JP2014201029A - 回路基板およびサーマルプリントヘッド - Google Patents
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回路基板の製造時における工程数を削減するとともに高価な材料に対する安価な代替品の使用を提案するものであり、製造工程の効率化および材料費の低価格化を達成することにより安価でしかも性能の優れた回路基板を提供するものであり、サーマルプリントヘッドに特に有用である。
また、金を使用したペーストは高価であるため金使用量を低減する技術,あるいは金以外の金属を主体としたペーストが提案されてきた。安価で電気伝導性の良好な金属として銀が採用された技術が数多く提案されている。
本発明は、こうした従来の金ペーストあるいは銀ペーストの問題点を解決して実用化に適した導体ペーストを使用した回路基板であり優れた性能を発揮するサーマルプリントヘッドの提供を可能とすることを目的とする。
本発明は、回路基板の製造時における工程数を削減するとともに高価な材料に対する安価な代替品の使用を提案するものであり、製造工程の効率化および材料費の低価格化を達成することにより安価でしかも性能の優れた回路基板を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は以下の(1)ないし(9)の回路基板を要旨とする。
(1)絶縁基板上に、パラジウムの被膜が形成された銀粒子からなる導体粒子を含有する導体ペーストを用いて回路が形成されている回路基板であって、導体粒子中の銀およびパラジウムの各成分が銀80〜99.5重量%およびパラジウム0.5〜20重量%であることを特徴とする回路基板。
(2)上記の導体粒子が、パラジウムの被膜が表面積の50〜100%に形成された銀粒子からなる導体粒子である上記(1)に記載の回路基板。
(3)上記の導体粒子が、0.4nm〜0.02μmの厚さのパラジウムの被膜が形成された銀粒子からなる導体粒子である上記(1)または(2)に記載の回路基板。
(4)上記の導体粒子が、メッキ操作により表面にパラジウムの被膜が形成され銀粒子からなる導体粒子である上記(1)から(3)のいずれかに記載の回路基板。
(5)上記の導体粒子が、直径30nm〜1μmの導体粒子である上記(1)から(4)のいずれかに記載の回路基板。
(6)上記の回路基板が、絶縁基板上で共通電極と個別電極との間に発熱抵抗体を形成した回路基板であって、該共通電極および個別電極が上記の絶縁基板上に形成されている回路である上記(1)から(5)のいずれかに記載の回路基板。
(7)上記の共通電極および個別電極が、その少なくとも一つの電極が単層の導体層からなる上記(6)に記載の回路基板。
(8)上記の共通電極および個別電極が、一体に形成されている上記(6)または(7)に記載の回路基板。
(9)上記の回路基板が、絶縁基板または絶縁基板上にグレーズ層を介して回路を有する回路基板である請求項1から8のいずれかに記載の回路基板。
(10)上記(1)から(9)のいずれかに記載の回路基板を用いたサーマルプリントヘッド。
すなわち、本発明により以下の効果が奏される。
1.非常に高価で製造コストを押し上げている金ペーストを使用しなくても特性に優れた銀ペーストによる回路基板およびサーマルプリントヘッドを提供することができる。
2.銀を使用した導電ペーストの弱点であった耐熱性が弱く、イオンマイグレーションによるリークの問題が解決される。
3.銀粒子を耐熱性の高いパラジウムで被覆すること、および従来使用されている金よりも熱伝導性の高い銀を使用することにより、発熱体の耐エネルギー性の向上、発熱体の熱応答性の向上が達成される。
4.印字品位の向上が達成される。
5.共通電極(第2導体層)を設ける必要がなくなることから回路基板あるいはサーマルプリントヘッドの製造工程が削減される。
6.個別電極(第1導体層)の層数が削除できるため製造工程の削減および層形成材料のコストが削減できる。
7.グレーズ層の部分的な削除が可能となる。
本発明の導体粒子は、銀粒子の表面がパラジウム金属の薄膜により被覆されたものであり、図1(3)でその一例を示すが、その単一の粒子は銀粒子の表面の全面あるいは一部がパラジウムの薄膜により覆われている構造となっている。
従来提案されている銀導体粒子の例を図1(1)および(2)に示す。図1(2)の導体銀粒子は表面にはパラジウムの細粒が多数付着した構造になっている。こうした構造ではパラジウム粒子で覆われていない銀の表面積が広いために導体粒子として満足できる性能を呈することはできない。本発明は図1(3)に示すように、銀粒子の表面にパラジウムの薄膜で覆った構造をしているものである。
銀、金、パラジウムの各金属の融点および熱伝導率を対比すると、融点については銀が961℃、金が1064℃、パラジウムが1555℃であり、融点の低い銀の表面を融点の高いパラジウムで被覆して粒子全体の融点を高めることができる。また、熱伝導率に関しては、銀が429w/mk、金が318w/mk、パラジウムが71.8w/mkであり、銀を使用することにより生成した導体層全体の熱伝導は金粒子に比べ実質的に向上する。導体層の熱伝導率の向上により発熱体の熱応答性の向上がなされ、それにより印字品位の向上が得られる。
本発明の導体粒子は、その粒直径が30nm〜1μmの範囲であることが好ましい。さらには0.2〜0.6μmであることが好ましく、粒直径がこの範囲を下回るとブリスタの発生により、絶縁基板との密着性が低下し、上回るとポーラスの発生により、成膜性が低下し、導電ペーストとしての機能が低下する。
導体粒子は、その金属元素が、銀80〜99.5重量%、パラジウム0.5〜20重量%であることが好ましく、さらにはパラジウムが0.5〜3重量%であることが好ましい。パラジウムの量がこれより少なくなると導電粒子の熱的特性や電気的特性が低下することとなり、大きくなるとこれらの特性がさらに改善されることはなく、また価格の大きい材料が増えるため好ましくはない。
本発明の銀粒子の表面の50〜100%がパラジウムで被覆されていることが好ましく、さらには、80〜100%がパラジウムで被覆されていることが好ましく、これらの範囲が好ましいのは耐熱性、耐マイグレーション性が良好である理由による。
また、パラジウムによる被覆は0.4nm〜0.02μmの厚みがあることが本発明のサーマルプリントヘッドを製造するに適している。さらには、0.4nm〜3.0nmのパラジウム膜厚であることが好ましく、これらの範囲が好ましいのは前述の耐熱性、耐マイグレーション性が良好である理由による。
従来のサーマルプリントヘッドの構造は図3に示すように、セラミックスなどの絶縁基板上にグレーズ層を設け、その上に個別電極となる第1導体層が設けられる。例えば、第1導体層は金を含有するペーストにより印刷され焼成されて形成された4層からなる。第1導体層の端部には別工程で形成された共通電極が設けられている。個別電極と共通電極上には個別に通電制御が可能な発熱抵抗体が設けられている。
これに対し、本発明のサーマルプリントヘッドの構造は図2に示すように、セラミックスなどの絶縁基板上の一部にグレーズ層を設け、絶縁基板上に直接個別電極となる第1導体層と共通電極となる第2導体層を設けられる。第1導体層はパラジウムの被膜を有する銀を含有するペーストが印刷され焼成されて形成された単層からなる。
本発明における第1導体層の厚さは1〜6μmの範囲であり、さらに好ましくは2〜4μmの範囲である。この範囲の層厚とすることにより本発明の目的が容易に達成される。
また、本発明では従来第1導体層である金と絶縁基板との密着力向上のため、絶縁基板の全面に設けられていたグレーズ層は、発熱体層下層の部分にのみ設けることで良くなる。これは絶縁基板と第1導体層の密着力が高い為グレーズを必要としないという理由による。
本発明のサーマルプリントヘッドが簡便な工程で製造できることは、本発明の導体粒子が、熱伝導性に優れると同時に厚膜の導体層を形成することができることに由来する。
本発明の回路基板またはサーマルプリントヘッドの製造では、製造工程の減縮および使用材料の低減を行うことができる。従来のサーマルプリントヘッドは、例えば、金ペーストを使用して4層からなる第1導体層が設けられる。これらの導体層はスクリーン印刷により金ペーストが印刷されこれを焼成炉により焼成することにより複数工程を必要としていた。これに対して、本発明では、1重量%のパラジウム膜を被覆した銀マイクロ粒子を使用することにより1層からなる導体層を形成することで十分となり、製造工程数を激減させることが可能となる。焼成温度、時間は両者ともに770から820℃前後で60分間と同じ程度である。本発明と従来の工法において使用した材料の使用量と単価より計算した原価試算では、本発明は従来工法より材料原価を大幅に削減できる。
本発明の導体ペーストを使用して形成したドットパターンの形状を、銀粒子ペースト(銀化合物によるレジネートペースト)、銀粒子とパラジウム粒子の混合ペースト、パラジウム膜被覆銀粒子ペーストを対比した。ドットパターンは図4に示す幅25μmとして、スクリーン印刷、焼成後フォトリソ処理によりパターンを形成した。フォトリソ処理により絶縁体上に設けられた皮膜が焼成により如何に変化するかを模式的に示したのが図5である。銀ペーストあるいは銀粒子にパラジウム粒子を混合したペーストを用いて絶縁基板上に設けられたパターンでは、焼成によって粒子間に無秩序な間隙の発生、あるいは粒子の溶融による粒子間の合体が発生してパターンが均質なものとはなり難いため、パターンのエッジ部分がシャープにはならない。
本発明による微細パターンを従来例と対比すると、図4に示すように、パターンのエッジ部分のシャープさは本発明が大きく優れていることが明らかに認められる。
本発明の回路を用いて、イオンマイグレーション試験を行い短絡の発生する時間を測定してイオンマイグレーションの程度を推定した。イオンマイグレーションとは金属の電気化学的な移動現象であり、これが発生すると電圧を印加すると電気分解作用により銀が樹枝状に移動成長し、電極間の絶縁抵抗が低下したり短絡する問題点があることが一般に知られている。
この試験には、粒径0.6μmの銀粒子にパラジウム5ないし10重量%を電解メッキにより4.5nm〜9.0nmの膜厚を被覆した導体粒子を含有するペーストを使用した。比較例として、銀粒子粒径0.6μmに粒径0.2μmのパラジウム微粒子を5、10重量%混合し付着させた導体を使用し、脱イオン水滴下法(試験条件 電源電圧:1.00V、滴下量:3.0μm、測定ラインL/S=150/150μm)にてイオンマイグレーションの試験を実施しその結果を図6に示した。短絡時間(定義:通電にパターン間の抵抗値が1MΩ以下に到達する時間)が長いほど耐マイグレーション性が向上していることとなり、この導体を実際に使用するにあたっては銀を使いながらイオンマイグレーションが生じない利点があることになる。
試験の結果、パラジウムを被覆または混合することにより短絡時間が長くなる傾向を示すが、本発明のパラジウム皮膜を形成した銀粒子が耐マイグレーション性においては圧倒的に優れていることが図6から明らかである。
パルス耐性について第1導体層材料としてパラジウム被覆銀(銀粒径0.5μm、パラジウム添加率1重量%、パラジウム膜厚0.9nm、1層構造)を使用して評価試験を行った。相対比較として、第1導体層材料として有機金(3層構造)を使用した試料を用意した。試験方法として発熱抵抗体にパルス電圧を印加し段階的に印加電圧を上げて、印加電圧毎の抵抗値を測定した。図7には、印加電圧に対する抵抗値ドリフト率の関係を、表1にパルス耐性試験の結果を示す。
パラジウム被覆銀は現行に比べて抵抗値が上昇しにくい(パルス耐性が高い)傾向がある。これは第1導体層の膜厚が5倍もあり、熱伝導性が向上したためと考えられる。パラジウム被覆銀は導体抵抗値が0.03Ω・mm2/μmであり、現行の導体抵抗値0.70Ω・mm2/μmの約1/20以下に低くなるため、コモン電流通電時に生じる電圧降下対策としての共通電極層(第2導体層)を必要としない。
本実施例では、トランジェント試験を行った。試験を行った試料は第1導体層材料としてパラジウム被覆銀(銀粒径0.5μm、パラジウム添加率1重量%、パラジウム膜厚0.9nm、1層構造)を使用して評価試験を行った。相対比較として、第1導体層材料として有機金(3層構造)を使用した現行品を用意した。トランジェント試験は通電時と、通電停止後の保護膜表面温度を測定した結果を図8に示す。
試験の結果トランジェントの波形より、パラジウム被覆銀は現行品と比べて通電停止時間中の温度下降速度が大きい。これはパラジウム被覆銀の熱伝導性が良いために、第1導体層からの放熱が大きくなったためと考えられる。また、パラジウム被覆銀は現行品と比べてピーク温度とボトム温度の差が大きい。これも熱伝導性の向上が影響していると考えられる。
Claims (10)
- 絶縁基板上に、パラジウムの被膜が形成された銀粒子からなる導体粒子を含有する導体ペーストを用いて回路が形成されている回路基板であって、導体粒子中の銀およびパラジウムの各成分が銀80〜99.5重量%およびパラジウム0.5〜20重量%であることを特徴とする回路基板。
- 上記の導体粒子が、パラジウムの被膜が表面積の50〜100%に形成された銀粒子からなる導体粒子である請求項1に記載の回路基板。
- 上記の導体粒子が、0.4nm〜0.02μmの厚さのパラジウムの被膜が形成された銀粒子からなる導体粒子である請求項1または2に記載の回路基板。
- 上記の導体粒子表面にパラジウムの被膜が形成され銀粒子からなる導体粒子である請求項1から3のいずれかに記載の回路基板。
- 上記の導体粒子が、直径30nm〜1μmの導体粒子である請求項1から4のいずれかに記載の回路基板。
- 上記の回路基板が、絶縁基板上で共通電極と個別電極との間に発熱抵抗体を形成した回路基板であって、該共通電極および個別電極が上記の絶縁基板上に形成されている回路である請求項1から5のいずれかに記載の回路基板。
- 上記の共通電極および個別電極が、その少なくとも一つの電極が単層の導体層からなる請求項6に記載の回路基板。
- 上記の共通電極および個別電極が、一体に形成されている請求項6または7に記載の回路基板。
- 上記の回路基板が、絶縁基板または絶縁基板上にグレーズ層を介して回路を有する回路基板である請求項1から8のいずれかに記載の回路基板。
- 請求項1から9のいずれかに記載の回路基板を用いたサーマルプリントヘッド。
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