JP2585295B2 - ビニルシラン類の製造方法 - Google Patents
ビニルシラン類の製造方法Info
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、ビニルシラン類の製造方法に関し、さらに
詳しくは、特定の白金系触媒を用いてアセチレンとヒド
ロシラン類とからビニルシラン類を製造するための方法
に関する。
詳しくは、特定の白金系触媒を用いてアセチレンとヒド
ロシラン類とからビニルシラン類を製造するための方法
に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 シランカップリング剤は、有機ポリマーとシリカ等の
無機物とを化学的に結合することができ、有機ポリマー
の機械的強度を飛躍的に向上させることができるので、
先端複合材料の開発に不可欠なものとして需要は拡大し
ている。
無機物とを化学的に結合することができ、有機ポリマー
の機械的強度を飛躍的に向上させることができるので、
先端複合材料の開発に不可欠なものとして需要は拡大し
ている。
上記のようなシランカップリング剤の１つとして、ビ
ニルシラン類が用いられている。このビニルシラン類
は、従来アセチレンとヒドロシラン類との反応によって
合成されており、この反応に際して、触媒として塩化白
金酸H2PtCl6・6H2Oのイソプロパノール溶液が用いられ
てきた。
ニルシラン類が用いられている。このビニルシラン類
は、従来アセチレンとヒドロシラン類との反応によって
合成されており、この反応に際して、触媒として塩化白
金酸H2PtCl6・6H2Oのイソプロパノール溶液が用いられ
てきた。
しかしながら、塩化白金酸（H2PtCl6・6H2O）のイソ
プロパノール溶液を触媒として用いて、アセチレンとヒ
ドロシラン類との反応を80℃程度の温度で行なうと、目
的とするビニルシラン類のほかに、アセチレンにヒドロ
シラン類が２分子付加したジシリルエタンあるいはヒド
ロシラン類が不均化した化合物などが、かなり多くの量
で生成してしまう。
プロパノール溶液を触媒として用いて、アセチレンとヒ
ドロシラン類との反応を80℃程度の温度で行なうと、目
的とするビニルシラン類のほかに、アセチレンにヒドロ
シラン類が２分子付加したジシリルエタンあるいはヒド
ロシラン類が不均化した化合物などが、かなり多くの量
で生成してしまう。
またこの触媒は、定常の触媒活性を示すまでにかなり
長い一定の期間（一般に誘導期と呼ばれている）を要
し、しかも反応を開始するに先立ち、これを反応試薬の
一部で前処理しなければならないという問題点があっ
た。
長い一定の期間（一般に誘導期と呼ばれている）を要
し、しかも反応を開始するに先立ち、これを反応試薬の
一部で前処理しなければならないという問題点があっ
た。
一方特開昭56−46888号公報では、塩化白金酸を触媒
として用いて、アセチレンとトリクロロシランからビニ
ルトリクロロシランを高い選択率で得ているが、アセチ
レンをトリクロロシランの10倍量以上の量で使用しなけ
ればならず、このため未反応のアセチレンは回収して再
使用しなければならないという問題点があった。また大
過剰量のアセチレンを用いなければならないため、反応
系内におけるヒドロシラン類の濃度が下がり、目的とし
てのビニルシラン類の生成速度が遅いという問題点もあ
った。
として用いて、アセチレンとトリクロロシランからビニ
ルトリクロロシランを高い選択率で得ているが、アセチ
レンをトリクロロシランの10倍量以上の量で使用しなけ
ればならず、このため未反応のアセチレンは回収して再
使用しなければならないという問題点があった。また大
過剰量のアセチレンを用いなければならないため、反応
系内におけるヒドロシラン類の濃度が下がり、目的とし
てのビニルシラン類の生成速度が遅いという問題点もあ
った。
また特開昭57−4995号公報では、ビスートリフェニル
ホスフィン−ジクロロ白金錯体（PtCl2（PPh3）２）を
触媒として用いてアセチレンとトリエトキシシランから
高い選択率でビニルトリエトキシシランを得ているが、
目的物としてのビニルトリエトキシシランの生成速度が
非常に遅いという大きな問題点があった。
ホスフィン−ジクロロ白金錯体（PtCl2（PPh3）２）を
触媒として用いてアセチレンとトリエトキシシランから
高い選択率でビニルトリエトキシシランを得ているが、
目的物としてのビニルトリエトキシシランの生成速度が
非常に遅いという大きな問題点があった。
しかも上記の特開昭56−46888号公報および特開昭57
−4995号公報に開示されたビニルシラン類の製造方法で
は、触媒濃度を高くしなければならず、このため経済性
の点で好ましくなかった。
−4995号公報に開示されたビニルシラン類の製造方法で
は、触媒濃度を高くしなければならず、このため経済性
の点で好ましくなかった。
発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決
しようとするものであって、アセチレンとヒドロシラン
類とから高選択率および高収率でビニルシラン類を短時
間で製造しうるような、ビニルシラン類の製造方法を提
供することを目的としている。
しようとするものであって、アセチレンとヒドロシラン
類とから高選択率および高収率でビニルシラン類を短時
間で製造しうるような、ビニルシラン類の製造方法を提
供することを目的としている。
発明の概要 本発明に係るビニルシラン類の製造方法は、Si−Ｈ結
合を有するヒドロシラン類とアセチレンとを反応させて
ビニルシラン類を製造するに際して、触媒として、塩化
白金酸を炭素数３以上のエーテル類またはエステル類に
溶解させ、得られて50〜120℃で加熱して調製された塩
化白金系触媒を用い反応を０〜100℃で行なうことを特
徴としている。
合を有するヒドロシラン類とアセチレンとを反応させて
ビニルシラン類を製造するに際して、触媒として、塩化
白金酸を炭素数３以上のエーテル類またはエステル類に
溶解させ、得られて50〜120℃で加熱して調製された塩
化白金系触媒を用い反応を０〜100℃で行なうことを特
徴としている。
本発明では、ヒドロシラン類とアセチレンとからビニ
ルシラン類を製造するに際して、塩化白金酸を炭素数３
以上のエーテル類またはエステル類に溶解させ、得られ
る溶液を50〜120℃で加熱して調製された塩化白金系触
媒を用い反応を０〜100℃で行なっているので、ビニル
シラン類を高選択率および高収率で得ることができ、し
かもビニルシラン類を高い反応速度で短時間に製造する
ことができる。
ルシラン類を製造するに際して、塩化白金酸を炭素数３
以上のエーテル類またはエステル類に溶解させ、得られ
る溶液を50〜120℃で加熱して調製された塩化白金系触
媒を用い反応を０〜100℃で行なっているので、ビニル
シラン類を高選択率および高収率で得ることができ、し
かもビニルシラン類を高い反応速度で短時間に製造する
ことができる。
発明の具体的説明 以下本発明に係るビニルシラン類の製造方法につい
て、具体的に説明する。
て、具体的に説明する。
ヒドロシラン類 本発明でビニルシラン類を製造するために用いられる
ヒドロシラン類としては、下記のような式［Ｉ］または
式［II］で示されるヒドロシラン類が用いられる。
ヒドロシラン類としては、下記のような式［Ｉ］または
式［II］で示されるヒドロシラン類が用いられる。
式中、R1、R2およびR3はアルキル基またはアルコキシ
基である。
基である。
式中、R4は水素またはメチル基であり、（ただしR4の
うち少なくとも１つは水素である）、ｎは０〜300の整
数である。
うち少なくとも１つは水素である）、ｎは０〜300の整
数である。
上記式［Ｉ］で示されるヒドロシラン類としては、具
体的には、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、
トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、メチルジ
メトキシシラン、エチルジメトキシラン、メチルジエト
キシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオクチロキ
シシラン、メチルジオクチロキシシラン、ジメチルオク
チロキシシランなどが用いられる。
体的には、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、
トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、メチルジ
メトキシシラン、エチルジメトキシラン、メチルジエト
キシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオクチロキ
シシラン、メチルジオクチロキシシラン、ジメチルオク
チロキシシランなどが用いられる。
また上記式［II］で示されるヒドロシラン類として
は、具体的には、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、ペンタメチルジシロキサン、α，ω−ジヒドロポリ
シロキサン、分子の中間にSi−Ｈ結合を有するポリシロ
キサンなどが用いられる。
は、具体的には、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、ペンタメチルジシロキサン、α，ω−ジヒドロポリ
シロキサン、分子の中間にSi−Ｈ結合を有するポリシロ
キサンなどが用いられる。
アセチレン 本発明で用いられるアセチレンは、HC≡CHで示され
る。
る。
塩化白金系触媒 本発明で用いられる塩化白金系触媒は、塩化白金酸好
ましくはH2PtCl6・6H2Oを炭素類３以上のエーテル類ま
たはエステル類に溶解させ、得られた溶液を50〜120℃
に保持したものである。以下にこの触媒について詳しく
説明する。
ましくはH2PtCl6・6H2Oを炭素類３以上のエーテル類ま
たはエステル類に溶解させ、得られた溶液を50〜120℃
に保持したものである。以下にこの触媒について詳しく
説明する。
（１）エーテル類 エチルエーテル、ブチルエーテル、フェニルエーテ
ル、アニソール、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピ
ラン、ジオキサンなどの炭素数３以上の鎖式または環状
エーテルが用いられる。これらエーテル類は、脂肪族多
重結合は含まないものが好ましい。
ル、アニソール、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピ
ラン、ジオキサンなどの炭素数３以上の鎖式または環状
エーテルが用いられる。これらエーテル類は、脂肪族多
重結合は含まないものが好ましい。
このうち特にテトラヒドロフランが好ましい。
これらのエーテル類の使用量は、塩化白金酸１モルに
対し、通常１モル以上、特に好ましくは10〜2000モル
で、特に上限は存在しない。
対し、通常１モル以上、特に好ましくは10〜2000モル
で、特に上限は存在しない。
（２）エステル類 酢酸メチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、安息
香酸エチル、フタル酸ジメチル、γ−ブチロラクトン、
δ−バレロラクトン、ε−カプロラクトンなどの炭素数
３以上の鎖式または環状エステルが用いられる。これら
エステル類は脂肪族多重結合は含まないものがよい。
香酸エチル、フタル酸ジメチル、γ−ブチロラクトン、
δ−バレロラクトン、ε−カプロラクトンなどの炭素数
３以上の鎖式または環状エステルが用いられる。これら
エステル類は脂肪族多重結合は含まないものがよい。
このうち特にγ−ブチロラクトンが好ましい。
エステル類の使用量に関しては、前記エーテルの場合
と同様である。
と同様である。
（３）触媒の調製方法 塩化白金酸を前記エーテル類またはエステル類中に溶
解させ、好ましくは窒素雰囲気下で通常５分以上、好ま
しくは30分〜２時間加熱する。触媒を調製する際の加熱
温度は、50〜120℃である。このようにして得られた塩
化白金酸とエーテル類またはエステル類の反応生成物
は、そのまま触媒として用いることもできるが、通常無
水硫酸ナトリウム、無水炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム等の乾燥剤を添加して乾燥した後に、ヒドロシリル化
触媒として用いることが好ましい。
解させ、好ましくは窒素雰囲気下で通常５分以上、好ま
しくは30分〜２時間加熱する。触媒を調製する際の加熱
温度は、50〜120℃である。このようにして得られた塩
化白金酸とエーテル類またはエステル類の反応生成物
は、そのまま触媒として用いることもできるが、通常無
水硫酸ナトリウム、無水炭酸ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム等の乾燥剤を添加して乾燥した後に、ヒドロシリル化
触媒として用いることが好ましい。
このような乾燥剤のうち、炭酸ナトリウム、無水炭酸
ナトリウムを用いると、触媒の調製工程で生成する塩化
水素をも除去しうるので特に好ましい。
ナトリウムを用いると、触媒の調製工程で生成する塩化
水素をも除去しうるので特に好ましい。
このようにして塩化白金酸をエーテル類またはエステ
ル類中に溶解させ、これを50〜120℃に加熱すると、塩
化白金酸中の白金は２価状態となり、この２価状態の白
金がヒドロシリル化反応に対して高い触媒活性を示すの
であろうと考えられる。すなわち上記のようにして触媒
を調製すると、触媒活性の高い２価状態の白金を効率よ
く簡単に生じさせうる。
ル類中に溶解させ、これを50〜120℃に加熱すると、塩
化白金酸中の白金は２価状態となり、この２価状態の白
金がヒドロシリル化反応に対して高い触媒活性を示すの
であろうと考えられる。すなわち上記のようにして触媒
を調製すると、触媒活性の高い２価状態の白金を効率よ
く簡単に生じさせうる。
本発明により調製された塩化白金触媒を、たとえばト
リクロロシランと塩化アリルの等モル混合物に少量添加
すると、速やかに著しい発熱反応が起こる。塩化白金酸
のみを添加した場合にはこのような発熱は起こらない。
このように本発明により調製された塩化白金系触媒を用
いてビニルシラン類の合成反応を行なわせると、発熱反
応が進行することもあって、誘導期が著しく短縮され
る。
リクロロシランと塩化アリルの等モル混合物に少量添加
すると、速やかに著しい発熱反応が起こる。塩化白金酸
のみを添加した場合にはこのような発熱は起こらない。
このように本発明により調製された塩化白金系触媒を用
いてビニルシラン類の合成反応を行なわせると、発熱反
応が進行することもあって、誘導期が著しく短縮され
る。
このような塩化白金系触媒は、反応原料としてのビニ
ルシラン類１モルに対して、白金として10-8〜10-3モル
好ましくは10-6〜10-4モル程度の量で用いられる。
ルシラン類１モルに対して、白金として10-8〜10-3モル
好ましくは10-6〜10-4モル程度の量で用いられる。
反応条件 上記のような塩化白金系触媒を用いたアセチレンとヒ
ドロシラン類との反応は、この塩化白金系触媒を含むヒ
ドロシラン類に、アセチレンを吹き込みながら行なうこ
とが好ましい。
ドロシラン類との反応は、この塩化白金系触媒を含むヒ
ドロシラン類に、アセチレンを吹き込みながら行なうこ
とが好ましい。
本発明では、ヒドロシラン類とアセチレンとの反応速
度は速いため、アセチレンをヒドロシラン類に対して大
過剰に用いる必要はなく、ビドロシラン類に対してアセ
チレンは２倍量程度あればよい。
度は速いため、アセチレンをヒドロシラン類に対して大
過剰に用いる必要はなく、ビドロシラン類に対してアセ
チレンは２倍量程度あればよい。
ところでアセチレンは加圧下では極めて不安定であ
り、1kg/cm2G以上では加熱、摩擦などにより爆発的に分
解する危険性があり、反応系内のアセチレン圧をあまり
高めることは好ましくない。このため反応系を閉鎖系に
して、0.2〜0.3kg/cm2G程度の圧力で、反応系にアセチ
レンを吸収させる方法が好ましい。このようにすると、
アセチレンは反応で消費された分が供給されるため、ア
セチレン圧が高くなりすぎることもなく、しかも過剰の
アセチレンを使用することもない。この際アセチレンの
ゲージ（圧力）は、0.1kg/cm2以上あればよい。
り、1kg/cm2G以上では加熱、摩擦などにより爆発的に分
解する危険性があり、反応系内のアセチレン圧をあまり
高めることは好ましくない。このため反応系を閉鎖系に
して、0.2〜0.3kg/cm2G程度の圧力で、反応系にアセチ
レンを吸収させる方法が好ましい。このようにすると、
アセチレンは反応で消費された分が供給されるため、ア
セチレン圧が高くなりすぎることもなく、しかも過剰の
アセチレンを使用することもない。この際アセチレンの
ゲージ（圧力）は、0.1kg/cm2以上あればよい。
このようにしてアセチレンとヒドロシラン類とを反応
させると、原料としてのヒドロシラン類の不均化反応も
ほとんど起こらず、かつアセチレンにヒドロシラン類が
２分子付加したジシリルエタンはほとんど生成せず、ビ
ニルシラン類を高収率でかつ高選択率で得ることがで
き、しかもビニルシラン類を高い反応速度で短時間に製
造することができる。
させると、原料としてのヒドロシラン類の不均化反応も
ほとんど起こらず、かつアセチレンにヒドロシラン類が
２分子付加したジシリルエタンはほとんど生成せず、ビ
ニルシラン類を高収率でかつ高選択率で得ることがで
き、しかもビニルシラン類を高い反応速度で短時間に製
造することができる。
反応は常圧下で行なってもよく、また加圧下で行なっ
てもよい。
てもよい。
反応温度は０〜100℃さらに好ましくは０〜50℃であ
ることが望ましい。反応温度が０℃未満では、ビニルシ
ラン類がほとんど生成しないため好ましくなく、一方反
応温度が100℃を超えると、目的とするビニルシラン類
の選択率が低下するため好ましくない。
ることが望ましい。反応温度が０℃未満では、ビニルシ
ラン類がほとんど生成しないため好ましくなく、一方反
応温度が100℃を超えると、目的とするビニルシラン類
の選択率が低下するため好ましくない。
反応は、溶媒の存在下に行なってもよく、また不存在
下に行なってもよい。溶媒を用いる場合には、トルエ
ン、キシレン、ヘプタン、ドデカンなどの炭化水素系溶
媒が用いられる。このうち芳香族系炭化水素が好ましく
用いられる。
下に行なってもよい。溶媒を用いる場合には、トルエ
ン、キシレン、ヘプタン、ドデカンなどの炭化水素系溶
媒が用いられる。このうち芳香族系炭化水素が好ましく
用いられる。
反応時間は、反応温度によって大きく変化するが、通
常0.5〜2.0時間程度で充分である。
常0.5〜2.0時間程度で充分である。
発明の効果 本発明では、ヒドロシラン類とアセチレンとからビニ
ルシラン類を製造するに際して、塩化白金酸を炭素数３
以上のエーテル類またはエステル類に溶解させ、得られ
た溶液を50〜120℃で加熱して調製された塩化白金系触
媒を用い、０〜100℃の温度で反応させているので、ビ
ニルシラン類を高選択率および高収率で得ることがで
き、しかもビニルシラン類を高い反応速度で短時間に製
造することができる。
ルシラン類を製造するに際して、塩化白金酸を炭素数３
以上のエーテル類またはエステル類に溶解させ、得られ
た溶液を50〜120℃で加熱して調製された塩化白金系触
媒を用い、０〜100℃の温度で反応させているので、ビ
ニルシラン類を高選択率および高収率で得ることがで
き、しかもビニルシラン類を高い反応速度で短時間に製
造することができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
ら実施例に限定されるものではない。
参考例１ 触媒の調製（Ａ） 還流冷却管、撹拌棒、温度計を備えた３つ口フラスコ
に塩化白金（IV）酸H2PtCl6・6H2O酸1grを入れ、さらに
テトラヒドロフラン200mlを加え、窒素雰囲気下にテト
ラヒドロフランの還流温度約65℃で１時間加熱し、得ら
れた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させることによ
り、塩化白金系触媒を製造した。
に塩化白金（IV）酸H2PtCl6・6H2O酸1grを入れ、さらに
テトラヒドロフラン200mlを加え、窒素雰囲気下にテト
ラヒドロフランの還流温度約65℃で１時間加熱し、得ら
れた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させることによ
り、塩化白金系触媒を製造した。
実施例１ 還流冷却管、撹拌機、温度計、ガス導入管を備えた３
つの口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエト
キシシラン3.7gr（0.022モル）および触媒として参考例
１の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、
反応温度25℃にした。この反応系に、ガス導入管よりア
セチレン10cc/minの速度で約1.5時間反応系に吹き込ん
だ。
つの口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエト
キシシラン3.7gr（0.022モル）および触媒として参考例
１の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、
反応温度25℃にした。この反応系に、ガス導入管よりア
セチレン10cc/minの速度で約1.5時間反応系に吹き込ん
だ。
反応終了後、ガスクロマトグラフ（以下GCという）で
分析したところ、トリエトキシシランの転化率は100％
であり、ビニルトリエトキシシランが95モル％、ビス
（トリエトキシシリル）エタンが５モル％の選択率で得
られたことがわかった。トリエトキシシランの不均化反
応によって生成するテトラエトキシランは検出されなか
った。
分析したところ、トリエトキシシランの転化率は100％
であり、ビニルトリエトキシシランが95モル％、ビス
（トリエトキシシリル）エタンが５モル％の選択率で得
られたことがわかった。トリエトキシシランの不均化反
応によって生成するテトラエトキシランは検出されなか
った。
実施例２ 還流冷却管、撹拌機、温度計、ガス導入管を備えた４
つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエトキ
シシラン3.7gr（0.022モル）および触媒として参考例１
の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、反
応温度25℃にした。この反応系にガス導入管によりアセ
チレンを0.2Kg/cm2Gの圧力で反応器を加圧し、この圧力
を1.5時間保持した。
つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエトキ
シシラン3.7gr（0.022モル）および触媒として参考例１
の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、反
応温度25℃にした。この反応系にガス導入管によりアセ
チレンを0.2Kg/cm2Gの圧力で反応器を加圧し、この圧力
を1.5時間保持した。
反応終了後、GCで分析したところ、トリエトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が96モル％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが４モ
ル％の選択率で得られたことがわかった。テトラエトキ
シシランは検出されなかった。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が96モル％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが４モ
ル％の選択率で得られたことがわかった。テトラエトキ
シシランは検出されなかった。
実施例３ 還流冷却管、撹拌機、温度計、ガス導入管を備えた３
つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、触媒として
参考例１の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）
加え、反応温度を25℃にした。ガス導入管よりアセチレ
ンを10cc/minの速度で吹き込みながら、トリメトキシシ
ラン2.7gr（0.022モル）を約30分で滴下した。滴下後約
１時間アセチレンを反応系に吹き込んだ。
つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、触媒として
参考例１の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）
加え、反応温度を25℃にした。ガス導入管よりアセチレ
ンを10cc/minの速度で吹き込みながら、トリメトキシシ
ラン2.7gr（0.022モル）を約30分で滴下した。滴下後約
１時間アセチレンを反応系に吹き込んだ。
反応終了後、GCで分析したところ、トリメトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリメトキシシラン
が95モル％、ビス（トリメトキシシリル）エタンが５モ
ル％の選択率で得られたことがわかった。テトラメトキ
シシランは検出されなかった。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリメトキシシラン
が95モル％、ビス（トリメトキシシリル）エタンが５モ
ル％の選択率で得られたことがわかった。テトラメトキ
シシランは検出されなかった。
実施例４ 還流冷却管、撹拌機、温度計、ガス導入管を備えた４
つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、触媒として
参考例１の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）
加え、反応温度を25℃にした。ガス導入管よりアセチレ
ンを0.2Kg/cm2Gの圧力で反応器を加圧した。アセチレン
の圧力下に、トリメトキシシラン2.7gr（0.022モル）を
約30分で滴下した。滴下後この圧力を１時間保持した。
つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、触媒として
参考例１の触媒Ａを1cc（白金として10-5モルに相当）
加え、反応温度を25℃にした。ガス導入管よりアセチレ
ンを0.2Kg/cm2Gの圧力で反応器を加圧した。アセチレン
の圧力下に、トリメトキシシラン2.7gr（0.022モル）を
約30分で滴下した。滴下後この圧力を１時間保持した。
反応終了後、GCで分析したところ、トリメトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリメトキシシラン
が95モル％、ビス（トリメトキシシリル）エタンが５モ
ル％の選択率で得られたことがわかった。テトラメトキ
シシランは検出されなかった。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリメトキシシラン
が95モル％、ビス（トリメトキシシリル）エタンが５モ
ル％の選択率で得られたことがわかった。テトラメトキ
シシランは検出されなかった。
比較例１ 触媒として塩化白金（IV）酸のイソプロピルアルコー
ル溶液を白金として10-5モルに相当する量を用いた以外
は実施例１と同じ条件で行なった。
ル溶液を白金として10-5モルに相当する量を用いた以外
は実施例１と同じ条件で行なった。
反応終了後、GCで分析したところ、トリエトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が74％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが10％、テ
トラエトキシシランが10％の収率（トリエトキシシラン
基準）で得られたことがわかった。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が74％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが10％、テ
トラエトキシシランが10％の収率（トリエトキシシラン
基準）で得られたことがわかった。
比較例２ 触媒として塩化白金（IV）酸のイソプロピルアルコー
ル溶液を白金として10-5モルに相当する量を用いた以外
は実施例３と同じ条件で行なった。
ル溶液を白金として10-5モルに相当する量を用いた以外
は実施例３と同じ条件で行なった。
反応終了後、GCで分析したところ、トリメトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリメトキシシラン
が74％、ビス（トリメトキシシリル）エタンが10％、テ
トラメトキシシランが10％の収率（トリメトキシシラン
基準）で得られたことがわかった。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリメトキシシラン
が74％、ビス（トリメトキシシリル）エタンが10％、テ
トラメトキシシランが10％の収率（トリメトキシシラン
基準）で得られたことがわかった。
実施例５ 反応を60℃で行なった以外は実施例１と同じ条件で行
なった。
なった。
反応終了後、GCで分析したところ、ビニルトリエトキ
シシランが63％であり、ビス（トリエトキシシリル）エ
タンが21％、テトラエトキシシランが８％の収率（トリ
エトキシシラン基準）で得られたことがわかった。
シシランが63％であり、ビス（トリエトキシシリル）エ
タンが21％、テトラエトキシシランが８％の収率（トリ
エトキシシラン基準）で得られたことがわかった。
参考例２ 触媒の調製（Ｂ） 還流冷却管、撹はん棒、温度計を備えた３つ口フラス
コに塩化白金（IV）酸１グラムを入れ、さらにγ−ブチ
ロラクトン200mlを加え、窒素下に100℃で１時間加熱
し、得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させるこ
とにより、塩化白金系触媒を製造した。（触媒Ｂ） 参考例３ 触媒の調製（Ｃ） 還流冷却管、撹はん棒、温度計を備えた３つ口フラス
コに塩化白金（IV）酸１グラムを入れ、さらにｎ−ブチ
ルエーテル200mlを加え、窒素下に100℃で１時間加熱
し、得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させるこ
とにより、塩化白金系触媒を製造した。（触媒Ｃ） 実施例６ 還流冷却管、撹はん機、温度計、ガス導入管を備えた
４つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエト
キシシラン3.7gr（0.022モル）、触媒として参考例２の
触媒Ｂを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、反応
温度を25℃にした。この反応系に、ガス導入管よりアセ
チレンを0.2Kg/cm2（ゲージ）の圧力で反応器を加圧し
た。この圧力を1.5時間保持した。
コに塩化白金（IV）酸１グラムを入れ、さらにγ−ブチ
ロラクトン200mlを加え、窒素下に100℃で１時間加熱
し、得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させるこ
とにより、塩化白金系触媒を製造した。（触媒Ｂ） 参考例３ 触媒の調製（Ｃ） 還流冷却管、撹はん棒、温度計を備えた３つ口フラス
コに塩化白金（IV）酸１グラムを入れ、さらにｎ−ブチ
ルエーテル200mlを加え、窒素下に100℃で１時間加熱
し、得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させるこ
とにより、塩化白金系触媒を製造した。（触媒Ｃ） 実施例６ 還流冷却管、撹はん機、温度計、ガス導入管を備えた
４つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエト
キシシラン3.7gr（0.022モル）、触媒として参考例２の
触媒Ｂを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、反応
温度を25℃にした。この反応系に、ガス導入管よりアセ
チレンを0.2Kg/cm2（ゲージ）の圧力で反応器を加圧し
た。この圧力を1.5時間保持した。
反応終了後、GCで分析したところ、トリエトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が95モル％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが５モ
ル％の選択率で得られた。トリエトキシシランの不均化
反応によって生成するテトラエトキシシランは検出され
なかった。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が95モル％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが５モ
ル％の選択率で得られた。トリエトキシシランの不均化
反応によって生成するテトラエトキシシランは検出され
なかった。
実施例７ 還流冷却管、撹はん機、温度計、ガス導入管を備えた
４つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエト
キシシラン3.7gr（0.022モル）、触媒として参考例３の
触媒Ｃを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、反応
温度を25℃にした。この反応系に、ガス導入管よりアセ
チレンを0.2Kg/cm2（ゲージ）の圧力で反応器を加圧し
た。この圧力を1.5時間保持した。
４つ口フラスコに、溶媒としてキシレン30ml、トリエト
キシシラン3.7gr（0.022モル）、触媒として参考例３の
触媒Ｃを1cc（白金として10-5モルに相当）加え、反応
温度を25℃にした。この反応系に、ガス導入管よりアセ
チレンを0.2Kg/cm2（ゲージ）の圧力で反応器を加圧し
た。この圧力を1.5時間保持した。
反応終了後、GCで分析したところ、トリエトキシシラ
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が91モル％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが５モ
ル％、テトラエトキシシランが２モル％の選択率で得ら
れた。
ンの転化率は100％であり、ビニルトリエトキシシラン
が91モル％、ビス（トリエトキシシリル）エタンが５モ
ル％、テトラエトキシシランが２モル％の選択率で得ら
れた。
Claims (1)
- 【請求項１】Si−Ｈ結合を有するヒドロシラン類とアセ
チレンとを反応させてビニルシラン類を製造するに際し
て、触媒として、塩化白金酸を炭素数３以上のエーテル
類またはエステル類に溶解させ、得られた溶液を50〜12
0℃で加熱して調製された塩化白金系触媒を用いた反応
を０〜100℃で行なうことを特徴とする、ビニルシラン
類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62238231A JP2585295B2 (ja) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | ビニルシラン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62238231A JP2585295B2 (ja) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | ビニルシラン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6483089A JPS6483089A (en) | 1989-03-28 |
| JP2585295B2 true JP2585295B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17027097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62238231A Expired - Lifetime JP2585295B2 (ja) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | ビニルシラン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585295B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0791307B2 (ja) * | 1990-06-07 | 1995-10-04 | 信越化学工業株式会社 | シクロペンチルトリクロロシランの製造方法 |
| US5041595A (en) * | 1990-09-26 | 1991-08-20 | Union Carbide Chemicals And Plastics Technology Corporation | Method for manufacturing vinylalkoxysilanes |
| JP5013060B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ヒドロシリル化触媒組成物及びその製造方法 |
| KR20240005105A (ko) * | 2019-02-08 | 2024-01-11 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 유기 화합물의 제조 방법 |
| CN114849756B (zh) * | 2022-05-23 | 2023-05-02 | 衢州学院 | 一种用于合成乙烯基三氯硅烷的催化剂及其制备方法、使用方法和应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4579965A (en) * | 1985-01-24 | 1986-04-01 | Union Carbide Corporation | Process for preparing vinyl-tri-(tertiary substituted) alkoxysilanes |
-
1987
- 1987-09-22 JP JP62238231A patent/JP2585295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6483089A (en) | 1989-03-28 |
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