JP2680104B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置のチップの分割及びダイボンディング工程
を含む半導体装置の製造方法に関し、 ダイボンディングの処理を簡素化することを目的と
し、 半導体ウェハの一面に接着剤を塗布する工程と、搬送
皿の上面に形成した粘着剤と上記接着剤とを直に接触さ
せて、上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する工程と、
上記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割
する工程と、上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後
に、上記チップを上記搬送皿から持ち上げて、上記粘着
剤から上記接着剤を剥離するとともに上記接着剤が一体
となった上記チップを上記粘着剤から剥離する工程と、
露出した上記接着剤をチップ搭載基体に接着することに
より、上記チップを該チップ搭載基体に固定する工程と
を含み構成する。
を含む半導体装置の製造方法に関し、 ダイボンディングの処理を簡素化することを目的と
し、 半導体ウェハの一面に接着剤を塗布する工程と、搬送
皿の上面に形成した粘着剤と上記接着剤とを直に接触さ
せて、上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する工程と、
上記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割
する工程と、上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後
に、上記チップを上記搬送皿から持ち上げて、上記粘着
剤から上記接着剤を剥離するとともに上記接着剤が一体
となった上記チップを上記粘着剤から剥離する工程と、
露出した上記接着剤をチップ搭載基体に接着することに
より、上記チップを該チップ搭載基体に固定する工程と
を含み構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しく
は、半導体装置のチップの分割及びダイボンディング工
程を含む半導体装置の組立方法に関する。
は、半導体装置のチップの分割及びダイボンディング工
程を含む半導体装置の組立方法に関する。
半導体ウェハに形成した半導体装置をチップ分割し、
このチップをリードフレームに装着する場合には、第３
図に例示するように、紫外線硬化性のある粘着剤50を塗
布した透明の搬送皿51の上に半導体ウェハ52を貼り付け
（第３図（ａ））、この半導体ウェハ52を複数のチップ
53に分割した後に（第３図（ｂ））、搬送皿51の裏から
紫外線を照射し（第３図（ｃ））、紫外線硬化性粘着剤
50を硬化してその粘着性を大幅に劣化させた状態で各チ
ップ53を剥離するようにしている。
このチップをリードフレームに装着する場合には、第３
図に例示するように、紫外線硬化性のある粘着剤50を塗
布した透明の搬送皿51の上に半導体ウェハ52を貼り付け
（第３図（ａ））、この半導体ウェハ52を複数のチップ
53に分割した後に（第３図（ｂ））、搬送皿51の裏から
紫外線を照射し（第３図（ｃ））、紫外線硬化性粘着剤
50を硬化してその粘着性を大幅に劣化させた状態で各チ
ップ53を剥離するようにしている。
そして、チップ53をリードフレーム54に装着する場合
には、第３図（ｄ）に示すように、針材55によって搬送
皿51の裏からチップ53を押し上げながら真空チャク56を
使用してチップ53を持ち上げ、リードフレーム54のステ
ージに滴下した樹脂接着剤や銀ペースト等の貼着剤57の
上にチップ53を置くようにしている。
には、第３図（ｄ）に示すように、針材55によって搬送
皿51の裏からチップ53を押し上げながら真空チャク56を
使用してチップ53を持ち上げ、リードフレーム54のステ
ージに滴下した樹脂接着剤や銀ペースト等の貼着剤57の
上にチップ53を置くようにしている。
しかし、リードフレーム54上に貼着剤57を滴下する場
合には、その供給量が不均一になり易く、滴下量が少な
い場合にはチップ53が剥がれ易くなり、多い場合には貼
着剤57により周辺が汚染されるといった不都合がある。
合には、その供給量が不均一になり易く、滴下量が少な
い場合にはチップ53が剥がれ易くなり、多い場合には貼
着剤57により周辺が汚染されるといった不都合がある。
このため、ダイボンディングを行う毎に貼着剤57等を
供給したりその滴下量を管理する必要が生じ、ダイボン
ディング処理の管理機構を複雑にするといった問題があ
る。
供給したりその滴下量を管理する必要が生じ、ダイボン
ディング処理の管理機構を複雑にするといった問題があ
る。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであ
って、ダイボンディングの処理を簡素化できる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
って、ダイボンディングの処理を簡素化できる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
半導体ウェハ１の一面に接着剤４を塗布する工程と、
搬送皿６の上面に形成した粘着剤５と上記接着剤４とを
直に接触させて上記半導体ウェハ１を該搬送皿６に載置
する工程と、上記搬送皿６上の上記半導体ウェハ１を複
数のチップ８に分割する工程と、上記搬送皿６上の上記
粘着剤５を硬化させた後に、上記チップ８を上記搬送皿
６から持ち上げて上記粘着剤５から上記接着剤４を剥離
するとともに上記接着剤４が一体となった上記チップ８
を上記粘着剤５から剥離する工程と、露出した上記接着
剤４をチップ搭載基体11に接着することにより上記チッ
プ８を該チップ搭載基体11に固定する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法により解決する。
搬送皿６の上面に形成した粘着剤５と上記接着剤４とを
直に接触させて上記半導体ウェハ１を該搬送皿６に載置
する工程と、上記搬送皿６上の上記半導体ウェハ１を複
数のチップ８に分割する工程と、上記搬送皿６上の上記
粘着剤５を硬化させた後に、上記チップ８を上記搬送皿
６から持ち上げて上記粘着剤５から上記接着剤４を剥離
するとともに上記接着剤４が一体となった上記チップ８
を上記粘着剤５から剥離する工程と、露出した上記接着
剤４をチップ搭載基体11に接着することにより上記チッ
プ８を該チップ搭載基体11に固定する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法により解決する。
本発明によれば、半導体ウェハ１の一面に塗布された
接着剤を搬送皿６上の粘着剤５に直に張り付けて半導体
ウェハ１を搬送皿６上に載置固定した後に、半導体ウェ
ハ１を複数のチップ８に分割し、その後に紫外線照射な
どにより搬送皿６上の粘着剤５を硬化させて接着剤４と
粘着剤５との接着力を低下させた後に、チップ８側の接
着剤４を搬送皿６上の粘着剤５から剥離し、続いて、剥
離によって露出したチップ８側の接着剤４をそのままチ
ップ搭載基体（例えば、リード）11に載せて、その接着
剤４でチップ８をチップ搭載基体11に接着固定するよう
にしている。
接着剤を搬送皿６上の粘着剤５に直に張り付けて半導体
ウェハ１を搬送皿６上に載置固定した後に、半導体ウェ
ハ１を複数のチップ８に分割し、その後に紫外線照射な
どにより搬送皿６上の粘着剤５を硬化させて接着剤４と
粘着剤５との接着力を低下させた後に、チップ８側の接
着剤４を搬送皿６上の粘着剤５から剥離し、続いて、剥
離によって露出したチップ８側の接着剤４をそのままチ
ップ搭載基体（例えば、リード）11に載せて、その接着
剤４でチップ８をチップ搭載基体11に接着固定するよう
にしている。
このため、半導体ウェハ１を分割する際には、半導体
ウェハ１下面の接着剤４と搬送皿６上の粘着剤５との直
接の接触による互いの粘着性の相乗効果によって半導体
ウェハ１と搬送皿６との固定力が非常に高くなって分割
の際のチップ８の固定力を従来よりも強固にできる。し
かも、半導体ウェハ１を複数のチップ８に分割した後に
は、紫外線照射などにより粘着剤５の粘着性を低下させ
て接着剤４を粘着剤５から容易に剥離でき、これによっ
て露出したチップ８下面の接着剤４をそのまま接着剤と
して使用してチップ８をチップ搭載基体11に接着固定す
ることができ、これにより、粘着剤５を硬化させた後
に、チップ８上に接着剤を塗布したり、チップ８上に剥
離紙を形成しこれを加熱熔融して接着性を付与すること
が不要になり、作業性が向上する。
ウェハ１下面の接着剤４と搬送皿６上の粘着剤５との直
接の接触による互いの粘着性の相乗効果によって半導体
ウェハ１と搬送皿６との固定力が非常に高くなって分割
の際のチップ８の固定力を従来よりも強固にできる。し
かも、半導体ウェハ１を複数のチップ８に分割した後に
は、紫外線照射などにより粘着剤５の粘着性を低下させ
て接着剤４を粘着剤５から容易に剥離でき、これによっ
て露出したチップ８下面の接着剤４をそのまま接着剤と
して使用してチップ８をチップ搭載基体11に接着固定す
ることができ、これにより、粘着剤５を硬化させた後
に、チップ８上に接着剤を塗布したり、チップ８上に剥
離紙を形成しこれを加熱熔融して接着性を付与すること
が不要になり、作業性が向上する。
第１、２図は、本発明の一実施例の工程を示す斜視図
と断面図であって、まず、半導体ウェハ１のうち半導体
回路を形成した表側の面を保護するために、半導体ウェ
ハ１をスピナー２の載置台３に吸着固定し、その表側の
面にフォトレジストのような保護剤を塗布する。そして
この後に、半導体ウェハ１を裏返しにしてスピナー２の
載置台３に再び固定する。
と断面図であって、まず、半導体ウェハ１のうち半導体
回路を形成した表側の面を保護するために、半導体ウェ
ハ１をスピナー２の載置台３に吸着固定し、その表側の
面にフォトレジストのような保護剤を塗布する。そして
この後に、半導体ウェハ１を裏返しにしてスピナー２の
載置台３に再び固定する。
この状態において、第１図（ａ）に示すように、スピ
ナー２から露出した半導体ウェハ１の裏面にエポキシ樹
脂等よりなる接着剤４を滴下しながらスピナー２を回転
させると、半導体ウェハ１の裏面全域には遠心力により
接着剤４が一様に塗布されることになる。
ナー２から露出した半導体ウェハ１の裏面にエポキシ樹
脂等よりなる接着剤４を滴下しながらスピナー２を回転
させると、半導体ウェハ１の裏面全域には遠心力により
接着剤４が一様に塗布されることになる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、紫外線の照射によ
って硬化する粘着剤５を上面に塗布した搬送皿６を使用
してこの上に半導体ウェハ１を載置し、第２図（ａ），
（ｂ）に示すようにして搬送皿６の粘着剤５形成面と半
導体ウェハ１の接着剤４形成面を合わせる。ここで用い
る搬送皿６は、ポリエチレンのような紫外線透過性の材
料により形成されており、その上面の半導体ウェハ１を
囲む領域に、紫外線硬化性粘着剤５を介してフレーム７
を取付けたものである。紫外線硬化性粘着剤５には、例
えばプレポリマーとしてエポキシアクリレート、モノマ
ーとして２エチルヘキシルアルキレート、光開始剤とし
てベンジル、増感剤としてジ−ｎ−ブチルアミン等を混
合したものを用いる。
って硬化する粘着剤５を上面に塗布した搬送皿６を使用
してこの上に半導体ウェハ１を載置し、第２図（ａ），
（ｂ）に示すようにして搬送皿６の粘着剤５形成面と半
導体ウェハ１の接着剤４形成面を合わせる。ここで用い
る搬送皿６は、ポリエチレンのような紫外線透過性の材
料により形成されており、その上面の半導体ウェハ１を
囲む領域に、紫外線硬化性粘着剤５を介してフレーム７
を取付けたものである。紫外線硬化性粘着剤５には、例
えばプレポリマーとしてエポキシアクリレート、モノマ
ーとして２エチルヘキシルアルキレート、光開始剤とし
てベンジル、増感剤としてジ−ｎ−ブチルアミン等を混
合したものを用いる。
この後で、図示しないダイシングソーによって半導体
ウェハ１に切り込みを入れ、第２図（ｃ）に示すような
チップ分割を行う。この状態では、搬送皿６上の粘着剤
５及び接着剤４は粘着性を保持しているために複数のチ
ップ８はその配列を維持している。
ウェハ１に切り込みを入れ、第２図（ｃ）に示すような
チップ分割を行う。この状態では、搬送皿６上の粘着剤
５及び接着剤４は粘着性を保持しているために複数のチ
ップ８はその配列を維持している。
この段階でプロービングを行う。即ち、チップ８の選
別を行って不良チップ８にマークを付ける。
別を行って不良チップ８にマークを付ける。
以上のような工程を終えた後に、チップ８のボンディ
ングを行う場所に搬送皿６を搬送してこれを所定位置に
固定し、第２図（ｄ）に示すようにその裏側から紫外光
を照射すると、搬送皿６上面に形成した紫外線硬化性の
粘着剤５は搬送皿６を透過した紫外光によって硬化する
ためにその粘着性がなくなる上に、その表面の平坦性が
悪いため、チップ８裏面の接着剤４は粘着剤５から剥が
れ易い状態となる。
ングを行う場所に搬送皿６を搬送してこれを所定位置に
固定し、第２図（ｄ）に示すようにその裏側から紫外光
を照射すると、搬送皿６上面に形成した紫外線硬化性の
粘着剤５は搬送皿６を透過した紫外光によって硬化する
ためにその粘着性がなくなる上に、その表面の平坦性が
悪いため、チップ８裏面の接着剤４は粘着剤５から剥が
れ易い状態となる。
そこで、第２図（ｅ）に示すように、下方から搬送皿
６に針10を貫通させてそのチップ８を持ち上げるととも
に、真空チップ９を用いて半導体チャック８を引き上げ
ると、そのチップ８は搬送皿６から離脱する。
６に針10を貫通させてそのチップ８を持ち上げるととも
に、真空チップ９を用いて半導体チャック８を引き上げ
ると、そのチップ８は搬送皿６から離脱する。
そして、チップ８を吸着した状態で真空チャック９を
リードフレーム11中央のステージの上方まで移動させ、
第２図（ｆ）に示すようにチップ８をそのステージに載
置した後に真空チャック９の吸引を解くと、チップ８の
裏側の面には接着剤４が全面に塗布されているため、リ
ードフレーム11上にチップ８が貼り付いた状態となる。
そこで、エポキシ樹脂性の接着剤４を熱硬化させるとチ
ップ８はリードフレーム11に強固に固定されることにな
る。
リードフレーム11中央のステージの上方まで移動させ、
第２図（ｆ）に示すようにチップ８をそのステージに載
置した後に真空チャック９の吸引を解くと、チップ８の
裏側の面には接着剤４が全面に塗布されているため、リ
ードフレーム11上にチップ８が貼り付いた状態となる。
そこで、エポキシ樹脂性の接着剤４を熱硬化させるとチ
ップ８はリードフレーム11に強固に固定されることにな
る。
なお、上記した実施例では接着剤４にエポキシ樹脂系
の材料を使用したが、その他の合成樹脂、合成ゴム等よ
りなる材料を使用することもできる。
の材料を使用したが、その他の合成樹脂、合成ゴム等よ
りなる材料を使用することもできる。
また、搬送皿６の材料を、紫外光を透過するポリオキ
シメチレン、ポリ塩化ビニル等により構成することもで
きる。
シメチレン、ポリ塩化ビニル等により構成することもで
きる。
以上述べたように本発明によれば、半導体ウェハの一
面に塗布された接着剤を搬送皿上の粘着剤に直に張り付
けて半導体ウェハを搬送皿上に載置固定した後、半導体
ウェハを複数のチップに分割し、その後に紫外線照射な
どにより搬送皿上の粘着剤を硬化させて接着剤と粘着剤
との接着力を低下させた後に、チップ側の接着剤を搬送
皿上の粘着剤から剥離し、続いて、剥離によって露出し
たチップ側の接着剤をそのままチップ搭載基体に載せ
て、その接着剤でチップをチップ搭載基体に接着固定す
るようにしたので、半導体ウェハを分割する際には、半
導体ウェハ下面の接着剤と搬送皿上の粘着剤との直接の
接触による互いの粘着性の相乗効果によって半導体ウェ
ハと搬送皿との固定力が非常に高くなって分割の際のチ
ップの固定力を従来よりも強固にできる。
面に塗布された接着剤を搬送皿上の粘着剤に直に張り付
けて半導体ウェハを搬送皿上に載置固定した後、半導体
ウェハを複数のチップに分割し、その後に紫外線照射な
どにより搬送皿上の粘着剤を硬化させて接着剤と粘着剤
との接着力を低下させた後に、チップ側の接着剤を搬送
皿上の粘着剤から剥離し、続いて、剥離によって露出し
たチップ側の接着剤をそのままチップ搭載基体に載せ
て、その接着剤でチップをチップ搭載基体に接着固定す
るようにしたので、半導体ウェハを分割する際には、半
導体ウェハ下面の接着剤と搬送皿上の粘着剤との直接の
接触による互いの粘着性の相乗効果によって半導体ウェ
ハと搬送皿との固定力が非常に高くなって分割の際のチ
ップの固定力を従来よりも強固にできる。
しかも、半導体ウェハを複数のチップに分割した後
に、粘着剤を硬化させて接着剤を粘着剤から容易に剥離
し、ついで、露出したチップ側の接着剤をそのまま接着
剤として使用してチップをチップ搭載基体に接着固定す
ることができ、これにより、粘着剤を硬化した後にチッ
プに接着剤を塗布したりチップに剥離紙を形成しこれを
加熱熔融して接着性を付与する手間が不要になり、作業
性を向上することができる。
に、粘着剤を硬化させて接着剤を粘着剤から容易に剥離
し、ついで、露出したチップ側の接着剤をそのまま接着
剤として使用してチップをチップ搭載基体に接着固定す
ることができ、これにより、粘着剤を硬化した後にチッ
プに接着剤を塗布したりチップに剥離紙を形成しこれを
加熱熔融して接着性を付与する手間が不要になり、作業
性を向上することができる。
第１図は、本発明の一実施例の工程を示す斜視図、 第２図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図、 第３図は、従来方法の一例を示す断面図である。 （符号の説明） １…半導体ウェハ、２…スピナー、３…載置台、４…接
着剤、５…紫外線硬化性粘着剤、６…搬送皿、８…チッ
プ、９…真空チャック、10…針、11…リードフレーム。
着剤、５…紫外線硬化性粘着剤、６…搬送皿、８…チッ
プ、９…真空チャック、10…針、11…リードフレーム。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハの一面に接着剤を塗布する工
程と、 搬送皿の上面に形成した粘着剤と上記接着剤とを直に接
触させて、上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する工程
と、 上記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割
する工程と、 上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後に、上記チッ
プを上記搬送皿から持ち上げて、上記粘着剤から上記接
着剤を剥離するとともに上記接着剤が一体となった上記
チップを上記粘着剤から剥離する工程と、 露出した上記接着剤をチップ搭載体に接着することによ
り、上記チップを該チップ搭載体に固定する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215889A JP2680104B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215889A JP2680104B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210844A JPH02210844A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2680104B2 true JP2680104B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=12351123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3215889A Expired - Lifetime JP2680104B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680104B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247640A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7338836B2 (en) * | 2003-11-05 | 2008-03-04 | California Institute Of Technology | Method for integrating pre-fabricated chip structures into functional electronic systems |
| JP5019154B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2012-09-05 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体パッケージの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2680364B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP3215889A patent/JP2680104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02210844A (ja) | 1990-08-22 |
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