JP2566097B2 - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JP2566097B2 JP2566097B2 JP4121805A JP12180592A JP2566097B2 JP 2566097 B2 JP2566097 B2 JP 2566097B2 JP 4121805 A JP4121805 A JP 4121805A JP 12180592 A JP12180592 A JP 12180592A JP 2566097 B2 JP2566097 B2 JP 2566097B2
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- Japan
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- thin film
- magneto
- amorphous magnetic
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- storage element
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行うことのできる磁気光学記憶素子
に関する。
記録、再生、消去を行うことのできる磁気光学記憶素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の記録、再生、消去が可能な
光記憶素子の開発が、磁気光学記憶素子を中心に活発に
推進されている。この磁気光学記憶素子の構造で、高い
評価を受けているものに反射膜構造がある。図２に反射
膜構造の磁気光学記憶素子の一例の側面図を示す。
光記憶素子の開発が、磁気光学記憶素子を中心に活発に
推進されている。この磁気光学記憶素子の構造で、高い
評価を受けているものに反射膜構造がある。図２に反射
膜構造の磁気光学記憶素子の一例の側面図を示す。
【０００３】同図で符号１はガラス、アクリル樹脂等よ
りなる透明基板である。この透明基板１上にＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜２が形成され、この上に
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｇ
ｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金からなる非晶
質磁性体薄膜３が成膜される。さらに、この非晶質磁性
体薄膜３上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜
４、並びに、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の反射膜５が形
成される。
りなる透明基板である。この透明基板１上にＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜２が形成され、この上に
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、Ｇ
ｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金からなる非晶
質磁性体薄膜３が成膜される。さらに、この非晶質磁性
体薄膜３上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜
４、並びに、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の反射膜５が形
成される。
【０００４】以上の反射膜構造の磁気光学記憶素子は非
晶質磁性体薄膜３の厚みを１００Å程度と非常に薄して
いるため、透明基板１側から入射したレーザ光は非晶質
磁性体薄膜３を透過した後、反射膜５にて反射される。
この結果、非晶質磁性体薄膜３表面にて反射されたレー
ザ光の受けるカー効果と、非晶質磁性体薄膜３を透過し
た後反射膜５にて反射され再び非晶質磁性体薄膜３を透
過するレーザ光の受けるファラデー効果とが相乗作用を
起こしカー回転角の増大を得ることができるものであ
る。これだけではなく、さらに、透明薄膜２内部で入射
レーザ光は干渉を起こし、この干渉によってもカー回転
角の増大の作用を得ることができるものである。
晶質磁性体薄膜３の厚みを１００Å程度と非常に薄して
いるため、透明基板１側から入射したレーザ光は非晶質
磁性体薄膜３を透過した後、反射膜５にて反射される。
この結果、非晶質磁性体薄膜３表面にて反射されたレー
ザ光の受けるカー効果と、非晶質磁性体薄膜３を透過し
た後反射膜５にて反射され再び非晶質磁性体薄膜３を透
過するレーザ光の受けるファラデー効果とが相乗作用を
起こしカー回転角の増大を得ることができるものであ
る。これだけではなく、さらに、透明薄膜２内部で入射
レーザ光は干渉を起こし、この干渉によってもカー回転
角の増大の作用を得ることができるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この反射膜
構造の磁気光学記憶素子は磁気光学効果の点から見れば
極めて優れた構造であるが、非晶質磁性体薄膜３の酸化
による特性劣化が大きいという難点があることが判明し
ている。
構造の磁気光学記憶素子は磁気光学効果の点から見れば
極めて優れた構造であるが、非晶質磁性体薄膜３の酸化
による特性劣化が大きいという難点があることが判明し
ている。
【０００６】これは、反射膜５及び透明薄膜４を通過し
て外気が侵入し非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめたり、
あるいは、反射膜５若しくは透明薄膜４の内部に含まれ
ていた酸素が非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が
発生することに起因している。
て外気が侵入し非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめたり、
あるいは、反射膜５若しくは透明薄膜４の内部に含まれ
ていた酸素が非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる現象が
発生することに起因している。
【０００７】非晶質磁性体薄膜３が酸化すれば保磁力が
低下し、磁気光学効果による再生が困難となる。極端な
場合には非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気異方性が全く無
くなり記録、再生ともに不可能となるという著しく不都
合な問題が発生する。
低下し、磁気光学効果による再生が困難となる。極端な
場合には非晶質磁性体薄膜３の垂直磁気異方性が全く無
くなり記録、再生ともに不可能となるという著しく不都
合な問題が発生する。
【０００８】そこで、本発明の目的は非晶質磁性体薄膜
の酸化を効果的に抑制することのできる磁気光学記憶素
子の構成を提供することにある。
の酸化を効果的に抑制することのできる磁気光学記憶素
子の構成を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は透明基板上に、第１の透明薄膜と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類・遷移金属合金
からなり、かつ、Ｔｉ（チタニウム）を含有した非晶質
磁性体薄膜と、第２の透明薄膜と、反射膜とをこの順に
備えたことを特徴とする磁気光学記憶素子である。
め、本発明は透明基板上に、第１の透明薄膜と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類・遷移金属合金
からなり、かつ、Ｔｉ（チタニウム）を含有した非晶質
磁性体薄膜と、第２の透明薄膜と、反射膜とをこの順に
備えたことを特徴とする磁気光学記憶素子である。
【００１０】
【作用】非晶質磁性体薄膜中に含有されたＴｉは膜中で
酸素を消費し易い。このため、非晶質磁性体薄膜に侵入
してくる酸素をＴｉが消費するので、非晶質磁性体薄膜
の酸化を効果的に抑制することができる。
酸素を消費し易い。このため、非晶質磁性体薄膜に侵入
してくる酸素をＴｉが消費するので、非晶質磁性体薄膜
の酸化を効果的に抑制することができる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を図を用いて説明する。図１
は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の側面図で
ある。同図において符号１はガラス、アクリル樹脂等よ
りなる透明基板であり、この透明基板１上にはＳｉＯ、
ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜２が形成される。この
上にＴｉを含有した非晶質磁性体薄膜６を形成する。非
晶質磁性体薄膜６はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｇｄ
Ｃｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金
属合金からなる。さらにＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の反
射膜５を設けている。
は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の側面図で
ある。同図において符号１はガラス、アクリル樹脂等よ
りなる透明基板であり、この透明基板１上にはＳｉＯ、
ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜２が形成される。この
上にＴｉを含有した非晶質磁性体薄膜６を形成する。非
晶質磁性体薄膜６はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｇｄ
Ｃｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金
属合金からなる。さらにＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の反
射膜５を設けている。
【００１２】なお、この構成において透明薄膜２は無く
とも構わない。
とも構わない。
【００１３】また、非晶質磁性体薄膜６に含有する金属
物質としてはＭｇ（マグネシウム）等の酸化容易性金属
物質を用いることも可能である。
物質としてはＭｇ（マグネシウム）等の酸化容易性金属
物質を用いることも可能である。
【００１４】上述の説明では反射膜構造の磁気光学記憶
素子を実施例として用いたが、本発明は非晶質磁性体薄
膜の膜厚が十分厚い（１０００Å程度）厚膜形の構造の
素子、つまりカー効果のみを利用する素子においても適
用が可能なものである。
素子を実施例として用いたが、本発明は非晶質磁性体薄
膜の膜厚が十分厚い（１０００Å程度）厚膜形の構造の
素子、つまりカー効果のみを利用する素子においても適
用が可能なものである。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば非晶質磁性体薄膜中に含
有したＴｉの存在により、非晶質磁性体薄膜の酸化を効
果的に抑制することができる。この結果、非晶質磁性体
薄膜の磁気的特性を安定化することができ、磁気光学記
憶素子としての信頼性を向上することができる。
有したＴｉの存在により、非晶質磁性体薄膜の酸化を効
果的に抑制することができる。この結果、非晶質磁性体
薄膜の磁気的特性を安定化することができ、磁気光学記
憶素子としての信頼性を向上することができる。
【図１】本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の側
面図である。
面図である。
【図２】従来の磁気光学記憶素子の側面図である。
１ 透明基板 ２ 透明薄膜 ３ 非晶質磁性体薄膜 ４ 透明薄膜 ５ 反射膜 ６ Ｔｉを含有した
非晶質磁性体薄膜
非晶質磁性体薄膜
フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−94948（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−152145（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に、第１の透明薄膜と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類・遷移金属合金
からなり、かつ、Ｔｉを含有した非晶質磁性体薄膜と、
第２の透明薄膜と、反射膜とをこの順に備えたことを特
徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4121805A JP2566097B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4121805A JP2566097B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980782A Division JPS5938780A (ja) | 1982-04-10 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135417A JPH05135417A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2566097B2 true JP2566097B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=14820368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4121805A Expired - Lifetime JP2566097B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2566097B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5942444B2 (ja) * | 1975-09-29 | 1984-10-15 | 日本電信電話株式会社 | 磁気光学薄膜とその作成法 |
| JPS5766549A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Sharp Corp | Magnetooptical storage element |
| JPS5938780A (ja) * | 1982-04-10 | 1984-03-02 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP4121805A patent/JP2566097B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05135417A (ja) | 1993-06-01 |
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