JP2660244B2 - 表面処理方法 - Google Patents
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマイクロ波電界を加えるとともに、外部磁場
を加え、それらの相互作用を用い、かつその電界の最も
大きい空間またはその近傍にエッチング手段を設け、活
性水素によりかかるエッチングをアモルファス構造の半
導体または窒化珪素に対して行う方法に関する。 〔従来の技術〕 従来、薄膜のエッチング手段としてECR（電子サイク
ロトロン共鳴）を用い、10-3〜10-5torrの低い圧力条件
下で少なくとも電子がサイクロトロン共鳴をするために
１周するに十分な低い圧力で活性種を作り、その発散磁
場を利用してこの共鳴空間より「離れた位置」に基板を
配設し、そこで弗化物気体または塩化物気体を用いて被
膜特にアモルファス構造を有する被膜をエッチングする
方法が知られている。 特にECRエッチング法は活性種を磁場によりピンチン
グし、高エネルギ化することにより電子エネルギを大き
くし、効率よく気体をプラズマ化させている。このプラ
ズマ化させることにより、気体が有する高エネルギによ
り基板の被形成面がスパッタ（損傷）を受けることを防
ぐために反応空間を10-3〜10-5torrの真空とし、このEC
R条件を満たした空間より「離れた位置」に基板を配設
して、高エネルギ状態のプラズマ粒子のスパッタ効果を
避けたイオンシャワー化した反応性気体を到達させるこ
とにより異方性エッチングを行っていた。 〔従来の問題点〕 しかしかかるシャワー化した反応性気体を用いたエッ
チング方法においては、そのエッチング用気体として弗
化物または塩化物を用いている。このため装置が劣化
し、特に排気オイルが劣化する欠点を有していた。 そのため、かかる弗化物気体または塩化物気体を用い
ずアモルファス構造を有している半導体または窒化珪素
をエッチングする手段が求められていた。 〔問題を解決すべき手段〕 本発明はかかる要望を満たすもので、特にアモルファ
ス構造を有している半導体または窒化珪素を、活性水素
を多量に生成して、この水素によりエッチングを行うも
のである。この目的のため、マイクロ波電力の電界強度
が最も大きくなる領域をECR条件とする875ガウス（マイ
クロ波周波数2.45GHzの場合）またはその近傍の水素の
活性状態が持続しているところより離れた空間に被形成
面を有する基板を配設する。さらにその領域で圧力を初
期放電を円滑にするため、１×10-2〜１×10-5torrの低
真空下で電場・磁場相互作用を有せしめプラズマ空間を
発生させる。例えば、ECR（電子サイクロトロン共鳴）
を生ぜしめる。更にここに水素を導入して、空間の圧力
を徐々に上げ１×10-1〜３×10-2torrとプラズマ状態を
持続しつつ変更する。すると、この空間の活性水素はこ
れまでのECR CVD法に比べて102〜105程度の高濃度にす
ることができる。するとかかる高い圧力においてのみ初
めて活性水素の濃度がきわめて濃くできるためアモルフ
ァス構造を有する珪素、SixC1-X（０≦Ｘ＜１）,SixGe
1-X（０≦Ｘ＜１）の半導体または窒化珪素（Si3N4-X 0
≦Ｘ＜４）に対し、エッチングにより除去させることが
できる。この時結晶シリコン、特に単結晶シリコンまた
は結晶粒はエッチングされずに同一雰囲気でも残存でき
る。 すなわち本発明は従来より知られたマイクロ波を用い
たプラズマCVD法に磁場の力を加え、マイクロ波の電場
と磁場との相互作用、好ましくはECR（エレクトロンサ
イクロトロン共鳴）条件又はホイッスラー共鳴条件を含
む相互作用を利用し、さらにそのエッチング中の圧力は
１×10-1〜３×102torrの高い圧力で高密度の高エネル
ギの水素プラズマを利用している。 また本発明の構成において、マイクロ波と磁場との相
互作用により高密度プラズマを発生させた後、基板表面
上まで至る間に高エネルギを持つ光（例えば紫外光）を
照射し、活性種にエネルギを与えつづけると、マイクロ
波電界の最大となる領域即ち高密度プラズマ発生領域よ
り10〜50cmもの十分離れた位置においても高エネルギ状
態に励起されたエッチング用水素が存在し、より大面積
にアモルファス半導体例えばアモルファス構造の珪素、
SixGe1-X（０≦Ｘ＜１）,SixC1-X（０≦Ｘ＜１）のエッ
チングを行うことが可能ととなった。 さらに磁場とマイクロ波の相互作用により発生する高
エネルギ励起種に直流バイアス電圧を加えて、基板側に
多量の励起子が到達するようにすることは薄膜の形成速
度を向上させる効果があった。 以下に実施例を示し、さらに本発明を説明する。 〔実施例〕 第１図に本発明にて用いた磁場印加可能なマイクロ波
プラズマエッチング装置を示す。 同図において、この装置は減圧状態に保持可能なプラ
ズマ発生空間（１）、加熱空間（３）、補助空間
（２）、磁場を発生する電磁石（５）、（５′）および
その電源（25）、マイクロ波発振器（４）、排気系を構
成するターボ分子ポンプ（８）、ロータリーポンプ（1
4）、圧力調整バルブ（11）、赤外線加熱ヒータ（2
0）、およびその電源（23）、赤外線反射面（21）、基
板ホルダ（10′）、基板（10）、マイクロ波導入窓（1
5）、ガス導入系（６），（７）、水冷系（18），（1
8′）より構成されている。 まずエッチング用基板（10）をホルダ（10′）上に設
置する。このホルダは高熱伝導性を有し、かつマイクロ
波および磁場をできるだけ乱さないためにセラミックの
窒化アルミニュームを用いた。この基板ホルダを赤外線
ヒータ（20）より放物反射面（21）レンズ系（22）を用
いて集光し加熱する。（例えば500℃）次に水素を10SCC
M、ガス系（７）を通して高密度プラズマ発生領域
（２）へと導入し、外部より2.45GHzの周波数のマイク
ロ波を500Wの強さで加える。さらに、磁場約2Kガウスを
磁石（５），（５′）より印加し、高密度水素プラズマ
をプラズマ発生空間（１）にて発生させる。この時プラ
ズマ発生空間（１）の圧力は１×10-4torrに保持されて
いる。この高密度プラズマ領域より高エネルギを持つ水
素原子または電子が基板（10）上に到り、表面を洗浄
し、また若干のエッチングを行い得る。さらにこの水素
を多量に導入する。そして空間の圧力はプラズマ状態を
保持しつつ１×10-1〜３×102torr好ましくは３〜300to
rr例えば10torrの圧力に変化させることができる。この
空間の圧力を高くすることにより、単位空間あたりの水
素ラジカルの濃度を大きくし、被膜成長速度を大きくで
きる。かくの如く一度低い圧力でプラズマ化を発生させ
ると、プラズマ状態を保持しつつ雰囲気の圧力を上げる
ことにより活性水素の濃度を大きくできる。 第１図において、磁場は２つのリング状の磁石
（５），（５′）を用いたヘルムホルツコイル方式を採
用した。さらに、４分割した空間（30）に対し電場・磁
場の強度を調べた結果を第２図に示す。 第２図（Ａ）において、横軸（Ｘ軸）は空間（20）の
横方向（反応性気体の放出方向）であり、縦軸（Ｒ軸）
は磁石の直径方向を示す。図面における曲線は磁場の等
磁場面を示す。そしてその線に示されている数字は磁石
（５）が約2000ガウスの時に得られる磁場の強さを示
す。磁石（５）の強度を調整すると、電極・磁場の相互
作用を有する空間（100）（875±185ガウス）で大面積
において磁場の強さを基板の被形成面の広い面積にわた
って概略均一にさせることができる。図面は等磁場面を
示し、特に線（26）が875ガウスのとなるECR（電子サイ
クロトロン共鳴）条件を生ずる等磁場面である。 さらにこの共鳴条件を生ずる空間（100）は第２図
（Ｂ）に示す如く、電場が最大となる領域となるように
している。第２図（Ｂ）の横軸は第２図（Ａ）と同じく
反応性気体の流れる方向を示し、縦軸は電場（電界強
度）の強さを示す。 すると電界領域（100）以外に領域（100′）も最大と
なる領域に該当する。しかしここに対応する磁場（第２
図（Ａ））はきわめて等磁場面が多く存在している。即
ち領域（100′）には基板の被形成面の直径方向（第２
図（Ａ）における縦軸方向）での膜厚のばらつきが大き
くなり、（26′）の共鳴条件を満たすECR条件部分で速
やかなる被膜のエッチングができるのみである。 結果として領域（100）においては、例えば結晶粒と
アモルファス構造とが混合している材料においては、ア
モルファス構造の領域のみを選択的にエッチングし除去
させることができる。またアモルファス構造のみを有し
ている材料、例えばアモルファス珪素、アモルファス窒
化珪素はそのすべてをエッチングして除去することがで
きる。 そしてアモルファスシリコン（実際には水素が10原子
％程度混入している）は0.5μの厚さでも約10分で完全
に除去することができた。また窒化珪素（気相法で作ら
れたアモルファス構造の窒化珪素）も1000Åの厚さを約
20分で除去することができた。マイクロ波の出力を500W
から1.2KWとすると、そのエッチング速度を約３倍にす
ることができた。またエッチング空間を0.1torrより300
torrとより高い圧力とするとより大きくできる。しかし
実験的には300torr以上にするとプラズマ状態の連続的
な保持が困難であり、実用上は使いにくくなってしまっ
た。 また領域（100）に対してその原点対称の反対の側に
も電場が最大であり、かつ磁場が広い領域にわたって一
定となる領域を有する。基板の加熱を行う必要がない場
合はかかる空間でのエッチングが有効である。しかしマ
イクロ波の電場を乱すことなく加熱を行う手段が得にく
い。 これらの結果、基板の出し入れの容易さ、加熱の容易
さを考慮し、均一にエッチングを行うためには第２図
（Ａ）の領域（100）が３つの領域の中で最も工業的に
量産性の優れた位置と推定される。 この結果、本発明では領域（100）に基板（10）を配
設すると、この基板が円形であった場合、半径100mmま
で、好ましくは半径50mmまでの大きさで均一、均質にエ
ッチングが可能となった。 さらに大面積とするには、例えばこの４倍の面積にお
いて同じく均一な膜厚とするには周波数を2.45GHzでは
なく1.225GHzとすればこの空間の直径（第２図（Ａ）の
Ｒ方向）を２倍とすることができる。 第３図は第２図における基板（10）の位置における円
形空間の磁場（Ａ）および電場（Ｂ）の等磁場、等電場
の図面である。第３図（Ｂ）より明らかなごとく、電場
は最大25KV/mにまで達せしめ得ることがわかる。 〔効果〕 本発明における圧力は、ECR条件を満たす圧力で補助
プラズマ放電をせしめ、エッチング後は全体の平均自由
工程が数mmまたはそれ以下であってかつプラズマ状態を
持続できる１×10-1〜３×102torrに空間を変化させる
ことを基本としている。かくすることにより形成された
エッチング速度が大きくなり、特に選択的にアモルファ
ス構造を有する半導体またはアモルファス構造を有する
窒化珪素に対してエッチングが可能となった。 本発明が実験的に見出した方法を取ることにより、結
晶性を有する被膜形成をアモルファス構造の領域のみエ
ッチングを行い、これと同時に結晶に対してはエピタキ
シャル成長を行わせ得る。その結果として単結晶または
多結晶の被膜の形成が本来結晶化の生じない室温〜500
℃の低い温度で可能となった。例えばメタン、エタン、
アセチレンを用いた粒径１μ〜1mmのダイヤモンドの形
成、SiH4を用いた200℃の温度での単結晶珪素のエピタ
キシャル成長を可能とせしめた。 また従来法に比べ大面積に均一な薄膜を形成すること
が可能であった。 さらに作製された薄膜は引張、圧縮とも膜応力をほと
んど有さない良好な膜であった。
を加え、それらの相互作用を用い、かつその電界の最も
大きい空間またはその近傍にエッチング手段を設け、活
性水素によりかかるエッチングをアモルファス構造の半
導体または窒化珪素に対して行う方法に関する。 〔従来の技術〕 従来、薄膜のエッチング手段としてECR（電子サイク
ロトロン共鳴）を用い、10-3〜10-5torrの低い圧力条件
下で少なくとも電子がサイクロトロン共鳴をするために
１周するに十分な低い圧力で活性種を作り、その発散磁
場を利用してこの共鳴空間より「離れた位置」に基板を
配設し、そこで弗化物気体または塩化物気体を用いて被
膜特にアモルファス構造を有する被膜をエッチングする
方法が知られている。 特にECRエッチング法は活性種を磁場によりピンチン
グし、高エネルギ化することにより電子エネルギを大き
くし、効率よく気体をプラズマ化させている。このプラ
ズマ化させることにより、気体が有する高エネルギによ
り基板の被形成面がスパッタ（損傷）を受けることを防
ぐために反応空間を10-3〜10-5torrの真空とし、このEC
R条件を満たした空間より「離れた位置」に基板を配設
して、高エネルギ状態のプラズマ粒子のスパッタ効果を
避けたイオンシャワー化した反応性気体を到達させるこ
とにより異方性エッチングを行っていた。 〔従来の問題点〕 しかしかかるシャワー化した反応性気体を用いたエッ
チング方法においては、そのエッチング用気体として弗
化物または塩化物を用いている。このため装置が劣化
し、特に排気オイルが劣化する欠点を有していた。 そのため、かかる弗化物気体または塩化物気体を用い
ずアモルファス構造を有している半導体または窒化珪素
をエッチングする手段が求められていた。 〔問題を解決すべき手段〕 本発明はかかる要望を満たすもので、特にアモルファ
ス構造を有している半導体または窒化珪素を、活性水素
を多量に生成して、この水素によりエッチングを行うも
のである。この目的のため、マイクロ波電力の電界強度
が最も大きくなる領域をECR条件とする875ガウス（マイ
クロ波周波数2.45GHzの場合）またはその近傍の水素の
活性状態が持続しているところより離れた空間に被形成
面を有する基板を配設する。さらにその領域で圧力を初
期放電を円滑にするため、１×10-2〜１×10-5torrの低
真空下で電場・磁場相互作用を有せしめプラズマ空間を
発生させる。例えば、ECR（電子サイクロトロン共鳴）
を生ぜしめる。更にここに水素を導入して、空間の圧力
を徐々に上げ１×10-1〜３×10-2torrとプラズマ状態を
持続しつつ変更する。すると、この空間の活性水素はこ
れまでのECR CVD法に比べて102〜105程度の高濃度にす
ることができる。するとかかる高い圧力においてのみ初
めて活性水素の濃度がきわめて濃くできるためアモルフ
ァス構造を有する珪素、SixC1-X（０≦Ｘ＜１）,SixGe
1-X（０≦Ｘ＜１）の半導体または窒化珪素（Si3N4-X 0
≦Ｘ＜４）に対し、エッチングにより除去させることが
できる。この時結晶シリコン、特に単結晶シリコンまた
は結晶粒はエッチングされずに同一雰囲気でも残存でき
る。 すなわち本発明は従来より知られたマイクロ波を用い
たプラズマCVD法に磁場の力を加え、マイクロ波の電場
と磁場との相互作用、好ましくはECR（エレクトロンサ
イクロトロン共鳴）条件又はホイッスラー共鳴条件を含
む相互作用を利用し、さらにそのエッチング中の圧力は
１×10-1〜３×102torrの高い圧力で高密度の高エネル
ギの水素プラズマを利用している。 また本発明の構成において、マイクロ波と磁場との相
互作用により高密度プラズマを発生させた後、基板表面
上まで至る間に高エネルギを持つ光（例えば紫外光）を
照射し、活性種にエネルギを与えつづけると、マイクロ
波電界の最大となる領域即ち高密度プラズマ発生領域よ
り10〜50cmもの十分離れた位置においても高エネルギ状
態に励起されたエッチング用水素が存在し、より大面積
にアモルファス半導体例えばアモルファス構造の珪素、
SixGe1-X（０≦Ｘ＜１）,SixC1-X（０≦Ｘ＜１）のエッ
チングを行うことが可能ととなった。 さらに磁場とマイクロ波の相互作用により発生する高
エネルギ励起種に直流バイアス電圧を加えて、基板側に
多量の励起子が到達するようにすることは薄膜の形成速
度を向上させる効果があった。 以下に実施例を示し、さらに本発明を説明する。 〔実施例〕 第１図に本発明にて用いた磁場印加可能なマイクロ波
プラズマエッチング装置を示す。 同図において、この装置は減圧状態に保持可能なプラ
ズマ発生空間（１）、加熱空間（３）、補助空間
（２）、磁場を発生する電磁石（５）、（５′）および
その電源（25）、マイクロ波発振器（４）、排気系を構
成するターボ分子ポンプ（８）、ロータリーポンプ（1
4）、圧力調整バルブ（11）、赤外線加熱ヒータ（2
0）、およびその電源（23）、赤外線反射面（21）、基
板ホルダ（10′）、基板（10）、マイクロ波導入窓（1
5）、ガス導入系（６），（７）、水冷系（18），（1
8′）より構成されている。 まずエッチング用基板（10）をホルダ（10′）上に設
置する。このホルダは高熱伝導性を有し、かつマイクロ
波および磁場をできるだけ乱さないためにセラミックの
窒化アルミニュームを用いた。この基板ホルダを赤外線
ヒータ（20）より放物反射面（21）レンズ系（22）を用
いて集光し加熱する。（例えば500℃）次に水素を10SCC
M、ガス系（７）を通して高密度プラズマ発生領域
（２）へと導入し、外部より2.45GHzの周波数のマイク
ロ波を500Wの強さで加える。さらに、磁場約2Kガウスを
磁石（５），（５′）より印加し、高密度水素プラズマ
をプラズマ発生空間（１）にて発生させる。この時プラ
ズマ発生空間（１）の圧力は１×10-4torrに保持されて
いる。この高密度プラズマ領域より高エネルギを持つ水
素原子または電子が基板（10）上に到り、表面を洗浄
し、また若干のエッチングを行い得る。さらにこの水素
を多量に導入する。そして空間の圧力はプラズマ状態を
保持しつつ１×10-1〜３×102torr好ましくは３〜300to
rr例えば10torrの圧力に変化させることができる。この
空間の圧力を高くすることにより、単位空間あたりの水
素ラジカルの濃度を大きくし、被膜成長速度を大きくで
きる。かくの如く一度低い圧力でプラズマ化を発生させ
ると、プラズマ状態を保持しつつ雰囲気の圧力を上げる
ことにより活性水素の濃度を大きくできる。 第１図において、磁場は２つのリング状の磁石
（５），（５′）を用いたヘルムホルツコイル方式を採
用した。さらに、４分割した空間（30）に対し電場・磁
場の強度を調べた結果を第２図に示す。 第２図（Ａ）において、横軸（Ｘ軸）は空間（20）の
横方向（反応性気体の放出方向）であり、縦軸（Ｒ軸）
は磁石の直径方向を示す。図面における曲線は磁場の等
磁場面を示す。そしてその線に示されている数字は磁石
（５）が約2000ガウスの時に得られる磁場の強さを示
す。磁石（５）の強度を調整すると、電極・磁場の相互
作用を有する空間（100）（875±185ガウス）で大面積
において磁場の強さを基板の被形成面の広い面積にわた
って概略均一にさせることができる。図面は等磁場面を
示し、特に線（26）が875ガウスのとなるECR（電子サイ
クロトロン共鳴）条件を生ずる等磁場面である。 さらにこの共鳴条件を生ずる空間（100）は第２図
（Ｂ）に示す如く、電場が最大となる領域となるように
している。第２図（Ｂ）の横軸は第２図（Ａ）と同じく
反応性気体の流れる方向を示し、縦軸は電場（電界強
度）の強さを示す。 すると電界領域（100）以外に領域（100′）も最大と
なる領域に該当する。しかしここに対応する磁場（第２
図（Ａ））はきわめて等磁場面が多く存在している。即
ち領域（100′）には基板の被形成面の直径方向（第２
図（Ａ）における縦軸方向）での膜厚のばらつきが大き
くなり、（26′）の共鳴条件を満たすECR条件部分で速
やかなる被膜のエッチングができるのみである。 結果として領域（100）においては、例えば結晶粒と
アモルファス構造とが混合している材料においては、ア
モルファス構造の領域のみを選択的にエッチングし除去
させることができる。またアモルファス構造のみを有し
ている材料、例えばアモルファス珪素、アモルファス窒
化珪素はそのすべてをエッチングして除去することがで
きる。 そしてアモルファスシリコン（実際には水素が10原子
％程度混入している）は0.5μの厚さでも約10分で完全
に除去することができた。また窒化珪素（気相法で作ら
れたアモルファス構造の窒化珪素）も1000Åの厚さを約
20分で除去することができた。マイクロ波の出力を500W
から1.2KWとすると、そのエッチング速度を約３倍にす
ることができた。またエッチング空間を0.1torrより300
torrとより高い圧力とするとより大きくできる。しかし
実験的には300torr以上にするとプラズマ状態の連続的
な保持が困難であり、実用上は使いにくくなってしまっ
た。 また領域（100）に対してその原点対称の反対の側に
も電場が最大であり、かつ磁場が広い領域にわたって一
定となる領域を有する。基板の加熱を行う必要がない場
合はかかる空間でのエッチングが有効である。しかしマ
イクロ波の電場を乱すことなく加熱を行う手段が得にく
い。 これらの結果、基板の出し入れの容易さ、加熱の容易
さを考慮し、均一にエッチングを行うためには第２図
（Ａ）の領域（100）が３つの領域の中で最も工業的に
量産性の優れた位置と推定される。 この結果、本発明では領域（100）に基板（10）を配
設すると、この基板が円形であった場合、半径100mmま
で、好ましくは半径50mmまでの大きさで均一、均質にエ
ッチングが可能となった。 さらに大面積とするには、例えばこの４倍の面積にお
いて同じく均一な膜厚とするには周波数を2.45GHzでは
なく1.225GHzとすればこの空間の直径（第２図（Ａ）の
Ｒ方向）を２倍とすることができる。 第３図は第２図における基板（10）の位置における円
形空間の磁場（Ａ）および電場（Ｂ）の等磁場、等電場
の図面である。第３図（Ｂ）より明らかなごとく、電場
は最大25KV/mにまで達せしめ得ることがわかる。 〔効果〕 本発明における圧力は、ECR条件を満たす圧力で補助
プラズマ放電をせしめ、エッチング後は全体の平均自由
工程が数mmまたはそれ以下であってかつプラズマ状態を
持続できる１×10-1〜３×102torrに空間を変化させる
ことを基本としている。かくすることにより形成された
エッチング速度が大きくなり、特に選択的にアモルファ
ス構造を有する半導体またはアモルファス構造を有する
窒化珪素に対してエッチングが可能となった。 本発明が実験的に見出した方法を取ることにより、結
晶性を有する被膜形成をアモルファス構造の領域のみエ
ッチングを行い、これと同時に結晶に対してはエピタキ
シャル成長を行わせ得る。その結果として単結晶または
多結晶の被膜の形成が本来結晶化の生じない室温〜500
℃の低い温度で可能となった。例えばメタン、エタン、
アセチレンを用いた粒径１μ〜1mmのダイヤモンドの形
成、SiH4を用いた200℃の温度での単結晶珪素のエピタ
キシャル成長を可能とせしめた。 また従来法に比べ大面積に均一な薄膜を形成すること
が可能であった。 さらに作製された薄膜は引張、圧縮とも膜応力をほと
んど有さない良好な膜であった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明で用いる磁場・電場相互作用を用いたマ
イクロ波CVD装置の概略を示す。 第２図はコンピュータシミュレイションによる磁場およ
び電場特性を示す。 第３図は電場・磁場相互作用をさせた位置での磁場およ
び電場の特性を示す。 １……プラズマ発生空間 10,10′……基板および基板ホルダ ４……マイクロ波発振器 5,5′……外部磁場発生器 20……基板加熱ヒータ 100……最大電場となる空間
イクロ波CVD装置の概略を示す。 第２図はコンピュータシミュレイションによる磁場およ
び電場特性を示す。 第３図は電場・磁場相互作用をさせた位置での磁場およ
び電場の特性を示す。 １……プラズマ発生空間 10,10′……基板および基板ホルダ ４……マイクロ波発振器 5,5′……外部磁場発生器 20……基板加熱ヒータ 100……最大電場となる空間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
合議体
審判長 小林 邦雄
審判官 左村 義弘
審判官 松田 悠子
(56)参考文献 特開 昭57−162338（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−49234（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−130428（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−68034（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−198726（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−202928（ＪＰ，Ａ)
特公 昭58−13627（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．減圧状態に保持されたプラズマ発生室と、 該発生室を囲んで設けられた磁場発生手段と、 前記プラズマ発生室にマイクロ波を供給する手段とを有
するプラズマ処理装置を用いて基板を表面処理する方法
において、 水素を含む非ハロゲンエッチング気体と成膜用気体に電
場・磁場相互作用を利用することにより前記水素を含む
非ハロゲンエッチング気体と成膜用気体をプラズマ化
し、 基板上に形成される被膜のアモルファス構造の領域を前
記プラズマ化した水素によりエッチングしつつ、非アモ
ルファス部分を成膜することを特徴とする表面処理方
法。 ２．特許請求の範囲第１項において、前記被膜はSixC
1-x（０≦ｘ＜１）であることを特徴とする表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299280A JP2660244B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299280A JP2660244B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151024A JPS63151024A (ja) | 1988-06-23 |
| JP2660244B2 true JP2660244B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=17870498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299280A Expired - Lifetime JP2660244B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660244B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0216731A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ反応装置 |
| JPH0711446A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
| US8394685B2 (en) * | 2010-12-06 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method and manufacturing method of thin film transistor |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324156A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Cryogenic cooling device |
| JPS5749234A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma etching method |
| JPS5768034A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-26 | Canon Inc | Dry etching method for amorphous hydrogenated silicon |
| JPS57130428A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Hitachi Ltd | Vacuum device |
| JPS5813627A (ja) * | 1981-06-16 | 1983-01-26 | モンサント・カンパニ− | 酸ハライド官能性物質およびアシルラクタム官能性物質 |
| JPS6050923A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
| JPS60202982A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | 日本電気株式会社 | 膜回路装置 |
| JPS61198726A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細加工法 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299280A patent/JP2660244B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63151024A (ja) | 1988-06-23 |
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