JPS6189651A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超高周波回路あるいは高速ディジタル回路に
用いられる半導体装置に係り、特に半導体装ｉに設けら
れた外部との接続用のストリップト ラインを他の同−型の牛得体装置のスイリップ・ライン
に突き合わせて相互接ム１が９餌なパッケージ構造の改
良に関し、同−型のパッケージとの接続等において、電
気的接続が位置ずれすることなく良好になされ、優れた
特性の得られるパッケージ構造を得ようとするものであ
る。

〔従来の技術〕

本出願人は、既に２乃至３０ＧＨｚのような超高周波で
使用することができるパッケージとして第５図の斜視図
のパッケージを提案している（ｑ！ｊ願昭 ＃５７−７３０８０号）。

第５図で、１は電気端子部、２は例えば銅からなる金属
ベース、３は金属ベース２の金属匡体部２Ａ９１１１壁
に設けられた貫通口、４はリード片である０ 電気端子部１は第６図の斜視図に示すように、例えばア
ルミナ等のセラミックからなる絶縁物基体５上に、例え
ばタングステンからなるストリップ・ライン６が印刷配
碧され、七のス）　ＩＪツブ・　　　。

ライン６の中程を〜うように例えばアルミナ等のセラミ
ックからなる絶縁物駒体７が焼結されているＯ また、ストリップ・ライン６は金（Ａｕ　）でメッキさ
れ、電気端子部１の側面、賎面、駒よ７の丘面にはメタ
ライズ膜が形成されている。この４気端子部１が第５図
及び同図のｙ−ｙ’根における断面図である＠７図の如
く貫通口３に嵌挿され、ろう付けされていて、必要に応
じて外部回路との接続用のリード片４が電気端子部１の
ストｌ）ツブ・ライン上に融着されている。このような
構造は次の如き利点を有する。

第５図のように国体部２Ａが金属の場合でなくセラミッ
ク等の絶縁物からなる場合には、蓋体全接着するために
国体部上面にメタライズ膜を形成するが、形成された枠
状のメタライズ膜は高周波帯域において共振する。従っ
て、第５図のノ・ツケージのように金属からなる国体部
２Ａの場合には、その上面２Ｂに直接ちるいはメタライ
ズ膜を介して蓋体を固着しても、共振が発生することが
なく良好な周波数特性が得られる。

また、第５図のパッケージは高周波信号の外部との入出
力はストＩＪツブ・ラインで行なわれ、伝播モードが予
測される外部の一？イクロ・ストリップ・ライン回路と
：ｄ１−であるため伝達萩洛が不連続にならず、高周波
特性の劣化音声けることがでキ、同軸コネクタ金円いな
いので、小ハ１］化「ることができる。

さらに、第５図のパッケージは′ｄＬ気ノオ子ザ、１の
周りの金属国体部分がアース１位となるので、絶縁物基
体５と絶縁物駒体７に挾１れたストリップ・ライン６の
中程部分は擬似同６１１線路と考えられ、夛り合うスト
リップ・ラインはアースμ位の金属国体部分で隔離され
ているのでストリップ・ライン間に高周波結合が生じな
い。

前記第６図のような成気卒子部１の各部の寸法は、例え
ば基体５の底面から駒体７の上面までの高さが１．２■
、駒体７のストリップ・ラインと同一方向の是さが０５
鱗、麟１体７を載Ｙトシである基体５に２けるストリッ
プ・ラインと同一方向り長さが１鴎、ストリップ・ライ
ン６の幅が０３−２基体５の幅が１．２−である。

第８図及び第９図は、第５図のパッケージをり；ズＭｆ
光接続した場合の平面図及び第８図のｚ　−ｚ’線にお
ける断面図である。

図において、金属国体部２Ａ上には蓋体９が固着されて
おり、＠ジ合うパッケージの電気端子部１のストリップ
・ライン６．６′が互いに突き合せられ、金（Ａｕ）の
リボン１０が相互にボンディングされて接続されている
。

縦続接続された端のパッケージには、リード片４．４′
が融着されている。

図において、金属国体２Ａには、例えば半導体チップを
有する超小型のバランス型増幅器（νＩ示せず）が搭載
され、リード片４及びストリップ・ライ／６は高周波信
号用に、リード片４′及びストリップ・ライン６′は１
■流′α圧用であり、国体２の窩 対向する側壁には、対象に４気端子部１が設けられてお
り、一方が入力用、他方が出力用である。

第７図のａｆ面図に示す如く、バランス型増幅器３０は
その表面に形成された高周波信号用のストリップ・ライ
ン６′により金のリボン１０′で電気仁：パ子部１のス
）　ｌ）ツブ・ラインにｆｆｌ　Ｉｑされている。

第８図のようにパッケージの縦←接モパ一タニ？いては
、ス）　ＩＪツブ・ライン６の設けられた位５ｑの誤差
により、符号２０で示す部分の妬くストリップ・ライン
６が正確に突き合わず、リボン１０を斜めにしなければ
接続で＠ない場合がある。

第１０図は第８図のイ゛１−→ｊ２０で示す部分を拡大
して、よＦ）祥細に表わした図である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記スト−）ツブ・ライン６０設けられた位１４の誤差
は、電気端子部１の絶縁物基体５上にストリップ・ライ
ン６を形りにすゐとき、及びストリップ・ライン６の形
成されたＣｔ、気嬬子郁１？金属匡体Ｒ５２Ａに嵌挿し
、固着すると１の位置ずれによるもる のであｌｉ′す。

第１０図の品分イ面図に２いて、ストリップ・ライン６
の幅が例えば（１，３−ｍであり、相λ′４すめストリ
ップ・ライン６が１．５　ｆ１以上もずれているとする
と、リボン１０全かなり斜めにしてボンティングしなげ
ｎはならず、接続間の距離が艮くなると共に良好な接続
がなζｈす、高周波特性全劣化させる原因となる。

−えた、第１１図の、迅分平面［４のように、心気端子
部１を雀す国体部へ；秩Ｊ＋！′＋１．でろうけけする
ときの位置ずれにより、眠気端子部１が深＜Ｉ］ＩＥ挿
されたり（下μｌｌ）、あるいは浅く嵌挿されたり（上
側）すると、ストリップ・ライン６．６′のリボン１０
による接続間の距離が長くなり、やはり高周波特性を劣
化させる原因となる０ すなわち、上記の第５図の如きパッケージにおいては、
絶縁物基体５上へストリップ・ライン６ｉハとなってい
た。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、上記問題点は、半導体チップを収容す
る金属匡体部とそのう外を結ぶ貫通口を月する金４ベー
スと、前記貫通口に訣挿固着された′４気端子部とを備
え、前記′こ気躊子部が表面に７り数のストリップ・ラ
インが平行に形成された絶よ遺物基体と、該ストリップ
・ラインのそれぞれに対応し、該ストリップ・ライン中
程を覆うように設けられて該絶縁物基体と一体化された
複数の絶縁物駒体とを有してなること全特徴とする半導
体装置によって解決できる。

〔作　用〕

本発明によれば、１つの絶縁物基体上にゲ数のストリッ
プ・ラインが平行に形成された電気端子部を備えてなる
ので、複数のス）　ＩＪツブ・ライン間の間隔が正確に
なるようにストリップ・ラインを形成すれば、複数のパ
ッケージの縦続接続のときのストリップ・ライ／の突き
合せにおいて、ずれが生じない。

また、縦紐接級のときにストリップ・ライ／間の距離は
各接続箇所で同じになり、リボンによる接続間の距離が
異なることはない。

したがって、本発明によれば複数のパッケージの縦続接
続において、特性論比の原因となる位置ずれはなく、優
れた高周波特性が得られる。

〔実旅例〕

第１図は本発明−実７／！ｉ　１ｙ１１の半導体装良管
示す斜７只シ１である。図にｂ−いて、１２は心気端子
部、１３＋ｉ′・４気端子部】２に形成されたメタライ
ズ膜、２０は金５ベース、２０Ａは金属ベースに一体形
成された金、軍国体部、２１は金属匡体部２０Ａの側壁
に設けら縫た貫通口、２２は蓋体、２３はリード片であ
る。

油気端子ｇ３１２は、第２図に示すように絶縁物基イ。

！−１４上に複数のストリップ・ライン６が形成され、
それぞれのス）　＋１ツブ・ラインの中程を覆って尼偵
物駒本１５が需給されている０また、電気−４子部１２
の底面、絶縁物駒体１５の上１１及び′３１１而Ｊでメ
タライズ膜°が形成され、さらに約縁物陶体１５間の基
体１４表面にリング状となるメタライズたが形成されて
いる。

第３図及び第４図は電気端子部を製造する工程の−ｙ１
」を示す斜視図である０ ′、マす、ｆＳ３図の如く、９すえばアルミナの扮宋に
合成（１（脂をバインダとし、岱剤を用いて混練したも
Ｏを形成してセラミ、りのグリーン成形体からなる。１
１巳ｊ幻勿基体１４を形成し、その上に〕′）、かりし
成法によりタングステン（Ｗ）あるいはモリブデン・マ
ンガン（ＭＯ−Ｍｎ）からなる３つのストリップ・ライ
ン６ｔ−複数本形成する０ 次に、第４図に示す如く絶縁物基体１４と同様に形成し
たグリーン形成体からなる絶縁物駒体１５を各ストリッ
プ・ライン６の中程を覆うように３つ基体１４上に焼結
する０ 次に、第２図の如くメタ２イズ膜１３ｔ−形成して、電
気端子部１２４１児収する０ この電気端子部１２は第１図に示すように、金属匡体部
２０Ａの側壁に設けられた貫通口２１に嵌挿される。

本実施グ」によれば、電気端子部１２０貫通口２１への
嵌挿において、ａ数のス）　ＩＪツブ・ライン間に２け
る位置ずれが生じることはなく、また、複数のストリッ
プ・ライ／を共通の絶縁物基体に同時に形成するので、
ストリップ・ライン間の間隔の　　。

精度が良い〇 すなわち、複数のパッケージの縦続接続では良好に接続
がなされ、優れた高周波特性が得られる０−また、第１
図のパッケージには、１・ｌ：えばバランス型増臨器（
・刻示せず）−斗が配設さ４’Ｌる。この精・’ｊ；Ｓ
、シｇには、・氏諒ｊＩト、Ｔ；ボン・ゲイング・パッ
ド、しびにｔ周波信号用のストｌ）ツブ・ラインが設け
られて；’Ｊ”　Ｏ、’４６４用のボンティノブ・バッ
ドは電気端子部１２の直流厄圧用のストリップ・ライン
とポンディ７グ・ワイヤにとジ接続てれ、増”：ｊ４器
のストリップ・ラインは＆気−り子部】２の高周波信号
用のストリップ・ラインと突き合わされて金のリボンに
より接）洸さする。

したがって、本Ｎ　＋＄　ｙ：＋によればパッケージ内
（配設する回路のストＩＪツブ・ラインと電気端子部の
ストリップ・ラインの接続にお・いて、電気端子部のス
トリップ・ラインの位陽樗・〈−５１良く、良好な接続
がなでれ、優れたＡ）か波特性が（５られる。

本実ハｌしくｊで、３つの絶縁物１１体１５の間には、
金属匡体部２０Ａが介在されるので、ｉ！−１流ＩｊＬ
圧用のス）　ｌ）ツブ・ラインと高周波信号用のストリ
ップ・ラインの闇に高周波結合を生じることはない。

ｒｏｉ　％本実施例で１４、共ｌｉｌの絶（埃物基体１
４上に複数のストリップ・ラインが形成された電２端子
部を有するパッケージ：４″ついて述べたが、回りに胚
１体に共辿にして、ストリップ・ラインのそれ一ゼ１す れに独立な基体を設〆る電気端子部を有するパッケージ
も考えられる。この場合（（、ストリップ・ライン間の
間隔が精度よくなるように複数の基体を３コ体に接Ｕす
るのは部しいが、やｉ′ｊ、り嵌挿における位ｉηすれ
がなく、高）Ｉ・１波特性の劣化、つ；ない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、金柘国体邪１’：ｉｌ＋　壁に設けら
れたＸＪ迫ロヘ散気端子部金浪挿するときの佇数のスト
リップ・ライン間における位置すれかなく、ストリップ
・ライン間の間隔を精度良く形成できる、したがって、
電気婚子部の複数のストリップ・ラインが、それぞれ別
のパッケージまたはパッケージ内に配設の回路と良好に
接続−′−机、優れた１１Ｆ〜波特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明−実施ビ１」の半導体装色を示す斜視図
である。 ２８２パ、！、＋乃至第４１・小工本光明に係る一１ｉ
Ｌ　Ｓ（３３子及゛トその環造工桿を示す斜視１文（で
ある。 ４５図及び第６図は従〕（ソの牛ｚ１体装虞及びぞの′
砥・；ｔ４αム１子？そン１、ゼれ示す斜視図である０
５，５７図は第５図の：ｌ来のヰ゛ンぢ不装置のｆｊｉ
ｉｌ至図であう。 第：＜：’；、１及Ｊ公第９区は９Ｙズの半・４本体装
置、・をｊ・ｔイ・、ヒぞケーパコしたー１時舎の平面
、・７１及び１１白１図である。つ、０１０図及びζ１
１　：’Ｊ−，Ｅぞれぞれ従来の手・ｋ、・（辺装危衾
縦（１賢＋ｉＱ　した揚台のに、？、「・３分の乎尭淳
［でちる。 １」ぐこ　１？し）で、 １．１２はｔｅｌ、気端子部、　：Ｌ　２０　ｉ　Ｌ　
Ｑ　ｉｊＡベース、２Ａ、　２０Ａｉ：ｍ寸＋ＩＳは体
部、　　３，２１は頁浦口、４、４’、　２３はリード
片、　　　５，１４は杷；呟物基淳、６、　６’＋”、
＋−ストリップ・ライン、　　　７．１５ｔすい、橡物
駒体、８．１３はメタライズ膜、　　　りに？Ｘ俸−Ｃ
，ち／）。 ξ絶（・） 代伸人　斤ＪｊＢｉ　−：：　　伝　「ｔ′］　　云ｌ
−七′□二ｉ汚貫不１閑 寥２月 率ε頃 率ｑ＠ ／　　ｉ／　　　）Ｌ−１”７ 、ｐ、　　　２　　　／乙　ｌ 塵Ｉｌ呵

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体チップを収容する金属匡体部とその内外を結ぶ
   貫通口を有する金属ベースと、前記貫通口に嵌挿固着さ
   れた電気端子部とを備え、前記電気端子部が表面に複数
   のストリップ・ラインが平行に形成された絶縁物基体と
   、該ストリップ・ラインのそれぞれに対応し、該ストリ
   ップ・ライン中程を覆うように設けられて該絶縁物基体
   と一体化された複数の絶縁物駒体とを有してなることを
   特徴とする半導体装置。