JP2636623B2 - 光パッケージ - Google Patents
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- JP2636623B2 JP2636623B2 JP4061470A JP6147092A JP2636623B2 JP 2636623 B2 JP2636623 B2 JP 2636623B2 JP 4061470 A JP4061470 A JP 4061470A JP 6147092 A JP6147092 A JP 6147092A JP 2636623 B2 JP2636623 B2 JP 2636623B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業状の利用分野】本発明は高速レーザパッケージに
係わり、特にハイブリッド金属セラミック構成体を用い
るパッケージに関する。
係わり、特にハイブリッド金属セラミック構成体を用い
るパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信分野では常にレーザ系トランスミ
ッタ動作の高速化の要求がある。多ギガビット動作の追
求から従来のレーザパッケージの性能に高い要求が加え
られた。特に、従来の電気コンタクトでは非常に大きい
浮遊直列インダクタンスが生ずることから、入力データ
信号をレーザに結合するのに問題がある。周知のように
インダクタンスは結合の帯域幅を減少するように働き、
その結果、それに加えられる信号のデータ速度を制限し
てしまう。
ッタ動作の高速化の要求がある。多ギガビット動作の追
求から従来のレーザパッケージの性能に高い要求が加え
られた。特に、従来の電気コンタクトでは非常に大きい
浮遊直列インダクタンスが生ずることから、入力データ
信号をレーザに結合するのに問題がある。周知のように
インダクタンスは結合の帯域幅を減少するように働き、
その結果、それに加えられる信号のデータ速度を制限し
てしまう。
【０００３】数ＧＨｚ高周波相互結合が望ましいアナロ
グおよびディジタルの用途分野がある。米国特許第４、
８７３、５６６号（１９８９年１０月１０日発行）は、
信号ソースとレーザの相互結合に多層セラミック（ＭＬ
Ｃ）構造体を使用するレーザパッケージの改良構成体を
開示している。この構成体ではセラミックパッケージの
壁部内に形成された多層マイクロ波伝送ラインが高速相
互結合を行うのに用いられている。
グおよびディジタルの用途分野がある。米国特許第４、
８７３、５６６号（１９８９年１０月１０日発行）は、
信号ソースとレーザの相互結合に多層セラミック（ＭＬ
Ｃ）構造体を使用するレーザパッケージの改良構成体を
開示している。この構成体ではセラミックパッケージの
壁部内に形成された多層マイクロ波伝送ラインが高速相
互結合を行うのに用いられている。
【０００４】このようなパッケージでは、伝送ラインを
形成するのにリード線群を用い、複数の伝送ラインを単
一パッケージの一部として形成できる。マイクロ波伝送
構造体を有するこのようなセラミックパッケージを用い
ると、１Ｇｂ／ｓを超えるデータ速度の動作ができるこ
とが分かった。しかし、多くのトランスミッタおよび／
またはシステムのデザインにはもっと従来の金属パッケ
ージデザインの使用が必要である。
形成するのにリード線群を用い、複数の伝送ラインを単
一パッケージの一部として形成できる。マイクロ波伝送
構造体を有するこのようなセラミックパッケージを用い
ると、１Ｇｂ／ｓを超えるデータ速度の動作ができるこ
とが分かった。しかし、多くのトランスミッタおよび／
またはシステムのデザインにはもっと従来の金属パッケ
ージデザインの使用が必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来の技術で
は信号ソースとパッケージのレーザとの間に現在使用中
のパッケージや応用の方法とコンパチブルであり、かつ
高速動作を支えるのに必要な帯域幅を与える結合方法を
提供することである。
は信号ソースとパッケージのレーザとの間に現在使用中
のパッケージや応用の方法とコンパチブルであり、かつ
高速動作を支えるのに必要な帯域幅を与える結合方法を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】従来技術におけるこの要
求は、高速レーザパッケージに係わり、特にハイブリッ
ド金属セラミック構成体を用いるパッケージに関する本
発明で解決できるものである。本発明の一実施例では、
金属パッケージ体にはその側壁を通り設けられた多層セ
ラミック（ＭＬＣ）インサートが配置され、このＭＬＣ
インサートを用いて外部信号ソースとレーザダイオード
との間のマイクロストリップ伝送ラインの相互結合を行
う。
求は、高速レーザパッケージに係わり、特にハイブリッ
ド金属セラミック構成体を用いるパッケージに関する本
発明で解決できるものである。本発明の一実施例では、
金属パッケージ体にはその側壁を通り設けられた多層セ
ラミック（ＭＬＣ）インサートが配置され、このＭＬＣ
インサートを用いて外部信号ソースとレーザダイオード
との間のマイクロストリップ伝送ラインの相互結合を行
う。
【０００７】マイクロストリップ伝送ラインを金属周辺
部材（例えばパッケージ壁）と組合わせると共振キャビ
ティが形成される。そして、この共振キャビティにエネ
ルギーが加えられると、キャビティ等価回路の共振周波
数において、信号ソースとレーザとの結合が減損され
る。そこで、本発明のパッケージの実施例では、短絡手
段（例えば導電路）が設けられている。
部材（例えばパッケージ壁）と組合わせると共振キャビ
ティが形成される。そして、この共振キャビティにエネ
ルギーが加えられると、キャビティ等価回路の共振周波
数において、信号ソースとレーザとの結合が減損され
る。そこで、本発明のパッケージの実施例では、短絡手
段（例えば導電路）が設けられている。
【０００８】この短絡手段は、ＭＬＣインサートの厚み
部を通り形成され、金属パッケージ壁にいずれか一端で
結合されている。この導電路は、共振電場に対する境界
線としての役目をし、レーザパッケージの所望帯域幅を
超えて等価回路の共振周波数を実質的に増加するように
機能するものである。
部を通り形成され、金属パッケージ壁にいずれか一端で
結合されている。この導電路は、共振電場に対する境界
線としての役目をし、レーザパッケージの所望帯域幅を
超えて等価回路の共振周波数を実質的に増加するように
機能するものである。
【０００９】
【実施例】図１は本発明により形成されたレーザ系光パ
ッケージ例１０を示す。これには金属パッケージシェル
１２とパッケージ１０の側壁１６を通り図示のように設
けられた多層セラミック（ＭＬＣ）インサート１４があ
る。パッケージシェル１２はコバール（Ｋｏｖａｒ（登
録商標）、鉄とニッケルとコバルトの結合体の商標）ま
たはいずれか他の適当な、加工により気密性のあるパッ
ケージに形成できる金属材料から作成される。
ッケージ例１０を示す。これには金属パッケージシェル
１２とパッケージ１０の側壁１６を通り図示のように設
けられた多層セラミック（ＭＬＣ）インサート１４があ
る。パッケージシェル１２はコバール（Ｋｏｖａｒ（登
録商標）、鉄とニッケルとコバルトの結合体の商標）ま
たはいずれか他の適当な、加工により気密性のあるパッ
ケージに形成できる金属材料から作成される。
【００１０】ＭＬＣインサート１４は、誘電体材料（例
えば、アルミナ）の別々のシートから形成された積層構
造体から構成され、それらは焼成されて最終の構造体と
なる。複数のリード線１８は、ＭＬＣインサート１４の
構造体内のいろんな場所に形成された同数の別々の金属
貫通接続２０に結合されている。本発明のハイブリッド
金属セラミックパッケージの形成方法を次に説明する。
えば、アルミナ）の別々のシートから形成された積層構
造体から構成され、それらは焼成されて最終の構造体と
なる。複数のリード線１８は、ＭＬＣインサート１４の
構造体内のいろんな場所に形成された同数の別々の金属
貫通接続２０に結合されている。本発明のハイブリッド
金属セラミックパッケージの形成方法を次に説明する。
【００１１】パッケージの両側壁を通り設けられた対の
ＭＬＣインサート１４を有し、各インサートが多数の貫
通接続を有するように形成される。ＭＬＣインサート１
４はマイクロストリップ相互結合２２を有し、これは第
１の（正電極）結合２４と第２の（接地）結合２６を有
し、第１の結合２４は第２の結合２６から少なくとも１
つのセラミック層２８の幅だけ離れている。
ＭＬＣインサート１４を有し、各インサートが多数の貫
通接続を有するように形成される。ＭＬＣインサート１
４はマイクロストリップ相互結合２２を有し、これは第
１の（正電極）結合２４と第２の（接地）結合２６を有
し、第１の結合２４は第２の結合２６から少なくとも１
つのセラミック層２８の幅だけ離れている。
【００１２】第２の結合２６は、図示のように、第１の
リード線３０、第２のリード線３２および金属部材３４
を有し、金属部材３４は第１のリード線３０と第２のリ
ード線３２の下に配置される。特に金属部材３４はリー
ド線３０、３２に近接してインサート１４の全幅ｗにゆ
きわたるように形成される。マイクロストリップ２２の
ような構造体の性能は、前掲の米国特許第４、８７３、
５６６号に詳述されている。
リード線３０、第２のリード線３２および金属部材３４
を有し、金属部材３４は第１のリード線３０と第２のリ
ード線３２の下に配置される。特に金属部材３４はリー
ド線３０、３２に近接してインサート１４の全幅ｗにゆ
きわたるように形成される。マイクロストリップ２２の
ような構造体の性能は、前掲の米国特許第４、８７３、
５６６号に詳述されている。
【００１３】一般に、マイクロストリップ２２は、パッ
ケージ１０内に配置のレーザダイオード（図示せず）と
外部信号ソース３６の間の高周波相互結合を与えるのに
用いられる。インサート１４（マイクロストリップ２２
を含め）と周囲のパッケージ壁１６の結合から、外部ソ
ース３６からの信号でエネルギーが加えられると、特定
周波数の電場を生ずる共振回路が形成される。
ケージ１０内に配置のレーザダイオード（図示せず）と
外部信号ソース３６の間の高周波相互結合を与えるのに
用いられる。インサート１４（マイクロストリップ２２
を含め）と周囲のパッケージ壁１６の結合から、外部ソ
ース３６からの信号でエネルギーが加えられると、特定
周波数の電場を生ずる共振回路が形成される。
【００１４】この共振回路は、インサート１４の電場長
さｌに沿って半波長変動を有するもので、そこにおいて
等価回路が共振するものであるが、それからパッケージ
壁１６まわりに電流が循環する。この共振の存在によ
り、外部ソース３６から金属パッケージ構造体にエネル
ギーが送られ、このためにこのエネルギーは結合された
レーザから離れる。
さｌに沿って半波長変動を有するもので、そこにおいて
等価回路が共振するものであるが、それからパッケージ
壁１６まわりに電流が循環する。この共振の存在によ
り、外部ソース３６から金属パッケージ構造体にエネル
ギーが送られ、このためにこのエネルギーは結合された
レーザから離れる。
【００１５】従って、共振周波数において、レーザの光
出力が大きく減少する。いくつかのこのような共振周波
数が、パッケージの物理的デザインとそこに含まれる様
々の浮遊な誘導分と容量分のコンポーネントの結合の結
果発生する。この共振回路の存在に関する問題を克服す
るために、本発明のパッケージのＭＬＣインサート１４
には、少なくとも１つの（好ましくは複数の）短絡部材
４０（例えば導電路）があり、これはインサート１４の
長さｌに沿って配置されている。
出力が大きく減少する。いくつかのこのような共振周波
数が、パッケージの物理的デザインとそこに含まれる様
々の浮遊な誘導分と容量分のコンポーネントの結合の結
果発生する。この共振回路の存在に関する問題を克服す
るために、本発明のパッケージのＭＬＣインサート１４
には、少なくとも１つの（好ましくは複数の）短絡部材
４０（例えば導電路）があり、これはインサート１４の
長さｌに沿って配置されている。
【００１６】図２は、図１のパッケージ１０の切取断面
図で、特にインサート１４の長さｌに沿って複数の短絡
導電路４０が含まれていることを示す。この短絡導電路
４０は電場を終結する部材として機能し、共振周波数を
増加するように長さｌに沿ってその周期を変える。特
に、共振周波数がマイクロストリップ２２の動作に必要
な帯域幅を超え移動するように十分な数の短絡導電路４
０が用いられる。
図で、特にインサート１４の長さｌに沿って複数の短絡
導電路４０が含まれていることを示す。この短絡導電路
４０は電場を終結する部材として機能し、共振周波数を
増加するように長さｌに沿ってその周期を変える。特
に、共振周波数がマイクロストリップ２２の動作に必要
な帯域幅を超え移動するように十分な数の短絡導電路４
０が用いられる。
【００１７】従って、外部ソース３６からのＧＨｚ範囲
の信号は、マイクロストリップ２２を通り、パッケージ
等価回路に転ずることなくレーザに結合される。このよ
うに、レーザへのパワーは所望のパッケージ帯域幅にわ
たり加えられた入力信号をそのまま表わしている。図３
ないし５は、短絡導電路４０の動作を説明する略図であ
る。図３は、図２の配置の側面略図で、セラミックイン
サート１４と周囲の金属パッケージ壁１６のみを示すも
のである。
の信号は、マイクロストリップ２２を通り、パッケージ
等価回路に転ずることなくレーザに結合される。このよ
うに、レーザへのパワーは所望のパッケージ帯域幅にわ
たり加えられた入力信号をそのまま表わしている。図３
ないし５は、短絡導電路４０の動作を説明する略図であ
る。図３は、図２の配置の側面略図で、セラミックイン
サート１４と周囲の金属パッケージ壁１６のみを示すも
のである。
【００１８】導電路を加えない場合、電場Ｅは図示のよ
うに形成され、インサート１４の末端部４２、４４に境
界線（電場がゼロ値を有するところ）がある。レーザパ
ッケージ形成に必要な従来の材料や寸法を用いた場合、
エネルギーが加えられると、高速動作に要する所望の帯
域幅（例えば３ないし４ＧＨｚ）内で約１．５ＧＨｚの
周波数を有する電場（図示）を形成する。
うに形成され、インサート１４の末端部４２、４４に境
界線（電場がゼロ値を有するところ）がある。レーザパ
ッケージ形成に必要な従来の材料や寸法を用いた場合、
エネルギーが加えられると、高速動作に要する所望の帯
域幅（例えば３ないし４ＧＨｚ）内で約１．５ＧＨｚの
周波数を有する電場（図示）を形成する。
【００１９】この周波数における共振が存在することに
より、前述のように、レーザに加えられるエネルギーを
大きく減少するように働く。その代わりに、ハイブリッ
ド金属セラミックパッケージ壁により形成された共振構
造体にそのエネルギーを転ずる。図４に示すように短路
導電路４６を１つ加えると、電場がゼロ値でなければな
らない個所をインサート１４内に１つ加えることにな
る。
より、前述のように、レーザに加えられるエネルギーを
大きく減少するように働く。その代わりに、ハイブリッ
ド金属セラミックパッケージ壁により形成された共振構
造体にそのエネルギーを転ずる。図４に示すように短路
導電路４６を１つ加えると、電場がゼロ値でなければな
らない個所をインサート１４内に１つ加えることにな
る。
【００２０】従って、電場境界線を１っ加えると、回路
の共振周波数は２倍になる。いくつかの目的に対しては
この２倍にする場合で十分である。本発明の好ましい実
施例では次の理由から複数のこのような短路導電路が用
いられる。それは加える導電路がほとんどの高速用途に
必要な帯域幅を超えて等価回路の共振周波数を３倍や４
倍などにするように働くからである。
の共振周波数は２倍になる。いくつかの目的に対しては
この２倍にする場合で十分である。本発明の好ましい実
施例では次の理由から複数のこのような短路導電路が用
いられる。それは加える導電路がほとんどの高速用途に
必要な帯域幅を超えて等価回路の共振周波数を３倍や４
倍などにするように働くからである。
【００２１】図５は、図１と図２に説明のようなパッケ
ージの種々のリード線の間に設けられた４つの短絡導電
路が集合している配置例を示す図である。特に、短絡導
電路４８、５０、５２の第１のグループは、それぞれリ
ード線の各対の間に電場境界線を形成するように、リー
ド線５４、５６、５８の第１の組との間に配置される。
最後の短絡導電路６０は、マイクロストリップ結合２２
と最後のリード線６２との間に配置される。
ージの種々のリード線の間に設けられた４つの短絡導電
路が集合している配置例を示す図である。特に、短絡導
電路４８、５０、５２の第１のグループは、それぞれリ
ード線の各対の間に電場境界線を形成するように、リー
ド線５４、５６、５８の第１の組との間に配置される。
最後の短絡導電路６０は、マイクロストリップ結合２２
と最後のリード線６２との間に配置される。
【００２２】グラウンド（接地）面３４が壁１６により
形成されるパッケージグラウンドより異なる電位に保持
されるような応用例では、マイクロストリップ結合２２
内に短絡導電路を有することは不都合である。しかし、
一般に接地が問題とならない場合には、短絡導電路を、
リード線の間に置かれマイクロストリップ結合を形成す
るリード間に形成可能である。
形成されるパッケージグラウンドより異なる電位に保持
されるような応用例では、マイクロストリップ結合２２
内に短絡導電路を有することは不都合である。しかし、
一般に接地が問題とならない場合には、短絡導電路を、
リード線の間に置かれマイクロストリップ結合を形成す
るリード間に形成可能である。
【００２３】本発明の金属セラミックパッケージの製作
では短絡導電路は、セラミック焼成やインサートの形成
に先だって、セラミック材料の大きい積層シートに打ち
抜かれた孔にタングステン材料がペーストの形で挿入さ
れる。パッケージ壁に取り付けられるＭＬＣインサート
の周囲は、インサートがパッケージ側壁にろう付けされ
て気密性シールを形成するように金属化される。
では短絡導電路は、セラミック焼成やインサートの形成
に先だって、セラミック材料の大きい積層シートに打ち
抜かれた孔にタングステン材料がペーストの形で挿入さ
れる。パッケージ壁に取り付けられるＭＬＣインサート
の周囲は、インサートがパッケージ側壁にろう付けされ
て気密性シールを形成するように金属化される。
【００２４】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変化例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。尚、特許請求の範囲に記載した参
照番号は発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲
を制限するよう解釈されるべきではない。
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変化例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。尚、特許請求の範囲に記載した参
照番号は発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲
を制限するよう解釈されるべきではない。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の光パッケー
ジにより現在のパッケージや応用の方法とコンパチブル
であり、かつ高速動作を支えるのに必要な帯域幅を与え
ることのできる信号ソースとレーザとの間の有用な結合
方法を提供することができる。
ジにより現在のパッケージや応用の方法とコンパチブル
であり、かつ高速動作を支えるのに必要な帯域幅を与え
ることのできる信号ソースとレーザとの間の有用な結合
方法を提供することができる。
【図１】本発明により形成されたレーザパッケージ例を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１のパッケージの側壁の透視切取図である。
【図３】セラミックインサート内の電場パターンに及ぼ
す短絡導電路の影響を示す透視断面略図である。
す短絡導電路の影響を示す透視断面略図である。
【図４】セラミックインサート内の電場パターンに及ぼ
す短絡導電路の影響を示す透視断面略図である。
す短絡導電路の影響を示す透視断面略図である。
【図５】セラミックインサート内の電場パターンに及ぼ
す短絡導電路の影響を示す透視断面略図である。
す短絡導電路の影響を示す透視断面略図である。
１０ 光パッケージ １２ パッケージシェル（金属体） １４ 多層セラミック（ＭＬＣ）インサート １６ 側壁 １８ リード線 ２０ 貫通接続 ２２ マイクロストリップ（相互結合） ２４ （第１の）（ポジティブ）結合 ２６ （第２の）（グラウンド）結合 ２８ セラミック層 ３０ （第１の）リード線 ３２ （第２の）リード線 ３４ 金属部材 ３６ 信号ソース ４０ 短絡部材（短絡導電路） ４２ （インサートの）末端 ４４ （インサートの）末端 ４６ 短絡導電路 ４８ 短絡導電路 ５０ 短絡導電路 ５２ 短絡導電路 ５４ リード線 ５６ リード線 ５８ リード線 ６０ 短絡導電路 ６２ リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パ−マ− ダニエル スメルツ ジュニ ア アメリカ合衆国 19522 ペンシルバニ ア フリ−トウッド、ボックス 342、 ア−ル ディ− ３ (56)参考文献 特開 昭58−54661（ＪＰ，Ａ) 米国特許4873566（ＵＳ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 内部に光デバイスを収納する金属体（１
２）と、 前記金属体（１２）の側壁（１６）を貫通して設けら
れ、外部信号ソース（３６）ら前記光デバイスに高周波
信号を伝送する複数の信号線（１８，２６，３０,３
２）からなるマイクロストリップ伝送ライン（２２）を
具備する多層セラミックインサート（１４）とを有する
光パッケージにおいて、前記光 パッケージ内に存在する電場を分割するために、
前記金属体（１２）により形成された空間内に配置さ
れ、前記金属体（１２）に電気的に結合された導電性短
絡手段（４０）を前記空間を複数の小空間に分割するよ
うに配置したことを特徴とする光パッケージ。 - 【請求項２】 前記光パッケージは、さらに前記側壁
（１６）を貫通して設けられた第２の多層セラミックイ
ンサートを有することを特徴とする請求項１に記載の光
パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/657,019 US5221860A (en) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | High speed laser package |
| US657019 | 1991-02-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169107A JPH06169107A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2636623B2 true JP2636623B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=24635519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4061470A Expired - Lifetime JP2636623B2 (ja) | 1991-02-19 | 1992-02-17 | 光パッケージ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5221860A (ja) |
| EP (1) | EP0500240B1 (ja) |
| JP (1) | JP2636623B2 (ja) |
| DE (1) | DE69211725T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5434358A (en) * | 1993-12-13 | 1995-07-18 | E-Systems, Inc. | High density hermetic electrical feedthroughs |
| US5482455A (en) * | 1994-10-11 | 1996-01-09 | Salter; Robert F. | Hand-held electrically powered flame producer using disposable flamestrips |
| US6325551B1 (en) | 1999-12-08 | 2001-12-04 | New Focus, Inc. | Method and apparatus for optically aligning optical fibers with optical devices |
| US6632029B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-14 | New Focus, Inc. | Method & apparatus for packaging high frequency components |
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