JPH0834014B2 - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPH0834014B2 JPH0834014B2 JP13644191A JP13644191A JPH0834014B2 JP H0834014 B2 JPH0834014 B2 JP H0834014B2 JP 13644191 A JP13644191 A JP 13644191A JP 13644191 A JP13644191 A JP 13644191A JP H0834014 B2 JPH0834014 B2 JP H0834014B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- magneto
- amorphous magnetic
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- optical storage
- Prior art date
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行うことのできる磁気光学記憶素子
に関する。
記録、再生、消去を行うことのできる磁気光学記憶素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の記録、再生、消去が可能な
光記憶素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。また、この磁気光学記憶素子の構造で高
い評価を受けているものとして反射膜構造の素子があ
る。
光記憶素子の開発が磁気光学記憶素子を中心に活発に推
進されている。また、この磁気光学記憶素子の構造で高
い評価を受けているものとして反射膜構造の素子があ
る。
【０００３】図２に反射膜構造の素子の一例の側面図を
示す。同図で符号１はガラス、アクリル樹脂等よりなる
透明基板、２はＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄
膜、３はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、Ｔｂ
Ｆｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金から
なる非晶質磁性体薄膜、４はＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ
4等の透明薄膜、５はＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の反射
膜である。
示す。同図で符号１はガラス、アクリル樹脂等よりなる
透明基板、２はＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄
膜、３はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、Ｔｂ
Ｆｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等の希土類・遷移金属合金から
なる非晶質磁性体薄膜、４はＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ
4等の透明薄膜、５はＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の反射
膜である。
【０００４】以上の反射膜構造の素子は非晶質磁性体薄
膜３の厚みを１００Å程度と非常に薄くしているため透
明基板１側から入射した入射レーザ光が非晶質磁性体薄
膜３を透過し、この透過した光が反射膜５にて反射され
る。したがって、非晶質磁性体薄膜３表面にて入射レー
ザ光が反射された光のカー効果と上記した非晶質磁性体
薄膜３を透過し反射膜５にて反射され再び非晶質磁性体
薄膜３を透過する光のファラデー効果とが相乗作用を起
こしカー回転角の増大を得るものである。また、透明薄
膜２の内部で光が干渉しそれによってもカー回転角の増
大の作用を得るものである。
膜３の厚みを１００Å程度と非常に薄くしているため透
明基板１側から入射した入射レーザ光が非晶質磁性体薄
膜３を透過し、この透過した光が反射膜５にて反射され
る。したがって、非晶質磁性体薄膜３表面にて入射レー
ザ光が反射された光のカー効果と上記した非晶質磁性体
薄膜３を透過し反射膜５にて反射され再び非晶質磁性体
薄膜３を透過する光のファラデー効果とが相乗作用を起
こしカー回転角の増大を得るものである。また、透明薄
膜２の内部で光が干渉しそれによってもカー回転角の増
大の作用を得るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の反射膜構造の素
子は磁気光学効果の点から見れば極めて優れた構造であ
るが、その一方で非晶質磁性体薄膜３の酸化による特整
劣化が大きいことが難点であることが判明している。つ
まり、反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反射膜
５、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非晶質磁性体
薄膜３を酸化せしめる現象が発生するのである。非晶質
磁性体薄膜３が酸化すれば保磁力が低下し磁気光学効果
による再生が困難となり、極端な場合は非晶質磁性体薄
膜３の垂直磁気異方性が全くなくなり記録、再生共に不
可能となるという著しく不都合な問題が発生する。
子は磁気光学効果の点から見れば極めて優れた構造であ
るが、その一方で非晶質磁性体薄膜３の酸化による特整
劣化が大きいことが難点であることが判明している。つ
まり、反射膜５及び透明薄膜４を通過して外気が侵入し
非晶質磁性体薄膜３を酸化せしめる、あるいは反射膜
５、透明薄膜４内部に含まれていた酸素が非晶質磁性体
薄膜３を酸化せしめる現象が発生するのである。非晶質
磁性体薄膜３が酸化すれば保磁力が低下し磁気光学効果
による再生が困難となり、極端な場合は非晶質磁性体薄
膜３の垂直磁気異方性が全くなくなり記録、再生共に不
可能となるという著しく不都合な問題が発生する。
【０００６】そこで本発明は上述の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、非晶質磁性体薄膜の酸化を防止するこ
とのできる構造を有する磁気光学記憶素子を提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、非晶質磁性体薄膜の酸化を防止するこ
とのできる構造を有する磁気光学記憶素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体
薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する透明薄膜を備え、該透明薄膜
中にＴｉあるいは希土類金属の少なくとも一つを含有し
たことを特徴とする磁気光学記憶素子である。
め、本発明は透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体
薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子において、前記非
晶質磁性体薄膜に近接する透明薄膜を備え、該透明薄膜
中にＴｉあるいは希土類金属の少なくとも一つを含有し
たことを特徴とする磁気光学記憶素子である。
【０００８】
【作用】透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜
に近接して設けられる透明薄膜中にＴｉあるいは希土類
金属の少なくとも一つを含有することによって、侵入す
る酸素を透明薄膜中のＴｉあるいは希土類金属によって
消費せしめる。
有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜
に近接して設けられる透明薄膜中にＴｉあるいは希土類
金属の少なくとも一つを含有することによって、侵入す
る酸素を透明薄膜中のＴｉあるいは希土類金属によって
消費せしめる。
【０００９】
【実施例】図１に示すものは本発明に係る磁気光学記憶
素子の一実施例の側面図である。同図で符号１はガラ
ス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２はＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等
の希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜、６はＣ
ｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＳＵＳ等の金属膜中にＴｉ、Ｍ
ｇ、希土類金属（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）等の酸
化容易性金属物質を含有した反射膜である。
素子の一実施例の側面図である。同図で符号１はガラ
ス、アクリル樹脂等よりなる透明基板、２はＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜、３はＧｄＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ等
の希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体薄膜、４
はＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の透明薄膜、６はＣ
ｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＳＵＳ等の金属膜中にＴｉ、Ｍ
ｇ、希土類金属（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）等の酸
化容易性金属物質を含有した反射膜である。
【００１０】ここで、上記酸化容易性金属物質の含有は
透明薄膜２に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜４
に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜２、透明薄膜
４、反射膜６の任意の２以上の膜に対して行ってもよ
い。また、同図の構成において透明薄膜２はなくても構
わない。以上の発明の効果を確認するために、高温状態
に保存した場合の非晶質磁性体薄膜の保磁力の変化具合
を測定した結果を図３及び図４に示す。同図において横
軸が保存時間（ｈ）、縦軸が保磁力の変化量（ＫＯｅ）
を示している。また、図中の記号Ｇはガラス基板を意味
している。なお、保磁力の初期値は１０ＫＯｅであっ
た。図３はＡｌ反射膜中にＴｉを５％含有したもの（曲
線ｂ）及び５０％含有したもの（曲線ｃ）を２８０℃に
保存した場合の結果を示している。Ｔｉを含有しない反
射膜（曲線ａ）に比べて保磁力の変化具合が小さいこと
が理解される。また、図４はＳｉＯ 2 透明薄膜中にＴｉ
を５％含有したもの及び５０％含有したもの（ほぼ、同
一の結果が得られたので曲線ｅとしてまとめて示す）、
並びに、同じくＳｉＯ 2 透明薄膜中にＤｙを５％含有し
たもの及び５０％含有したもの（この場合もほぼ、同一
の結果が得られたので曲線ｆとしてまとめて示す）を２
００℃に保存した場合の保磁力の変化具合を示してい
る。Ｔｉを含有した場合もＤｙを含有した場合もＳｉＯ
2 のみの透明薄膜（曲線ｄ）に比べて保磁力の変化具合
は小さいことが解る。
透明薄膜２に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜４
に対して行ってもよく、あるいは透明薄膜２、透明薄膜
４、反射膜６の任意の２以上の膜に対して行ってもよ
い。また、同図の構成において透明薄膜２はなくても構
わない。以上の発明の効果を確認するために、高温状態
に保存した場合の非晶質磁性体薄膜の保磁力の変化具合
を測定した結果を図３及び図４に示す。同図において横
軸が保存時間（ｈ）、縦軸が保磁力の変化量（ＫＯｅ）
を示している。また、図中の記号Ｇはガラス基板を意味
している。なお、保磁力の初期値は１０ＫＯｅであっ
た。図３はＡｌ反射膜中にＴｉを５％含有したもの（曲
線ｂ）及び５０％含有したもの（曲線ｃ）を２８０℃に
保存した場合の結果を示している。Ｔｉを含有しない反
射膜（曲線ａ）に比べて保磁力の変化具合が小さいこと
が理解される。また、図４はＳｉＯ 2 透明薄膜中にＴｉ
を５％含有したもの及び５０％含有したもの（ほぼ、同
一の結果が得られたので曲線ｅとしてまとめて示す）、
並びに、同じくＳｉＯ 2 透明薄膜中にＤｙを５％含有し
たもの及び５０％含有したもの（この場合もほぼ、同一
の結果が得られたので曲線ｆとしてまとめて示す）を２
００℃に保存した場合の保磁力の変化具合を示してい
る。Ｔｉを含有した場合もＤｙを含有した場合もＳｉＯ
2 のみの透明薄膜（曲線ｄ）に比べて保磁力の変化具合
は小さいことが解る。
【００１１】以上の実施例の説明においては反射膜構造
の素子において本発明を適用したものを示したが、本発
明は非晶質磁性体薄膜の膜厚が十分厚い（１０００Å程
度）厚膜形の構造の素子、つまり、カー効果のみを利用
する素子においても適用が可能なものである。
の素子において本発明を適用したものを示したが、本発
明は非晶質磁性体薄膜の膜厚が十分厚い（１０００Å程
度）厚膜形の構造の素子、つまり、カー効果のみを利用
する素子においても適用が可能なものである。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば非晶質磁性体薄膜に近接
する透明薄膜の膜中に含有したＴｉあるいは希土類金属
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）の存在により非晶質磁
性体薄膜の酸素を大幅に抑制することができるので、こ
の非晶質磁性体薄膜の磁気的特性を安定化することがで
き、素子の信頼性を著しく向上することができる。
する透明薄膜の膜中に含有したＴｉあるいは希土類金属
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）の存在により非晶質磁
性体薄膜の酸素を大幅に抑制することができるので、こ
の非晶質磁性体薄膜の磁気的特性を安定化することがで
き、素子の信頼性を著しく向上することができる。
【図１】本発明に係る磁気光学記憶素子の側面図であ
る。
る。
【図２】従来の磁気光学記憶素子の側面図である。
【図３】Ａｌ反射膜にＴｉを含有した場合の保磁力の変
化特性を示す図である。
化特性を示す図である。
【図４】本発明の磁気光学記憶素子の特性を示す図であ
る。
る。
１ 透明基板 ２ 透明薄膜 ３ 非晶質磁性体薄膜 ４ 透明薄膜 ５ 反射膜 ６ 酸化容易性物質を含有した反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する希土類・遷移金属合金からなる非晶質磁性体
薄膜を形成してなる磁気光学記憶素子において、 前記非晶質磁性体薄膜に近接する透明薄膜を備え、 該透明薄膜中にＴｉあるいは希土類金属の少なくとも一
つを含有したことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13644191A JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13644191A JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980882A Division JPS5938781A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330654A JPH04330654A (ja) | 1992-11-18 |
| JPH0834014B2 true JPH0834014B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=15175195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13644191A Expired - Lifetime JPH0834014B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834014B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP13644191A patent/JPH0834014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04330654A (ja) | 1992-11-18 |
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