprenant une couche profonde
JP4793390B2 (ja) 2008-02-13 2011-10-12 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Cited By (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5985662B2 (ja) * 2013-01-23 2016-09-06 株式会社日立製作所 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
US9825166B2 (en) 2013-01-23 2017-11-21 Hitachi, Ltd. Silicon carbide semiconductor device and method for producing same
WO2014115253A1 (fr) * 2013-01-23 2014-07-31 株式会社日立製作所 Dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium et son procédé de fabrication
JP2014225599A (ja) * 2013-05-17 2014-12-04 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US9614071B2 (en) 2013-05-17 2017-04-04 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2015026723A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2015026727A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US10192960B2 (en) 2013-07-26 2019-01-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
WO2015012009A1 (fr) * 2013-07-26 2015-01-29 住友電気工業株式会社 Dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium et procédé permettant de fabriquer ce dernier
US9680006B2 (en) 2013-07-26 2017-06-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2015201617A (ja) * 2014-03-31 2015-11-12 サンケン電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9425307B2 (en) 2014-09-12 2016-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPWO2016129068A1 (ja) * 2015-02-12 2017-06-22 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法、電力変換装置、３相モータシステム、自動車並びに鉄道車両
JP2017028250A (ja) * 2015-07-16 2017-02-02 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10453952B2 (en) 2015-09-09 2019-10-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device
WO2017043606A1 (fr) * 2015-09-09 2017-03-16 住友電気工業株式会社 Dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium
US10424642B2 (en) 2015-09-09 2019-09-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide semiconductor device
JPWO2017064949A1 (ja) * 2015-10-16 2018-06-14 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN108352402A (zh) * 2015-10-16 2018-07-31 富士电机株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
WO2017064949A1 (fr) * 2015-10-16 2017-04-20 富士電機株式会社 Dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur
US10199493B2 (en) 2015-10-16 2019-02-05 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN108352402B (zh) * 2015-10-16 2020-12-18 富士电机株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
US10403749B2 (en) 2015-10-16 2019-09-03 Fuji Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2017092368A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2020127022A (ja) * 2016-09-16 2020-08-20 株式会社東芝 半導体装置
JP2018182313A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ ｄＶ／ｄｔ可制御性を有するＩＧＢＴ
JP7107715B2 (ja) 2017-04-04 2022-07-27 インフィネオン テクノロジーズ アーゲー ｄＶ／ｄｔ可制御性を有するＩＧＢＴ
JP2018195782A (ja) * 2017-05-22 2018-12-06 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
JP2019016775A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP2019054174A (ja) * 2017-09-18 2019-04-04 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
WO2019054517A1 (fr) * 2017-09-18 2019-03-21 株式会社デンソー Dispositif à semi-conducteurs et son procédé de fabrication
JP2020017641A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
JP7210182B2 (ja) 2018-07-26 2023-01-23 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
US10763354B2 (en) 2018-07-26 2020-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator
JP2020109792A (ja) * 2019-01-04 2020-07-16 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
US11276758B2 (en) 2019-01-04 2022-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator having a reduced on-resistance with a silicon carbide layer
JP2020109793A (ja) * 2019-01-04 2020-07-16 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
US11276774B2 (en) 2019-01-04 2022-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator
JP2020109808A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
JP7206919B2 (ja) 2019-01-07 2023-01-18 株式会社デンソー 半導体装置
JP7095604B2 (ja) 2019-01-07 2022-07-05 株式会社デンソー 半導体装置
JP2020109810A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
JP7127546B2 (ja) 2019-01-07 2022-08-30 株式会社デンソー 半導体装置
JP2020109809A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
JP7251447B2 (ja) 2019-10-30 2023-04-04 株式会社デンソー 半導体装置
JP2021072360A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 株式会社デンソー 半導体装置
DE112020006240T5 (de) 2019-12-20 2022-10-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung
US12295158B2 (en) 2019-12-20 2025-05-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide semiconductor device
WO2022244749A1 (fr) * 2021-05-18 2022-11-24 富士電機株式会社 Dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium
JPWO2022244749A1 (fr) * 2021-05-18 2022-11-24
JP7561316B2 (ja) 2021-05-18 2024-10-04 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置
US12408397B2 (en) 2022-03-24 2025-09-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012108165A1 (fr) 2012-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5728992B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2012169385A (ja) 炭化珪素半導体装置
JP6729523B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP5531787B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP4798119B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP4640436B2 (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5849882B2 (ja) 縦型半導体素子を備えた半導体装置
JP2012169384A (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP5776610B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP6428489B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
CN110050349B (zh) 碳化硅半导体装置及其制造方法
JP2015072999A (ja) 炭化珪素半導体装置
JP5772842B2 (ja) 炭化珪素半導体装置
JP5533677B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP5790573B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2010147222A (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2009194065A (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP6683083B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPWO2018150467A1 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2025183452A (ja) 半導体装置
JP7704007B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5817204B2 (ja) 炭化珪素半導体装置
JP2022083790A (ja) 半導体装置
JP2019165165A (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP7206919B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140513