JPS63254759A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63254759A JPS63254759A JP62088691A JP8869187A JPS63254759A JP S63254759 A JPS63254759 A JP S63254759A JP 62088691 A JP62088691 A JP 62088691A JP 8869187 A JP8869187 A JP 8869187A JP S63254759 A JPS63254759 A JP S63254759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- lead frame
- semiconductor
- leads
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特にダイパッドを
排除した特定の形状のリードフレーム上にグイボンディ
ング接着剤を使用することなく半導体ペレットを固定し
うる特定構造のダイパッドテープを用いた半導体装置に
関するものである。
排除した特定の形状のリードフレーム上にグイボンディ
ング接着剤を使用することなく半導体ペレットを固定し
うる特定構造のダイパッドテープを用いた半導体装置に
関するものである。
従来の半導体装置は第１図および第２図に示すようなグ
イパッド１、リード２およびサポートパー３から構成さ
れるリードフレームのグイバンドの上に、第２図に示す
ようにグイボンディング接着層５を介して半導体ペレッ
ト４を載置し、該ペレット上に形成された電極７とリー
ドとを接続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂
８により一体化した構成を有する。
イパッド１、リード２およびサポートパー３から構成さ
れるリードフレームのグイバンドの上に、第２図に示す
ようにグイボンディング接着層５を介して半導体ペレッ
ト４を載置し、該ペレット上に形成された電極７とリー
ドとを接続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂
８により一体化した構成を有する。
この場合、リードフレームを構成するダイパッドは、多
種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対応
すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに付
随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされる。
種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対応
すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに付
随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされる。
このように多種多様の半導体ペレットに合わせてリード
フレームの設計変更をすることは、リードフレームの金
型を何種類も作製しなければならず金型の費用、強いて
はリードフレームが高価となって問題が多い。
フレームの設計変更をすることは、リードフレームの金
型を何種類も作製しなければならず金型の費用、強いて
はリードフレームが高価となって問題が多い。
又、半導体ペレットを固定するためのグイボンディング
接着剤は通常銀を成分とする導電性ペーストの状態にて
適用されるので半導体装置の組立上、その取扱い性ある
いはペースト自体の保存安定性に問題があった。
接着剤は通常銀を成分とする導電性ペーストの状態にて
適用されるので半導体装置の組立上、その取扱い性ある
いはペースト自体の保存安定性に問題があった。
又、ダイパッドの背面は封止樹脂との接着封止性が悪い
ために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部か
らの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面実
装する際のはんだ付は工程の加熱処理の際これがもとで
水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ易
く、さらに又、半導体ペレットとダイパッドの熱膨張率
の差によって生ずる応力により半導体ペレットや封止樹
脂にクランクが生ずるなどの問題を有する。
ために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部か
らの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面実
装する際のはんだ付は工程の加熱処理の際これがもとで
水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ易
く、さらに又、半導体ペレットとダイパッドの熱膨張率
の差によって生ずる応力により半導体ペレットや封止樹
脂にクランクが生ずるなどの問題を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、リー
ド数の同じ半導体装置のリードフレームの統一化をはか
り、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対応
すべく半導体装置を組立てる際の煩雑さを解消すると同
時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的と
するものである。
ド数の同じ半導体装置のリードフレームの統一化をはか
り、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対応
すべく半導体装置を組立てる際の煩雑さを解消すると同
時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的と
するものである。
本発明の概要はダイパッドの排除されたリードフレーム
および該リードフレームのリード先端を含んで覆う大き
さのダイパッドテープに搭載された半導体ペレットを封
止してなる半導体装置において、前記ダイパッドテープ
が支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレットを支
持体に固定するための第１の接着層と、他方の面に設け
た支持体をリードに固定するための第２の接着層とから
なる半導体装置である。
および該リードフレームのリード先端を含んで覆う大き
さのダイパッドテープに搭載された半導体ペレットを封
止してなる半導体装置において、前記ダイパッドテープ
が支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレットを支
持体に固定するための第１の接着層と、他方の面に設け
た支持体をリードに固定するための第２の接着層とから
なる半導体装置である。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図に示す断面図のとお
りで、ダイパッドテープの支持体ｌＯの上面の第１の接
着層１１には半導体ペレット４が直接接着して固定され
、−力支持体の下面の第２の接着層１２はリードフレー
ムのリード２の上に接着され、電極７とリード２とを接
続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８により
一体化した構成をなしている。なお９は空隙部である。
りで、ダイパッドテープの支持体ｌＯの上面の第１の接
着層１１には半導体ペレット４が直接接着して固定され
、−力支持体の下面の第２の接着層１２はリードフレー
ムのリード２の上に接着され、電極７とリード２とを接
続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８により
一体化した構成をなしている。なお９は空隙部である。
この場合、本発明の半導体装置の封止材料は樹脂による
封正に限定されるものではなく、例えばサーディツプタ
イプやサーパンクタイプによる封止であってもよい。
封正に限定されるものではなく、例えばサーディツプタ
イプやサーパンクタイプによる封止であってもよい。
なお本発明でいうダイパッドテープは第４図、第５図ま
たは第６図に示す如く、従来のダイパッドを排除した構
成を有するリードフレームに適用するもので、その空隙
部９の位置においてリード２の上に半導体ペレットの形
状、大きさに合わせて任意の寸法に作成されて接着載置
されるものである。
たは第６図に示す如く、従来のダイパッドを排除した構
成を有するリードフレームに適用するもので、その空隙
部９の位置においてリード２の上に半導体ペレットの形
状、大きさに合わせて任意の寸法に作成されて接着載置
されるものである。
なお図において２はリード、９は空隙部、１３は空隙部
に突出したリード、１４ａは広幅部、１４ｂは架橋部で
ある。
に突出したリード、１４ａは広幅部、１４ｂは架橋部で
ある。
以下本発明において用いられるダイパッドテープを構成
する材料について述べる。
する材料について述べる。
火路支持体の両面に用いられる接着剤について述べれば
、第１の接着層は半導体ペレ７）を支持体に固定するた
めのものであり第２の接着層は支持体をリードに固定す
るためのものであって、耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を５〜５０μｍ好ましくは２０〜３０μｍの塗
布厚となるように半硬化（Ｂステージ）の状態で塗布し
て形成される。
、第１の接着層は半導体ペレ７）を支持体に固定するた
めのものであり第２の接着層は支持体をリードに固定す
るためのものであって、耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を５〜５０μｍ好ましくは２０〜３０μｍの塗
布厚となるように半硬化（Ｂステージ）の状態で塗布し
て形成される。
この場合、実際の組立てに当っては、先にリード表面に
第２の接着層を以て熱硬化させながらテープを接着する
。ただしこの段階では第１の接着層は完全に硬化しない
ようにする。次にペレットを第１の接着層に接着せしめ
、第１．第２の接着層を同時に完全に硬化せしめる。従
って、第１の接着層の硬化温度は第２の接着層の硬化温
度より高い方が望ましい。
第２の接着層を以て熱硬化させながらテープを接着する
。ただしこの段階では第１の接着層は完全に硬化しない
ようにする。次にペレットを第１の接着層に接着せしめ
、第１．第２の接着層を同時に完全に硬化せしめる。従
って、第１の接着層の硬化温度は第２の接着層の硬化温
度より高い方が望ましい。
支持体は例えば厚さ１０〜１５０μｍ、好ましくは２５
〜７５μｍのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン
等の耐熱性フィルムや、エポキシ樹脂をガラスクロスに
含浸し、加熱硬化もしくは半硬化したエポキシガラスク
ロス、エポキシ・ポリイミド・ガラスクロス、ガラスク
ロスにビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）を
含浸させたＢＴレジンガラスクロス等の耐熱テープが用
いられる。
〜７５μｍのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン
等の耐熱性フィルムや、エポキシ樹脂をガラスクロスに
含浸し、加熱硬化もしくは半硬化したエポキシガラスク
ロス、エポキシ・ポリイミド・ガラスクロス、ガラスク
ロスにビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）を
含浸させたＢＴレジンガラスクロス等の耐熱テープが用
いられる。
実施例１゜
厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルム（「ユーピレッ
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に第１の
接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布厚が２０μ
ｍとなるように塗布乾燥した。
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に第１の
接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布厚が２０μ
ｍとなるように塗布乾燥した。
エポキシ樹脂（「エピコート１００１」油化シェルエポ
キシ社製） ８０％ＭＥＫ溶液 ・・・・・・・・・１２０重量
部ジシアンジアミド（和光純薬社製） ・・・・・・・・・ １０重量部 ポリアミド樹脂（ｒ＃６９００Ｊヘンケル白水社製）メ
タノール／トルエン（１：１）２０％溶液・・・・・・
・・・１００重量部 次に第２の接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布
厚が２０μｍとなるように塗布乾燥した。
キシ社製） ８０％ＭＥＫ溶液 ・・・・・・・・・１２０重量
部ジシアンジアミド（和光純薬社製） ・・・・・・・・・ １０重量部 ポリアミド樹脂（ｒ＃６９００Ｊヘンケル白水社製）メ
タノール／トルエン（１：１）２０％溶液・・・・・・
・・・１００重量部 次に第２の接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布
厚が２０μｍとなるように塗布乾燥した。
エポキシ樹脂
（ｒＥＯｃＮ−１０２Ｊ 、日本化薬社製）１００重量
部ポリエステル樹脂 （ｒＫＡ−１０３６Ｊ 、荒用化学社製）５０重量部イ
ミダゾール系硬化剤 （ｒ２ＰＺ Ｊ 、四国化成社製）１０重量部メチルエ
チルケトン １００重量部得られたダイパ
ッドテープを所望の大きさに切断して第５図（イ）に示
す形状の、鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜き加
工してなるリードフレームに第２の接着層により加熱接
着した後、順次第３図に示すような半導体装置を組立て
た。
部ポリエステル樹脂 （ｒＫＡ−１０３６Ｊ 、荒用化学社製）５０重量部イ
ミダゾール系硬化剤 （ｒ２ＰＺ Ｊ 、四国化成社製）１０重量部メチルエ
チルケトン １００重量部得られたダイパ
ッドテープを所望の大きさに切断して第５図（イ）に示
す形状の、鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜き加
工してなるリードフレームに第２の接着層により加熱接
着した後、順次第３図に示すような半導体装置を組立て
た。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
叉施聞１・
厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルム（「ユーピレソ
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に、第１
の接着層としてポリウレタン系樹脂（「チッソレックス
３７２」チッソ社製）のジメチルホルムアミド／メチル
エチルケトン＝２７１の４３％溶液７０重量部とフェノ
ール・ノボラック・エポキシ樹脂（ｒＥＰＰＮ−２０１
Ｊ 、日本化薬社製）のメチルエチルケト７２０％溶液
３０重量部との混合液を半硬化の状態になるよう１２０
℃５分間の加熱条件で乾燥後の塗布厚が４０μｍとなる
ように塗布し加熱乾燥した。
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に、第１
の接着層としてポリウレタン系樹脂（「チッソレックス
３７２」チッソ社製）のジメチルホルムアミド／メチル
エチルケトン＝２７１の４３％溶液７０重量部とフェノ
ール・ノボラック・エポキシ樹脂（ｒＥＰＰＮ−２０１
Ｊ 、日本化薬社製）のメチルエチルケト７２０％溶液
３０重量部との混合液を半硬化の状態になるよう１２０
℃５分間の加熱条件で乾燥後の塗布厚が４０μｍとなる
ように塗布し加熱乾燥した。
次に実施例１にて使用した第２の接着層を設けて本発明
のダイパッドテープを作成した。
のダイパッドテープを作成した。
得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断後第５
図（ロ）に示すリードフレームに接着層により加熱接着
した後、第３図に示す半導体装置を組立てた。
図（ロ）に示すリードフレームに接着層により加熱接着
した後、第３図に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーポンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーポンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
本発明は上記の構成よりなるのでダイパッドテープを半
導体ペレットの形状、寸法に合わせて任意に裁断してリ
ードフレームの半導体ペレット拝載部に供給することが
でき、ペレット、リードフレームの設計製作上効率化と
コストダウンに有効であり、又、ペースト状のグイボン
ディング接着剤が不要となるので装置の組立上作業性が
よい。
導体ペレットの形状、寸法に合わせて任意に裁断してリ
ードフレームの半導体ペレット拝載部に供給することが
でき、ペレット、リードフレームの設計製作上効率化と
コストダウンに有効であり、又、ペースト状のグイボン
ディング接着剤が不要となるので装置の組立上作業性が
よい。
又、グイパッドテープを構成する接着層と封止樹脂との
接着性が良好なので、急激な水分の膨張により封止樹脂
にクランクが発生する心配もなく、かつ半導体ペレット
とダイパッドテープ間の熱膨張率の差によって生ずる応
力が小さいので半導体ペレットのクランクの発生もなく
、さらに又、従来のリードフレームにあるようなリード
の先端とダイパッドとの間の隙間に相当するものがない
ので、モールド加工時にボンディングワイヤーが流れた
り、切れたりすることがない効果も期待でき極めて信顛
性の高い半導体装置を提供することができる。
接着性が良好なので、急激な水分の膨張により封止樹脂
にクランクが発生する心配もなく、かつ半導体ペレット
とダイパッドテープ間の熱膨張率の差によって生ずる応
力が小さいので半導体ペレットのクランクの発生もなく
、さらに又、従来のリードフレームにあるようなリード
の先端とダイパッドとの間の隙間に相当するものがない
ので、モールド加工時にボンディングワイヤーが流れた
り、切れたりすることがない効果も期待でき極めて信顛
性の高い半導体装置を提供することができる。
第１図、第２図は従来の半導体装置の一例を示す斜視図
および断面図、第３図は本発明の実施例を示す断面図、
第４図〜第６図は本発明で用いられるリードフレーム例
を示す正面図。 ２・・・リード、４・・・半導体ペレット、６・・・ボ
ンディングワイヤー、８・・・封止材料、９・・・空隙
部、１０・・・支持体、１１・・・第１の接着層、１２
・・・第２の接着層 代理人 弁理士 竹 内 ９ 第２図 婉５図 （イ） ｃ口）−〇
（Ｎ ｒ ｒ ｒ 隼６ （イ） 図 （ロ）
および断面図、第３図は本発明の実施例を示す断面図、
第４図〜第６図は本発明で用いられるリードフレーム例
を示す正面図。 ２・・・リード、４・・・半導体ペレット、６・・・ボ
ンディングワイヤー、８・・・封止材料、９・・・空隙
部、１０・・・支持体、１１・・・第１の接着層、１２
・・・第２の接着層 代理人 弁理士 竹 内 ９ 第２図 婉５図 （イ） ｃ口）−〇
（Ｎ ｒ ｒ ｒ 隼６ （イ） 図 （ロ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ダイパッドが排除されたリードフレームおよび該リ
ードフレームのリード先端を含んで覆う大きさを有する
ダイパッドテープに搭載された半導体ペレットを封止し
てなる半導体装置において、前記ダイパッドテープが支
持体と、その一方の面に設けた半導体ペレットを支持体
に固定するための第１の接着層と他方の面に設けた支持
体をリードに固定するための第２の接着層とから構成さ
れていることを特徴とする半導体装置。 ２）ダイパッドが排除されたリードフレームとして、リ
ードフレームを構成するリードのうち所望の本数のリー
ドがダイパッド空隙部に向かって突出し、かつ突出した
リードの先端部が他のリードに比べて広い面積に構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。 ３）ダイパッドが排除されたリードフレームとして、リ
ードフレームを構成するリードのうち所望の本数のリー
ドがダイパッド空隙部に向かって突出し、該突出したリ
ードの先端部が他のリードの先端部と互いに結合して架
橋部を形成していることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088691A JP2587632B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088691A JP2587632B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254759A true JPS63254759A (ja) | 1988-10-21 |
| JP2587632B2 JP2587632B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13949865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088691A Expired - Lifetime JP2587632B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587632B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148139A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783753U (ja) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | ||
| JPS5797659A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electronics Corp | Lead frame |
| JPS6068639A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6112095A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62088691A patent/JP2587632B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783753U (ja) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | ||
| JPS5797659A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electronics Corp | Lead frame |
| JPS6068639A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6112095A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148139A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2587632B2 (ja) | 1997-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02155256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS601849A (ja) | 電子部品の接続方法 | |
| JPS59181025A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001068486A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| WO1998057370A1 (en) | Flip-chip member, sheetlike sealing material, semiconductor device, and process for manufacturing the same | |
| US5153706A (en) | Lead frames for use in plastic mold type semiconductor devices | |
| JP2658967B2 (ja) | 電子パッケージ組立体用支持部材およびこれを用いた電子パッケージ組立体 | |
| JP2587632B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2998484B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP3295987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0661368A (ja) | フリップチップ型半導体装置 | |
| JP3482837B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02305013A (ja) | 弾性表面波素子の実装構造 | |
| JPS63216365A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0442921Y2 (ja) | ||
| JPH11204549A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63254758A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63310149A (ja) | 高集積化ｉｃ用パッケ−ジおよびその製造方法 | |
| JPS6095943A (ja) | プラグインパツケ−ジとその製造方法 | |
| JPS63181396A (ja) | 半導体の実装方法 | |
| JPH0582060B2 (ja) | ||
| JPS63249342A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63249340A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03256352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09246290A (ja) | 半導体装置 |